TWI793509B - 半導體加工用膠帶 - Google Patents

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Abstract

提供於拾取時，可容易從黏著劑層剝離附有接著劑層之晶片的同時，可確實黏著固定環框體，於半導體晶圓貼合時，不會產生接著劑層浮起之半導體加工用膠帶。 本案發明所成半導體加工用膠帶(1)係使基材薄膜(41)、第一黏著劑層(42)及第二黏著劑層(43)依此順序加以設置，於與第二黏著劑層(43)之基材薄膜(41)及第一黏著劑層(42)相反側之面，設置接著劑層(3)，第一黏著劑層(42)之黏著力係較第二黏著劑層(43)之黏著力為大，第一黏著劑層(42)、第二黏著劑層(43)及接著劑層(3)係各別具有平面形狀，接著劑層(3)之平面形狀係較第二黏著劑層(43)之平面形狀為大，第一黏著劑層(42)之平面形狀係較接著劑層(3)之平面形狀為大，在第二黏著劑層(43)之周邊部，第一黏著劑層(42)與接著劑層(3)則接觸為特徵者。

Description

半導體加工用膠帶
本發明係有關具有於基材薄膜上具有黏著劑層之黏貼膠帶、及於該黏著劑層上與半導體晶圓貼合之接著劑層的半導體加工用膠帶。
以往，於半導體裝置之製造工程中，個片化半導體晶圓之切割工程中，使用黏著保持半導體晶圓之黏貼膠帶。又，為了更簡略化工程，於、固定工程，提案一體化必要之晶片固定用之接著劑層的半導體加工用膠帶(例如參照專利文獻1)。
切割工程中，個片化半導體晶圓之後，個片化之晶片係於拾取工程中，經由以上推針進行上推，伴隨接著劑層，從黏著劑層剝離而拾取，於固定工程中，於引線框或封裝基板等，直接加以黏著。
近年以來，隨著IC卡之普及，期望可達半導體晶片之薄型化。為此，有將以往厚度為350μm程度之半導體晶片，下降薄至厚度50~100μm或其以下之需要。又，高積體化之追求所造成晶片尺寸之大型化亦在進展中。
薄半導體晶片係於拾取之時，提高上推針之上推高度時，會破裂之故，需將上推高度降低。結果，要將附有接著劑層之半導體晶片從黏著劑層剝離，需將黏著劑層之黏著力變低。又，尺寸為大之半導體晶片，係與黏著劑層之接觸面積為大之故，將附有接著劑層之半導體晶片從黏著劑層剝離，仍然需將黏著劑層之黏著力變低。
然而，於黏著劑層中，在切割裝置或拾取裝置，亦黏貼有為了保持半導體晶圓之環框體。如上所述，黏著劑層之黏著力降低時，環框體則會有從黏著劑層剝落之疑慮。特別是，有將半導體晶圓及環框體黏貼於半導體加工用膠帶，進行某個程度之期間保管的情形，於此時，會有提高環框體從黏著劑層剝落之疑慮。
為解決如上述之課題，揭示有經由將紫外線硬化型之接著劑層，配合黏著劑層之大小，進行預先硬化，以降低黏著力，於拾取之時，使從黏著劑層容易剝離附有接著劑層之晶片，未照射黏著劑層之紫外線，在黏著力大部分，可確實黏著固定環框體之切割・晶片黏合薄膜(例如，參照專利文獻2)。
又，揭示具有基材層、第1黏著劑層及第2黏著劑層以此順序層積之切割膠帶、和層積於切割膠帶之第2黏著劑層上之半導體背面用薄膜，令第1黏著劑層與第2黏著劑層之間之剝離強度Y為0.2~10N/20mm，令第2黏著劑層與半導體背面用薄膜之間之剝離強度X為0.01~0.2N/20mm之切割膠帶一體型半導體背面用薄膜(例如參照專利文獻3)。
該切割膠帶一體型半導體背面用薄膜中，令剝離強度X為0.01~0.2N/20mm之故，可充分確保切割時之保持力的同時，可防止切割時之半導體背面用薄膜之翻起，有效防止半導體晶片之污染，且提升拾取時之剝離容易性。
更且，該切割膠帶一體型半導體背面用薄膜中，令前述剝離強度Y為0.2~10N/20mm之故，可提升切割時之環框體之密合性，又可充分確保半導體晶圓之保持力的同時，可防止第1黏著劑層與第2黏著劑層間之剝離所造成第2黏著劑層之黏著劑之半導體背面用薄膜之轉移(糊殘留)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-218571號公報 [專利文獻2]日本特許第4717085號公報 [專利文獻3]日本特開2012-33637號公報
但是，關於專利文獻2之切割・晶片黏合薄膜中，難以僅於黏著劑層之所期望之範圍，正確照射紫外線之故，為了實現如此切割・晶片黏合薄膜，在所期望之範圍以外之部分，會有施加遮蔽等之工程變得複雜之問題。
又，關於專利文獻3之切割膠帶一體型半導體背面用薄膜中，於較對應於半導體背面用薄膜之黏貼部分的部分為大，且較第1黏著劑層之整面為小之部分，形成第2黏著劑層，或僅於對應於半導體背面用薄膜之黏貼部分的部分，形成第2黏著劑層。為此，於半導體晶圓貼合切割膠帶一體型半導體背面用薄膜之工程中，剝離被覆切割膠帶一體型半導體背面用薄膜之接著劑層側之面的剝離薄膜之時，或經由貼合裝置，在於切割膠帶一體型半導體背面用薄膜施加張力之時，剝離力低之第2黏著劑層與半導體背面用薄膜之間，產生部分性剝離，接著劑層則浮起，在貼合於半導體晶圓之時，會有在於黏著劑層產生皺紋之狀態加以貼合之問題。
在此，本發明係提供於拾取時，可容易從黏著劑層剝離附有接著劑層之晶片的同時，可確實黏著固定環框體，於半導體晶圓貼合時，不會產生接著劑層浮起之半導體加工用膠帶為目的。 [為解決課題之手段]
為了解決上述課題，本案發明所成半導體加工用膠帶係使基材薄膜、第一黏著劑層及第二黏著劑層依此順序加以設置，於與前述第二黏著劑層之前述基材薄膜及前述第一黏著劑層相反側之面，設置接著劑層，前述第一黏著劑層之黏著力係較前述第二黏著劑層之黏著力為大，前述第一黏著劑層、前述第二黏著劑層及前述接著劑層係各別具有平面形狀前述接著劑層之平面形狀係較前述第二黏著劑層之平面形狀為大，前述第一黏著劑層之平面形狀係較前述接著劑層之平面形狀為大，在前述第二黏著劑層之周邊部，前述第一黏著劑層與前述接著劑層則接觸為特徵者。
上述半導體加工用膠帶係在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之前述第二黏著劑層之黏著力為0.1~0.6N/25mm為佳。
又，上述半導體加工用膠帶係在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之前述第一黏著劑層之黏著力為1~10N/25mm為佳。
又，上述半導體加工用膠帶係前述第一黏著劑層係不會經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型為佳。
又，上述半導體加工用膠帶係前述第二黏著劑層係不會經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型為佳。
又，上述半導體加工用膠帶係前述第二黏著劑層之平面形狀較貼合於前述接著劑層之半導體晶圓為大者為佳。 [發明效果]
根據本發明時，可提供於拾取時，可容易從黏著劑層剝離附有接著劑層之晶片的同時，可確實黏著固定環框體，於半導體晶圓貼合時，不會產生接著劑層浮起之半導體加工用膠帶。
以下，對於本發明之實施形態，詳細加以說明。
關於本發明之實施形態之半導體加工用膠帶1係如圖1所示，具有基材薄膜41和設於基材薄膜41上之第一黏著劑層42和設於第一黏著劑層42上之第二黏著劑層43所成黏貼膠帶4，於第二黏著劑層43上，設有接著劑層3。
本發明之半導體加工用膠帶1係如圖1、2所示，基材薄膜41及第一黏著劑層42係切斷成對應於環框體R(參照圖3~7)之平面形狀(預切割加工)。將具有此平面形狀之基材薄膜41及第一黏著劑層42稱之為第一標籤部4a1。接著劑層3係切斷成對應於半導體晶圓之平面形狀(預切割加工)，第二黏著劑層43係切斷成較黏著劑層3小尺寸之平面形狀(預切割加工)。將具有此平面形狀之第二黏著劑層43稱之為第二標籤部4a2。
本發明之半導體加工用膠帶1係將具有上述之平面形狀之接著劑層3、複數形成層積第二標籤部4a2及第一標籤部4a1之層積體之長度之基材膠帶2，係捲繞成滾軸狀之形態為佳，本實施之形態中，雖捲繞成滾軸狀，亦可為設於基材膠帶2之層積體一個一個被切斷之形態。
半導體加工用膠帶1係具有基材膠帶2，於基材膠帶2上，設置具有特定之平面形狀之接著劑層3、和具有第二標籤部4a2及第一標籤部4a1與包圍該第一標籤部4a1之外側的周邊部4b的黏貼膠帶4。周邊部4b係由基材薄膜41及第一黏著劑層42所構成。於與設置基材膠帶2之接著劑層3之面相反側之面之短邊方向兩端部，沿著長度方向，設置支持構件15。
第一標籤部4a1係具有對應於切割用之環框體R之形狀。環框體R係環形狀。對應於環框體R之形狀的形狀係與環框體R之內側略同形狀，較環框體R內側之大小為大之相似形為佳。又，可並不一定為圓形，接近圓形之形狀為佳，為圓形則更佳。周邊部4b係包含完全包圍第一標籤部4a1之外側的形態、和如圖所示完全不包圍之形態。然而，周邊部4b雖可不加以設置，如設置之時，在捲繞成滾軸狀之形態下，可分散施加於標籤部4a之捲繞張力。
接著劑層3係具有特定之平面形狀，此平面形狀係於黏貼膠帶4之第一標籤部4a1之周緣部，貼合環框體R，可以拾取裝置之上推構件上推，成為較標籤部4a為小之形狀。接著劑層3係與第一標籤部4a1略同之形狀，較第一標籤部4a1之大小為小之相似形狀為佳。接著劑層3係可並不一定為圓形，接近圓形之形狀為佳，為圓形者則更佳。
第二標籤部4a2係成為較接著劑層3之平面形狀為小之形狀。第二標籤部4a2係與接著劑層3略同之形狀，較接著劑層3之大小為小之相似形狀為佳。第二標籤部4a2係可並不一定為圓形，接近圓形之形狀為佳，為圓形者則更佳。又，較貼合於接著劑層3之半導體晶圓W(參照圖3)為大之形狀為佳。
又，第二標籤部4a2係較貼合於接著劑層3之半導體晶圓W為大之形狀為佳。第二標籤部4a2較半導體晶圓W為小之時，對應於不存在半導體晶圓W之周緣部之第二標籤部4a2之部分的處所中，會有無法拾取半導體晶片C之疑慮。
接著劑層3之平面形狀係較第二黏著劑層43之平面形狀(第二標籤部4a2)為大，第一黏著劑層之平面形狀(第一標籤部4a1)係較接著劑層3之平面形狀為大之故，在第二黏著劑層43之周邊部，第一黏著劑層42與接著劑層3則接觸黏貼。
以下，對於各構成要素加以詳述。
(基材薄膜41) 做為基材薄膜41，雖未特別加以限制，可使用公知之塑膠等之樹脂。一般而言，做為基材薄膜41，可使用熱塑性之塑膠薄膜。做為使用之基材薄膜41係聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、及如聚丁烯之聚烯烴、苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氫化丁二烯-苯乙烯共聚物及如苯乙烯-氫化異戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物之熱塑性彈性體、乙烯-醋酸乙烯基共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、及如乙烯-(甲基)丙烯酸金屬鹽系離子交聯聚合物之乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等之工程塑料、軟質聚氯乙烯、半硬質聚氯乙烯、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、天然橡膠以及合成橡膠等之高分子材料為佳。又，混合選自此等群之2種以上者，或複層化者亦可，可經由與黏著劑層3之黏著性任意加以選擇。
基材薄膜41係可使用市售者，亦可經由一般方法而製膜者。基材薄膜41之厚度係與通常之切割用黏貼膠帶之基材薄膜41沒有特別不同。通常為30~200μm，更佳為50~150μm。
在接觸於基材薄膜41之第一黏著劑層42之面，為了提升密合性，施以電暈處理，或施以塗裝等之處理亦可。
(第一黏著劑層42) 第一黏著劑層42係不會經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型為佳。
做為使用於不經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型之第一黏著劑層42之樹脂，係可使用包含由(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位、和由丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯及/或丙烯酸2-羥丁酯引導之構成單位，將包含由該(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位之共聚物，經由異氰酸酯化合物交聯者。
第一黏著劑層42係在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之黏著力為1~10N/25mm為佳，更佳為5~8N/25mm。
第一黏著劑層42之對於SUS304面之黏著力不足1N/25mm之時，第一黏著劑層42與接著劑層3之間，會有產生剝離之疑慮。第一黏著劑層42之對於SUS304面之黏著力超過10N/25mm之時，會有產生對於環框體R之糊殘留之疑慮。
於本發明中，第一黏著劑層42之黏著力係第一黏著劑層42設於基材薄膜41上之狀態之黏著力。
為使對於SUS304面之黏著力在上述範圍內，使用包含70~90重量%烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯單體，和10~30質量%之丙烯酸2-羥丙酯所構成羥值為45~100之丙烯酸系共聚物、和數均分子量為3000~10000之聚環氧丙烷，使用異氰酸酯系交聯刻加以交聯者為佳。
在此，做為烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯單體，可列舉(甲基)丙烯酸丁基、(甲基)丙烯酸己基、(甲基)丙烯酸辛基、(甲基)丙烯酸2-甲基丙基、(甲基)丙烯酸2-甲基丁基、(甲基)丙烯酸2-乙基丁基、(甲基)丙烯酸2-甲基己基、(甲基)丙烯酸2-乙基己基、(甲基)丙烯酸1.2-二甲基丁基、(甲基)丙烯酸月桂基等，其中又以烷基之碳數為8以上者為佳。
於形成上述黏著劑之共聚物中，由烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位係包含70~90質量%為佳。由(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位過多之時，黏著劑之交聯點變少，無法得充分之特性，過少之時，混合黏著劑組成物，塗佈至基材薄膜41之可使用時間會變短，在製造本發明之半導體加工用膠帶1時，會產生障礙。
又，做為含有交聯性之官能基之單體，使用丙烯酸2-羥丙酯，做為構成單位，含10~30質量%為佳。使用較丙烯酸2-羥丙酯鏈長為短之丙烯酸2-羥乙酯等之含官能基單體時，交聯反應則快速，可使用時間變短，在製造本發明之半導體加工用膠帶1時會產生障礙，使用丙烯酸2-羥丁酯鏈長為長之單體時，交聯反應之進行變慢，交聯反應之完成會有產生極端長期化之問題。又，含有官能基單體不足10質量%之時，極性為低，對於被附著體之密合性會下降，環框體R會產生剝落，超過30%質量時，相反對於被附著體之密合性則過度，於環框體R會有產生附著黏著劑之殘渣之糊殘留之疑慮。
又，由烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位係70~90質量%，且含有官能基單體為丙烯酸2-羥乙酯及/或丙烯酸2-羥丙酯之丙烯酸系共聚物之羥值係45~100mgKOH/g為佳。羥值為不足45mgKOH/g之時，極性為低，對於被附著體之密合性會下降，環框體9會產生剝落，超過100mgKOH/g時，相反對於被附著體之密合性則過度，於環框體R會有產生附著黏著劑之殘渣之糊殘留之疑慮。
做為數均分子量3000~10000之聚環氧丙烷，做為數均分子量為3000~10000之時，不特別加以限制，可自公知之聚環氧丙烷中適切選擇。數均分子量不足3000時，低分子量成分轉移至被附著體表面，增加污染性，超過10000之時，與丙烯酸系共聚物之相溶性惡化，未相溶成分轉移至被附著體表面，增加污染性之故，數均分子量係3000~10000之範圍為佳。
做為聚環氧丙烷之配合量，未特別加以限制，在得到目的之黏著力之範圍內，可適切調整，對於100質量份丙烯酸系共聚物而言，可自0.5~5質量份之範圍適切加以選擇。聚環氧丙烷之配合量不足0.5份時，環框體9會產生剝落，超過5份時，有產生對於環框體R糊殘留之疑慮。
對於SUS304面之黏著力則可經由適切組合烷基之碳數、(甲基)丙烯酸烷基酯單體與丙烯酸2-羥丙酯之配合比例、羥值、聚環氧丙烷之數均分子量、聚環氧丙烷之配合比例等，加以調整。
構成黏著劑之共聚物係經由異氰酸酯化合物加以交聯。做為異氰酸酯化合物，雖未特別加以限制，例如可列舉4,4'-聯苯甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯、4,4'-聯苯醚二異氰酸酯、4,4'-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等之芳香族異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離胺酸三異氰酸酯等。具體而言，做為市售品，可使用CORONATE L(商品名，日本Polyurethane公司製)等。
第一黏著劑層42中，異氰酸酯化合物之含有量係對於共聚物100質量份而言，為2~12質量份為佳。異氰酸酯化合物不足2質量份時，交聯則不充分，凝聚性低，增加對於環框體R之糊殘留。異氰酸酯化合物超過12質量份時，混合黏著劑組成物，塗佈至基材薄膜41之可使用時間會變短，在製造本發明之半導體加工用膠帶1時，會產生障礙。
為形成第一黏著劑層42之黏著劑組成物中，依需要，例如可含有黏著賦予劑、老化防止劑、填充劑、著色劑、難燃劑、帶電防止劑、軟化劑、氧化防止劑、可塑劑、界面活性劑等之公知添加劑等。
然而，第一黏著劑層42係可具有單層之形態，具有層積之形態亦可。第一黏著劑層42係複數層之時，與接著劑層3接觸之層則在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之黏著力為1~10N/25mm為佳。
第一黏著劑層42之厚度係較佳為1~20μm，更佳為1~5μm。第一黏著劑層42不足1μm之時，與接著劑層3之黏著為弱，於半導體晶圓W貼合切割膠帶一體型半導體背面用薄膜之工程中，剝離被覆接著劑層3之基材膠帶2之時，或經由貼合裝置，在於半導體加工用膠帶施加張力之時，在於黏著力弱之第二黏著劑層43與接著劑層3之間，部分性產生剝離，接著劑層3則浮起，在貼合於半導體晶圓W之時，會有在於接著劑層3產生皺紋之狀態下貼合之疑慮。第一黏著劑層42較15μm為厚之時，密合性則過度，會有產生對於環框體R之糊殘留之疑慮。
上述中，雖對於不會經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型之黏著劑做了說明，但第一黏著劑層42係可使用經由放射線之照射而硬化之放射線硬化型之黏著劑。
放射線硬化型之黏著劑組成物之構成雖未特別加以限定，做為一個形態，於黏著劑組成物中，做為基礙樹脂，具有包含60莫爾%以上具有碳數為6~12之烷基鏈之(甲基)丙烯酸酯，且具有碘價5~30之能量線硬化性碳-碳二重結合的聚合物(A)者。然而，在此能量線係指如紫外線之光線，或電子線等之電離性放射線。
於如此聚合物(A)中，能量線硬化性碳-碳二重結合之導入量則碘價為5以上之時，在能量線照射後之黏著力之減低效果變高之部分有其優異性。更佳為10以上。又，碘價為30以下之時，能量線照射後至拾取之晶片之保持力為高，於拾取工程前之擴充時，容易擴展晶片之間隙之部分有其優異性。於拾取工程前，可充分擴展晶片之間隙時，拾取時之各晶片之畫像辨識變得容易。易於拾取之故，因而為佳。又，碳-碳二重結合之導入量為碘價5以上30以下之時，聚合物(A)本身有安定性，容易被製造，因而為佳。
更且，聚合物(A)係玻璃轉移溫度為-70℃以上時，伴隨能量線照射對於熱之耐熱性之部分有優異性，更佳為-66℃以上。又，15℃以下之時，在於表面狀態粗糙之晶圓之切割後之晶片之飛散防止效果之部分有優異性，更佳為0℃以下，更甚者為-28℃以下。
上述聚合物(A)係可以任何形式加以製造，例如可使用混合具有丙烯酸系共聚物與能量線硬化性碳-碳二重結合之化合物所得者，或具有官能基之丙烯酸系共聚物或具有官能基之甲基丙烯酸系共聚物(A1)、和可與該官能基反應之官能基、且與具有能量線硬化性碳-碳二重結合之化合物(A2)反應所得者。
其中，做為具有上述官能基之甲基丙烯酸系共聚物(A1)係例示共聚合丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等碳-碳二重結合之單體(A1-1)，和具碳-碳二重結合，且具有官能基之單體(A1-2)而得者。做為單體(A1-1)係可列舉具有碳數為6~12之烷基鏈之丙烯酸已酯、n-丙烯酸辛酯、丙烯酸異辛酯、2-乙基丙烯酸已酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸月桂酯或烷基鏈之碳數為5以下之單體、丙烯酸戊酯、n-丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、或與此等相同之甲基丙烯酸率等。
做為單體(A1-1)，愈使用烷基鏈之碳數為大之單體，玻璃轉移溫度愈低之故，經由適切選擇，可調製具有所期望之玻璃轉移溫度之黏著劑組成物。又，玻璃轉移溫度之外，在提升相溶性等之各種性能之目的下，可配合具有醋酸乙烯、苯乙烯、丙烯腈等之碳-碳二重結合之低分子化合物。此時，此等低分子化合物係在單體(A1-1)之總質量之5質量%以下之範圍內加以配合。
另一方面，做為具有單體(A1-2)之官能基，可列舉羧基、羥基、胺基、環酸酐基、環氧基、異氰酸酯基等，做為具有單體(A1-2)之具體例，可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富馬酸、鄰苯二甲酸、2-羥基烷基丙烯酸類、2-羥基烷基甲基丙烯酸類、二元醇單丙烯酸類、二元醇單甲基丙烯酸類、N-羥甲基丙烯酸醯胺、N-羥甲基甲基丙烯酸醯胺、烯丙醇、N-烷基胺基丙烯酸乙酯類、N-烷基胺基甲基丙烯酸乙酯類、丙烯酸醯胺類、甲基丙烯酸醯胺類、無水馬來酸、無水衣康酸、無水富馬酸、鄰苯二甲酸酐、丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、烯丙基縮水甘油基醚等。
更且，於化合物(A2)中，做為使用之官能基，化合物(A1)所有之官能基為羧酸基或環酸酐基之時，可列舉羥基、環氧基、異氰酸酯基等，為羥基之時，可列舉環酸酐基、異氰酸酯基等，胺基之時，可列舉環氧基、異氰酸酯基等，為環氧基之時，可列舉羧酸基、環酸酐基、胺基等，做為具體例，可列舉與單體(A1-2)之具體例所列舉者相同。又，做為化合物(A2)，可使用將聚異氰酸酯化合物之異氰酸酯基之一部分，以具有羥基或羧酸基及能量線硬化性碳-碳二重結合之單體，加以聚胺基甲酸酯化者。
然而，於化合物(A1)與化合物(A2)之反應中，可由於殘留未反應之官能基，關於酸價或羥值等之特性，製造所期望者。使聚合物(A)之羥值成為5~100，殘留OH基時，經由減少能量線照射後之黏著力，可更減少對於環框體R之糊殘留，聚合物(A)之羥值成為5以上之時，在於能量線照射後之黏著力之減低效果上優異，於100以下時，在於能量線照射後之黏著劑之流動性上優異。又，酸價為30以下時，在黏著劑之流動性上為優異。
於上述聚合物(A)之合成中，做為將反應以溶液聚合進行時之有機溶劑，雖可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系者，其中以甲苯、醋酸乙酯、異丙醇、苯基甲基賽珞蘇、乙基賽珞蘇、丙酮、甲基乙酮等，一般為丙烯酸系聚合物之優良溶媒，沸點60~120℃之溶劑為佳，做為聚合起始劑，通常使用α,α'-偶氮二異丁腈等之偶氮系、過氧化苯甲醯等之有機過氧化物系等之自由基產生劑。此時，依需要，可併用觸媒、聚合禁止劑，經由調節聚合溫度及聚合時間，可得所期望之分子量之聚合物(A)。又，有關於調節分子量，使用硫醇、四氯化碳系之溶劑為佳。然而，此反應係非限定於溶液聚合，亦可為本體聚合、懸浮聚合等其他之方法。
又，本發明之半導體加工用膠帶1中，構成第一黏著劑層42之樹脂組成物係除了聚合物(A)，具有做為交聯劑作用之化合物(B)亦可。例如，可列舉聚異氰酸酯類、三聚氰胺・甲醛樹脂、及環氧樹脂，此等係可單獨或組合2種類以上使用。此化合物(B)係與聚合物(A)或基材薄膜41反應，經由其結果所成交聯構造，於黏著劑組成物塗裝後，提升聚合物(A)及(B)為主成分之黏著劑之凝聚力。
做為聚異氰酸酯類，雖未特別加以限制，例如可列舉4,4'-聯苯甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯、4,4'-聯苯醚二異氰酸酯、4,4'-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等之芳香族異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離胺酸三異氰酸酯等，具體而言，可使用CORONATE L(日本Polyurethane公司製，商品名)等。做為三聚氰胺・甲醛樹脂，具體而言，可使用NIKALAC MX-45(三和化學股份有限公司製，商品名)、MELAN(日立化成工業股份有限公司製，商品名)等。做為環氧樹脂・可使用TETRAD-X(三菱化學股份有限公司製，商品名)等。於本發明中，尤其使用聚異氰酸酯類為佳。
令化合物(B)之添加量，成為對於聚合物(A)100質量份而言0.1質量份以上之黏著劑層係在凝聚力上為優異。更佳為0.5質量份以上。又，成為10質量份以下之黏著劑層係在塗裝時之急遽凝膠化抑制之部分上為優異，黏著劑之配合或塗佈等之作業性會變得良好。更佳為5質量份以下。
又，於本發明中，第一黏著劑層42中，包含光聚合起始劑(C)亦可。對於含於第一黏著劑層42之光聚合起始劑(C)沒有特別限制，可使用以往周知者。例如，可列舉二苯基甲酮、4,4'-二甲基胺基二苯基甲酮、4,4'-二乙基胺基二苯基甲酮、4,4'-二氯二苯基甲酮等之二苯基甲酮類、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等之苯乙酮類、2-乙基蒽醌、t-丁基蒽醌等之蒽醌類、2-氯噻吨酮、安息香乙醚、安息香異丙醚、二苯基乙二酮、2,4,5-三芳基咪唑二聚體(咯吩二聚體)、吖啶系化合物等，此係可單獨或組合2種類以上使用。做為光聚合起始劑(C)之添加量，對於聚合物(A)100質量份而言，配合0.1質量份以上為佳，0.5質量份以上為更佳。又，該上限為10質量份以下為佳，5質量份以下為更佳。
更且，於使用於本發明之能量線硬化性之黏著劑，可依需要，配合黏著賦予劑，黏著調製劑、界面活性劑等或其他之改質劑等。又，可適切添加無機化合物填料。
第一黏著劑層42係使用經由放射線之照射而硬化之放射線硬化型之黏著劑之時，放射線之照射前之在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之黏著力為1~10N/25mm為佳。
(第二黏著劑層43) 第二黏著劑層43係不會經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型為佳。
做為使用於不經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型之第二黏著劑層43之樹脂，係可使用包含由(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位、和由丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯及/或丙烯酸2-羥丁酯引導之構成單位，將包含由該(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位之共聚物，經由異氰酸酯化合物交聯者。
第二黏著劑層43係在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之黏著力為0.1~0.6N/25mm為佳，更佳為0.1~0.4N /25mm。
第二黏著劑層43之對於SUS304面之黏著力不足0.1N/25mm之時，在將半導體晶圓W切割成小尺寸之晶片C時，於切割時，晶片C則有從第二黏著劑層43剝離產生晶片飛散之疑慮。第二黏著劑層43之對於SUS304面之黏著力超過0.6N/25mm之時，在將半導體晶圓W切割成大尺寸之晶片C時，會有無法拾取附有接著劑層3之晶片C之疑慮。
於本案中，第二黏著劑層43之黏著力係於黏貼膠帶之狀態，即於半導體加工用膠帶1未設置接著劑層3之狀態之黏著力。於本實施形態中，基材薄膜41、第一黏著劑層42、第二黏著劑層43依此順序層積之狀態之黏著力。
為使對於SUS304面之黏著力在上述範圍內，使用包含70~90質量%烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯單體，和10~30質量%之丙烯酸2-羥丙酯所構成羥值為45~100之丙烯酸系共聚物、和數均分子量為3000~10000之聚環氧丙烷，使用異氰酸酯系交聯刻加以交聯者為佳。
在此，做為烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯單體，可列舉(甲基)丙烯酸丁基、(甲基)丙烯酸己基、(甲基)丙烯酸辛基、(甲基)丙烯酸2-甲基丙基、(甲基)丙烯酸2-甲基丁基、(甲基)丙烯酸2-乙基丁基、(甲基)丙烯酸2-甲基己基、(甲基)丙烯酸2-乙基己基、(甲基)丙烯酸1,2-二甲基丁基、(甲基)丙烯酸月桂基等，其中又以烷基之碳數為8以上者為佳。
於形成上述黏著劑之共聚物中，由烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位係包含70~90質量%為佳。由(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位過多之時，黏著劑之交聯點變少，無法得充分之特性，過少之時，混合黏著劑組成物，塗佈至基材薄膜41之可使用時間會變短，在製造本發明之半導體加工用膠帶1時，會產生障礙。
又，做為含有交聯性之官能基之單體，使用丙烯酸2-羥丙酯，做為構成單位，含10~30質量%為佳。使用較丙烯酸2-羥丙酯鏈長為短之丙烯酸2-羥乙酯等之含官能基單體時，交聯反應則快速，可使用時間變短，在製造本發明之半導體加工用膠帶1時會產生障礙，使用丙烯酸2-羥丁酯鏈長為長之單體時，交聯反應之進行變慢，交聯反應之完成會有產生極端長期化之問題。又，含有官能基單體不足10質量%之時，極性為低，對於被附著體之密合性會下降，產生晶片飛散，超過30質量%時，相反對於被附著體之密合性則過度，會有產生拾取不良之疑慮。
又，由烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯單體引導之構成單位係70~90質量%，且含有官能基單體為丙烯酸2-羥乙酯及/或丙烯酸2-羥丙酯之丙烯酸系共聚物之羥值係45~100mgKOH/g為佳。羥值不足45mgKOH/g之時，極性為低，對於被附著體之密合性會下降，產生晶片飛散，超過100mgKOH/g時，相反對於被附著體之密合性則過度，會有產生拾取不良之疑慮。
做為數均分子量3000~10000之聚環氧丙烷，做為數均分子量為3000~10000之時，不特別加以限制，可自公知之聚環氧丙烷中適切選擇。數均分子量不足3000時，低分子量成分轉移至被附著體表面，增加污染性，超過10000之時，與丙烯酸系共聚物之相溶性惡化，未相溶成分轉移至被附著體表面，增加污染性之故，數均分子量係3000~10000之範圍為佳。
做為聚環氧丙烷之配合量，未特別加以限制，在得到目的之黏著力之範圍內，可適切調整，對於100質量份丙烯酸系共聚物而言，可自0.5~5質量份之範圍適切加以選擇。聚環氧丙烷之配合量不足0.5份時，會產生晶片飛散，超過5份時，有產生拾取不良之疑慮。
對於SUS304面之黏著力則可經由適切組合烷基之碳數、(甲基)丙烯酸烷基酯單體與丙烯酸2-羥丙酯之配合比例、羥值、聚環氧丙烷之數均分子量、聚環氧丙烷之配合比例等，加以調整。
構成黏著劑之共聚物係經由異氰酸酯化合物加以交聯。做為異氰酸酯化合物，雖未特別加以限制，例如可列舉4,4'-聯苯甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯、4,4'-聯苯醚二異氰酸酯、4,4'-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等之芳香族異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離胺酸三異氰酸酯等。具體而言，做為市售品，可使用CORONATE L(商品名，日本Polyurethane公司製)等。
第二黏著劑層43中，異氰酸酯化合物之含有量係對於共聚物100質量份而言，為2~12質量份為佳。異氰酸酯化合物不足2質量份時，交聯則不充分，凝聚性低，增加拾取之不良。異氰酸酯化合物超過12質量份時，混合黏著劑組成物，直至製膜之可使用時間會變短，在製造本發明之半導體加工用膠帶1時，會產生障礙。
為形成第二黏著劑層43之黏著劑組成物中，依需要，例如可含有黏著賦予劑、老化防止劑、填充劑、著色劑、難燃劑、帶電防止劑、軟化劑、氧化防止劑、可塑劑、界面活性劑等之公知添加劑等。
然而，第二黏著劑層43係可具有單層之形態，具有層積之形態亦可。第二黏著劑層432係複數層之時，與接著劑層3接觸之層則在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之黏著力為0.1~0.6N/25mm為佳。
第二黏著劑層43之厚度係由拾取性之觀點視之，與第一黏著劑層42之總厚度成為5~30μm加以設定者為佳，與第一黏著劑層42之總厚度成為10~15μm加以設定者為更佳。
上述中，雖對於不會經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型之黏著劑做了說明，但第二黏著劑層43係可使用經由放射線之照射而硬化之放射線硬化型之黏著劑。
放射線硬化型之黏著劑組成物之構成雖未特別加以限定，做為一個形態，於黏著劑組成物中，做為基礙樹脂，具有包含60莫爾%以上具有碳數為6~12之烷基鏈之(甲基)丙烯酸酯，且具有碘價5~30之能量線硬化性碳-碳二重結合的聚合物(A)者。然而，在此能量線係指如紫外線之光線，或電子線等之電離性放射線。
於如此聚合物(A)中，能量線硬化性碳-碳二重結合之導入量則碘價為5以上之時，在能量線照射後之黏著力之減低效果變高之部分有其優異性。更佳為10以上。又，碘價為30以下之時，能量線照射後至拾取之晶片之保持力為高，於拾取工程前之擴充時，容易擴展晶片之間隙之部分有其優異性。於拾取工程前，可充分擴展晶片之間隙時，拾取時之各晶片之畫像辨識變得容易。易於拾取之故，因而為佳。又，碳-碳二重結合之導入量為碘價5以上30以下之時，聚合物(A)本身有安定性，容易被製造，因而為佳。
更且，聚合物(A)係玻璃轉移溫度為-70℃以上時，伴隨能量線照射對於熱之耐熱性之部分有優異性，更佳為-66℃以上。又，15℃以下之時，在於表面狀態粗糙之晶圓之切割後之晶片之飛散防止效果之部分有優異性，更佳為0℃以下，更甚者為-28℃以下。
上述聚合物(A)係可以任何形式加以製造，例如可使用混合具有丙烯酸系共聚物與能量線硬化性碳-碳二重結合之化合物所得者，或具有官能基之丙烯酸系共聚物或具有官能基之甲基丙烯酸系共聚物(A1)、和可與該官能基反應之官能基、且與具有能量線硬化性碳-碳二重結合之化合物(A2)反應所得者。
其中，做為具有上述官能基之甲基丙烯酸系共聚物(A1)係例示共聚合丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等碳-碳二重結合之單體(A1-1)，和具碳-碳二重結合，且具有官能基之單體(A1-2)而得者。做為單體(A1-1)係可列舉具有碳數為6~12之烷基鏈之丙烯酸已酯、n-丙烯酸辛酯、丙烯酸異辛酯、2-乙基丙烯酸已酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸月桂酯或烷基鏈之碳數為5以下之單體、丙烯酸戊酯、n-丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、或與此等相同之甲基丙烯酸率等。
然而，單體(A1-1)中，烷基鏈之碳數為6以上之成分係可使第二黏著劑層43與接著劑層3之剝離力變小之故，在拾取性上為優異的。又，12以下之成分係在室溫之彈性率低，第二黏著劑層43與接著劑層3之界面之黏著力上為優異的。
更且，做為單體(A1-1)，愈使用烷基鏈之碳數為大之單體，玻璃轉移溫度愈低之故，經由適切選擇，可調製具有所期望之玻璃轉移溫度之黏著劑組成物。又，玻璃轉移溫度之外，在提升相溶性等之各種性能之目的下，可配合具有醋酸乙烯、苯乙烯、丙烯腈等之碳-碳二重結合之低分子化合物。此時，此等低分子化合物係在單體(A1-1)之總質量之5質量%以下之範圍內加以配合。
另一方面，做為具有單體(A1-2)之官能基，可列舉羧基、羥基、胺基、環酸酐基、環氧基、異氰酸酯基等，做為具有單體(A1-2)之具體例，可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富馬酸、鄰苯二甲酸、2-羥基烷基丙烯酸類、2-羥基烷基甲基丙烯酸類、二元醇單丙烯酸類、二元醇單甲基丙烯酸類、N-羥甲基丙烯酸醯胺、N-羥甲基甲基丙烯酸醯胺、烯丙醇、N-烷基胺基丙烯酸乙酯類、N-烷基胺基甲基丙烯酸乙酯類、丙烯酸醯胺類、甲基丙烯酸醯胺類、無水馬來酸、無水衣康酸、無水富馬酸、鄰苯二甲酸酐、丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、烯丙基縮水甘油基醚等。
更且，於化合物(A2)中，做為使用之官能基，化合物(A1)所有之官能基為羧酸基或環酸酐基之時，可列舉羥基、環氧基、異氰酸酯基等，為羥基之時，可列舉環酸酐基、異氰酸酯基等，胺基之時，可列舉環氧基、異氰酸酯基等，為環氧基之時，可列舉羧酸基、環酸酐基、胺基等，做為具體例，可列舉與單體(A1-2)之具體例所列舉者相同者。又，做為化合物(A2)，可使用將聚異氰酸酯化合物之異氰酸酯基之一部分，以具有羥基或羧酸基及能量線硬化性碳-碳二重結合之單體，加以聚胺基甲酸酯化者。
然而，於化合物(A1)與化合物(A2)之反應中，可由於殘留未反應之官能基，關於酸價或羥值等之特性，製造所期望者。使聚合物(A)之羥值成為5~100，殘留OH基時，經由減少能量線照射後之黏著力，可更減低拾取失誤的危險性。聚合物(A)之羥值為5以上時，在於能量線照射後之黏著力之減低效果上優異，於100以下時，在於能量線照射後之黏著劑之流動性上優異。又，酸價為30以下時，在黏著劑之流動性上為優異。
於上述聚合物(A)之合成中，做為將反應以溶液聚合進行時之有機溶劑，雖可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系者，其中以甲苯、醋酸乙酯、異丙醇、苯基甲基賽珞蘇、乙基賽珞蘇、丙酮、甲基乙酮等，一般為丙烯酸系聚合物之優良溶媒，沸點60~120℃之溶劑為佳，做為聚合起始劑，通常使用α,α'-偶氮二異丁腈等之偶氮系、過氧化苯甲醯等之有機過氧化物系等之自由基產生劑。此時，依需要，可併用觸媒、聚合禁止劑，經由調節聚合溫度及聚合時間，可得所期望之分子量之聚合物(A)。又，有關於調節分子量，使用硫醇、四氯化碳系之溶劑為佳。然而，此反應係非限定於溶液聚合，亦可為本體聚合、懸浮聚合等其他之方法。
又，本發明之半導體加工用膠帶1中，構成第二黏著劑層43之樹脂組成物係除了聚合物(A)，具有做為交聯劑作用之化合物(B)亦可。例如，可列舉聚異氰酸酯類、三聚氰胺・甲醛樹脂、及環氧樹脂，此等係可單獨或組合2種類以上使用。此化合物(B)係與聚合物(A)或接著劑層3反應，經由其結果所成交聯構造，於黏著劑組成物塗裝後，提升聚合物(A)及(B)為主成分之黏著劑之凝聚力。
做為聚異氰酸酯類，雖未特別加以限制，例如可列舉4,4'-聯苯甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯、4,4'-聯苯醚二異氰酸酯、4,4'-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等之芳香族異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離胺酸三異氰酸酯等，具體而言，可使用CORONATE L(商品名，日本Polyurethane公司製)等。做為三聚氰胺・甲醛樹脂，具體而言，可使用NIKALAC MX-45(三和化學股份有限公司製，商品名)、MELAN(日立化成工業股份有限公司製，商品名)等。做為環氧樹脂・可使用TETRAD-X(三菱化學股份有限公司製，商品名)等。於本發明中，尤其使用聚異氰酸酯類為佳。
令化合物(B)之添加量，成為對於聚合物(A)100質量份而言0.1質量份以上之黏著劑層係在凝聚力上為優異。更佳為0.5質量份以上。又，成為10質量份以下之黏著劑層係在塗裝時之急遽凝膠化抑制之部分上為優異，黏著劑之配合或塗佈等之作業性會變得良好。更佳為5質量份以下。
又，於本發明中，第二黏著劑層43中，包含光聚合起始劑(C)亦可。對於含於第二黏著劑層43之光聚合起始劑(C)沒有特別限制，可使用以往周知者。例如，可列舉二苯基甲酮、4,4'-二甲基胺基二苯基甲酮、4,4'-二乙基胺基二苯基甲酮、4,4'-二氯二苯基甲酮等之二苯基甲酮類、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等之苯乙酮類、2-乙基蒽醌、t-丁基蒽醌等之蒽醌類、2-氯噻吨酮、安息香乙醚、安息香異丙醚、二苯基乙二酮、2,4,5-三芳基咪唑二聚體(咯吩二聚體)、吖啶系化合物等，此係可單獨或組合2種類以上使用。做為光聚合起始劑(C)之添加量，對於聚合物(A)100質量份而言，配合0.1質量份以上為佳，0.5質量份以上為更佳。又，該上限為10質量份以下為佳，5質量份以下為更佳。
更且，於使用於本發明之能量線硬化性之黏著劑，可依需要，配合黏著賦予劑，黏著調製劑、界面活性劑等或其他之改質劑等。又，可適切添加無機化合物填料。
第二黏著劑層43係使用經由放射線之照射而硬化之放射線硬化型之黏著劑之時，放射線之照射前之在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之黏著力為0.1~0.6N/25mm為佳。
(接著劑層3) 本發明之半導體加工用膠帶1中，接著劑層3係貼合半導體晶圓W，切割之後，於拾取晶片C時，從黏著劑層43剝離，附著於晶片C者。然後，做為將晶片C固定於基板或引線框時之黏著劑使用。
接著劑層3係雖未特別加以限定，於半導體晶圓一般使用之薄膜狀黏著劑即可，例如列舉含有熱可塑性樹脂及熱聚合性成分所成者。使用於本發明之接著劑層3之上述熱可塑性樹脂係具有熱塑性之樹脂，或於未硬化狀態具有熱塑性，於加熱後形成交聯構造之樹脂為佳，雖未特別加以限制，做為一個形態，可列舉重量平均分子量為5000~200,000且玻璃轉移溫度為0~150℃之熱可塑性樹脂。又，做為另一個形態，可列舉重量平均分子量為100,000~1,000,000且玻璃轉移溫度為-50~20℃之熱可塑性樹脂。
做為前者之熱可塑性樹脂，例如可列舉聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂等，其中，使用聚醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂為佳，做為後者之熱可塑性樹脂，使用包含官能基之聚合物為佳。
聚醯亞胺樹脂係可將四羧酸二酐與二胺以公知之方法縮合反應而得。即，於有機溶媒中，使用等莫爾或幾近等莫爾四羧酸二酐與二胺（各成分之添加順序為任意），反應溫度80℃以下，較佳為0~60℃下附加反應。伴隨進行反應，反應液之黏度則漸漸上昇，生成聚醯亞胺之先驅體之聚醯胺酸。此聚醯胺酸係可經由以50~80℃之溫度加熱，解聚合，調整該分子量。聚醯亞胺樹脂係脫水閉環上述反應物(聚醯胺酸)而得。脫水閉環係可以加熱處理之熱閉環法，和使用脫水劑之化學閉環法進行。
做為聚醯亞胺樹脂之原料使用之四羧酸二酐，未特別加以限定，例如可使用1,2-(乙烯)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,3-(三亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,4-(四亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,5-(五亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,6-(六亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,7-(七亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,8-(八亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,9-(九亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,10-(十亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,12-(十二亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,16-(十六亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、1,18-(十八亞甲基)二(偏苯三酸酯酸酐)、均苯四甲酸二酐、3,3'、4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,2'、3,3'-聯苯四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)磺酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、均苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,2',3'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘基-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘基-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-二氯萘基-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲基-1,8,9,10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,2',3'-聯苯四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲基苯基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)聯苯矽烷二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯基二甲基矽基)苯二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二環己烷二酐、p-苯基二(偏苯三酸酯酸酐)、乙烯四羧酸二酐、1,2,3,4-丁基四羧酸二酐、十氫化萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、雙(外-二環[2,2,1]庚烷-2,3-二羧酸二酐、二環-[2,2,2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4'-雙(3,4-二羧酸苯氧基)二苯硫醚二酐、1,4-雙(2-羥基六氟異丙基)苯基雙(偏苯三甲酸酐)、1,3-雙(2-羥基六氟異丙基)苯基雙(偏苯三甲酸酐)、5-(2,5-二含氧基四氢呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸二酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐等，亦可併用此等1種或2種以上。
又，做為聚醯亞胺之原料之二胺，未特別加以限制，例如使用o-苯二胺、ｍ-苯二胺、p-苯二胺、3,3'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基二苯醚、3,3'-二胺基二苯甲烷、3,4'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基二苯醚甲烷、雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷、雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷、3,3'-二胺基二苯基二氟甲烷、3,4'-二胺基二苯基二氟甲烷、4,4'-二胺基二苯基二氟甲烷、3,3'-二胺基二苯基碸、3,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯硫醚、3,4'-二胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基二苯硫醚、3,3'-二胺基二苯基酮、3,4'-二胺基二苯基酮、4,4'-二胺基二苯基酮、2,2-雙(3-胺基苯基)丙烷、2,2'-(3,4'-二胺基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4'-二胺基二苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、3,3'-(1,4-亞苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、3,4'-(1,4-亞苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、4,4'-(1,4-亞苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)二苯硫醚、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)二苯硫醚、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)碸、3,5-二胺基安息香酸等之芳香族二胺、1,2-二胺基乙烷、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷、1,12-二胺基十二烷、1,2-二胺基環己烷、下述一般式(1)所表示二胺基聚矽氧烷、1,3-雙(胺基甲基)環己烷、SANTECNOCHEMICAL股份有限公司製JEFFAMINE D-230,D-400,D-2000,D-4000,ED-600,ED-900,ED-2001,EDR-148等之聚含氧基亞烷基二胺等之脂肪族二胺等。亦可併用此等1種或2種以上。做為上述聚醯亞胺樹脂之玻璃轉移溫度，0~200℃為佳，做為重量平均分子量，1萬~20萬為佳。
Figure 02_image001
(式中、R1 及R2 係顯示碳原子數1~30之二價之碳化氫基，各別可為相同或不同，R3 及R4 係顯示一價之碳化氫基，各別可為相同或不同，m係1以上之整数)
上述其他較佳之熱可塑性樹脂之一個之苯氧基樹脂係經由使各種雙酚與環氧氯丙烷反應之方法，或液狀環氧樹脂與雙酚反應之方法所得之樹脂為佳，做為雙酚，可列舉雙酚A、雙酚雙酚AF、雙酚AD、雙酚F、雙酚S。苯氧基樹脂係與環氧樹脂構造類似之故，與環氧樹脂之相溶性佳，適於在黏著薄膜賦予良好之黏著性。
做為本發明所使用之苯氧基樹脂，例如列舉具有下述一般式(2)所示之重覆單位之樹脂。
Figure 02_image003
於上述一般式(2)中，X係顯示單結合或2價之連結基。做為2價之連結基，可列舉亞烷基、亞苯基、-O-、-S-、-SO-或-SO2 -。在此，亞烷基係碳數1~10之亞烷基為佳，更佳為-C(R1 )(R2 )-。R1 、R2 係表示氫原子或烷基，做為該烷基係碳數1~8之直鏈或分支之烷基為佳，例如可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、異辛基、2-乙基己基、1,3,3-三甲基丁基等。又，該烷基係可以鹵素原子置換，例如可列舉三氟甲基。X係亞烷基、-O-、-S-、芴基或-SO2 -為佳，更佳為亞烷基、-SO2 -。其中，以-C(CH3 )2 -、-CH(CH3 )-、-CH2 -、-SO2 -為佳，較佳為-C(CH3 )2 -、-CH(CH3 )-、-CH2 -，更佳為-C(CH3 )2 -。
上述一般式(2)所示苯氧基樹脂係只要具有重覆單位，可為具有複數上述一般式(2)之X為不同之重覆單位之樹脂，亦可僅為由X為相同之重覆單位構成。於本發明中，X僅為相同重覆單位所構成之樹脂為佳。
又，於上述一般式(2)所示苯氧基樹脂，含有羥基、羧酸基等之極性置換基時，與熱聚合性成分之相溶性則提升，可賦予均勻之外觀或特性。
苯氧基樹脂之質量平均分子量為5000以上時，在薄膜形成性上為優異。較佳為10,000以上，更佳為30,000以上。又，質量平均分子量為150,000以下時，在於加熱壓接時之流動性或與其他之樹脂之相溶性上為佳。更佳為100,000以下。又，玻璃轉移溫度為-50℃以上時，在薄膜形成性上為優異，較佳為0℃以上，更佳為50℃以上。玻璃轉移溫度為150℃時，晶片接合時之接著劑層13之黏著力為優異，較佳為120℃以下，更佳為110℃以下。
另一方面，做為含上述官能基之聚合物之官能基，例如列舉環氧丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、羧基、異氰尿酸酯基、胺基、醯胺基等，其中以環氧丙基為佳。
做為含上述官能基之高分子量成分，例如列舉含有環氧丙基、羥基、羧基等之官能基之(甲基)丙烯酸共聚物等。
做為上述(甲基)丙烯酸共聚物係例如可使用(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸橡膠等，以丙烯酸橡膠為佳。丙烯酸橡膠係以丙烯酸酯為主成分，主要由丙烯酸丁酯與丙烯腈等之共聚物、或丙烯酸乙酯與丙烯腈等之共聚物等所成之橡膠。
做為官能基，含有環氧丙基時，含環氧丙基反復單位之量係0.5~6.0重量%為佳，較佳為0.5~5.0重量%，更佳為0.8~5.0重量%。含環氧丙基基之反復單位係指含有環氧丙基基之(甲基)丙烯酸共聚物之構成單體，具體而言，為丙烯酸環氧丙酯或甲基丙烯酸環氧丙酯。含有環氧丙基反復單位之量為此範圍之時，可確保黏著力的同時，可防止凝膠化。
做為丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯以外之上述(甲基)丙烯酸共聚物之構成單體，例如可列舉乙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯等，此等係可單獨或組合2種以上使用。然而，於本發明中，乙基(甲基)丙烯酸酯係顯示丙烯酸乙酯及/或甲基丙烯酸乙酯。組合官能性單體使用之場合之混合比率係考量(甲基)丙烯酸共聚物之玻璃轉移溫度加以決定即可。令玻璃轉移溫度為-50℃以上之時，在於薄膜形成性為優異，在可抑制常溫之過度之黏著之部分為佳。常溫之黏著力過度之時，接著劑層之處理會變得困難。較佳為-20℃以上，更佳為0℃以上。又，玻璃轉移溫度為30℃以下時，晶片接合時之接著劑層之黏著力為優異，較佳為20℃以下。
聚合上述單體，製造含官能性單體之高分子量成分之時，做為該聚合方法，雖未特別加以限制，可使用珠狀聚合、溶液聚合等之方法，其中以珠狀聚合為佳。
於本發明中，含官能性單體之高分子量成分之重量平均分子量為100,000以上時，，在薄膜形成性上為優異，較佳為200,000以上，更佳為500,000以上。又，重量平均分子量調整為2,000,000以下時，在晶片接合時之接著劑層3之加熱流動性提升上為優異。提升晶片接合時之接著劑層3之加熱流動性時，接著劑層3與被附著體之密合則變得良好，可提升黏著力，又，埋入被附著體之凹凸而易於抑制氣泡。較佳為1,000,000以下，更佳為800,000以下，成為500,000以下時，更可獲得大的效果。
又，做為熱聚合成分，只要是經由熱而聚合者，不特別加以限制，例如可列舉具有環氧丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、羧基、異氰尿酸酯基、胺基、醯胺基等之官能基之化合物與觸發材料，此等雖可單獨或組合2種以上使用，考量做為接著劑層3之耐熱性時，經由熱而硬化及於黏著作用之熱硬化性樹脂，伴隨硬化劑、促進劑含有者為佳。做為熱硬化性樹脂，例如可列舉環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂、酚醛樹脂、熱硬化型聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素甲醛樹脂等，尤其在獲得耐熱性、作業性、可靠性優異之接著劑層之部分，使用環氧樹脂為最佳。
上述之環氧樹脂係只要硬化具有黏着作用者。則沒有特別之限制，可使用雙酚A型環氧基等之二官能環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂或甲酚酚醛型環氧樹脂等之酚醛型環氧樹脂等。又，可適用多官能環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、含雜環環氧樹脂或脂環式環氧樹脂等一般所熟知者。
做為上述之雙酚A型環氧樹脂，可列舉三菱化學股份有限公司製epikote系列(epikote807、epikote815、epikote825、epikote827、epikote828、epikote834、epikote1001、epikote1004、epikote1007、epikote1009)、陶氏化學公司製，DER-330、DER-301、DER-361、及新日鐵住金化學股份有限公司製、YD8125、YDF8170等。做為上述之酚酚醛型環氧樹脂，可列舉三菱化學股份有限公司製epikote152、epikote154、日本化藥股份有限公司製之EPPN-201、陶氏化學公司製之DEN-438等，又，做為上述之o-甲酚酚醛型環氧樹脂，可列舉日本化藥股份有限公司製之EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027、或新日鐵住金化學股份有限公司製、YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704等。做為上述多官能環氧樹脂，可列舉三菱化學股份有限公司製之Epon1031S、Ciba Speciality Chemiacls公司製之ARALDITE0163、NAGASECHEMTEX股份有限公司製之DENACOL EX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411、EX-321等。做為上述之胺型環氧樹脂，可列舉三菱化學股份有限公司製epikote604、東都化成股份有限公司製之YH-434、三菱氣體化學股份有限公司製之TETRAD-X及TETRAD-C、住友化學股份有限公司製之ELM-120等。做為上述含雜環環氧樹脂，可列舉Ciba Speciality Chemiacls公司製之ARALDITE PT810、UCC公司製之ERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等。此等環氧樹脂係可單獨或組合2種類以上使用。
為硬化上述熱硬化性樹脂，可適宜添加添加劑。做為如此添加劑，例如可列舉硬化劑、硬化促進劑、觸媒等，添加觸媒之時，可依需要使用促進劑。
於上述熱硬化性樹脂使用環氧樹脂時，使用環氧樹脂硬化劑或硬化促進劑為佳，併用此等為更佳。做為硬化劑，例如列舉酚樹脂、雙氰胺、三氟化硼錯合物、有機醯肼化合物、胺類、聚醯胺樹脂、咪唑化合物、尿素或硫脲化合物，聚硫醇化合物、令巰基在於末端之聚二苯硫醚樹脂、酸酐、光・紫外線硬化劑。此等係可單獨或併用或2種以上使用。 其中，做為三氟化硼錯合物，可列舉與種種之胺基化合物(較佳為1級胺基化合物)之三氟化硼-胺基錯合物，做為有機醯肼化合物，可列舉間苯二甲醯肼。
做為酚醛樹脂，例如可列舉酚酚醛樹脂、酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛樹脂、tert-丁基酚酚醛樹脂、壬基酚酚醛樹脂等之酚醛型酚醛樹脂、可溶酚醛型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等之聚對羥基苯乙烯等。其中，以分子中至少具有2個之酚性羥基之酚系化合物為佳。
做為上述分子中至少具有2個之酚性羥基之酚系化合物，例如可列舉酚酚醛樹脂、甲酚酚醛樹脂、t-丁基酚酚醛樹脂、雙環戊二烯甲酚酚醛樹脂、雙環戊二烯酚酚醛樹脂、亞二甲苯基改性酚酚醛樹脂、萘酚酚醛樹脂、三酚酚醛樹脂、四酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂、聚-p-乙烯基酚樹脂、酚芳烷基樹脂等。更且。此等之酚醛樹脂中酚酚醛樹脂、酚芳烷基樹脂為更佳，可提升連接可靠性。
做為胺基類、例示有鏈狀脂肪族胺(二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、六亞甲基二胺、N,N-二甲基丙胺、苄基二甲胺、2-(二甲胺基)酚、2,4,6-三(二甲胺基甲基)酚、m-二甲苯二胺等)、環狀脂肪族胺(N-胺基乙基哌嗪、雙(3-甲基-4-胺基環己基)甲烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、Mensen二胺、異佛爾酮二胺、1,3-雙(胺基甲基)環己烷等)、多環胺(哌嗪、N,N-二甲基哌嗪、三亞乙基二胺、三聚氰胺、胍胺等)、芳香族胺(間苯二胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、二胺基、4,4'-二胺基二苯碸等)、聚醯胺樹脂、(聚醯胺胺為佳，二體酸與聚胺之縮合物)、咪唑化合物(2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-n-十七烷咪唑、1-腈基乙基-2-十一烷咪唑・偏苯三酸酯、環氧・咪唑附加體等)、尿素或硫脲化合物(N,N-二烷基尿素化合物、N,N-二烷基硫脲化合物等)、聚硫醇化合物、在末端具有巰基之聚二苯硫醚樹脂、酸酐(甲基四氫鄰苯二甲酸酐等)、光・紫外線硬化劑(二苯基碘鎓六氟磷酸鹽、三苯基鋶六氟磷酸鹽等)。
做為上述硬化促進劑，只要是硬化熱硬化性樹脂者，則不特別加以限制，例如可列舉咪唑類、雙氰胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯基膦、四苯基硼四苯基磷、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基磷、1,8-二氮雜二環[5.4.0]十一烯-7-四苯基磷等。做為咪唑類，可列舉咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-乙基咪唑、1-苄基-2-乙基-5-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基二甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑等。
環氧樹脂用硬化劑或硬化促進劑之接著劑層中之含有量未特別加以限制，最佳含有量係由於硬化劑或硬化促進劑之種類而不同。
前述環氧樹脂與酚醛樹脂之配合比例係例如每1當量前述環氧樹脂成分中之環氧基，酚醛樹脂中之羥基成為0.5~2.0當量加以配合為佳。更佳為0.8~1.2當量。即，兩者之配合比例超出前述範圍時，無法進行充分硬化反應，易於劣化接著劑層3之特性。其他之熱硬化性樹脂與硬化劑係於一實施形態中，對於熱硬化性樹脂100質量份而言，硬化劑為0.5~20質量份，於其他之實施形態中，硬化劑為1~10質量份。硬化促進劑之含有量係較硬化劑之含有量為少者為佳，對於熱硬化性樹脂100質量份而言，硬化促進劑為0.001~1.5質量份為佳，0.01~0.95質量份則更佳。經由調整於前述範圍，可輔助充分之硬化反應之進行。觸媒之含有量係對於熱硬化性樹脂100質量份而言，0.001~1.5質量份為佳，0.01~1.0質量份則更佳。
又，本發明之接著劑層3係對應於該用途，可適宜配合填料。由此，可達成未硬化之狀態之接著劑層3之切割性之提升、處理性之提升、熔融黏度之調整、觸變性之賦予、更且硬化狀態之接著劑層3之熱傳導性之賦予、黏著力之提升。 做為本發明所使用之填料，以無機填料為佳。做為無機填料無特別之限制，例如可使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶性矽石、非晶性矽石、銻氧化物等。又，此等亦可單體或混合2種以上使用。
又，上述之無機填料中，從熱傳導性提升之觀點視之，使用氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶性矽石、非晶性矽石等為佳。又，從熔融黏度之調整或觸變性之賦予之觀點視之，使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、結晶性矽石、非晶性矽石等為佳。又，從切割性提升之觀點視之，使用氧化鋁、矽石等為佳。
填料之含有比例為30質量%以上時，在打線接合性上優異。於打線接合時，黏著打線之晶片之接著劑層3之硬化後之貯藏彈性率在170℃下，調整成20~1000MPa之範圍佳，填料之含有比例為30質量%以上時，易於調整於接著劑層3之硬化後之貯藏彈性率之範圍。又，填料之含有比例為75質量%以下時，在薄膜形成性、晶片接合時之接著劑層3之加熱流動性上為優異。提升晶片接合時之接著劑層3之加熱流動性時，接著劑層3與被附著體之密合則變得良好，可提升黏著力，又，埋入被附著體之凹凸而易於抑制氣泡。較佳為70質量%以下，更佳為60質量%以下。
本發明之接著劑層3係做為上述填料，可包含平均粒徑不同之2種以上之填料。此時，相較於使用單一之填料之時，於薄膜化前之原料混合物中，可容易防止填料之含有比例高時之黏度上昇或填料之含有比例低時之黏度下降，易於得良好之薄膜形成性，最佳控制未硬化之接著劑層3之流動性的同時，於接著劑層3之硬化後，易於獲得優異之黏著力。
(基材膠帶2) 基材膠帶2係為了保護接著劑層3之目的而設，為了將半導體加工用膠帶1切斷成特定之形狀容易進行標題加工之目的而設，又為了使接著劑層3平滑之目的而設。做為基材膠帶2之構成材料，可列舉紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等之合成樹脂薄膜等。於基材膠帶2之表面，為提高自接著劑層3之剝離性，依需要施以聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等之剝離處理亦可。又，依需要，黏著薄片不會經由環境紫外線反應，施以紫外線防止處理亦可。基材膠帶2之厚度係通常為10~100μm，較佳為25~50μm程度。
(支持構件15) 支持構件15係在與設置基材膠帶2之接著劑層3及黏著薄膜4之面相反之面，且，設於基材膠帶2之短邊方向兩端部，具有接著劑層3及第二黏著劑層43之厚度之1.0倍以上4.0倍以下之厚度。如此，經由設置支持構件15，將半導體加工用膠帶1捲繞成滾軸狀之時，分散施加於膠帶之捲繞壓，或可集中於支持構件15之故，接著劑層3與黏著薄膜4之標籤部4a1、4a2之層積部分、和黏著薄膜4之周邊部4b之階差則重合，可抑制於柔軟之接著劑層3表面，階差被轉印之轉印痕跡之形成。
支持構件15係雖可沿著基材膠帶2之長度方向，斷續地或連續地加以設置，從更有效果抑制轉印痕跡之產生之觀點視之，沿著基材膠帶2之長度方向，連續地加以設置為佳。
做為支持構件15，例如可適切使用於樹脂薄膜基材塗佈黏著劑之黏著膠帶。將如此黏著膠帶，經由黏貼於基材膠帶2之兩端部分之特定位置，可形成本實施形態之半導體加工用膠帶1。
做為黏著膠帶之基材樹脂，只要是可承受捲繞壓者則不特別加以限制，從耐熱性、平滑性、及易於入手之觀點視之，選自聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、及高密度聚乙烯者為佳。 對於黏著膠帶之黏著劑之組成及物性，則不特別加以限制，於半導體加工用膠帶1之捲繞工程及保管工程中，只要不從基材膠帶2剝離者即可。
(半導體加工用膠帶1之製造方法) 接著，對於有關本實施之形態之半導體加工用膠帶1之製造方法之一例加以說明。
首先，形成長冊薄膜狀之接著劑層3。接著劑層3係調製樹脂組成物，利用形成於薄膜狀之層之慣用方法加以形成。具體而言，例如可列舉於適當之間隔件(剝離紙等)上，塗佈上述之樹脂組成物加以乾燥(在需要熱硬化時等，依需要施以加熱處理進行乾燥)，形成接著劑層3之方法。前述樹脂組成物係可為溶液，亦可為分散液。
接著，將接著劑層3，使用壓切刀等預切割成上述之平面形狀，將周邊之不要部分，從間隔件剝離除去，將複數之平面形狀之接著劑層3連續於長冊之間隔件上加以形成。之後，將接著劑層3轉印於長冊之基材膠帶2。然而，接著劑層3係於長冊之基材膠帶2上，塗裝樹脂組成物，預切割成平面形狀亦可。
另外，形成長冊薄膜狀之第二黏著劑層43。第二黏著劑層43係調製樹脂組成物，利用形成於薄膜狀之層之慣用方法加以形成。具體而言，例如可列舉於適當之間隔件(剝離紙等)上，塗佈上述之樹脂組成物加以乾燥，形成第二黏著劑層43之方法等。前述樹脂組成物係可為溶液，亦可為分散液。
接著，將第二黏著劑層43，使用壓切刀等預切割成上述之平面形狀，將周邊之不要部分，從間隔件剝離除去，將複數之平面形狀之第二黏著劑層43連續於長冊之間隔件上加以形成。
又，另外，製作第一黏著劑層42。第一黏著劑層42係可利用以往之黏著劑層之形成方法加以形成。例如，可經由將上述黏著劑組成物，塗佈於基材薄膜41之特定之面加以形成之方法，或將上述黏著劑組成物，塗佈於剝離薄膜(例如塗佈脫模劑之塑膠製薄膜或薄片等)上，形成第一黏著劑層42後，將該第一黏著劑層42轉印於基材薄膜41之特定之面之方法，於基材薄膜41上，形成該第一黏著劑層42。
基材薄膜41係可經由以往公知之製膜方法加以製膜。做為該製膜方法，例如可例示壓光製膜法、有機溶媒中之澆注法、密閉系之充氣壓出法，T型模具壓出法、共壓出法、乾式層壓法等。
之後，於設於間隔件上之特定形狀之第二黏著劑層43，層壓設於基材薄膜41上之第一黏著劑層42，得黏貼膠帶4。
之後，剝離設置第二黏著劑層43之間隔件，於設於基材膠帶2上之特定形狀之接著劑層3，將黏貼膠帶4之第二黏著劑層43側之面，使接著劑層3與第一黏著劑層43之平面形狀之中心被排齊地加以層壓。此時，接著劑層3之平面形狀係較第二黏著劑層43之平面形狀為大之故，在第二黏著劑層43之周邊部，第一黏著劑層42與接著劑層3接觸，加以黏著。
接著，將基材薄膜41及第一黏著劑層42，使用壓切刀等預切割成特定之平面形狀，將周邊之不要部分，從基材膠帶2剝離除去，製作半導體加工用膠帶1。此時，第一黏著劑層42之平面形狀係較接著劑層3之平面形狀為大之故，在第二黏著劑層43之周邊部，第一黏著劑層42與接著劑層3接觸之部分則被維持。然而，之後，剝離使用於預切割加工之基材膠帶2，將公知之間隔件與接著劑層3側之面貼合亦可。
(半導體加工用膠帶1之使用方法) 半導體加工用膠帶1係在半導體裝置之製造工程中，如以下加以使用。如圖3所示，半導體加工用膠帶1係實施基材膠帶2則由接著劑層3、第二黏著劑層43所成第二標籤部4a2、第一黏著劑層42及基材薄膜41所成第一標籤部4a1所成層積體加以剝離，貼合於半導體晶圓W之半導體晶圓貼合工程。更詳細而言，在梳狀之剝離構件101之前端部，將基材膠帶2向剝離方向折返搬送，促進層積體之剝離，僅該層積體向前方輸送。於前方下側，半導體晶圓W及環框體R則設置於作業台102上，於此等上側，送出層積體。又，於半導體晶圓W之上方，設置壓接輥103，由此，接著劑層3係貼合於半導體晶圓W。又，第一黏著劑層42係較接著劑層3為大之故，於接著劑層3之周圍，第一黏著劑層42則貼合於環框體R。
此時，第二黏著劑層43係黏著力小之故，第二黏著劑層43之平面形係較接著劑層3之平面形狀為小之故，在第二黏著劑層43之周圍，黏著力大之第一黏著劑層42與接著劑層3則黏著保持之故，剝離基材膠帶2之時，或層積體之一端部按壓於壓接輥103，另一端部經由向基材膠帶2之剝離方向拉扯，於層積體施加張力之時，亦不會從黏貼膠帶4浮起接著劑層3。
接著，如圖4所示，環框體R則固定於未圖示之切割裝置。此時，半導體晶圓W朝向上側，半導體加工用膠帶1則朝向下側。然後，如圖5所示，實施半導體晶圓W之切割工程。具體而言，首先，經由吸附平台105，將半導體加工用膠帶1從基材薄膜41面側吸附支持。然後，將半導體晶圓W與接著劑層3經由切割刀104，切斷成半導體晶片C單位而個片化。之後，第二黏著劑層43為放射線硬化型之黏著劑時，從基材薄膜41之下面側照射放射線，硬化第二黏著劑層43，使該黏著力下降。
之後，如圖6所示，實施將保持切割之半導體晶片C及接著劑層3之黏貼膠帶4，延伸至環框體R之周方向之擴張工程。具體而言，對於保持切割之複數之半導體晶片C及接著劑層3之狀態之黏貼膠帶4，將中空圓柱形狀之上推構件106，從黏貼膠帶4之下面側上昇，將黏貼膠帶4延伸至環框體R之周方向。
實施擴張工程之後，如圖7所示，實施將黏貼膠帶4在擴張狀態下，拾取半導體晶片C之拾取工程。具體而言，從黏貼膠帶4之下面側，將半導體晶片C經由針柱107上推的同時，以吸附治具108，吸附半導體晶片C，將個片化之半導體晶片C，伴隨接著劑層3加以拾取。此時，第二黏著劑層43之黏著力小之故，半導體晶片C及接著劑層3則容易由第二黏著劑層43剝離，半導體晶片C則可良好地被拾取。
然後，實施拾取工程之後，實施接合工程。具體而言，將在拾取工程伴隨半導體晶片C拾取之接著劑層3側，配置於引線框或封裝基板等之基板之接合位置。之後，經由將接著劑層3在150~350℃度之溫度加熱處理、機械性接合半導體晶片C與基板。然而，接合工程係可無加壓下進行，進行加壓亦可。
之後，進行將基板之端子部之前端與半導體晶片C上之電極墊，以打線電性連接之打線工程。接著，進行經由封閉樹脂，封閉半導體晶片C之封閉工程，完成半導體裝置。
(實施例) 接著，將本發明，根據實施例更詳細加以說明。雖將以下本發明，經由實施例加以說明，但本發明非限定於此等實施例。
[基材薄膜A] 做為基材薄膜，使用乙烯-甲基丙烯酸-(丙烯酸2-甲基-丙基)3元共聚物-Zn++-離子交聯聚合物樹脂之HIMILAN AM-7316(商品名，三井DuPont Polychemical公司製)，作成厚90μm之薄膜。於此薄膜之單面，施以電暈處理，得基材薄膜。
[第一黏著劑層之黏著劑組成物A] 對於100質量份丙烯酸系黏著劑(綜研化學股份有限公司製，商品名「SG-50Y」)而言，將5質量份硬化劑(綜研化學股份有限公司製，商品名「L-45E」)，溶解於醋酸乙酯，進行攪拌，調製第一黏著劑層之黏著劑組成物A。
[第二黏著劑層之黏著劑組成物A] 對於100質量份丙烯酸系黏著劑(新中村化學工業股份有限公司製，商品名「AP-FE2503」)而言，將2.3質量份硬化劑(綜研化學股份有限公司製，商品名「L-45E」)，7質量份聚異氰酸酯組成物(旭化成Chemicals股份有限公司製，商品名「TKA-100」)，各別溶解於醋酸乙酯，進行攪拌，調製第二黏著劑層之黏著劑組成物A。
[第二黏著劑層之黏著劑組成物B] 對於100質量份丙烯酸系黏著劑(新中村化學工業股份有限公司製，商品名「AP-FE2503」)而言，將1.7質量份硬化劑(綜研化學股份有限公司製，商品名「L-45E」)，3.9質量份聚異氰酸酯組成物(旭化成Chemicals股份有限公司製，商品名「TKA-100」)，各別溶解於醋酸乙酯，進行攪拌，調製第二黏著劑層之黏著劑組成物B。
[第二黏著劑層之黏著劑組成物C] 對於100質量份丙烯酸系黏著劑(新中村化學工業股份有限公司製，商品名「AP-FE2503」)而言，將0.34質量份硬化劑(綜研化學股份有限公司製，商品名「L-45E」)，1.1質量份聚異氰酸酯組成物(旭化成Chemicals股份有限公司製，商品名「TKA-100」)，各別溶解於醋酸乙酯，進行攪拌，調製第二黏著劑層之黏著劑組成物C。
[第二黏著劑層之黏著劑組成物D] 對於100質量份丙烯酸系黏著劑(新中村化學工業股份有限公司製，商品名「AP-FE2503」)而言，將2.8質量份硬化劑(綜研化學股份有限公司製，商品名「L-45E」)，8.4質量份聚異氰酸酯組成物(旭化成Chemicals股份有限公司製，商品名「TKA-100」)，各別溶解於醋酸乙酯，進行攪拌，調製第二黏著劑層之黏著劑組成物D。
[第二黏著劑層之黏著劑組成物E] 對於100質量份丙烯酸系黏著劑(新中村化學工業股份有限公司製，商品名「AP-FE2503」)而言，將0.5質量份硬化劑(綜研化學股份有限公司製，商品名「L-45E」)，溶解於醋酸乙酯，進行攪拌，調製第二黏著劑層之黏著劑組成物E。
[黏著劑組成物A] 於50質量份環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製，商品名「1002」)、100質量份環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製，商品名「806」)、5質量份硬化劑(Evonik Degussa公司製，商品名「Dyhard(註冊商標)100SF」)、150質量份矽石填料(ADMAFINE股份有限公司製，商品名「SO-C2」)、及5質量份矽石填料(日本AEROSIL股份有限公司製，商品名「AEROSIL R972」)所成組成物，添加MEK，攪拌混合，成為均勻組成物。 將此添加100質量份苯氧基樹脂(Gabriel Phenoxies公司製，商品名「PKHH」)、做為偶合劑0.4質量份(信越SLICONE股份有限公司製，商品名「KBM-802」)、以及硬化促進劑0.5質量份(四國化成工業股份有限公司製，商品名「Curezol 2PHZ-PW」)，攪拌混合直至均勻。更且，將此以100網目之過濾器過濾，經由真空脫泡，得黏著劑組成物c-1A之清漆。
＜實施例1＞ 於脫模處理之長冊之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成間隔件，將此第一黏著劑層之黏著劑組成物A，使乾燥後之厚度成為5μm加以塗抹，以110℃乾燥3分鐘後，與基材薄膜A貼合，於基材薄膜A上製作形成第一黏著劑層之黏著薄片A。
接著，於脫模處理之切割薄片狀之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成間隔件，將此第二黏著劑層之黏著劑組成物A，使乾燥後之厚度成為10μm加以塗抹，以110℃乾燥3分鐘後，與剝離處理之聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜貼合，於聚對苯二甲酸乙二醇酯上，製作複數形成第二黏著劑層之黏著薄片B。
又，於脫模處理之長冊之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成基材膠帶，將黏著劑組成物A，使乾燥後之厚度成為30μm加以塗抹，以110℃乾燥5分鐘後，於聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上，製作形成接著劑層之黏著薄膜。之後，將接著劑層切割成直徑320mm之圓形，於該接著劑層側之面，貼合脫模處理之長冊之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成間隔件。
接著，將黏著薄片B之第二黏著劑層切割成直徑308mm之圓形。然後，從黏著薄片A剝離聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，於露出之第一黏著劑層上，將黏著薄片B之第二黏著劑層以等間隔複數貼合，重新將脫模處理之長冊之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成間隔件，貼合於第二黏著劑層側之面，得黏貼膠帶。
接著，從黏著薄膜剝離聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜所成間隔件，剝離黏貼膠帶之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，使露出之第二黏著劑層之中心與接著劑層之中心重合而貼合。
之後，將基材薄膜及第一黏著劑層切割成直徑370mm之圓形，製作關於實施例1之半導體加工用膠帶之樣本。
＜實施例2＞ 代替第二黏著劑層之黏著劑組成物A，使用第二黏著劑層之黏著劑組成物B以外，與實施例1相同，製作關於實施例2之半導體加工用膠帶之樣本。
＜實施例3＞ 代替第二黏著劑層之黏著劑組成物A，使用第二黏著劑層之黏著劑組成物C以外，與實施例1相同，製作關於實施例3之半導體加工用膠帶之樣本。
＜實施例4＞ 代替第二黏著劑層之黏著劑組成物A，使用第二黏著劑層之黏著劑組成物D以外，與實施例1相同，製作關於實施例4之半導體加工用膠帶之樣本。
＜實施例5＞ 代替第二黏著劑層之黏著劑組成物A，使用第二黏著劑層之黏著劑組成物E以外，與實施例1相同，製作關於實施例5之半導體加工用膠帶之樣本。 ＜實施例6＞ 將黏著薄片B之第二黏著劑層切割成直徑290mm之圓形之外，與實施例2相同，製作關於實施例6之半導體加工用膠帶之樣本。
＜比較例1＞ 將黏著薄片B之第二黏著劑層切割成直徑321mm之圓形之外，與實施例1相同，製作關於比較例1之半導體加工用膠帶之樣本。
＜比較例2＞ 將黏著薄片B之第二黏著劑層切割成直徑321mm之圓形之外，與實施例2相同，製作關於比較例2之半導體加工用膠帶之樣本。
＜比較例3＞ 將黏著薄片B之第二黏著劑層切割成直徑321mm之圓形之外，與實施例3相同，製作關於比較例3之半導體加工用膠帶之樣本。
＜比較例4＞ 將黏著薄片B之第二黏著劑層切割成直徑321mm之圓形之外，與實施例4相同，製作關於比較例4之半導體加工用膠帶之樣本。
＜比較例5＞ 將黏著薄片B之第二黏著劑層切割成直徑321mm之圓形之外，與實施例5相同，製作關於比較例5之半導體加工用膠帶之樣本。
＜比較例6＞ 於脫模處理之長冊之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成間隔件，將此第二黏著劑層之黏著劑組成物B，使乾燥後之厚度成為15μm加以塗抹，以110℃乾燥3分鐘後，與基材薄膜A貼合，於基材薄膜A上製作形成第二黏著劑層之黏著薄片C。
又，於脫模處理之長冊之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成基材膠帶，將黏著劑組成物A，使乾燥後之厚度成為30μm加以塗抹，以110℃乾燥5分鐘後，於聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上，製作形成接著劑層之黏著薄膜。之後，將接著劑層切割成直徑320mm之圓形，於該接著劑層側之面，貼合脫模處理之長冊之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成間隔件。
接著，從黏著薄膜剝離聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜所成間隔件，剝離黏貼膠帶之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，使露出之第二黏著劑層之中心與接著劑層之中心重合而貼合。
之後，將基材薄膜及第二黏著劑層切割成直徑370mm之圓形，製作關於比較例6之半導體加工用膠帶之樣本。
對於上述實施例及比較例所得半導體加工用膠帶，進行以下之評估。將該評估結果示於表1。
[SUS面剝離力測定] 從使用於關於實施例1~5、比較例1~5之半導體加工用膠帶之各黏著薄片A，採取3點寬25mm×長300mm之試驗片，剝離聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，將此等黏貼於以JIS R 6253規定之280號之耐水研磨紙完工之JIS G 4305規定之厚1.5mm~2.0mm之SUS304鋼板上後，將2kg之橡膠輥3次往復壓接，放置1小時後，使用測定值進入該容量之15~85%之範圍之適合於JIS B 7721之拉伸試驗機，測定第一黏著劑層之黏著力。測定係180°撕扯法所成者，此時之撕扯速度為300mm/min。測定溫度係23℃，測定濕度係50%。又，將各黏著薄片B之第二黏著劑層，從黏著薄片A剝離聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，貼合於露出之第一黏著劑層，採取3點寬25mm×長300mm之試驗片，從第二黏著劑層剝離聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，與上述同樣，測定第二黏著劑層之黏著力。又，從黏著薄片C採取3點寬25mm×長300mm之試驗片，從第二黏著劑層剝離聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，與上述同樣，測定第二黏著劑層之黏著力。
[接著劑層剝落評估] 使用貼合裝置(Disco公司製，商品名：DFM2700)，從關於實施例及比較例之半導體加工用膠帶，剝離基材膠帶，於露出之接著劑層，貼合厚100μm、直徑300mm之矽晶圓。對於關於貼合矽晶圓後之實施例及比較例之半導體加工用膠帶，確認接著劑層之剝離之有無。將在於接著劑層不產生皺紋漂亮地貼合於矽晶圓者，做為良品評估為「○」，對矽晶圓之貼合時，從黏貼膠帶接著劑層剝離之結果，於接著劑層產生皺紋之狀態下，對矽晶圓貼合者，做為不良品評估為「×」。
[拾取性評估] 對於貼合於上述之矽晶圓之關於實施例及比較例之半導體加工用膠帶，使用切割裝置(Disco製DFD6340)，各別準備將矽晶圓及接著劑層，切割成15mm×15mm之尺寸者，以及切割成0.5mm×0.5mm之尺寸者，進行晶片分選裝置(Canon Machinery公司製，商品名：CAP-300II)所成拾取試驗。
拾取條件係如以下所述。 ・切割成0.5mm平方者 上推針形狀：半徑0.45mm、前端曲率半徑R=0.15mm 針腳上推高度：50μm 針腳上推速度：10mm/sec 真空吸具形狀：0.4mm□ 擴張擴張量：10 mm 環框體：DISCO公司製 型式DTF-2-6-1(SUS420J2製) ・切割成15mm平方者 上推針形狀：半徑0.45mm、前端曲率半徑R=0.35mm 針腳上推高度：350μm 針腳上推速度：10mm/sec 真空吸具形狀：14mm□ 擴張擴張量：10 mm 環框體：DISCO公司製 型式DTF-2-6-1(SUS420J2製)
將上述條件個片化之晶片，拾取50個，確認拾取成功與否。將在15mm平方及0.5mm平方之雙方，對於所有晶片，可進行拾取者做為良品評估「○」，將在15mm平方，有停留1個以上晶片於黏著劑層上而不可拾取者，在0.5mm平方，對於所有晶片，可進行拾取者，做為容許品評估「△」，將在15mm平方及0.5mm平方之雙方，有停留1個以上晶片於黏著劑層上而不可拾取者，不可拾取片係僅對應於不存在矽晶圓之周緣部之第二黏著劑層之部分之處所位置的晶片，對於周緣部以外位置之晶片，則所有可被拾取者，做為容許品評估「△△」，將在15mm平方及0.5mm平方之雙方，只要有停留1個晶片於黏著劑層上而不可拾取者，評估為「×」。
[晶片飛散評估] 進行拾取性評估試驗時，將晶片之飛散之有無以目視加以確認。將在15mm平方及0.5mm平方之雙方，對於所有晶片，沒有晶片之飛散者，做為良品評估「○」，在0.5mm平方，雖有1個以上之晶片之飛散，在15mm平方，沒有晶片之飛散者，做為容許品評估「△」，將在15mm平方及0.5mm平方之雙方，有晶片之飛散者，評估為「×」。
[環框體剝落評估] 對於進行拾取性評估試驗後之關於實施例及比較例之半導體加工用膠帶，確認從環框體之剝離之有無。將沒有從環框體之剝離者，做為良品評估「○」，將貼合於環框體之部分之不足1/4被剝離者，做為容許品評估「△」，於黏貼膠帶，剝離貼合於環框體之部分之1/4以上者，做為不良品評估為「×」。
Figure 02_image005
如表1所示，關於實施例1~6之半導體加工用膠帶係第一黏著劑層之黏著力較第二黏著劑層之黏著力為大，接著劑層之平面形狀係較第二黏著劑層之平面形狀為大，第一黏著劑層之平面形狀係較接著劑層之平面形狀為大，在第二黏著劑層之周邊部，第一黏著劑層與前述接著劑層接觸之故，於環框體剝落評估及接著劑層剝落評估之兩者中，得到良好之結果。又，關於實施例1~3之半導體加工用膠帶係在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之前述第二黏著劑層之黏著力為0.1~0.6N/25mm，第一黏著劑層之黏著力為1~10N/25mm之故，在於拾取性評估及晶片飛散評估，得到良好之結果。關於實施例4之半導體加工用膠帶係對於SUS304面之第二黏著劑層之黏著力為不足0.1N/25mm之故，於0.5mm平方之晶片，雖產生晶片飛散，但在容許範圍。關於實施例5之半導體加工用膠帶係對於SUS304面之第二黏著劑層之黏著力為超過0.6N/25mm之故，於15mm平方之晶片，雖產生拾取不良，但在容許範圍。關於實施例6之半導體加工用膠帶係第二黏著劑層之直徑為矽晶圓之直徑以下，對於位於矽晶圓之周緣部以外之晶片，所有皆可拾取，對於位於不存在周緣部之第二黏著劑層之部分之處所的晶片，產生拾取不良。
關於比較例1~5之半導體加工用膠帶係第二黏著劑層之平面形狀較接著劑層之平面形狀為大之故，於接著劑層剝落評估中，形成不佳之結果。又，關於比較例6之半導體加工用膠帶係未設有具有較第二黏著劑層之黏著力大之黏著力的第一黏著劑層之故，於環框體剝落評估及接著劑層剝落評估中，形成不佳之結果。
1:半導體加工用膠帶 2:基材膠帶 3:接著劑層 4:黏貼膠帶 41:基材薄膜 42:第一黏著劑層 43:第二黏著劑層 15:支持構件 W:半導體晶圓 R:環框體 C:半導體晶片
[圖1]模式性顯示關於本發明之實施形態之半導體加工用膠帶之構造的剖面圖。 [圖2](a)模式性顯示關於本發明之實施形態之半導體加工用膠帶之構造的平面圖，(b)係同剖面圖。 [圖3]模式性顯示使用關於本發明之實施形態之半導體加工用膠帶之半導體裝置之製造方法之半導體晶圓貼合工程的說明圖。 [圖4]模式性顯示使用關於本發明之實施形態之半導體加工用膠帶之半導體裝置之製造方法中，於半導體加工用膠帶上貼合半導體晶圓之狀態的說明圖。 [圖5]模式性顯示使用關於本發明之實施形態之半導體加工用膠帶之半導體裝置之製造方法之切割工程的說明圖。 [圖6]模式性顯示使用關於本發明之實施形態之半導體加工用膠帶之半導體裝置之製造方法之擴張工程的說明圖。 [圖7]模式性顯示使用關於本發明之實施形態之半導體加工用膠帶之半導體裝置之製造方法之拾取工程的說明圖。
1:半導體加工用膠帶
3:接著劑層
4:黏貼膠帶
41:基材薄膜
42:第一黏著劑層
43:第二黏著劑層

Claims (5)

  1. 一種半導體加工用膠帶，其特徵係使基材薄膜、第一黏著劑層及第二黏著劑層依此順序加以設置，於與前述第二黏著劑層之前述基材薄膜及前述第一黏著劑層相反側之面，設置接著劑層，前述第二黏著劑層係不會經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型，前述第一黏著劑層之黏著力係較前述第二黏著劑層之黏著力為大，前述第一黏著劑層、前述第二黏著劑層及前述接著劑層係各別具有平面形狀前述接著劑層之平面形狀係較前述第二黏著劑層之平面形狀為大，前述第一黏著劑層之平面形狀係較前述接著劑層之平面形狀為大，在前述第二黏著劑層之周邊部，前述第一黏著劑層與前述接著劑層則接觸，在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之前述第二黏著劑層之黏著力為0.1~0.6N/25mm。
  2. 一種半導體加工用膠帶，其特徵係使基材薄膜、第一黏著劑層及第二黏著劑層依此順序加以設置，於與前述第二黏著劑層之前述基材薄膜及前述第一黏 著劑層相反側之面，設置接著劑層，前述第二黏著劑層係經由放射線之照射而硬化之放射線硬化型，且在經由放射線之照射之硬化前之狀態，前述第一黏著劑層之黏著力係較前述第二黏著劑層之黏著力為大，前述第一黏著劑層、前述第二黏著劑層及前述接著劑層係各別具有平面形狀前述接著劑層之平面形狀係較前述第二黏著劑層之平面形狀為大，前述第一黏著劑層之平面形狀係較前述接著劑層之平面形狀為大，在前述第二黏著劑層之周邊部，前述第一黏著劑層與前述接著劑層則接觸，在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之前述第二黏著劑層之黏著力為0.1~0.6N/25mm。
  3. 如請求項1或2記載之半導體加工用膠帶，其中，在23℃、50%RH之條件下，剝離角度180度、剝離速度300mm/min之對於SUS304面之前述第一黏著劑層之黏著力為1~10N/25mm。
  4. 如請求項1或2記載之半導體加工用膠帶，其中，前述第一黏著劑層係不會經由放射線之照射而硬化之放射線非硬化型。
  5. 如請求項1或2記載之半導體加工用膠帶，其中，前述第二黏著劑層之平面形狀較貼合於前述接 著劑層之半導體晶圓為大。
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