JPWO2009011281A1 - ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法 - Google Patents

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Abstract

半導体ウェーハをダイシングし、ダイボンディングフィルムごと半導体チップをピックアップするに際し、半導体チップを容易にかつ確実にピックアップすることができるダイシング−ダイボンディングテープを得る。粘接着剤層と、該粘接着剤層に積層された非粘着層とを有するダイシング−ダイボンディングテープであって、前記非粘着層が、アクリル酸エステルポリマーを主成分として含有する組成物により形成されており、半導体チップのピックアップ時の温度における、非粘着層の貯蔵弾性率が１〜４００ＭＰａでありかつ破断伸度が５〜１００％である。

Description

本発明は、半導体チップの製造に用いられるダイシング−ダイボンディングテープに関し、より詳細には、半導体ウェーハに接合され、ダンシング時及びダイボンディング時に用いられるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法に関する。
従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出し、基板等に実装するために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられていた。ダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイボンディングフィルムの一方の面に半導体ウェーハが貼付されており、ダイボンディングフィルムの他方の面にダイシングフィルムが貼付されている。ダイシングに際しては、半導体ウェーハがダイボンディングフィルムごとダイシングされる。ダイシング後に、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムがダイシングフィルムから剥離され、ダイボンディングフィルムごと半導体チップが取り出される。そして、ダイボンディングフィルム側から半導体チップが基板上に実装される。
ダイシングに際しては、ダイシングを安定に行うために、半導体ウェーハはダイシングフィルムに強固に接合されていなければならない。また、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際には、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムは、ダイシングフィルムから無理なく剥離されねばならない。そのため、基材と、該基材の表面に積層されており、かつ紫外線や放射線等の照射により硬化する粘着剤からなる粘着剤層とを備えるダイシングフィルムが用いられている。この種のダイシングフィルムでは、ダイシング後に紫外線、放射線または光等の照射により粘着剤層が硬化し、それによって粘着剤層の粘着力が低下する。粘着剤層の粘着力が低下すると、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムをダイシングフィルムから剥離しやすくなる。
例えば、下記の特許文献１には、フィルム状接着剤層の片面に、放射線硬化型粘着剤層を有するダイシングテープが積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。フィルム状接着剤層は、熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂とを含有するフィルム状接着剤からなる。ここでは、上記エポキシ樹脂として、３官能以上のエポキシ樹脂と、液状エポキシ樹脂とが用いられている。上記フィルム状接着剤層は、半導体チップの片面に貼付されるダイボンディングフィルムに相当する。
特開２００４−２９２８２１号公報
特許文献１に記載のように、放射線や紫外線の照射により硬化する粘着剤層を有するダイシングテープを用いた場合、粘着剤に紫外線や放射線を照射し、粘着剤の粘着力を低下させる必要があった。そのため、紫外線や放射線を照射する工程を実施しなければならなかった。また、紫外線や放射線を照射するための設備も用意しなければならなかった。さらに、紫外線硬化型樹脂や放射線硬化型樹脂は比較的高価であった。
また、特許文献１に記載のような放射線硬化型粘着剤層は、ダイシング時には未硬化であるため比較的柔らかい。そのため、ダイシングの際の切削性が十分でなく、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際にひげ状の切削屑が発生しやすかった。そのため、半導体チップを確実にピックアップできないことがあった。また、ひげ状の切削屑が、ダイボンディングフィルムや半導体チップに付着すると、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装できないことがあった。
さらに、近年、半導体ウェーハが薄くなってきており、それに伴って、レーザー光によるダイシングが広く用いられてきている。レーザー光の照射によりダイシングを行う場合、紫外線や放射線の照射により硬化される粘着剤は、レーザー光の照射によっても反応し、ダイボンディングフィルムに融着することがあった。この場合には、ダイシングされた半導体チップを全くピックアップできないこともあった。
また、放射線を照射しても、放射線硬化型粘着剤の粘着力が十分に低くならないことがあった。粘着力が十分に低められていない放射線硬化型粘着剤層から、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを剥離しようとした場合、半導体チップに余分な力が加わる。そのため、半導体チップが破損するおそれがあった。
本発明の目的は、半導体ウェーハをダイシングし、ダイボンディングフィルムごと半導体チップをピックアップする際に、紫外線や光等を照射する煩雑な作業を必要とすることなく、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを容易にかつ確実にピックアップすることができるダイシング−ダイボンディングテープ及び該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することである。
本発明は、粘接着剤層と、該粘接着剤層に積層された非粘着層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープであって、前記非粘着層が、アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物により形成されており、半導体チップのピックアップ時の温度における、前記非粘着層の貯蔵弾性率が１〜４００ＭＰａでありかつ破断伸度が５〜１００％であることを特徴とする。粘接着剤層が、ダイボンディングフィルムとして用いられる部分である。すなわち、粘接着剤層が、半導体チップピックアップ時に、半導体チップとともにピックアップされる部分である。
上記非粘着層は、アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは好ましくは、前記非粘着層と前記粘接着剤層との間の剥離力が１〜１５Ｎ／ｍである。剥離力がこの範囲であると、紫外線等を照射しなくても、半導体チップが接合された粘接着剤層を非粘着層から無理なく剥離し、半導体チップを粘接着剤層ごと容易にかつ確実にピックアップすることができる。
本発明では、好ましくは、前記組成物は、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、かつ重量平均分子量が１００〜５００００の範囲にあるオリゴマーをさらに含有する。このオリゴマーは、常温で柔軟性を有する。このため、上記オリゴマーを用いることにより、貯蔵弾性率及び破断伸度を上記特定の範囲内に容易に設定することができる。上記オリゴマーは、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格、イソプレン骨格、ポリアルキル骨格、ポリアクリロニトリル骨格、ポリカーボネート骨格及びジシクロペンタジエン骨格からなる群から選択された少なくとも１種の骨格を有することが好ましい。これらの骨格を有するオリゴマーは柔軟であるため、非粘着層の貯蔵弾性率及び破断伸度をより一層容易に上記特定の範囲内にすることができる。
上記非粘着層は、好ましくは、平均粒径０．１〜１０μｍのフィラー粉末を含む。この場合には、ダイシングの際の切削性を高めることができる。従って、半導体チップや半導体チップとともに切削される粘接着剤層への切削屑の付着を抑制することができる。
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、半導体ウェーハを半導体チップにダイシングする際、及び、ダイシングされた半導体チップをダイシングされた粘接着剤層とともにピックアップする過程に用いられる。
本発明のダイシング−ダイボンディングテープでは、上記非粘着層がダイシング時のダイシングフィルムを兼ねていてもよい。その場合には、本発明のダイシング−ダイボンディングテープに半導体ウェーハを貼り付け、ダイシングを行うことができる。
また、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、前記非粘着層の前記粘接着剤層が積層されている面とは反対側の面に積層されたダイシングフィルムがさらに備えられてもよい。この場合には、ダイシングフィルムにより、ダイシングにおけるエクスパンド等が確実に行われ得る。従って、非粘着層には、ダイシングフィルムとしての機能が要求されないので、様々な材料及び組成により非粘着層を自由に設計することができる。
本発明に係る半導体チップの製造方法は、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層の前記非粘着層が積層されている面とは反対側の面に前記半導体ウェーハを接合する工程と、前記ダイシング−ダイボンディングテープに接合された半導体ウェーハを前記粘接着剤層ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記粘接着剤層を前記非粘着層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法では、好ましくは、半導体チップの取り出しは、ダイシングの後、前記粘接着剤層と前記非粘着層との間の剥離力を変化させることなく行われる。本発明では、ダイシング後に、剥離力を変化させなくても、粘接着剤層付き半導体チップを効率よく取り出すことができる。
(発明の効果)
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と非粘着層とを備えているため、該粘接着剤層の非粘着層が積層されている側とは反対側の面に半導体ウェーハを接合し、本発明の半導体チップの製造方法に従ってダイシング工程を行い、ダイシング後に、半導体チップが接合された粘接着剤層を非粘着層から剥離し、半導体チップを粘接着剤層ごと取り出すことにより粘接着剤層付き半導体チップを製造することができる。
さらに、上記非粘着層がアクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物により形成されており、さらに非粘着層の半導体チップのピックアップ時の温度における、貯蔵弾性率が１〜４００ＭＰａでありかつ破断伸度が５〜１００％の範囲にあるため、ダイシング後に非粘着層の剥離力を変化させなくても、半導体チップが接合された粘接着剤層を非粘着層から無理なくかつ容易に剥離できる。しかも、ダイシング時には、半導体ウェーハとともに上記粘接着剤層を無理なく切削できる。従って、ダイシングに際し、切削屑が生じ難く、該切削屑によるピックアップの不良が生じ難い。
また、放射線硬化型粘着剤層を有するダイシングテープを用いる従来技術では、放射線を照射しても、ダイシングフィルムの粘着力が十分に低くならないことがあった。このため、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムの剥離に際し、半導体チップに余分な力が加わり、チップにクラックが生じやすかった。これに対して、本発明のダイシング−ダイボンディングテープでは、粘着力を低下させる処理をせずに、粘接着剤層に接合された半導体チップを無理なくピックアップすることができる。このため、半導体チップに余分な力が加わり難く、半導体チップが破損し難い。従って、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、薄い半導体ウェーハの加工に用いられる場合に特に有利である。
上記非粘着層が、光の照射により粘着力が低下するように構成されていない場合、レーザー光の照射により非粘着層の品質が変化しない。従って、この場合には、レーザー光の照射によるダイシングにダイシング−ダイボンディングテープを好適に用いることができる。
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。 図２は、本発明の別の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図である。 図３は、半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図である。 図４は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図である。半導体ウェーハがステージ上に置かれた状態を示す正面断面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図である。粘接着剤層に半導体ウェーハを接合するときの状態を示す正面断面図である。 図６は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図である。粘接着剤層に半導体ウェーハが接合された状態を示す正面断面図である。 図７は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図である。粘接着剤層付き半導体ウェーハが裏返されて別のステージ上に置かれた状態を示す正面断面図である。 図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための図である。粘接着剤層が接合された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程を段階的に示す部分切欠正面断面図である。 図９は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて製造された半導体チップを示す正面断面図である。
符号の説明
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型フィルム
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…表面
４…非粘着層
４ａ…一方の面
４ｂ…他方の面
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘接着剤層
５ｃ…延長部
６，７…保護シート
１１…ダイシング−ダイボンディングテープ
１５…ダイシング−ダイボンディングテープ
１６…ダイシングフィルム
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１…半導体チップ
４１…第１の切断刃
４２…第１の切断部分
４３…第２の切断刃
４４…第２の切断部分
以下、本発明の詳細を説明する。
図１（ａ）、（ｂ）に、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型フィルム２を有する。離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルムとしての粘接着剤層３と、非粘着層４と、ダイシングフィルム５とがこの順に積層されている。非粘着層４の一方の面４ａに、粘接着剤層３が貼付されている。非粘着層４の一方の面とは反対側の他方の面４ｂに、ダイシングフィルム５が貼付されている。
粘接着剤層３、非粘着層４及びダイシングフィルム５の平面形状は、円形である。
粘接着剤層３の径は、非粘着層４の径と異なっていてもよい。上記非粘着層４の径は、粘接着剤層３の径よりも大きいことが好ましい。非粘着層４の外周側面は、粘接着剤層３の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましい。これらの場合には、粘接着剤層３に半導体ウェーハを接合する際に、非粘着層４が設けられている位置に対応する部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層３に確実に接合できる。
上記ダイシングフィルム５の径は、粘接着剤層３及び非粘着層４の径よりも大きい。このように、ダイシングフィルム５の径は、粘接着剤層３及び非粘着層４の径よりも大きいことが好ましい。ダイシングフィルム５の外周側面は、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましい。これらの場合には、ダイシングフィルム５にダイシングリングを貼り付けることができる。また、粘接着剤層３に、半導体ウェーハを正確に位置合わせして貼り付けることができる。また、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層３とダイシングフィルムとをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とが、高くなる。
また、非粘着層４の外周側面は、粘接着剤層３により覆われていないことが好ましい。
粘接着剤層３の離型フィルム２が貼付された表面３ａは、半導体ウェーハが貼付される面である。
ダイシングフィルム５は、基材５ａと、基材５ａの片面に積層された粘着剤層５ｂとを有する。非粘着層４の他方の面４ｂに、ダイシングフィルム５が粘着剤層５ｂ側から貼付されている。ダイシングフィルム５は、非粘着層４を介して粘接着剤層３に間接的に貼付されている。
ダイシングフィルム５の延長部５ｃの片面が、粘着剤層５ｂにより離型フィルムの上面２ａに貼付されている。すなわち、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面よりも外側の領域で、ダイシングフィルム５が離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。
ダイシングフィルム５が上記延長部５ｃを有するのは、粘接着剤層３の表面３ａに半導体ウェーハを接合する際に、粘接着剤層３の外周側面よりも外側に位置する延長部５ｃの粘着剤層５ｂにダイシングリングを貼付するためである。
図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型フィルム２の上面２ａに、粘接着剤層３、非粘着層４及びダイシングフィルム５からなる複数の積層体が等間隔に配置されている。また、離型フィルム２の上面２ａに保護シート６、７が設けられている。保護シート６、７が設けられている場合には、ダイシング−ダイボンディングテープ１を例えばロール状に巻回した場合にダイシングフィルム５に加わる圧力が、保護シート６、７によって軽減される。なお、保護シート６、７は設けられていなくてもよい。
離型フィルムの厚みや形状は特に限定されない。例えば正方形の離型フィルムが用いられてもよい。離型フィルムの上面に、粘接着剤層、非粘着層及びダイシングフィルムからなる１つの積層体のみ配置されていてもよい。また、上記積層体及び離型フィルムは、ロール状に巻回されていなくてもよい。また、粘接着剤層、非粘着層及びダイシングフィルムの厚み及び形状も特に限定されない。
本実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ１の特徴は、非粘着層４が、アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物により形成されており、半導体チップのピックアップ時の温度における、非粘着層４の貯蔵弾性率が１〜４００ＭＰａでありかつ破断伸度が５〜１００％であることにある。
上記貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満では、非粘着層４が軟らかくなりすぎて、非粘着層４自体の取り扱い性が低下することがある。上記貯蔵弾性率が４００ＭＰａを超えると、剥離起点が生じ難くなり、半導体チップを良好にピックアップできないことがある。上記破断伸度が５％未満の場合には、非粘着層４の取り扱い性が低くなることがある。上記破断伸度が１００％を超えると、ダイシングに際し、切削屑が生じやすくなることがある。
上記貯蔵弾性率は、１〜１５０ＭＰａの範囲にあることが好ましい。半導体チップのピックアップ時の温度における上記破断伸度は、１０〜５０％の範囲にあることが好ましい。
本明細書において「貯蔵弾性率」とは、厚さ０．５ｍｍ及び幅５ｍｍの非粘着層４を３ｃｍの幅に切り出し、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で測定した場合の貯蔵弾性率の値を意味する。
本明細書において「ピックアップ時の温度」とは、半導体チップをピックアップする工程で、ダイシング後の半導体チップを突き上げピンにより突き上げる際の半導体チップの温度を熱電対により測定した値である。ピックアップ時の温度は、２０〜２５℃の範囲内にあることが好ましい。
本明細書において「破断伸度」とは、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して、オリエンテック社製ＲＴＣ−１３１０Ａを用いて、引張速度３００ｍｍ／分の条件で、非粘着層４単体を引っ張り、破断点における伸度を測定することにより得られた値を意味する。
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、粘接着剤層３と非粘着層４との剥離力は、１〜１５Ｎ／ｍの範囲内にあることが好ましく、１〜８Ｎ／ｍの範囲内にあることがより好ましい。粘接着剤層３と非粘着層４との剥離力がこれらの好ましい範囲内にあると、剥離力を低下させなくても、粘接着剤層３を非粘着層４から容易に剥離することができる。さらに、半導体ウェーハをダイシングする際や半導体チップを取り出す際に、半導体チップの破損を防ぐことができる。
粘接着剤層３と非粘着層４との剥離力が１Ｎ／ｍ未満では、ダイシング時にチップ飛びが起こりやすい。上記剥離力が１５Ｎ／ｍを超えると、半導体チップが接合された粘接着剤層３を非粘着層４から剥離することが困難となる。
上記剥離力は、以下の方法により求められる。まず、ダイシング−ダイボンディングテープ１の粘接着剤層３の、非粘着層４が貼付された面と反対側の面に、ステンレス板を貼り付ける。そして、粘接着剤層３とステンレス板とを充分に接合して、試験体を得る。その後試験体を、粘接着剤層３が下に、非粘着層４が上にくるように固定する。この状態で、粘接着剤層３と非粘着層４との界面に対して１８０度方向に力を非粘着層４に加えて、非粘着層４を粘接着剤層３から剥離する。この時の剥離に要した力を島津製作所製ＡＧＳ−１００Ｄ等を用いて測定し、剥離力とする。
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、剥離力を上記特定の範囲内にするために、上記非粘着層４が用いられている。すなわち、非粘着層４は剥離力を調整する剥離力調整フィルムとして用いられている。
なお、上記貯蔵弾性率、破断伸度及び剥離力をそれぞれ上記特定の範囲内とするための非粘着層４の具体的な材料については、後ほど詳述する。
なお、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイシングフィルム５が省略されて、上記非粘着層４がダイシングフィルムを兼ねていてもよい。
もっとも、ダイシングに際し、半導体チップの飛び等の発生をより一層効果的に防止することができるので、非粘着層４の粘接着剤層３が貼付された面とは反対側の面にダイシングフィルム５が貼付されていることが好ましい。この場合には、非粘着層４に、ダイシングに際してのエクスパンド性等が要求されないため、非粘着層４を構成する材料及び組成をより広い範囲から選択することができる。
（非粘着層４を構成する材料の詳細）
上記非粘着層４は、アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物により形成されており、半導体チップのピックアップ時の温度における貯蔵弾性率が上記特定の範囲にあり、かつ破断伸度が上記特定の範囲にある限り、特に限定されない。非粘着層４として、様々なアクリル樹脂系フィルムを用いることができる。
なお、本明細書において、非粘着層は「非粘着」の性質を有する。「非粘着」は、表面が粘着性を有しない場合だけでなく、指で触ったときにくっつかない程度の微粘着性を有する場合も含む。
上記アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物は、樹脂分として、アクリル系ポリマーを５０重量％以上含む。このような組成物により形成されたアクリル樹脂系フィルムは、ポリオレフィン系フィルムなどに比べて柔らかい。上記アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物を用いることにより、貯蔵弾性率を比較的低くすることができ、例えば、貯蔵弾性率を４００ＭＰａ程度にすることができる。そのため、ダイシングに際しての切削性を高めることができる。また、主成分として用いられるアクリル系ポリマーを選択することにより、非粘着層４の極性を低めたり、貯蔵弾性率を低めたり、破断伸度を上記特定の範囲に容易に設定することができる。
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを用いる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを用いた場合には、非粘着層４の極性を十分に低めることができ、非粘着層４の表面エネルギーを低くすることができ、かつ粘接着剤層３の非粘着層４からの剥離性を高めることができる。上記アルキル基の炭素数が１８を超えると、非粘着層の製造が困難になることがある。上記アルキル基の炭素数は、６以上であることが好ましい。この場合には、非粘着層４の極性をより一層低めることができる。
なお、本明細書において「（メタ）アクリル酸」とは、「メタクリル酸又はアクリル酸」を意味する。
上記アクリル系ポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとして用いて得られたポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーは、上記主モノマーと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることがより好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーのアルキル基の炭素数は２以上であることが好ましく、６以上であることが特に好ましい。上記アクリル系ポリマーの重量平均分子量は２０万〜２００万程度である。
上記他の改質用モノマーは特に限定されない。上記他の改質用モノマーは、カルボキシル基を含有するモノマーではないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーを使用した場合、非粘着層４の極性が高くなり、その結果、ピックアップ性に悪影響を及ぼすことがある。
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは特に限定されない。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーであることが好ましい。
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチル又は（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。
なお、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられても、二種以上が併用されてもよい。
上記官能基含有モノマーとしては、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル又は（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有モノマーが挙げられる。
また、上記アクリル系ポリマーは、反応性二重結合を有する硬化型アクリル系ポリマーであることが好ましい。この場合には、該硬化型アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物を架橋させた架橋体の架橋密度を高めることができる。上記硬化型アクリル系ポリマーとしては、反応性二重結合を側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有する硬化型アクリル系ポリマー等が挙げられる。アクリル系ポリマーに反応性二重結合を導入する方法は、特に制限されない。分子設計が容易であるため、上記反応性二重結合は、側鎖に導入されていることが好ましい。例えば、アクリル系ポリマーに官能基含有モノマーを共重合させた官能基含有アクリル系ポリマーを用意した後に、この官能基（以下、官能基Ａともいう）と反応し得る官能基（以下、官能基Ｂともいう）、及び反応性二重結合の両方を有する化合物（以下、化合物Ｃともいう）を、反応性二重結合が残存するように、上記官能基含有アクリル系ポリマーに縮合反応又は付加反応によって導入する方法が挙げられる。
上記官能基Ａと官能基Ｂとの組合せの例としては、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、又は水酸基とイソシアネート基等の組合せが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも、反応を容易に制御することができるため、水酸基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせでは、どの官能基を上記官能基含有アクリル系ポリマーが含有してもよく、またどの官能基を上記化合物Ｃが含有してもよい。水酸基を有する官能基含有アクリル系ポリマーと、イソシアネート基を有する上記化合物との組合せが好ましい。イソシアネート基及び反応性二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、１，１−ビス（アクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート、又はｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、上記水酸基を有する官能基含有アクリル系ポリマーは、アクリル系ポリマーに、上述の水酸基含有モノマー又は水酸基含有エーテル系化合物を共重合させることにより得られたアクリル系ポリマーであることが好ましい。上記水酸基含有エーテル系化合物としては、例えば、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル又はジエチレングルコールモノビニルエーテル等が挙げられる。
上記非粘着層は、アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合、ダイシングに際しての切削性や、ダイシング後の粘接着剤層の非粘着層からの剥離性を高めることができる。
上記非粘着層を作製する方法としては、まず、上記アクリル系ポリマーと、光反応開始剤や熱反応開始剤と、その他必要に応じて配合される化合物とを含む組成物を、離型フィルム上に塗布し、組成物層を形成する。そして、光の照射及び加熱の内の少なくとも一つの処理を行う。これにより、光硬化もしくは熱硬化により、または光硬化及び熱硬化により、組成物層が硬化（架橋）され、硬化（架橋）した組成物層からなる非粘着層が得られる。中でも、光硬化を用いることが特に好ましい。
熱硬化により非粘着層を作製する場合、硬化時の温度によっては、組成物層に積層されている離型フィルムが熱収縮する。離型フィルムが熱収縮すると、得られる非粘着層の厚み精度が低下することがある。非粘着層の厚み精度が低下すると、非粘着層と粘接着剤層との密着性が低下することがある。また、非粘着層の厚み精度が低く、かつ粘接着剤層と非粘着層とが充分に密着していない場合には、粘接着剤層の表面の凹凸が大きくなることがある。粘接着剤層の表面の凹凸が大きいと、粘接着剤層と半導体ウェーハとの密着性が低下することがある。この場合、ダイシング時にチップ飛びが発生しやすい。
上記光反応開始剤は特に限定されない。上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤や光カチオン発生剤等を用いることができる。また、上記熱反応開始剤は特に限定されない。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤などが挙げられる。
上記光ラジカル発生剤は特に限定されない。上記光ラジカル発生剤の市販品としては、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９及びイルガキュア３7９（以上、いずれもチバ・スペシャリティーケミカルズ社製）、ベンソインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、並びにルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。
上記光カチオン発生剤として、オニウム塩類又は有機金属錯体類を用いることもできる。上記オニウム塩類としては、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩又は芳香族スルホニウム塩等が挙げられる。上記有機金属錯体類としては、鉄−アレン錯体、チタノセン錯体又はアリールシラノール−アルミニウム錯体等が挙げられる。
上記熱ラジカル発生剤としては、有機過酸化物又はアゾ化合物等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート又はｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）又はジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等が挙げられる。
上記組成物は、上記主成分としてのアクリル系ポリマーの他に、好ましくは、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、かつ重量平均分子量が５００〜５００００であるオリゴマーをさらに含有する。このようなオリゴマーを含有することにより、上記アクリル系ポリマーを主成分とする組成物を架橋させた架橋体により形成された非粘着剤層の上記貯蔵弾性率を、容易に１〜４００ＭＰａに制御できる。また、アクリル系ポリマーを主成分とする組成物を架橋させた架橋体により形成された非粘着層の上記破断伸度を、容易に５〜１００％に制御できる。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００未満であると、オリゴマーの配合による効果が充分に得られないことがある。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００００を超えると、半導体チップのピックアップ性が低下することがある。
上記オリゴマーは特に限定されない。上記オリゴマーは、柔軟性を有する骨格を有することが好ましい。上記柔軟性を有する骨格としては、例えば、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格又はジシクロペンタジエン骨格等が挙げられる。
上記オリゴマーは、ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーであることがより好ましい。柔軟性を有する骨格とは、上記オリゴマーのＴｇが２５℃以下となるような骨格をいうものとする。ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーは柔軟性が高い。上記ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート又はポリエーテル系ウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。これらの市販品としてはＭ−２２５（東亜合成社製）及びＵＮ−７６００（根上工業社製）等が挙げられる。
アクリル基と反応可能な二重結合は特に限定はされない。該二重結合を含む基としては、（メタ）アクリル基、ビニル基又はアリル基等が挙げられる。中でも、アクリル基が好ましい。この場合、上記貯蔵弾性率と破断伸度とを上記特定の範囲に制御しやすい。
上記アクリル基と反応可能な二重結合は、上記オリゴマー１分子中に２個以上含有されていることが好ましい。
上記アクリル基と反応可能な二重結合を有するオリゴマーは、加熱や光の照射により、上述のアクリル系ポリマーと架橋する。この架橋により、架橋体中に上記オリゴマーに由来する骨格が取り込まれる。このため、貯蔵弾性率や破断伸度を所望の範囲に制御できる。
また、上記アクリル基と反応可能な二重結合は、分子の両末端に２個存在しててもよく、分子鎖中に存在していてもよい。中でも、分子の両末端に２個のアクリル基が存在するか又は、分子の両末端と、分子鎖中とにアクリル基が存在することが好ましい。
上記ポリエーテル骨格としては、例えば、ポリプロピレンオキシド骨格又はポリエチレンオキシド骨格などが挙げられる。
上記ポリエーテル骨格を有し、かつ分子の両末端のみにアクリル基を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート又はポリエステル系ウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。これらの市販品としては、ＵＡ３４０Ｐ及びＵＡ４２００（新中村化学工業社製）、並びにアロニックスＭ−１６００及びアロニックスＭ−２２０（東亜合成社製）などが挙げられる。
上記アクリルオリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。３官能未満のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、非粘着層の柔軟性が高くなりすぎて、ダイシング時に切削屑が生じやすくなる。１０官能を超えるウレタンアクリルオリゴマーの場合には、非粘着層がもろくなり、ダイシング時に汚染が生じやすい。
ポリエーテル骨格とポリウレタン骨格とを有する３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。これらの市販品としては、Ｕ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ、Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭ及びＵＡ−６１００（新中村化学工業社製）、並びにＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３及びＵＮ−１２５５（根上工業社製）等が挙げられる。
上記オリゴマーの配合量は、特に限定されない。上記（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、上記オリゴマーは１重量部以上の割合で配合されることが好ましい。上記オリゴマーの量が１重量部未満であると、上記オリゴマーの配合による効果が充分に得られないことがある。上記アクリル系ポリマー１００重量部に対して、上記オリゴマーは１００重量部以下の割合で配合されることが好ましい。上記オリゴマーの量が多すぎると、オリゴマーが溶解せず、非粘着層の製造が困難なことがある。
両末端にアクリル基を有するオリゴマーの場合には、上記アクリル系ポリマー１００重量部に対して、オリゴマーは１〜１００重量部の割合で配合されることが好ましく、１〜５０重量部の割合で配合されることがより好ましい。
また、多官能のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、上記（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、オリゴマーは１〜５０重量部の割合で配合されることが好ましく、１〜３０重量部の割合で配合されることがより好ましい。
上記非粘着層４は、フィラー粒子を含有することが好ましい。フィラー粒子を含むことにより、切削性を高めることができる。このため、粘接着層３や半導体チップへの切削屑の付着を抑制することができる。
上記フィラー粒子の平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．１〜５μｍである。上記平均粒径が大きすぎると、非粘着層４の面内厚みがばらつくことがある。上記平均粒径が小さすぎると、ダイシング時の切削性が十分に高められないことがある。
なお、本明細書において、「平均粒径」とは、動的レーザー散乱法によって測定される体積平均径を示す。
上記フィラー粒子は特に限定されない。上記フィラー粒子として、シリカ又はアルミナ等を用いることができる。
上記フィラーの市販品としては、例えば、ＳＣ１０５０ＭＪＤ、ＳＣ２０５０ＭＢ、ＳＣ４０５０ＭＮＡ、ＳＣ４０５０ＭＮＢ及びＳＣ４０５０ＳＥＪ（以上
、いずれもアドマテックス社製）等が挙げられる。
フィラー粒子を除く非粘着層４を構成する材料の合計１００重量部に対して、上記フィラーは０．１〜１５０重量部の割合で配合されることが好ましい。上記フィラー粒子の量が多すぎると、非粘着層４がエクスパンド時に破断することがある。上記フィラー粒子の量が少なすぎると、切削性が十分に高められないことがある。
上記非粘着層４は、紫外線吸収材を含有してもよい。
上記非粘着層４の厚みは特に限定されない。上記非粘着層４の厚みは、３０〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。厚みが３０μｍ未満であると、エクスパンド性が不足する場合がある。厚みが１００μｍを超えると、厚みが不均一になる場合がある。厚みが不均一であると、ダイシングを適切に行えない場合がある。
（離型フィルム２）
上記離型フィルム２は、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼付される面３ａを保護するために用いられる。なお、離型フィルムは、必ずしも用いられなくてもよい。
上記離型フィルム２としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。これらのフィルムの片面は、シリコーン離型剤、又は長鎖アルキル基等を有する離型剤等を用いて離型処理されていてもよい。離型フィルム２は、ポリエチレンレフタレートフィルム等の合成樹脂フィルムであることが好ましい。合成樹脂フィルムは、平滑性及び厚み精度等に優れている。
上記離型フィルムは、単層のフィルムであってもよく、上記フィルムが２以上積層された積層フィルムであってもよい。離型フィルムが積層フィルムである場合、上記フィルムのうち異なる２種以上が積層されていてもよい。
（粘接着剤層３）
上記粘接着剤層３は、半導体チップを基板や、他の半導体チップ等に接合するために用いられる。上記粘接着剤層３は、ダイシングに際し、半導体ウェーハごと切断される。
上記粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物や、熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。また、半導体チップを得た後に、粘接着剤層３に熱や光のエネルギーを与えて硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、基板や等の被着体に、半導体チップを強固に接合することができる。
上記硬化性樹脂は特に限定されない。上記硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂は特に限定されない。上記熱可塑性樹脂としては、例えばポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂又はポリ酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記熱硬化性樹脂は特に限定されない。上記熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂又はポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記光硬化性樹脂は特に限定されない。上記光硬化性樹脂としては、例えば感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、又は感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等が挙げられる。これらの光硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル酸メチル又はホットメルト型接着樹脂が好適に用いられる。上記ホットメルト型接着樹脂としては、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。
粘接着剤層３は、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂と反応する官能基を有する固形ポリマーと、硬化剤とを含むことが好ましい。この場合には、粘接着剤層３を介して接合された半導体チップと基板との間、又は複数の半導体チップ間の接合信頼性が高くなる。
上記エポキシ樹脂は特に限定されない。上記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂であることが好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いると、硬化物は剛直になり、分子の運動が阻害される。このため、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性が高くなる。
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されない。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、又は３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂又はナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の具体例としては、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂の具体例としては、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。
これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられてもよいし、両者が併用されてもよい。
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００であり、好ましい上限は１０００である。上記重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性等を十分に高めることができないことがある。上記重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーは特に限定されない。該高分子ポリマーとしては、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基又はエポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いると、硬化物の可撓性が高くなる。
また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂とエポキシ基を有する高分子ポリマーとを用いると、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により硬化物の機械的強度、耐熱性、及び耐湿性を高めることができるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより硬化物の可撓性が高くなる。
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）の内の少なくとも一方にエポキシ基を有することが好ましい。
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとしては、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂又はエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化物の機械的強度や耐熱性を高めることができるため、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。これらのエポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
上記硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤又はカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の具体例としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されているので、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
硬化速度や硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤とともに、硬化促進剤を用いてもよい。
上記硬化促進剤は特に限定されない。上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール系硬化促進剤又は３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール系硬化促進剤が好適に用いられる。イミダゾール系硬化促進剤を用いた場合、硬化速度や硬化物の物性等を容易に調整することができる。これらの硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されない。上記イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、又はイソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
酸無水物系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合は、酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く、抽出水が塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
（ダイシングフィルム５）
上記ダイシンフィルム５は、上述のように基材５ａと基材５ａの片面に積層された粘着剤層５ｂとを有する。粘着剤層５ｂは、ダイシングリングが貼付されるダイシングリング貼付用粘着剤層である。
上記基材５ａは特に限定されない。上記基材５ａの具体例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。
上記粘着剤層５ｂは、非粘着層４とダイシングフィルムとの剥離力が、粘接着剤層３と非粘着層４との剥離力よりも大きくなるように構成されれば特に限定されない。粘着剤層５ｂを構成する粘着剤の具体例としては、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤又はゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤を用いた場合、ダイシングリングを粘着剤層５ｂからより一層容易に剥離することができる。さらに、粘着剤層５ｂのコストを低くすることができる。
図２に、本発明の別の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。
図２に示すダイシング−ダイボンディングテープ１５は、離型フィルム２、粘接着剤層３、非粘着層４及びダイシングフィルム１６がこの順で積層された積層体である。すなわち、ダイシング−ダイボンディングテープ１５は、ダイシングフィルムの構成が異なること以外はダイシング−ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。ダイシング−ダイボンディングテープ１５では、上述したダイシングフィルム５と異なり、粘着剤層が設けられていないダイシングフィルム１６が用いられている。
ダイシングフィルムは、粘着剤層を有していなくてもよい。ダイシングフィルムが粘着剤層を有していない場合には、ダイシングフィルムが、例えば粘着力を有する材料により構成される。
次に、上述したダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の半導体チップの製造方法を図３〜図９を用いて以下説明する。
先ず上述したダイシング−ダイボンディングテープ１と、半導体ウェーハ２１とを用意する。
図３に示すように、半導体ウェーハ２１の平面形状は円形である。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、図示しないが、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ２１は、所定の厚みとなるように裏面２１ｂが研磨されている。
半導体ウェーハ２１の厚みは、好ましくは３０μｍ以上である。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、研削時やハンドリング時に、クラック等が発生し、半導体チップが破損することがある。
なお、後述するダイシング時に、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。
図４に示すように、半導体ウェーハ２１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載せる。すなわち、半導体ウェーハ２１を表面２１ａ側からステージ２２上に載せる。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２３が設けられている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１と、粘接着剤層３と、非粘着層４との合計厚みと等しいか、もしくはわずかに低い。
次に、ダイシング−ダイボンディングテープ１の粘接着剤層３の面３ａに半導体ウェーハ２１を接合する。図５に、粘接着剤層３に半導体ウェーハ２１を接合するときの状態を正面断面図で示す。
ダイシングフィルム５は、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面よりも外側に延びている延長部５ｃを有する。図５に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型フィルム２を剥離し、粘接着剤層３の表面３ａと、ダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤５ｂとを露出させる。
離型フィルム２を剥離した後、又は離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘接着剤層５ｂを、ダイシングリング２３上に貼付する。さらに、露出した粘接着剤層３を、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに接合する。
図６に、粘接着剤層３に半導体ウェーハ２１が接合された状態を正面断面図で示す。
半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ全体に、粘接着剤層３が接合されている。半導体ウェーハ２１に余計な力が加わらないように、ダイシングフィルム５の延長部５ｃは、ダイシングリング２３に支持されている。
次に、図７に正面断面図で示すように、粘接着剤層３が接合された半導体ウェーハ２１をステージ２２から取り出し、裏返す。このとき、ダイシングリング２３がダイシングフィルム５に貼付された状態で取り出される。取り出された半導体ウェーハ２１を表面２１ａが上方になるように裏返して、別のステージ２４上に載せる。
次に、粘接着剤層３が接合された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割する。
粘接着剤層３が接合された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップ３１に分割する工程を、図８（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
図８（ａ）〜（ｄ）は、個々の半導体チップ３１に分割する工程を段階的に示す部分切欠正面断面図である。
図８（ａ）〜（ｄ）では、ダイシングによる半導体ウェーハ２１の破損を防ぐために、ダイシングは二段階（ステップカット）で行われている。図８（ａ)、（ｂ）にはダイシングの一段階目が示されており、図８（ｃ）、（ｄ）にはダイシングの二段階目が示されている。なお、ダイシング時における半導体ウェーハ２１の破損を防止できれば、ダイシングは一段階で行われてもよい。
図８（ａ）に示すように、先ず半導体ウェーハ２１の表面２１ａから、例えば半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに至らない位置まで、ダイシング装置の第１の切断刃４１を挿入する。その後、第１の切断刃４１を抜き去ることにより、図９（ｂ）に示すように、第１の切断部分４２が形成される。
次に、図８（ｃ）に示すように、ダイシング装置の第１の切断刃４１よりも薄い第２の切断刃４３を、第１の切断部分４２の中央に挿入する。第２の切断刃４３は、第１の切断部分４２よりもさらに深い位置まで挿入される。第２の切断刃４３の挿入深さは、粘接着剤層３を貫通すれば特に限定されない。第２の切断刃４３は、非粘着層４を貫通しない位置、例えば非粘着層４の厚みの半分以下の位置まで挿入されることが好ましい。
第２の切断刃４３を抜き去ることにより、図８（ｄ）に示すように、第１の切断部分４２よりさらに深い位置に、第１の切断部分４２よりも切断幅が狭い第２の切断部分４４が形成される。
半導体ウェーハのダイシング方法は特に限定されない。ダイシング方法としては、例えば一枚の刃でカットするシングルカット、上述した二枚の刃でカットするステップカット又は二枚の刃でカットするベベルカットなどが挙げられる。ベベルカットでは、半導体ウェーハの表面を切断するために、断面がＶ字形状の刃が用いられる。なかでも、ダイシング時に半導体ウェーハの破損が生じ難いため、ステップカットが好ましい。
さらに、半導体ウェーハのダイシング方法として、レーザーを照射する方法を用いてもよい。レーザー光の照射により半導体ウェーハを粘接着剤層３ごと切断する場合、レーザー光は非粘着層４に至るように照射される。紫外線硬化型あるいは放射線硬化型の従来のダイシングフィルム等を用いた場合には、レーザー光の照射によりダイシングを行うと、ダイシングフィルムがレーザー光のエネルギーにより反応し、他の層に融着することがあった。この場合には、半導体チップをダイシングフィルムからピックアップすることができなくなる。
これに対して、本実施形態では、非粘着層４がレーザー光の照射により反応し難いため、非粘着層４が粘接着剤層３に融着し難い。従って、レーザー光を用いたダイシングを行った場合でも、半導体チップのピックアップを無理なく行うことができる。
半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、ダイシングフィルムを引き延ばして、分割された個々の半導体チップ間の間隔を拡張する。その後、半導体チップが接合された粘接着剤層３を非粘着層４から剥離し、図９に示す半導体チップ３１を取り出す。
なお、半導体チップが接合された粘接着剤層３を非粘着層４から剥離する方法としては、半導体ウェーハの裏面側から、多ピンを用いて突き上げる方法や多段ピンを用いて突き上げる方法、半導体ウェーハの表面側から真空ピールする方法、または超音波振動を利用する方法等が挙げられる。
（実施例１〜１１及び比較例１〜５）
非粘着層を作製するために、下記の表１に示すアクリル系ポリマー１〜５の内のいずれかを用いた。アクリル系ポリマー１〜５のいずれかを主成分として含む組成物により、非粘着層を形成した。
先ず、以下のアクリル系ポリマーを合成した。
（アクリル系ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー１）を得た。得られたアクリル系ポリマー１の重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
（アクリル系ポリマー２）
２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、アクリル酸１重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー２）を得た。得られたアクリル系ポリマー２の重量平均分子量は７６万であり、酸価は６．７３（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
（アクリル系ポリマー３）
２−エチルヘキシルアクリレート９７重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート３重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を１．８重量部反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー３）を得た。得られたアクリル系ポリマー３の重量平均分子量は８９万であり、酸価は０．５８（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
（アクリル系ポリマー４）
２−エチルヘキシルアクリレート９９重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を０．９重量部反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー４）を得た。得られたアクリル系ポリマー４の重量平均分子量は７３万であり、酸価は０．３４（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
（アクリル系ポリマー５）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を７重量部反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー５）を得た。得られたアクリル系ポリマー５の重量平均分子量は９２万であり、酸価は１．００（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
Figure 2009011281
なお、非粘着層を形成するための組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。
光重合開始剤：イルガキュア６５１（チバ・ケミカルスペシャリティー社製）
（フィラー）
ＳＣ４０５０：アドマテックス社製、シリカフィラー、平均粒径：１μｍ
ＳＣ２０５０：アドマテックス社製、シリカフィラー、平均粒径：０．５μｍ
ＳＣ１０５０：アドマテックス社製、シリカフィラー、平均粒径：０．３μｍ
（オリゴマー）
Ｕ３２４Ａ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（１０官能のウレタンアクリルオリゴマー）、重量平均分子量：１，３００
ＵＡ３４０Ｐ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（２官能）、重量平均分子量：１２，０００
ＵＮ７６００：根上工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（２官能）、重量平均分子量：１１，５００
ＵＮ７７００：根上工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（２官能）、重量平均分子量：２０，０００
ＥＢＥＣＲＹＬ１２：ダイセルサイテック社製、ポリプロピレングリコールトリアクリレート、重量平均分子量：７８０
（実施例１）
上記アクリル系ポリマー１を１００重量部と、イルガキュア６５１を１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーとしてＵ３２４Ａを１５重量部とを配合し、組成物を得た。得られた組成物に、１６０Ｗの水銀灯２灯を用いて、光を４０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように照射し、組成物を硬化させ、非粘着層としての非粘着フィルムを得た。このようにして得られた非粘着層の半導体チップピックアップ時の温度としての２３℃の温度における貯蔵弾性率と、破断伸度とを以下の方法で測定した。
１）貯蔵弾性率の測定：厚さ０．５ｍｍ及び幅５ｍｍの完全に硬化した非粘着層を３ｃｍの幅に切り出し、試験サンプルを得た。アイティ計測社製ＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で、試験サンプルの２３℃における貯蔵弾性率を求めた。
２）破断伸度：厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ及び７ｃｍの完全に硬化した非粘着層を試験サンプルとして用意した。島津製作所製引張試験機ＡＧ−ＩＳを用いて、試験サンプルを２３℃で３００ｍｍ／分の速度で引っ張り、破断に至った際の伸度を測定し、破断伸度とした。
上記非粘着層を用いて、以下の要領でダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ）１５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。得られた塗液を離型フィルム上に厚み４０μｍになるように塗布し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型フィルム上に粘接着剤層を形成した。
粘接着剤層の離型フィルムが積層されている面とは反対側の面に、上記非粘着層を６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。ラミネート体を円形に切り抜いた後、非粘着層の粘接着剤層が積層されている面とは反対側の面にダイシングフィルムとしてのＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製粘着フィルム、厚み７０μｍのポリエチレン基材の片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）を粘着剤層側から貼付した。その後、上記粘接着剤層の径よりも大きな径を有するように、ダイシングフィルムを円形に切り抜いた。このようにして、離型フィルム／粘接着剤層／非粘着層／ダイシングフィルムがこの順で積層された４層の積層構造を有するダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
（実施例２〜１１及び比較例１〜５）
下記の表２，３に示すように、非粘着層を形成するための組成物の材料の種類及び配合割合を変更したことを除いては実施例１と同様にして非粘着層を得た。
（評価）
上記のようにして非粘着層の２３℃における貯蔵弾性率及び破断伸度を測定した結果を下記の表２，３に示す。
得られたダイシング−ダイボンディングテープの、非粘着層と粘接着剤層との間の剥離力を以下の要領で測定した。結果を下記の表２，３に示す。
剥離力の測定：粘接着剤層の一方の面に非粘着層を６０℃でラミネートした。次に、粘接着剤層の非粘着層が貼付された面とは反対側の面にステンレス板を貼り付けた。その後、粘接着剤層とステンレス板とを充分に接着し、試験体を得た。次に、粘接着剤層が下に、非粘着層が上にくるように、試験体を固定した。３００ｍｍ／分の速度で粘接着剤層と非粘着層との界面に対して１８０度方向に力を非粘着層に加えて、非粘着層を粘接着剤層から剥離した。このとき剥離に要した力を島津製作所製ＡＧＳ−１００Ｄを用いて、測定幅２５ｍｍの条件で測定し、得られた値の平均値を剥離力とした。
さらに、以下の要領で半導体チップの製造時の評価を行った。
ダイシング−ダイボンディングテープの離型フィルムを粘接着剤層から剥離し、粘接着剤層を露出させた。露出した粘接着剤層を直径８ｉｎｃｈのシリコンウェーハ（厚み８０μｍ）の一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。
ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。ダイシング時のチップの飛びの有無を評価した。また、ひげ状の切削屑の有無、半導体チップにおけるクラックの有無を観察した。表２，３に結果を示す。表２，３の評価記号の意味は以下の通りである。
○：チップ飛び、ひげ状の切削屑及びクラックは全てなし
△：チップ飛び、ひげ状の切削屑及びクラックのうちのいずれか一つあり
×：チップ飛び、ひげ状の切削屑及びクラックのうちのいずれか二つあり
ダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップの可否を評価した。表２，３に結果を示す。表２，３の評価記号の意味は以下の通りである。
○：ピックアップできなかった半導体チップの割合が０％
△：ピックアップできなかった半導体チップの割合が１〜１５％
×：ピックアップできなかった半導体チップの割合が１６％以上
Figure 2009011281
Figure 2009011281

Claims (9)

  1. 粘接着剤層と、該粘接着剤層に積層された非粘着層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープであって、
    前記非粘着層が、アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物により形成されており、
    半導体チップのピックアップ時の温度における、前記非粘着層の貯蔵弾性率が１〜４００ＭＰａでありかつ破断伸度が５〜１００％であることを特徴とする、ダイシング−ダイボンディングテープ。
  2. 前記非粘着層が、アクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物を架橋させた架橋体により形成されている、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
  3. 前記非粘着層と前記粘接着剤層との間の剥離力が１〜１５Ｎ／ｍの範囲にある、請求項１または２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
  4. 前記組成物が、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、かつ重量平均分子量が１００〜５００００であるオリゴマーをさらに含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
  5. 前記オリゴマーが、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格、イソプレン骨格、ポリアルキル骨格、ポリアクリロニトリル骨格、ポリカーボネート骨格及びジシクロペンタジエン骨格からなる群から選択された少なくとも１種の骨格を有する、請求項４に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
  6. 前記非粘着層が、平均粒径０．１〜１０μｍのフィラー粉末を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
  7. 前記非粘着層の前記粘接着剤層が積層されている面とは反対側の面に積層されたダイシングフィルムをさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
  8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
    ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層の、前記非粘着層が積層されている面とは反対側の面に前記半導体ウェーハを接合する工程と、
    前記ダイシング−ダイボンディングテープに接合された半導体ウェーハを前記粘接着剤層ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
    ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記粘接着剤層を前記非粘着層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。
  9. ダイシング後に、前記粘接着剤層と前記非粘着層との間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される、請求項８に記載の半導体チップの製造方法。
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