JP2011199008A - 粘接着シート、ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着シート付き半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】分割後半導体ウェーハの片面に粘接着シートを積層した後、該粘接着シートを引き延ばしたときに、粘接着シートを精度良く切断できる粘接着シートを提供する。
【解決手段】粘接着シート５１は、個々の半導体チップに分割されており、切断部分２３ｃを有する分割後半導体ウェーハ２３に積層され、粘接着シート５１付き半導体チップを得るために用いられる。粘接着シート５１は、分割後半導体ウェーハ２３が積層される第１の表面５１ａと該第１の表面５１ａとは反対側の第２の表面５１ｂとの内の少なくとも一方の表面に、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃと略平行に配置された窪みを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハにおける半導体チップの片面に、該半導体チップを接着させるための粘接着シートを積層する用途に用いられる粘接着シート、並びに該粘接着シートを用いたダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着シート付き半導体チップの製造方法に関する。

従来、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割して、半導体チップを基板等に接着するために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。この接着作業を容易にするために、先ダイシング法と呼ばれているダイシング法により半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割した後、ダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着剤層付き半導体チップを得る方法が知られている。

上記先ダイシング法では、先ず、半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを分割しないように切り込みを形成する。次に、切り込みが形成された半導体ウェーハの表面に、保護シートを貼り付ける。その後、半導体ウェーハの裏面を切り込み部分まで研削して、半導体ウェーハの厚みを薄くし、個々の半導体チップに分割する。個々の半導体チップに分割された分割後半導体ウェーハの表面には、一般的に保護シートが貼り付けられている。

先ダイシング法により得られた分割後半導体ウェーハを用いて、接着剤層付き半導体チップを得るために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。例えば、下記の特許文献１，２には、接着シートと基材（ダイシングテープ）とが積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。このダイシング−ダイボンディングテープにおける接着シートは、ダイボンディング層であり、半導体チップに接着剤層を積層して、接着剤層付き半導体チップを得るためのシートである。

特開２００５−２６０２０４号公報 特開２００６−０８０１４２号公報

特許文献１，２に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着剤層付き半導体チップを得る際には、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付ける。次に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させる。次に、改質された接着シートと基材とを引き延ばして、該接着シートを分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ個々の半導体チップを離間して、半導体チップの下面に切断された接着剤層を形成する。その後、接着剤層付き半導体チップを基材から剥離して、取り出す。取り出された接着剤層付き半導体チップは、接着剤層側から基板上に実装される。

特許文献１，２に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、接着シートを引き延ばしたときに、接着シートが所望の位置で適切に切断されないことがある。例えば、半導体チップの下方に、接着剤層が確実に配置されないことがある。このため、接着剤層付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾いたり、半導体チップが十分に接着されなかったりする。

さらに、特許文献１に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、接着シートを切断する前に、加熱又は冷却により、接着シートを改質させる必要がある。特許文献２に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、接着シートを切断する前に、電磁波などのレーザー光を照射等して、接着シートを改質させる必要がある。従って、特許文献１，２に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、改質させるための工程を必要とする。このため、接着剤層付き半導体チップを効率よく得ることができない。

本発明の目的は、分割後半導体ウェーハの片面に粘接着シートを積層した後、該粘接着シートを引き延ばしたときに、粘接着シートを精度良く切断できる粘接着シート、並びに該粘接着シートを用いたダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着シート付き半導体チップの製造方法を提供することである。

本発明の限定的な目的は、分割後半導体ウェーハの片面に粘接着シートを積層した後、該粘接着シートを引き延ばす前又は間に粘接着シートを改質しなくても、該粘接着シートを引き延ばして精度良く切断できる粘接着シート、並びに該粘接着シートを用いたダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着シート付き半導体チップの製造方法を提供することである。

本発明の広い局面によれば、個々の半導体チップに分割されており、切断部分を有する分割後半導体ウェーハに積層され、粘接着シート付き半導体チップを得るために用いられる粘接着シートであって、上記分割後半導体ウェーハが積層される第１の表面と該第１の表面とは反対側の第２の表面との内の少なくとも一方の表面に、上記分割後半導体ウェーハの上記切断部分と略平行に配置された窪みを有する、粘接着シートが提供される。

本発明に係る粘接着シートのある特定の局面では、上記窪みは線状であり、線状の上記窪みは、上記分割後半導体ウェーハの上記切断部分と略平行に配置されている。

本発明に係る粘接着シートの他の特定の局面では、上記窪みを複数有し、かつ複数の上記窪みが点状であり、複数の点状の窪みは、上記分割後半導体ウェーハの上記切断部分と略平行に配置されている。

本発明に係る粘接着シートのある特定の局面では、上記分割後半導体ウェーハは、第１の方向と該第１の方向と垂直な第２の方向との両方にのびる切断部分を有し、粘接着シートは、上記第１の方向にのびる上記切断部分と略平行に配置された窪みと、上記第２の方向にのびる上記切断部分と略平行に配置された窪みとを有する。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、本発明に従って構成された粘接着シートと、上記粘接着シートの上記第１の表面とは反対側の第２の表面に積層された基材層とを備える。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、上記基材層の上記粘接着シート側とは反対側の表面に積層されたダイシング層がさらに備えられる。

本発明に係る粘接着シート付き半導体チップの製造方法は、本発明に従って構成された粘接着シートと、個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハとを用いて、上記分割後半導体ウェーハの片面に、上記粘接着シートを上記第１の表面側から積層する工程と、上記粘接着シートを引き延ばすことにより、上記粘接着シートを上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ上記分割後半導体ウェーハにおける個々の上記半導体チップを離間させる工程と、上記粘接着シートが積層された状態で、上記粘接着シート付き半導体チップを取り出す工程とを備える。

本発明に係る粘接着シート付き半導体チップの製造方法の他の特定の局面では、上記粘接着シートと、該粘接着剤層の片面に積層された基材層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープが用いられる。

本発明に係る粘接着シート付き半導体チップの製造方法のさらに他の特定の局面では、上記分割後半導体ウェーハの一方の面に、保護シートが積層されている積層体を用いて、上記分割後半導体ウェーハの他方の面に上記粘接着シートを積層した後、かつ上記粘接着シートを引き延ばす前に、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程がさらに備えられる。

本発明に係る粘接着シート付き半導体チップの製造方法のさらに他の特定の局面では、半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された上記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、上記保護シートが貼り付けられた上記半導体ウェーハの裏面を研削し、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、上記積層体を得る工程がさらに備えられる。

本発明に係る粘接着シート付き半導体チップの製造方法の別の特定の局面では、上記粘接着シートを引き延ばす前又は間に、上記粘接着シートを改質しない。

本発明に係る粘接着シート付き半導体チップの製造方法のさらに別の特定の局面では、上記粘接着シートを引き延ばす前又は間に、上記粘接着シートを改質するために、上記粘接着シートを加熱及び冷却せず、かつレーザー光を照射しない。

本発明に係る粘接着シートは、分割後半導体ウェーハが積層される第１の表面と該第１の表面とは反対側の第２の表面との内の少なくとも一方の表面に、上記分割後半導体ウェーハの切断部分と略平行に配置された窪みを有するので、分割後半導体ウェーハの片面に上記粘接着シートを積層した後、該粘接着シートを引き延ばしたときに、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、粘接着シートを精度良く切断できる。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る粘接着シートを示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。 図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る粘接着シートを示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。 図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。 図４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。 図５（ａ）〜（ｄ）は、粘接着シート付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。 図６（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着シート付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。 図７（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着シート付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。 図１（ｂ）に示す粘接着シートの変形例を示す部分切欠正面断面図である。 図２（ｂ）に示す粘接着シートの変形例を示す部分切欠正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。

（粘接着シート）
本発明に係る粘接着シートは、個々の半導体チップに分割されており、切断部分を有する分割後半導体ウェーハに積層され、粘接着シート付き半導体チップを得るために用いられる。本発明に係る粘接着シートは、分割後半導体ウェーハが積層される第１の表面と該第１の表面とは反対側の第２の表面との内の少なくとも一方の表面に、上記分割後半導体ウェーハの切断部分と略平行に配置された窪みを有するので、分割後半導体ウェーハの片面に上記粘接着シートを積層した後、該粘接着シートを引き延ばしたときに、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、粘接着シートを精度良く切断することが可能になる。さらに、上記粘接着シートを引き延ばす前又は間に、上記粘接着シートを改質しなくても、粘接着シートを精度良く切断できる。例えば、上記粘接着シートを改質するために、上記粘接着シートを加熱及び冷却せず、かつレーザー光を照射しなくても、粘接着シートを精度良く切断できる。

なお、上記分割後半導体ウェーハの片面に積層された粘接着シートを引き延ばしたときに、該粘接着シートが切断される性質を割裂性と呼ぶことがある。

図１に、本発明の第１の実施形態に係る粘接着シートの一部を拡大して示す。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１（ａ）及び（ｂ）では、図示の便宜上、窪みの大きさは実際の大きさから変更している。

図１に示すように、粘接着シート５１は、第１の表面５１ａと第１の表面５１ａとは反対側の第２の表面５１ｂとを有する。

粘接着シート５１は、後述する図５（ｄ）に示す分割後半導体ウェーハ２３に積層され、粘接着シート付き半導体チップを得るために用いられる。分割後半導体ウェーハ２３は、第１の方向（縦方向）と該第１の方向と垂直な第２の方向（横方向）との両方にのびる切断部分２３ｃを有する。切断部分２３ｃは、マトリクス状に形成されている。図５（ｄ）に示すように、個々の半導体チップは切断部分２３ｃにおいて間隔を隔てられていることが多い。隣り合う半導体チップの間隔すなわち切断部分２３ｃの隙間は、一般的には１５〜６０μｍ程度である。なお、図１（ａ）及び（ｂ）では、切断部分２３ｃを有する分割後半導体ウェーハ２３が積層された場合の分割後半導体ウェーハ２３の位置を鎖線で示した。

粘接着シート５１の分割後半導体ウェーハが積層される第１の表面５１ａには、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃと略平行に配置されている窪み５２を有する。

窪み５２は、線状である。線状の窪み５２は、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃと略平行に配置されている。窪み５２は、分割後半導体ウェーハ２３の第１の方向にのびる切断部分２３ｃと略平行に配置された窪み５２Ａと、分割後半導体ウェーハ２３の第２の方向にのびる切断部分２３ｃと略平行に配置された窪み５２Ｂとを有する。従って、粘接着シート５１では、第１の表面５１ａにおいて、窪み５２Ａが第１の方向（縦方向）にのびており、窪み５２Ｂが第１の方向と垂直な第２の方向（横方向）にのびている。

また、粘接着シート５１は、窪み５２Ａを複数有し、複数の窪み５２Ａが略平行に配置されている。さらに、粘接着シート５１は、窪み５２Ｂを複数有し、複数の窪み５２Ｂが略平行に配置されている。第１の方向にのびる複数の窪み５２Ａと第２の方向にのびる複数の窪み５２Ｂとは接続されており、交点を有する。

粘接着シート５１では、３本の線状の窪み５２Ａが切断部分２３ｃに位置するように配置されており、かつ３本の線状の窪み５２Ｂが切断部分２３ｃに位置するように配置されている。なお、窪み５２Ａ，５２Ｂのように、３本の線状の窪みが配置されている必要は必ずしもない。少なくとも１本の線状の窪みが切断部分２３ｃに配置されていればよく、複数の線状の窪みが切断部分２３ｃに配置されていてもよい。

図８に、図１（ｂ）に示す粘接着シート５１の変形例を示す。粘接着シート５１は、第１の表面５１ａに窪み５２を有する。これに対して、図８に示す粘接着シート５６は、分割後半導体ウェーハ２３が積層される第１の表面５６ａとは反対側の第２の表面５６ｂに窪み５７を有する。図８では表されていないが窪み５２と同様に、窪み５７は線状の窪みである。窪みの配置された表面が異なることを除いては、粘接着シート５１，５６は同様に構成されている。このように、分割後半導体ウェーハが積層される第１の表面と該第１の表面とは反対側の第２の表面との内の少なくとも一方の表面に、粘接着シートは、上記分割後半導体ウェーハの上記切断部分と略平行に配置された窪みを有していればよい。第１の表面と第２の表面とに、粘接着シートは、上記窪みを有していてもよい。

図２に、本発明の第２の実施形態に係る粘接着シートの一部を拡大して示す。図２（ａ）は部分切欠平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図２（ａ）及び（ｂ）では、図示の便宜上、窪みの大きさは実際の大きさから変更している。また、図２（ａ）及び（ｂ）では、切断部分２３ｃを有する分割後半導体ウェーハ２３が積層された場合の分割後半導体ウェーハ２３の位置を鎖線で示した。

図２に示すように、粘接着シート６１は、第１の表面６１ａと第１の表面６１ａとは反対側の第２の表面６１ｂとを有する。

粘接着シート６１の分割後半導体ウェーハが積層される第１の表面６１ａには、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃと略平行に配置されている窪み６２を有する。

粘接着シート６１は窪み６２を複数有し、かつ複数の窪み６２は点状である。複数の点状の窪み６２は、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃと略平行に配置されている。点状の窪み６２は、切断部分２３ｃと略平行に並んで配置されている。すなわち、複数の点状の窪み６２を結ぶ第１の方向（縦方向）における仮想線（図２（ａ）の一点鎖線）と、複数の点状の窪み６２を結ぶ第１の方向と垂直な第２の方向（横方向）における仮想線（図２（ａ）の一点鎖線）とが、切断部分２３ｃと略平行になるように、複数の点状の窪み６２が配置されている。

複数の点状の窪み６２は、第１の方向（縦方向）と第１の方向と垂直な第２の方向（横方向）とにおいて、等間隔で並んで配置されている。

粘接着シート６１では、複数の点状の窪み６２を結ぶ第１の方向（縦方向）における３本の仮想線が切断部分２３ｃに位置するように窪み６２が配置されており、かつ複数の点状の窪み６２を結ぶ第１の方向と垂直な第２の方向（横方向）における３本の仮想線が切断部分２３ｃに位置するように窪み６２が配置されている。なお、窪み６２のように、複数の点状の窪みを結ぶ第１，第２の方向における３本の上記仮想線が切断部分２３ｃに位置するように、窪みが配置されている必要は必ずしもない。切断部分２３ｃには、複数の点状の窪みを結ぶ第１，第２の方向における少なくとも１本の仮想線が切断部分２３ｃに位置するように窪みが配置されていればよく、複数の点状の窪みを結ぶ第１，第２の方向における複数本の仮想線が切断部分２３ｃに位置するように窪みが配置されていてもよい。

図９に、図２（ｂ）に示す粘接着シート６１の変形例を示す。粘接着シート６１は、第１の表面６１ａに窪み６２を有する。これに対して、図９に示す粘接着シート６６は、分割後半導体ウェーハ２３が積層される第１の表面６６ａとは反対側の第２の表面６６ｂに窪み６７を有する。図９では表されていないが、窪み６７は、点状の窪みである。窪みの配置された場所が異なることを除いては、粘接着シート６１，６６は同様に構成されている。

粘接着シート５１，６１をより一層精度良く切断する観点からは、窪み５２，６２の深さは、粘接着シートの厚みの１／２０〜１／２であることがより好ましい。窪み５２，６２の深さは、粘接着シートの厚みの１／１０以上であることが好ましく、１／３以下であることがより好ましい。窪みの深さが浅すぎると、窪みに沿って粘接着シートを切断することが困難になる傾向がある。窪みが深すぎると、半導体チップを積層した後の粘接着シートを硬化する工程において、窪みに起因してボイドが生じることある。

粘接着シート５１，６１をより一層精度良く切断する観点からは、窪み５２，６２の大きさは、１〜１５μｍであることが好ましい。窪み５２，６２の大きさのより好ましい下限は３μｍ、より好ましい上限は１０μｍである。なお、線状の窪み５２の大きさは、線状の窪み５２の幅方向寸法を示す。点状の窪み６２の大きさは、点状の窪み６２の径を示す。点状の窪みが真円ではない場合に、１つの点状の窪みの径は最大径を示す。窪みが小さすぎると、窪みに沿って粘接着シートを切断することが困難になる傾向がある。窪みが大きすぎると、半導体チップを積層した後の粘接着シートを硬化する工程において、窪みに起因してボイドが生じることある。

粘接着シート５１，６１をより一層精度良く切断する観点からは、隣り合う窪み５２Ａ間、隣り合う窪み５２Ｂ間、及び隣り合う窪み６２間の間隔はそれぞれ、５〜１５μｍであることが好ましい。隣り合う窪み５２Ａ間、隣り合う窪み５２Ｂ間、及び隣り合う窪み６２間の間隔のより好ましい下限は７μｍ、より好ましい上限は１０μｍである。

窪み５２，６２の形状としては特に限定されず、円柱状、角柱状及び半球状等が挙げられる。窪み５２，６２の底部の形状は、Ｖ字状などの角状であってもよく、半球状などの曲線状であってもよい。特に、窪み５２，６２の底部はＶ字状であることが好ましい。Ｖ字状であると、加工性及び切断性のいずれにも優れる。

粘接着シート５１，６１は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。粘接着シート５１，６１は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。

粘接着シート５１，６１は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。粘接着シート５１，６１付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着シート５１，６１付き半導体チップを粘接着シート５１，６１側から基板等の接着対象部材に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、粘接着シート５１，６１を硬化させることにより、粘接着シート５１，６１を介して、基板等に半導体チップを強固に接合させることができる。

上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。硬化剤及び硬化促進剤はそれぞれ、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

粘接着シート５１，６１の厚みは特に限定されない。粘接着シート５１，６１の厚みは、１〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。粘接着シート５１，６１の厚みのより好ましい下限は３μｍ、より好ましい上限は６０μｍである。粘接着シート５１，６１の厚みが上記範囲内にあると、半導体チップの貼り付けが容易であり、更に半導体装置の薄型化に対応できる。

図３（ａ）及び（ｂ）に、本発明の第１の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す。図３（ａ）は部分切欠平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。

図３（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着シート５１と、基材層３と、ダイシング層４とがこの順に積層されている。粘接着シート５１の第１の表面５１ａは、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられる面である。粘接着シート５１の片面である第２の表面５１ｂに、基材層３が積層されている。基材層３の第１の表面３ａが粘接着シート５１に貼り付けられており、基材層３の第１の表面３ａとは反対側の第２の表面３ｂがダイシング層４に貼り付けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１において、粘接着シート５１にかえて、粘接着シート５６，６１，６６を用いてもよい。

長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着シート５１、基材層３及びダイシング層４を有する複数の積層物が等間隔に配置されている。該積層物の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。

粘接着シート５１、基材層３及びダイシング層４の平面形状は円形である。平面視において、粘接着シート５１は、離型層２、基材層３及びダイシング層４よりも小さい。粘接着シートの大きさは、基材層３の大きさと同等であってもよい。平面視において、基材層３は、離型層２及びダイシング層４よりも小さい。平面視において、ダイシング層４は、離型層２よりも小さい。離型層２は、粘接着シート５１、基材層３及びダイシング層４の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。

本実施形態では、基材層３は、非粘着性を有する。このため、粘接着シート５１付き半導体チップを基材層３から容易に剥離できる。

上記「非粘着性」には、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、基材層の非粘着を有する部分をステンレス板に貼り付けて、基材層を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。

ダイシング層４は、基材４Ａと、基材４Ａの片面に積層された粘着剤層４Ｂとを有する。ダイシング層４は、粘接着シート５１及び基材層３の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。ダイシング層４は粘着剤層４Ｂ側から、張り出している領域において離型層２の上面２ａに貼り付けられており、かつ中央の領域において基材層３の第２の表面３ｂに貼り付けられている。ダイシングリングは、ダイシング層４の粘着剤層４Ｂに貼り付けられる。

図４は、本発明の第２の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図４（ａ）は部分切欠平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。

図４（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１１は、基材層及びダイシング層が異なること以外は、ダイシング−ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。

ダイシング−ダイボンディングテープ１１は、基材層１２と、ダイシング層１３とを備える。離型層２の上面２ａに、粘接着シート５１と、基材層１２と、ダイシング層１３とがこの順に積層されている。粘接着シート５１の片面である第１の表面５１ａに、基材層１２が積層されている。基材層１２の第１の表面１２ａが粘接着シート５１に貼り付けられており、基材層１２の第１の表面１２ａとは反対側の第２の表面１２ｂがダイシング層１３に積層され、貼り付けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１１において、粘接着シート５１にかえて、粘接着シート５６，６１，６６を用いてもよい。

基材層１２及びダイシング層１３の平面形状は円形である。平面視において、粘接着シート５１は、離型層２、基材層１２及びダイシング層１３よりも小さい。平面視において、基材層１２の大きさは、ダイシング層１３の大きさとほぼ等しい。平面視において、基材層１２及びダイシング層１３は、離型層２よりも小さい。離型層２は、粘接着シート５１、基材層１２及びダイシング層１３の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。

本実施形態では、基材層１２は、非粘着性を有する非粘着部１２Ａを有する。非粘着部１２Ａは、基材層１２の中央の領域に設けられている。非粘着部１２Ａは、粘接着シート５１の分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられる位置に対応する部分に設けられている。非粘着部１２Ａの平面形状は、円形である。平面視において、非粘着部１２Ａは粘接着シート５１よりも大きい。従って、非粘着部１２Ａは、粘接着シート５１の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。このため、分割後半導体ウェーハの片面に粘接着シート５１を貼り付ける際に、粘接着シート５１の非粘着部１２Ａが貼り付けられている部分に、分割後半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、分割後半導体ウェーハに貼り付けられた粘接着シート５１の第２の表面５１ｂに非粘着部１２Ａを確実に配置できる。このため、粘接着シート５１の切断の後に、粘接着シート５１付き半導体チップを、基材層１２の非粘着部１２Ａから容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。

基材層１２は、非粘着部１２Ａの外側部分の領域に、粘着性を有する粘着部１２Ｂを有する。粘着部１２Ｂは環状である。基材層１２は粘接着シート５１を被覆している。基材層１２の非粘着部１２Ａが粘接着シート５１の第２の面５２ｂに貼り付けられており、基材層１２の粘着部１２Ｂが離型層２の上面２ａに貼り付けられている。粘接着シート５１の表面の全体に、基材層１２の非粘着部１２Ａが積層されている。粘接着シート５１の表面に粘着部１２Ｂは積層されていない。ダイシングリングは、基材層１２の粘着部１２Ｂに貼り付けられる。

基材層１２の非粘着部１２Ａと粘着部１２Ｂとは一体的に形成されている。非粘着部１２Ａと粘着部１２Ｂとは、同じ材料により形成されており、異なる材料により形成されてはいない。

ダイシング層１３は、基材のみで構成されており、粘着剤層を有さない。ダイシング層１３にかえて、ダイシング層４を用いてもよい。

離型層２は、例えば、離型フィルムである。離型層２は、粘接着シート５１の半導体ウェーハが貼り付けられる第１の表面５１ａを保護するために用いられる。なお、離型層２は、必ずしも用いられていなくてもよい。

離型層２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。

離型層２の表面は離型処理されていてもよい。離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。

離型層２の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、離型層２の厚みは、１０〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。

基材層３，１２は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。活性エネルギー線硬化型の組成物の場合には、組成物に対する活性エネルギー線の照射量を部分的に調整することにより、基材層３，１２の粘着性を部分的に異ならせることができる。基材層が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくしたりすればよい。

基材層３，１２は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。基材層３，１２は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合には、ダイシングの際の切削性をより一層高くすることができる。また、基材層３，１２の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。

上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層３の極性を充分に低くすることができ、基材層３の表面エネルギーを低くすることができ、かつ粘接着シート５１の基材層３からの剥離性を高くすることができる。

上記組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。

上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。

上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。

基材層３，１２の厚みは特に限定されない。基材層３，１２の厚みは、１〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。基材層３，１２の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は６０μｍである。基材層３，１２の厚みが上記好ましい下限を満たすと、エクスパンド性をより一層高めることができる。基材層３，１２の厚みが上記好ましい上限を満たすと、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度をよく一層高めることができる。

ダイシング層４，１３は、例えば、ダイシングフィルムである。ダイシング層４の基材４Ａ及びダイシング層１３の材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系樹脂が好適に用いられる。

ダイシング層４の粘着剤層４Ｂの材料としては、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤又はゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、アクリル系粘着剤又はゴム系粘着剤が好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましく、感圧タイプのアクリル系粘着剤がさらに好ましい。アクリル系粘着剤を用いた場合には、粘着剤層４Ｂの基材層３への貼着力、及び粘着剤層４Ｂのダイシングリングからの再剥離性を高めることができる。さらに、粘着剤層４Ｂの製造コストを低くすることができる。

ダイシング層４，１３の厚みは特に限定されない。ダイシング層４，１３の厚みは、１０〜２００μｍの範囲内であることが好ましい。ダイシング層４，１３の厚みのより好ましい下限は６０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。ダイシング層４，１３の厚みが上記範囲内であると、離型層２からの剥離性及びダイシング層４，１３のエクスパンド性をより一層高くすることができる。なお、ダイシング層４の厚みは、基材４Ａと粘着剤層４Ｂとの合計の厚みを示す。

ダイシング−ダイボンディングテープ１，１１では、ダイシング層４，１３が用いられている。ダイシング層４，１３が省略されて、基材層３，１２がダイシング層を兼ねていてもよい。特に、ダイシング−ダイボンディングテープ１１では、基材層１２の粘着部１２Ｂにダイシングリングを貼り付けることができるため、ダイシング層１３にダイシングリングを貼り付ける必要がない。ダイシング層１３にダイシングリングを貼り付ける必要がないので、ダイシング層１３は粘着力を有していなくてもよい。従って、ダイシング層１３を構成する材料及び組成をより広い範囲から選択できる。

（粘接着シート付き半導体チップの製造方法）
次に、図３（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着シート付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。

先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを有する。

図５（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の片面２２ａに積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。保護シート２２は、分割後半導体ウェーハ２３の片面である表面２３ａに積層されている。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は円形である。

積層体２１は、図５（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。

先ず、図５（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。

図５（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ここでは、第１の方向（縦方向）と該第１の方向と垂直な第２の方向（横方向）との両方にダイシングしている。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切り込み２３ｃが形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。

次に、図５（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図５（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。得られた積層体２１における分割後半導体ウェーハ２３には、第１の方向（縦方向）と該第１の方向と垂直な第２の方向（横方向）との両方にのびる切断部分２３ｃが形成されている。

半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。

積層体２１を得た後、図６（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着シート５１の第１の表面５１ａを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。すなわち、粘接着剤層５１を窪み５２側から、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。これにより、分割後半導体ウェーハ２３の片面である裏面２３ｂに、粘接着シート５１と基材層３とダイシング層４とをこの順で積層する。また、露出したダイシング層４の粘着剤層４Ｂをダイシングリング２６に貼り付ける。

次に、図６（ｂ）に示すように、粘接着シート５１が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６を粘着剤層４Ｂに貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。

次に、図７（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに粘接着シート５１と基材層３とダイシング層４とを積層した後、かつ粘接着シート５１と基材層３とダイシング層４とを引き延ばす前に、保護シート２２は剥離される。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、必要に応じて、保護シート２２を加熱してもよい。ただし、保護シート２２を加熱する際に、粘接着シート５１を改質しないほうが好ましい。

次に、図７（ｂ）に示すように、粘接着シート５１と基材層３とダイシング層４とを引き延ばして、粘接着シートを切断する。このとき、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って切断し、かつ分割後半導体ウェーハ２３における個々の半導体チップを離間させる。粘接着シート５１は、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付けられているため、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、すなわちダイシングラインに沿って、粘接着シート５１を切断できる。粘接着シート５１の切断の後に、粘接着シート５１には切断部分５１ｃが形成される。

なお、本明細書では、粘接着シート５１を引き延ばして切断することを、割裂するともいう。粘接着シート５１を引き延ばして切断する作業（割裂）には、ダイシングも含まれることとし、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着シート５１を引き延ばして切断する（割裂する）ために用いることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、言い換えれば、割裂−ダイボンディングテープである。

粘接着シート５１を引き延ばす方法としては、例えば、粘接着シート５１の下方から突き上げて、粘接着シート５１、基材層３及びダイシング層４に、図７（ｂ）に示す力Ａを付与する方法が挙げられる。力Ａの付与により、結果として粘接着シート５１、基材層３及びダイシング層４に外側に向かって引っ張られる力Ｂ１，Ｂ２が付与され、粘接着シート５１が引き延ばされる。

粘接着シート５１は、分割後半導体ウェーハ２３が積層される第１の表面５１ａに、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃと略平行に配置された窪み５２を有する。従って、粘接着シート５１、基材層３及びダイシング層４を引き延ばすことにより、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、粘接着シート５１を精度良く切断できる。このため、半導体チップの下方において、粘接着シート５１の欠けが生じ難い。粘接着シート５１を精度良く切断できるため、粘接着シート５１付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。粘接着シート５１の欠けが生じ難いので、粘接着シート付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾くのを抑制でき、かつ半導体チップの接合信頼性を高めることができる。

ダイシング−ダイボンディングテープ１の使用により、粘接着シート５１を切断する際に、粘接着シート５１を改質しなくても、粘接着シート５１を精度良く切断できる。例えば、粘接着シート５１を改質するために、粘接着シート５１を加熱及び冷却せず、かつレーザー光を照射しなくても、粘接着シート５１を精度良く切断できる。粘接着シート５１、又は粘接着シート５１と基材層３とダイシング層４を引き延ばす前又は間に、粘接着シート５１を改質しないことが好ましい。粘接着シート５１、又は粘接着シート５１と基材層３とダイシング層４を引き延ばす前又は間に、粘接着シート５１を改質するために、粘接着シート５１を加熱及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。粘接着接着シート層５１、又は粘接着シート５１と基材層３とダイシング層４を引き延ばす前又は間に、粘接着接着シート層５１を改質するために、粘接着接着シート層５１を加熱（保護シート２２を剥離するための加熱を除く）及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。ただし、粘接着シート５１を改質してもよい。粘接着シート５１を改質しない場合には、粘接着シート５１付き半導体チップの製造効率を高めることができる。

粘接着シート５１を切断した後、粘接着シート５１が積層された状態で、半導体チップを粘接着シート５１ごと基材層３から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着シート５１付き半導体チップを得ることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着シート５１部分の下方には、非粘着性を有する基材層３が位置しているので、粘接着シート５１付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１１を用いた場合にも、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着シート５１部分の下方には、基材層１２の非粘着部１２Ａが位置するので、粘接着シート５１付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。粘接着シート５１の切断の後、粘接着シート５１付き半導体チップを基材層３から剥離する前に、ダイシング層４を引き延ばして、個々の半導体チップ間の間隔をさらに拡張してもよい。

なお、単体の粘接着シート５１，６１を用いる場合には、分割後半導体ウェーハ２３の片面に、粘接着シート５１，６１を積層した後、粘接着シート５１，６１に基材層３，１２を積層してもよい。必要に応じて、基材層３，１２にさらにダイシング層４，１３を積層してもよい。

以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。

（実施例１）
（１）基材層の作製
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギー社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）３．５重量部を反応させて（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル系ポリマーＡ（アクリル共重合体）を得た。得られたアクリル系ポリマーＡの重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

得られたアクリル系ポリマーＡ１００重量部、Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）２重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギー社製）１重量部を配合し、酢酸エチルに溶解し、組成物を得た。この組成物を離型ＰＥＴフィルム上にアプリケーターを用いて塗工し、１１０℃で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルム状の組成物層を形成した。この組成物層上に離型ＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、上記組成物層に高圧水銀灯下で３６５ｎｍの紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、離型ＰＥＴフィルム上に非粘着性を有する基材層（厚み５０μｍ）を形成した。

（２）粘接着シートの作製
図１（ａ）及び（ｂ）に示す形状の粘接着シートを以下のようにして用意した。

Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ基含有アクリル系高分子ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）８０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ樹脂）５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部とを配合し、配合物を得た。この配合物をアプリケーターにて厚さ１０μｍになるようにリンテック社製ＰＥＴ３８ＣＳ上に塗布し、１１０℃で３分間加熱乾燥して、窪みを形成する前の粘接着シート（厚み１０μｍ）を得た。

次に線状の突起を片面に有する板状部材を用意した。板状部材における線状の突起は、縦方向と横方向とに周期的かつマトリクス状にのびている。板状部材における線状の突起の幅は３μｍ、突起の高さは３μｍ、縦方向に延びる線状の突起と横方向に延びる線状突起との交点の間隔は１０μｍであった。

窪みを形成する前の粘接着シートに、上記板状部材を突起が設けられている側から押し付けて、粘接着シートに窪みを形成し、線状の窪みが形成された粘接着シート（厚み１０μｍ）を得た。

得られた粘接着シートにおける窪みの深さは３μｍ、窪みの大きさ（幅方向寸法）は５μｍ、隣り合う窪みの間隔（縦方向に延びる窪みと横方向に延びる窪みとの交点の間隔）は、１０μｍであった。

（３）ダイシング−ダイボンディングテープの作製
上記基材層の両面に貼り付けられた離型ＰＥＴフィルムの一方を剥がし、直径３０６．８ｍｍの円形の基材層を得た。上記ＰＥＴ３８ＣＳ上の粘接着シートを直径３０５．８ｍｍの円形に加工した。基材層と粘接着シートとを、円の中心が合うように貼り合せた。基材層の片面に貼り付けられた離型ＰＥＴフィルムを剥がし、ダイシング層（ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ：積水化学工業社製粘着フィルム、厚み７０μｍのポリエチレン基材の片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）を、粘着剤層側から基材層に貼り付けた。また、ダイシング層の粘接着シート及び基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を、上記ＰＥＴ３８ＣＳ上に貼り付けた。このようにして離型層と粘接着シートと基材層とダイシング層とがこの順で積層されたダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（実施例２）
図２（ａ）及び（ｂ）に示す形状の粘接着シートを以下のようにして用意した。

縦方向と横方向とに等間隔で周期的かつマトリクス状に配置されている点状の突起を片面に有する板状部材を用意した。板状部材における点状の突起は、該点状の突起は、縦方向と横方向とに等間隔に配置されている。点状の突起の径は８μｍ、突起の高さは３μｍ、隣り合う突起の間隔は１０μｍであった。

実施例１で得られた窪みを形成する前の粘接着シートに、上記板状部材を突起が設けられている側から押し付けて、粘接着シートに窪みを形成し、点状の窪みが形成された粘接着シート（厚み１０μｍ）を得た。

得られた粘接着シートにおける窪みの深さは３μｍ、窪みの大きさ（径）は１０μｍ、隣り合う窪みの間隔は１０μｍであった。

上記のようにして得られた粘接着シートを用いたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（比較例１）
粘接着シートに窪みを形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（粘接着シート付き半導体チップの製造時の評価）
直径３００ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）の半導体ウェーハ（シリコンウェーハ、厚み７６．５μｍ）の表面に深さ５０μｍの切り込みを入れた。次に、半導体ウェーハの表面に保護シートとしてのバックグラインディングテープ イクロスＳＢ１３５Ｓ−ＢＮ（三井化学社製、オレフィンの片面にアクリル系粘着剤が塗布されている）をアクリル系粘着剤側からラミネートした。次に、半導体ウェーハの厚みが３５μｍになるまで半導体ウェーハの裏面を研削した後、ＣＭＰスラリーを用いて、半導体ウェーハの厚みが３０μｍになるまで半導体ウェーハの裏面の鏡面仕上げを行った。このようにして、保護シートと、分割後半導体ウェーハとの積層体を得た。

次に、実施例及び比較例で得られたダイシング−ダイボンディングテープの離型ＰＥＴフィルムを粘接着シート及び基材層から剥離して、粘接着シートと、基材層の外周部分とを露出した。積層体の分割後半導体ウェーハの裏面に、粘接着シートを６０℃の温度でラミネートし、ダイシング層の粘着剤層をダイシングリングに貼り付けた。

次に、粘接着シートが貼り付けられた分割後半導体ウェーハをステージから取り出して、裏返し、別のステージ上に載せた。その後、分割後半導体ウェーハの表面から、６０℃で保護シートを剥離した。このとき、粘接着シート及び該粘接着シートの窪み部分を選択的には加熱せず、改質しなかった。

ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、２３℃、湿度５０％の環境下、エクスパンド量５ｍｍとして、粘接着シートと基材層とダイシング層とを引き延ばして、粘接着シートを切断した。

粘接着シートの切断の後に、基材層及び粘着剤層の割裂性（切断状態）を下記の判定基準で判定した。

［割裂性の判定基準］
○：半導体チップの下方において、粘接着シートに欠けがない
×：半導体チップの下方において、粘接着シートに欠けがある

引き続きダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２５℃の条件で、２０個の粘接着シート付き半導体チップを連続してピックアップした。粘接着シート付き半導体チップのピックアップ性を下記の判定基準で判定した。

［ピックアップ性の判定基準］
○：ピックアップできなかった粘接着シート付き半導体チップなし
×：ピックアップできなかった粘接着シート付き半導体チップあり

結果を下記の表１に示す。

１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…基材層
３ａ…第１の表面
３ｂ…第２の表面
４…ダイシング層
４Ａ…基材
４Ｂ…粘着剤層
１１…ダイシング−ダイボンディングテープ
１２…基材層
１２Ａ…非粘着部
１２Ｂ…粘着部
１２ａ…第１の表面
１２ｂ…第２の表面
１３…ダイシング層
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…片面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切断部分
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
５１…粘接着シート
５１ａ…第１の表面
５１ｂ…第２の表面
５１ｃ…切断部分
５２，５２Ａ，５２Ｂ…窪み
５６…粘接着シート
５６ａ…第１の表面
５６ｂ…第２の表面
５７…窪み
６１…粘接着シート
６１ａ…第１の表面
６１ｂ…第２の表面
６２…窪み
６６…粘接着シート
６６ａ…第１の表面
６６ｂ…第２の表面
６７…窪み

Claims (12)

1. 個々の半導体チップに分割されており、切断部分を有する分割後半導体ウェーハに積層され、粘接着シート付き半導体チップを得るために用いられる粘接着シートであって、
   前記分割後半導体ウェーハが積層される第１の表面と該第１の表面とは反対側の第２の表面との内の少なくとも一方の表面に、前記分割後半導体ウェーハの前記切断部分と略平行に配置された窪みを有する、粘接着シート。
2. 前記窪みは線状であり、
   線状の前記窪みが、前記分割後半導体ウェーハの前記切断部分と略平行に配置されている、請求項１に記載の粘接着シート。
3. 前記窪みを複数有し、かつ複数の前記窪みが点状であり、
   複数の点状の窪みが、前記分割後半導体ウェーハの前記切断部分と略平行に配置されている、請求項１に記載の粘接着シート。
4. 前記分割後半導体ウェーハは、第１の方向と該第１の方向と垂直な第２の方向との両方にのびる切断部分を有し、
   前記第１の方向にのびる前記切断部分と略平行に配置された窪みと、前記第２の方向にのびる前記切断部分と略平行に配置された窪みとを有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の粘接着シート。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の粘接着シートと、
   前記粘接着シートの前記第１の表面とは反対側の第２の表面に積層された基材層とを備える、ダイシング−ダイボンディングテープ。
6. 前記基材層の前記粘接着シート側とは反対側の表面に積層されたダイシング層をさらに備える、請求項５に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
7. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の粘接着シートと、個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハとを用いて、
   前記分割後半導体ウェーハの片面に、前記粘接着シートを前記第１の表面側から積層する工程と、
   前記粘接着シートを引き延ばすことにより、前記粘接着シートを前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ前記分割後半導体ウェーハの個々の前記半導体チップを離間させる工程と、
   前記粘接着シートが積層された状態で、前記粘接着シート付き半導体チップを取り出す工程とを備える、粘接着シート付き半導体チップの製造方法。
8. 前記粘接着シートと、該粘接着剤層の片面に積層された基材層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープを用いる、請求項７に記載の粘接着シート付き半導体チップの製造方法。
9. 前記分割後半導体ウェーハの一方の面に、保護シートが積層されている積層体を用いて、
   前記分割後半導体ウェーハの他方の面に前記粘接着シートを積層した後、かつ前記粘接着シートを引き延ばす前に、前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程をさらに備える、請求項７又は８に記載の粘接着シート付き半導体チップの製造方法。
10. 半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、
    切り込みが形成された前記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、
    前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの裏面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程をさらに備える、請求項９に記載の粘接着シート付き半導体チップの製造方法。
11. 前記粘接着シートを引き延ばす前又は間に、前記粘接着シートを改質しない、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の粘接着シート付き半導体チップの製造方法。
12. 前記粘接着シートを引き延ばす前又は間に、前記粘接着シートを改質するために、前記粘接着シートを加熱及び冷却せず、かつレーザー光を照射しない、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の粘接着シート付き半導体チップの製造方法。

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