CN109971376B - 切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切割芯片接合薄膜，本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割胶带(10)、粘合粘接剂层(20)和隔膜(S)。切割胶带(10)具有基材(11)和该基材上的粘合剂层(12)。粘合粘接剂层(20)以能够剥离的方式密合于切割胶带(10)的粘合剂层(12)。隔膜(S)配置在粘合粘接剂层(20)上，且能够从粘合粘接剂层(20)剥离。粘合粘接剂层(20)的隔膜侧表面的表面自由能γs1为28～40mJ/m2。隔膜(S)的粘合粘接剂层侧表面的表面自由能γs2为14～35mJ/m2。两表面自由能之差γs1‑γs2为0～19mJ/m2。

Description

切割芯片接合薄膜
技术领域
本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割芯片接合薄膜。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，为了获得带有尺寸与芯片接合用芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带芯片接合用芯片接合薄膜的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆相应的尺寸，例如具有由基材和粘合剂层构成的切割胶带、以及在其粘合剂层侧以能够剥离的方式密合的芯片接合薄膜。
作为使用切割芯片接合薄膜而得到带芯片接合薄膜的半导体芯片的方法之一，已知有历经将切割芯片接合薄膜中的切割胶带扩展并割断芯片接合薄膜这一工序的方法。在该方法中，首先使半导体晶圆贴合在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上。该半导体晶圆例如以之后随着芯片接合薄膜的割断一同被割断从而能够单片化成多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了将该芯片接合薄膜割断而使得由切割胶带上的芯片接合薄膜生成分别密合于半导体芯片的多个芯片接合薄膜小片，使用扩展装置使切割芯片接合薄膜的切割胶带扩展(割断用的扩展工序)。在该扩展工序中，在与芯片接合薄膜中的割断部位相当的部位处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜和/或切割胶带上，半导体晶圆被单片化成多个半导体芯片。接着，针对切割胶带上的割断后的多个带芯片接合薄膜的半导体芯片，为了扩宽相互间的距离而再次进行扩展工序(分隔用的扩展工序)。接着，在历经例如清洗工序后，切割胶带上的带芯片接合薄膜的各半导体芯片被拾取机构的顶针构件自切割胶带的下侧顶起，在此基础上自切割胶带上进行拾取(拾取工序)。此时，作为拾取对象的带芯片接合薄膜的半导体芯片中的芯片接合薄膜需要从切割胶带的粘合剂层适当地剥离。如上操作，能够得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。该带芯片接合薄膜的半导体芯片夹着其芯片接合薄膜，通过芯片接合而被固定于安装基板等基材。例如，针对如上使用的切割芯片接合薄膜的相关技术，例如在下述专利文献1～3中有所记载。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2010-177401号公报
专利文献3：日本特开2012-23161号公报
发明内容
发明要解决的问题
图14通过其截面示意图来表示切割芯片接合薄膜的一例、即切割芯片接合薄膜Y。切割芯片接合薄膜Y包含切割胶带60和芯片接合薄膜70。切割胶带60采用基材61与用于发挥粘合力的粘合剂层62的层叠结构。芯片接合薄膜70依靠粘合剂层62的粘合力而密合于粘合剂层62。在此基础上，切割芯片接合薄膜Y带有用于覆盖并保护切割胶带60的与基材61相反一侧的表面、即芯片接合薄膜70的表面和粘合剂层62的表面的隔膜(在图14中将其省略)。该隔膜在使用切割芯片接合薄膜Y时自该薄膜被剥离。
这样的切割芯片接合薄膜Y具有尺寸与半导体装置的制造过程中的加工对象、即作为工件的半导体晶圆相应的圆盘形状，可在上述扩展工序中使用。例如，自切割芯片接合薄膜Y剥离上述隔膜后，如图15所示，在半导体晶圆81贴合于芯片接合薄膜70、且环形框82贴附于切割胶带60的粘合剂层62的状态下，实施扩展工序。环形框82是如下的构件：在贴附于切割芯片接合薄膜Y的状态下，在扩展装置所具备的搬送臂等搬送机构搬送工件时与其机械性抵接的框构件。切割芯片接合薄膜Y以这样的环形框82能够依靠切割胶带60的粘合剂层62的粘合力而固定于该薄膜的方式进行设计。即，切割芯片接合薄膜Y具有在切割胶带60的粘合剂层62中、在芯片接合薄膜70的周围确保环形框构件贴合用区域的现有型设计。在这样的设计中，基材61和粘合剂层62的外周端61e、62e与芯片接合薄膜70的外周端70e在薄膜面内方向的间隔距离为10～30mm左右。
另一方面，对于具备切割胶带及其粘合剂层上的芯片接合薄膜的切割芯片接合薄膜而言，采用切割胶带和/或其粘合剂层与芯片接合薄膜在薄膜面内方向具有实质上相同的设计尺寸的构成时，芯片接合薄膜需要承担环形框保持功能，因此，需要确保其对环形框的粘合力。为了确保芯片接合薄膜对环形框的粘合力，该芯片接合薄膜与上述切割芯片接合薄膜Y中的芯片接合薄膜70相比例如更低弹性化。然而，该低弹性化在使用切割芯片接合薄膜时容易导致剥离上述隔膜所需的剥离力上升。
本发明是基于这种情况而作出的，其目的在于，提供适合于实现作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层与隔膜之间的良好剥离性、且适合于对该粘合粘接剂层和隔膜进行冲裁加工时抑制浮起而将其形成的切割芯片接合薄膜。
用于解决问题的方案
通过本发明提供的切割芯片接合薄膜具备切割胶带、粘合粘接剂层和隔膜。切割胶带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。粘合粘接剂层以能够剥离的方式密合于切割胶带中的粘合剂层。隔膜配置在粘合粘接剂层上，能够从该粘合粘接剂层剥离。用于形成粘合粘接剂层与隔膜的界面的粘合粘接剂层的表面具有28～40mJ/m2的第一表面自由能。该第一表面自由能优选为28～37mJ/m2、更优选为28～34mJ/m2。用于形成粘合粘接剂层与隔膜的界面的隔膜的表面具有14～35mJ/m2的第二表面自由能。该第二表面自由能优选为17～35mJ/m2、更优选为20～35mJ/m2。由第一表面自由能减去第二表面自由能而得的值为0～19mJ/m2，优选为0～16mJ/m2、更优选为0～13mJ/m2。如上构成的切割芯片接合薄膜可以在例如上述那样的半导体装置制造过程中用于获得带芯片接合薄膜的半导体芯片。另外，本发明中，粘合粘接剂层表面和隔膜表面的各表面自由能设为如下值：使用接触角计，针对在20℃和相对湿度65％的条件下与要求鉴定表面自由能的对象面接触的水(H2O)和二碘甲烷(CH2I2)的各液滴进行测定，使用由此得到的接触角θw、θi的值，按照Journal of AppliedPolymer Science,vol.13,p1741-1747(1969)中记载的方法求出γsd(表面自由能的分散力成分)和γsh(表面自由能的氢键力成分)，将其加合而得到的值γs(＝γsd+γsh)。该表面自由能γs的导出方法具体而言，与实施例相关而如后述。
本切割芯片接合薄膜具备切割胶带上的作为芯片接合薄膜的规定粘合粘接剂层和用于将其覆盖的规定隔膜，如上所述，粘合粘接剂层的隔膜侧表面的第一表面自由能为28～40mJ/m2、优选为28～37mJ/m2、更优选为28～34mJ/m2，隔膜的粘合粘接剂层侧表面的第二表面自由能为14～35mJ/m2、优选为17～35mJ/m2、更优选为20～35mJ/m2，由第一表面自由能减去第二表面自由能而得的值为0～19mJ/m2、优选为0～16mJ/m2、更优选为0～13mJ/m2。本发明人等获得了下述见解：粘合粘接剂层与隔膜的界面处的第一表面自由能和第二表面自由能相关联的这种构成适合于实现作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层与隔膜之间的良好剥离性，且适合于对该粘合粘接剂层和隔膜进行冲裁加工时抑制浮起而将其形成。例如，如后述实施例和比较例所示，具体如下。
粘合粘接剂层的隔膜侧表面的第一表面自由能为28mJ/m2以上这一构成对于确保粘合粘接剂层对框构件的粘合力而言是适合的。该第一表面自由能为40mJ/m2以下、优选为37mJ/m2以下、更优选为34mJ/m2以下这一构成对于确保粘合粘接剂层与框构件之间的良好剥离性是适合的。隔膜的粘合粘接剂层侧表面的第二表面自由能为14mJ/m2以上、优选为17mJ/m2以上、更优选为20mJ/m2以上这一构成对于在粘合粘接剂层与隔膜之间获得充分密合力而言是适合的。该第二表面自由能为28mJ/m2以下这一构成对于确保粘合粘接剂层与隔膜之间的良好剥离性而言是适合的。并且，由第一表面自由能减去第二表面自由能而得的值为0～19mJ/m2、优选为0～16mJ/m2、更优选为0～13mJ/m2这一构成对于在本切割芯片接合薄膜的制造过程中对粘合粘接剂层和隔膜抑制浮起并通过冲裁加工将其形成而言是适合的。
适合确保作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层对框构件的粘合力、且在该粘合粘接剂层与隔膜之间确保良好剥离性的本切割芯片接合薄膜适合于如下设计：以该粘合粘接剂层在包含工件贴合用区域的基础上还包含框构件贴合用区域的方式，将切割胶带和/或其粘合剂层与其上的粘合粘接剂层以在薄膜面内方向实质上相同的尺寸进行设计。这样的本切割芯片接合薄膜中，可以采用在薄膜面内方向上自切割胶带中的基材的外周端和粘合剂层的外周端起至粘合粘接剂层的外周端处于例如1000μm以内的距离的设计。这种构成的切割芯片接合薄膜适合于通过一次冲裁加工等加工来一并地实施用于形成具有基材和粘合剂层的层叠结构的一个切割胶带的加工、以及用于形成一个粘合粘接剂层的加工。
在上述切割芯片接合薄膜Y的制造过程中，用于形成规定尺寸和形状的切割胶带60的加工工序(第一加工工序)和用于形成规定尺寸和形状的芯片接合薄膜70的加工工序(第二加工工序)需要作为分开的工序。在第一加工工序中，例如如图16的(a)所示，针对具有规定的隔膜83、要形成基材61的基材层61’、以及位于它们之间且要形成粘合剂层62的粘合剂层62’的层叠结构的层叠片体，实施使加工刃B从基材层61’一侧突入至隔膜83为止的加工。通过第一加工工序，在隔膜83上形成具有隔膜83上的粘合剂层62与基材61的层叠结构的切割胶带60。切割胶带60周围的材料层叠部从隔膜83上被去除。在第二加工工序中，例如如图16的(b)所示，针对具有规定的隔膜84与要形成芯片接合薄膜70的粘接剂层70’的层叠结构的层叠片体，实施使加工刃B从粘接剂层70’一侧突入至隔膜84为止的加工。通过第二加工工序，在隔膜84上形成芯片接合薄膜70。芯片接合薄膜70周围的材料层叠部从隔膜84上被去除。像这样通过分开的工序而形成的切割胶带60和芯片接合薄膜70在历经自切割胶带60剥离隔膜83的操作后，如图16的(c)所示，一边对准一边贴合。在图16的(c)所示的切割芯片接合薄膜Y中，带有用于覆盖芯片接合薄膜70的表面和粘合剂层62的表面的隔膜84。隔膜84在使用切割芯片接合薄膜Y时从该薄膜上剥离。
与此相对，切割胶带与其上的粘合粘接剂层在薄膜面内方向实质上具有相同设计尺寸时的本发明的切割芯片接合薄膜例如可如下操作来制造。首先，通过在规定的隔膜上涂覆粘合粘接剂层形成用的组合物来形成粘合粘接剂组合物层。接着，通过在该粘合粘接剂组合物层上涂覆切割胶带粘合剂层形成用的组合物来形成粘合剂组合物层。接着，经由这些组合物层的一并干燥，在隔膜上形成粘合粘接剂层和切割胶带粘合剂层。接着，在粘合剂层的露出面贴合切割胶带用的基材。接着，对于具有隔膜、粘合粘接剂层、粘合剂层和基材的层叠结构的该层叠片体，实施使加工刃从基材一侧突入至隔膜为止的加工。由此，在隔膜上形成具有隔膜上的粘合粘接剂层、粘合剂层和基材的层叠结构、且为规定尺寸和形状的切割芯片接合薄膜。由粘合粘接剂层的第一表面自由能减去隔膜的第二表面自由能而得的值为0～19mJ/m2、优选为0～16mJ/m2、更优选为0～13mJ/m2这一上述构成适合于抑制因这种冲裁加工时的加工刃的突入而在粘合粘接剂层与隔膜之间发生的局部剥离和/或浮起。
如上所述，本发明的切割芯片接合薄膜适合于实现粘合粘接剂层与隔膜之间的良好剥离性，且适合于针对该粘合粘接剂层和隔膜进行冲裁加工时抑制浮起地将其形成。
本切割芯片接合薄膜的隔膜在25℃、剥离角度为180°和拉伸速度为300mm/分钟的条件下的剥离试验中，对于粘合粘接剂层表现出优选0.04N/10mm以上、更优选0.05N/10mm以上的180°剥离粘合力。这种构成对于在本切割芯片接合薄膜的制造过程中针对粘合粘接剂层和用于覆盖其的隔膜进行冲裁加工时抑制浮起地将其形成而言是优选的。
本切割芯片接合薄膜的隔膜在25℃、剥离角度为180°和拉伸速度为300mm/分的条件下的剥离试验中，对于粘合粘接剂层表现出优选0.1N/10mm以下、更优选0.095N/10mm以下的180°剥离粘合力。这种构成对于实现粘合粘接剂层与隔膜之间的良好剥离性而言是优选的。
本切割芯片接合薄膜的隔膜优选具有用于形成其与粘合粘接剂层的界面的非有机硅处理面。作为用于对隔膜形成非有机硅处理面的非有机硅处理，可列举出例如基于非有机硅系脱模剂的脱模处理(脱模层的形成)。作为非有机硅系脱模剂，可列举出例如长链烷基聚合物系脱模剂和氟树脂系脱模剂。作为长链烷基聚合物系脱模剂，可列举出例如具有碳数8以上的长链烷基且显示出脱模性的聚合物(脱模性聚合物)。从脱模性的观点出发，该长链烷基的碳数优选为8以上，例如为8～50左右。作为碳数8以上的长链烷基，可列举出例如辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十六烷基、十八烷基和二十烷基。作为脱模性聚合物，可列举出具有这种长链烷基的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯与丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯腈等含极性基团的单体形成的共聚物(丙烯酸系聚合物)。另外，作为脱模性聚合物，也可列举出利用具有至少一个能够与活性氢发生反应的官能团且具有碳数8以上的烷基的长链烷基化合物对含活性氢基的聚合物进行改性而得的物质。作为含活性氢基的聚合物，可列举出例如部分皂化聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇、丁缩醛树脂、聚乙烯亚胺、纤维素树脂、甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸共聚物、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、三聚氰胺树脂和烯烃树脂。作为能够与活性氢发生反应的上述官能团，可列举出例如异氰酸酯基、羧酸基、酰卤、烯酮基、醛基和环氧基。作为具有能够与活性氢发生反应的官能团的上述长链烷基化合物，可列举出例如异氰酸十八烷基酯、异氰酸二十二烷基酯、十八烷酸、二十二烷酸、十八烷酰氟和二十二烷酰氯。作为氟树脂系脱模剂，可列举出例如聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基氟树脂(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯-三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)和聚偏二氟乙烯(PVDF)。隔膜具有非有机硅处理面的该构成对于实现处于上述范围内的180°剥离粘合力而言是适合的。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的截面示意图。
图2表示图1所示的切割芯片接合薄膜的制造方法的一部分工序。
图3表示图2的后续工序。
图4表示要使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图5表示图4所示工序的后续工序。
图6表示图5所示工序的后续工序。
图7表示图6所示工序的后续工序。
图8表示图7所示工序的后续工序。
图9表示图8所示工序的后续工序。
图10表示要使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图11表示要使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图12表示要使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图13表示要使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图14是以往的切割芯片接合薄膜的截面示意图。
图15表示图14所示的切割芯片接合薄膜的使用方式。
图16表示图14所示的切割芯片接合薄膜的制造方法。
附图标记说明
X 切割芯片接合薄膜
10 切割胶带
11 基材
11e 外周端
12 粘合剂层
12e 外周端
20、21 粘合粘接剂层
20e 外周端
S 隔膜
W、30A、30C 半导体晶圆
30B 半导体晶圆分割体
30a 分割槽
30b 改性区域
31 半导体芯片
具体实施方式
图1是本发明的一个实施方式所述的切割芯片接合薄膜X的截面示意图。切割芯片接合薄膜X可以在半导体装置的制造中用于在获得带有作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层的半导体芯片的过程中的、例如后述那样的扩展工序，其具有包含切割胶带10、粘合粘接剂层20和隔膜S的层叠结构。另外，切割芯片接合薄膜X具有尺寸与半导体装置的制造过程中的加工对象的半导体晶圆相应的圆盘形状，其直径处于例如345～380mm的范围内(12英寸晶圆对应型)、245～280mm的范围内(8英寸晶圆对应型)、195～230mm的范围内(6英寸晶圆对应型)、或者495～530mm的范围内(18英寸晶圆对应型)。
在切割芯片接合薄膜X中，切割胶带10具有包含基材11和粘合剂层12的层叠结构。粘合剂层12在粘合粘接剂层20侧具有粘合面12a。粘合粘接剂层20具有面20a、面20b，在面20a侧包含工件贴合用区域和框构件贴合用区域，且对于切割胶带10的粘合剂层12和/或其粘合面12a，在面20b侧以能够剥离的方式密合。隔膜S在粘合粘接剂层20侧具有面Sa，且配置在粘合粘接剂层20上，能够从粘合粘接剂层20剥离。粘合粘接剂层20的面20a与隔膜S的面Sa形成粘合粘接剂层20与隔膜S的界面。
切割胶带10的基材11是在切割胶带10和/或切割芯片接合薄膜X中作为支承体发挥功能的要素。基材11例如是塑料基材，作为该塑料基材，可适合地使用塑料薄膜。作为该塑料基材的构成材料，可列举出例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳纶、氟树脂、纤维素系树脂和有机硅树脂。作为聚烯烃，可列举出例如低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物和乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)。基材11可以由一种材料形成，也可以由两种以上的材料形成。基材11可以具有单层结构，也可以具有多层结构。另外，基材11由塑料薄膜形成时，可以为未拉伸薄膜，也可以为单向拉伸薄膜，还可以为双向拉伸薄膜。在基材11上的粘合剂层12如后所述地具有紫外线固化性的情况下，基材11优选具有紫外线透过性。
在切割芯片接合薄膜X的使用过程中，例如在通过局部加热而使切割胶带10和/或基材11收缩的情况下，基材11优选具有热收缩性。对于基材11而言，从确保良好热收缩性的观点出发，基材11优选包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物来作为主成分。基材11的主成分是指在基材构成成分中占据最大质量比例的成分。另外，基材11由塑料薄膜形成时，针对切割胶带10和/或基材11，在实现各向同性的热收缩性的方面，基材11优选为双向拉伸薄膜。切割胶带10和/或基材11在加热温度为100℃且加热处理时间为60秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率例如为2～30％。该热收缩率是指所谓MD方向的热收缩率和所谓TD方向的热收缩率中的至少一者。
基材11中的粘合剂层12侧的表面可以实施了用于提高其与粘合剂层12的密合性的物理处理、化学处理或底涂处理。作为物理处理，可列举出例如电晕处理、等离子体处理、磨砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理和离子化辐射线处理。作为化学处理，可列举出例如铬酸处理。用于提高密合性的该处理优选对基材11中的粘合剂层12侧的表面整体实施。
从确保用于使基材11作为切割胶带10和/或切割芯片接合薄膜X中的支承体而发挥功能的强度这一观点出发，基材11的厚度优选为40μm以上、更优选为50μm以上、更优选为55μm以上、更优选为60μm以上。另外，从在切割胶带10和/或切割芯片接合薄膜X中实现适度挠性的观点出发，基材11的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下、更优选为150μm以下。
切割胶带10的粘合剂层12含有粘合剂。粘合剂可以是通过辐射线照射、加热等源自外部的作用而能够有意地使粘合力降低的粘合剂(粘合力降低型粘合剂)，也可以为粘合力几乎或完全不会因源自外部的作用降低的粘合剂(粘合力非降低型粘合剂)。关于使用粘合力降低型粘合剂还是使用粘合力非降低型粘合剂作为粘合剂层12中的粘合剂，可根据使用切割芯片接合薄膜X进行单片化的半导体芯片的单片化的方法、条件等切割芯片接合薄膜X的使用方式来适当选择。
使用粘合力降低型粘合剂作为粘合剂层12中的粘合剂时，在切割芯片接合薄膜X的使用过程中，可分开使用粘合剂层12显示出相对较高的粘合力的状态和显示出相对较低的粘合力的状态。例如，在切割芯片接合薄膜X用于后述扩展工序时，为了抑制/防止粘合粘接剂层20从粘合剂层12浮起、剥离而利用粘合剂层12的高粘合力状态，另一方面，其后在用于从切割芯片接合薄膜X的切割胶带10拾取带粘合粘接剂层的半导体芯片的后述拾取工序中，为了易于从粘合剂层12拾取带粘合粘接剂层的半导体芯片，可以利用粘合剂层12的低粘合力状态。
作为这样的粘合力降低型粘合剂，可列举出例如具有辐射线固化性的粘合剂(辐射线固化性粘合剂)、加热发泡型粘合剂等。本实施方式的粘合剂层12中，可以使用一种粘合力降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力降低型粘合剂。另外，可以是粘合剂层12整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12的一部分由粘合力降低型粘合剂形成。例如，在粘合剂层12具有单层结构的情况下，可以是粘合剂层12整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12中的规定部位由粘合力降低型粘合剂形成，且其它部位由粘合力非降低型粘合剂形成。另外，在粘合剂层12具有层叠结构的情况下，可以是形成层叠结构的全部层由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是层叠结构中的一部分层由粘合力降低型粘合剂形成。
作为粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂，可以使用例如通过电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线或X射线的照射而固化的类型的粘合剂，可特别适合地使用通过紫外线照射而固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。
作为粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂，可列举出例如添加型的辐射线固化性粘合剂，其含有作为丙烯酸系粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物；以及具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、低聚物成分。
上述丙烯酸系聚合物优选包含源自丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯的单体单元作为以质量比例计最多的单体单元。“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”。
作为用于形成丙烯酸系聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯，可列举出例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含烃基的(甲基)丙烯酸酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举出例如(甲基)丙烯酸的甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯和二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，可列举出例如(甲基)丙烯酸的环戊酯和环己酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，可列举出例如(甲基)丙烯酸苯酯和(甲基)丙烯酸苄酯。作为用于形成丙烯酸系聚合物的单体单元的单体成分，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成丙烯酸系聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯，优选烷基的碳数为10以上的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选为丙烯酸十二烷基酯。另外，在使粘合剂层12适当地表现出依赖于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性方面，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的(甲基)丙烯酸酯的比例优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。
为了对其内聚力、耐热性等进行改性，丙烯酸系聚合物可以包含源自能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的单体单元。作为这样的其它单体，可列举出例如含羧基的单体、酸酐单体、含羟基的单体、含缩水甘油基的单体、含磺酸基的单体、含磷酸基的单体、丙烯酰胺和丙烯腈等含官能团的单体。作为含羧基的单体，可列举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸。作为酸酐单体，可列举出例如马来酸酐和衣康酸酐。作为含羟基的单体，可列举出例如(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基十二烷基酯和(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含缩水甘油基的单体，可列举出例如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基的单体，可列举出例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸基的单体，可列举出例如2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。作为用于丙烯酸系聚合物的该其它共聚性单体，可以使用一种单体，也可以使用两种以上的单体。在上述丙烯酸系聚合物包含源自具有碳数10以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的单元(第一单元)的情况下，优选一同包含源自(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯的单元(第二单元)。
丙烯酸系聚合物为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以包含源自能够与(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，可列举出例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯(即聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。作为用于丙烯酸系聚合物的单体成分，可以使用一种多官能性单体，也可以使用两种以上的多官能性单体。在使粘合剂层12适当地表现出依赖于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的多官能性单体的比例优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下。
丙烯酸系聚合物可通过将用于形成其的原料单体进行聚合来获得。作为聚合方法，可列举出例如溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合。从使用切割胶带10和/或切割芯片接合薄膜X的半导体装置制造方法中的高度清洁性的观点出发，优选切割胶带10和/或切割芯片接合薄膜X中的粘合剂层12中的低分子量物质较少，丙烯酸系聚合物的数均分子量优选为10万以上、更优选为20万～300万。
为了提高丙烯酸系聚合物等基础聚合物的数均分子量，粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂例如可以含有外部交联剂。作为用于与丙烯酸系聚合物等基础聚合物发生反应而形成交联结构的外部交联剂，可列举出多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物和三聚氰胺系交联剂。粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂中的外部交联剂的含量相对于基础聚合物100质量份优选为6质量份以下、更优选为0.1～5质量份。
作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性单体成分，可列举出例如三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性低聚物成分，可列举出例如氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等的各种低聚物，分子量为100～30000左右的成分是适合的。辐射线固化性粘合剂中的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量在能够利用辐射线照射而使所形成的粘合剂层12的粘合力适当降低的范围内决定，相对于丙烯酸系聚合物等基础聚合物100质量份，例如为5～500质量份、优选为40～150质量份。另外，作为添加型的辐射线固化性粘合剂，可以使用例如日本特开昭60-196956号公报中公开的粘合剂。
作为粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂，也可列举出例如包含在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物的内在型辐射线固化性粘合剂。这样的内在型辐射线固化性粘合剂对于抑制所形成的粘合剂层12内的低分子量成分移动所引起的粘合特性的非计划性经时变化而言是适合的。
作为内在型辐射线固化性粘合剂中含有的基础聚合物，优选以丙烯酸系聚合物作为基本骨架。作为形成这种基本骨架的丙烯酸系聚合物，可以采用作为添加型辐射线固化性粘合剂中的丙烯酸系聚合物而如上所述的聚合物。作为向丙烯酸系聚合物中导入辐射线聚合性碳-碳双键的方法，例如可列举出如下方法：使包含具有规定官能团(第一官能团)的单体的原料单体进行共聚而得到丙烯酸系聚合物后，使具有能够在第一官能团之间发生反应而键合的规定官能团(第二官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸系聚合物发生缩合反应或加成反应。
作为第一官能团与第二官能团的组合，可列举出例如羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与吖丙啶基、吖丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基。这些组合之中，从反应追踪容易度的观点出发，适合为羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合。另外，由于制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物的技术难度较高，因此，从丙烯酸系聚合物的制作或获取容易度的观点出发，更适合为丙烯酸系聚合物侧的上述第一官能团为羟基且上述第二官能团为异氰酸酯基的情况。此时，作为同时具有辐射线聚合性碳-碳双键和作为第二官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物、即含有辐射线聚合性不饱和官能团的异氰酸酯化合物，可列举出例如甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)和间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。
粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举出例如α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦和酰基膦酸盐。作为α-酮醇系化合物，可列举出例如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，可列举出例如甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮。作为苯偶姻醚系化合物，可列举出例如苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚和茴香偶姻甲醚。作为缩酮系化合物，可列举出例如苯偶酰二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，可列举出例如2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，可列举出例如1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，可列举出例如二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸和3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，可列举出例如噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮和2,4-二异丙基噻吨酮。粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量相对于丙烯酸系聚合物等基础聚合物100质量份例如为0.05～20质量份。
粘合剂层12中的上述加热发泡型粘合剂是含有因加热而发泡、膨胀的成分的粘合剂。作为因加热而发泡、膨胀的成分，可列举出例如发泡剂和热膨胀性微球。
作为加热发泡型粘合剂用的发泡剂，可列举出各种无机系发泡剂和有机系发泡剂。作为无机系发泡剂，可列举出例如碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠和叠氮类。作为有机系发泡剂，可列举出例如三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟烷烃；偶氮二异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二羧酸钡等偶氮系化合物；对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3'-二磺酰肼、4,4'-氧基双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物；对甲苯磺酰氨基脲、4,4'-氧基双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物；5-吗啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；以及N,N'-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物。
作为加热发泡型粘合剂用的热膨胀性微球，可列举出例如在壳内封入有因加热而容易气化并膨胀的物质这一构成的微球。作为因加热而容易地气化并膨胀的物质，可列举出例如异丁烷、丙烷和戊烷。通过将因加热而容易地气化并膨胀的物质利用凝聚法、界面聚合法等而封入形成壳的物质内，能够制作热膨胀性微球。作为形成壳的物质，可以使用显示热熔性的物质、能够通过封入物质的热膨胀作用而破裂的物质。作为这样的物质，可列举出例如偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯和聚砜。
作为粘合剂层12中的上述粘合力非降低型粘合剂，可列举出例如压敏性粘合剂。作为该压敏性粘合剂，可以使用例如以丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂。在粘合剂层12含有作为压敏性粘合剂的丙烯酸系粘合剂的情况下，作为该丙烯酸系粘合剂的基础聚合物的丙烯酸系聚合物，优选包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比例计最多的单体单元。作为这样的丙烯酸系聚合物，可列举出例如关于辐射线固化性粘合剂而如上所述的丙烯酸系聚合物。
作为粘合剂层12中的压敏性粘合剂，可以利用使关于粘合力降低型粘合剂而如上所述的辐射线固化性粘合剂因辐射线照射而发生了固化的形态的粘合剂。这种已固化的辐射线固化类的粘合剂即使粘合力因辐射线照射而降低，也可通过聚合物成分的含量而显示出源自该聚合物成分的粘合性，能够在规定的使用方式中发挥出可用于粘合保持被粘物的粘合力。
本实施方式的粘合剂层12中，可以使用一种粘合力非降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力非降低型粘合剂。另外，可以是粘合剂层12整体由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12的一部分由粘合力非降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层12具有单层结构时，可以是粘合剂层12整体由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12中的规定部位由粘合力非降低型粘合剂形成，且其它部位由粘合力降低型粘合剂形成。另外，在粘合剂层12具有层叠结构的情况下，可以是形成层叠结构的所有层由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是层叠结构中的一部分层由粘合力非降低型粘合剂形成。
粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂中，在含有上述各成分的基础上，可以含有交联促进剂、增粘剂、防老剂、着色剂等。作为着色剂，可列举出颜料和染料。另外，着色剂可以是受到辐射线照射而着色的化合物。作为这样的化合物，可列举出例如隐色染料。
粘合剂层12的厚度优选为1～50μm、更优选为2～30μm、更优选为5～25μm。这样的构成例如在粘合剂层12包含辐射线固化性粘合剂的情况下，在使该粘合剂层12在辐射线固化前后对粘合粘接剂层20的粘接力取得平衡的方面是适合的。
切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20同时具备：作为显示出芯片接合用的热固性的粘接剂的功能、以及用于保持半导体晶圆等工件和后述环形框等框构件的粘合功能。本实施方式中，用于形成粘合粘接剂层20的粘合粘接剂可以具有包含热固性树脂和例如作为粘结剂成分的热塑性树脂的组成，也可以具有包含如下的热塑性树脂的组成，所述热塑性树脂带有能够与固化剂发生反应而产生键合的热固性官能团。用于形成粘合粘接剂层20的粘合粘接剂具有包含带有热固性官能团的热塑性树脂的组成时，该粘合粘接剂不需要进一步包含热固性树脂(环氧树脂等)。这种粘合粘接剂层20可以具有单层结构，也可以具有多层结构。
粘合粘接剂层20在同时包含热固性树脂和热塑性树脂的情况下，作为该热固性树脂，可列举出例如环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅树脂和热固性聚酰亚胺树脂。作为粘合粘接剂层20中的热固性树脂，可以使用一种树脂，也可以使用两种以上的树脂。从存在可成为芯片接合对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的含量少的倾向的理由出发，作为粘合粘接剂层20中包含的热固性树脂，优选为环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选为酚醛树脂。
作为环氧树脂，可列举出例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四苯氧基乙烷型、乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型和缩水甘油胺型的环氧树脂。酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四苯氧基乙烷型环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性且耐热性优异，因此，作为粘合粘接剂层20中包含的环氧树脂是优选的。
作为可用作环氧树脂的固化剂的酚醛树脂，可列举出例如酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶酚醛型酚醛树脂和聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。作为酚醛清漆型酚醛树脂，可列举出例如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基苯酚酚醛清漆树脂。作为可用作环氧树脂的固化剂的酚醛树脂，可以使用一种酚醛树脂，也可以使用两种以上的酚醛树脂。在苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂被用作作为芯片接合用粘接剂的环氧树脂的固化剂的情况下，由于存在能够提高该粘接剂的连接可靠性的倾向，因此，作为粘合粘接剂层20中包含的环氧树脂的固化剂是优选的。
从使粘合粘接剂层20中的环氧树脂与酚醛树脂的固化反应充分进行的观点出发，酚醛树脂以该酚醛树脂中的羟基相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量优选达到0.5～2.0当量、更优选达到0.8～1.2当量的量包含在粘合粘接剂层20中。
从在粘合粘接剂层20中适当地表现出作为热固化型粘接剂的功能的观点出发，粘合粘接剂层20中的热固性树脂的含有比例优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。
作为粘合粘接剂层20中包含的热塑性树脂，可列举出例如天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和氟树脂。作为粘合粘接剂层20中的热塑性树脂，可以使用一种树脂，也可以使用两种以上的树脂。作为粘合粘接剂层20中包含的热塑性树脂，从因离子性杂质少且耐热性高而容易确保由粘合粘接剂层20实现的接合可靠性这一理由出发，优选为丙烯酸类树脂。另外，从兼顾粘合粘接剂层20对于后述环形框等框构件的、室温及其附近温度下的贴合性和剥离时抗残渣的观点出发，粘合粘接剂层20中，作为热塑性树脂的主成分，优选包含玻璃化转变温度为-10～10℃的聚合物。热塑性树脂的主成分是指在热塑性树脂成分中占据最大质量比例的树脂成分。
关于聚合物的玻璃化转变温度，可以使用基于下述Fox公式而求出的玻璃化转变温度(理论值)。Fox公式是聚合物的玻璃化转变温度Tg与该聚合物中的每种构成单体的均聚物的玻璃化转变温度Tgi的关系式。下述Fox公式中，Tg表示聚合物的玻璃化转变温度(℃)，Wi表示构成该聚合物的单体i的重量分率，Tgi表示单体i的均聚物的玻璃化转变温度(℃)。关于均聚物的玻璃化转变温度，可以使用文献值。例如，“新高分子文库7涂料用合成树脂入门”(北冈协三著，高分子刊行会，1995年)、“丙烯酸酯目录(1997年度版)”(三菱丽阳株式会社)中列举出各种均聚物的玻璃化转变温度。另一方面，关于单体的均聚物的玻璃化转变温度，也可通过日本特开2007-51271号公报中具体记载的方法来求出。
Fox公式1/(273+Tg)＝Σ[Wi/(273+Tgi)]
粘合粘接剂层20中作为热塑性树脂而包含的丙烯酸类树脂优选的是，包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比例计最多的主要单体单元。作为这种(甲基)丙烯酸酯，可以使用例如与关于作为粘合剂层12形成用的辐射线固化性粘合剂的一种成分的丙烯酸系聚合物而如上所述的物质相同的(甲基)丙烯酸酯。粘合粘接剂层20中作为热塑性树脂而包含的丙烯酸类树脂可以包含源自能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的单体单元。作为这种其它单体成分，可列举出例如含羧基的单体、酸酐单体、含羟基的单体、含缩水甘油基的单体、含磺酸基的单体、含磷酸基的单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团的单体、各种多官能性单体，具体而言，可以使用与关于作为粘合剂层12形成用的辐射线固化性粘合剂的一种成分的丙烯酸系聚合物并作为能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体而如上所述的物质相同的物质。从在粘合粘接剂层20中实现高内聚力的观点出发，粘合粘接剂层20中包含的该丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸酯与含羧基的单体与含氮原子的单体与多官能性单体的共聚物。作为该(甲基)丙烯酸酯，优选烷基碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯。作为该多官能性单体，优选为聚缩水甘油基系多官能单体。粘合粘接剂层20中包含的该丙烯酸类树脂更优选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯与丙烯酸与丙烯腈与聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯形成的共聚物。
粘合粘接剂层20包含带热固性官能团的热塑性树脂时，作为该热塑性树脂，可以使用例如含有热固性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比例计最多的主要单体单元。作为这种(甲基)丙烯酸酯，可以使用例如与关于作为粘合剂层12形成用的辐射线固化性粘合剂的一种成分的丙烯酸系聚合物而如上所述的物质相同的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作为用于形成含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团，可列举出例如缩水甘油基、羧基、羟基和异氰酸酯基。这些之中，可适合地使用缩水甘油基和羧基。即，作为含有热固性官能团的丙烯酸类树脂，可适合地使用含有缩水甘油基的丙烯酸类树脂、含有羧基的丙烯酸类树脂。另外，作为含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的固化剂，例如可以使用有时被当做制成粘合剂层12形成用的辐射线固化性粘合剂的一种成分的外部交联剂而如上所述的固化剂。含有热固性官能团的丙烯酸类树脂中的热固性官能团为缩水甘油基时，作为固化剂可适合地使用多酚系化合物，例如可以使用上述各种酚醛树脂。
针对为了进行芯片接合而固化前的粘合粘接剂层20，为了实现某种程度的交联度，例如优选将能够与粘合粘接剂层20所含的上述树脂的分子链末端的官能团等发生反应而键合的多官能性化合物作为交联剂而预先配混在粘合粘接剂层形成用树脂组合物中。这种构成对于提高粘合粘接剂层20在高温下的粘接特性的方面、另外实现耐热性的改善的方面是适合的。作为这种交联剂，可列举出例如多异氰酸酯化合物。作为多异氰酸酯化合物，可列举出例如甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、以及多元醇与二异氰酸酯的加成物。关于粘合粘接剂层形成用树脂组合物中的交联剂的含量，相对于具有能够与该交联剂发生反应而键合的上述官能团的树脂100质量份，从提高所形成的粘合粘接剂层20的内聚力的观点出发，优选为0.05质量份以上，从提高所形成的粘合粘接剂层20的粘接力的观点出发，优选为7质量份以下。另外，作为粘合粘接剂层20中的交联剂，可以将环氧树脂等其它多官能性化合物与多异氰酸酯化合物组合使用。
粘合粘接剂层20中的上述那样的高分子量成分的含有比例优选为50～100质量％、更优选为50～80质量％。高分子量成分是指重均分子量10000以上的成分。这种构成在兼顾粘合粘接剂层20对后述环形框等框构件在室温及其附近温度下的贴合性和剥离时抗残渣的方面是优选的。另外，粘合粘接剂层20可以包含在23℃下为液态的液态树脂。粘合粘接剂层20包含这种液态树脂时，粘合粘接剂层20中的该液态树脂的含有比例优选为1～10质量％、更优选为1～5质量％。这种构成在兼顾粘合粘接剂层20对后述环形框等框构件在室温及其附近温度下的贴合性和剥离时抗残渣的方面是优选的。
粘合粘接剂层20可以含有填料。通过向粘合粘接剂层20中配混填料，能够调整粘合粘接剂层20的拉伸储能模量等弹性模量、导电性、导热性等物性。作为填料，可列举出无机填料和有机填料，特别优选为无机填料。作为无机填料，可列举出例如氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅、以及铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金、非晶炭黑、石墨。填料可以具有球状、针状、鳞片状等各种形状。粘合粘接剂层20可以配混有一种填料，也可以配混有两种以上的填料。在确保粘合粘接剂层20对后述环形框等框构件的贴合性的方面，粘合粘接剂层20中的填料含有比例优选为30质量％以下、更优选为25质量％以下。
粘合粘接剂层20含有填料时的该填料的平均粒径优选为0.005～10μm、更优选为0.005～1μm。该填料的平均粒径为0.005μm以上的构成对于在粘合粘接剂层20中实现对半导体晶圆等被粘物的高润湿性、粘接性的方面是适合的。该填料的平均粒径为10μm以下的构成在粘合粘接剂层20中享受充分的填料添加效果且确保耐热性的方面是适合的。填料的平均粒径例如可以使用光度式粒度分布计(商品名“LA-910”，株式会社堀场制作所制)来求出。
粘合粘接剂层20可以根据需要而包含一种或两种以上的其它成分。作为该其它成分，可列举出例如阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕获剂。作为阻燃剂，可列举出例如三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。作为硅烷偶联剂，可列举出例如β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。作为离子捕获剂，可列举出例如水滑石类、氢氧化铋、含水氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“IXE-300”)、规定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“IXE-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的“Kyoward 600”)和硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的“Kyoward 700”)。能够在金属离子之间形成络合物的化合物也可以用作离子捕获剂。作为这种化合物，可列举出例如三唑系化合物、四唑系化合物和联吡啶系化合物。这些之中，从在金属离子之间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选为三唑系化合物。作为这种三唑系化合物，可列举出例如1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-叔辛基-6'-叔丁基-4'-甲基-2,2'-亚甲基双酚、1-(2,3-二羟基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并三唑、2,4-二叔戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并三唑、辛基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并三唑、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亚甲基双[6-(2H-苯并三唑-2-基]-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、以及甲基-3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯。另外，对苯二酚化合物、羟基蒽醌化合物、多酚化合物等规定的含羟基化合物也可用作离子捕获剂。作为这种含羟基化合物，可列举出例如1,2-苯二醇、茜素、蒽绛酚、丹宁、没食子酸、没食子酸甲酯和邻苯三酚。
粘合粘接剂层20的厚度例如处于1～200μm的范围。该厚度的上限优选为100μm、更优选为80μm。该厚度的下限优选为3μm、更优选为5μm。
对于粘合粘接剂层20而言，形成与隔膜S之间的界面的面20a的表面自由能(第一表面自由能)为28～40mJ/m2、优选为28～37mJ/m2、更优选为28～34mJ/m2。对于粘合粘接剂层20的面20a的表面自由能，可通过例如作为粘合粘接剂层20中的成分而使用的聚合物的材料设计来调整。例如，作为粘合粘接剂层20中的成分而使用丙烯酸系聚合物时，作为该丙烯酸系聚合物的构成单体，存在低极性单体的比例越高则粘合粘接剂层20的表面自由能变得越小的倾向，作为该构成单体，存在高极性单体的比例越高则粘合粘接剂层20的表面自由能变得越大的倾向。
隔膜S是用于覆盖并保护切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20的表面的要素，在使用切割芯片接合薄膜X时从该薄膜被剥离。作为隔膜S，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、利用氟系剥离剂或长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜或纸类等。
隔膜S的面Sa优选进行了非有机硅处理。即，隔膜S具有用于形成与粘合粘接剂层20的界面的非有机硅处理面。作为用于对隔膜S形成非有机硅处理面的非有机硅处理，可列举出例如基于非有机硅系脱模剂的脱模处理(脱模层的形成)。作为非有机硅系脱模剂，可列举出例如长链烷基聚合物系脱模剂和氟树脂系脱模剂。作为长链烷基聚合物系脱模剂，可列举出例如具有碳数8以上的长链烷基而显示出脱模性的聚合物(脱模性聚合物)。从脱模性的观点出发，该长链烷基的碳数优选为8以上，例如为8～50左右。作为碳数8以上的长链烷基，可列举出例如辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十六烷基、十八烷基和二十烷基。作为脱模性聚合物，可列举出具有这种长链烷基的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯与丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯腈等含极性基团的单体形成的共聚物(丙烯酸系聚合物)。另外，作为脱模性聚合物，也可列举出利用具有至少一个能够与活性氢发生反应的官能团且具有碳数8以上的烷基的长链烷基化合物对含有活性氢基的聚合物进行改性而得的产物。作为含有活性氢基的聚合物，可列举出例如部分皂化聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇、丁缩醛树脂、聚乙烯亚胺、纤维素树脂、甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸共聚物、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、三聚氰胺树脂和烯烃树脂。作为能够与活性氢发生反应的前述官能团，可列举出例如异氰酸酯基、羧酸基、酰卤、烯酮基、醛基和环氧基。作为具有能够与活性氢发生反应的官能团的上述长链烷基化合物，可列举出例如异氰酸十八烷基酯、异氰酸二十二烷基酯、十八烷酸、二十二烷酸、十八烷酰氟和二十二烷酰氯。作为氟树脂系脱模剂，可列举出例如聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基氟树脂(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯-三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)和聚偏二氟乙烯(PVDF)。
在隔膜S中，形成其与粘合粘接剂层20之间的界面的面Sa的表面自由能(第二表面自由能)为14～35mJ/m2、优选为17～35mJ/m2、更优选为20～35mJ/m2。对于隔膜S的面Sa的表面自由能，在对隔膜S的面Sa实施非有机硅处理的情况下，例如可通过所使用的脱模剂的种类、浓度来调整。
从上述第一表面自由能减去这样的第二表面自由能而得的值为0～19mJ/m2、优选为0～16mJ/m2、更优选为0～13mJ/m2。
这样的隔膜S的厚度例如为5～200μm。另外，隔膜S可以为长条状。此时，例如，分别包含切割胶带10和粘合粘接剂层20的多个层叠体例如等间隔地配置在长条状的隔膜S上，且该隔膜S被卷绕而制成卷的形态。
对于切割芯片接合薄膜X而言，隔膜S在25℃、剥离角度为180°和拉伸速度为300mm/分钟的条件下的剥离试验中对粘合粘接剂层20示出优选为0.04N/10mm以上、更优选为0.05N/10mm以上的180°剥离粘合力。
对于切割芯片接合薄膜X而言，隔膜S在25℃、剥离角度为180°和拉伸速度为300mm/分钟的条件下的剥离试验中相对于粘合粘接剂层20优选示出0.1N/10mm以下、更优选示出0.095N/10mm以下的180°剥离粘合力。
本实施方式中，在切割芯片接合薄膜X的面内方向D上，粘合粘接剂层20的外周端20e处于距离切割胶带10中的基材11的外周端11e和粘合剂层12的外周端12e为1000μm以内、优选为700μm以内、更优选为500μm以内、更优选为300μm以内的位置。即，粘合粘接剂层20的外周端20e的整个圆周在薄膜面内方向D上相对于基材11和粘合剂层12的外周端11e、12e处于内侧1000μm～外侧1000μm之间、优选处于内侧700μm～外侧700μm之间、更优选处于内侧500μm～外侧500μm之间、更优选处于内侧300μm～外侧300μm之间。切割胶带10和/或其粘合剂层12与其上的粘合粘接剂层20在面内方向D上具有实质上相同的尺寸的该构成中，如上所述，粘合粘接剂层20于面20a侧在包含工件贴合用区域的基础上，还包含框构件贴合用区域。
具有以上那样的构成的切割芯片接合薄膜X例如可以如下操作来制造。
首先，如图2的(a)所示，在长条状的隔膜S上形成粘合粘接剂组合物层C1。粘合粘接剂组合物层C1可通过将为了形成粘合粘接剂层20而制备的粘合粘接剂组合物涂覆在隔膜S上来形成。作为粘合粘接剂组合物的涂覆方法，可列举出例如辊涂覆、丝网涂覆和凹版涂覆。
接着，如图2的(b)所示，在粘合粘接剂组合物层C1上形成粘合剂组合物层C2。粘合剂组合物层C2可通过将为了形成粘合剂层12而制备的粘合剂组合物涂覆在粘合粘接剂组合物C1上来形成。作为粘合剂组合物的涂覆方法，可列举出例如辊涂覆、丝网涂覆和凹版涂覆。
接着，通过历经隔膜S上的粘合粘接剂组合物层C1和粘合剂组合物层C2的一并的加热处理，从而如图2的(c)所示地形成粘合粘接剂层20'和粘合剂层12'。在该加热处理中，根据需要使两层干燥，另外，在两层中根据需要使其发生交联反应。加热温度例如为60～175℃，加热时间例如为0.5～5分钟。粘合粘接剂层20'要加工形成为上述粘合粘接剂层20。粘合剂层12'要加工形成为上述粘合剂层12。
接着，如图2的(d)所示，在粘合剂层12'上压接基材11'并使其贴合。基材11'要加工形成为上述基材11。树脂制的基材11'可通过压延制膜法、在有机溶剂中的流延法、在密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜方法来制作。根据需要对制膜后的薄膜和/或基材11'实施规定的表面处理。在本工序中，贴合温度例如为30～50℃、优选为35～45℃。贴合压力(线压力)例如为0.1～20kgf/cm、优选为1～10kgf/cm。通过本工序，能够得到具有隔膜S、粘合粘接剂层20'、粘合剂层12'和基材11'的层叠结构的长条状的层叠片体。
接着，如图3的(a)所示，对上述层叠片体实施使加工刃从基材11'一侧突入至隔膜S为止的加工(图3的(a)中，示意性地用粗线表示切断部位)。例如，使层叠片体沿着一个方向F以恒定速度传送，同时，使以能够沿着与该方向F正交的轴心旋转的方式配置且在辊表面带有冲裁加工用加工刃的带加工刃的旋转辊(省略图示)的带加工刃的表面伴随着规定的按压力而抵接于层叠片体的基材11'侧。由此，一次性加工形成切割胶带10(基材11、粘合剂层12)和粘合粘接剂层20。如此操作在隔膜S上加工形成分别包含切割胶带和粘合粘接剂层20的多个层叠体后，如图3的(b)所示，从隔膜S上去除各层叠体(切割胶带10、粘合粘接剂层20)周围的材料层叠部。
如上操作，能够制造切割芯片接合薄膜X。
切割芯片接合薄膜X具备切割胶带10上的作为芯片接合薄膜的规定的粘合粘接剂层20和用于将其覆盖的规定的隔膜S，如上所述，粘合粘接剂层20的作为隔膜侧表面的面20a的第一表面自由能为28～40mJ/m2、优选为28～37mJ/m2、更优选为28～34mJ/m2，隔膜S的作为粘合粘接剂层侧表面的面Sa的第二表面自由能为14～35mJ/m2、优选为17～35mJ/m2、更优选为20～35mJ/m2，从第一表面自由能减去第二表面自由能而得的值为0～19mJ/m2、优选为0～16mJ/m2、更优选为0～13mJ/m2。涉及粘合粘接剂层20与隔膜S的界面处的第一表面自由能与第二表面自由能的上述构成适合于实现作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层20与隔膜S之间的良好剥离性，并且，例如在如图4的(a)所示那样的冲裁加工时，针对粘合粘接剂层20和隔膜S适合于抑制浮起地将其形成。具体如下。
粘合粘接剂层20的面20a的第一表面自由能为28mJ/m2以上这一构成在确保粘合粘接剂层20的对于框构件的粘合力方面是适合的。该第一表面自由能为40mJ/m2以下、优选为37mJ/m2以下、更优选为34mJ/m2以下这一构成在确保粘合粘接剂层20与框构件之间的良好剥离性方面是适合的。隔膜S的面Sa的第二表面自由能为14mJ/m2以上、优选为17mJ/m2以上、更优选为20mJ/m2以上这一构成在粘合粘接剂层20与隔膜S之间获得充分的密合力的方面是适合的。该第二表面自由能为35mJ/m2以下的构成在确保粘合粘接剂层20与隔膜S之间的良好剥离性的方面是适合的。并且，从第一表面自由能减去第二表面自由能而得的值为0～19mJ/m2、优选为0～16mJ/m2、更优选为0～13mJ/m2这一构成适合于在切割芯片接合薄膜X的制造过程中针对粘合粘接剂层20与隔膜S抑制浮起且通过冲裁加工来形成。
适合于确保作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层20的对于框构件的粘合力、且确保粘合粘接剂层20与隔膜S之间的良好剥离性的切割芯片接合薄膜X可以以其粘合粘接剂层20在包含工件贴合用区域的基础上还包含框构件贴合用区域的方式，在薄膜面内方向上以实质上相同的尺寸来设计切割胶带10和/或其粘合剂层12和其上的粘合粘接剂层20。具体而言，如上所述，在切割芯片接合薄膜X的面内方向上，可以采用粘接剂层20的外周端20e距离切割胶带10的基材11和粘合剂层12的外周端11e、12e为1000μm以内、优选700μm以内、更优选500μm以内、更优选300μm以内的设计。这种构成的切割芯片接合薄膜X适合于通过一次冲裁加工来一并实施用于形成具有基材11与粘合剂层12的层叠结构的一个切割胶带10的加工、以及用于形成一个粘合粘接剂层20的加工。并且，从粘合粘接剂层20的第一表面自由能减去隔膜S的第二表面自由能而得到的值为0～19mJ/m2、优选为0～16mJ/m2、更优选为0～13mJ/m2这一上述构成适合于抑制通过这种冲裁加工时的加工刃的突入而在粘合粘接剂层20与隔膜S之间产生的局部剥离和/或浮起。
如上所述，切割芯片接合薄膜X适合于实现粘合粘接剂层20与隔膜S之间的良好剥离性，且适合于针对粘合粘接剂层20和隔膜S进行冲裁加工时抑制浮起而将其形成。
在切割芯片接合薄膜X中，如上所述，隔膜S在25℃、剥离角度为180°和拉伸速度为300mm/分钟的条件下的剥离试验中相对于粘合粘接剂层20显示出优选为0.04N/10mm以上、更优选为0.05N/10mm以上的180°剥离粘合力。这种构成对于在切割芯片接合薄膜X的制造过程中针对粘合粘接剂层20和用于将其覆盖的隔膜S进行冲裁加工时抑制浮起而将其形成而言是优选的。
在切割芯片接合薄膜X中，如上所述，隔膜S在25℃、剥离角度为180°和拉伸速度为300mm/分钟的条件下的剥离试验中相对于粘合粘接剂层20显示出优选为0.1N/10mm以下、更优选为0.095N/10mm以下的180°剥离粘合力。这种构成对于实现粘合粘接剂层20与隔膜S之间的良好剥离性而言是优选的。
如上所述，隔膜S优选具有用于形成其与粘合粘接剂层20的界面的非有机硅处理面。这种构成适合于实现处于上述范围内的180°剥离粘合力。
图4～图9表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法。
本半导体装置制造方法中，首先如图4的(a)和图4的(b)所示，对半导体晶圆W形成分割槽30a(分割槽形成工序)。半导体晶圆W具有第一面Wa和第二面Wb。在半导体晶圆W的第一面Wa一侧，已经制作有各种半导体元件(省略图示)，且在第一面Wa上已经形成有该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。本工序中，具有粘合面T1a的晶圆加工用胶带T1被贴合至半导体晶圆W的第二面Wb侧后，在晶圆加工用胶带T1保持有半导体晶圆W的状态下，使用切割装置等的旋转刀片在半导体晶圆W的第一面Wa侧形成规定深度的分割槽30a。分割槽30a是为了使半导体晶圆W分离成半导体芯片单元的空隙(图4～图6中，示意性地用粗线表示分割槽30a)。
接着，如图4的(c)所示，进行具有粘合面T2a的晶圆加工用胶带T2向半导体晶圆W的第一面Wa侧的贴合、以及晶圆加工用胶带T1自半导体晶圆W的剥离。
接着，如图4的(d)所示，在晶圆加工用胶带T2保持有半导体晶圆W的状态下，通过从第二面Wb进行研削加工而使半导体晶圆W薄化至规定的厚度(晶圆薄化工序)。研削加工可使用具备研削磨石的研削加工装置来进行。通过该晶圆薄化工序，在本实施方式中，形成能够单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30A。具体而言，半导体晶圆30A在该晶圆中具有在第二面Wb侧将要单片化为多个半导体芯片31的部位连结的部位(连结部)。半导体晶圆30A中的连结部的厚度、即半导体晶圆30A的第二面Wb与分割槽30a的第二面Wb侧前端之间的距离例如为1～30μm、优选为3～20μm。
接着，如图5的(a)所示，将保持于晶圆加工用胶带T2的半导体晶圆30A对剥掉了隔膜S的切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20进行贴合。其后，如图5的(b)所示，从半导体晶圆30A剥掉晶圆加工用胶带T2。在切割芯片接合薄膜X中的粘合剂层12为辐射线固化性粘合剂层时，可以在半导体晶圆30A贴合于粘合粘接剂层20后，从基材11一侧对粘合剂层12照射紫外线等辐射线，用以代替切割芯片接合薄膜X的制造过程中的上述辐射线照射。照射量例如为50～500mJ/cm2、优选为100～300mJ/cm2。在切割芯片接合薄膜X中，作为降低粘合剂层12的粘合力的措施而进行照射的区域(图1所示的照射区域R)是例如将粘合剂层12中的粘合粘接剂层20贴合区域内的其周边部去除的区域。
接着，在切割芯片接合薄膜X中的粘合粘接剂层20上贴附环形框41后，如图6的(a)所示，带有半导体晶圆30A的该切割芯片接合薄膜X被固定于扩展装置的支承装置42。
接着，如图6的(b)所示那样地进行在相对低温的条件下的第一扩展工序(冷扩展工序)，半导体晶圆30A被单片化为多个半导体芯片31，同时，切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20被割断成小片的粘合粘接剂层21，得到带粘合粘接剂层的半导体芯片31。在本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧与切割胶带10抵接并上升，贴合有半导体晶圆30A的切割芯片接合薄膜X的切割胶带10以沿着包含半导体晶圆30A的径向和圆周方向在内的二维方向被拉伸的方式扩展。该扩展在切割胶带10中产生15～32MPa、优选20～32MPa这一范围内的拉伸应力的条件下进行。冷扩展工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。冷扩展工序中的扩展速度(顶起构件43的上升速度)优选为0.1～100mm/秒。另外，冷扩展工序中的扩展量优选为3～16mm。
本工序中，在半导体晶圆30A的厚度薄而容易断裂的部位发生割断，从而单片化成半导体芯片31。与此同时，本工序中，切割胶带10中产生的拉伸应力以如下状态发挥作用：在与要扩展的切割胶带10的粘合剂层12密合的粘合粘接剂层20中，与各半导体芯片31密合的各区域的变形受到抑制，另一方面，与半导体芯片31间的分割槽相对的部位不产生这种抗变形作用。其结果，在粘合粘接剂层20中，与半导体芯片31间的分割槽相对的部位会被割断。在本工序之后，如图6的(c)所示，顶起构件43下降，切割胶带10的扩展状态解除。
接着，如图7的(a)所示那样地进行在相对高温的条件下的第二扩展工序，带粘合粘接剂层的半导体芯片31之间的距离(分隔距离)被扩大。在本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43再次上升，切割芯片接合薄膜X的切割胶带10被扩展。第二扩展工序中的温度条件例如为10℃以上，优选为15～30℃。第二扩展工序中的扩展速度(顶起构件43的上升速度)例如为0.1～10mm/秒，优选为0.3～1mm/秒。另外，第二扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。本工序中，带粘合粘接剂层的半导体芯片31的分隔距离被扩展至能够利用后述拾取工序从切割胶带10适宜地拾取带粘合粘接剂层的半导体芯片31的程度。在本工序之后，如图7的(b)所示，顶起构件43下降，切割胶带10的扩展状态解除。在扩展状态解除后，从抑制切割胶带10上的带粘合粘接剂层的半导体芯片31的分隔距离狭窄的方面出发，优选的是，在解除扩展状态之前，将切割胶带10中的半导体芯片31保持区域的外侧部分加热而使其收缩。
接着，根据需要而历经使用水等清洗液对带有带粘合粘接剂层的半导体芯片31的切割胶带10中的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序后，如图8所示，从切割胶带10拾取带粘合粘接剂层的半导体芯片31(拾取工序)。例如，针对作为拾取对象的带粘合粘接剂层的半导体芯片31，在切割胶带10的图中下侧使拾取机构的顶针构件44上升而隔着切割胶带10将其顶起后，利用吸附夹具45进行吸附保持。在拾取工序中，顶针构件44的顶起速度例如为1～100mm/秒，顶针构件44的顶起量例如为50～3000μm。
接着，如图9的(a)所示，所拾取的带粘合粘接剂层的半导体芯片31借助粘合粘接剂层21而预固定于规定的被粘物51。作为被粘物51，可列举出例如引线框、TAB(TapeAutomated Bonding，磁带自动连接)薄膜、布线基板和另行制作的半导体芯片。粘合粘接剂层21的预固定时的25℃下的剪切粘接力相对于被粘物51优选为0.2MPa以上、更优选为0.2～10MPa。粘合粘接剂层21的该剪切粘接力为0.2MPa以上的构成对于在后述引线键合工序中抑制因超声波振动、加热而在粘合粘接剂层21与半导体芯片31或被粘物51的粘接面产生的剪切变形从而适宜地进行引线键合来说是适合的。
接着，如图9的(b)所示，半导体芯片31的电极焊垫(省略图示)与被粘物51所具有的端子部(省略图示)借助键合引线52而电连接(引线键合工序)。半导体芯片31的电极焊垫、被粘物51的端子部与键合引线52的接线通过伴有加热的超声波焊接来实现，以不使粘合粘接剂层21发生热固化的方式进行。作为键合引线52，可以使用例如金线、铝线或铜线。引线键合中的引线加热温度例如为80～250℃，优选为80～220℃。另外，其加热时间为数秒～数分钟。
接着，如图9的(c)所示，通过用于保护被粘物51上的半导体芯片31、键合引线52的密封树脂53将半导体芯片31密封(密封工序)。本工序中，粘合粘接剂层21进行热固化。本工序中，例如通过使用模具进行的传递模塑技术来形成密封树脂53。作为密封树脂53的构成材料，可以使用例如环氧系树脂。本工序中，用于形成密封树脂53的加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为60秒～数分钟。本工序(密封工序)中，在密封树脂53的固化未充分进行的情况下，在本工序之后进行用于使密封树脂53完全固化的后固化工序。密封工序中，即使在粘合粘接剂层21未完全热固化的情况下，在后固化工序中也能够与密封树脂53一起使粘合粘接剂层21完全热固化。在后固化工序中，加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为0.5～8小时。
如上操作，能够制造半导体装置。
本实施方式中，如上所述，在带粘合粘接剂层的半导体芯片31被预固定于被粘物51后，进行引线键合工序而不使粘合粘接剂层21达到完全的热固化。也可以代替这种构成，在带粘合粘接剂层的半导体芯片31被预固定于被粘物51后，在粘合粘接剂层21被热固化后再进行引线键合工序。
在半导体装置制造方法中，也可以进行图10所示的晶圆薄化工序，用以代替参照图4的(c)地历经上述过程后，再参照图4的(d)地进行上述晶圆薄化工序。图10所示的晶圆薄化工序中，在晶圆加工用胶带T2保持有半导体晶圆W的状态下，通过从第二面Wb进行研削加工而薄化至该晶圆达到规定厚度为止，形成包含多个半导体芯片31且保持于晶圆加工用胶带T2的半导体晶圆分割体30B。本工序中，可以采用将晶圆研削至分割槽30a自身露出至第二面Wb侧为止的方法(第一方法)，也可以采用将晶圆从第二面Wb侧研削至到达分割槽30a之前，其后，通过由旋转磨石向晶圆的按压力作用使分割槽30a与第二面Wb之间产生裂纹而形成半导体晶圆分割体30B的方法(第二方法)。根据所采用的方法，参照图4的(a)和图4的(b)如上所述地形成的分割槽30a的自第一面Wa起的深度被适当决定。图10中，针对历经第一方法的分割槽30a或历经第二方法的分割槽30a以及与其相连的裂纹，示意性地用粗线表示。本实施方式中，在对剥离了隔膜S的切割芯片接合薄膜X贴合如上制作的半导体晶圆分割体30B来代替上述半导体晶圆30A的基础上，可以参照图5～图9来进行上述的各工序。
图11的(a)和图11的(b)表示对剥离了隔膜S的切割芯片接合薄膜X贴合半导体晶圆分割体30B后进行的第一扩展工序(冷扩展工序)。本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧与切割胶带10抵接并上升，贴合有半导体晶圆分割体30B的切割芯片接合薄膜X的切割胶带10以沿着包括半导体晶圆分割体30B的径向和圆周方向在内的二维方向被拉伸的方式扩展。该扩展以在切割胶带10中产生例如1～100MPa、优选为5～40MPa这一范围内的拉伸应力的条件进行。本工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43的上升速度)优选为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量优选为50～200mm。通过这种低温扩展工序，切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20被割断成小片的粘合粘接剂层21，从而得到带粘合粘接剂层的半导体芯片31。具体而言，本工序中，切割胶带10中产生的拉伸应力以如下状态发挥作用：在与要扩展的切割胶带10的粘合剂层12密合的粘合粘接剂层20中，与半导体晶圆分割体30B的各半导体芯片31密合的各区域的变形受到抑制，另一方面，与半导体芯片31间的分割槽30a相对的部位不产生这种抗变形作用。其结果，在粘合粘接剂层20中，与半导体芯片31间的分割槽30a相对的部位会被割断。
在本实施方式的半导体装置制造方法中，还可以对剥离了隔膜S的切割芯片接合薄膜X贴合如下制作的半导体晶圆30C，用以代替对剥离了隔膜S的切割芯片接合薄膜X贴合半导体晶圆30A或半导体晶圆分割体30B的上述构成。
如图12的(a)和图12的(b)所示，首先，在半导体晶圆W上形成改性区域30b。半导体晶圆W具有第一面Wa和第二面Wb。在半导体晶圆W的第一面Wa一侧已经制作有各种半导体元件(省略图示)，且在第一面Wa上已经形成有该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。本工序中，具有粘合面T3a的晶圆加工用胶带T3被贴合于半导体晶圆W的第一面Wa侧后，在晶圆加工用胶带T3保持有半导体晶圆W的状态下，从晶圆加工用胶带T3的相反侧对半导体晶圆W沿着其分割预定线照射聚光点对准晶圆内部的激光光线，通过基于多光子吸收的磨蚀而在半导体晶圆W内形成改性区域30b。改性区域30b是用于将半导体晶圆W分离成半导体芯片单元的脆弱化区域。关于在半导体晶圆中通过激光光线照射而在分割预定线上形成改性区域30b的方法，例如在日本特开2002-192370号公报中有详细记载。该方法中，本实施方式中的激光光线照射条件例如在下述条件的范围内适当调整。
<激光光线照射条件>
(A)激光光线
Figure BDA0001927764060000381
(B)聚光用透镜
倍率 100倍以下
NA 0.55
相对于激光波长的透射率 100％以下
(C)载置半导体基板的载置台的移动速度：280mm/秒以下
接着，在晶圆加工用胶带T3保持有半导体晶圆W的状态下，通过从第二面Wb进行的研削加工而薄化至半导体晶圆W达到规定厚度为止，如图12的(c)所示，形成能够单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30C(晶圆薄化工序)。本实施方式中，在对剥离了隔膜S的切割芯片接合薄膜X贴合如上制作的半导体晶圆30C来代替半导体晶圆30A的基础上，可以参照图5～图9来进行上述的各工序。
图13的(a)和图13的(b)表示在对剥离了隔膜S的切割芯片接合薄膜X贴合半导体晶圆30C之后进行的第一扩展工序(冷扩展工序)。本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧与切割胶带10抵接并上升，贴合有半导体晶圆30C的切割芯片接合薄膜X的切割胶带10以沿着包括半导体晶圆30C的径向和圆周方向在内的二维方向被拉伸的方式扩展。该扩展以在切割胶带10中产生例如1～100MPa、优选为5～40MPa这一范围内的拉伸应力的条件进行。本工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43的上升速度)优选为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量优选为50～200mm。通过这种冷扩展工序，切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20被割断成小片的粘合粘接剂层21，从而得到带粘合粘接剂层的半导体芯片31。具体而言，本工序中，在半导体晶圆30C中的脆弱的改性区域30b处形成裂纹，从而单片化成半导体芯片31。与此同时，本工序中，切割胶带10中产生的拉伸应力以如下状态发挥作用：在与要扩展的切割胶带10的粘合剂层12密合的粘合粘接剂层20中，与半导体晶圆30C的各半导体芯片31密合的各区域中的变形受到抑制，另一方面，在与晶圆的裂纹形成部位相对的部位不产生这种抗变形作用。其结果，在粘合粘接剂层20中，与半导体芯片31间的裂纹形成部位相对的部位会被割断。
如上所述，切割芯片接合薄膜X可以在获得带粘合粘接剂层的半导体芯片的方面使用。另外，切割芯片接合薄膜X也可以在获得将多个半导体芯片层叠而进行三维安装时的带粘合粘接剂层的半导体芯片的方面使用。这种三维安装中的半导体芯片31之间可以同时夹设粘合粘接剂层21和间隔物，也可以不夹设间隔物。
实施例
〔实施例1〕
〈切割胶带的制作〉
在具备冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内，将包含丙烯酸十二烷基酯100摩尔份、丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)20摩尔份、相对于这些单体成分100质量份为0.2质量份的作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰、以及作为聚合溶剂的甲苯的混合物在氮气气氛下以60℃搅拌10小时(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液。该聚合物溶液中的丙烯酸系聚合物P1的重均分子量(Mw)为46万。接着，将包含含有该丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液、异氰酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯(MOI)和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在室温下、空气气氛下搅拌48小时(加成反应)。在该反应溶液中，MOI配混量相对于丙烯酸系聚合物P1中的源自2HEA的单元和/或其羟基的总量的摩尔比率为0.8。另外，在该反应溶液中，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸系聚合物P1100质量份为0.01质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物P2的聚合物溶液。接着，向该聚合物溶液中添加相对于丙烯酸系聚合物P2 100质量份为1质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”，东曹株式会社制)和5质量份的光聚合引发剂(商品名“Irgacure 127”，BASF公司制)并混合，且以该混合物在室温下的粘度达到500mPa·s的方式对该混合物添加甲苯进行稀释，得到粘合剂溶液。接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔膜(厚度为38μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘合剂溶液而形成涂膜，针对该涂膜以130℃进行2分钟的加热干燥，在PET隔膜上形成厚度10μm的粘合剂层。接着，使用层压器，在室温下对该粘合剂层的露出面贴合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)制的基材(商品名“RB-0104”，厚度为130μm，仓敷纺绩株式会社制)。如上操作来制作切割胶带。
〈粘合粘接剂层的形成〉
将丙烯酸类树脂(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯腈与甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物，重均分子量为120万，玻璃化转变温度为0℃，环氧值为0.4eq/kg)55质量份、固态酚醛树脂(商品名“MEHC-7851SS”，在23℃下为固态，明和化成株式会社制)20质量份、液态酚醛树脂(商品名“MEH-8000H”，在23℃下为液状，明和化成株式会社制)2质量份和二氧化硅填料(商品名“SO-E2”，ADMATECS公司制)22质量份添加至甲乙酮中进行混合，以室温下的粘度达到700mPa·s的方式调整浓度，得到粘接剂组合物。接着，使用涂抹器在具有实施了非有机硅处理、即长链烷基聚合物系脱模处理的面的PET隔膜(商品名“SHP-A”，厚度为50μm，FUJICO CO.,LTD.制)的脱模处理面上涂布粘接剂组合物而形成涂膜，针对该涂膜以130℃进行2分钟的加热干燥，在PET隔膜上形成厚度10μm的作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层。
〈切割芯片接合薄膜的制作〉
从上述切割胶带剥离PET隔膜后，使用层压机在室温下将切割胶带中露出的粘合剂层与带有PET隔膜的上述粘合粘接剂层贴合，从而得到层叠片体。接着，对于该层叠片体，进行使加工刃从切割胶带的EVA基材一侧突入至隔膜为止的冲裁加工。具体而言，将层叠片体沿着一个方向以10m/分钟的速度进行传送，同时，使以能够沿着与该方向正交的轴心旋转的方式配置且在辊表面卷绕有圆形冲裁加工用尖刀的带加工刃的旋转辊的带加工刃的表面伴有规定的按压力地抵接于层叠片体的EVA基材侧，进行冲裁加工。该冲裁加工所使用的旋转辊的圆周长度、即周围长度为378.9mm。另外，卷绕于旋转辊表面的尖刀为SUS制，以能够冲裁加工直径370mm的圆的方式配置在辊表面，刃的高度为0.3mm，刀尖所成的刃角为50°。通过这样的冲裁加工，切割胶带与粘合粘接剂层被一并加工形成为圆盘形状，在隔膜上形成切割芯片接合薄膜。其后，从隔膜上去除所形成的切割芯片接合薄膜周围的材料层叠部。从基材侧对切割胶带中的粘合剂层照射紫外线。在紫外线照射中，使用高压汞灯，照射累积光量设为350mJ/cm2。如上操作，制作具有层叠结构的实施例1的切割芯片接合薄膜，所述层叠结构包含切割胶带和作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层。
〔实施例2〕
在粘合粘接剂层的形成中，使用PET隔膜(商品名“SHP-A0”，厚度为50μm，FUJICOCO.,LTD.制)来代替PET隔膜(商品名“SHP-A”，FUJICO CO.,LTD.制)，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样操作，制作实施例2的切割芯片接合薄膜。PET隔膜(商品名“SHP-A0”，FUJICO CO.,LTD.制)具有作为非有机硅处理面的长链烷基聚合物系脱模处理面，本实施例中，在PET隔膜(商品名“SHP-A0”，FUJICO CO.,LTD.制)的脱模处理面上形成厚度10μm的作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层。
〔实施例3〕
在粘合粘接剂层的形成中，使用PET隔膜(商品名“SHP-A1”，厚度50μm，FUJICOCO.,LTD.制)来代替PET隔膜(商品名“SHP-A”，FUJICO CO.,LTD.制)，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样操作，制作实施例3的切割芯片接合薄膜。PET隔膜(商品名“SHP-A1”，FUJICO CO.,LTD.制)具有作为非有机硅处理面的长链烷基聚合物系脱模处理面，本实施例中，在PET隔膜(商品名“SHP-A1”，FUJICO CO.,LTD.制)的脱模处理面上形成厚度10μm的作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层。
〔比较例1〕
在粘合粘接剂层的形成中，使用PET隔膜(商品名“MRA50”，厚度50μm，三菱树脂株式会社制)来代替PET隔膜(商品名“SHP-A”，FUJICO CO.,LTD.制)，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样操作，制作比较例1的切割芯片接合薄膜。PET隔膜(商品名“MRA50”，厚度50μm，三菱树脂株式会社制)具有有机硅处理面，本比较例中，在PET隔膜(商品名“MRA50”，三菱树脂株式会社制)的有机硅处理面上形成厚度10μm的作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层。
〔比较例2〕
在粘合粘接剂层的形成中，使用PET隔膜(商品名“SHP-TY3R”，厚度50μm，FUJICOCO.,LTD.制)来代替PET隔膜(商品名“SHP-A”，FUJICO CO.,LTD.制)，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样操作，制作比较例2的切割芯片接合薄膜。PET隔膜(商品名“SHP-TY3R”，FUJICO CO.,LTD.制)具有作为非有机硅处理面的长链烷基聚合物系脱模处理面，本比较例中，在PET隔膜(商品名“SHP-TY3R”，FUJICO CO.,LTD.制)的脱模处理面上形成厚度10μm的作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层。
〈表面自由能〉
针对实施例1～3和比较例1、2的各切割芯片接合薄膜，求出粘合粘接剂层中的隔膜侧表面的表面自由能(第一表面自由能)和隔膜中的粘合粘接剂层侧表面的表面自由能(第二表面自由能)。具体而言，首先从切割芯片接合薄膜剥离其隔膜，使表面自由能鉴定对象面(粘合粘接剂层的隔膜侧表面和隔膜的粘合粘接剂层侧表面)露出。接着，在20℃和相对湿度65％的条件下，针对与表面自由能鉴定对象面接触的水(H2O)和二碘甲烷(CH2I2)的各液滴，使用接触角计来测定接触角。接着，使用所测定的水的接触角θw和二碘甲烷的接触角θi的值，按照Journal of Applied Polymer Science,vol.13,p1741-1747(1969)中记载的方法，求出γsd(表面自由能的分散力成分)和γsh(表面自由能的氢键力成分)。接着，将γsd与γsh加合得到的值γs(＝γsd+γsh)作为该对象面的表面自由能。针对每个表面自由能鉴定对象面的γsd和γsh，作为下述式(1)和式(2)的二元联立方程式的解而求出。在式(1)、(2)中，γw为水的表面自由能、γwd为水的表面自由能的分散力成分、γwh为水的表面自由能的氢键力成分、γi为碘代甲基的表面自由能、γid为碘代甲基的表面自由能的分散力成分、γih为碘代甲基的表面自由能的氢键力成分，使用了现有文献值的γw＝72.8mJ/m2、γwd＝21.8mJ/m2、γwh＝51.0mJ/m2、γi＝50.8mJ/m2、γid＝48.5mJ/m2、γih＝2.3mJ/m2。如此求出的粘合粘接剂层中的隔膜侧表面的第一表面自由能γs1(mJ/m2)和隔膜中的粘合粘接剂层侧表面的第二表面自由能γs2(mJ/m2)记载于表1。上述表面自由能之差γs1-γs2(mJ/m2)也记载于表1。
[数学式1]
Figure BDA0001927764060000451
Figure BDA0001927764060000452
〈粘合粘接剂层的180°剥离粘合力〉
在实施例1～3和比较例1、2的各切割芯片接合薄膜中，调查了隔膜对于粘合粘接剂层的180°剥离粘合力。具体而言，首先从切割芯片接合薄膜切出具有切割胶带基材、粘合剂层、粘合粘接剂层与隔膜的层叠结构的层叠体(宽100mm×长120mm)。接着，使用双面胶带将该层叠体的切割胶带基材侧贴合于规定的板材。接着，使用拉伸试验机(商品名“AUTOGRAPH AGS-J”，株式会社岛津制作所制)，从板材上的该层叠体中的粘合粘接剂层剥离隔膜，并测定其180°剥离粘合力(N/10nm)。本测定中，测定温度和/或剥离温度设为25℃，拉伸角度和/或剥离角度设为180°，拉伸速度设为300mm/分钟。将其测定结果示于表1。
〈冲裁加工时的浮起〉
在上述切割芯片接合薄膜的制作过程中，进行用于在隔膜上一并加工形成粘合粘接剂层和切割胶带的冲裁加工后，沿着隔膜和粘合粘接剂层的外周端观察它们的界面的状态。将隔膜与粘合粘接剂层之间未发生局部剥离和/或浮起的情况评价为“优”，将虽然发生了这种浮起但该浮起被收敛在自粘合粘接剂层外周端起3mm以内的长度的情况评价为“可”，将发生了自粘合粘接剂层外周端起超过3mm的大幅浮起的情况评价为“不可”。将其测定结果记载于表1。
〈隔膜剥离性〉
针对实施例1～3和比较例1、2的切割芯片接合薄膜，分别调查隔膜的剥离性。具体而言，使用晶圆贴片(Wafer mount)装置(商品名“MA-3000III”，日东精机株式会社制)，进行经历了将切割芯片接合薄膜贴合于规定晶圆(直径为12英寸)这一过程的晶圆贴片工序。晶圆对于切割芯片接合薄膜的贴合在贴合速度为5mm/秒、温度为60℃和压力为0.15MPa的条件下进行。针对实施例1～3和比较例1、2的切割芯片接合薄膜各5片，实施该晶圆贴片工序。将5片切割芯片接合薄膜全部从粘合粘接剂层上剥离了隔膜且能够适宜地实施晶圆贴片工序的情况评价为“优”，将1片以上的切割芯片接合薄膜中未从粘合粘接剂层上适宜地剥离隔膜而无法实施晶圆贴片工序的情况评价为“不可”。将其评价结果记载于表1。
[评价]
与比较例1的切割芯片接合薄膜相比，实施例1～3的切割芯片接合薄膜适合于针对粘合粘接剂层和隔膜进行冲裁加工时抑制浮起并将其形成。与比较例2的切割芯片接合薄膜相比，实施例1～3的切割芯片接合薄膜适合于在粘合粘接剂层与隔膜之间实现良好的剥离性。
[表1]
Figure BDA0001927764060000471

Claims (10)

1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割胶带；
以能够剥离的方式密合于所述切割胶带中的所述粘合剂层的粘合粘接剂层；以及
所述粘合粘接剂层上的能够从该粘合粘接剂层剥离的隔膜，
用于形成所述粘合粘接剂层与所述隔膜的界面的所述粘合粘接剂层的表面具有28～40mJ/m2的第一表面自由能，
用于形成所述粘合粘接剂层与所述隔膜的界面的所述隔膜的表面具有14～35mJ/m2的第二表面自由能，
所述第一表面自由能减去所述第二表面自由能而得的值为0～19mJ/m2。
2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，在25℃、剥离角度为180°且拉伸速度为300mm/分钟的条件下的剥离试验中，所述隔膜对所述粘合粘接剂层显示出0.04N/10mm以上的180°剥离粘合力。
3.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，在25℃、剥离角度为180°且拉伸速度为300mm/分钟的条件下的剥离试验中，所述隔膜对所述粘合粘接剂层显示出0.1N/10mm以下的180°剥离粘合力。
4.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，在25℃、剥离角度为180°且拉伸速度为300mm/分钟的条件下的剥离试验中，所述隔膜对所述粘合粘接剂层显示出0.1N/10mm以下的180°剥离粘合力。
5.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述隔膜具有用于形成其与所述粘合粘接剂层的界面的非有机硅处理面。
6.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述隔膜具有用于形成其与所述粘合粘接剂层的界面的非有机硅处理面。
7.根据权利要求3所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述隔膜具有用于形成其与所述粘合粘接剂层的界面的非有机硅处理面。
8.根据权利要求4所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述隔膜具有用于形成其与所述粘合粘接剂层的界面的非有机硅处理面。
9.根据权利要求5所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述非有机硅处理面是基于长链烷基聚合物系脱模剂的脱模处理面。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合粘接剂层的外周端在薄膜面内方向上处于距离所述切割胶带中的所述基材的外周端和所述粘合剂层的外周端为1000μm以内的位置。
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