KR101166634B1 - 접착 필름 및 웨이퍼 가공용 테이프 - Google Patents

Abstract

접착제층에 사용하는 수지를 아크릴 수지 등으로 범용화할 수 있어, 웨이퍼의 접합성을 확보하면서 다이싱 시에 있어서의 칩 깨짐이나 칩 절결 등의 칩핑을 저감시킬 수 있는 접착 필름 및 웨이퍼 가공용 테이프를 제공한다.
웨이퍼 가공용 테이프(10)는 기재 필름(12a)과 그 위에 형성된 점착제층(12b)으로 이루어지는 점착 필름(12)과, 점착 필름(12) 위에 적층된 접착제층(13)을 갖는다. 접착제층(13)의 밀도를 ρ(g/㎤), 접착제층(13)의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률을 Gmin(MPa)로 했을 때 ρ×Gmin이 0.2 이상이다. Gmin과 ρ의 2개의 요소를 조합, 서로 보완시킴으로써 접착제층(13)의 반도체 웨이퍼에의 접합성을 확보하면서 다이싱 시의 칩핑을 저감시킬 수 있다.

Description

접착 필름 및 웨이퍼 가공용 테이프{ADHESIVE FILM AND WAFER PROCESSING TAPE}

본 발명은 반도체 웨이퍼와 접합되는 접착제층을 갖는 접착 필름, 및 기재 필름과 상기 기재 필름 위에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 점착제층 위에 형성된 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼를 가공하여 반도체 장치를 제조할 때에 최근 반도체 웨이퍼 이면 위에 접착 필름의 접착제층을 열 압착하여, 접착제층을 구비한 반도체 웨이퍼를 얻어, 이 접착제를 구비한 반도체 웨이퍼를 다이싱 시트에 부착하고, 다이싱에 의해 반도체 소자를 칩 단위로 절단(다이싱)하는 것이 행해지고 있다.

그러나 반도체 소자(칩)의 한층 더한 박형화에 수반하여, 개별 조각의 반도체 소자로 절단할 때에 다이싱 블레이드의 회전 진동에 의해 인접하는 칩끼리 접촉되어, 칩 깨짐이나 칩 절결 등, 다이싱 시의 칩핑이 발생한다는 문제가 있었다.

이러한 문제를 해결하는 접착 필름으로서, 유리 전이 온도가 90℃ 이하이며, 100 내지 200℃에서 5 내지 120분 가열 처리하면 유리 전이 온도가 100℃ 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 필름이 개시되어 있다(하기 특허문헌 1 참조).

또한, 다이싱 시의 칩핑을 저감시키기 위해, 반도체 소자의 두께를 W(μm)로 하고, 접착제층의 두께를 A(μm), 접착제층의 경화 후의 25℃에 있어서의 저장 탄성률을 E(GPa)로 했을 때, W×E/A=Q로 나타나는 Q의 값이 0.5 내지 80으로 되는 웨이퍼 가공용 테이프가 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 2 참조).

일본 특허 공개 제2003-213224호 공보 일본 특허 공개 제2005-026547호 공보

상기 특허문헌 1에 기재된 접착 필름에서는 유리 전이 온도에 관한 상기 조건을 폴리이미드 수지를 주성분으로서 사용함으로써 실현하고 있지만, 아크릴 수지 등으로 범용화되는 것은 곤란하며, 폴리이미드 수지는 아크릴 수지 등보다 고가라는 문제가 있었다.

또한, 상기 특허문헌 2에서는 칩, 접착제층의 두께와 경화 후의 저장 탄성률의 선택에 의해 칩핑을 저감시킬 수 있는 것이 개시되어 있지만, 다이싱 공정은 접착제층의 경화 전에 행해지는 것이며, 접착제층의 두께와 경화 후의 저장 탄성률을 선택해도 다이싱 시의 칩핑을 실질적으로 저감시킬 수 있는 것은 아니다. 여기서, 접착제층의 경화 전의 저장 탄성률을 높게 함으로써 칩핑을 저감시키는 것도 생각할 수 있지만, 단순히 저장 탄성률을 높게 하는 것만으로는 웨이퍼를 접합할 수 없게 된다는 문제가 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 접착제층에 사용하는 수지를 아크릴 수지 등으로 범용화할 수 있어, 웨이퍼의 접합성을 확보하면서 다이싱 시에 있어서의 칩 깨짐이나 칩 절결 등의 칩핑을 저감시킬 수 있는 접착 필름 및 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 제1 형태에 관한 접착 필름은, 반도체 웨이퍼와 접합되는 접착제층을 갖는 접착 필름이며, 상기 접착제층의 밀도를 ρ(g/㎤), 상기 접착제층의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률을 Gmin(MPa)으로 했을 때, ρ×Gmin이 0.2 이상이고, 상기 접착제층을 60℃에서 상기 반도체 웨이퍼에 접합했을 때의 상기 접착제층의 박리력이 50mN/cm 이상인 것을 특징으로 한다.

접착제층의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률(Gmin)은 칩핑을 저감시키기 위해서는 높게 할 필요가 있지만, 너무 높게 하면 웨이퍼를 접합할 수 없게 되어 버린다. 이에 대해, 접착제층의 밀도(ρ)는 칩핑을 저감시키기 위해서는 높게 할 필요가 있지만, 너무 높게 하면 웨이퍼를 접합할 수 없게 되어 버린다. 이 구성에 의하면, ρ×Gmin이 0.2 이상이므로, ρ와 Gmin의 2개의 요소를 조합, 서로 보완시킴으로써 웨이퍼에의 접합성을 확보하면서 칩핑을 저감시킬 수 있다. 또한, 접착제층을 60℃에서 반도체 웨이퍼에 접합했을 때의 접착제층의 박리력이 50mN/cm 이상이므로, 다이싱 시에 다이싱 블레이드의 회전 진동으로 칩이 날아가는 것을 저감시킬 수 있다. 또한, 접착제층의 주성분으로서 아크릴 수지 등의 저렴한 수지를 사용할 수 있어, 접착제층에 사용하는 수지를 아크릴 수지 등으로 범용화할 수 있다. 따라서, 저비용의 접착 필름을 실현할 수 있다.

본 발명의 다른 형태에 관한 접착 필름은, 상기 접착제층이, 분자량이 50만 이상이며, 분산도가 4 미만인 열가소성 수지(A), 열경화성 수지(B) 및 열활성 경화제(C)를 포함하고 있는 것을 특징으로 한다.

이 구성에 의하면, 접착제층에 포함되는 열가소성 수지(A)의 분자량이 50만 이상이며, 분산도가 4 미만이기 때문에 내리플로우성을 향상시킬 수 있다.

본 발명의 제2 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프는 기재 필름과 상기 기재 필름 위에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 위에 형성된 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프이며, 상기 접착제층의 밀도를 ρ(g/㎤), 상기 접착제층의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률을 Gmin(MPa)으로 했을 때, ρ×Gmin이 0.2 이상이고, 상기 접착제층을 60℃에서 상기 반도체 웨이퍼에 접합했을 때의 상기 접착제층의 박리력이 50mN/cm 이상인 것을 특징으로 한다.

이 구성에 의하면, ρ와 Gmin의 2개의 요소를 조합, 서로 보완시킴으로써 웨이퍼에의 접합성을 확보하면서 칩핑을 저감시킬 수 있다. 또한, 접착제층을 60℃에서 반도체 웨이퍼에 접합했을 때의 접착제층의 박리력이 50mN/cm 이상이므로, 다이싱 시에 다이싱 블레이드의 회전 진동으로 칩이 날아가는 것을 저감시킬 수 있다. 또한, 접착제층의 주성분으로서 아크릴 수지 등의 저렴한 수지를 사용할 수 있어, 접착제층에 사용하는 수지를 아크릴 수지 등으로 범용화할 수 있다. 따라서, 저비용의 웨이퍼 가공용 테이프를 실현할 수 있다.

본 발명에 따르면, 접착제층에 사용하는 수지를 아크릴 수지 등으로 범용화할 수 있어, 웨이퍼의 접합성을 확보하면서 다이싱 시에 있어서의 칩 깨짐이나 칩 절결 등의 칩핑을 저감시킬 수 있는 접착 필름 및 웨이퍼 가공용 테이프를 실현할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프를 도시하는 단면도.
도 2는 웨이퍼 가공용 테이프 위에 반도체 웨이퍼를 접합한 도면.
도 3은 다이싱 공정을 설명하기 위한 도면.
도 4는 익스팬드 공정을 설명하기 위한 도면.
도 5는 픽업 공정을 설명하기 위한 도면.

이하, 본 발명의 실시 형태에 관한 접착 필름 및 웨이퍼 가공용 테이프를 도면에 기초하여 설명한다.

(일 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프)

본 발명의 일 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프를 도 1 내지 도 5에 기초하여 설명한다. 도 1은 일 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 도시하는 단면도이다.

이 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 기재 필름(12a)과 그 위에 형성된 점착제층(12b)으로 이루어지는 점착 필름(12)과, 이 점착 필름(12) 위에 적층된 접착제층(13)을 갖는다.

웨이퍼 가공용 테이프(10)는 반도체 웨이퍼를 반도체 소자(칩)로 절단하는 다이싱 공정과, 절단된 칩을 리드 프레임이나 다른 칩에 접착하는 다이 본딩 공정의 양 공정에 사용된다.

또한, 점착제층(12b)은 1층의 점착제층에 의해 구성되어 있어도 좋고, 2층 이상의 점착제층이 적층된 것으로 구성되어 있어도 좋다. 또한, 도 1에 있어서는 접착제층(13)을 보호하기 위해 박리 라이너(11)가 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 형성되어 있는 모습이 도시되어 있다.

점착 필름(12) 및 접착제층(13)은, 사용 공정이나 장치에 맞게 미리 소정 형상으로 절단(프리컷)되어 있어도 된다. 본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프는 반도체 웨이퍼 1매분마다 절단된 형태와, 이것이 복수 형성된 긴 시트를 롤 위에 권취한 형태를 포함한다.

이하, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.

(접착제층)

접착제층(13)은 반도체 웨이퍼(1) 등이 접합되어 다이싱된 후, 반도체 칩(2)을 픽업할 때에 점착 필름(12)으로부터 박리되어 반도체 칩(2)에 부착되고, 반도체 칩(2)을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 따라서, 접착제층(13)은 픽업 공정에 있어서, 개별 조각화된 반도체 칩(2)에 부착된 상태에서 점착 필름(12)으로부터 박리될 수 있는 박리성을 갖고, 또한 다이 본딩 공정에 있어서, 반도체 칩(2)을 기판이나 리드 프레임에 접착 고정하기 위해 충분한 접착 신뢰성을 갖는 것이다.

접착제층(13)은 접착제를 미리 필름화한 것이며, 예를 들어 접착제에 사용되는 공지의 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 염소화 폴리프로필렌 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 멜라민 수지 등이나 그의 혼합물을 사용할 수 있다.

아크릴 수지는 예를 들어 에폭시기를 갖는 (메트)아크릴레이트 단량체, 아크릴로니트릴 및 다른 공중합성 단량체로 이루어지는 단량체 용액을 라디칼 중합법 등에 의해 용액 중합함으로써 얻어진다. 또한, 중합 시에 중합 개시제로서는 벤조일퍼옥시드, 디쿠밀퍼옥시드, 디부틸퍼옥시드, t-부틸퍼옥시벤조에이트 등의 유기 과산화물, 아조비스이소부티로니트릴, 아조비스발레로니트릴 등의 아조비스계 화합물이 사용된다.

에폭시기를 갖는 (메트)아크릴레이트 단량체로서는, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트 등의 공중합성 이중 결합을 갖는 화합물이 사용된다.

다른 공중합성 단량체로서, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산라우릴, (메트)아크릴산시클로헥실 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필 등의 (메트)아크릴산히드록시알킬, (메트)아크릴산아미노메틸, (메트)아크릴산 N-메틸아미노메틸, (메트)아크릴산 N,N-디에틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산아미노알킬, 메타크릴산, 아크릴산, 스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체, 염화비닐, 염화비닐리덴, 아세트산비닐, 아세트산이소프로페닐 등의 비닐 유도체, 말레산, 푸마르산 등의 불포화 이염기산, 그의 산 무수물, 그의 모노메틸에스테르, 모노에틸에스테르 등의 모노에스테르, 혹은 그의 디메틸에스테르, 디에틸에스테르 등의 디에스테르가 있다.

또한, 반도체 칩(2)이나 리드 프레임(20)에 대한 접착력을 강화하기 위해, 실란 커플링제 혹은 티타늄 커플링제를 첨가제로서 상기 수지 재료나 그의 혼합물에 첨가하는 것이 바람직하다. 또한, 내열성의 향상이나 유동성의 조절을 목적으로 충전제를 첨가하여도 된다. 이러한 충전제로서는 실리카, 알루미나, 안티몬 산화물 등이 있다. 이들 충전제는 최대 입자 직경이 접착제층(13)의 두께보다 작은 것이면, 다른 입자 직경의 것을 임의의 비율로 배합할 수 있다.

접착제층(13)은, 밀도를 ρ(g/㎤), 접착제층(13)의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률을 Gmin(MPa)으로 했을 때, ρ×Gmin이 0.2 이상이다. 여기서, 최소의 저장 탄성률이란, 주파수 1Hz의 조건에서 실온으로부터 200℃까지 승온 속도 10℃/분의 조건으로 승온했을 때의 저장 탄성률의 극소치이다. 　

접착제층(13)의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률(Gmin)은 칩핑을 저감시키기 위해서는 높게 할 필요가 있지만, 너무 높게 하면 반도체 웨이퍼를 접합할 수 없게 되어 버린다. 이에 대해, 접착제층(13)의 밀도(ρ)는 다이싱 시의 칩핑을 저감시키기 위해서는 높게 할 필요가 있지만, 너무 높게 하면 반도체 웨이퍼를 접합할 수 없게 되어 버린다. 따라서, 최소의 저장 탄성률(Gmin)과 밀도(ρ)의 2개의 요소를 조합, 서로 보완시킴으로써 접착제층(13)의 반도체 웨이퍼에의 접합성을 확보하면서 다이싱 시의 칩핑을 저감시킬 수 있다.

ρ×Gmin이 0.2 미만이면 접착제층(13)의 반도체 웨이퍼에의 접합성이 확보되지 않게 되어, 다이싱 시에 다이싱 블레이드의 회전 진동에 의해 인접하는 칩끼리 접촉되어 칩 깨짐이나 칩 절결 등, 다이싱 시의 칩핑이 발생한다.

<ρ×Gmin의 조정 방법>

(ρ의 조정 방법)

접착제층(13)의 밀도(ρ)는 충전제량(예를 들어 실리카 충전제량)의 조정에 의해 증감시킬 수 있다. 충전제량을 많게 할수록 밀도가 높아지고, 충전제량을 적게 하면 밀도가 낮아진다.

(Gmin의 조정 방법)

접착제층(13)의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률(Gmin)은 충전제량 또는 저분자량의 성분(에폭시 수지, 페놀 수지) 또는 아크릴 중합체의 분자량을 증감시킴으로써 조정할 수 있다. 충전제량을 저감시킴으로써 또는 저분자량의 성분을 증가시킴으로써 또는 아크릴 중합체의 분자량을 저하시킴으로써, 최소의 저장 탄성률(Gmin)이 낮아진다. 최소의 저장 탄성률(Gmin)을 높게 하기 위해서는 그의 반대를 행한다. 이와 같이 하여 접착제층(13)의 밀도(ρ)와 Gmin을 조제함으로써 ρ×Gmin을 0.2 이상으로 설정할 수 있다.

또한, 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 있어서는, 접착제층(13)을 60℃에서 반도체 웨이퍼(1)(도 2 참조)에 접합했을 때의 접착제층(13)의 박리력이 50mN/cm 미만이면 다이싱 시에 진동(다이싱 블레이드의 회전 진동)으로 칩이 날아가므로, 박리력이 50mN/cm 이상인 것이 바람직하다.

<박리력의 조정 방법>

박리력은 아크릴 중합체의 유리 전이 온도(Tg) 또는 최소의 저장 탄성률(Gmin)을 증감시킴으로써 조정할 수 있다. 아크릴 중합체의 Tg를 낮게 함으로써 또는 Gmin을 낮게 함으로써 박리력이 증가된다.

또한, 접합 박리력이 50mN/cm 이상이 되는 Gmin은 10MPa 이하이기 때문에, 이 10MPa에 접착제층(13)으로서의 기능을 손상시키는 일이 없는 최대 밀도를 적산한 값이 ρ×Gmin의 상한이 된다. 예를 들어, 접착제층(13)의 밀도가 큰 경우로서, 은의 충전제를 50wt% 배합한 경우를 들 수 있지만, 이때 밀도(ρ)는 5.0 정도로 되므로, ρ×Gmin은 50이 된다.

또한, 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 있어서, 내리플로우성을 향상시키기 위해서는 접착제층(13)의 베이스 중합체(본 실시 형태에서는 아크릴 중합체)의 분자량(중량 평균 분자량)이 50만 이상이며, 분산도(분산 계수)가 4 미만인 것이 바람직하다. 아크릴 중합체의 분자량이 50만 미만이며, 분산도가 4를 넘으면 리플로우 시 균열 발생률이 높거나, 내리플로우성이 나빠진다. 단, 아크릴의 분자량이 증가되면 Gmin이 상승되므로 Gmin을 내리기 위해서는 열경화성 수지(에폭시, 페놀)의 분자량을 내리면 된다. 예를 들어, 여기서 열가소성 수지로서 분자량이 50만인 아크릴 고무를 사용하는 경우, 열경화성 수지로서 분자량이 5000 미만이며 2관능 이상의 에폭시 수지를, 열활성 경화제로서 분자량이 5000 미만인 페놀 수산기를 갖는 페놀 수지를 사용하면 된다. 또한, 열가소성 수지로서 분자량이 100만인 아크릴 고무를 사용하는 경우는 열경화성 수지로서 분자량이 3000 미만이며 2관능 이상의 에폭시 수지를, 열활성 경화제로서 분자량이 3000 미만인 페놀 수산기를 갖는 페놀 수지를 사용하면 된다. 　

접착제층(13)의 두께는 특별히 제한되는 것이 아니나, 통상 5 내지 100μm 정도가 바람직하다. 또한, 접착제층(13)은 점착 필름(12)의 점착제층(12b)의 전체면에 적층해도 좋지만, 미리 접합되는 반도체 웨이퍼(1)에 따른 형상으로 절단된(프리컷된) 접착제층을 점착제층(12b)의 일부에 적층해도 좋다. 반도체 웨이퍼(1)에 따른 형상으로 절단된 접착제층(13)을 적층한 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(1)가 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 있고, 다이싱용의 링 프레임(20)이 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 없고 점착 필름(12)의 점착제층(12b)만이 존재한다. 일반적으로, 접착제층(13)은 피착체와 박리되기 어렵기 때문에, 프리컷된 접착제층(13)을 사용함으로써 링 프레임(20)은 점착 필름(12)에 접합할 수 있고, 사용 후의 시트 박리 시에 링 프레임에의 접착제 잔류물을 발생시키기 어렵다는 효과가 얻어진다.

(점착 필름)

점착 필름(12)은 반도체 웨이퍼(1)를 다이싱할 때는 반도체 웨이퍼(1)가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 반도체 칩(2)을 픽업할 때는 쉽게 접착제층(13)으로부터 박리될 수 있도록 낮은 점착력을 갖는 것이다. 본 실시 형태에 있어서, 점착 필름(12)은 도 1에 도시된 바와 같이 기재 필름(12a)에 점착제층(12b)을 형성한 것을 사용했다.

점착 필름(12)의 기재 필름(12a)으로서는, 종래 공지의 것이면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있지만, 후술하는 바와 같이 본 실시 형태에 있어서는 점착제층(12b)으로서 에너지 경화성의 재료 중 방사선 경화성의 재료를 사용하는 점에서, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용한다.

예를 들어, 기재 필름(12a)의 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 공중합체 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머, 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름(12a)은 이들의 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 좋고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 좋다. 기재 필름(12a)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 적절하게 설정해도 되지만, 50 내지 200μm가 바람직하다.

본 실시 형태에 있어서는, 자외선 등의 방사선을 점착 필름(12)에 조사함으로써 점착제층(12b)을 경화시켜 점착제층(12b)을 접착제층(13)으로부터 박리되기 쉽게 하기 위해, 점착제층(12b)의 수지에는 점착제에 사용되는 공지의 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 부가 반응형 오르가노폴리실록산계 수지, 실리콘 아크릴레이트 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 폴리이소프렌이나 스티렌?부타디엔 공중합체나 그의 수소 첨가물 등의 각종 엘라스토머 등이나 그의 혼합물에 방사선 중합성 화합물을 적절히 배합하여 점착제를 제조하는 것이 바람직하다. 또한, 각종 계면 활성제나 표면 평활화제를 첨가해도 된다. 점착제층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고 적절하게 설정하면 되는데, 5 내지 30μm가 바람직하다.

그 방사선 중합성 화합물은, 예를 들어 광 조사에 의해 3차원 망상화할 수 있는 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분자량 화합물이나, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합기를 치환기에 갖는 중합체나 올리고머가 사용된다. 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트나, 올리고에스테르아크릴레이트 등, 실리콘아크릴레이트 등, 아크릴산이나 각종 아크릴산에스테르류의 공중합체 등이 적용 가능하다.

또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 예비중합체에 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어진다. 또한, 점착제층(12b)에는 상기한 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 좋다.

또한, 점착제층(12b)의 수지에는 방사선을 점착 필름(12)에 조사하여 점착제층(12b)을 경화시키는 방사선 중합성 화합물 외에 아크릴계 점착제, 광중합 개시제, 경화제 등을 적절히 배합하여 점착제층(12b)을 제조할 수도 있다. 　

광중합 개시제를 사용하는 경우, 예를 들어 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다. 이들 광중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부가 바람직하다.

(웨이퍼 가공용 테이프의 사용 방법)

반도체 장치의 제조 공정 중에서, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 이하와 같이 사용된다. 도 2에 있어서는, 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 반도체 웨이퍼(1)와 링 프레임(20)이 접합된 모습이 도시되어 있다.

우선, 도 2에 도시된 바와 같이 점착 필름(12)의 점착제층(12b)을 링 프레임(20)에 부착하고, 반도체 웨이퍼(1)를 접착제층(13)에 접합한다. 이들의 부착 순서에 제한은 없고, 반도체 웨이퍼(1)를 접착제층(13)에 접합한 후에 점착 필름(12)의 점착제층(12b)을 링 프레임(20)에 부착해도 좋다. 또한, 점착 필름(12)의 링 프레임(20)에의 부착과, 반도체 웨이퍼(1)의 접착제층(13)에의 접합을 동시에 행해도 된다.

그리고 반도체 웨이퍼(1)의 다이싱 공정을 실시하고(도 3), 계속해서 점착 필름(12)에 에너지선, 예를 들어 자외선을 조사하는 공정을 실시한다. 구체적으로는, 다이싱 블레이드(21)에 의해 반도체 웨이퍼(1)와 접착제층(13)을 다이싱하기 위해 흡착 스테이지(22)에 의해, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 점착 필름(12)면측으로부터 흡착 지지한다. 그리고 다이싱 블레이드(21)에 의해 반도체 웨이퍼(1)와 접착제층(13)을 반도체 칩(2) 단위로 절단하여 개별 조각화하고, 그 후 점착 필름(12)의 하면측으로부터 에너지선을 조사한다. 이 에너지선 조사에 의해, 점착제층(12b)을 경화시켜 그의 점착력을 저하시킨다. 또한, 에너지선의 조사 대신에 가열 등의 외부 자극에 의해 점착 필름(12)의 점착제층(12b)의 점착력을 저하시켜도 좋다. 점착제층(12b)이 2층 이상의 점착제층에 의해 적층되어 구성되어 있는 경우, 각 점착제층 내의 1층 또는 전체층을 에너지선 조사에 의해 경화시켜 각 점착제층 내의 1층 또는 전체층의 점착력을 저하시켜도 좋다.

그 후, 도 4에 도시된 바와 같이 다이싱된 반도체 칩(2) 및 접착제층(13)을 유지한 점착 필름(12)을 링 프레임(20)의 둘레 방향으로 잡아늘이는 익스팬드 공정을 실시한다. 구체적으로는, 다이싱된 복수의 반도체 칩(2) 및 접착제층(13)을 유지한 상태의 점착 필름(12)에 대하여 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(30)를 점착 필름(12)의 하면측으로부터 상승시켜, 점착 필름(12)을 링 프레임(20)의 둘레 방향으로 잡아늘인다.

익스팬드 공정을 실시한 후, 도 5에 도시된 바와 같이 점착 필름(12)을 익스팬드한 상태 그대로, 반도체 칩(2)을 픽업하는 픽업 공정을 실시한다. 구체적으로는, 점착 필름(12)의 하면측으로부터 반도체 칩(2)을 핀(31)에 의해 밀어올림과 함께, 점착 필름(12)의 상면측으로부터 흡착 지그(32)에 의해 반도체 칩(2)을 흡착함으로써 개별 조각화된 반도체 칩(2)을 접착제층(13)과 함께 픽업한다.

그리고 픽업 공정을 실시한 후, 다이 본딩 공정을 실시한다. 구체적으로는, 픽업 공정에서 반도체 칩(2)과 함께 픽업된 접착제층(13)에 의해 반도체 칩(2)을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착한다.

이어서 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

하기의 표 1 및 표 2에는 각 실시예 및 각 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10) 및 접착제층(13)의 조성과, 각 웨이퍼 가공용 테이프의 특성 평가와, 각 실시예 및 각 비교예에 관한 접착제층(13)을 갖는 접착 필름의 특성 평가를 나타내었다.

<아크릴 중합체의 제조법>

우선, 각 실시예 및 각 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층(13)에 포함되는 아크릴 중합체(표 1 및 표 2에 나타내는 아크릴 중합체 (1) 내지 (3))의 제조법에 대하여 설명한다.

(아크릴 중합체 (1))

혼합기 및 냉각기를 비치한 반응기에 글리시딜메타크릴레이트 5중량부, 아크릴로니트릴 25중량부, 부틸아크릴레이트 25중량부, 에틸아크릴레이트 45중량부를 넣고, 85℃로 가열하고, 여기에 2-부타논 2중량부, t-부틸퍼옥시벤조에이트 0.05중량부를 첨가한 후 8시간 보온하고, 냉각 후 메탄올을 첨가하여 중합체를 침전시켜 상청액을 제거하고, 중합체 내에 남은 메탄올을 건조시키고, 계속해서 2-부타논을 첨가하여 고형분이 15%가 되도록 조정하여, 아크릴 중합체 (1)을 얻었다. 이 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography : GPC)에 의한 중량 평균 분자량은 85만, 분산도는 3.5였다.

(아크릴 중합체 (2))

보온 시간을 4시간으로 한 것 이외에는, 아크릴 중합체 (1)과 마찬가지의 제조법에 의해 아크릴 중합체 (2)를 제작했다. 이 중합체의 겔 투과 크로마토그래피에 의한 중량 평균 분자량은 35만, 분산도는 2.3이었다.

(아크릴 중합체 (3))

t-부틸퍼옥시벤조에이트의 첨가량을 0.2질량부로 한 것 이외에는, 아크릴 중합체 (1)과 마찬가지의 제조법에 의해 아크릴 중합체 (3)을 제작했다. 이 중합체의 겔 투과 크로마토그래피에 의한 중량 평균 분자량은 80만, 분산도는 6.6이었다.

<중량 평균 분자량의 측정 방법>

각 아크릴 중합체 (1) 내지 (3)의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 사용하여 측정했다.

(GPC법에 의한 측정 조건)

사용 기기 : 히따찌 635형 HPLC [(주) 히따찌 세이사꾸쇼제]

칼럼 : 겔 팩 R-440, R450, R400M [히따찌 가세 고교(주) 제 상품명]

용리액 : 테트라히드로푸란

측정 온도 : 40℃

유량 : 2.0ml/min

검출기 : 시차 굴절계

(실시예 1)

얻어진 상기 아크릴 중합체 (1)에 대하여 표 1에 나타내는 각 재료를 표 1에 나타내는 배합 비율로 첨가하여 접착제료 조성물의 바니시를 얻었다. 얻어진 바니시를 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 위에 도포하고, 120℃에서 10분간 가열 건조하고, 막 두께 50μm의 B 스테이지 상태의 도막을 형성하여, 접착제층을 갖는 실시예 1의 접착 필름을 제작했다.

(실시예 2)

얻어진 아크릴 중합체 (1)에 대하여 표 1에 나타내는 각 재료를 표 1에 나타내는 배합 비율로 첨가하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 접착제층을 갖는 실시예 2의 접착 필름을 제작했다.

(실시예 3)

얻어진 아크릴 중합체 (1)에 대하여 표 1에 나타내는 각 재료를 표 1에 나타내는 배합 비율로 첨가하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 접착제층을 갖는 실시예 3의 접착 필름을 제작했다.

(실시예 4)

얻어진 상기 아크릴 중합체 (2)에 대하여 표 1에 나타내는 각 재료를 표 1에 나타내는 배합 비율로 첨가하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 접착제층을 갖는 실시예 4의 접착 필름을 제작했다.

(실시예 5)

얻어진 상기 아크릴 중합체 (3)에 대하여 표 1에 나타내는 각 재료를 표 1에 나타내는 배합 비율로 첨가하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 접착제층을 갖는 실시예 5의 접착 필름을 제작했다.

(비교예 1)

얻어진 상기 아크릴 중합체 (1)에 대하여 표 2에 나타내는 각 재료를 표 2에 나타내는 배합 비율로 첨가하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 접착제층을 갖는 비교예 1의 접착 필름을 제작했다.

(비교예 2)

얻어진 아크릴 중합체 (1)에 대하여 표 2에 나타내는 각 재료를 표 2에 나타내는 배합 비율로 첨가하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 접착제층을 갖는 비교예 2의 접착 필름을 제작했다.

또한, 표 1 및 표 2 내의 각 재료는, 이하와 같다.

(에폭시 수지)

YDCN-703(도또 가세(주) 제 상품명, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 210g/eq, 분자량 1200, 연화점 80℃)

(페놀 수지)

미렉스 XLC-LL(미쯔이 가가꾸(주) 제 상품명, 수산기 당량 175g/eq, 흡수율 1.8%, 350℃에 있어서의 가열 중량 감소율 4%)

(실란 커플링제)

Z-6044(도레이?다우코닝(주) 제 상품명, 3-글리시독시프로필메틸메톡시실란)

(실리카 충전제)

S0-C2(애드마파인(주) 제 상품명, 비중 2.2g/㎤, 모스 경도 7, 평균 입경 0.5μm, 비표면적 6.0㎡/g)

(경화 촉진제)

큐어졸 2PZ(시꼬꾸 가세(주) 제 상품명, 2-페닐이미다졸)

이상과 같이 하여 얻어진 각 실시예 및 각 비교예의 접착 필름에 대해, 접착제층의 밀도(ρ), 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률(Gmin), 및 60℃에서의 접합 박리력을 측정했다.

(밀도(ρ))

표 1 및 표 2에 나타내는 각 실시예 및 각 비교예의 접착제층의 밀도(ρ)는 JIS K 7112에 준하여 측정했다.

(최소의 저장 탄성률(Gmin))

얻어진 실시예 1의 접착 필름을 2개 준비하여, 접착제끼리 접합하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름을 박리한 후, 실시예 1의 접착 필름의 접착제층끼리 재차 접합하는 공정을 반복하여 접착제층을 1mm의 두께가 될 때까지 적층하고, 8mmφ로 펀칭하여 실시예 1의 접착제층의 샘플로 했다. 실시예 2, 실시예 3, 비교예 1 내지 4의 각 접착제층의 샘플도, 실시예 1의 샘플과 마찬가지로 제작했다.

동적 점탄성 측정 장치 ARES(레올로지카제)를 사용하여 경화 전의 각 접착제층의 샘플에 대하여, 샘플 두께 1mm, 플레이트 직경 8mmφ, 주파수 1Hz의 조건에서 실온으로부터 200℃까지 승온 속도 10℃/분의 조건으로 승온했을 때의 저장 탄성률의 극소치를 취하고, 이것을 Gmin으로 했다. 각 실시예 및 각 비교예의 Gmin은 표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같다.

(60℃ 접합 박리력)

1cm 폭의 직사각형으로 조정한 각 실시예 및 각 비교예의 접착 필름을 60℃, 0.1MPa, 300mm/분의 조건에서 실리콘 웨이퍼의 이면에 적층한 후, 실온에서 50mm/분, 90℃ 박리 조건에서 박리했을 때의 박리 강도를 측정했다. 각 실시예 및 각 비교예의 60℃ 접합 박리력은 표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같다.

또한, 하기에 나타내는 점착 필름 및 상기 접착 필름을 각각 직경 370mm, 320mm의 원형으로 절단하고, 점착 필름의 점착제층과 접착 필름의 접착제층을 접합했다. 마지막에, 접착 필름의 PET 필름을 접착제층으로부터 박리하고, 각 실시예 및 각 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 테이프를 얻어, 내리플로우성(리플로우 시 균열 발생률), 칩핑 성능의 평가를 행했다.

(점착 필름의 제작)

부틸아크릴레이트 65중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 25중량부, 아크릴산 10중량부를 라디칼 중합시키고, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 적하 반응시켜 합성한 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체에 경화제로서 폴리이소시아네이트 3중량부, 광중합 개시제로서 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤 1중량부를 첨가하고 혼합하여, 점착제층 조성물로 했다.

제작된 점착제층 조성물을 건조막 두께가 10μm로 되도록 필름(기재 필름(12a) 이외의 도포 시공용 필름)에 도포 시공하고, 120℃에서 3분간 건조한다. 이 후, 그 필름에 도포 시공한 점착제층 조성물을, 기재 필름(12a)으로서 두께 100μm의 폴리프로필렌-엘라스토머(PP : HSBR=80 : 20의 엘라스토머) 수지 필름 위에 전사시킴으로써 점착 필름을 제작했다.

또한, 폴리프로필렌(PP)은 니혼 폴리켐 가부시끼가이샤제의 노바텍 FG4를 사용하고, 수소 첨가 스티렌부타디엔(HSBR)은 JSR 가부시끼가이샤제의 다이나론 1320P를 사용했다. 또한, 도포 시공용 필름은 실리콘 이형 처리된 PET 필름(데진 : 휴피렉스 S-314, 두께 25μm)을 사용했다. 　

(리플로우 시 균열 발생률)

두께 200μm의 실리콘 웨이퍼의 이면에 각 실시예 및 각 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 부착하고, 7.5mm×7.5mm로 다이싱한 후, 은 도금 처리된 리드 프레임 위에 160℃, 0.1MPa, 1초의 조건에서 마운트했다. 또한, 밀봉재(교세라 케미칼 가부시끼가이샤제)에 의해 몰드하여, 각 실시예 및 각 비교예의 샘플을 제작했다.

각 실시예 및 각 비교예의 밀봉 후의 샘플을 85℃/60%RH의 항온 항습층에서 196시간 처리한 후, 샘플 표면의 최고 온도가 260℃에서 20초가 되도록 설정한 IR(적외선) 리플로우 노에 샘플을 통과시키고, 실온 방치에 의해 냉각하는 처리를 3회 반복한 샘플 내의 균열의 유무를 관찰했다.

또한, 균열의 유무를 관찰할 때는 초음파 탐사 장치(Scanning Acoustic Tomograph : SAT)를 사용하여 각 샘플을 관찰하여, 박리가 보인 것은 모두 균열로 간주했다.

(칩핑 성능)

두께 200μm의 실리콘 웨이퍼의 이면에 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 부착하고, 7.5mm×7.5mm로 다이싱한 후, 다이의 단면을 광학 현미경에 의해 관찰하여 칩 절결의 유무를 평가했다. 칩 절결이 다발하고 있는 것을 ×, 칩 절결이 거의 관찰되지 않는 것을 ○로 했다.

실시예 1 내지 5에서는 ρ×Gmin이 0.2 이상이기 때문에, 칩 절결이 거의 관찰되지 않아, 칩핑 성능이 향상되어 있어, 다이싱 시에 있어서의 칩 깨짐이나 칩 절결 등의 칩핑(다이싱 시의 칩핑)이 충분히 저감되어 있는 것을 표 1로부터 알 수 있다. 또한, 접착제층의 60℃ 접합 박리력이 50mN/cm 이상으로 높기 때문에, 다이싱 시에 진동(다이싱 블레이드의 회전 진동)으로 칩이 날아가는 것을 저감시킬 수 있는 것을 표 1로부터 알 수 있다. 　

또한, 실시예 1 내지 3에서는 중량 평균 분자량이 85만, 분산도가 3.5인 아크릴 중합체 (1)을 사용했기 때문에, 리플로우 균열의 발생률이 0%였다.

한편, 비교예 1에서는 접착제층의 밀도(ρ)는 높지만, Gmin이 낮기 때문에 칩핑 성능이 저하되었다.

비교예 2에서는 ρ×Gmin은 0.3 이상이지만, 60℃ 접합 박리력이 낮기 때문에 다이싱 시에 칩 비산이 다발했다.

본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 의하면, 이하의 작용 효과를 발휘한다.

(1) 접착제층(13)의 밀도를 ρ(g/㎤), 접착제층(13)의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률을 Gmin(MPa)로 했을 때, ρ×Gmin이 0.2 이상이므로, 밀도(ρ)와 Gmin의 2개의 요소를 조합, 서로 보완시킴으로써 접착제층(13)의 반도체 웨이퍼에의 접합성을 확보하면서, 다이싱 시의 칩핑을 저감시킬 수 있다.

(2) 접착제층(13)을 60℃에서 반도체 웨이퍼(1)에 접합했을 때의 접착제층(13)의 박리력이 50mN/cm 이상이므로, 다이싱 시에 다이싱 블레이드의 회전 진동으로 칩이 날아가는 것을 저감시킬 수 있다.

(3) 접착제층(13)에 포함되는 아크릴 중합체 (1)의 중량 평균 분자량이 85만으로 높고, 분산도 2.3(4 미만)이기 때문에, 내리플로우성을 향상시킬 수 있다.

(4) 접착제층(13)의 주성분으로서 아크릴 수지 등의 저렴한 수지를 사용할 수 있어, 접착제층(13)에 사용하는 수지를 아크릴 수지 등으로 범용화할 수 있다. 따라서, 저비용의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 실현할 수 있다.

본 발명은, 상기 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 한하지 않고, 반도체 웨이퍼(1)(도 2)와 접합되는 접착제층(13)을 갖고, 다이싱에 의해 반도체 칩(반도체 소자)(2)과 동일 크기로 개별 조각화되는 접착 필름이며, 접착제층(13)의 밀도를 ρ(g/㎤g/cc), 접착제층의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률을 Gmin(MPa)로 했을 때 ρ×Gmin이 0.2 이상인 접착 필름에도 적용된다.

즉, 본 발명은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등의 이형 필름(예를 들어, 도 1에 도시된 박리 라이너(11))과, 이 이형 필름 위에 형성된 접착제층(13)으로 이루어지는 접착 필름이며, 상기 실시예 1 내지 5의 접착 필름과 같이 ρ×Gmin이 0.2 이상인 접착 필름에도 적용된다.

본 발명에 관한 접착 필름은, 사용 공정이나 장치에 맞게 미리 소정 형상으로 절단(프리컷)되어 있어도 된다. 또한, 본 발명에 관한 접착 필름은 반도체 웨이퍼 1매분마다 절단된 형태와, 이것이 복수 형성된 긴 시트를 롤 위에 권취한 형태를 포함한다.

1 : 반도체 웨이퍼
2 : 반도체 칩(반도체 소자)
10 : 웨이퍼 가공용 테이프
12 : 점착 필름
12a : 기재 필름
12b : 점착제층
13 : 접착제층

Claims (3)

1. 반도체 웨이퍼와 접합되는 접착제층을 갖는 접착 필름이며,
   상기 접착제층의 밀도를 ρ(g/㎤), 상기 접착제층의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률을 Gmin(MPa)로 했을 때, ρ×Gmin이 0.2 이상 및 0.385 이하이고, 상기 접착제층의 밀도 ρ는 1.0 내지 1.8이며,
   상기 접착제층을 60℃에서 상기 반도체 웨이퍼에 접합했을 때의 상기 접착제층의 박리력이 50mN/cm 이상 및 100mN/cm 이하이며,
   상기 접착제층이 아크릴 중합체(A), 에폭시 수지(B) 및 열활성 경화제(C)를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 필름.
2. 제1항에 있어서, 상기 아크릴 중합체(A)의 분자량이 50만 이상 및 85만 이하이며, 분산도가 2.3 이상 및 4 미만인 것을 특징으로 하는 접착 필름.
3. 기재 필름과 상기 기재 필름 위에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 위에 형성된 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프이며,
   상기 접착제층의 밀도를 ρ(g/㎤), 상기 접착제층의 경화 전에 있어서의 최소의 저장 탄성률을 Gmin(MPa)로 했을 때 ρ×Gmin이 0.2 이상 및 0.385 이하이고, 상기 접착제층의 밀도 ρ는 1.0 내지 1.8이며,
   상기 접착제층을 60℃에서 반도체 웨이퍼에 접합했을 때의 상기 접착제층의 박리력이 50mN/cm 이상 및 100mN/cm 이하이며,
   상기 접착제층이 아크릴 중합체(A), 에폭시 수지(B) 및 열활성 경화제(C)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.

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