JP2010225650A - ダイシングテープ及び半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】中間層4と、中間層4の一方の面4a側に配置された離型層2と、中間層4の他方の面4bに積層されたダイシング層5とを備え、中間層4が、中間層4の少なくとも一部の領域に、粘着性を有する粘着部4Bを有し、離型層2と中間層4の粘着部4Bとが貼り付けられており、中間層4の粘着部4Bの23℃での貯蔵弾性率が1×104Pa以上であるダイシングテープ1。
【選択図】図1
Description
図1(a)及び(b)に、本発明の第1の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。
次に、図3〜図8を用いて、上述した本発明の第1の実施形態に係るダイシングテープ1を用いた場合の半導体チップの製造方法の一例を、以下説明する。
中間層4は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。組成物は、粘着性を有することが好ましい。組成物は、粘着剤組成物であることが好ましい。組成物としては、熱硬化型又は活性エネルギー線硬化型の組成物が挙げられる。中間層4の粘着力をより一層容易に制御できるので、組成物は、活性エネルギー線硬化型の組成物であることが好ましい。
ダイシング層5は特に限定されない。ダイシング層5を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。
離型層2を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。
粘接着剤層3は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。粘接着剤層3は、ダイシングの際に、半導体ウェーハごと切断される。
図9に、本発明の第2の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図9に示すダイシングテープ51は、中間層が異なること以外は、ダイシングテープ1と同様に構成されている。ダイシングテープ51は、ダイシング−ダイボンディングテープである。ダイシングテープ1と同様に構成されているところは同一の符号を付してその説明を省略する。
図10に、本発明の第3の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図10に示すダイシングテープ61は、中間層が異なること以外は、ダイシングテープ1と同様に構成されている。ダイシングテープ61は、ダイシング−ダイボンディングテープである。
図11に、本発明の第4の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図11に示すダイシングテープ71は、基材層をさらに備えること以外は、ダイシングテープ61と同様に構成されている。ダイシングテープ71は、ダイシング−ダイボンディングテープである。
図13に、本発明の第5の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図13に示すダイシングテープ81は、粘接着剤層を備えていないこと以外は、ダイシングテープ71と同様に構成されている。
図15に、本発明の第6の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図15に示すダイシングテープ91は、粘接着剤層を備えていないこと以外は、ダイシングテープ1と同様に構成されている。
アクリルモノマーとしての2−エチルヘキシルアクリレート95重量部及び2−ヒドロキシエチルアクリレート5重量部と、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア651(チバガイギー社製、50%酢酸エチル溶液)0.2重量部と、ラウリルメルカプタン0.01重量部とを酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分100重量部に対して、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(昭和電工社製、カレンズMOI)を3.5重量部反応させて(メタ)アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体を得た。
アクリルモノマーを、2−エチルヘキシルアクリレート93重量部、2−ヒドロキシエチルアクリレート5重量部及びアクリル酸2重量部に変更したこと以外はポリマー1と同様にして、アクリル共重合体を得た。
アクリルモノマーを、2−エチルヘキシルアクリレート90重量部、2−ヒドロキシエチルアクリレート4重量部、アクリル酸5重量部及び2−エチルヘキシルメタクリレート1重量部に変更したこと以外はポリマー1と同様にして、アクリル共重合体を得た。
アクリルモノマーを、2−エチルヘキシルアクリレート99重量部及び2−ヒドロキシエチルアクリレート1重量部に変更したこと以外はポリマー1と同様にして、アクリル共重合体を得た。
ポリマー1を100重量部、U−324A(新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー)2重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア651(チバガイギー社製)1重量部、コロネートL(日本ポリウレタン工業社製、イソシアネート系架橋剤)0.5重量部を配合し、酢酸エチルに溶解し、中間層形成用の組成物を得た。この組成物を離型PETフィルム上にアプリケーターを用いて塗工した。さらに110℃で3分間加熱乾燥し、厚み20μmのフィルム状の中間層を形成した。この中間層にダイシング層を貼り合わせて、40℃で24時間放置し、積層体を得た。なお、上記ダイシング層は、LDPE(プライムポリマー社製、M12)を原料として用いて、Tダイ法により、厚み100μmに製造した。上記ダイシング層の上記中間層が貼り合わされた面にはコロナ処理を施した。
コロネートLの配合量を3重量部に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
コロネートLの配合量を5重量部に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
ポリマー1をポリマー2に変更したこと、並びにコロネートLの配合量を3重量部に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
ポリマー1をポリマー3に変更したこと、並びにコロネートLの配合量を3重量部に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
ポリマー1をポリマー4に変更したこと、並びにコロネートLの配合量を0.1重量部に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
コロネートLの配合量を0.1重量部に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
中間層の貯蔵弾性率を、アイティ計測社製「DVA−200」を用いて、10Hz及び歪み0.1%の条件で測定した。
タカトリ社製ダイシート貼り機DAM−812MSにて、送り速度45mm/秒の条件で、離型PETフィルム(PET38CS)から中間層を剥離した。
○:離型PETフィルムに中間層が引き寄せられることなく、離型PETフィルムから中間層を剥離できる
×:離型PETフィルムに中間層が引き寄せられて、離型PETフィルムから中間層を容易に剥離できない
2…離型層
2a…上面
2b…切り込み
3…粘接着剤層
3a…表面
3b…外周側面
4…中間層
4a…一方の面
4b…他方の面
4c…外周縁
4A…非粘着部
4B…粘着部
5…ダイシング層
6,7…保護シート
11…切断刃
21…半導体ウェーハ
21a…表面
21b…裏面
21c…外周側面
22…ステージ
23…ダイシングリング
24…ステージ
31…切断面
51…ダイシングテープ
52…中間層
52A…非粘着部
52B…粘着部
52C…非粘着部
61…ダイシングテープ
62…中間層
71…ダイシングテープ
72…基材層
72a…外周側面
81…ダイシングテープ
91…ダイシングテープ
Claims (9)
- 半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得るのに用いられるタイシングテープであって、
中間層と、
前記中間層の一方の面側に配置された離型層と、
前記中間層の他方の面に積層されたダイシング層とを備え、
前記中間層が、前記中間層の少なくとも一部の領域に、粘着性を有する粘着部を有し、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、
前記中間層の前記粘着部の23℃での貯蔵弾性率が1×104Pa以上である、ダイシングテープ。 - 前記中間層が、前記中間層の中央の領域に、非粘着性を有する非粘着部と、前記非粘着部を取り囲む前記中間層の外側部分の領域に、粘着性を有する前記粘着部とを有する、請求項1に記載のダイシングテープ。
- 前記中間層が粘着性を有する粘着剤層である、請求項1又は2に記載のダイシングテープ。
- 前記離型層と前記中間層との間に配置された粘接着剤層をさらに備え、
前記離型層、前記中間層及び前記ダイシング層が、前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、
前記中間層が、前記張り出している領域に前記粘着部を有し、
前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記離型層と前記中間層とにより前記粘接着剤層が覆われている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のダイシングテープ。 - 前記離型層と前記中間層との間に配置された基材層と粘接着剤層とをさらに備え、
前記基材層が非粘着性を有し、
前記基材層が前記中間層側に、かつ前記粘接着剤層が前記離型層側に配置されており、
前記離型層、前記中間層及び前記ダイシング層が、前記基材層及び前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、
前記中間層が、前記張り出している領域に前記粘着部を有し、
前記基材層及び前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記離型層と前記中間層とにより前記基材層及び前記粘接着剤層が覆われている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のダイシングテープ。 - 前記離型層と前記中間層との間に配置されており、かつ非粘着性を有する基材層をさらに備え、
前記離型層、前記中間層及び前記ダイシング層が、前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、
前記中間層が、前記張り出している領域に前記粘着部を有し、
前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記離型層と前記中間層ととにより前記基材層が覆われている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のダイシングテープ。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のダイシングテープの前記離型層を剥離して、前記中間層を露出させる工程と、
前記離型層を剥離しながら、又は前記離型層を剥離した後に、露出した前記中間層に半導体ウェーハを積層し、かつ前記中間層の前記粘着部にダイシングリングを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップを剥離して、取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。 - 請求項4又は5に記載のダイシングテープの前記離型層を剥離して、前記中間層の前記張り出している領域と、前記粘接着剤層とを露出させる工程と、
前記離型層を剥離しながら、又は前記離型層を剥離した後に、露出した前記粘接着剤層に半導体ウェーハを積層し、かつ前記中間層の前記粘着部にダイシングリングを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハを前記粘接着剤層ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を剥離して、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。 - 請求項6に記載のダイシングテープの前記離型層を剥離して、前記中間層の前記張り出している領域と、前記基材層とを露出させる工程と、
前記離型層を剥離しながら、又は前記離型層を剥離した後に、露出した前記基材層に半導体ウェーハを積層し、かつ前記中間層の前記粘着部にダイシングリングを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシングの後に、分割された前記半導体チップを剥離して、取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。
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