KR20220016019A - 반도체 가공용 테이프 - Google Patents

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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

픽업 시에 점착제층으로부터 접착제층 구비의 칩을 용이하게 박리할 수 있음과 함께, 링 프레임을 확실하게 점착 고정할 수 있어, 반도체 웨이퍼 접합 시에 접착제층이 들뜨는 일이 없는 반도체 가공용 테이프를 제공한다.
본원 발명에 의한 반도체 가공용 테이프(1)는, 기재 필름(41), 제1 점착제층(42) 및 제2 점착제층(43)이 이 순으로 마련되고, 제2 점착제층(43)의 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)과는 반대측의 면에는, 접착제층(3)이 마련되고, 제1 점착제층(42)의 점착력은, 제2 점착제층(43)의 점착력보다도 크고, 제1 점착제층(42), 제2 점착제층(43) 및 접착제층(3)은, 각각 평면 형상을 갖고, 접착제층(3)의 평면 형상은 제2 점착제층(43)의 평면 형상보다 크고, 제1 점착제층(42)의 평면 형상은 접착제층(3)의 평면 형상보다 크고, 제2 점착제층(43)의 주변부에서 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 접하고 있는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 가공용 테이프
본 발명은, 기재 필름 상에 점착제층을 갖는 점착 테이프, 및 해당 점착제층 상에 반도체 웨이퍼와 접합되는 접착제층을 갖는 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼를 개편화하는 다이싱 공정에서는, 반도체 웨이퍼를 점착 보유 지지하는 점착 테이프가 사용되고 있다. 또한, 보다 공정을 간략화하기 위해, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용의 접착제층을 일체화한 반도체 가공용 테이프가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
다이싱 공정에 있어서 반도체 웨이퍼를 개편화한 후, 개편화된 칩은 픽업 공정에서, 밀어올림 핀으로 밀어올려짐으로써, 접착제층과 함께 점착제층으로부터 박리되어 픽업되고, 마운트 공정에서, 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 직접 접착된다.
근년에는, IC 카드의 보급이 진행되어, 반도체 칩의 박형화가 요망되고 있다. 이 때문에, 종래는 두께가 350㎛ 정도였던 반도체 칩을, 두께 50 내지 100㎛ 혹은 그 이하까지 얇게 할 필요가 발생하고 있다. 또한, 고집적화의 추구에 의한 칩 사이즈의 대형화도 진전되고 있다.
얇은 반도체 칩은, 픽업할 때 밀어올림 핀의 밀어올림 높이를 높게 하면 균열되어 버리기 때문에, 밀어올림 높이는 낮게 할 필요가 있다. 그렇게 하면, 접착제층 구비의 반도체 칩을 점착제층으로부터 박리하기 위해서는, 점착제층의 점착력을 낮게 할 필요가 있다. 또한, 사이즈가 큰 반도체 칩은, 점착제층과의 접촉 면적이 크기 때문에, 접착제층 구비의 반도체 칩을 점착제층으로부터 박리하기 위해서는, 역시 점착제층의 점착력을 낮게 할 필요가 있다.
그런데, 점착제층에는, 다이싱 장치나 픽업 장치에 반도체 웨이퍼를 보유 지지시키기 위한 링 프레임도 접착된다. 상술한 바와 같이 점착제층의 점착력을 낮게 하면, 링 프레임이 점착제층으로부터 박리될 우려가 있다. 특히, 반도체 웨이퍼 및 링 프레임을 반도체 가공용 테이프에 접착시킨 채로, 어느 정도의 기간 보관해 두는 경우도 있어, 이와 같은 경우에, 링 프레임이 점착제층으로부터 박리될 우려가 높아진다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해, 자외선 경화형의 점착제층을 접착제층의 크기에 맞추어 미리 경화시켜 점착력을 저하시켜 둠으로써, 픽업 시에 점착제층으로부터 접착제층 구비의 칩을 용이하게 박리할 수 있도록 하고, 점착제층의 자외선이 조사되지 않아 점착력이 큰 부분에서, 링 프레임을 확실하게 점착 고정할 수 있도록 한 다이싱·다이 본드 필름이 개시되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).
또한, 기재층, 제1 점착제층 및 제2 점착제층이 이 순으로 적층된 다이싱 테이프와, 이 다이싱 테이프의 제2 점착제층 상에 적층된 반도체 이면용 필름을 갖고, 제1 점착제층과 제2 점착제층 사이의 박리 강도 Y를 0.2 내지 10N/20㎜, 제2 점착제층과 반도체 이면용 필름 사이의 박리 강도 X를 0.01 내지 0.2N/20㎜로 하여 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름도 개시되어 있다(예를 들어, 특허문헌 3 참조).
당해 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서는, 박리 강도 X를 0.01 내지 0.2N/20㎜로 하고 있으므로, 다이싱 시의 보유 지지력을 충분히 확보할 수 있음과 함께, 다이싱 시의 반도체 이면용 필름의 말림을 방지하여 반도체 칩의 오염을 효율적으로 방지할 수 있고, 또한 픽업 시의 박리 용이성을 향상시킬 수 있다고 되어 있다.
또한 당해 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서는, 상기 박리 강도 Y를 0.2 내지 10N/20㎜로 하고 있으므로, 다이싱 시의 링 프레임에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있고, 또한 반도체 웨이퍼의 보유 지지력을 충분히 확보할 수 있음과 함께, 제1 점착제층과 제2 점착제층 사이에서의 박리에 의한 제2 점착제층의 점착제의 반도체 이면용 필름으로의 이행(점착제 잔류)을 방지할 수 있다고 되어 있다.
일본 특허 공개 제2008-218571호 공보 일본 특허 제4717085호 공보 일본 특허 공개 제2012-33637호 공보
그러나, 특허문헌 2에 관한 다이싱·다이 본드 필름에서는, 점착제층의 원하는 범위에만 자외선을 정확하게 조사하는 것은 곤란하기 때문에, 이와 같은 다이싱·다이 본드 필름을 실현하기 위해서는, 원하는 범위 이외의 부분에 마스킹을 실시하는 등, 공정이 복잡해진다는 문제가 있었다.
또한, 특허문헌 3에 관한 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서는, 반도체 이면용 필름의 첩부 부분에 대응하는 부분보다 크고 또한 제1 점착제층의 전체면보다도 작은 부분에 제2 점착제층이 형성되어 있거나, 반도체 이면용 필름의 첩부 부분에 대응하는 부분에만 제2 점착제층이 형성되어 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼에 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 접합하는 공정에 있어서, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 접착제층측의 면을 덮고 있던 박리 필름을 박리할 때나, 접합 장치에 의해 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 장력이 가해졌을 때, 박리력이 낮은 제2 점착제층과 반도체 이면용 필름 사이에서 부분적으로 박리가 발생하여 접착제층이 들떠, 반도체 웨이퍼에 접합될 때 접착제층에 주름이 생긴 상태에서 접합되어 버린다는 문제가 있었다.
그래서, 본 발명은, 픽업 시에 점착제층으로부터 접착제층 구비의 칩을 용이하게 박리할 수 있음과 함께, 링 프레임을 확실하게 점착 고정할 수 있어, 반도체 웨이퍼 접합 시에 접착제층이 들뜨는 일이 없는 반도체 가공용 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본원 발명에 의한 반도체 가공용 테이프는, 기재 필름, 제1 점착제층 및 제2 점착제층이 이 순으로 마련되고, 상기 제2 점착제층의 상기 기재 필름 및 상기 제1 점착제층과는 반대측의 면에는, 접착제층이 마련되고, 상기 제1 점착제층의 점착력은, 상기 제2 점착제층의 점착력보다도 크고, 상기 제1 점착제층, 상기 제2 점착제층 및 상기 접착제층은, 각각 평면 형상을 갖고, 상기 접착제층의 평면 형상은 상기 제2 점착제층의 평면 형상보다 크고, 상기 제1 점착제층의 평면 형상은 상기 접착제층의 평면 형상보다 크고, 상기 제2 점착제층의 주변부에서 상기 제1 점착제층과 상기 접착제층이 접하고 있는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체 가공용 테이프는, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 상기 제2 점착제층의 점착력이, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 상기 제1 점착제층의 점착력이, 1 내지 10N/25㎜인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 제1 점착제층이, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 제2 점착제층이, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 제2 점착제층의 평면 형상이, 상기 접착제층에 접합되는 반도체 웨이퍼보다도 큰 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 픽업 시에 점착제층으로부터 접착제층 구비의 칩을 용이하게 박리할 수 있음과 함께, 링 프레임을 확실하게 점착 고정할 수 있어, 반도체 웨이퍼 접합 시에 접착제층이 들뜨는 일이 없는 반도체 가공용 테이프를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프의 구조를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프의 구조를 모식적으로 도시하는 평면도이고, (b)는 동 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 반도체 웨이퍼 접합 공정을 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 반도체 가공용 테이프 상에 반도체 웨이퍼를 접합한 상태를 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 다이싱 공정을 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 익스팬드 공정을 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정을 모식적으로 도시하는 설명도이다.
이하에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 기재 필름(41)과 기재 필름(41) 상에 마련된 제1 점착제층(42)과 제1 점착제층(42) 상에 마련된 제2 점착제층(43)을 포함하는 점착 테이프(4)를 갖고 있고, 제2 점착제층(43) 상에는, 접착제층(3)이 마련되어 있다.
본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)는, 도 1, 도 2에 도시한 바와 같이, 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)은 링 프레임 R(도 3 내지 7 참조)에 대응하는 평면 형상으로 절단(프리컷 가공)되어 있다. 이 평면 형상을 갖는 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)을 제1 라벨부(4a1)라고도 칭한다. 접착제층(3)은 반도체 웨이퍼에 대응하는 평면 형상으로 절단(프리컷 가공)되어 있고, 제2 점착제층(43)은 접착제층(3)보다도 작은 사이즈의 평면 형상으로 절단(프리컷 가공)되어 있다. 이 평면 형상을 갖는 제2 점착제층(43)을 제2 라벨부(4a2)라고도 칭한다.
본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)는, 상술한 평면 형상을 갖는 접착제층(3), 제2 라벨부(4a2) 및 제1 라벨부(4a1)가 적층된 적층체가 복수 형성된 긴 기재 테이프(2)를, 롤형으로 권취한 형태인 것이 바람직하고, 본 실시 형태에 있어서는 롤형으로 권취되어 있지만, 기재 테이프(2)에 마련된 적층체가 1개씩 절단된 형태여도 된다.
반도체 가공용 테이프(1)는, 기재 테이프(2)를 갖고 있고, 기재 테이프(2) 상에는, 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층(3)과, 제2 라벨부(4a2) 및 제1 라벨부(4a1)와 해당 제1 라벨부(4a1)의 외측을 둘러싸는 주변부(4b)를 갖는 점착 테이프(4)가 마련되어 있다. 주변부(4b)는, 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)으로 구성된다. 기재 테이프(2)의 접착제층(3)이 마련되어 있는 면과는 반대측의 면의 짧은 변 방향 양단부에는, 긴 변 방향을 따라서 지지 부재(15)가 마련되어 있다.
제1 라벨부(4a1)는, 다이싱용의 링 프레임 R에 대응하는 형상을 갖는다. 링 프레임 R은 링 형상이다. 링 프레임 R의 형상에 대응하는 형상은, 링 프레임 R의 내측과 대략 동일한 형상이며 링 프레임 R 내측의 크기보다 큰 상사형인 것이 바람직하다. 또한, 반드시 원형은 아니어도 되지만, 원형에 가까운 형상이 바람직하고, 원형인 것이 더욱 바람직하다. 주변부(4b)는, 제1 라벨부(4a1)의 외측을 완전히 둘러싸는 형태와, 도시와 같은 완전히는 둘러싸지 않는 형태를 포함한다. 또한, 주변부(4b)는, 마련되어 있지 않아도 되지만, 마련되어 있으면 롤형으로 권취한 형태에 있어서, 라벨부(4a)에 가해지는 권취의 장력을 분산할 수 있다.
접착제층(3)은, 소정의 평면 형상을 갖고 있고, 이 평면 형상은, 점착 테이프(4)의 제1 라벨부(4a1)의 주연부에 링 프레임 R을 접합하고, 픽업 장치의 밀어올림 부재로 밀어올림 가능하도록 라벨부(4a)보다도 작은 형상으로 되어 있다. 접착제층(3)은, 제1 라벨부(4a1)와 대략 동일한 형상이며 제1 라벨부(4a1)의 크기보다 작은 상사형인 것이 바람직하다. 접착제층(3)은, 반드시 원형은 아니어도 되지만, 원형에 가까운 형상이 바람직하고, 원형인 것이 더욱 바람직하다.
제2 라벨부(4a2)는, 접착제층(3)의 평면 형상보다도 작은 형상으로 되어 있다. 제2 라벨부(4a2)는, 접착제층(3)과 대략 동일한 형상이며 접착제층(3)의 크기보다 작은 상사형인 것이 바람직하다. 제2 라벨부(4a2)는, 반드시 원형은 아니어도 되지만, 원형에 가까운 형상이 바람직하고, 원형인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 접착제층(3)에 접합되는 반도체 웨이퍼 W(도 3 참조)보다도 큰 형상인 것이 바람직하다.
또한, 제2 라벨부(4a2)는, 접착제층(3)에 접합되는 반도체 웨이퍼 W보다도 큰 형상인 것이 바람직하다. 제2 라벨부(4a2)가 반도체 웨이퍼 W보다도 작으면, 반도체 웨이퍼 W의 주연부에 있어서의 제2 라벨부(4a2)가 존재하지 않는 부분에 대응하는 개소에 있어서는, 반도체 칩 C를 픽업할 수 없을 우려가 있다.
접착제층(3)의 평면 형상은 제2 점착제층(43)의 평면 형상(제2 라벨부(4a2))보다 크고, 제1 점착제층의 평면 형상(제1 라벨부(4a1))는 접착제층(3)의 평면 형상보다 크기 때문에, 제2 점착제층(43)의 주변부에서 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 접하여, 점착되어 있다.
이하에, 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.
(기재 필름(41))
기재 필름(41)으로서는, 특별히 제한되는 것은 아니고, 공지의 플라스틱 등의 수지를 사용할 수 있다. 일반적으로 기재 필름(41)으로서는 열가소성의 플라스틱 필름이 사용되고 있다. 사용하는 기재 필름(41)으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 및 폴리부텐과 같은 폴리올레핀, 스티렌-수소 첨가 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수소 첨가 부타디엔-스티렌 공중합체, 및 스티렌-수소 첨가 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체와 같은 열가소성 엘라스토머, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 및 에틸렌-(메트)아크릴산 금속염계 아이오노머와 같은 에틸렌 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리메타크릴산메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 연질 폴리염화비닐, 반경질 폴리염화비닐, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드, 천연 고무 그리고 합성 고무 등의 고분자 재료가 바람직하다. 또한, 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것 혹은 복층화된 것이어도 되고, 점착제층(3)과의 접착성에 의해 임의로 선택할 수 있다.
기재 필름(41)은, 시판의 것을 사용해도 되고, 통상의 방법에 의해 제막한 것이어도 된다. 기재 필름(41)의 두께는 통상의 다이싱용 점착 테이프의 기재 필름(41)과 특별히 다르지 않다. 통상 30 내지 200㎛, 보다 바람직하게는 50 내지 150㎛이다.
기재 필름(41)의 제1 점착제층(42)에 접하는 면에는, 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나 처리를 실시하거나, 프라이머 등의 처리를 실시해도 된다.
(제1 점착제층(42))
제1 점착제층(42)은, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것이 바람직하다.
방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형의 제1 점착제층(42)에 사용되는 수지로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위와, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록실에틸(메트)아크릴레이트 및/또는 2-히드록시부틸아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위를 포함하고, 해당 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 포함되는 공중합체가, 이소시아네이트 화합물에 의해 가교된 것을 사용할 수 있다.
제1 점착제층(42)은, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 1 내지 10N/25㎜인 것이 바람직하고, 또한 5 내지 8N/25㎜인 것이 바람직하다.
제1 점착제층(42)의 SUS304면에 대한 점착력이, 1N/25㎜ 미만이면, 제1 점착제층(42)과 접착제층(3) 사이에서 박리가 발생할 우려가 있다. 제1 점착제층(42)의 SUS304면에 대한 점착력이, 10N/25㎜ 초과이면, 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.
본원에 있어서, 제1 점착제층(42)의 점착력은, 제1 점착제층(42)이 기재 필름(41) 상에 마련된 상태에 있어서의 점착력이다.
SUS304면에 대한 점착력이 상기 범위 내가 되도록 하기 위해서는, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머가 70 내지 90질량％와, 2-히드록시프로필아크릴레이트가 10 내지 30질량％로 구성되는 수산기가가 45 내지 100인 아크릴계 공중합체와, 수 평균 분자량이 3000 내지 10000인 폴리프로필렌옥시드를 포함하고, 이소시아네이트계 가교제를 사용하여 가교된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
여기서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로서는, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-메틸프로필, (메트)아크릴산2-메틸부틸, (메트)아크릴산2-에틸부틸, (메트)아크릴산2-메틸헥실, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산1,2-디메틸부틸, (메트)아크릴산라우릴 등을 들 수 있고, 그 중에서도 특히 알킬기의 탄소수가 8 이상인 것이 바람직하다.
상기 점착제를 형성하는 공중합체에 있어서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 70 내지 90질량％ 포함되는 것이 바람직하다. (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 너무 많으면 점착제의 가교점이 적어져, 충분한 특성을 얻을 수 없고, 너무 적으면 점착제 조성물을 혼합하고, 기재 필름(41)에 도포할 때까지의 포트 라이프가 짧아져, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생한다.
또한, 가교성의 관능기 함유 모노머로서, 2-히드록시프로필아크릴레이트가 사용되고, 구성 단위로서 10 내지 30질량％ 포함되는 것이 바람직하다. 2-히드록시프로필아크릴레이트보다도 쇄 길이가 짧은 2-히드록시에틸아크릴레이트 등의 관능기 함유 모노머를 사용하면, 가교 반응이 빨라 포트 라이프가 짧아져, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생하고, 2-히드록시부틸아크릴레이트 등 쇄 길이가 긴 모노머를 사용하면 가교 반응의 진행이 느려져, 가교 반응의 완결이 극단적으로 장기화되는 문제가 발생한다. 또한, 관능기 함유 모노머가 10질량％ 미만이면 극성이 낮고, 피착체에 대한 밀착성이 저하되어, 링 프레임 R 박리가 발생하고, 30질량％를 초과하면, 반대로 피착체에 대한 밀착성이 과잉으로 되어, 링 프레임 R에 점착제의 잔사가 부착되는 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.
또한, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 70 내지 90질량％, 또한 관능기 함유 모노머가 2-히드록시에틸아크릴레이트 및/또는 2-히드록시프로필아크릴레이트인 아크릴계 공중합체의 수산기가는 45 내지 100㎎KOH/g가 바람직하다. 수산기가가 45㎎KOH/g 미만이면 극성이 낮고, 피착체에 대한 밀착성이 저하되어, 링 프레임(9) 박리가 발생하고, 100㎎KOH/g를 초과하면, 반대로 피착체에 대한 밀착성이 과잉으로 되어, 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.
수 평균 분자량 3000 내지 10000인 폴리프로필렌옥시드로서는, 수 평균 분자량으로서 3000 내지 10000이면 특별히 제한되지 않고, 공지의 폴리프로필렌옥시드 중에서 적절히 선택할 수 있다. 수 평균 분자량이 3000 미만이면, 저분자량 성분이 피착체 표면으로 이행하여, 오염성이 증가되고, 10000을 초과하면 아크릴계 공중합체와의 상용성이 악화되어, 미상용 성분이 피착체 표면으로 이행하여 오염성이 증가되기 때문에 수 평균 분자량은 3000 내지 10000의 범위가 바람직하다.
폴리프로필렌옥시드의 배합량으로서는, 특별히 제한되지 않고, 목적으로 하는 점착력이 얻어지는 범위 내에서 적절히 조정 가능하지만, 아크릴계 공중합체 100질량부에 대하여, 0.5 내지 5질량부의 범위로부터 적절히 선택할 수 있다. 폴리프로필렌옥시드의 배합량이 0.5부 미만이면 링 프레임(9) 박리가 발생하고, 5부를 초과하면 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.
SUS304면에 대한 점착력은, 알킬기의 탄소수, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머와 2-히드록시프로필아크릴레이트의 배합 비율, 수산기가, 폴리프로필렌옥시드의 수 평균 분자량, 폴리프로필렌옥시드의 배합 비율 등을 적절히 조합함으로써, 조정할 수 있다.
점착제를 구성하는 공중합체는, 이소시아네이트 화합물에 의해 가교되어 있다. 이소시아네이트 화합물로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 시판품으로서, 코로네이트 L(상품명, 닛본 폴리우레탄사제) 등을 사용할 수 있다.
제1 점착제층(42) 중, 이소시아네이트 화합물의 함유량은, 공중합체 100질량부에 대하여, 2 내지 12질량부가 바람직하다. 이소시아네이트 화합물이 2질량부 미만이면, 가교가 불충분하고 응집성이 낮아, 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 증가된다. 이소시아네이트 화합물이 12질량부를 초과하면 점착제 조성물을 혼합하고, 기재 필름(41)에 도포할 때까지의 포트 라이프가 짧아져, 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생하기 때문이다.
제1 점착제층(42)을 형성하기 위한 점착제 조성물 중에는, 필요에 따라서, 예를 들어 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 연화제, 산화 방지제, 가소제, 계면 활성제 등의 공지의 첨가제 등이 포함되어 있어도 된다.
또한, 제1 점착제층(42)은 단층의 형태를 갖고 있어도 되고, 적층된 형태를 갖고 있어도 된다. 제1 점착제층(42)이 복수층인 경우, 접착제층(3)과 접하는 층이, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 1 내지 10N/25㎜인 것이 바람직하다.
제1 점착제층(42)의 두께는, 1 내지 20㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 5㎛이다. 제1 점착제층(42)이 1㎛ 미만인 경우에는, 접착제층(3)과의 점착이 약하여, 반도체 웨이퍼 W에 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 접합하는 공정에 있어서, 접착제층(3)을 덮고 있던 기재 테이프(2)를 박리할 때나, 접합 장치에 의해 반도체 가공용 테이프에 장력이 가해졌을 때, 점착력이 약한 제2 점착제층(43)과 접착제층(3) 사이에서 부분적으로 박리가 발생하여 접착제층(3)이 들떠, 반도체 웨이퍼 W에 접합될 때 접착제층(3)에 주름이 생긴 상태에서 접합될 우려가 있다. 제1 점착제(42)가 15㎛보다도 두꺼운 경우에는 밀착성이 과잉으로 되어, 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.
상술에서는, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형의 점착제에 대하여 설명하였지만, 제1 점착제층(42)은, 방사선의 조사에 의해 경화되는 방사선 경화형의 점착제를 사용해도 된다.
방사선 경화형의 점착제 조성물의 구성은 특별히 한정되지 않지만, 하나의 양태로서는, 점착제 조성물 중에, 베이스 수지로서, 탄소수가 6 내지 12인 알킬쇄를 갖는 (메트)아크릴레이트를 60몰％ 이상 포함하고, 또한 요오드가 5 내지 30의 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 중합체(A)를 갖는 것이 예시된다. 또한, 여기서, 에너지선이란, 자외선과 같은 광선, 또는 전자선 등의 전리성 방사선을 말한다.
이와 같은 중합체(A)에 있어서, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합의 도입량이 요오드가로 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력 저감 효과가 높아지는 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 10 이상이다. 또한, 요오드가로 30 이하이면 에너지선 조사 후 픽업될 때까지의 칩의 보유 지지력이 높아, 픽업 공정 직전의 확장 시에 칩의 간극을 넓히는 것이 용이한 점에서 우수하다. 픽업 공정 전에 칩의 간극을 충분히 넓힐 수 있으면, 픽업 시의 각 칩의 화상 인식이 용이하거나, 픽업하기 쉬워지거나 하므로 바람직하다. 또한, 탄소-탄소 이중 결합의 도입량이 요오드가로 5 이상 30 이하이면 중합체(A) 그 자체에 안정성이 있어, 제조가 용이해지기 때문에 바람직하다.
또한, 중합체(A)는, 유리 전이 온도가 -70℃ 이상이면 에너지선 조사에 수반되는 열에 대한 내열성의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 -66℃ 이상이다. 또한, 15℃ 이하이면, 표면 상태가 거친 웨이퍼에 있어서의 다이싱 후의 칩의 비산 방지 효과의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 0℃ 이하, 더욱 바람직하게는 -28℃ 이하이다.
상기 중합체(A)는 어떻게 하여 제조된 것이어도 되지만, 예를 들어 아크릴계 공중합체와 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 혼합하여 얻어지는 것이나, 관능기를 갖는 아크릴계 공중합체 또는 관능기를 갖는 메타크릴계 공중합체(A1)와, 그 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 갖고, 또한, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(A2)을 반응시켜 얻어지는 것이 사용된다.
이 중, 상기 관능기를 갖는 메타크릴계 공중합체(A1)로서는, 아크릴산알킬에스테르 또는 메타크릴산알킬에스테르 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체(A1-1)와, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한, 관능기를 갖는 단량체(A1-2)를 공중합시켜 얻어지는 것이 예시된다. 단량체(A1-1)로서는, 탄소수가 6 내지 12인 알킬쇄를 갖는 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트 또는 알킬쇄의 탄소수가 5 이하인 단량체인, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트 또는 이들과 마찬가지의 메타크릴레이트 등을 열거할 수 있다.
단량체(A1-1)로서, 알킬쇄의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록 유리 전이 온도는 낮아지므로, 적절히 선택함으로써, 원하는 유리 전이 온도를 갖는 점착제 조성물을 조제할 수 있다. 또한, 유리 전이 온도 외에, 상용성 등의 각종 성능을 높일 목적으로 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 저분자 화합물을 배합하는 것도 가능하다. 그 경우, 이들 저분자 화합물은, 단량체(A1-1)의 총 질량의 5질량％ 이하의 범위 내에서 배합하는 것으로 한다.
한편, 단량체(A1-2)가 갖는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상 산무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 단량체(A1-2)의 구체예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 열거할 수 있다.
또한, 화합물(A2)에 있어서, 사용되는 관능기로서는, 화합물(A1)이 갖는 관능기가, 카르복실기 또는 환상 산무수기인 경우에는, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 수산기인 경우에는, 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 아미노기인 경우에는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 에폭시기인 경우에는, 카르복실기, 환상 산무수기, 아미노기 등을 들 수 있고, 구체예로서는, 단량체(A1-2)의 구체예에서 열거한 것과 마찬가지의 것을 열거할 수 있다. 또한, 화합물(A2)로서, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체로 우레탄화한 것을 사용할 수도 있다.
또한, 화합물(A1)과 화합물(A2)의 반응에 있어서, 미반응의 관능기를 남김으로써, 산가 또는 수산기가 등의 특성에 관하여, 원하는 것을 제조할 수 있다. 중합체(A)의 수산기가가 5 내지 100이 되도록 OH기를 남기면, 에너지선 조사 후의 점착력을 감소시킴으로써 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류을 더욱 저감할 수 있는 중합체(A)의 수산기가가 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력 저감 효과의 점에서 우수하고, 100 이하이면, 에너지선 조사 후의 점착제의 유동성의 점에서 우수하다. 또한 산가가 30 이하이면 점착제의 유동성의 점에서 우수하다.
상기 중합체(A)의 합성에 있어서, 반응을 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 톨루엔, 아세트산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 아크릴계 폴리머의 양용매이며, 비점 60 내지 120℃의 용제가 바람직하고, 중합 개시제로서는, α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥시드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 사용한다. 이때, 필요에 따라서 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절함으로써, 원하는 분자량의 중합체(A)를 얻을 수 있다. 또한, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 머캅탄, 사염화탄소계의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 반응은 용액 중합에 한정되는 것은 아니고, 괴상 중합, 현탁 중합 등 다른 방법이어도 된다.
또한, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)에 있어서, 제1 점착제층(42)을 구성하는 수지 조성물은, 중합체(A)에 더하여, 또한, 가교제로서 작용하는 화합물(B)을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 폴리이소시아네이트류, 멜라민·포름알데히드 수지, 및 에폭시 수지를 들 수 있고, 이들은, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이 화합물(B)은, 중합체(A) 또는 기재 필름(41)과 반응하여, 그 결과 생기는 가교 구조에 의해, 점착제 조성물 도공 후에 중합체(A) 및 (B)를 주성분으로 한 점착제의 응집력을 향상시킬 수 있다.
폴리이소시아네이트류로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 코로네이트 L(닛본 폴리우레탄 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 멜라민·포름알데히드 수지로서는, 구체적으로는, 니칼락 MX-45(산와 케미컬 가부시키가이샤제, 상품명), 멜란(히타치 가세이 고교 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, TETRAD-X(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 특히 폴리이소시아네이트류를 사용하는 것이 바람직하다.
화합물(B)의 첨가량을, 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상으로 한 점착제층은 응집력의 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 0.5질량부 이상이다. 또한 10질량부 이하로 한 점착제층은, 도공 시의 급격한 겔화 억제의 점에서 우수하여, 점착제의 배합이나 도포 등의 작업성이 양호해진다. 보다 바람직하게는 5질량부 이하이다.
또한, 본 발명에 있어서, 제1 점착제층(42)에는, 광중합 개시제(C)가 포함되어 있어도 된다. 제1 점착제층(42)에 포함되는 광중합 개시제(C)에 특별히 제한은 없고, 종래 알려진 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논 등의 벤조페논류, 아세토페논, 디에톡시아세토페논 등의 아세토페논류, 2-에틸안트라퀴논, t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2-클로로티오크산톤, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체(로핀 2량체), 아크리딘계 화합물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 광중합 개시제(C)의 첨가량으로서는, 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 배합하는 것이 바람직하고, 0.5질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, 그 상한 10질량부 이하가 바람직하고, 5질량부 이하가 보다 바람직하다.
또한 본 발명에 사용되는 에너지선 경화성의 점착제에는 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조제제, 계면 활성제 등, 혹은 그 밖의 개질제 등을 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적절히 첨가해도 된다.
제1 점착제층(42)은, 방사선의 조사에 의해 경화되는 방사선 경화형의 점착제를 사용하는 경우에는, 방사선의 조사 전에 있어서의 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 1 내지 10N/25㎜인 것이 바람직하다.
(제2 점착제층(43))
제2 점착제층(43)은, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것이 바람직하다.
방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형의 제2 점착제층(43)에 사용되는 수지로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위와, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록실에틸(메트)아크릴레이트 및/또는 2-히드록시부틸아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위를 포함하고, 해당 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 포함되는 공중합체가, 이소시아네이트 화합물에 의해 가교된 것을 사용할 수 있다.
제2 점착제층(43)은, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것이 바람직하고, 또한 0.1 내지 0.4N/25㎜인 것이 바람직하다.
제2 점착제층(43)의 SUS304면에 대한 점착력이, 0.1N/25㎜ 미만이면, 반도체 웨이퍼 W를 작은 사이즈의 칩 C로 다이싱하는 경우, 다이싱 시에 칩 C가 제2 점착제층(43)으로부터 박리되는 칩 비산이 발생할 우려가 있다. 제2 점착제층(43)의 SUS304면에 대한 점착력이, 0.6N/25㎜ 초과이면, 반도체 웨이퍼 W를 큰 사이즈의 칩 C로 다이싱 한 경우, 접착제층(3) 구비의 칩 C를 픽업할 수 없을 우려가 있다.
본원에 있어서, 제2 점착제층(43)의 점착력은 점착 테이프의 상태, 즉 반도체 가공용 테이프(1)에 있어서 접착제층(3)이 마련되어 있지 않은 상태에 있어서의 점착력이다. 본 실시 형태에 있어서는, 기재 필름(41), 제1 점착제층(42), 제2 점착제층(43)이 이 순으로 적층된 상태에 있어서의 점착력이다.
SUS304면에 대한 점착력이 상기 범위 내가 되도록 하기 위해서는, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머가 70 내지 90질량％와, 2-히드록시프로필아크릴레이트가 10 내지 30질량％로 구성되는 수산기가가 45 내지 100인 아크릴계 공중합체와, 수 평균 분자량이 3000 내지 10000인 폴리프로필렌옥시드를 포함하고, 이소시아네이트계 가교제를 사용하여 가교된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
여기서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로서는, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-메틸프로필, (메트)아크릴산2-메틸부틸, (메트)아크릴산2-에틸부틸, (메트)아크릴산2-메틸헥실, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산1,2-디메틸부틸, (메트)아크릴산라우릴 등을 들 수 있고, 그 중에서도 특히 알킬기의 탄소수가 8 이상인 것이 바람직하다.
상기 점착제를 형성하는 공중합체에 있어서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 70 내지 90질량％ 포함되는 것이 바람직하다. (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 너무 많으면 점착제의 가교점이 적어져, 충분한 특성을 얻을 수 없고, 너무 적으면 점착제 조성물을 혼합하고, 기재 필름(41)에 도포할 때까지의 포트 라이프가 짧아져, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생한다.
또한, 가교성의 관능기 함유 모노머로서, 2-히드록시프로필아크릴레이트가 사용되고, 구성 단위로서 10 내지 30질량％ 포함되는 것이 바람직하다. 2-히드록시프로필아크릴레이트보다도 쇄 길이가 짧은 2-히드록시에틸아크릴레이트 등의 관능기 함유 모노머를 사용하면, 가교 반응이 빨라 포트 라이프가 짧아져, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생하고, 2-히드록시부틸아크릴레이트 등 쇄 길이가 긴 모노머를 사용하면 가교 반응의 진행이 느려져, 가교 반응의 완결이 극단적으로 장기화되는 문제가 발생한다. 또한, 관능기 함유 모노머가 10질량％ 미만이면 극성이 낮고, 피착체에 대한 밀착성이 저하되어, 칩 비산이 발생하고, 30질량％를 초과하면, 반대로 피착체에 대한 밀착성이 과잉으로 되어, 픽업 불량이 발생할 우려가 있다.
또한, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 70 내지 90질량％, 또한 관능기 함유 모노머가 2-히드록시에틸아크릴레이트 및/또는 2-히드록시프로필아크릴레이트인 아크릴계 공중합체의 수산기가는 45 내지 100㎎KOH/g가 바람직하다. 수산기가가 45㎎KOH/g 미만이면 극성이 낮고, 피착체에 대한 밀착성이 저하되어, 칩 비산이 발생하고, 100㎎KOH/g를 초과하면, 반대로 피착체에 대한 밀착성이 과잉으로 되어, 픽업 불량이 발생할 우려가 있다.
수 평균 분자량 3000 내지 10000인 폴리프로필렌옥시드로서는, 수 평균 분자량으로서 3000 내지 10000이면 특별히 제한되지 않고, 공지의 폴리프로필렌옥시드 중에서 적절히 선택할 수 있다. 수 평균 분자량이 3000 미만이면, 저분자량 성분이 피착체 표면으로 이행하여, 오염성이 증가되고, 10000을 초과하면 아크릴계 공중합체와의 상용성이 악화되어, 미상용 성분이 피착체 표면으로 이행하여 오염성이 증가되기 때문에 수 평균 분자량은 3000 내지 10000의 범위가 바람직하다.
폴리프로필렌옥시드의 배합량으로서는, 특별히 제한되지 않고, 목적으로 하는 점착력이 얻어지는 범위 내에서 적절히 조정 가능하지만, 아크릴계 공중합체 100질량부에 대하여, 0.5 내지 5질량부의 범위로부터 적절히 선택할 수 있다. 폴리프로필렌옥시드의 배합량이 0.5부 미만이면 칩 비산이 발생하고, 5부를 초과하면 픽업 불량이 발생할 우려가 있다.
SUS304면에 대한 점착력은, 알킬기의 탄소수, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머와 2-히드록시프로필아크릴레이트의 배합 비율, 수산기가, 폴리프로필렌옥시드의 수 평균 분자량, 폴리프로필렌옥시드의 배합 비율 등을 적절히 조합함으로써, 조정할 수 있다.
점착제를 구성하는 공중합체는, 이소시아네이트 화합물에 의해 가교되어 있다. 이소시아네이트 화합물로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 시판품으로서, 코로네이트 L(상품명, 닛본 폴리우레탄사제) 등을 사용할 수 있다.
제2 점착제층(43) 중, 이소시아네이트 화합물의 함유량은, 공중합체 100질량부에 대하여, 2 내지 12질량부가 바람직하다. 이소시아네이트 화합물이 2질량부 미만이면, 가교가 불충분하고 응집성이 낮아, 픽업 불량이 증가된다. 이소시아네이트 화합물이 12질량부를 초과하면 점착제 조성물을 혼합하고, 제막할 때까지의 포트 라이프가 짧아져, 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생하기 때문이다.
제2 점착제층(43)을 형성하기 위한 점착제 조성물 중에는, 필요에 따라서, 예를 들어 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 연화제, 산화 방지제, 가소제, 계면 활성제 등의 공지의 첨가제 등이 포함되어 있어도 된다.
또한, 제2 점착제층(43)은 단층의 형태를 갖고 있어도 되고, 적층된 형태를 갖고 있어도 된다. 제2 점착제층(432)이 복수층인 경우, 접착제층(3)과 접하는 층이, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것이 바람직하다.
제2 점착제층(43)의 두께는, 픽업성의 관점에서, 제1 점착제층(42)과의 총 두께가 5 내지 30㎛가 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 제1 점착제층(42)과의 총 두께가 10 내지 15㎛가 되도록 설정하는 것이 보다 바람직하다.
상술에서는, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형의 점착제에 대하여 설명하였지만, 제2 점착제층(43)은, 방사선의 조사에 의해 경화되는 방사선 경화형의 점착제를 사용해도 된다.
방사선 경화형의 점착제 조성물의 구성은 특별히 한정되지 않지만, 하나의 양태로서는, 점착제 조성물 중에, 베이스 수지로서, 탄소수가 6 내지 12인 알킬쇄를 갖는 (메트)아크릴레이트를 60몰％ 이상 포함하고, 또한 요오드가 5 내지 30의 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 중합체(A)를 갖는 것이 예시된다. 또한, 여기서, 에너지선이란, 자외선과 같은 광선, 또는 전자선 등의 전리성 방사선을 말한다.
이와 같은 중합체(A)에 있어서, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합의 도입량이 요오드가로 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력의 저감 효과가 높아지는 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 10 이상이다. 또한, 요오드가로 30 이하이면 에너지선 조사 후 픽업될 때까지의 칩의 보유 지지력이 높아, 픽업 공정 직전의 확장 시에 칩의 간극을 넓히는 것이 용이한 점에서 우수하다. 픽업 공정 전에 칩의 간극을 충분히 넓힐 수 있으면, 픽업 시의 각 칩의 화상 인식이 용이하거나, 픽업하기 쉬워지거나 하므로 바람직하다. 또한, 탄소-탄소 이중 결합의 도입량이 요오드가로 5 이상 30 이하이면 중합체(A) 그 자체에 안정성이 있어, 제조가 용이해지기 때문에 바람직하다.
또한, 중합체(A)는, 유리 전이 온도가 -70℃ 이상이면 에너지선 조사에 수반되는 열에 대한 내열성의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 -66℃ 이상이다. 또한, 15℃ 이하이면, 표면 상태가 거친 웨이퍼에 있어서의 다이싱 후의 칩의 비산 방지 효과의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 0℃ 이하, 더욱 바람직하게는 -28℃ 이하이다.
상기 중합체(A)는 어떻게 하여 제조된 것이어도 되지만, 예를 들어 아크릴계 공중합체와 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 혼합하여 얻어지는 것이나, 관능기를 갖는 아크릴계 공중합체 또는 관능기를 갖는 메타크릴계 공중합체(A1)와, 그 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 갖고, 또한, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(A2)을 반응시켜 얻어지는 것이 사용된다.
이 중, 상기 관능기를 갖는 메타크릴계 공중합체(A1)로서는, 아크릴산알킬에스테르 또는 메타크릴산알킬에스테르 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체(A1-1)와, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한, 관능기를 갖는 단량체(A1-2)를 공중합시켜 얻어지는 것이 예시된다. 단량체(A1-1)로서는, 탄소수가 6 내지 12인 알킬쇄를 갖는 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트 또는 알킬쇄의 탄소수가 5 이하인 단량체인, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 또는 이들과 마찬가지의 메타크릴레이트 등을 열거할 수 있다.
또한, 단량체(A1-1)에 있어서 알킬쇄의 탄소수가 6 이상인 성분은, 제2 점착제층(43)과 접착제층(3)의 박리력을 작게 할 수 있으므로, 픽업성의 점에서 우수하다. 또한, 12 이하의 성분은, 실온에서의 탄성률이 낮고, 제2 점착제층(43)과 접착제층(3)의 계면의 접착력의 점에서 우수하다.
또한, 단량체(A1-1)로서, 알킬쇄의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록 유리 전이 온도는 낮아지므로, 적절히 선택함으로써, 원하는 유리 전이 온도를 갖는 점착제 조성물을 조제할 수 있다. 또한, 유리 전이 온도 외에, 상용성 등의 각종 성능을 높일 목적으로 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 저분자 화합물을 배합하는 것도 가능하다. 그 경우, 이들 저분자 화합물은, 단량체(A1-1)의 총 질량의 5질량％ 이하의 범위 내에서 배합하는 것으로 한다.
한편, 단량체(A1-2)가 갖는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상 산무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 단량체(A1-2)의 구체예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 열거할 수 있다.
또한, 화합물(A2)에 있어서, 사용되는 관능기로서는, 화합물(A1)이 갖는 관능기가, 카르복실기 또는 환상 산무수기인 경우에는, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 수산기인 경우에는, 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 아미노기인 경우에는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 에폭시기인 경우에는, 카르복실기, 환상 산무수기, 아미노기 등을 들 수 있고, 구체예로서는, 단량체(A1-2)의 구체예에서 열거한 것과 마찬가지의 것을 열거할 수 있다. 또한, 화합물(A2)로서, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체로 우레탄화한 것을 사용할 수도 있다.
또한, 화합물(A1)과 화합물(A2)의 반응에 있어서, 미반응의 관능기를 남김으로써, 산가 또는 수산기가 등의 특성에 관하여, 원하는 것을 제조할 수 있다. 중합체(A)의 수산기가가 5 내지 100이 되도록 OH기를 남기면, 에너지선 조사 후의 점착력을 감소시킴으로써 픽업 미스의 위험성을 더욱 저감할 수 있다. 중합체(A)의 수산기가가 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력의 저감 효과의 점에서 우수하고, 100 이하이면, 에너지선 조사 후의 점착제의 유동성의 점에서 우수하다. 또한 산가가 30 이하이면 점착제의 유동성의 점에서 우수하다.
상기 중합체(A)의 합성에 있어서, 반응을 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 톨루엔, 아세트산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 아크릴계 폴리머의 양용매이며, 비점 60 내지 120℃의 용제가 바람직하고, 중합 개시제로서는, α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥시드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 사용한다. 이때, 필요에 따라서 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절함으로써, 원하는 분자량의 중합체(A)를 얻을 수 있다. 또한, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 머캅탄, 사염화탄소계의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 반응은 용액 중합에 한정되는 것은 아니고, 괴상 중합, 현탁 중합 등 다른 방법이어도 된다.
또한, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)에 있어서, 제2 점착제층(43)을 구성하는 수지 조성물은, 중합체(A)에 더하여, 또한, 가교제로서 작용하는 화합물(B)을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 폴리이소시아네이트류, 멜라민·포름알데히드 수지, 및 에폭시 수지를 들 수 있고, 이들은, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이 화합물(B)은, 중합체(A) 또는 접착제층(3)과 반응하고, 그 결과 생기는 가교 구조에 의해, 점착제 조성물 도공 후에 중합체(A) 및 (B)를 주성분으로 한 점착제의 응집력을 향상시킬 수 있다.
폴리이소시아네이트류로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 코로네이트 L(닛본 폴리우레탄 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 멜라민·포름알데히드 수지로서는, 구체적으로는, 니칼락 MX-45(산와 케미컬 가부시키가이샤제, 상품명), 멜란(히타치 가세이 고교 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, TETRAD-X(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 특히 폴리이소시아네이트류를 사용하는 것이 바람직하다.
화합물(B)의 첨가량을, 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상으로 한 점착제층은 응집력의 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 0.5질량부 이상이다. 또한 10질량부 이하로 한 점착제층은, 도공 시의 급격한 겔화 억제의 점에서 우수하여, 점착제의 배합이나 도포 등의 작업성이 양호해진다. 보다 바람직하게는 5질량부 이하이다.
또한, 본 발명에 있어서, 제2 점착제층(43)에는, 광중합 개시제(C)가 포함되어 있어도 된다. 제2 점착제층(43)에 포함되는 광중합 개시제(C)에 특별히 제한은 없고, 종래 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논 등의 벤조페논류, 아세토페논, 디에톡시아세토페논 등의 아세토페논류, 2-에틸안트라퀴논, t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2-클로로티오크산톤, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체(로핀 2량체), 아크리딘계 화합물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 광중합 개시제(C)의 첨가량으로서는, 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 배합하는 것이 바람직하고, 0.5질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, 그 상한 10질량부 이하가 바람직하고, 5질량부 이하가 보다 바람직하다.
또한 본 발명에 사용되는 에너지선 경화성의 점착제에는 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조제제, 계면 활성제 등, 혹은 그 밖의 개질제 등을 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적절히 첨가해도 된다.
제2 점착제층(43)은, 방사선의 조사에 의해 경화되는 방사선 경화형의 점착제를 사용하는 경우에는, 방사선의 조사 전에 있어서의 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것이 바람직하다.
(접착제층(3))
본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)에서는, 접착제층(3)은, 반도체 웨이퍼 W가 접합되고, 다이싱된 후, 칩 C를 픽업하였을 때, 점착제층(43)으로부터 박리되어 칩 C에 부착되는 것이다. 그리고, 칩 C를 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용된다.
접착제층(3)은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 반도체 웨이퍼에 일반적으로 사용되는 필름형 접착제이면 되고, 예를 들어 열가소성 수지 및 열중합성 성분을 함유하여 이루어지는 것을 들 수 있다. 본 발명의 접착제층(3)에 사용하는 상기 열가소성 수지는, 열가소성을 갖는 수지, 또는 미경화 상태에 있어서 열가소성을 갖고, 가열 후에 가교 구조를 형성하는 수지가 바람직하고, 특별히 제한은 없지만, 하나의 양태로서는, 중량 평균 분자량이 5000 내지 200,000 또한 유리 전이 온도가 0 내지 150℃인 열가소성 수지를 들 수 있다. 또한, 다른 양태로서는, 중량 평균 분자량이 100,000 내지 1,000,000 또한 유리 전이 온도가 -50 내지 20℃인 열가소성 수지를 들 수 있다.
전자의 열가소성 수지로서는, 예를 들어 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리에테르케톤 수지 등을 들 수 있고, 그 중에서도 폴리이미드 수지, 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 후자의 열가소성 수지로서는, 관능기를 포함하는 중합체를 사용하는 것이 바람직하다.
폴리이미드 수지는, 테트라카르복실산 이무수물과 디아민을 공지의 방법으로 축합 반응시켜 얻을 수 있다. 즉, 유기 용매 중에서, 테트라카르복실산 이무수물과 디아민을 등몰 또는 거의 등몰 사용하여(각 성분의 첨가 순서는 임의), 반응 온도 80℃ 이하, 바람직하게는 0 내지 60℃에서 부가 반응시킨다. 반응이 진행됨에 따라 반응액의 점도가 서서히 상승하여, 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산이 생성된다. 이 폴리아미드산은, 50 내지 80℃의 온도에서 가열하여 해중합시킴으로써 그 분자량을 조정할 수도 있다. 폴리이미드 수지는, 상기 반응물(폴리아미드산)을 탈수 폐환시켜 얻을 수 있다. 탈수 폐환은, 가열 처리하는 열 폐환법과, 탈수제를 사용하는 화학 폐환법으로 행할 수 있다.
폴리이미드 수지의 원료로서 사용할 수 있는 테트라카르복실산 이무수물로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 이무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 3,4,3',4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,3,2',3'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3,3',4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,6-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 2,7-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,8,9,10-테트라카르복실산 이무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 티오펜-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,3,2',3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)디메틸실란 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메틸페닐실란 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)디페닐실란 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐디메틸실릴)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디시클로헥산 이무수물, p-페닐렌비스(트리멜리테이트 무수물), 에틸렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 데카히드로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사히드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 비스(엑소-비시클로〔2,2,1〕헵탄-2,3-디카르복실산 이무수물, 비시클로-〔2,2,2〕-옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스〔4-(3,4-디카르복시페닐)페닐〕헥사플루오로프로판 이무수물, 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐술피드 이무수물, 1,4-비스(2-히드록시헥사플루오로이소프로필)벤젠비스(트리멜리트산 무수물), 1,3-비스(2-히드록시헥사플루오로이소프로필)벤젠비스(트리멜리트산 무수물), 5-(2,5-디옥소테트라히드로프릴)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산 이무수물, 테트라히드로푸란-2,3,4,5-테트라카르복실산 이무수물 등을 사용할 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다.
또한, 폴리이미드의 원료로서 사용할 수 있는 디아민으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테메탄, 비스(4-아미노-3,5-디메틸페닐)메탄, 비스(4-아미노-3,5-디이소프로필페닐)메탄, 3,3'-디아미노디페닐디플루오로메탄, 3,4'-디아미노디페닐디플루오로메탄, 4,4'-디아미노디페닐디플루오로메탄, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐케톤, 3,4'-디아미노디페닐 케톤, 4,4'-디아미노디페닐케톤, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2'-(3,4'-디아미노디페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-(3,4'-디아미노디페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 3,3'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 3,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 4,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)술피드, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)술피드, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)술폰, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)술폰, 3,5-디아미노벤조산 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸, 1,2-디아미노시클로헥산, 하기 일반식 (1)로 표시되는 디아미노폴리실록산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 선 테크노 케미칼 가부시키가이샤제 제파민 D-230, D-400, D-2000, D-4000, ED-600, ED-900, ED-2001, EDR-148 등의 폴리옥시알킬렌디아민 등의 지방족 디아민 등을 사용할 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 상기 폴리이미드 수지의 유리 전이 온도로서는, 0 내지 200℃인 것이 바람직하고, 중량 평균 분자량으로서는, 1만 내지 20만인 것이 바람직하다.
[일반식 (1)]
Figure pct00001
(식 중, R1 및 R2는 탄소 원자수 1 내지 30의 2가의 탄화수소기를 나타내고, 각각 동일해도 달라도 되고, R3 및 R4는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 각각 동일해도 달라도 되고, m은 1 이상의 정수이다)
상기 외에 바람직한 열가소성 수지의 하나인 페녹시 수지는, 각종 비스페놀과 에피클로로히드린을 반응시키는 방법, 또는, 액상 에폭시 수지와 비스페놀을 반응시키는 방법에 의해 얻어지는 수지가 바람직하고, 비스페놀로서는, 비스페놀 A, 비스페놀 비스페놀 AF, 비스페놀 AD, 비스페놀 F, 비스페놀 S를 들 수 있다. 페녹시 수지는, 에폭시 수지와 구조가 유사하기 때문에 에폭시 수지와의 상용성이 좋아, 접착 필름에 양호한 접착성을 부여하는 데 적합하다.
본 발명에서 사용하는 페녹시 수지로서는, 예를 들어 하기 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 갖는 수지를 들 수 있다.
[일반식 (2)]
Figure pct00002
상기 일반식 (2)에 있어서, X는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 알킬렌기, 페닐렌기, -O-, -S-, -SO- 또는 -SO2-를 들 수 있다. 여기서, 알킬렌기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기가 바람직하고, -C(R1)(R2)-가 보다 바람직하다. R1, R2는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 해당 알킬기로서는 탄소수 1 내지 8의 직쇄 혹은 분지의 알킬기가 바람직하고, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 이소옥틸, 2-에틸헥실, 1,3,3-트리메틸부틸 등을 들 수 있다. 또한, 해당 알킬기는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고, 예를 들어 트리플루오로메틸기를 들 수 있다. X는, 알킬렌기, -O-, -S-, 플루오렌기 또는 -SO2-가 바람직하고, 알킬렌기, -SO2-가 보다 바람직하다. 그 중에서도, -C(CH3)2-, -CH(CH3)-, -CH2-, -SO2-가 바람직하고, -C(CH3)2-, -CH(CH3)-, -CH2-가 보다 바람직하고, -C(CH3)2-가 특히 바람직하다.
상기 일반식 (2)로 표시되는 페녹시 수지는, 반복 단위를 갖는 것이면, 상기 일반식 (2)의 X가 다른 반복 단위를 복수 갖는 수지여도, X가 동일한 반복 단위만으로 구성되어 있어도 된다. 본 발명에 있어서는, X가 동일한 반복 단위만으로 구성되어 있는 수지가 바람직하다.
또한, 상기 일반식 (2)로 표시되는 페녹시 수지에, 수산기, 카르복실기 등의 극성 치환기를 함유시키면, 열중합성 성분과의 상용성이 향상되어, 균일한 외관이나 특성을 부여할 수 있다.
페녹시 수지의 질량 평균 분자량이 5000 이상이면 필름 형성성의 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 10,000 이상이고, 더욱 바람직하게는 30,000 이상이다. 또한, 질량 평균 분자량이 150,000 이하이면, 가열 압착 시의 유동성이나 다른 수지와의 상용성의 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는 100,000 이하이다. 또한, 유리 전이 온도가 -50℃ 이상이면, 필름 형성성의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 0℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 50℃ 이상이다. 유리 전이 온도가 150℃이면, 다이 본딩 시의 접착제층(13)의 접착력이 우수하고, 보다 바람직하게는 120℃ 이하, 더욱 바람직하게는 110℃ 이하이다.
한편, 상기 관능기를 포함하는 중합체에 있어서의 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 수산기, 카르복실기, 이소시아누레이트기, 아미노기, 아미드기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 글리디실기가 바람직하다.
상기 관능기를 포함하는 고분자량 성분으로서는, 예를 들어 글리시딜기, 수산기, 카르복실기 등의 관능기를 함유하는 (메트)아크릴 공중합체 등을 들 수 있다.
상기 (메트)아크릴 공중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴에스테르 공중합체, 아크릴 고무 등을 사용할 수 있고, 아크릴 고무가 바람직하다. 아크릴 고무는, 아크릴산에스테르를 주성분으로 하고, 주로, 부틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체나, 에틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체 등을 포함하는 고무이다.
관능기로서, 글리시딜기를 함유하는 경우, 글리시딜기 함유 반복 단위의 양은, 0.5 내지 6.0중량％가 바람직하고, 0.5 내지 5.0중량％가 보다 바람직하고, 0.8 내지 5.0중량％가 특히 바람직하다. 글리시딜기 함유 반복 단위란, 글리시딜기를 함유하는 (메트)아크릴 공중합체의 구성 모노머이며, 구체적으로는 글리시딜 아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트이다. 글리시딜기 함유 반복 단위의 양이 이 범위에 있으면, 접착력을 확보할 수 있음과 함께, 겔화를 방지할 수 있다.
글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 이외의 상기 (메트)아크릴 공중합체의 구성 모노머로서는, 예를 들어 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 에틸(메트)아크릴레이트란, 에틸아크릴레이트 및/또는 에틸메타크릴레이트를 나타낸다. 관능성 모노머를 조합하여 사용하는 경우의 혼합 비율은, (메트)아크릴 공중합체의 유리 전이 온도를 고려하여 결정하면 된다. 유리 전이 온도를 -50℃ 이상으로 하면, 필름 형성성이 우수하여, 상온에서의 과잉의 태크를 억제할 수 있는 점에서 바람직하다. 상온에서의 태크력이 과잉이면, 접착제층의 취급이 곤란해진다. 보다 바람직하게는 -20℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 0℃ 이상이다. 또한, 유리 전이 온도를 30℃ 이하로 하면, 다이 본딩 시의 접착제층의 접착력의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 20℃ 이하이다.
상기 모노머를 중합시켜, 관능성 모노머를 포함하는 고분자량 성분을 제조하는 경우, 그 중합 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 펄 중합, 용액 중합 등의 방법을 사용할 수 있고, 그 중에서도 펄 중합이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 관능성 모노머를 포함하는 고분자량 성분의 중량 평균 분자량이 100,000 이상이면, 필름 형성성의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 200,000 이상, 더욱 바람직하게는 500,000 이상이다. 또한, 중량 평균 분자량을 2,000,000 이하로 조정하면, 다이 본딩 시의 접착제층(3)의 가열 유동성이 향상되는 점에서 우수하다. 다이 본딩 시의 접착제층(3)의 가열 유동성이 향상되면, 접착제층(3)과 피착체의 밀착이 양호해져 접착력을 향상시킬 수 있고, 또한 피착체의 요철을 매립하여 보이드를 억제하기 쉬워진다. 보다 바람직하게는 1,000,000 이하이고, 더욱 바람직하게는 800,000 이하이고, 500,000 이하로 하면, 더욱 큰 효과를 얻을 수 있다.
또한, 열중합성 성분으로서는, 열에 의해 중합되는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 글리시딜기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 수산기, 카르복실기, 이소시아누레이트기, 아미노기, 아미드기 등의 관능기를 갖는 화합물과 트리거 재료를 들 수 있고, 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합해도, 사용할 수 있지만, 접착제층(3)으로서의 내열성을 고려하면, 열에 의해 경화되어 접착 작용에 영향을 미치는 열경화성 수지를 경화제, 촉진제와 함께 함유하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 열경화형 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지 등을 들 수 있고, 특히 내열성, 작업성, 신뢰성이 우수한 접착제층이 얻어지는 점에서 에폭시 수지를 사용하는 것이 가장 바람직하다.
상기 에폭시 수지는, 경화되어 접착 작용을 갖는 것이면 특별히 제한은 없고, 비스페놀 A형 에폭시 등의 2관능 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지나 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지 또는 지환식 에폭시 수지 등, 일반적으로 알려져 있는 것을 적용할 수 있다.
상기 비스페놀 A형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제 에피코트 시리즈(에피코트 807, 에피코트 815, 에피코트 825, 에피코트 827, 에피코트 828, 에피코트 834, 에피코트 1001, 에피코트 1004, 에피코트 1007, 에피코트 1009), 다우 케미컬사제, DER-330, DER-301, DER-361, 및 신닛테츠스미킨 가가쿠 가부시키가이샤제, YD8125, YDF8170 등을 들 수 있다. 상기 페놀 노볼락형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제의 에피코트 152, 에피코트 154, 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제의 EPPN-201, 다우 케미컬사제의 DEN-438 등을, 또한 상기 o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지로서는, 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027이나, 신닛테츠스미킨 가가쿠 가부시키가이샤제, YDCN701, YDCN702, YDCN703, YDCN704 등을 들 수 있다. 상기 다관능 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제의 Epon1031S, 지바 스페셜티 케미컬즈사제의 아랄다이트 0163, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제의 데나콜 EX-611, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-421, EX-411, EX-321 등을 들 수 있다. 상기 아민형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제의 에피코트 604, 도토 가세이 가부시키가이샤제의 YH-434, 미쓰비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤제의 TETRAD-X 및 TETRAD-C, 스미토모 가가쿠 고교 가부시키가이샤제의 ELM-120 등을 들 수 있다. 상기 복소환 함유 에폭시 수지로서는, 지바 스페셜티 케미컬즈사제의 아랄다이트 PT810, UCC사제의 ERL4234, ERL4299, ERL4221, ERL4206 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합해도, 사용할 수 있다.
상기 열경화성 수지를 경화시키기 위해, 적절히 첨가제를 첨가할 수 있다. 이와 같은 첨가제로서는, 예를 들어 경화제, 경화 촉진제, 촉매 등을 들 수 있고, 촉매를 첨가하는 경우에는 조촉매를 필요에 따라서 사용할 수 있다.
상기 열경화성 수지에 에폭시 수지를 사용하는 경우, 에폭시 수지 경화제 또는 경화 촉진제를 사용하는 것이 바람직하고, 이들을 병용하는 것이 보다 바람직하다. 경화제로서는, 예를 들어 페놀 수지, 디시안디아미드, 3불화붕소 착화합물, 유기 히드라지드 화합물, 아민류, 폴리아미드 수지, 이미다졸 화합물, 요소 혹은 티오 요소 화합물, 폴리머캅탄 화합물, 머캅토기를 말단에 갖는 폴리술피드 수지, 산 무수물, 광·자외선 경화제를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
이 중, 3불화붕소 착화합물로서는, 다양한 아민 화합물(바람직하게는 1급 아민 화합물)과의 3불화붕소-아민 착체를 들 수 있고, 유기 히드라지드 화합물로서는, 이소프탈산디히드라지드를 들 수 있다.
페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 그 중에서도 분자 중에 적어도 2개의 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 화합물이 바람직하다.
상기 분자 중에 적어도 2개의 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 화합물로서는, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, t-부틸페놀 노볼락 수지, 디시클로펜타젠크레졸 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔페놀 노볼락 수지, 크실릴렌 변성 페놀 노볼락 수지, 나프톨 노볼락 수지, 트리스페놀 노볼락 수지, 테트라키스페놀 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 폴리-p-비닐페놀 수지, 페놀아르알킬 수지 등을 들 수 있다. 또한 이들 페놀 수지 중 페놀 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하고, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
아민류로서는, 쇄상 지방족 아민(디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 헥사메틸렌디아민, N,N-디메틸프로필아민, 벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, m-크실렌디아민 등), 환상 지방족 아민(N-아미노에틸피페라진, 비스(3-메틸-4-아미노시클로헥실)메탄, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 멘센디아민, 이소포론디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산 등), 헤테로환 아민(피페라진, N,N-디메틸피페라진, 트리에틸렌디아민, 멜라민, 구아나민 등), 방향족 아민(메타페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 디아미노, 4,4'-디아미노디페닐술폰 등), 폴리아미드 수지(폴리아미드아민이 바람직하고, 다이머산과 폴리아민의 축합물), 이미다졸 화합물(2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-n-헵타데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨·트리멜리테이트, 에폭시·이미다졸 부가체 등), 요소 혹은 티오 요소 화합물(N,N-디알킬 요소 화합물, N,N-디알킬티오 요소 화합물 등), 폴리머캅탄 화합물, 머캅토기를 말단에 갖는 폴리술피드 수지, 산 무수물(테트라히드로 무수 프탈산 등), 광·자외선 경화제(디페닐요오도늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트 등)이 예시된다.
상기 경화 촉진제로서는, 열경화성 수지를 경화시키는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 이미다졸류, 디시안디아미드 유도체, 디카르복실산디히드라지드, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸-테트라페닐보레이트, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7-테트라페닐보레이트 등을 들 수 있다. 이미다졸류로서는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-에틸이미다졸, 1-벤질-2-에틸-5-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시디메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다.
에폭시 수지용 경화제 혹은 경화 촉진제의 접착제층 중의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 최적의 함유량은 경화제 혹은 경화 촉진제의 종류에 따라서 다르다.
상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량으로 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 접착제층(3)의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다. 그 밖의 열경화성 수지와 경화제는, 일 실시 형태에 있어서, 열경화성 수지 100질량부에 대하여, 경화제가 0.5 내지 20질량부이며, 다른 실시 양태에 있어서는, 경화제가 1 내지 10질량부이다. 경화 촉진제의 함유량은, 경화제의 함유량보다 적은 쪽이 바람직하고, 열경화성 수지 100질량부에 대하여 경화 촉진제 0.001 내지 1.5질량부가 바람직하고, 0.01 내지 0.95질량부가 더욱 바람직하다. 상기 범위 내로 조정함으로써, 충분한 경화 반응의 진행을 보조할 수 있다. 촉매의 함유량은, 열경화성 수지 100질량부에 대하여, 0.001 내지 1.5질량부가 바람직하고, 0.01 내지 1.0질량부가 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 접착제층(3)은, 그 용도에 따라서 필러를 적절히 배합할 수 있다. 이에 의해, 미경화의 상태에 있어서의 접착제층(3)의 다이싱성의 향상, 취급성의 향상, 용융 점도의 조정, 틱소트로픽성의 부여, 또한, 경화 상태의 접착제층(3)에 있어서의 열전도성의 부여, 접착력의 향상을 도모하는 것이 가능하게 되어 있다.
본 발명에서 사용하는 필러로서는, 무기 필러가 바람직하다. 무기 필러로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 알루미나, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정질성 실리카, 안티몬산화물 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들은 단체 혹은 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
또한, 상기 무기 필러 중, 열전도성 향상의 관점에서는, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정질성 실리카 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 용융 점도의 조정이나 틱소트로픽성의 부여의 점에서는, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 알루미나, 결정성 실리카, 비정질성 실리카 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 다이싱성의 향상의 관점에서는, 알루미나, 실리카를 사용하는 것이 바람직하다.
필러의 함유 비율이 30질량％ 이상이면, 와이어 본딩성의 점에서 우수하다. 와이어 본딩 시에는, 와이어를 연결하는 칩을 접착하고 있는 접착제층(3)의 경화 후의 저장 탄성률이 170℃에서 20 내지 1000㎫의 범위로 조정되어 있는 것이 바람직하고, 필러의 함유 비율이 30질량％ 이상이면 접착제층(3)의 경화 후의 저장 탄성률을 이 범위로 조정하기 쉽다. 또한, 필러의 함유 비율이 75질량％ 이하이면, 필름 형성성, 다이 본딩 시의 접착제층(3)의 가열 유동성이 우수하다. 다이 본딩 시의 접착제층(3)의 가열 유동성이 향상되면, 접착제층(3)과 피착체의 밀착이 양호해져 접착력을 향상시킬 수 있고, 또한 피착체의 요철을 매립하여 보이드를 억제하기 쉬워진다. 보다 바람직하게는 70질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 60질량％ 이하이다.
본 발명의 접착제층(3)은, 상기 필러로서, 평균 입경이 다른 2종 이상의 필러를 포함할 수 있다. 이 경우, 단일의 필러를 사용한 경우에 비해 필름화 전의 원료 혼합물에 있어서, 필러의 함유 비율이 높은 경우의 점도 상승 혹은 필러의 함유 비율이 낮은 경우의 점도 저하를 방지하는 것이 용이해져, 양호한 필름 형성성이 얻어지기 쉬워지고, 미경화의 접착제층(3)의 유동성을 최적으로 제어할 수 있음과 함께 접착제층(3)의 경화 후에는 우수한 접착력이 얻어지기 쉬워진다.
(기재 테이프(2))
기재 테이프(2)는, 접착제층(3)을 보호할 목적을 위해, 반도체 가공용 테이프(1)를 소정의 형상으로 절단하는 라벨 가공을 용이하게 행할 목적을 위해, 또한 접착제층(3)을 평활하게 할 목적을 위해 마련된다. 기재 테이프(2)의 구성 재료로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 기재 테이프(2)의 표면에는 접착제층(3)으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라서 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 필요에 따라서, 점착 시트가 환경 자외선에 의해 반응해 버리지 않도록, 자외선 방지 처리가 실시되어 있어도 된다. 기재 테이프(2)의 두께는, 통상 10 내지 100㎛, 바람직하게는 25 내지 50㎛ 정도이다.
(지지 부재(15))
지지 부재(15)는, 기재 테이프(2)의, 접착제(3) 및 점착 필름(4)이 마련된 면과는 반대의 면이며, 또한, 기재 테이프(2)의 짧은 변 방향 양단부에 마련되며, 접착제층(3) 및 제2 점착제층(43)의 두께의 1.0배 이상 4.0배 이하의 두께를 갖는다. 이와 같이, 지지 부재(15)를 마련함으로써, 반도체 가공용 테이프(1)를 롤형으로 권취하였을 때, 테이프에 가해지는 권취압을 분산하거나, 혹은, 지지 부재(15)에 모을 수 있으므로, 접착제층(3)과 점착 필름(4)의 라벨부(4a1, 4a2)의 적층 부분과, 점착 필름(4)의 주변부(4b)의 단차가 중첩되어, 유연한 접착제층(3) 표면에 단차가 전사되는 전사흔의 형성을 억제하는 것이 가능해진다.
지지 부재(15)는, 기재 테이프(2)의 긴 변 방향을 따라서, 단속적 또는 연속적으로 마련할 수 있지만, 전사흔의 발생을 더욱 효과적으로 억제하는 관점에서는, 기재 테이프(2)의 긴 변 방향을 따라서 연속적으로 마련하는 것이 바람직하다.
지지 부재(15)로서는, 예를 들어 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프를 적합하게 사용할 수 있다. 이와 같은 점접착 테이프를, 기재 테이프(2)의 양단 부분의 소정 위치에 첩부함으로써, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프(1)를 형성할 수 있다.
점접착 테이프의 기재 수지로서는, 권취압에 견딜 수 있는 것이면 특별히 한정은 없지만, 내열성, 평활성 및 입수 용이성의 점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌, 및 고밀도 폴리에틸렌으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
점접착 테이프의 점착제의 조성 및 물성에 대해서는, 특별히 한정은 없고, 반도체 가공용 테이프(1)의 권취 공정 및 보관 공정에 있어서, 기재 테이프(2)로부터 박리되지 않는 것이면 된다.
(반도체 가공용 테이프(1)의 제조 방법)
다음에, 본 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프(1)의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다.
먼저, 긴 필름형의 접착제층(3)을 형성한다. 접착제층(3)은, 수지 조성물을 조제하여, 필름형의 층으로 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 상술한 수지 조성물을 도포하고 건조하여(열경화가 필요한 경우 등에서는, 필요에 따라서 가열 처리를 실시하여 건조하여), 접착제층(3)을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 수지 조성물은, 용액이어도 분산액이어도 된다.
다음에, 접착제층(3)을 상술한 평면 형상으로 가압 절단날 등을 사용하여 프리컷하고, 주변의 불필요 부분을 세퍼레이터로부터 박리하여 제거함으로써, 복수의 평면 형상의 접착제층(3)을 긴 세퍼레이터 상에 연속하여 형성한다. 그 후, 접착제층(3)을 긴 기재 테이프(2)에 전사한다. 또한, 접착제층(3)은, 긴 기재 테이프(2) 상에 수지 조성물을 도공하고, 평면 형상으로 프리컷해도 된다.
별도로, 긴 필름형의 제2 점착제층(43)을 형성한다. 제2 점착제층(43)은, 수지 조성물을 조제하여, 필름형의 층으로 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 상술한 수지 조성물을 도포하고 건조하여, 제2 점착제층(43)을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 수지 조성물은, 용액이어도 분산액이어도 된다.
다음에, 제2 점착제층(43)을 상술한 평면 형상으로 가압 절단날 등을 사용하여 프리컷하고, 주변의 불필요 부분을 세퍼레이터로부터 박리하여 제거함으로써, 복수의 평면 형상의 제2 점착제층(43)을 긴 세퍼레이터 상에 연속하여 형성한다.
또한 별도로, 제1 점착제층(42)을 제작한다. 제1 점착제층(42)은, 종래의 점착제층의 형성 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상술한 점착제 조성물을, 기재 필름(41)의 소정의 면에 도포하여 형성하는 방법이나, 상술한 점착제 조성물을, 박리 필름(예를 들어, 이형제가 도포된 플라스틱제 필름 또는 시트 등) 상에 도포하여 제1 점착제층(42)을 형성한 후, 해당 제1 점착제층(42)을 기재 필름(41)의 소정의 면에 전사하는 방법에 의해, 기재 필름(41) 상에 해당 제1 점착제층(42)을 형성할 수 있다.
기재 필름(41)은, 종래 공지의 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.
그 후, 세퍼레이터 상에 마련된 소정 형상의 제2 점착제층(43)에, 기재 필름(41) 상에 마련된 제1 점착제층(42)을 라미네이트하여, 점착 테이프(4)를 얻는다.
그 후, 제2 점착제층(43)이 마련되어 있던 세퍼레이터를 박리하고, 기재 테이프(2) 상에 마련된 소정 형상의 접착제층(3)에, 점착 테이프(4)의 제2 점착제층(43)측의 면을, 접착제층(3)과 제2 점착제층(43)의 평면 형상의 중심이 정렬되도록 라미네이트한다. 이때, 접착제층(3)의 평면 형상은 제2 점착제층(43)의 평면 형상보다 크기 때문에, 제2 점착제층(43)의 주변부에서 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 접하여, 접착된다.
다음에, 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)을 소정의 평면 형상으로 가압 절단날 등을 사용하여 프리컷하고, 주변의 불필요 부분을 기재 테이프(2)로부터 박리하여 제거함으로써, 반도체 가공용 테이프(1)가 만들어진다. 이때, 제1 점착제층(42)의 평면 형상은 접착제층(3)의 평면 형상보다 크기 때문에, 제2 점착제층(43)의 주변부에서 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 접한 부분이 유지된다. 또한, 그 후, 프리컷 가공에 사용한 기재 테이프(2)를 박리하여, 공지의 세퍼레이터를 접착제층(3)측의 면과 접합하도록 해도 된다.
(반도체 가공용 테이프(1)의 사용 방법)
반도체 가공용 테이프(1)는, 반도체 장치의 제조 공정 중에서, 이하와 같이 사용된다. 도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 가공용 테이프(1)는, 기재 테이프(2)가 접착제층(3), 제2 점착제층(43)을 포함하는 제2 라벨부(4a2), 제1 점착제층(42) 및 기재 필름(41)을 포함하는 제1 라벨부(4a1)를 포함하는 적층체로부터 박리되어, 반도체 웨이퍼 W에 첩부되는 반도체 웨이퍼 접합 공정을 실시한다. 보다 상세하게는, 쐐기형의 박리 부재(101)의 선단부에서 기재 테이프(2)를 박리 방향으로 꺾으면서 반송함으로써, 적층체의 박리가 촉진되어, 당해 적층체만이 전방으로 송출된다. 전방 하측에는 반도체 웨이퍼 W 및 링 프레임 R이 작업대(102) 상에 설치되어 있고, 그것들의 상측에 적층체가 송출되도록 되어 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 W의 상방에는 압접 롤러(103)가 마련되어 있고, 이에 의해, 접착제층(3)은 반도체 웨이퍼 W에 접합된다. 또한, 제1 점착제층(42)은 접착제층(3)보다도 크기 때문에, 접착제층(3)의 주위에 있어서 제1 점착제층(42)이 링 프레임 R에 접합된다.
이때, 제2 점착제층(43)은 점착력이 작지만, 제2 점착제층(43)의 평면 형상이 접착제층(3)의 평면 형상보다 작기 때문에, 제2 점착제층(43)의 주위에 있어서, 점착력이 큰 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 점착 보유 지지되어 있기 때문에, 기재 테이프(2)를 박리할 때나, 적층체의 일단부가 압접 롤러(103)에 눌려지고, 타단부가 기재 테이프(2)의 박리 방향으로 인장됨으로써 적층체에 장력이 가해졌을 때도, 점착 테이프(4)로부터 접착제층(3)이 들뜨는 일이 없다.
다음에, 도 4에 도시한 바와 같이, 링 프레임 R이 도시하지 않은 다이싱 장치에 고정된다. 이때, 반도체 웨이퍼 W가 상측, 반도체 가공용 테이프(1)가 하측으로 향해진다. 그리고, 도 5에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W의 다이싱 공정을 실시한다. 구체적으로는, 먼저, 흡착 스테이지(105)에 의해, 반도체 가공용 테이프(1)를 기재 필름(41)면측으로부터 흡착 지지한다. 그리고, 반도체 웨이퍼 W와 접착제층(3)을 다이싱 블레이드(104)에 의해 반도체 칩 C 단위로 절단하여 개편화한다. 그 후, 제2 점착제층(43)이 방사선 경화형의 점착제인 경우에는, 기재 필름(41)의 하면측으로부터 방사선을 조사하여, 제2 점착제층(43)을 경화시켜 그 점착력을 저하시킨다.
그 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이싱된 반도체 칩 C 및 접착제층(3)을 보유 지지한 점착 테이프(4)를 링 프레임 R의 둘레 방향으로 잡아늘이는 익스팬드 공정을 실시한다. 구체적으로는, 다이싱된 복수의 반도체 칩 C 및 접착제층(3)을 보유 지지한 상태의 점착 테이프(4)에 대하여, 중공 원주 형상의 밀어올림 부재(106)를, 점착 테이프(4)의 하면측으로부터 상승시켜, 점착 테이프(4)를 링 프레임 R의 둘레 방향으로 잡아늘인다.
익스팬드 공정을 실시한 후, 도 7에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(4)를 익스팬드한 상태 그대로에서, 반도체 칩 C를 픽업하는 픽업 공정을 실시한다. 구체적으로는, 점착 테이프(4)의 하면측으로부터 반도체 칩 C를 핀(107)에 의해 밀어올림과 함께, 흡착 지그(108)로 반도체 칩 C를 흡착함으로써, 개편화된 반도체 칩 C를 접착제층(3)과 함께 픽업한다. 이때, 제2 점착제층(43)의 점착력이 작기 때문에, 반도체 칩 C 및 접착제층(3)이 제2 점착제층(43)으로부터 용이하게 박리되어, 반도체 칩 C가 양호하게 픽업된다.
그리고, 픽업 공정을 실시한 후, 접합 공정을 실시한다. 구체적으로는, 픽업 공정에서 반도체 칩 C와 함께 픽업된 접착제층(3)측을 리드 프레임이나 패키지 기판 등의 기판의 접합 위치에 배치한다. 그 후, 접착제층(3)을 150 내지 350℃도 의 온도에서 가열 처리함으로써, 반도체 칩 C와 기판이 기계적으로 접합된다. 또한, 접합 공정은 무가압으로 행해도 되고, 가압해도 된다.
그 후, 기판의 단자부의 선단과 반도체 칩 C 상의 전극 패드를 본딩 와이어로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 계속해서, 밀봉 수지에 의해 반도체 칩 C를 밀봉하는 밀봉 공정을 행하여, 반도체 장치가 완성된다.
(실시예)
다음에 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명한다. 이하 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[기재 필름 A]
기재 필름으로서, 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산2-메틸-프로필) 3원 공중합체-Zn++-아이오노머 수지인, 하이밀란 AM-7316(상품명, 미쓰이 듀퐁 케미컬사제)을 사용하여, 두께 90㎛의 필름을 제작하였다. 이 필름의 편면에는 코로나 처리를 실시하여, 기재 필름을 얻었다.
[제1 점착제층의 점착제 조성물 A]
아크릴계 점착제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「SG-50Y」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」) 5질량부를 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제1 점착제층의 점착제 조성물 A를 조제하였다.
[제2 점착제층의 점착제 조성물 A]
아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」)를 2.3질량부, 폴리이소시아네이트 조성물(아사히 가세이 케미컬즈 가부시키가이샤제, 상품명 「TKA-100」) 7질량부를 각각 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 A를 조제하였다.
[제2 점착제층의 점착제 조성물 B]
아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」)를 1.7질량부, 폴리이소시아네이트 조성물(아사히 가세이 케미컬즈 가부시키가이샤제, 상품명 「TKA-100」) 3.9질량부를 각각 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 B를 조제하였다.
[제2 점착제층의 점착제 조성물 C]
아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」)를 0.34질량부, 폴리이소시아네이트 조성물(아사히 가세이 케미컬즈 가부시키가이샤제, 상품명 「TKA-100」) 1.1질량부를 각각 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 C를 조제하였다.
[제2 점착제층의 점착제 조성물 D]
아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」)를 2.8질량부, 폴리이소시아네이트 조성물(아사히 가세이 케미컬즈 가부시키가이샤제, 상품명 「TKA-100」) 8.4질량부를 각각 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 D를 조제하였다.
[제2 점착제층의 점착제 조성물 E]
아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」) 0.5질량부를 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 E를 조제하였다.
[접착제 조성물 A]
에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「1002」) 50질량부, 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「806」) 100질량부, 경화제(에보닉 데구사사제, 상품명 「Dyhard(등록 상표) 100SF」) 5질량부, 실리카 필러(애드마파인 가부시키가이샤제, 상품명 「SO-C2」) 150질량부, 및, 실리카 필러(닛본 에어로실 가부시키가이샤제, 상품명 「에어로실 R972」) 5질량부를 포함하는 조성물에 MEK를 첨가하고, 교반 혼합하여, 균일한 조성물로 하였다.
이것에, 페녹시 수지(Gabriel Phenoxies사제, 상품명 「PKHH」) 100질량부, 커플링제로서 (신에쓰 실리콘 가부시키가이샤제, 상품명 「KBM-802」) 0.4질량부, 그리고, 경화 촉진제(시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「큐어졸 2PHZ-PW」) 0.5질량부를 첨가하고, 균일해질 때까지 교반 혼합하였다. 또한 이것을 100메쉬의 필터로 여과하고, 진공 탈포함으로써, 접착제 조성물 c-1A의 바니시를 얻었다.
<실시예 1>
이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터에 이 제1 점착제층의 점착제 조성물 A를 건조 후의 두께가 5㎛가 되도록 도공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 기재 필름 A와 접합하여, 기재 필름 A 상에 제1 점착제층이 형성된 점착 시트 A를 제작하였다.
다음에, 이형 처리한 커트 시트형의 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터에 이 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A를 건조 후의 두께가 10㎛가 되도록 도공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름과 접합하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 제2 점착제층이 형성된 점착 시트 B를 복수 제작하였다.
또한, 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 기재 테이프에, 접착제 조성물 A를, 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하고, 110℃에서 5분간 건조시켜, 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름 상에 접착제층이 형성된 접착 필름을 제작하였다. 그 후, 접착제층을 직경 320㎜의 원형으로 커트하고, 그 접착제층측의 면에 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 접합하였다.
다음에, 점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 308㎜의 원형으로 커트하였다. 그리고, 점착 시트 A로부터 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 노출된 제1 점착제층 상에 점착 시트 B의 제2 점착제층을 등간격으로 복수 접합하고, 새롭게 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 제2 점착제층측의 면에 접합하여, 점착 테이프를 얻었다.
다음에, 접착 필름으로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 박리하고, 점착 테이프의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 노출된 제2 점착제층의 중심과 접착제층의 중심이 겹치도록 접합하였다.
그 후, 기재 필름 및 제1 점착제층을 직경 370㎜의 원형으로 커트하여 실시예 1에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<실시예 2>
점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A 대신에 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 B 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<실시예 3>
점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A 대신에 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 C 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<실시예 4>
점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A 대신에 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 D 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 4에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<실시예 5>
점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A 대신에 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 E 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<실시예 6>
점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 290㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 실시예 6에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<비교예 1>
점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<비교예 2>
점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 비교예 2에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<비교예 3>
점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 3과 마찬가지로 하여, 비교예 3에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<비교예 4>
점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 4와 마찬가지로 하여, 비교예 4에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<비교예 5>
점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 5와 마찬가지로 하여, 비교예 5에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
<비교예 6>
이형 처리한 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터에 이 제2 점착제층의 점착제 조성물 B를 건조 후의 두께가 15㎛가 되도록 도공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 기재 필름 A와 접합하여, 기재 필름 A 상에 제2 점착제층이 형성된 점착 시트 C를 제작하였다.
또한, 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 기재 테이프에, 접착제 조성물 A를, 건조 후의 두께가 30㎛로 되도록 도공하고, 110℃에서 5분간 건조시켜, 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름 상에 접착제층이 형성된 접착 필름을 제작하였다. 그 후, 접착제층을 직경 320㎜의 원형으로 커트하고, 그 접착제층측의 면에 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 접합하였다.
다음에, 접착 필름으로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 박리하고, 점착 테이프의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 노출된 제2 점착제층의 중심과 접착제층의 중심이 겹치도록 접합하였다.
그 후, 기재 필름 및 제2 점착제층을 직경 370㎜의 원형으로 커트하여 비교예 6에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 테이프에 대하여, 이하의 평가를 행하였다. 그 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
〔SUS면 박리력 측정〕
실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 5에 관한 반도체 가공용 테이프에 사용한 각 점착 시트 A로부터 폭 25㎜×길이 300㎜의 시험편을 3점 채취하고, 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 박리하고, 그것들을 JIS R 6253에 규정하는 280번의 내수 연마지로 마무리한 JIS G 4305에 규정하는 두께 1.5㎜ 내지 2.0㎜의 SUS304 강판 상에 접착한 후, 2kg의 고무 롤러를 3왕복하여 압착하고, 1시간 방치 후, 측정값이 그 용량의 15 내지 85％의 범위에 들어가는 JIS B 7721에 적합한 인장 시험기를 사용하여 제1 점착제층의 점착력을 측정하였다. 측정은, 180° 박리법에 의한 것으로 하고, 이때의 인장 속도는 300㎜/min으로 하였다. 측정 온도는 23℃, 측정 습도는 50％였다. 또한, 각 점착 시트 B의 제2 점착제층을, 점착 시트 A로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 박리하여 노출된 제1 점착제층에 접합하고, 폭 25㎜×길이 300㎜의 시험편을 3점 채취하고, 제2 점착제층으로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 박리하여, 상기와 마찬가지로 하여 제2 점착제층의 점착력을 측정하였다. 또한, 점착 시트 C로부터 폭 25㎜×길이 300㎜의 시험편을 3점 채취하고, 제2 점착제층으로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 박리하여, 상기와 마찬가지로 하여 제2 점착제층의 점착력을 측정하였다.
〔접착제층 박리 평가〕
접합 장치(Disco사제, 상품명: DFM2700)를 사용하여, 실시예 및 비교예에 관한 반도체 가공용 테이프로부터 기재 테이프를 박리하고, 노출된 접착제층에 두께 100㎛, 직경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를 접합하였다. 실리콘 웨이퍼를 접합한 후의 실시예 및 비교예에 관한 반도체 가공용 테이프에 대하여, 접착제층의 박리의 유무를 확인하였다. 접착제층에 주름이 발생하지 않고 깨끗하게 실리콘 웨이퍼에 접합된 것을 양품으로서 「○」, 실리콘 웨이퍼에 대한 접합 시, 점착 테이프로부터 접착제층이 박리된 결과, 접착제층에 주름이 발생한 상태에서 실리콘 웨이퍼에 접합된 것을 불량품으로서 「×」로 평가하였다.
〔픽업성 평가〕
상술한 실리콘 웨이퍼에 접합한 실시예 및 비교예에 관한 반도체 가공용 테이프에 대하여, 다이싱 장치(Disco제 DFD6340)를 사용하여 실리콘 웨이퍼 및 접착제층을 15㎜×15㎜ 사이즈로 다이싱한 것과, 0.5㎜×0.5㎜ 사이즈로 다이싱한 것을 각각 준비하고, 다이스 피커 장치(캐논 머시너리사제, 상품명: CAP-300II)에 의한 픽업 시험을 행하였다.
픽업 조건은 이하와 같다.
·한 변이 0.5㎜인 정사각형으로 다이싱한 것
밀어올림 핀 형상: 반경 0.45㎜, 선단 곡률 반경 R=0.15㎜
핀 밀어올림 높이: 50㎛
핀 밀어올림 스피드: 10㎜/sec
콜릿 형상: 0.4㎜□
익스팬드 확장량: 10㎜
링 프레임: DISCO사제 형식 DTF-2-6-1(SUS420J2제)
·한 변이 15㎜인 정사각형으로 다이싱한 것
밀어올림 핀 형상: 반경 0.45㎜, 선단 곡률 반경 R=0.35㎜
핀 밀어올림 높이: 350㎛
핀 밀어올림 스피드: 10㎜/sec
콜릿 형상: 14㎜□
익스팬드 확장량: 10㎜
링 프레임: DISCO사제 형식 DTF-2-6-1(SUS420J2제)
상기 조건에서 개편화된 칩을 50개 픽업하여, 픽업 성부를 확인하였다. 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 모든 칩에 대하여 픽업 가능하였던 것을 양품으로서 「○」, 한 변이 15㎜인 정사각형에서는 칩이 1개 이상 점착제층 상에 남아 픽업이 불가능하였지만, 한 변이 0.5㎜인 정사각형에서는 모든 칩에 대하여 픽업 가능하였던 것을 허용품으로서 「△」, 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 칩이 1개라도 점착제층 상에 남아 픽업이 불가능하였지만, 픽업이 불가능하였던 칩은 실리콘 웨이퍼의 주연부에 있어서의 제2 점착제층이 존재하지 않는 부분에 대응하는 개소에 위치하는 칩만으로, 주연부 이외에 위치하는 칩에 대해서는 모두 픽업 가능하였던 것을 허용품으로서 「△△」, 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 칩이 1개라도 점착제층 상에 남아 픽업이 불가능하였던 것을 「×」로 평가하였다.
〔칩 비산 평가〕
픽업성 평가 시험을 행하였을 때, 칩의 비산의 유무를 눈으로 확인하였다. 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 모든 칩에 대하여 칩의 비산이 없었던 것을 양품으로서 「○」, 한 변이 0.5㎜인 정사각형에서는 1개 이상의 칩의 비산이 있었지만, 한 변이 15㎜인 정사각형에서는 칩의 비산이 없었던 것을 허용품으로서 「△」, 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 칩의 비산이 있었던 것을 「×」로 평가하였다.
〔링 프레임 박리 평가〕
픽업성 평가 시험을 한 후의 실시예 및 비교예에 관한 반도체 가공용 테이프에 대하여, 링 프레임으로부터의 박리의 유무를 확인하였다. 링 프레임으로부터의 박리가 없었던 것을 양품으로서 「○」, 링 프레임에 접합되어 있는 부분의 1/4 미만이 박리된 것을 허용품으로서 「△」, 점착 테이프에 있어서 링 프레임에 접합되어 있는 부분의 1/4 이상이 박리된 것을 불량품으로서 「×」로 평가하였다.
Figure pct00003
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 내지 6에 관한 반도체 가공용 테이프는, 제1 점착제층의 점착력이 제2 점착제층의 점착력보다도 크고, 접착제층의 평면 형상은 제2 점착제층의 평면 형상보다 크고, 제1 점착제층의 평면 형상은 접착제층의 평면 형상보다 크고, 제2 점착제층의 주변부에서 제1 점착제층과 상기 접착제층이 접하고 있기 때문에, 링 프레임 박리 평가 및 접착제층 박리 평가의 양쪽에 있어서 양호한 결과가 되었다. 또한, 실시예 1 내지 3에 관한 반도체 가공용 테이프는, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 제2 점착제층의 점착력은, 0.1 내지 0.6N/25㎜이고, 제1 점착제층의 점착력은, 1 내지 10N/25㎜이기 때문에, 픽업성 평가 및 칩 비산 평가에 있어서도 양호한 결과가 되었다. 실시예 4에 관한 반도체 가공용 테이프는, SUS304면에 대한 제2 점착제층의 점착력 0.1N/25㎜ 미만이기 때문에, 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 칩에 있어서 칩 비산이 발생하였지만, 허용 범위였다. 실시예 5에 관한 반도체 가공용 테이프는, SUS304면에 대한 제2 점착제층의 점착력 0.6N/25㎜ 초과이기 때문에, 한 변이 15㎜인 정사각형의 칩에 있어서 픽업 불량이 발생하였지만, 허용 범위였다. 실시예 6에 관한 반도체 가공용 테이프는, 제2 점착제층의 직경이 실리콘 웨이퍼의 직경 이하이고, 실리콘 웨이퍼의 주연부 이외에 위치하는 칩에 대해서는 모두 픽업 가능하였지만, 주연부에 있어서의 제2 점착제층이 존재하지 않는 부분에 대응하는 개소에 위치하는 칩에 있어서 픽업 불량이 발생하였다.
비교예 1 내지 5에 관한 반도체 가공용 테이프는, 제2 점착제층의 평면 형상이 접착제층의 평면 형상이 보다 크기 때문에, 접착제층 박리 평가에 있어서 뒤떨어지는 결과가 되었다. 또한, 비교예 6에 관한 반도체 가공용 테이프는, 제2 점착제층의 점착력보다도 큰 점착력을 갖는 제1 점착제층이 형성되어 있지 않기 때문에, 링 프레임 박리 평가 및 접착제층 박리 평가의 양쪽에 있어서 뒤떨어지는 결과가 되었다.
1: 반도체 가공용 테이프
2: 기재 테이프
3: 접착제층
4: 점착 테이프
41: 기재 필름
42: 제1 점착제층
43: 제2 점착제층
15: 지지 부재
W: 반도체 웨이퍼
R: 링 프레임
C: 반도체 칩

Claims (6)

  1. 기재 필름, 제1 점착제층 및 제2 점착제층이 이 순으로 마련되고,
    상기 제2 점착제층의 상기 기재 필름 및 상기 제1 점착제층과는 반대측의 면에는, 접착제층이 마련되고,
    상기 제1 점착제층의 점착력은, 상기 제2 점착제층의 점착력보다도 크고,
    상기 제1 점착제층, 상기 제2 점착제층 및 상기 접착제층은, 각각 평면 형상을 갖고,
    상기 접착제층의 평면 형상은 상기 제2 점착제층의 평면 형상보다 크고, 상기 제1 점착제층의 평면 형상은 상기 접착제층의 평면 형상보다 크고,
    상기 제2 점착제층의 주변부에서 상기 제1 점착제층과 상기 접착제층이 접하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.
  2. 제1항에 있어서,
    23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 상기 제2 점착제층의 점착력은, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 상기 제1 점착제층의 점착력은, 1 내지 10N/25㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 점착제층은, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 점착제층은, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 점착제층의 평면 형상은, 상기 접착제층에 접합되는 반도체 웨이퍼보다도 큰 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.
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