JP7008164B1 - 半導体加工用テープ - Google Patents

半導体加工用テープ Download PDF

Info

Publication number
JP7008164B1
JP7008164B1 JP2021518818A JP2021518818A JP7008164B1 JP 7008164 B1 JP7008164 B1 JP 7008164B1 JP 2021518818 A JP2021518818 A JP 2021518818A JP 2021518818 A JP2021518818 A JP 2021518818A JP 7008164 B1 JP7008164 B1 JP 7008164B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
pressure
sensitive adhesive
resin
semiconductor processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021518818A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2022024408A1 (ja
Inventor
貴徳 土屋
邦彦 石黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Original Assignee
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD. filed Critical THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Application granted granted Critical
Publication of JP7008164B1 publication Critical patent/JP7008164B1/ja
Publication of JPWO2022024408A1 publication Critical patent/JPWO2022024408A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/124—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape
    • C09J2301/1242—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape the opposite adhesive layers being different
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/21—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being formed by alternating adhesive areas of different nature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents

Landscapes

  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

ピックアップ時に粘着剤層から接着剤層付きのチップが容易に剥離できるとともに、リングフレームを確実粘着固定することができ、半導体ウェハ貼合時に接着剤層が浮き上がることのない半導体加工用テープを提供する。本願発明による半導体加工用テープ１は、基材フィルム４１、第一粘着剤層４２及び第二粘着剤層４３がこの順で設けられ、第二粘着剤層４３の基材フィルム４１及び第一粘着剤層４２とは反対側の面には、接着剤層３が設けられ、第一粘着剤層４２の粘着力は、第二粘着剤層４３の粘着力よりも大きく、第一粘着剤層４２、第二粘着剤層４３及び接着剤層３は、それぞれ平面形状を有し、接着剤層３の平面形状は第二粘着剤層４３の平面形状より大きく、第一粘着剤層４２の平面形状は接着剤層３の平面形状より大きく、第二粘着剤層４３の周辺部で第一粘着剤層４２と接着剤層３とが接していることを特徴とする。

Description

本発明は、基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープ、および該粘着剤層上に半導体ウェハと貼合される接着剤層を有する半導体加工用テープに関する。
従来、半導体装置の製造工程において、半導体ウェハを個片化するダイシング工程では、半導体ウェハを粘着保持する粘着テープが用いられている。また、より工程を簡略化するために、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層を一体化した半導体加工用テープが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
ダイシング工程において半導体ウェハを個片化した後、個片化されたチップはピックアップ工程にて、突き上げピンで突き上げられることにより、接着剤層とともに粘着剤層から剥離してピックアップされ、マウント工程にて、リードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着される。
近年では、ＩＣカードの普及が進み、半導体チップの薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０～１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。また、高集積化の追求によるチップサイズの大型化も進展している。
薄い半導体チップは、ピックアップする際に突き上げピンの突き上げ高さを高くすると割れてしまうため、突き上げ高さは低くする必要がある。そうすると、接着剤層付きの半導体チップを粘着剤層から剥離するには、粘着剤層の粘着力を低くする必要がある。また、サイズが大きい半導体チップは、粘着剤層との接触面積が大きいため、接着剤層付きの半導体チップを粘着剤層から剥離するには、やはり粘着剤層の粘着力を低くする必要がある。
ところで、粘着剤層には、ダイシング装置やピックアップ装置に半導体ウェハを保持させるためのリングフレームも貼着される。上述のように粘着剤層の粘着力を低くすると、リングフレームが粘着剤層から剥がれるおそれがある。とくに、半導体ウェハおよびリングフレームを半導体加工用テープに貼着させたまま、ある程度の期間保管しておく場合もあり、このような場合に、リングフレームが粘着剤層から剥がれるおそれが高まる。
上述のような課題を解決するために、紫外線硬化型の粘着剤層を接着剤層の大きさに合わせて予め硬化させて粘着力を低下させておくことにより、ピックアップの際に粘着剤層から接着剤層付きのチップが容易に剥離できるようにし、粘着剤層の紫外線が照射されておらず粘着力が大きい部分で、リングフレームを確実に粘着固定することができるようにしたダイシング・ダイボンドフィルムが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
また、基材層、第１粘着剤層及び第２粘着剤層がこの順で積層されたダイシングテープと、このダイシングテープの第２粘着剤層上に積層された半導体裏面用フィルムとを有し、第１粘着剤層と第２粘着剤層との間の剥離強度Ｙを０．２～１０Ｎ／２０ｍｍ、第２粘着剤層と半導体裏面用フィルムとの間の剥離強度Ｘを０．０１～０．２Ｎ／２０ｍｍとしてダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムも開示されている（例えば、特許文献３参照）。
当該ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムでは、剥離強度Ｘを０．０１～０．２Ｎ／２０ｍｍとしているので、ダイシング時の保持力を十分に確保することができると共に、ダイシング時の半導体裏面用フィルムのめくれを防止して半導体チップの汚染を効率的に防止することができ、かつピックアップ時の剥離容易性を向上させることができるとされている。
さらに当該ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムでは、前記剥離強度Ｙを０．２～１０Ｎ／２０ｍｍとしているので、ダイシング時のリングフレームへの密着性を向上させることができ、また半導体ウェハの保持力を十分に確保することができると共に、第１粘着剤層と第２粘着剤層との間での剥離による第２粘着剤層の粘着剤の半導体裏面用フィルムへの移行（糊残り）を防止することができるとされている。
特開２００８－２１８５７１号公報 特許第４７１７０８５号公報 特開２０１２－３３６３７号公報
しかしながら、特許文献２に係るダイシング・ダイボンドフィルムでは、粘着剤層の所望の範囲のみに紫外線を正確に照射するのは困難であるため、このようなダイシング・ダイボンドフィルムを実現するためには、所望の範囲以外の部分にマスキングを施すなど、工程が複雑になるという問題があった。
また、特許文献３に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムでは、半導体裏面用フィルムの貼付部分に対応する部分より大きく且つ第１粘着剤層の全面よりも小さい部分に第２粘着剤層が形成されているか、半導体裏面用フィルムの貼付部分に対応する部分のみに第２粘着剤層が形成されている。このため、半導体ウェハにダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを貼合する工程において、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの接着剤層側の面を覆っていた剥離フィルムを剥離する際や、貼合装置によりダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに張力が加わった際に、剥離力が低い第２粘着剤層と半導体裏面用フィルムとの間で部分的に剥離が生じて接着剤層が浮き上がり、半導体ウェハに貼合されるときに接着剤層にシワが入った状態で貼合されてしまうという問題があった。
そこで、本発明は、ピックアップ時に粘着剤層から接着剤層付きのチップが容易に剥離できるとともに、リングフレームを確実に粘着固定することができ、半導体ウェハ貼合時に接着剤層が浮き上がることのない半導体加工用テープを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本願発明による半導体加工用テープは、基材フィルム、第一粘着剤層及び第二粘着剤層がこの順で設けられ、前記第二粘着剤層の前記基材フィルム及び前記第一粘着剤層とは反対側の面には、接着剤層が設けられ、前記第一粘着剤層の粘着力は、前記第二粘着剤層の粘着力よりも大きく、前記第一粘着剤層、前記第二粘着剤層及び前記接着剤層は、それぞれ平面形状を有し、前記接着剤層の平面形状は前記第二粘着剤層の平面形状より大きく、前記第一粘着剤層の平面形状は前記接着剤層の平面形状より大きく、前記第二粘着剤層の周辺部で前記第一粘着剤層と前記接着剤層とが接していることを特徴とする。
上記半導体加工用テープは、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する前記第二粘着剤層の粘着力が、０．１～０．６Ｎ/２５ｍｍであることが好ましい。
また、上記半導体加工用テープは、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する前記第一粘着剤層の粘着力が、１～１０Ｎ/２５ｍｍであることが好ましい。
また、上記半導体加工用テープは、前記第一粘着剤層が、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であることが好ましい。
また、上記半導体加工用テープは、前記第二粘着剤層が、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であることが好ましい。
また、上記半導体加工用テープは、前記第二粘着剤層の平面形状が、前記接着剤層に貼合される半導体ウェハよりも大きいことが好ましい。
本発明によれば、ピックアップ時に粘着剤層から接着剤層付きのチップが容易に剥離できるとともに、リングフレームを確実に粘着固定することができ、半導体ウェハ貼合時に接着剤層が浮き上がることのない半導体加工用テープを提供することができる。
本発明の実施形態に係る半導体加工用テープの構造を模式的に示す断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態に係る半導体加工用テープの構造を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、同断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体加工用テープを用いた半導体装置の製造方法における半導体ウェハ貼合工程を模式的に示す説明図である。 本発明の実施形態に係る半導体加工用テープを用いた半導体装置の製造方法において半導体加工用テープ上に半導体ウェハを貼り合せた状態を模式的に示す説明図である。 本発明の実施形態に係る半導体加工用テープを用いた半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を模式的に示す説明図である。 本発明の実施形態に係る半導体加工用テープを用いた半導体装置の製造方法におけるエキスパンド工程を模式的に示す説明図である。 本発明の実施形態に係る半導体加工用テープを用いた半導体装置の製造方法におけるピックアップ工程を模式的に示す説明図である。
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の実施形態に係る半導体加工用テープ１は、図１に示すように、基材フィルム４１と基材フィルム４１上に設けられた第一粘着剤層４２と第一粘着剤層４２上に設けられた第二粘着剤層４３からなる粘着テープ４を有しており、第二粘着剤層４３上には、接着剤層３が設けられている。
本発明の半導体加工用テープ１は、図１，２に示すように、基材フィルム４１及び第一粘着剤層４２はリングフレームＲ（図３～７参照）に対応する平面形状に切断（プリカット加工）されている。この平面形状を有する基材フィルム４１及び第一粘着剤層４２を第一ラベル部４ａ１とも称する。接着剤層３は半導体ウェハに対応する平面形状に切断（プリカット加工）されており、第二粘着剤層４３は接着剤層３よりも小さなサイズの平面形状に切断（プリカット加工）されている。この平面形状を有する第二粘着剤層４３を第二ラベル部４ａ２とも称する。
本発明の半導体加工用テープ１は、上述の平面形状を有する接着剤層３、第二ラベル部４ａ２および第一ラベル部４ａ１が積層された積層体が複数形成された長尺の基材テープ２を、ロール状に巻き取った形態であることが好ましく、本実施の形態においてはロール状に巻き取られているが、基材テープ２に設けられた積層体が１つずつ切断された形態であってもよい。
半導体加工用テープ１は、基材テープ２を有しており、基材テープ２上には、所定の平面形状を有する接着剤層３と、第二ラベル部４ａ２および第一ラベル部４ａ１と該第一ラベル部４ａ１の外側を囲むような周辺部４ｂとを有する粘着テープ４が設けられている。周辺部４ｂは、基材フィルム４１及び第一粘着剤層４２から構成される。基材テープ２の接着剤層３が設けられている面とは反対側の面の短手方向両端部には、長手方向に沿って支持部材１５が設けられている。
第一ラベル部４ａ１は、ダイシング用のリングフレームＲに対応する形状を有する。リングフレームＲはリング形状である。リングフレームＲの形状に対応する形状は、リングフレームＲの内側と略同じ形状でリングフレームＲ内側の大きさより大きい相似形であることが好ましい。また、必ずしも円形でなくてもよいが、円形に近い形状が好ましく、円形であることがさらに好ましい。周辺部４ｂは、第一ラベル部４ａ１の外側を完全に囲む形態と、図示のような完全には囲まない形態とを含む。なお、周辺部４ｂは、設けられていなくてもよいが、設けられているとロール状に巻き取った形態において、ラベル部４ａにかかる巻きの張力を分散することができる。
接着剤層３は、所定の平面形状を有しており、この平面形状は、粘着テープ４の第一ラベル部４ａ１の周縁部にリングフレームＲを貼合し、ピックアップ装置の突き上げ部材で突き上げ可能なようにラベル部４ａよりも小さい形状となっている。接着剤層３は、第一ラベル部４ａ１と略同じ形状で第一ラベル部４ａ１の大きさより小さい相似形であることが好ましい。接着剤層３は、必ずしも円形でなくてもよいが、円形に近い形状が好ましく、円形であることがさらに好ましい。
第二ラベル部４ａ２は、接着剤層３の平面形状よりも小さい形状となっている。第二ラベル部４ａ２は、接着剤層３と略同じ形状で接着剤層３の大きさより小さい相似形であることが好ましい。第二ラベル部４ａ２は、必ずしも円形でなくてもよいが、円形に近い形状が好ましく、円形であることがさらに好ましい。また、接着剤層３に貼合される半導体ウェハＷ（図３参照）よりも大きな形状であることが好ましい。
また、第二ラベル部４ａ２は、接着剤層３に貼合される半導体ウェハＷよりも大きい形状であることが好ましい。第二ラベル部４ａ２が半導体ウェハＷよりも小さいと、半導体ウェハＷの周縁部における第二ラベル部４ａ２が存在しない部分に対応する箇所においては、半導体チップＣをピックアップすることができないおそれがある。
接着剤層３の平面形状は第二粘着剤層４３の平面形状（第二ラベル部４ａ２）より大きく、第一粘着剤層の平面形状（第一ラベル部４ａ１）は接着剤層３の平面形状より大きいため、第二粘着剤層４３の周辺部で第一粘着剤層４２と接着剤層３とが接して、粘着されている。
以下に、各構成要素について詳述する。
（基材フィルム４１）
基材フィルム４１としては、特に制限されるものでなく、公知のプラスチックなどの樹脂を用いることができる。一般に基材フィルム４１としては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。使用する基材フィルム４１としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、スチレン－水添イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体、スチレン－水添ブタジエン－スチレン共重合体およびスチレン－水添イソプレン／ブタジエン－スチレン共重合体のような熱可塑性エラストマー、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、およびエチレン－（メタ）アクリル酸金属塩系アイオノマーのようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴム等の高分子材料が好ましい。また、これらの群から選ばれる２種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層３との接着性によって任意に選択することができる。
基材フィルム４１は、市販のものを用いても良いし、常法により製膜したものであっても良い。基材フィルム４１の厚さは通常のダイシング用粘着テープの基材フィルム４１と特に異ならない。通常３０～２００μｍ、より好ましくは５０～１５０μｍである。
基材フィルム４１の第一粘着剤層４２に接する面には、密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。
（第一粘着剤層４２）
第一粘着剤層４２は、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であることが好ましい。
放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型の第一粘着剤層４２に使用される樹脂としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位と、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレートおよび／または２－ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、該（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋されたものを使用することができる。
第一粘着剤層４２は、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、１～１０Ｎ/２５ｍｍであることが好ましく、さらに５～８Ｎ/２５ｍｍであることが好ましい。
第一粘着剤層４２のＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、１Ｎ/２５ｍｍ未満であると、第一粘着剤層４２と接着剤層３との間で剥離が生じるおそれがある。第一粘着剤層４２のＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、１０Ｎ/２５ｍｍ超であると、リングフレームＲへの糊残りが生じるおそれがある。
本願において、第一粘着剤層４２の粘着力は、第一粘着剤層４２が基材フィルム４１上に設けられた状態における粘着力である。
ＳＵＳ３０４面に対する粘着力が上記範囲内となるようにするには、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが７０～９０質量％と、２－ヒドロキシプロピルアクリレートが１０～３０質量％より構成される水酸基価が４５～１００のアクリル系共重合体と、数平均分子量が３０００～１００００であるポリプロピレンオキシドを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されたものを用いることが好ましい。
ここで、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２－メチルプロピル、（メタ）アクリル酸２－メチルブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルブチル、（メタ）アクリル酸２－メチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸１，２－ジメチルブチル、（メタ）アクリル酸ラウリルなどが挙げられ、その中でも特にアルキル基の炭素数が８以上のものが好ましい。
上記粘着剤を形成する共重合体において、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が７０～９０質量％含まれることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が多すぎると粘着剤の架橋点が少なくなり、十分な特性を得ることができず、少なすぎると粘着剤組成物を混合し、基材フィルム４１に塗布するまでのポットライフが短くなり、本発明の半導体加工用テープ１を製造する場合に支障が生じる。
また、架橋性の官能基含有モノマーとして、２－ヒドロキシプロピルアクリレートが用いられ、構成単位として１０～３０質量％含まれることが好ましい。２－ヒドロキシプロピルアクリレートよりも鎖長が短い２－ヒドロキシエチルアクリレートなどの官能基含有モノマーを用いると、架橋反応が速くポットライフが短くなり、本発明の半導体加工用テープ１を製造する場合に支障が生じ、２－ヒドロキシブチルアクリレートなど鎖長が長いモノマーを用いると架橋反応の進行が遅くなり、架橋反応の完結が極端に長期化する問題が生じる。また、官能基含有モノマーが１０質量％未満であると極性が低く、被着体への密着性が低下し、リングフレームＲ剥がれが発生し、３０質量％を超えると、逆に被着体への密着性が過剰となり、リングフレームＲに粘着剤の残渣が付着する糊残りが発生するおそれがある。
また、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が７０～９０質量％、かつ官能基含有モノマーが２－ヒドロキシエチルアクリレートおよび／または２－ヒドロキシプロピルアクリレートであるアクリル系共重合体の水酸基価は４５～１００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。水酸基価が４５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると極性が低く、被着体への密着性が低下し、リングフレーム９剥がれが発生し、１００ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、逆に被着体への密着性が過剰となり、リングフレームＲへの糊残りが発生するおそれがある。
数平均分子量３０００～１００００であるポリプロピレンオキシドとしては、数平均分子量として３０００～１００００であれば特に制限されず、公知のポリプロピレンオキシドの中から適宜選択することができる。数平均分子量が３０００未満であると、低分子量成分が被着体表面に移行し、汚染性が増加し、１００００を超えるとアクリル系共重合体との相溶性が悪化し、未相溶成分が被着体表面に移行し汚染性が増加するため数平均分子量は３０００～１００００の範囲が好ましい。
ポリプロピレンオキシドの配合量としては、特に制限されず、目的とする粘着力が得られる範囲内で適宜調整可能であるが、アクリル系共重合体１００質量部に対して、０．５～５質量部の範囲から適宜選択することができる。ポリプロピレンオキシドの配合量が０．５部未満ではリングフレーム９剥がれが発生し、５部を超えるとリングフレームＲへの糊残りが発生するおそれがある。
ＳＵＳ３０４面に対する粘着力は、アルキル基の炭素数、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーと２－ヒドロキシプロピルアクリレートの配合割合、水酸基価、ポリプロピレンオキシドの数平均分子量、ポリプロピレンオキシドの配合割合等を適宜組み合わせることにより、調整することができる。
粘着剤を構成する共重合体は、イソシアネート化合物により架橋されている。イソシアネート化合物としては、特に制限がなく、例えば、４，４′－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）等を用いることができる。
第一粘着剤層４２中、イソシアネート化合物の含有量は、共重合体１００質量部に対して、２～１２質量部が好ましい。イソシアネート化合物が２質量部未満では、架橋が不十分で凝集性が低く、リングフレームＲへの糊残りが増加する。イソシアネート化合物が１２質量部を超えると粘着剤組成物を混合し、基材フィルム４１に塗布するまでのポットライフが短くなり、半導体加工用テープ１を製造する場合に支障が生じるからである。
第一粘着剤層４２を形成するための粘着剤組成物中には、必要に応じて、例えば、粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の公知の添加剤等が含まれていてもよい。
なお、第一粘着剤層４２は単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。第一粘着剤層４２が複数層である場合、接着剤層３と接する層が、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、１～１０Ｎ/２５ｍｍであることが好ましい。
第一粘着剤層４２の厚さは、１～２０μｍが好ましく、より好ましくは１～５μｍである。第一粘着剤層４２が１μｍ未満の場合には、接着剤層３との粘着が弱く、半導体ウェハＷにダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを貼合する工程において、接着剤層３を覆っていた基材テープ２を剥離する際や、貼合装置により半導体加工用テープに張力が加わった際に、粘着力の弱い第二粘着剤層４３と接着剤層３との間で部分的に剥離が生じて接着剤層３が浮き上がり、半導体ウェハＷに貼合されるときに接着剤層３にシワが入った状態で貼合される恐れがある。第一粘着剤４２が１５μｍよりも厚い場合には密着性が過剰となり、リングフレームＲへの糊残りが生じるおそれがある。
上述では、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型の粘着剤について説明したが、第一粘着剤層４２は、放射線の照射により硬化する放射線硬化型の粘着剤を用いてもよい。
放射線硬化型の粘着剤組成物の構成はとくに限定されないが、一つの態様としては、粘着剤組成物中に、ベース樹脂として、炭素数が６～１２のアルキル鎖を有する（メタ）アクリレートを６０モル％以上含み、かつヨウ素価５～３０のエネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合を有する重合体（Ａ）を有するものが例示される。なお、ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。
このような重合体（Ａ）において、エネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合の導入量がヨウ素価で５以上であると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果が高くなる点で優れる。より好ましくは１０以上である。また、ヨウ素価で３０以下であるとエネルギー線照射後ピックアップされるまでのチップの保持力が高く、ピックアップ工程直前の拡張時にチップの間隙を広げるのが容易である点で優れる。ピックアップ工程前にチップの間隙を十分に広げることができると、ピックアップ時の各チップの画像認識が容易であったり、ピックアップしやすくなったりするので好ましい。また、炭素－炭素二重結合の導入量がヨウ素価で５以上３０以下であると重合体（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となるため好ましい。
さらに、重合体（Ａ）は、ガラス転移温度が－７０℃以上であるとエネルギー線照射に伴う熱に対する耐熱性の点で優れ、より好ましくは－６６℃以上である。また、１５℃以下であれば、表面状態が粗いウェハにおけるダイシング後のチップの飛散防止効果の点で優れ、より好ましくは０℃以下、さらに好ましくは－２８℃以下である。
上記の重合体（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体とエネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合をもつ化合物とを混合して得られるものや、官能基を有するアクリル系共重合体または官能基を有するメタクリル系共重合体（Ａ１）と、その官能基と反応し得る官能基を有し、かつ、エネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合をもつ化合物（Ａ２）とを反応させて得られるものが用いられる。
このうち、上記の官能基を有するメタクリル系共重合体（Ａ１）としては、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの炭素－炭素二重結合を有する単量体（Ａ１－１）と、炭素－炭素二重結合を有し、かつ、官能基を有する単量体（Ａ１－２）とを共重合させて得られるものが例示される。単量体（Ａ１－１）としては、炭素数が６～１２のアルキル鎖を有するヘキシルアクリレート、ｎ－オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、ラウリルアクリレートまたはアルキル鎖の炭素数が５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ－ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体（Ａ１－１）として、アルキル鎖の炭素数が大きな単量体を使用するほどガラス転移温度は低くなるので、適宜選択することにより、所望のガラス転移温度を有する粘着剤組成物を調製することができる。また、ガラス転移温度の他、相溶性等の各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素－炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも可能である。その場合、これらの低分子化合物は、単量体（Ａ１－１）の総質量の５質量％以下の範囲内で配合するものとする。
一方、単量体（Ａ１－２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（Ａ１－２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ－メチロールアクリルアミド、Ｎ－メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ－アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ－アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテルなどを列挙することができる。
さらに、化合物（Ａ２）において、用いられる官能基としては、化合物（Ａ１）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（Ａ１－２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。また、化合物（Ａ２）として、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基およびエネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものを用いることもできる。
なお、化合物（Ａ１）と化合物（Ａ２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、所望のものを製造することができる。重合体（Ａ）の水酸基価が５～１００となるようにＯＨ基を残すと、エネルギー線照射後の粘着力を減少することによりリングフレームＲへの糊残りをさらに低減することができる重合体（Ａ）の水酸基価が５以上であると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果の点で優れ、１００以下であると、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性の点で優れる。また酸価が３０以下であると粘着剤の流動性の点で優れる。
上記の重合体（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０～１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′－アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の重合体（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもよい。
また、本発明の半導体加工用テープ１において、第一粘着剤層４２を構成する樹脂組成物は、重合体（Ａ）に加えて、さらに、架橋剤として作用する化合物（Ｂ）を有していてもよい。例えば、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂が挙げられ、これらは、単独または２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）または基材フィルム４１と反応し、その結果できる架橋構造により、粘着剤組成物塗工後に重合体（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を向上することができる。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ－４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
化合物（Ｂ）の添加量を、重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１質量部以上とした粘着剤層は凝集力の点で優れる。より好ましくは０．５質量部以上である。また１０質量部以下とした粘着剤層は、塗工時の急激なゲル化抑制の点で優れ、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。より好ましくは５質量部以下である。
また、本発明において、第一粘着剤層４２には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていてもよい。第一粘着剤層４２に含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４'－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'－ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'－ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２－エチルアントラキノン、ｔ－ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２－クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５－トリアリ－ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。光重合開始剤（Ｃ）の添加量としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１質量部以上配合することが好ましく、０．５質量部以上がより好ましい。また、その上限１０質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。
さらに本発明に用いられるエネルギー線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調製剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
第一粘着剤層４２は、放射線の照射により硬化する放射線硬化型の粘着剤を用いる場合は、放射線の照射前における２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、１～１０Ｎ/２５ｍｍであることが好ましい。
（第二粘着剤層４３）
第二粘着剤層４３は、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であることが好ましい。
放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型の第二粘着剤層４３に使用される樹脂としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位と、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレートおよび／または２－ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、該（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋されたものを使用することができる。
第二粘着剤層４３は、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、０．１～０．６Ｎ/２５ｍｍであることが好ましく、さらに０.１～０.４Ｎ/２５ｍｍであることが好ましい。
第二粘着剤層４３のＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、０.１Ｎ/２５ｍｍ未満であると、半導体ウェハＷを小さなサイズのチップＣにダイシングする場合、ダイシング時にチップＣが第二粘着剤層４３から剥離するチップ飛びが生じるおそれがある。第二粘着剤層４３のＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、０.６Ｎ/２５ｍｍ超であると、半導体ウェハＷを大きなサイズのチップＣにダイシングした場合、接着剤層３付きのチップＣをピックアップすることができないおそれがある。
本願において、第二粘着剤層４３の粘着力は粘着テープの状態、すなわち半導体加工用テープ１において接着剤層３が設けられていない状態における粘着力である。本実施形態においては、基材フィルム４１、第一粘着剤層４２、第二粘着剤層４３がこの順で積層された状態における粘着力である。
ＳＵＳ３０４面に対する粘着力が上記範囲内となるようにするには、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが７０～９０質量％と、２－ヒドロキシプロピルアクリレートが１０～３０質量％より構成される水酸基価が４５～１００のアクリル系共重合体と、数平均分子量が３０００～１００００であるポリプロピレンオキシドを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されたものを用いることが好ましい。
ここで、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２－メチルプロピル、（メタ）アクリル酸２－メチルブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルブチル、（メタ）アクリル酸２－メチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸１，２－ジメチルブチル、（メタ）アクリル酸ラウリルなどが挙げられ、その中でも特にアルキル基の炭素数が８以上のものが好ましい。
上記粘着剤を形成する共重合体において、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が７０～９０質量％含まれることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が多すぎると粘着剤の架橋点が少なくなり、十分な特性を得ることができず、少なすぎると粘着剤組成物を混合し、基材フィルム４１に塗布するまでのポットライフが短くなり、本発明の半導体加工用テープ１を製造する場合に支障が生じる。
また、架橋性の官能基含有モノマーとして、２－ヒドロキシプロピルアクリレートが用いられ、構成単位として１０～３０質量％含まれることが好ましい。２－ヒドロキシプロピルアクリレートよりも鎖長が短い２－ヒドロキシエチルアクリレートなどの官能基含有モノマーを用いると、架橋反応が速くポットライフが短くなり、本発明の半導体加工用テープ１を製造する場合に支障が生じ、２－ヒドロキシブチルアクリレートなど鎖長が長いモノマーを用いると架橋反応の進行が遅くなり、架橋反応の完結が極端に長期化する問題が生じる。また、官能基含有モノマーが１０質量％未満であると極性が低く、被着体への密着性が低下し、チップ飛びが発生し、３０質量％を超えると、逆に被着体への密着性が過剰となり、ピックアップ不良が発生するおそれがある。
また、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が７０～９０質量％、かつ官能基含有モノマーが２－ヒドロキシエチルアクリレートおよび／または２－ヒドロキシプロピルアクリレートであるアクリル系共重合体の水酸基価は４５～１００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。水酸基価が４５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると極性が低く、被着体への密着性が低下し、チップ飛びが発生し、１００ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、逆に被着体への密着性が過剰となり、ピックアップ不良が発生するおそれがある。
数平均分子量３０００～１００００であるポリプロピレンオキシドとしては、数平均分子量として３０００～１００００であれば特に制限されず、公知のポリプロピレンオキシドの中から適宜選択することができる。数平均分子量が３０００未満であると、低分子量成分が被着体表面に移行し、汚染性が増加し、１００００を超えるとアクリル系共重合体との相溶性が悪化し、未相溶成分が被着体表面に移行し汚染性が増加するため数平均分子量は３０００～１００００の範囲が好ましい。
ポリプロピレンオキシドの配合量としては、特に制限されず、目的とする粘着力が得られる範囲内で適宜調整可能であるが、アクリル系共重合体１００質量部に対して、０．５～５質量部の範囲から適宜選択することができる。ポリプロピレンオキシドの配合量が０．５部未満ではチップ飛びが発生し、５部を超えるとピックアップ不良が発生するおそれがある。
ＳＵＳ３０４面に対する粘着力は、アルキル基の炭素数、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーと２－ヒドロキシプロピルアクリレートの配合割合、水酸基価、ポリプロピレンオキシドの数平均分子量、ポリプロピレンオキシドの配合割合等を適宜組み合わせることにより、調整することができる。
粘着剤を構成する共重合体は、イソシアネート化合物により架橋されている。イソシアネート化合物としては、特に制限がなく、例えば、４，４′－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）等を用いることができる。
第二粘着剤層４３中、イソシアネート化合物の含有量は、共重合体１００質量部に対して、２～１２質量部が好ましい。イソシアネート化合物が２質量部未満では、架橋が不十分で凝集性が低く、ピックアップ不良が増加する。イソシアネート化合物が１２質量部を超えると粘着剤組成物を混合し、製膜するまでのポットライフが短くなり、半導体加工用テープ１を製造する場合に支障が生じるからである。
第二粘着剤層４３を形成するための粘着剤組成物中には、必要に応じて、例えば、粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の公知の添加剤等が含まれていてもよい。
なお、第二粘着剤層４３は単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。第二粘着剤層４３２が複数層である場合、接着剤層３と接する層が、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、０.１～０．６Ｎ/２５ｍｍであることが好ましい。
第二粘着剤層４３の厚さは、ピックアップ性の観点から、第一粘着剤層４２との総厚が５～３０μｍとなるように設定することが好ましく、第一粘着剤層４２との総厚が１０～１５μｍとなるように設定することがより好ましい。
上述では、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型の粘着剤について説明したが、第二粘着剤層４３は、放射線の照射により硬化する放射線硬化型の粘着剤を用いてもよい。
放射線硬化型の粘着剤組成物の構成はとくに限定されないが、一つの態様としては、粘着剤組成物中に、ベース樹脂として、炭素数が６～１２のアルキル鎖を有する（メタ）アクリレートを６０モル％以上含み、かつヨウ素価５～３０のエネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合を有する重合体（Ａ）を有するものが例示される。なお、ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。
このような重合体（Ａ）において、エネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合の導入量がヨウ素価で５以上であると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果が高くなる点で優れる。より好ましくは１０以上である。また、ヨウ素価で３０以下であるとエネルギー線照射後ピックアップされるまでのチップの保持力が高く、ピックアップ工程直前の拡張時にチップの間隙を広げるのが容易である点で優れる。ピックアップ工程前にチップの間隙を十分に広げることができると、ピックアップ時の各チップの画像認識が容易であったり、ピックアップしやすくなったりするので好ましい。また、炭素－炭素二重結合の導入量がヨウ素価で５以上３０以下であると重合体（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となるため好ましい。
さらに、重合体（Ａ）は、ガラス転移温度が－７０℃以上であるとエネルギー線照射に伴う熱に対する耐熱性の点で優れ、より好ましくは－６６℃以上である。また、１５℃以下であれば、表面状態が粗いウェハにおけるダイシング後のチップの飛散防止効果の点で優れ、より好ましくは０℃以下、さらに好ましくは－２８℃以下である。
上記の重合体（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体とエネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合をもつ化合物とを混合して得られるものや、官能基を有するアクリル系共重合体または官能基を有するメタクリル系共重合体（Ａ１）と、その官能基と反応し得る官能基を有し、かつ、エネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合をもつ化合物（Ａ２）とを反応させて得られるものが用いられる。
このうち、上記の官能基を有するメタクリル系共重合体（Ａ１）としては、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの炭素－炭素二重結合を有する単量体（Ａ１－１）と、炭素－炭素二重結合を有し、かつ、官能基を有する単量体（Ａ１－２）とを共重合させて得られるものが例示される。単量体（Ａ１－１）としては、炭素数が６～１２のアルキル鎖を有するヘキシルアクリレート、ｎ－オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、ラウリルアクリレートまたはアルキル鎖の炭素数が５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ－ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
なお、単量体（Ａ１－１）においてアルキル鎖の炭素数が６以上の成分は、第二粘着剤層４３と接着剤層３の剥離力を小さくできるので、ピックアップ性の点で優れる。また、１２以下の成分は、室温での弾性率が低く、第二粘着剤層４３と接着剤層３の界面の接着力の点で優れる。
さらに、単量体（Ａ１－１）として、アルキル鎖の炭素数が大きな単量体を使用するほどガラス転移温度は低くなるので、適宜選択することにより、所望のガラス転移温度を有する粘着剤組成物を調製することができる。また、ガラス転移温度の他、相溶性等の各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素－炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも可能である。その場合、これらの低分子化合物は、単量体（Ａ１－１）の総質量の５質量％以下の範囲内で配合するものとする。
一方、単量体（Ａ１－２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（Ａ１－２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ－メチロールアクリルアミド、Ｎ－メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ－アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ－アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテルなどを列挙することができる。
さらに、化合物（Ａ２）において、用いられる官能基としては、化合物（Ａ１）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（Ａ１－２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。また、化合物（Ａ２）として、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基およびエネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものを用いることもできる。
なお、化合物（Ａ１）と化合物（Ａ２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、所望のものを製造することができる。重合体（Ａ）の水酸基価が５～１００となるようにＯＨ基を残すと、エネルギー線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができる。重合体（Ａ）の水酸基価が５以上であると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果の点で優れ、１００以下であると、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性の点で優れる。また酸価が３０以下であると粘着剤の流動性の点で優れる。
上記の重合体（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０～１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′－アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の重合体（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもよい。
また、本発明の半導体加工用テープ１において、第二粘着剤層４３を構成する樹脂組成物は、重合体（Ａ）に加えて、さらに、架橋剤として作用する化合物（Ｂ）を有していてもよい。例えば、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂が挙げられ、これらは、単独または２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）または接着剤層３と反応し、その結果できる架橋構造により、粘着剤組成物塗工後に重合体（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を向上することができる。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ－４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
化合物（Ｂ）の添加量を、重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１質量部以上とした粘着剤層は凝集力の点で優れる。より好ましくは０．５質量部以上である。また１０質量部以下とした粘着剤層は、塗工時の急激なゲル化抑制の点で優れ、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。より好ましくは５質量部以下である。
また、本発明において、第二粘着剤層４３には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていてもよい。第二粘着剤層４３に含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４'－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'－ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'－ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２－エチルアントラキノン、ｔ－ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２－クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５－トリアリ－ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。光重合開始剤（Ｃ）の添加量としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１質量部以上配合することが好ましく、０．５質量部以上がより好ましい。また、その上限１０質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。
さらに本発明に用いられるエネルギー線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調製剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
第二粘着剤層４３は、放射線の照射により硬化する放射線硬化型の粘着剤を用いる場合は、放射線の照射前における２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する粘着力が、０．１～０．６Ｎ/２５ｍｍであることが好ましい。
（接着剤層３）
本発明の半導体加工用テープ１では、接着剤層３は、半導体ウェハＷが貼合され、ダイシングされた後、チップＣをピックアップした際に、粘着剤層４３から剥離してチップＣに付着するものである。そして、チップＣを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用される。
接着剤層３は、特に限定されるものではないが、半導体ウェハに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、例えば熱可塑性樹脂および熱重合性成分を含有してなるものが挙げられる。本発明の接着剤層３に用いる上記熱可塑性樹脂は、熱可塑性を有する樹脂、または未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂が好ましく、特に制限はないが、一つの態様としては、重量平均分子量が５０００～２００，０００かつガラス転移温度が０～１５０℃である熱可塑性樹脂が挙げられる。また、別な態様としては、重量平均分子量が１００，０００～１，０００，０００かつガラス転移温度が－５０～２０℃である熱可塑性樹脂が挙げられる。
前者の熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が挙げられ、中でもポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂を使用することが好ましく、後者の熱可塑性樹脂としては、官能基を含む重合体を使用することが好ましい。
ポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モル又はほぼ等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０～６０℃で付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。このポリアミド酸は、５０～８０℃の温度で加熱して解重合させることによって、その分子量を調整することもできる。ポリイミド樹脂は、上記反応物（ポリアミド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法と、脱水剤を使用する化学閉環法で行うことができる。
ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例えば、１，２－（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３－（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４－（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５－（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６－（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７－（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８－（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９－（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０－（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２－（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６－（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８－（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、ピロメリット酸ニ無水物、３，３'、４，４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２'、３，３'－ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、１，１－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン－１，２，３，４－テトラカルボン酸二無水物、３，４，３'，４'－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２'，３'－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３，３'，４'－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６－ジクロロナフタレン－１，４，５，８－テトラカルボン酸二無水物、２，７－ジクロロナフタレン－１，４，５，８－テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７－テトラクロロナフタレン－１，４，５，８－テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン－１，８，９，１０－テトラカルボン酸二無水物、ピラジン－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、チオフェン－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３'，４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２'，３'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４－ビス（３，４－ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，３，３－テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ－フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４－ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン－１，４，５，８－テトラカルボン酸二無水物、４，８－ジメチル－１，２，３，５，６，７－ヘキサヒドロナフタレン－１，２，５，６－テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン－１，２，３，４－テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン－２，３，４，５－テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ－ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン－２，３－ジカルボン酸二無水物、ビシクロ－〔２，２，２〕－オクト－７－エン－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２－ビス〔４－（３，４－ジカルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４'－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４－ビス（２－ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３－ビス（２－ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロフリル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン－２，３，４，５－テトラカルボン酸二無水物等を使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
また、ポリイミドの原料として用いられるジアミンとしては特に制限は無く、例えば、ｏ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－フェニレンジアミン、３，３'－ジアミノジフェニルエーテル、３，４'－ジアミノジフェニルエーテル、４，４'－ジアミノジフェニルエーテル、３，３'－ジアミノジフェニルメタン、３，４'－ジアミノジフェニルメタン、４，４'－ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス（４－アミノ－３，５－ジメチルフェニル）メタン、ビス（４－アミノ－３，５－ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３'－ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４'－ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４'－ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３'－ジアミノジフェニルスルフォン、３，４'－ジアミノジフェニルスルフォン、４，４'－ジアミノジフェニルスルフォン、３，３'－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４'－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４'－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３'－ジアミノジフェニルケトン、３，４'－ジアミノジフェニルケトン、４，４'－ジアミノジフェニルケトン、２，２－ビス（３－アミノフェニル）プロパン、２，２'－（３，４'－ジアミノジフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－（３，４'－ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３'－（１，４－フェニレンビス（１－メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４'－（１，４－フェニレンビス（１－メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４'－（１，４－フェニレンビス（１－メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２－ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２－ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、３，５－ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，２－ジアミノエタン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、１，５－ジアミノペンタン、１，６－ジアミノヘキサン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノオクタン、１，９－ジアミノノナン、１，１０－ジアミノデカン、１，１１－ジアミノウンデカン、１，１２－ジアミノドデカン、１，２－ジアミノシクロヘキサン、下記一般式（１）で表されるジアミノポリシロキサン、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、サンテクノケミカル株式会社製ジェファーミンＤ－２３０，Ｄ－４００，Ｄ－２０００，Ｄ－４０００，ＥＤ－６００，ＥＤ－９００，ＥＤ－２００１，ＥＤＲ－１４８等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミン等を使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。上記ポリイミド樹脂のガラス転移温度としては、０～２００℃であることが好ましく、重量平均分子量としては、１万～２０万であることが好ましい。
Figure 0007008164000001
 （式中、Ｒ1及びＲ2は炭素原子数１～３０の二価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ3及びＲ4は一価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、ｍは１以上の整数である）
上記の他に好ましい熱可塑性樹脂の一つであるフェノキシ樹脂は、各種のビスフェノールとエピクロルヒドリンとを反応させる方法、または、液状エポキシ樹脂とビスフェノールとを反応させる方法により得られる樹脂が好ましく、ビスフェノールとしては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールビスフェノールＡＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳが挙げられる。フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が類似していることからエポキシ樹脂との相溶性がよく、接着フィルムに良好な接着性を付与するのに好適である。
本発明で使用するフェノキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（２）で表される繰り返し単位を有する樹脂が挙げられる。
Figure 0007008164000002
上記一般式（２）において、Ｘは単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－または－ＳＯ2－が挙げられる。ここで、アルキレン基は、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、－Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）－がより好ましい。Ｒ1、Ｒ2は水素原子またはアルキル基を表し、該アルキル基としては炭素数１～８の直鎖もしくは分岐のアルキル基が好ましく、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、イソオクチル、２－エチルヘキシル、１，３，３－トリメチルブチル等が挙げられる。また、該アルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよく、例えば、トリフルオロメチル基が挙げられる。Ｘは、アルキレン基、－Ｏ－、－Ｓ－、フルオレン基または－ＳＯ2－が好ましく、アルキレン基、－ＳＯ2－がより好ましい。なかでも、－Ｃ（ＣＨ3）2－、－ＣＨ（ＣＨ3）－、－ＣＨ2－、－ＳＯ2－が好ましく、－Ｃ（ＣＨ3）2－、－ＣＨ（ＣＨ3）－、－ＣＨ2－がより好ましく、－Ｃ（ＣＨ3）2－が特に好ましい。
上記一般式（２）で表されるフェノキシ樹脂は、繰り返し単位を有するのであれば、上記一般式（２）のＸが異なった繰り返し単位を複数有する樹脂であっても、Ｘが同一の繰り返し単位のみから構成されていてもよい。本発明においては、Ｘが同一の繰り返し単位のみから構成されている樹脂が好ましい。
また、上記一般式（２）で表されるフェノキシ樹脂に、水酸基、カルボキシル基等の極性置換基を含有させると、熱重合性成分との相溶性が向上し、均一な外観や特性を付与することができる。
フェノキシ樹脂の質量平均分子量が５０００以上であるとフィルム形成性の点で優れる。より好ましくは１０，０００以上であり、さらに好ましくは３０，０００以上である。また、質量平均分子量が１５０，０００以下であると、加熱圧着時の流動性や他の樹脂との相溶性の点で好ましい。より好ましくは１００，０００以下である。また、ガラス転移温度が－５０℃以上であると、フィルム形成性の点で優れ、より好ましくは０℃以上であり、さらに好ましくは５０℃以上である。ガラス転移温度が１５０℃であると、ダイボンディング時の接着剤層１３の接着力が優れ、より好ましくは１２０℃以下、さらに好ましくは１１０℃以下である。
一方、上記官能基を含む重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。
上記官能基含む高分子量成分としては、例えば、グリシジル基、水酸基、カルボキシル基等の官能基を含有する（メタ）アクリル共重合体等が挙げられる。
上記（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムが好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。
官能基として、グリシジル基を含有する場合、グリシジル基含有反復単位の量は、０．５～６．０重量％が好ましく、０．５～５．０重量％がより好ましく、０．８～５．０重量％が特に好ましい。グリシジル基含有反復単位とは、グリシジル基を含有する（メタ）アクリル共重合体の構成モノマーのことであり、具体的にはグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートである。グリシジル基含有反復単位の量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外の上記（メタ）アクリル共重合体の構成モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートおよび/またはエチルメタクリレートを示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度を考慮して決定すればよい。ガラス転移温度を－５０℃以上にすると、フィルム形成性に優れ、常温での過剰なタックを抑制できる点で好ましい。常温でのタック力が過剰であると、接着剤層の取扱いが困難になる。より好ましくは－２０℃以上であり、さらに好ましくは０℃以上である。また、ガラス転移温度を３０℃以下にすると、ダイボンディング時の接着剤層の接着力の点で優れ、より好ましくは２０℃以下である。
上記モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができ、中でもパール重合が好ましい。
本発明において、官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量が１００，０００以上であると、フィルム形成性の点で優れ、より好ましくは２００，０００以上、さらに好ましくは５００，０００以上である。また、重量平均分子量を２，０００，０００以下で調整すると、ダイボンディング時の接着剤層３の加熱流動性が向上する点で優れる。ダイボンディング時の接着剤層３の加熱流動性が向上すると、接着剤層３と被着体の密着が良好になり接着力を向上させることができる、また被着体の凹凸を埋めボイドを抑制しやすくなる。より好ましくは１，０００，０００以下であり、さらに好ましくは８００，０００以下であり、５００，０００以下にすると、さらに大きな効果を得ることができる。
また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物とトリガー材料が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができるが、接着剤層３としての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を硬化剤、促進剤と共に含有することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる接着剤層が得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。
上記のエポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限はなく、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
上記のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製エピコートシリーズ（エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製、ＤＥＲ－３３０、ＤＥＲ－３０１、ＤＥＲ－３６１、及び新日鉄住金化学株式会社製、ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。上記のフェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のエピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ－２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ－４３８等が、また上記のｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ－１０２Ｓ、ＥＯＣＮ－１０３Ｓ、ＥＯＣＮ－１０４Ｓ、ＥＯＣＮ－１０１２、ＥＯＣＮ－１０２５、ＥＯＣＮ－１０２７や、新日鉄住金化学株式会社製、ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。上記の多官能エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のＥｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ－６１１、ＥＸ－６１４、ＥＸ－６１４Ｂ、ＥＸ－６２２、ＥＸ－５１２、ＥＸ－５２１、ＥＸ－４２１、ＥＸ－４１１、ＥＸ－３２１等が挙げられる。上記のアミン型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のエピコート６０４、東都化成株式会社製のＹＨ－４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ－Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ－Ｃ、住友化学工業株式会社製のＥＬＭ－１２０等が挙げられる。上記の複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
上記熱硬化性樹脂を硬化させるために、適宜添加剤を加えることができる。このような添加剤としては、例えば、硬化剤、硬化促進剤、触媒等が挙げられ、触媒を添加する場合は助触媒を必要に応じて使用することができる。
上記熱硬化性樹脂にエポキシ樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂硬化剤又は硬化促進剤を使用することが好ましく、これらを併用することがより好ましい。硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、ジシアンジアミド、三フッ化ホウ素錯化合物、有機ヒドラジッド化合物、アミン類、ポリアミド樹脂、イミダゾール化合物、尿素もしくはチオ尿素化合物、ポリメルカプタン化合物、メルカプト基を末端に有するポリスルフィド樹脂、酸無水物、光・紫外線硬化剤が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
このうち、三フッ化ホウ素錯化合物としては、種々のアミン化合物（好ましくは１級アミン化合物）との三フッ化ホウ素－アミン錯体が挙げられ、有機ヒドラジッド化合物としては、イソフタル酸ジヒドラジドが挙げられる。
フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。中でも分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物が好ましい。
上記分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、トリスフェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ－ｐ－ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。さらにこれらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましく、接続信頼性を向上させることができる。
アミン類としては、鎖状脂肪族アミン（ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピルアミン、ベンジルジメチルアミン、２－（ジメチルアミノ）フェノール、２，４，６－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ｍ－キシレンジアミン等）、環状脂肪族アミン（Ｎ－アミノエチルピペラジン、ビス（３－メチル－４－アミノシクロヘキシル）メタン、ビス（４－アミノシクロヘキシル）メタン、メンセンジアミン、イソフォロンジアミン、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン等）、ヘテロ環アミン（ピペラジン、Ｎ，Ｎ－ジメチルピペラジン、トリエチレンジアミン、メラミン、グアナミン等）、芳香族アミン（メタフェニレンジアミン、４，４'－ジアミノジフェニルメタン、ジアミノ、４，４'－ジアミノジフェニルスルホン等）、ポリアミド樹脂（ポリアミドアミンが好ましく、ダイマー酸とポリアミンの縮合物）、イミダゾール化合物（２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２，４－ジメチルイミダゾール、２－ｎ－ヘプタデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウム・トリメリテート、エポキシ・イミダゾール付加体等）、尿素もしくはチオ尿素化合物（Ｎ，Ｎ－ジアルキル尿素化合物、Ｎ，Ｎ－ジアルキルチオ尿素化合物等）、ポリメルカプタン化合物、メルカプト基を末端に有するポリスルフィド樹脂、酸無水物（テトラヒドロ無水フタル酸等）、光・紫外線硬化剤（ジフェニルヨードにウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等）が例示される。
上記硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。 イミダゾール類としては、イミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－エチルイミダゾール、１－ベンジル－２－エチル－５－メチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシジメチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
エポキシ樹脂用硬化剤もしくは硬化促進剤の接着剤層中の含有量は、特に限定されず、最適な含有量は硬化剤もしくは硬化促進剤の種類によって異なる。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５～２．０当量になるように配合することが好ましい。より好ましくは、０．８～１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、接着剤層３の特性が劣化し易くなるからである。その他の熱硬化性樹脂と硬化剤は、一実施態様において、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、硬化剤が０．５～２０質量部であり、他の実施態様においては、硬化剤が１～１０質量部である。硬化促進剤の含有量は、硬化剤の含有量より少ない方が好ましく、熱硬化性樹脂１００質量部に対して硬化促進剤０．００１～１．５質量部が好ましく、０．０１～０．９５質量部がさらに好ましい。前記範囲内に調整することで、十分な硬化反応の進行を補助することができる。触媒の含有量は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、０．００１～１．５質量部が好ましく、０．０１～１．０質量部がさらに好ましい。
また、本発明の接着剤層３は、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。これにより、未硬化の状態における接着剤層３のダイシング性の向上、取扱い性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与、さらに、硬化状態の接着剤層３における熱伝導性の付与、接着力の向上を図ることが可能となっている。
本発明で用いるフィラーとしては、無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては特に制限は無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが使用できる。また、これらは単体あるいは２種類以上を混合して使用することもできる。
また、上記の無機フィラーのうち、熱伝導性向上の観点からは、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を用いることが好ましい。また、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を用いることが好ましい。また、ダイシング性の向上の観点からは、アルミナ、シリカを用いることが好ましい。
フィラーの含有割合が３０質量％以上であると、ワイヤボンディング性の点で優れる。ワイヤボンディング時には、ワイヤを打つチップを接着している接着剤層３の硬化後の貯蔵弾性率が１７０℃で２０～１０００ＭＰａの範囲に調整されていることが好ましく、フィラーの含有割合が３０質量％以上であると接着剤層３の硬化後の貯蔵弾性率をこの範囲に調整しやすい。また、フィラーの含有割合が７５質量％以下であると、フィルム形成性、ダイボンディング時の接着剤層３の加熱流動性に優れる。ダイボンディング時の接着剤層３の加熱流動性が向上すると、接着剤層３と被着体の密着が良好になり接着力を向上させることができる、また被着体の凹凸を埋めボイドを抑制しやすくなる。より好ましくは７０質量％以下であり、さらに好ましくは６０質量％以下である。
本発明の接着剤層３は、上記フィラーとして、平均粒径が異なる２種以上のフィラーを含むことができる。この場合、単一のフィラーを使用した場合に比べフィルム化前の原料混合物において、フィラーの含有割合が高い場合の粘度上昇若しくはフィラーの含有割合が低い場合の粘度低下を防止することが容易となり、良好なフィルム形成性が得られやすくなる、未硬化の接着剤層３の流動性を最適に制御できる、とともに接着剤層３の硬化後には優れた接着力を得られやすくなる。
（基材テープ２）
基材テープ２は、接着剤層３を保護する目的のため、半導体加工用テープ１を所定の形状に切断するラベル加工を容易に行う目的のため、また接着剤層３を平滑にする目的のために設けられる。基材テープ２の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等が挙げられる。基材テープ２の表面には接着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着シートが環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。基材テープ２の厚さは、通常１０～１００μｍ、好ましくは２５～５０μｍ程度である。
（支持部材１５）
支持部材１５は、基材テープ２の、接着剤３及び粘着フィルム４が設けられた面とは反対の面であって、かつ、基材テープ２の短手方向両端部に設けられ、接着剤層３および第二粘着剤層４３の厚さの１．０倍以上４．０倍以下の厚さを有する。このように、支持部材１５を設けることで、半導体加工用テープ１をロール状に巻き取った際に、テープに加わる巻き取り圧を分散する、或いは、支持部材１５に集めることができるので、接着剤層３と粘着フィルム４のラベル部４ａ１，４ａ２の積層部分と、粘着フィルム４の周辺部４ｂとの段差が重なりあい、柔軟な接着剤層３表面に段差が転写される転写跡の形成を抑制することが可能となる。
支持部材１５は、基材テープ２の長手方向に沿って、断続的又は連続的に設けることができるが、転写痕の発生をより効果的に抑制する観点からは、基材テープ２の長手方向に沿って連続的に設けることが好ましい。
支持部材１５としては、例えば、樹脂フィルム基材に粘接着剤を塗布した粘接着テープを好適に使用することができる。このような粘接着テープを、基材テープ２の両端部分の所定位置に貼り付けることで、本実施形態の半導体加工用テープ１を形成することができる。
粘接着テープの基材樹脂としては、巻き圧に耐え得るものであれば特に限定はないが、耐熱性、平滑性、及び、入手し易さの点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン、及び高密度ポリエチレンから選択されることが好ましい。
粘接着テープの粘着剤の組成及び物性については、特に限定はなく、半導体加工用テープ１の巻き取り工程及び保管工程において、基材テープ２から剥離しないものであればよい。
（半導体加工用テープ１の製造方法）
次に、本実施の形態に係る半導体加工用テープ１の製造方法の一例について説明する。
まず、長尺フィルム状の接着剤層３を形成する。接着剤層３は、樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、適当なセパレータ（剥離紙など）上に上述の樹脂組成物を塗布して乾燥し（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して）、接着剤層３を形成する方法等が挙げられる。前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。
次いで、接着剤層３を上述の平面形状に押切刃等を用いてプリカットし、周辺の不要部分をセパレータから剥離して除去することにより、複数の平面形状の接着剤層３を長尺のセパレータ上に連続して形成する。その後、接着剤層３を長尺の基材テープ２に転写する。なお、接着剤層３は、長尺の基材テープ２上に樹脂組成物を塗工し、平面形状にプリカットしてもよい。
別途、長尺フィルム状の第二粘着剤層４３を形成する。第二粘着剤層４３は、樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、適当なセパレータ（剥離紙など）上に上述の樹脂組成物を塗布して乾燥し、第二粘着剤層４３を形成する方法等が挙げられる。前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。
次いで、第二粘着剤層４３を上述の平面形状に押切刃等を用いてプリカットし、周辺の不要部分をセパレータから剥離して除去することにより、複数の平面形状の第二粘着剤層４３を長尺のセパレータ上に連続して形成する。
また別途、第一粘着剤層４２を作製する。第一粘着剤層４２は、従来の粘着剤層の形成方法を利用して形成することができる。例えば、上述の粘着剤組成物を、基材フィルム４１の所定の面に塗布して形成する方法や、上述の粘着剤組成物を、剥離フィルム（例えば、離型剤が塗布されたプラスチック製フィルム又はシート等）上に塗布して第一粘着剤層４２を形成した後、該第一粘着剤層４２を基材フィルム４１の所定の面に転写する方法により、基材フィルム４１上に該第一粘着剤層４２を形成することができる。
基材フィルム４１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
その後、セパレータ上に設けられた所定形状の第二粘着剤層４３に、基材フィルム４１上に設けられた第一粘着剤層４２をラミネートし、粘着テープ４を得る。
その後、第二粘着剤層４３が設けられていたセパレータを剥離し、基材テープ２上に設けられた所定形状の接着剤層３に、粘着テープ４の第二粘着剤層４３側の面を、接着剤層３と第二粘着剤層４３の平面形状の中心がそろうようにラミネートする。このとき、接着剤層３の平面形状は第二粘着剤層４３の平面形状より大きいため、第二粘着剤層４３の周辺部で第一粘着剤層４２と接着剤層３とが接し、接着される。
次に、基材フィルム４１及び第一粘着剤層４２を所定の平面形状に押切刃等を用いてプリカットし、周辺の不要部分を基材テープ２から剥離して除去することにより、半導体加工用テープ１が作られる。このとき、第一粘着剤層４２の平面形状は接着剤層３の平面形状より大きいため、第二粘着剤層４３の周辺部で第一粘着剤層４２と接着剤層３とが接した部分が維持される。なお、その後、プリカット加工に用いた基材テープ２を剥離して、公知のセパレータを接着剤層３側の面と貼り合わせるようにしてもよい。
（半導体加工用テープ１の使用方法）
半導体加工用テープ１は、半導体装置の製造工程の中で、以下のように使用される。図３に示すように、半導体加工用テープ１は、基材テープ２が接着剤層３、第二粘着剤層４３からなる第二ラベル部４ａ２、第一粘着剤層４２及び基材フィルム４１からなる第一ラベル部４ａ１からなる積層体から剥離し、半導体ウェハＷに貼り付ける半導体ウェハ貼合工程を実施する。より詳細には、楔状の剥離部材１０１の先端部で基材テープ２を剥離方向に折り返しながら搬送することで、積層体の剥離が促され、当該積層体のみが前方に送り出される。前方下側には半導体ウェハＷ及びリングフレームＲが作業台１０２上に設置されており、それらの上側に積層体が送り出されるようになっている。また、半導体ウェハＷの上方には圧接ローラ１０３が設けられており、これにより、接着剤層３は半導体ウェハＷに貼合される。また、第一粘着剤層４２は接着剤層３よりも大きいため、接着剤層３の周囲において第一粘着剤層４２がリングフレームＲに貼合される。
このとき、第二粘着剤層４３は粘着力が小さいが、第二粘着剤層４３の平面形状が接着剤層３の平面形状より小さいため、第二粘着剤層４３の周囲において、粘着力の大きい第一粘着剤層４２と接着剤層３とが粘着保持されているため、基材テープ２を剥離する際や、積層体の一端部が圧接ローラ１０３に押さえられ、他端部が基材テープ２の剥離方向に引っ張られることにより積層体に張力が加わった際にも、粘着テープ４から接着剤層３が浮き上がることがない。
次に、図４に示すように、リングフレームＲが図示しないダイシング装置に固定される。このとき、半導体ウェハＷが上側、半導体加工用テープ１が下側に向けられる。そして、図５に示すように、半導体ウェハＷのダイシング工程を実施する。具体的には、まず、吸着ステージ１０５により、半導体加工用テープ１を基材フィルム４１面側から吸着支持する。そして、半導体ウェハＷと接着剤層３とをダイシングブレード１０４によって半導体チップＣ単位に切断して個片化する。その後、第二粘着剤層４３が放射線硬化型の粘着剤である場合は、基材フィルム４１の下面側から放射線を照射し、第二粘着剤層４３を硬化させてその粘着力を低下させる。
その後、図６に示すように、ダイシングされた半導体チップＣおよび接着剤層３を保持した粘着テープ４をリングフレームＲの周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップＣおよび接着剤層３を保持した状態の粘着テープ４に対して、中空円柱形状の突き上げ部材１０６を、粘着テープ４の下面側から上昇させ、粘着テープ４をリングフレームＲの周方向に引き伸ばす。
エキスパンド工程を実施した後、図７に示すように、粘着テープ４をエキスパンドした状態のままで、半導体チップＣをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着テープ４の下面側から半導体チップＣをピン１０７によって突き上げるとともに、吸着冶具１０８で半導体チップＣを吸着することで、個片化された半導体チップＣを接着剤層３とともにピックアップする。このとき、第二粘着剤層４３の粘着力が小さいため、半導体チップＣ及び接着剤層３が第二粘着剤層４３から容易に剥離され、半導体チップＣが良好にピックアップされる。
そして、ピックアップ工程を実施した後、接合工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程で半導体チップＣとともにピックアップされた接着剤層３側をリードフレームやパッケージ基板等の基板の接合位置に配置する。その後、接着剤層３を１５０～３５０℃度の温度で加熱処理するより、半導体チップＣと基板とが機械的に接合される。なお、接合工程は無加圧で行ってもよく、加圧してもよい。
その後、基板の端子部の先端と半導体チップＣ上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。続いて、封止樹脂により半導体チップＣを封止する封止工程を行い、半導体装置が完成される。
（実施例）
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
[基材フィルムＡ]
基材フィルムとして、エチレン－メタクリル酸－（アクリル酸２－メチル－プロピル）３元共重合体－Ｚｎ++－アイオノマー樹脂である、ハイミランＡＭ－７３１６（商品名、三井デュポンケミカル社製）を使用し、厚さ９０μｍのフィルムを作成した。このフィルムの片面にはコロナ処理を施し、基材フィルムを得た。
[第一粘着剤層の粘着剤組成物Ａ]
アクリル系粘着剤（綜研化学株式会社製、商品名「ＳＧ－５０Ｙ」）１００質量部に対して硬化剤（綜研化学株式会社製、商品名「Ｌ－４５Ｅ」）５質量部を酢酸エチルに溶解させ、攪拌して第一粘着剤層の粘着剤組成物Ａを調製した。
[第二粘着剤層の粘着剤組成物Ａ]
アクリル系粘着剤（新中村化学工業株式会社製、商品名「ＡＰ－ＦＥ２５０３」）１００質量部に対して硬化剤（綜研化学株式会社製、商品名「Ｌ－４５Ｅ」）を２．３質量部、ポリイソシアネート組成物（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名「ＴＫＡ－１００」）７質量部をそれぞれ酢酸エチルに溶解させ、攪拌して第二粘着剤層の粘着剤組成物Ａを調製した。
[第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｂ]
アクリル系粘着剤（新中村化学工業株式会社製、商品名「ＡＰ－ＦＥ２５０３」）１００質量部に対して硬化剤（綜研化学株式会社製、商品名「Ｌ－４５Ｅ」）を１．７質量部、ポリイソシアネート組成物（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名「ＴＫＡ－１００」）３．９質量部をそれぞれ酢酸エチルに溶解させ、攪拌して第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｂを調製した。
[第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｃ]
アクリル系粘着剤（新中村化学工業株式会社製、商品名「ＡＰ－ＦＥ２５０３」）１００質量部に対して硬化剤（綜研化学株式会社製、商品名「Ｌ－４５Ｅ」）を０．３４質量部、ポリイソシアネート組成物（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名「ＴＫＡ－１００」）１．１質量部をそれぞれ酢酸エチルに溶解させ、攪拌して第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｃを調製した。
[第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｄ]
アクリル系粘着剤（新中村化学工業株式会社製、商品名「ＡＰ－ＦＥ２５０３」）１００質量部に対して硬化剤（綜研化学株式会社製、商品名「Ｌ－４５Ｅ」）を２．８質量部、ポリイソシアネート組成物（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名「ＴＫＡ－１００」）８．４質量部をそれぞれ酢酸エチルに溶解させ、攪拌して第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｄを調製した。
[第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｅ]
アクリル系粘着剤（新中村化学工業株式会社製、商品名「ＡＰ－ＦＥ２５０３」）１００質量部に対して硬化剤（綜研化学株式会社製、商品名「Ｌ－４５Ｅ」）０．５質量部を酢酸エチルに溶解させ、攪拌して第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｅを調製した。
[接着剤組成物Ａ]
エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「１００２」）５０質量部、エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「８０６」）１００質量部、硬化剤（エボニックデグサ社製、商品名「Ｄｙｈａｒｄ（登録商標）１００ＳＦ」）５質量部、シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、商品名「ＳＯ－Ｃ２」）１５０質量部、及び、シリカフィラー（日本アエロジル株式会社製、商品名「アエロジルＲ９７２」）５質量部からなる組成物にＭＥＫを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂（Ｇａｂｒｉｅｌ Ｐｈｅｎｏｘｉｅｓ社製、商品名「ＰＫＨＨ」）１００質量部、カップリング剤として（信越シリコーン株式会社製、商品名「ＫＢＭ－８０２」）０．４質量部、並びに、硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名「キュアゾール２ＰＨＺ－ＰＷ」）０．５質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物ｃ－１Ａのワニスを得た。
＜実施例１＞
離型処理した長尺のポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータにこの第一粘着剤層の粘着剤組成物Ａを乾燥後の厚さが５μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させた後、基材フィルムＡと貼り合わせ、基材フィルムＡ上に第一粘着剤層が形成された粘着シートＡを作製した。
次に、離型処理したカットシート状のポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータにこの粘第二粘着剤層の粘着剤組成物Ａを乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させた後、剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルムと貼り合わせ、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第二粘着剤層が形成された粘着シートＢを複数作製した。
また、離型処理した長尺のポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなる基材テープに、接着剤組成物Ａを、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗工し、１１０℃で５分間乾燥させて、ポリエチレン－テレフタレートフィルム上に接着剤層が形成された接着フィルムを作製した。その後、接着剤層を直径３２０ｍｍの円形にカットし、その接着剤層側の面に離型処理した長尺のポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータを貼合した。
次に、粘着シートＢの第二粘着剤層を直径３０８ｍｍの円形にカットした。そして、粘着シートＡからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、露出した第一粘着剤層上に粘着シートＢの第二粘着剤層を等間隔で複数貼り合わせ、新たに離型処理した長尺のポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータを第二粘着剤層側の面に貼合し、粘着テープを得た。
次に、接着フィルムからポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータを剥離し、粘着テープのポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、露出した第二粘着剤層の中心と接着剤層の中心とが重なるように貼り合わせた。
その後、基材フィルム及び第一粘着剤層を直径３７０ｍｍの円形にカットして実施例１に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜実施例２＞
粘第二粘着剤層の粘着剤組成物Ａに替えて粘第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｂ用いた以外は実施例１と同様にして、実施例２に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜実施例３＞
粘第二粘着剤層の粘着剤組成物Ａに替えて粘第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｃ用いた以外は実施例１と同様にして、実施例３に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜実施例４＞
粘第二粘着剤層の粘着剤組成物Ａに替えて粘第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｄ用いた以外は実施例１と同様にして、実施例４に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜実施例５＞
粘第二粘着剤層の粘着剤組成物Ａに替えて粘第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｅ用いた以外は実施例１と同様にして、実施例５に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜実施例６＞
粘着シートＢの第二粘着剤層を直径２９０ｍｍの円形にカットした以外は実施例２と同様にして、実施例６に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜比較例１＞
粘着シートＢの第二粘着剤層を直径３２１ｍｍの円形にカットした以外は実施例１と同様にして、比較例１に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜比較例２＞
粘着シートＢの第二粘着剤層を直径３２１ｍｍの円形にカットした以外は実施例２と同様にして、比較例２に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜比較例３＞
粘着シートＢの第二粘着剤層を直径３２１ｍｍの円形にカットした以外は実施例３と同様にして、比較例３に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜比較例４＞
粘着シートＢの第二粘着剤層を直径３２１ｍｍの円形にカットした以外は実施例４と同様にして、比較例４に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜比較例５＞
粘着シートＢの第二粘着剤層を直径３２１ｍｍの円形にカットした以外は実施例５と同様にして、比較例５に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
＜比較例６＞
離型処理したポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータにこの第二粘着剤層の粘着剤組成物Ｂを乾燥後の厚さが１５μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させた後、基材フィルムＡと貼り合わせ、基材フィルムＡ上に第二粘着剤層が形成された粘着シートＣを作製した。
また、離型処理した長尺のポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなる基材テープに、接着剤組成物Ａを、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗工し、１１０℃で５分間乾燥させて、ポリエチレン－テレフタレートフィルム上に接着剤層が形成された接着フィルムを作製した。その後、接着剤層を直径３２０ｍｍの円形にカットし、その接着剤層側の面に離型処理した長尺のポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータを貼合した。
次に、接着フィルムからポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータを剥離し、粘着テープのポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、露出した第二粘着剤層の中心と接着剤層の中心とが重なるように貼り合わせた。
その後、基材フィルム及び第二粘着剤層を直径３７０ｍｍの円形にカットして比較例６に係る半導体加工用テープのサンプルを作製した。
上記実施例および比較例で得られた半導体加工用テープについて、以下の評価を行った。その評価結果を表１に示す。
〔ＳＵＳ面剥離力測定〕
実施例１～５、比較例１～５に係る半導体加工用テープに使用した各粘着シートＡから幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取し、ポリエチレン－テレフタレートフィルムを剥離して、それらをＪＩＳ Ｒ ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ Ｇ ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ～２．０ｍｍのＳＵＳ３０４鋼板上に貼着した後、２ｋｇのゴムローラを３往復かけて圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５～８５％の範囲に入るＪＩＳ Ｂ ７７２１に適合する引張試験機を用いて第一粘着剤層の粘着力を測定した。測定は、１８０°引き剥がし法によるものとし、この時の引張速さは３００ｍｍ／ｍｉｎとした。測定温度は２３℃、測定湿度は５０％であった。また、各粘着シートＢの第二粘着剤層を、粘着シートＡからポリエチレン－テレフタレートフィルムを剥離して露出した第一粘着剤層に貼合し、幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取し、第二粘着剤層からポリエチレン－テレフタレートフィルムを剥離して、上記と同様にして第二粘着剤層の粘着力を測定した。また、粘着シートＣから幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取し、第二粘着剤層からポリエチレン－テレフタレートフィルムを剥離して、上記と同様にして第二粘着剤層の粘着力を測定した。
〔接着剤層剥がれ評価〕
貼合装置（Ｄｉｓｃｏ社製、商品名：ＤＦＭ２７００）を用いて、実施例および比較例に係る半導体加工用テープから基材テープを剥離し、露出した接着剤層に厚さ１００μｍ、直径３００ｍｍのシリコンウェハを貼合した。シリコンウェハを貼合した後の実施例および比較例に係る半導体加工用テープについて、接着剤層の剥離の有無を確認した。接着剤層にシワが発生することなくきれいにシリコンウェハへ貼合されたものを良品として「○」、シリコンウェハへの貼合の際、粘着テープから接着剤層が剥離した結果、接着剤層にシワが発生した状態でシリコンウェハへ貼合されたものを不良品として「×」で評価した。
〔ピックアップ性評価〕
上述のシリコンウェハに貼合した実施例および比較例に係る半導体加工用テープについて、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ製ＤＦＤ６３４０）を用いてシリコンウェハ及び接着剤層を１５ｍｍ×１５ｍｍサイズにダイシングしたものと、０.５ｍｍ×０.５ｍｍサイズにダイシングしたものをそれぞれ用意し、ダイスピッカー装置（キャノンマシナリー社製、商品名：ＣＡＰ－３００ＩＩ）によるピックアップ試験を行った。
ピックアップ条件は以下のとおりである。
・０．５ｍｍ角にダイシングしたもの
突き上げピン形状：半径０．４５ｍｍ、先端曲率半径Ｒ＝０．１５ｍｍ
ピン突き上げ高さ：５０μｍ
ピン突き上げスピード：１０ｍｍ／ｓｅｃ
コレット形状：０．４ｍｍ□
エキスパンド拡張量：１０ｍｍ
リングフレーム：ＤＩＳＣＯ社製 型式ＤＴＦ－２－６－１（ＳＵＳ４２０Ｊ２製）
・１５ｍｍ角にダイシングしたもの
突き上げピン形状：半径０．４５ｍｍ、先端曲率半径Ｒ＝０．３５ｍｍ
ピン突き上げ高さ：３５０μｍ
ピン突き上げスピード：１０ｍｍ／ｓｅｃ
コレット形状：１４ｍｍ□
エキスパンド拡張量：１０ｍｍ
リングフレーム：ＤＩＳＣＯ社製 型式ＤＴＦ－２－６－１（ＳＵＳ４２０Ｊ２製）
上記条件にて個片化したチップを５０個ピックアップし、ピックアップ成否を確認した。１５ｍｍ角及び０．５ｍｍ角の両方で全チップについてピックアップ可能であったものを良品として「○」、１５ｍｍ角ではチップが１つ以上粘着剤層上に留まりピックアップが不可能であったが、０．５ｍｍ角では全チップについてピックアップ可能であったものを許容品として「△」、１５ｍｍ角及び０．５ｍｍ角の両方でチップが１つでも粘着剤層上に留まりピックアップが不可能であったが、ピックアップが不可能であったチップはシリコンウェハの周縁部における第二粘着剤層が存在しない部分に対応する箇所に位置するチップのみで、周縁部以外に位置するチップについてはすべてピックアップ可能であったものを許容品として「△△」、１５ｍｍ角及び０．５ｍｍ角の両方でチップが１つでも粘着剤層上に留まりピックアップが不可能であったものを「×」と評価した。
〔チップ飛び評価〕
ピックアップ性評価試験を行った際、チップの飛散の有無を目視にて確認した。１５ｍｍ角及び０．５ｍｍ角の両方で全チップについてチップの飛散がなかったものを良品として「○」、０．５ｍｍ角では１つ以上のチップの飛散があったが、１５ｍｍ角ではチップの飛散がなったものを許容品として「△」、１５ｍｍ角及び０．５ｍｍ角の両方でチップの飛散があったものを「×」と評価した。
〔リングフレーム剥がれ評価〕
ピックアップ性評価試験をした後の実施例および比較例に係る半導体加工用テープについて、リングフレームからの剥離の有無を確認した。リングフレームからの剥離がなかったものを良品として「○」、リングフレームに貼合されている部分の１/４未満が剥離したものを許容品として「△」、粘着テープにおいてリングフレームに貼合されている部分の１/４以上が剥離したものを不良品として「×」で評価した。
Figure 0007008164000003
表１に示すように、実施例１～６に係る半導体加工用テープは、第一粘着剤層の粘着力が第二粘着剤層の粘着力よりも大きく、接着剤層の平面形状は第二粘着剤層の平面形状より大きく、第一粘着剤層の平面形状は接着剤層の平面形状より大きく、第二粘着剤層の周辺部で第一粘着剤層と前記接着剤層とが接しているため、リングフレーム剥がれ評価及び接着剤層剥がれ評価の両方において良好な結果となった。また、実施例１～３に係る半導体加工用テープは、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する第二粘着剤層の粘着力は、０．１～０．６Ｎ/２５ｍｍであり、第一粘着剤層の粘着力は、１～１０Ｎ/２５ｍｍであるため、ピックアップ性評価及びチップ飛び評価においても良好な結果となった。実施例４に係る半導体加工用テープは、ＳＵＳ３０４面に対する第二粘着剤層の粘着力０．１Ｎ/２５ｍｍ未満であるため、０．５ｍｍ角のチップにおいてチップ飛びが発生したが、許容範囲であった。実施例５に係る半導体加工用テープは、ＳＵＳ３０４面に対する第二粘着剤層の粘着力０．６Ｎ/２５ｍｍ超であるため、１５ｍｍ角のチップにおいてピックアップ不良が発生したが、許容範囲であった。実施例６に係る半導体加工用テープは、第二粘着剤層の直径がシリコンウェハの直径以下であり、シリコンウェハの周縁部以外に位置するチップについてはすべてピックアップ可能であったが、周縁部における第二粘着剤層が存在しない部分に対応する箇所に位置するチップにおいてピックアップ不良が発生した。
比較例１～５に係る半導体加工用テープは、第二粘着剤層の平面形状が接着剤層の平面形状がより大きいため、接着剤層剥がれ評価において劣る結果となった。また、比較例６に係る半導体加工用テープは、第二粘着剤層の粘着力よりも大きな粘着力を有する第一粘着剤層が設けられていないため、リングフレーム剥がれ評価及び接着剤層剥がれ評価の両方において劣る結果となった。
１：半導体加工用テープ
２：基材テープ
３：接着剤層
４：粘着テープ
４１：基材フィルム
４２：第一粘着剤層
４３：第二粘着剤層
１５：支持部材
Ｗ：半導体ウェハ
Ｒ：リングフレーム
Ｃ：半導体チップ

Claims (6)

  1. 基材フィルム、第一粘着剤層及び第二粘着剤層がこの順で設けられ、
    前記第二粘着剤層の前記基材フィルム及び前記第一粘着剤層とは反対側の面には、接着剤層が設けられ、
    前記第一粘着剤層の粘着力は、前記第二粘着剤層の粘着力よりも大きく、
    前記第一粘着剤層、前記第二粘着剤層及び前記接着剤層は、それぞれ平面形状を有し、
    前記接着剤層の平面形状は前記第二粘着剤層の平面形状より大きく、前記第一粘着剤層の平面形状は前記接着剤層の平面形状より大きく、
    前記第二粘着剤層の周辺部で前記第一粘着剤層と前記接着剤層とが接していることを特徴とする半導体加工用テープ。
  2. ２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する前記第二粘着剤層の粘着力は、０．１～０．６Ｎ/２５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用テープ。
  3. ２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面に対する前記第一粘着剤層の粘着力は、１～１０Ｎ/２５ｍｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体加工用テープ。
  4. 前記第一粘着剤層は、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
  5. 前記第二粘着剤層は、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
  6. 前記第二粘着剤層の平面形状は、前記接着剤層に貼合される半導体ウェハよりも大きいことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
JP2021518818A 2020-07-30 2020-11-24 半導体加工用テープ Active JP7008164B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020128817 2020-07-30
JP2020128817 2020-07-30
PCT/JP2020/043532 WO2022024408A1 (ja) 2020-07-30 2020-11-24 半導体加工用テープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP7008164B1 true JP7008164B1 (ja) 2022-01-25
JPWO2022024408A1 JPWO2022024408A1 (ja) 2022-02-03

Family

ID=80037879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021518818A Active JP7008164B1 (ja) 2020-07-30 2020-11-24 半導体加工用テープ

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7008164B1 (ja)
KR (1) KR102535064B1 (ja)
CN (1) CN114364761B (ja)
TW (1) TWI793509B (ja)
WO (1) WO2022024408A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119641A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012174785A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングテープ一体型接着シート及びそれを用いた半導体装置
JP2018171864A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 リンテック株式会社 樹脂膜形成用複合シート

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4430085B2 (ja) 2007-03-01 2010-03-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717085B2 (ja) 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
TW201043674A (en) * 2009-04-17 2010-12-16 Furukawa Electric Co Ltd Adhesive thin film and wafer processing tape
JP2011174042A (ja) * 2010-02-01 2011-09-08 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用フィルム及び半導体装置の製造方法
KR101083959B1 (ko) * 2010-02-01 2011-11-16 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
CN102250555B (zh) * 2010-05-17 2015-04-01 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
CN103109353B (zh) * 2010-07-13 2015-11-25 日立化成株式会社 切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法
JP2012033637A (ja) 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP6097893B2 (ja) * 2015-03-24 2017-03-15 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119641A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012174785A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングテープ一体型接着シート及びそれを用いた半導体装置
JP2018171864A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 リンテック株式会社 樹脂膜形成用複合シート

Also Published As

Publication number Publication date
CN114364761B (zh) 2024-02-02
TWI793509B (zh) 2023-02-21
CN114364761A (zh) 2022-04-15
WO2022024408A1 (ja) 2022-02-03
KR20220016019A (ko) 2022-02-08
KR102535064B1 (ko) 2023-05-26
TW202204553A (zh) 2022-02-01
JPWO2022024408A1 (ja) 2022-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6097893B2 (ja) 半導体加工用テープ
WO2018105613A1 (ja) 半導体加工用テープ
KR102112789B1 (ko) 반도체 가공용 테이프
WO2016035687A1 (ja) 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造した半導体装置
JP7008164B1 (ja) 半導体加工用テープ
CN110546736B (zh) 半导体加工用带
JP7269096B2 (ja) ガラス加工用テープ
TWI735802B (zh) 半導體加工用膠帶
JP6535138B1 (ja) 半導体加工用テープ
JP2019176158A (ja) 半導体加工用テープ
KR102112772B1 (ko) 반도체 가공용 테이프
JP7269095B2 (ja) ガラス加工用テープ
JP2019176157A (ja) 半導体加工用テープ
JP2019176156A (ja) 半導体加工用テープ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210405

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220107

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7008164

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151