CN105981138B - 半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105981138B
CN105981138B CN201580008260.6A CN201580008260A CN105981138B CN 105981138 B CN105981138 B CN 105981138B CN 201580008260 A CN201580008260 A CN 201580008260A CN 105981138 B CN105981138 B CN 105981138B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor wafer
polymer
adhesive film
wafer surface
surface protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580008260.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105981138A (zh
Inventor
栗田恭三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Tohcello Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Tohcello Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Tohcello Inc filed Critical Mitsui Chemicals Tohcello Inc
Publication of CN105981138A publication Critical patent/CN105981138A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105981138B publication Critical patent/CN105981138B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/18—Homopolymers or copolymers of nitriles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/24—All layers being polymeric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2405/00—Adhesive articles, e.g. adhesive tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2312/00—Crosslinking
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2407/00—Presence of natural rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2421/00—Presence of unspecified rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/04—Presence of homo or copolymers of ethene
    • C09J2423/046—Presence of homo or copolymers of ethene in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2483/00—Presence of polysiloxane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，该粘着剂层位于上述基材膜的一个表面上。粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有：动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)。聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。半导体晶片表面保护用粘着膜在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上。

Description

半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用粘着膜的半导体晶 片的保护方法和半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用该粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法。具体而言，涉及在半导体集成电路的制造工序中，将半导体晶片的电路非形成面(以下，称为晶片背面)进行磨削而将该半导体晶片薄层化时，为了防止半导体晶片的破损、污染，在半导体晶片的电路形成表面(以下，称为晶片表面)以粘着剂层与其接触的方式贴附的半导体晶片表面保护用粘着膜，以及使用其的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法。
背景技术
通常，半导体装置通过下述方法制造：在将高纯度硅单晶等进行切片而制成晶片后，通过离子注入、蚀刻等来组装集成电路，进一步，经过了背面磨削工序、即通过碾磨、研磨、抛光等方法将组装了集成电路后的晶片背面进行机械磨削而使晶片的厚度变薄的工序后，切割而进行芯片化。以往，在这些工序中，在将晶片背面进行磨削时，为了防止半导体晶片的破损、污染而使用了半导体晶片表面保护用粘着膜。
具体而言，在晶片表面经由粘着剂层而贴附半导体晶片表面保护用粘着膜，对晶片表面进行保护，然后将晶片背面进行机械磨削。磨削后，根据需要，有时接着实施晶片背面的药液处理。这些背面处理工序完成后，将该粘着膜从晶片表面剥离。
作为这样的半导体晶片表面保护用粘着膜所要求的性能之一，可举出将晶片背面进行磨削时使用的冷却水(以下，称为磨削水)的浸入防止性能。在晶片表面，存在聚酰亚胺等的涂布层、氧化硅膜、氮化硅膜等蒸镀膜、起因于划痕线(切割道)等的从晶片最外周部沟状洼下的凹部。通常，沟状洼下的凹部的深度为2μm～20μm程度。在将这样的存在于晶片表面的凹部达到了晶片最外周部的晶片背面进行磨削的情况下，如果粘着剂层对凹部的密合不充分，则有时磨削水穿过凹部而浸入。一旦磨削水穿过凹部而浸入到晶片表面与粘着膜之间，则有由于浸入的磨削水而进行粘着剂层从晶片表面的剥离，晶片表面与粘着剂层之间的磨削水的浸入被加速，集成电路表面整体被与磨削水一起浸入的磨削屑污染的倾向。在最差的情况下，有时由于浸入的磨削水的影响，在背面磨削中表面保护用粘着膜剥落，导致晶片的破损。
为了防止这样的问题，采用增厚粘着膜的粘着剂层的厚度，使晶片表面的凹部与粘着剂层的密合性提高的方法。然而，在使用了该方法的情况下，粘着膜对晶片表面的粘着力变大到晶片的强度以上，根据晶片的厚度、表面形状等各条件，在背面磨削后从晶片表面剥离粘着膜时，有时自动剥离机中发生剥离故障而使操作性恶化，或有时使晶片完全破损。此外，根据晶片的种类，凹部的深度超过20μm的晶片也存在，在为了应对这样的晶片而进一步增厚粘着剂层的厚度的情况下，粘着膜的生产性恶化，制造成本上升，因此难以提供便宜的粘着膜，不是现实的解决方法。
作为解决这样的问题的方法，例如，公开了一种半导体晶片表面保护用粘着膜，其特征在于，粘着剂层(B)在50～100℃时的储存弹性模量(G’)的最小值(G’min)为0.07～5MPa，中间层的至少1层(C)在50℃时的储存弹性模量为0.001MPa以上且小于0.07MPa，并且，粘着剂层(B)的厚度(tb，单位：μm)和具有上述储存弹性模量的中间层(C)的合计厚度(tc，单位：μm)满足数学式(1)：tc≥3tb的关系(例如，参照日本特开2003-173994号公报。)。
日本特开2003-173994号公报所公开的粘着膜，对倒装片安装的凸块电极那样的突起高度甚至达到200μm的凹凸也能够追随，密合性优异。
此外公开了一种半导体晶片表面保护用粘着膜，粘着剂层包含：具有能够与交联剂反应的官能团，且动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度为-50～5℃的聚合物(A)100重量份；具有能够与交联剂反应的官能团，且动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度超过5℃且为50℃以下的聚合物(B)10～100重量份；以及相对于上述聚合物(A)和(B)的合计量100重量份，1分子中具有2个以上交联反应性官能团的交联剂(C)0.1～10重量份，粘着剂层的厚度为5～50μm(例如，参照日本特开2004-6746号公报。)。
日本特开2004-6746号公报所公开的粘着膜具有优异的密合性、破损防止性和非污染性。
近年来，便携信息终端用途、IC卡用途等，对半导体集成电路芯片的薄层化的要求越来越高。上述那样的用途所使用的半导体晶片一般通过背面磨削将厚度薄层化至200μm以下，根据情况有时背面磨削至厚度为50μm左右。因此，在将晶片薄层化至200μm以下的磨削条件下，可以说晶片的污染、破损的危险性进一步提高。
此外，随着芯片的高性能化、半导体制造工艺的技术革新，有集成电路表面的形状复杂化的倾向，在存在于晶片表面的凹部中，深度超过20μm的凹部也出现了。其中也有达到50μm左右的凹部。因此，对于半导体晶片表面保护用粘着膜，要求对具有凹凸的晶片表面具有优异的密合性。
另一方面，从晶片剥离粘着膜的工艺条件是各种各样的，都要求在宽的剥离速度范围显示良好的剥离性。
发明内容
发明所要解决的课题
在这样的状况下，为了更有效果地抑制半导体晶片的破损和污染，本发明的课题是提供保持对晶片表面的非污染性，同时在粘贴于晶片表面后即使经过时间密合性也优异，并且从半导体晶片剥离时的剥离性也优异的半导体晶片表面保护用粘着膜，以及使用其的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法。
用于解决课题的方法
用于解决上述课题的方法如下所述。
＜1＞一种半导体晶片表面保护用粘着膜，其在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上，所述半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，该粘着剂层位于上述基材膜的一个表面上，
上述粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)、与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)，
上述聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。
＜2＞根据上述＜1＞所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，剥离速度10mm/min～1000mm/min时的粘着力为4.0N/25mm以下。
＜3＞根据上述＜1＞或＜2＞所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，上述基材膜包含选自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物层、聚烯烃层和聚酯层中的至少1种层。
＜4＞根据上述＜1＞～＜3＞的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，上述粘着剂层是使用通过下述方法获得的含有上述聚合物(A)和上述聚合物(B)的液体而形成的，所述方法包括下述工序：
第一聚合工序，将含有用于形成上述聚合物(A)和上述聚合物(B)中一方的原料单体的第一聚合用材料供给到反应容器，使聚合开始，以及
第二聚合工序，在第一聚合工序之后，将含有用于形成上述聚合物(A)和上述聚合物(B)中另一方的原料单体的第二聚合用材料进一步供给到上述反应容器，使其聚合。
＜5＞根据上述＜1＞～＜3＞的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，上述粘着剂层是使用将含有上述聚合物(A)的液体与含有上述聚合物(B)的液体混合而得的混合液而形成的。
＜6＞一种半导体晶片的保护方法，其包括下述工序：
贴附工序，在半导体晶片的电路形成面上，以上述＜1＞～＜5＞的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜中的粘着剂层与其接触的方式进行贴附，
磨削工序，将贴附有上述半导体晶片表面保护用粘着膜的上述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削，以及
剥离工序，将上述半导体晶片表面保护用粘着膜从上述半导体晶片剥离。
＜7＞一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：
贴附工序，在半导体晶片的电路形成面上，以上述＜1＞～＜5＞的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜中的粘着剂层与其接触的方式进行贴附，
磨削工序，将贴附有上述半导体晶片表面保护用粘着膜的上述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削，以及
剥离工序，将上述半导体晶片表面保护用粘着膜从上述半导体晶片剥离。
发明的效果
根据本发明，可以提供保持对半导体晶片表面的非污染性，同时在粘贴于晶片表面后即使经过时间密合性也优异，并且从半导体晶片剥离时的剥离性也优异的半导体晶片表面保护用粘着膜，以及使用其的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法。本发明的半导体晶片表面保护用粘着膜由于具备密合性和易剥离性，因此对于具有更复杂的表面形状的半导体晶片，可以适合使用。
具体实施方式
以下，对本发明详细地说明。
本发明的半导体晶片表面保护用粘着膜(以下，有时简称为粘着膜)具有基材膜和粘着剂层，该粘着剂层位于上述基材膜的一个表面上，上述粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)、与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)，上述聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。这种构成的本发明的半导体晶片表面保护用粘着膜在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上。
另外，粘着剂层在基材膜的至少一个表面上具有即可，也可以在两个表面上具有。
通过采用这样的构成，可获得保持对晶片表面的非污染性，同时在粘贴于晶片表面后即使经过时间也不从晶片表面浮起，密合性优异，并且从半导体晶片剥离时的剥离性也优异的粘着膜。本发明的粘着膜由于粘着于半导体晶片时充分密合，因此可以极其有效地防止磨削水、磨削屑的浸入所导致的半导体晶片表面的污染、半导体晶片的破损。此外，在剥离本发明的粘着膜时，可以以适度的粘着力剥离，可以防止半导体晶片的破损。本发明的上述构成、和与通过采用它们而发挥效果的关系没有确定，但如下推定。
粘着剂层中包含的至少2种聚合物之中，动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度为0℃以下的聚合物(B)对粘着剂层提供适度的柔软性，对存在于晶片表面的凹部的密合性优异。此外，如果相对于聚合物(B)以质量比(A/B)：57/43～90/10含有动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度超过0℃的聚合物(A)，则保持密合性，同时剥离性提高。可以认为其原因是，通过以上述范围含有聚合物(A)，强韧性提高。
另外，本发明中的聚合物(A)和(B)的动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)和(Tb)是指依照后述的实施例所记载的方法而测定得到的值。
此外，通过聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％以上，从而剥离性优异，通过为30质量％以下，从而强韧性被适度抑制，密合性优异。
本发明的半导体晶片表面保护用粘着膜通过在基材膜的至少一个表面上上形成粘着剂层来制造。通常，在粘着剂层的表面，从防止污染的观点考虑，在刚制造后直到使用的期间，贴附被称为隔离物的剥离膜。从谋求防止由粘着剂层引起的晶片表面污染的观点考虑，在剥离膜的一面涂布粘着剂涂布液，进行干燥而形成粘着剂层后，将所得的粘着剂层转印到基材膜的至少一面的方法是优选的。
作为本发明的半导体晶片表面保护用粘着膜的基材膜，优选使用将合成树脂成型加工成膜状的膜。
作为基材膜所使用的原料树脂，可举出例如，聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、乙烯-α-烯烃共聚物等聚烯烃、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯-马来酸酐共聚物、乙烯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、离子交联聚合物树脂、乙烯-丙烯共聚物、丁二烯系弹性体、苯乙烯-异戊二烯系弹性体等热塑性弹性体、聚苯乙烯系树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏1,1-二氯乙烯系树脂、聚酰胺系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯、聚酰亚胺、聚醚砜(PES)、聚醚醚酮(PEEK)、聚碳酸酯、聚氨酯、丙烯酸系树脂、氟系树脂、纤维素系树脂等。
在这些原料树脂中，优选为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、低密度聚乙烯、聚丙烯、乙烯-α-烯烃共聚物(α-烯烃的碳原子数3～8)、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等，更优选为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。进一步优选为乙酸乙烯酯单元的含量为5质量％～50质量％程度的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
基材膜可以为单层体，也可以为二层以上膜的层叠体。基材膜优选包含选自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物层、聚烯烃层和聚酯层中的至少1种层。作为聚烯烃层，可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-α-烯烃共聚物(α-烯烃的碳原子数3～8)等。作为聚酯层，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等。其中，优选包含选自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物层、聚丙烯层、聚对苯二甲酸乙二醇酯层和聚萘二甲酸乙二醇酯层中的至少1种层，更优选包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物层。此外，基材膜可以为将热塑性树脂进行成型加工而得的基材膜，也可以为将固化性树脂制膜后，固化而得的基材膜。
作为在基材膜为二层以上膜的层叠体的情况下的、将合成树脂成型为膜状的物质层叠时的代表性方法，可举出一边将合成树脂用T模头挤出机挤出成型，一边与预先准备的合成树脂膜的一个表面进行层压的方法。为了提高这些合成树脂膜的各层间的粘接力，可以对各合成树脂膜的层叠侧的表面实施电晕放电处理、化学处理等易粘接处理，或在两层之间设置粘接层。
作为在基材膜为单层体的情况下的、将合成树脂成型加工为膜状的方法，可以从通过压延机法、T模头挤出法、吹胀法、浇铸法等公知的技术来制造的方法之中，考虑生产性、所得的膜的厚度精度等来适当选择。
基材膜如果变薄，则有维持粘着膜的形态的性质差的倾向，与此相伴有时操作粘着膜时的操作性恶化。如果变厚，则对基材膜的生产性产生影响，导致制造成本的增加。从这样的观点考虑，基材膜的总厚度优选为10μm～300μm，更优选为50μm～200μm。
为了使基材膜与粘着剂层的粘接力提高，优选对基材膜的设置有粘着剂层一侧的面，预先实施电晕放电处理或化学处理。以同样的目的，可以在基材膜与粘着剂层之间形成底涂剂层。
作为剥离膜，可举出聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(以下，称为PET膜)等合成树脂膜。优选为根据需要对其表面实施了有机硅处理等脱模处理的剥离膜。剥离膜的厚度通常为10μm～1000μm程度。
本发明的半导体晶片表面保护用粘着膜的粘着剂层，作为其基本成分，含有动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)、与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)。聚合物(A)和聚合物(B)优选分别具有能够与交联剂反应的官能团。粘着剂层优选进一步包含用于控制凝集力、粘着力的、1分子中具有2个以上交联反应性官能团的交联剂(C)。
为了达成本申请发明的目的，即在保持对晶片表面的非污染性的同时，使在粘贴于晶片表面后即使经过时间时的密合性和从半导体晶片的剥离性都提高，在本发明的半导体晶片表面保护用粘着膜的粘着剂层中，相对于聚合物(B)，以质量比(A/B)：57/43～90/10含有聚合物(A)。质量比(A/B)更优选为60/40～90/10，进一步优选为65/35～85/15，最优选为66/34～80/20。如果聚合物(A)的含量变多，则粘着剂层对晶片表面的密合性降低，磨削水变得易于浸入到晶片表面的凹部，有时导致半导体晶片的污染、破损。在聚合物(A)的含量少的情况下，从半导体晶片的剥离性降低。此外，有时粘着剂层的强韧性不足，粘着剂层经受不住磨削水对粘着剂层带来的要使粘着膜剥离的负荷，粘着剂层与晶片表面进行剥离，仍然引起半导体晶片的污染、破损。
作为聚合物(A)和聚合物(B)，可以例示天然橡胶系、合成橡胶系、有机硅聚合物、丙烯酸系聚合物，聚合物(A)和聚合物(B)都优选为丙烯酸系聚合物。作为丙烯酸系聚合物，优选为包含来源于丙烯酸烷基酯的结构单元作为主成分的共聚物。
丙烯酸烷基酯优选为包含丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、和它们的混合物作为主单体的丙烯酸烷基酯。作为丙烯酸烷基酯和甲基丙烯酸烷基酯，可举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸辛酯等。这些可以单独使用1种，也可以混合使用2种以上。
另外，聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％，优选包含24质量％～30质量％。如果来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元为22质量％以上，则剥离性优异，如果为30质量％以下，则强韧性被适度抑制，密合性优异。其中，如果在上述范围使用丙烯腈，则有污染性变得良好的倾向，因此更优选。
聚合物(A)和聚合物(B)优选具有能够与交联剂反应的官能团。作为能够与交联剂反应的官能团，可举出羟基、羧基、环氧基、氨基等。作为在聚合物(A)或聚合物(B)中导入这些能够与交联剂反应的官能团的方法，一般使用将聚合物(A)或聚合物(B)聚合时使具有这些官能团的共聚单体共聚的方法。
作为具有官能团的共聚单体，可举出例如，丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、柠康酸、富马酸、马来酸、衣康酸单烷基酯、中康酸单烷基酯、柠康酸单烷基酯、富马酸单烷基酯、马来酸单烷基酯、丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、丙烯腈、甲基丙烯腈、正丁基氨基乙基丙烯酸酯、正丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等。
可以使这些共聚单体之中的1种与丙烯酸烷基酯共聚，也可以使2种以上共聚。上述的具有能够与交联剂反应的官能团的共聚单体的使用量(共聚量)，在成为聚合物(A)或聚合物(B)的原料的全部单体的总量中，优选为1质量％～40质量％。
在本发明中，除了构成聚合物(A)和聚合物(B)的丙烯酸烷基酯和具有能够与交联剂反应的官能团的共聚单体以外，还可以共聚具有作为表面活性剂的性质的特定的共聚单体(以下，称为聚合性表面活性剂)。聚合性表面活性剂具有与丙烯酸烷基酯和具有官能团的共聚单体共聚的性质，并且在进行乳液聚合的情况下具有作为乳化剂的作用。在使用了使用聚合性表面活性剂进行了乳液聚合的粘着剂聚合物的情况下，通常，不产生由表面活性剂引起的对晶片表面的污染。此外，在产生起因于粘着剂层的极少污染的情况下，也能够通过对晶片表面进行水洗而容易地除去。
作为这样的聚合性表面活性剂的例子，可举出例如，在聚氧乙烯壬基苯基醚的苯环上导入了聚合性的1-丙烯基的物质〔第一工业制药(株)制；商品名：AQUARON RN-10、AQUARON RN-20、AQUARON RN-30、AQUARON RN-50等〕、在聚氧乙烯壬基苯基醚的硫酸酯的铵盐的苯环上导入了聚合性的1-丙烯基的物质〔第一工业制药(株)制；商品名：AQUARON HS-10、AQUARON HS-20等〕、和在分子内具有聚合性双键的磺基琥珀酸二酯系的物质〔花王(株)制；商品名：LATEMUL S-120A、LATEMUL S-180A等〕等。
进一步根据需要，可以共聚：异氰酸酯丙烯酸乙酯、异氰酸酯甲基丙烯酸乙酯、2-(1-氮丙啶基)丙烯酸乙酯、2-(1-氮丙啶基)甲基丙烯酸乙酯、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺等具有自交联性的官能团的单体、乙酸乙烯酯、苯乙烯等具有聚合性双键的单体、二乙烯基苯、丙烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸烯丙酯、其它可作为代表性市售品而举出的例如两末端为二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯且主链的结构为丙二醇型〔日油(株)制，商品名；PDP-200、同PDP-400、同ADP-200、同ADP-400〕、1,4-丁二醇型〔日油(株)制，商品名；ADT‐250、同ADT‐850〕和它们的混合型〔日油(株)制，商品名：ADET‐1800、同ADPT-4000〕等多官能性的单体等。
在共聚这样的具有自交联性的单体、具有聚合性双键的单体、多官能性的单体的情况下，其使用量优选在全部单体中为0.1质量％～30质量％。进一步优选为0.1质量％～5质量％。
作为聚合聚合物(A)和聚合物(B)时的聚合反应机制，可举出自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等。如果考虑粘着剂的制造成本、单体的官能团的影响和离子对半导体晶片表面的影响等，则优选通过自由基聚合来聚合。在通过自由基聚合反应来聚合时，作为自由基聚合引发剂，可举出过氧化苯甲酰、过氧化乙酰、过氧化异丁酰、过氧化辛酰、二叔丁基过氧化物、二叔戊基过氧化物等有机过氧化物、过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等无机过氧化物、2,2’-偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮双-2-甲基丁腈、4,4’-偶氮双-4-氰基戊酸等偶氮化合物等。
此外，在通过自由基聚合反应来聚合聚合物(A)和聚合物(B)的情况下，以调整粘着剂聚合物的分子量等目的，根据需要可以添加链转移剂。作为链转移剂，可以例示惯用的链转移剂，例如，叔十二烷基硫醇、正十二烷基硫醇等硫醇类等。链转移剂的使用量相对于单体的总量100质量份为0.01质量份～1.0质量份程度，更优选为0.05质量份～0.8质量份。
作为聚合物(A)和聚合物(B)的聚合法，可以从乳液聚合法、悬浮聚合法、溶液聚合法等公知的聚合法中适当选择使用。特别是，如果考虑防止粘着剂层对晶片表面的污染，优选采用可获得高分子量的共聚物的乳液聚合法。
在通过乳液聚合法来聚合聚合物(A)和聚合物(B)的情况下，在上述的自由基聚合引发剂中，优选为水溶性的过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等无机过氧化物、同样为水溶性的4,4’-偶氮双-4-氰基戊酸等分子内具有羧基的偶氮化合物。如果考虑离子对晶片表面的影响，则进一步优选为过硫酸铵、4,4’-偶氮双-4-氰基戊酸等分子内具有羧基的偶氮化合物。特别优选为4,4’-偶氮双-4-氰基戊酸等分子内具有羧基的偶氮化合物。
另外，聚合物(A)和聚合物(B)，(1)可以分别聚合，然后将它们混合；(2)可以在一个反应容器内通过一系列聚合工序，一并获得聚合物(A)和聚合物(B)。
作为(1)的方法，可举出例如，聚合聚合物(A)，准备含有聚合物(A)的液体，另行聚合聚合物(B)，准备含有聚合物(B)的液体，调制混合有它们的混合液的方法。
在(2)的方法的情况下，在液体中，聚合物(A)和聚合物(B)可以分开地存在，也可以互相缠结(或附着)存在。(2)的方法，详细而言，优选包括下述工序：将含有用于形成聚合物(A)和聚合物(B)中一方的原料单体的第一聚合用材料供给到反应容器而使聚合开始的第一聚合工序；以及，在第一聚合工序之后，将含有用于形成聚合物(A)和聚合物(B)中另一方的原料单体的第二聚合用材料进一步供给到上述反应容器而使其聚合的第二聚合工序。
(2)的方法中，在一个反应容器内通过一系列聚合工序进行，除此以外，通过与以往公知的一般的乳液聚合同样的方式，例如，可以适当采用公知的原料单体供给方法、聚合条件(聚合温度、聚合时间、聚合压力等)、使用材料(聚合引发剂、表面活性剂等)来进行。例如，作为原料单体供给方法，将全部单体原料一次供给到聚合容器的一并加入方式、连续供给(滴加)方式、分开供给(滴加)方式等都能够采用。也可以将单体原料的一部分或全部预先与水混合而乳化，将该乳化液供给到反应容器内。
作为聚合引发剂的供给方法，将使用的聚合引发剂的实质上全部量在开始供给单体原料前预先加入到反应容器的一并加入方式、连续供给方式、分开供给方式等都能够采用。
第一聚合用材料的供给方式与第二聚合用材料的供给方式可以相同也可以不同。第一聚合用材料和第二聚合用材料中的单体原料，以使所得的聚合物(A)/聚合物(B)的质量比成为57/43～90/10的方式供给到反应容器。
第一聚合工序和第二聚合工序中，根据需要，可以使用以往公知的各种链转移剂。链转移剂可以在第一聚合工序和第二聚合工序的两工序中添加，也可以仅在一方的聚合工序中添加。在本发明中，优选在第一聚合工序中添加链转移剂。一般而言，如果使其它条件相同而增加链转移剂的使用量，则所得的聚合物的分子量减少，因此有密合性变高，但污染性变差的倾向。
以下，举出第一聚合工序和第二聚合工序的优选的一个实施方式。
优选将作为第一聚合用材料的用于形成聚合物(A)的单体原料供给到反应容器内使其聚合，接下来，将作为第二聚合用材料的用于形成聚合物(B)的单体原料供给到反应容器内使其聚合。
聚合物(A)和聚合物(B)都优选为丙烯酸系聚合物。聚合物(A)优选使用丙烯酸烷基酯作为主单体，使用丙烯腈或甲基丙烯腈作为共聚单体。
聚合物(A)优选使用丙烯酸烷基酯作为主单体，包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％作为共聚单体，更优选使用丙烯酸烷基酯作为主单体，包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元24质量％～30质量％作为共聚单体。
关于聚合物(B)，只要动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下就没有特别限定，可以使用丙烯酸烷基酯作为主单体。此外，作为构成聚合物(B)的共聚单体，也可以使用丙烯腈或甲基丙烯腈。其中，如果使用丙烯腈，则有污染性变得更良好的倾向，因此更优选。
作为构成聚合物(B)的共聚单体，在使用丙烯腈或甲基丙烯腈的情况下，在聚合物(B)100质量份中，来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元优选为1质量份～20质量份，更优选为5质量份～20质量份，进一步优选为5质量份～15质量份。
第一聚合工序中的链转移剂的使用量优选为链转移剂的总量的90质量％以上，更优选为95质量％以上，进一步优选为99质量％以上。
接下来，在聚合物(A)和聚合物(B)中，对动态粘弹性的tanδ(以下，简称为tanδ)达到最高时的温度(Ta)和(Tb)的控制方法进行说明。
Tanδ达到最高时的温度(Ta)和(Tb)可以通过(i)构成聚合物(A)和聚合物(B)的主单体的种类和使用量、(ii)具有能够与交联剂反应的官能团的共聚单体的种类和使用量来调整。
首先，关于(i)构成聚合物(A)和聚合物(B)的主单体的种类和使用量，在使用丙烯酸烷基酯作为主单体的情况下，作为主单体，如果烷基的碳原子数为3～8，则有烷基的碳原子数越多，tanδ达到最高时的温度越低的倾向，如果烷基的碳原子数为9以上，则有烷基的碳原子数越多，tanδ达到最高时的温度越高的倾向。此外，如果使用甲基丙烯酸酯类作为主单体，则有tanδ达到最高时的温度变高的倾向。在任何情况下，都是这些主单体的使用量越多，对tanδ达到最高时的温度带来的影响越大。
因此，通常，为了获得tanδ达到最高时的温度(Ta)在0℃以下的较低温度范围的聚合物(B)，优选大量使用丙烯酸正丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸辛酯那样的烷基的碳原子数为4～8的丙烯酸烷基酯。此外，为了获得tanδ达到最高时的温度(Tb)在超过0℃的较高温度范围的聚合物(A)，优选主要大量使用丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯那样的烷基的碳原子数为2～4的丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯类。
关于(ii)具有能够与交联剂反应的官能团的共聚单体的种类和使用量(共聚量)，通常，在作为共聚单体使用的单体中，例如，在使用丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸那样的具有羧基的单体、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、N-羟甲基丙烯酰胺那样的具有酰胺基的单体、和甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯那样的甲基丙烯酸酯类的情况下，一般有使tanδ达到最高时的温度向高温侧移动的倾向，使用量(共聚量)越多该倾向越大。
因此，通常，为了获得tanδ达到最高时的温度(Ta)在0℃以下的较低温度范围的聚合物(B)，优选使具有tanδ达到最高时的温度向高温侧移动的倾向的共聚单体的添加量在上述范围内较少。此外，为了获得tanδ达到最高时的温度(Tb)在超过0℃的较高温度范围的聚合物(A)，优选使共聚单体的添加量在上述范围内较多。
作为本发明所使用的1分子中具有2个以上交联反应性官能团的交联剂(C)，可举出山梨糖醇聚缩水甘油基醚、聚甘油聚缩水甘油基醚、季戊四醇聚缩水甘油基醚、二甘油聚缩水甘油基醚、甘油聚缩水甘油基醚、新戊二醇二缩水甘油基醚、间苯二酚二缩水甘油基醚等环氧系交联剂、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶羧基酰胺)、N,N’-六亚甲基-1,6-双(1-氮丙啶羧基酰胺)、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶羧基酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等氮丙啶系交联剂、四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯3加成物、多异氰酸酯等异氰酸酯系交联剂等。这些交联剂可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
此外，在粘着剂为水溶液、以水为介质的乳液等水系粘着剂的情况下，异氰酸酯系交联剂由于由与水的副反应引起的失活速度快，因此有时与粘着剂聚合物的交联反应不会充分进行。因此，在该情况下在上述的交联剂中优选使用氮丙啶系或环氧系的交联剂。
本发明中的1分子中具有2个以上交联反应性官能团的交联剂(C)的含量，相对于聚合物(A)和聚合物(B)的总量100质量份，优选为0.1质量份～10质量份。如果交联剂的含量小于0.1质量份，则粘着剂层的凝集力变得不充分，可能污染晶片表面。如果交联剂的含量超过10质量份，则可能粘着剂层对晶片表面凹部的密合性降低，在晶片背面磨削中由水、磨削屑浸入引起半导体晶片的破损、由磨削屑引起晶片表面污染。
本发明中的构成粘着剂层的粘着剂中，除了聚合物(A)和聚合物(B)、1分子中具有2个以上交联反应性官能团的交联剂(C)以外，为了调整粘着特性，可以适当含有松香系、萜烯树脂系等增粘剂、各种表面活性剂等。此外，在将聚合物(A)和聚合物(B)调制为乳液液体的情况下，在不影响本发明的目的的程度可以适当含有二甘醇单丁基醚等造膜助剂。
半导体晶片表面保护用粘着膜的粘着剂层的厚度有时会影响对晶片表面的凹部的密合性、粘着力等。如果粘着剂层的厚度变薄，则有时对晶片表面的凹部的密合性不足，磨削水穿过凹部而浸入，污染晶片表面。如果厚度变厚，则有时对晶片表面的凹部的密合性提高，另一方面，粘着力变高，使剥离时的操作性降低。从这样的观点考虑，粘着剂层的厚度优选为5μm～200μm。进一步优选为10μm～100μm。
在本发明中，在基材膜的一个表面上形成粘着剂层时，可以使用下述方法：将上述粘着剂制成溶液或乳液液体(以下，将它们总称为粘着剂涂布液)，按照辊式涂布机、缺角轮涂布机、模头涂布机、线棒式涂布机、逆辊式涂布机、凹版式涂布机等公知的方法依次涂布，进行干燥而形成粘着剂层的方法。此时，为了保护涂布后的粘着剂层免受因环境引起的污染等，优选在涂布后的粘着剂层的表面贴附剥离膜。或者，可以采用在剥离膜的一个表面上，按照上述的公知的方法涂布粘着剂涂布液，进行干燥而形成粘着剂层后，使用干式层压法等惯用的方法使粘着剂层转印于基材膜的方法(以下，称为转印法)。
将粘着剂涂布液干燥时的干燥条件没有特别限制，一般而言，优选在80℃～300℃的温度范围内，干燥10秒～10分钟。进一步优选在80℃～200℃的温度范围内干燥15秒～10分钟。在本发明中，为了使交联剂与丙烯酸烷基酯系共聚物之间的交联反应充分地促进，可以在粘着剂涂布液的干燥结束后，使半导体晶片表面保护用粘着膜在40℃～80℃加热5小时～300小时程度。
剥离速度10mm/min～1000mm/min时的粘着力优选为4.0N/25mm以下，更优选为3.0N/25mm以下，进一步优选为2.5N/25mm以下。如果粘着力在上述范围，则从半导体晶片剥离时的剥离操作性优异。如果粘着力过高，则有时剥离操作性降低，剥离时半导体晶片破损。
接下来，对本发明中的半导体晶片的保护方法进行说明。本发明的半导体晶片的保护方法包括下述工序：在半导体晶片的电路形成面上，以本发明的半导体晶片表面保护用粘着膜中的粘着剂层与其接触的方式进行贴附的贴附工序；将在贴附有上述半导体晶片表面保护用粘着膜的上述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削的磨削工序；以及将上述半导体晶片表面保护用粘着膜从上述半导体晶片剥离的剥离工序。
具体而言，首先，从半导体晶片表面保护用粘着膜(以下，称为粘着膜)的粘着剂层剥离剥离膜而使粘着剂层的表面露出，以使粘着剂层接触的方式将粘着膜贴附于晶片表面。接着，在磨削机的夹盘台等上经由粘着膜的基材膜层而固定半导体晶片，将晶片背面进行磨削。磨削结束后，剥离粘着膜。也有时在晶片背面的磨削完成后，剥离粘着膜前对晶片背面实施化学蚀刻、抛光等采用药液进行的加工处理。此外，根据需要，在剥离粘着膜后，对晶片表面实施水洗、等离子体洗涤等洗涤处理。
在这样的一系列工序中的晶片背面的磨削、药液处理等操作中，半导体晶片在背面磨削前的厚度通常为500μm～1000μm，与此相对，根据半导体芯片的种类等，通过磨削薄化至通常为200μm～600μm程度的厚度，有时薄化至20μm左右的厚度。在半导体晶片的厚度减薄至成为200μm以下的情况下，为了通过机械磨削来除去在晶片背面产生的破碎层而使半导体晶片的强度提高，也有时在背面磨削工序之后实施将背面进行药液处理的工序。磨削前的半导体晶片的厚度通过半导体晶片的口径、种类等来适当确定，磨削后的厚度通过所得的芯片的尺寸、电路的种类等来适当确定。
将粘着膜贴附于半导体晶片的操作也有时通过人工来进行，但一般而言，使用安装有卷成卷状的粘着膜的被称为自动贴附机的装置来进行。作为这样的自动贴附机，可举出例如，takatori(株)制，型号：ATM-1000B、同ATM-1100，帝国精机(株)制，型号：STL系列，日东精机(株)制，型号：DR-8500II等。
通常，在半导体晶片表面贴附粘着膜时的温度在25℃前后的室温实施。然而，在使用具备将半导体晶片升温的功能的自动贴附机，在晶片表面贴附粘着膜的情况下，可采用在贴附粘着膜前将半导体晶片升温至预定温度(通常，40℃～90℃程度)的方法。
晶片背面的磨削的方式没有特别限制，可采用贯穿进给方式、横向进给方式等公知的磨削方式。在磨削时，优选一边对半导体晶片和磨石加水进行冷却一边进行。作为磨削晶片背面的磨削机，可举出例如，(株)disco制，型号：DFG-860，(株)冈本工作机械制作所制，型号：SVG-502MKII8，(株)东京精密制，型号：抛光研磨机PG200等。
晶片背面的磨削、药液处理等结束后，粘着膜从晶片表面被剥离。将粘着膜从晶片表面剥离的操作也有时通过人工来进行，但一般而言，使用被称为自动剥离机的装置来进行。作为这样的自动剥离机，有takatori(株)制，型号：ATRM-2000B、同ATRM-2100，帝国精机(株)制，型号：STP系列，日东精机(株)制，型号：HR-8500II等。此外，作为通过上述的自动剥离机从晶片表面剥离半导体晶片表面保护用粘着膜时使用的被称为剥离带的胶带，可以使用例如，住友3M(株)制，商品标识为Highland的纤维带No.897等。
将半导体晶片表面保护用粘着膜从晶片表面剥离时的温度通常在25℃前后的室温进行，但在上述的自动剥离机具备将晶片升温的功能的情况下，可以在将半导体晶片升温至预定温度(通常，40℃～90℃程度)的状态下将粘着膜剥离。
剥离粘着膜后的晶片表面根据需要进行洗涤。作为洗涤方法，可举出水洗涤、溶剂洗涤等湿式洗涤、等离子体洗涤等干式洗涤等。在湿式洗涤的情况下，可以并用超声波洗涤。这些洗涤方法根据晶片表面的污染状态来适当选择。
作为本发明的半导体晶片的保护方法可以适用的半导体晶片，不限于硅晶片，可举出锗、镓-砷、镓-磷、镓-砷-铝等半导体晶片。
此外，本发明的半导体装置的制造方法包括下述工序：在半导体晶片的电路形成面上，以本发明的半导体晶片表面保护用粘着膜中的粘着剂层与其接触的方式进行贴附的贴附工序；将贴附有上述半导体晶片表面保护用粘着膜的上述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削的磨削工序；以及将上述半导体晶片表面保护用粘着膜从上述半导体晶片剥离的剥离工序。半导体装置的制造方法中的贴附工序、磨削工序和剥离工序与上述的半导体晶片的保护方法同样。关于其它任意的药液处理、洗涤等，也与上述的半导体晶片的保护方法同样。
[实施例]
以下，示出实施例对本发明进一步说明详细内容。在以下所示的全部实施例和比较例中，在维持于美国联邦标准209b所规定的1,000级以下的纯净度的环境下，实施粘着剂涂布液的调制、涂布干燥、以及X射线光电子分光分析(以下，简称为ESCA)。本发明不限定于这些实施例。另外，实施例和比较例所示的各种特性值的测定和评价通过下述所示的方法来进行。
1.聚合物的动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度[Tmax](℃)
在与实施例和比较例中的制作各粘着剂层时的涂覆条件(干燥温度、干燥时间等)同样条件下，在对一个表面实施了有机硅处理的PET膜[三井化学东赛璐(株)制，商品名：SP-PET]的脱模处理面侧涂布各个聚合物的乳液液体，进行干燥，形成干燥后的厚度为50μm～60μm的聚合物层。使所得的聚合物层彼此依次重叠，获得厚度约1mm左右的聚合物的膜状样品。从该膜状样品，切出宽度10mm、长度50mm左右来制成试样。
使用动态粘弹性测定装置[TA instruments公司制，型号：RSA-III]，在频率1Hz以-50℃～100℃的温度范围测定所得试样的储存弹性模量。具体而言，将样品在25℃经由辅助器件设置于动态粘弹性测定装置，一边以5℃/分钟的升温速度升温，一边测定动态粘弹性的tanδ。测定结束后，从所得的-50℃～100℃时的tanδ-温度曲线，读取tanδ达到最大时的温度[Tmax]。
另外，关于实施例1～6、实施例8、比较例1～3的聚合物，另行调制用于测定动态粘弹性的tanδ的样品乳液液体。具体而言，进行至第一阶段的熟化工序，将所得的乳液液体设为第一阶段的聚合物的测定样品。此外，仅另行进行第二阶段的工序，将所得的乳液液体设为第二阶段的聚合物的测定样品。
实施例1～6、实施例8和比较例1～3中，第一阶段的聚合物的Tmax都超过0℃，第二阶段的聚合物Tmax都为0℃以下。此外，实施例7中获得的丙烯酸系聚合物A1，Tmax超过0℃，丙烯酸系聚合物B1，Tmax为0℃以下。此外，比较例4中获得的丙烯酸系聚合物，Tmax超过0℃。进一步，比较例5中获得的丙烯酸系聚合物，Tmax为0℃以下。
2.粘着力测定
除了下述规定的条件以外，全部按照JIS Z0237-1991所规定的方法测定。在23℃的气氛下，将实施例和比较例中获得的表面保护用粘着膜，经由该粘着剂层粘贴在5cm×20cm的SUS304-BA板(JIS G4305-1991规定)的表面并放置1小时。放置后，夹持粘着膜的一端，用拉伸试验机测定以剥离角度180度、预定的剥离速度从SUS304-BA板的表面剥离时的应力，换算成N/25mm。
3.密合性评价
使用组装了集成电路的下述的半导体硅晶片进行评价。
·晶片1：直径100mm，厚度725μm，划痕线：深度10μm，宽度400μm
·晶片2：直径100mm，厚度725μm，划痕线：深度5μm，宽度400μm
在将实施例和比较例中获得的表面保护用粘着膜经由其粘着剂层而粘贴于上述硅晶片的表面的状态下，从基材侧使用光学显微镜以5倍率观察，在调制成23℃±2℃、相对湿度50±5％的气氛中放置24小时后拍摄照片。将粘着剂层对划痕线的粘贴面积相对于划痕线的总面积的比例设为密合性的指标，粘着剂层对划痕线的粘贴面积比例为80％以上的情况下评价为密合性优异。
4.污染性评价(ESCA测定)
用X射线光电子分光分析装置((株)岛津制作所制，商品名：ESCA-3200)评价硅镜晶片芯片表面的污染性。在将实施例和比较例中获得的表面保护用粘着膜经由其粘着剂层而粘贴于未附着异物的硅镜晶片(直径100mm，厚度600μm)的整面的状态下，在调制成23℃±2℃、相对湿度50±5％的气氛中放置1小时后，将表面保护用粘着膜从硅镜晶片剥离，接着使用金刚石玻璃切割机，将硅镜晶片切断成1cm见方。从切断的1cm见方的硅镜晶片任选地采取5个，对它们的表面在下述条件下实施ESCA的分析，求出C/Si比(5个的平均值)，从而测定有机物造成的该芯片表面的污染状态。
＜ESCA测定条件＞
X射线源：Mg-Kα射线(1252.0eV)，X射线输出：300W，测定真空度：2X10-7Pa以下，C/Si比：(碳的峰面积)/(硅的峰面积)。
＜C/Si比的评价方法＞
粘贴表面保护用粘着膜前的硅镜晶片表面的C/Si比为0.10(空白值)。因此，剥离表面保护用粘着膜后的硅镜晶片表面的C/Si比为0.10～0.50的情况下评价为没有污染，超过其的情况下评价为有污染。
[实施例1]
＜基材膜的制作＞
将乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂[三井杜邦聚合化学(株)制，商品名：EVAFLEXV5961，乙酸乙烯酯单元含量9质量％]使用T-模头挤出机，制膜成90μm的厚度，对涂布粘着剂的一侧实施电晕处理。所得的膜的厚度偏差在±1.5％以内。
＜粘着剂主剂的制作＞
以下的实施例和比较例中的“份”和“％”只要没有特别指定，就表示“质量份”和“质量％”。
在具备搅拌机、回流冷却机、温度计和氮气导入口的聚合容器中，加入去离子水500份进行氮气置换，升温到70℃～72℃之后，加入作为聚合引发剂的过硫酸铵(以下简称为聚合引发剂(1))5份、作为水溶性单体的在聚氧乙烯壬基苯基醚(氧化乙烯的加成摩尔数的平均值：约20)硫酸酯铵盐的苯环上加成有聚合性的1-丙烯基的化合物[第一工业制药(株)制，商品名：AQUARON HS-10](以下简称为水溶性单体(1))0.15份。
接下来作为第一阶段，预先在去离子水230份、聚合引发剂(1)10份、水溶性单体(1)3.4份的搅拌下，加入[表1]记载的用于形成聚合物(A)的单体混合物700份、和作为添加剂的正十二烷基硫醇3.2份，将制作的乳化物连续地经5小时添加到上述聚合容器中使其反应，添加结束后进一步进行1小时的熟化。
接下来作为第二阶段，预先在去离子水135份、水溶性单体(1)1.5份的搅拌下，加入丙烯酸2-乙基己酯88％、丙烯腈10％和丙烯酸2％的用于形成聚合物(B)的单体混合物300份，将制作的乳化物连续地经2小时添加到上述聚合容器中使其反应，添加结束后进一步进行2小时的熟化，获得了丙烯酸系树脂乳液。将其用10％氨水中和(pH＝7.0)，制成固体成分53.5％的丙烯酸系聚合物(粘着剂主剂)。
＜粘着剂涂布液的调制＞
在所得的粘着剂主剂100份中添加环氧系交联剂[长濑化成(株)制，商品名：DENACOL EX-614B]0.5份和二甘醇单丁基醚2份后，加入10％氨水使粘度为3000mPa·s～5000mPa·s，获得了粘着剂涂布液。
＜粘着膜的制作＞
使用狭缝涂布机，将上述粘着剂涂布液涂布在聚丙烯膜(脱模膜，厚度50μm)，在90℃干燥10分钟而设置厚度80μm的粘着剂层。在其上贴合上述的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜(基材膜)的电晕处理侧并进行挤压，将粘着剂层叠于基材膜。层叠后，在40℃加热120小时后，冷却至室温从而制作表面保护用粘着膜。将各种特性值的测定和评价结果示于[表2]中。
[实施例2、3、5、6、8]
在粘着剂主剂的制作中，将用于制作第一阶段的乳化物的单体混合物以[表1]的各个实施例栏所记载的方式变更，除此以外，与实施例1同样地制作表面保护用粘着膜。将各种特性值的测定和评价结果示于[表2]中。
[实施例4]
基材膜使用制膜成160μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂[三井杜邦聚合化学(株)制，商品名：EVAFLEX V5961，乙酸乙烯酯单元含量9％]，使粘着剂层为45μm(干燥时间5分钟)，除此以外，与实施例3同样地制作表面保护用粘着膜。将各种特性值的测定和评价结果示于[表2]中。
[实施例7]
在具备搅拌机、回流冷却机、温度计和氮气导入口的聚合容器中，加入去离子水500份进行氮气置换，升温到70℃～72℃之后，加入作为聚合引发剂的过硫酸铵(以下简称为聚合引发剂(1))5份、作为水溶性单体的在聚氧乙烯壬基苯基醚(氧化乙烯的加成摩尔数的平均值：约20)硫酸酯铵盐的苯环上加成有聚合性的1-丙烯基的化合物[第一工业制药(株)制，商品名：AQUARON HS-10](以下简称为水溶性单体(1))0.15份。
接下来，预先在去离子水365份、聚合引发剂(1)10份、水溶性单体(1)4.85份的搅拌下加入[表1]的实施例3记载的用于形成聚合物(A)的单体混合物1000份和作为添加剂的正十二烷基硫醇4.5份，将制作的乳化物连续地经7小时添加到上述聚合容器中使其反应，添加结束后进一步进行3小时的熟化，获得了丙烯酸系树脂乳液。将其用10％氨水中和(pH＝7.0)，制成固体成分53.5％的丙烯酸系聚合物A1(粘着剂主剂)。
接下来在具备搅拌机、回流冷却机、温度计和氮气导入口的聚合容器中，加入去离子水500份进行氮气置换，升温到70℃～72℃之后，加入作为聚合引发剂的过硫酸铵(以下简称为聚合引发剂(1))5份、作为水溶性单体的在聚氧乙烯壬基苯基醚(氧化乙烯的加成摩尔数的平均值：约20)硫酸酯铵盐的苯环上加成有聚合性的1-丙烯基的化合物[第一工业制药(株)制，商品名：AQUARON HS-10](以下简称为水溶性单体(1))0.15份。
接下来，预先在去离子水365份、聚合引发剂(1)10份、水溶性单体(1)4.85份的搅拌下，加入丙烯酸2-乙基己酯88％、丙烯腈10％和丙烯酸2％的用于形成聚合物(B)的单体混合物1000份，将制作的乳化物连续地经7小时添加到上述聚合容器中使其反应，添加结束后进一步进行3小时的熟化，获得了丙烯酸系树脂乳液。将其用10％氨水中和(pH＝7.0)，制成固体成分53.5％的丙烯酸系聚合物B1(粘着剂主剂)。
使用将丙烯酸系聚合物A1与丙烯酸系聚合物B1以与实施例3相同比例70/30混合而得的物质作为粘着剂主剂，除此以外，与实施例1同样地制作表面保护用粘着膜。将各种特性值的测定和评价结果示于[表2]中。
[比较例1～3]
在粘着剂主剂的制作中，将用于制作第一阶段的聚合物(A)的乳化物的单体混合物以[表1]的各个比较例栏所记载的方式变更，除此以外，与实施例1同样地制作表面保护用粘着膜。将各种特性值的测定和评价结果示于[表3]。
[比较例4]
在具备搅拌机、回流冷却机、温度计和氮气导入口的聚合容器中，加入去离子水500份进行氮气置换，升温到70℃～72℃后，加入作为聚合引发剂的过硫酸铵(以下简称为聚合引发剂(1))5份、作为水溶性单体的在聚氧乙烯壬基苯基醚(氧化乙烯的加成摩尔数的平均值：约20)硫酸酯铵盐的苯环上加成有聚合性的1-丙烯基的化合物[第一工业制药(株)制，商品名：AQUARON HS-10](以下简称为水溶性单体(1))0.15份。
接下来，预先在去离子水365份、聚合引发剂(1)10份、水溶性单体(1)4.85份的搅拌下，加入实施例3中使用的第一阶段和第二阶段的全部的构成单体混合物1000份和作为添加剂的正十二烷基硫醇3.2份，将制作的乳化物连续地经7小时添加到上述聚合容器中使其反应，添加结束后进一步进行3小时的熟化，获得了丙烯酸系树脂乳液。将其用10％氨水中和(pH＝7.0)，制成固体成分53.5％的丙烯酸系聚合物(粘着剂主剂)。使用该丙烯酸系聚合物作为粘着剂主剂，除此以外，与实施例1同样地制作表面保护用粘着膜。将各种特性值的测定和评价结果示于[表3]中。
[比较例5]
在具备搅拌机、回流冷却机、温度计和氮气导入口的聚合容器中，加入去离子水135份进行氮气置换，升温到70℃～72℃之后，加入作为聚合引发剂的4,4’-偶氮双-4-氰基戊酸[大塚化学(株)制，商品名：ACVA]0.5份、丙烯酸2-乙基己酯94份、甲基丙烯酸2份、丙烯酰胺1份、正十二烷基硫醇0.1份、作为水溶性单体的在聚氧乙烯壬基苯基醚(氧化乙烯的加成摩尔数的平均值：约20)硫酸酯铵盐的苯环上加成有聚合性的1-丙烯基的化合物[第一工业制药(株)制，商品名：AQUARON HS-10]0.75份。进行9小时反应，获得了丙烯酸系树脂乳液。将其用14％氨水中和(pH＝7.0)，制成固体成分40.0％的丙烯酸系聚合物。
在该丙烯酸系聚合物100份中加入10％氨水使pH为9.3，添加环氧系交联剂[长濑化成(株)制，商品名：DENACOL EX-614]0.5份和乙二醇单丁基醚5份，获得了涂布液A。
此外，在具备搅拌机、回流冷却机、温度计和氮气导入口的聚合容器中，加入去离子水135份进行氮气置换，升温到70℃～72℃之后，加入作为聚合引发剂的4,4’-偶氮双-4-氰基戊酸[大塚化学(株)制，商品名：ACVA]0.5份、丙烯酸丁酯74.25份、甲基丙烯酸甲酯13份、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯9份、甲基丙烯酸2份、丙烯酰胺1份、正十二烷基硫醇0.1份、作为水溶性单体的在聚氧乙烯壬基苯基醚(氧化乙烯的加成摩尔数的平均值：约20)硫酸酯铵盐的苯环上加成有聚合性的1-丙烯基的化合物[第一工业制药(株)制，商品名：AQUARONHS-10]0.75份。将其在搅拌下在70℃反应9小时，获得了丙烯酸系树脂乳液。将其用14％氨水中和(pH＝7.0)，制成固体成分40.0％的丙烯酸系聚合物。
在该丙烯酸系聚合物100份中加入10％氨水而使pH为9.3，添加氮丙啶系交联剂[日本触媒(株)制，商品名：Chemitite PZ-33]4.0份和乙二醇单丁基醚5份，获得了涂布液B。
使用狭缝涂布机，将涂布液A涂布于聚丙烯膜(脱模膜，厚度50μm)，在90℃干燥5分钟而设置厚度40μm的粘着剂层。在其上贴合上述的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜(基材膜)的电晕处理侧并进行挤压，获得了中间体膜。
接下来使用狭缝涂布机，将涂布液B涂布于聚丙烯膜(脱模膜，厚度50μm)，在90℃干燥2分钟而设置厚度10μm的粘着剂层。在其上贴合从上述的中间体膜剥离了聚丙烯膜(脱模膜，厚度50μm)后的膜并进行挤压，将粘着剂层叠于基材膜。层叠后，在40℃加热72小时后，冷却至室温从而制作表面保护用粘着膜。将各种特性值的测定和评价结果示于[表3]中。
[表1]
(缩写)
n-BA：丙烯酸正丁酯
AN：丙烯腈
AA：丙烯酸
AM：丙烯酰胺
2EHA：丙烯酸2-乙基己酯
[表2]
[表3]
另外，日本申请2014-027013的公开内容整体通过参照而引入到本说明书中。
关于本说明书所记载的全部文献、专利申请和技术标准，各个文献、专利申请和技术标准通过参照而被引入与具体并且单独记载的情况同等程度地，通过参照引入到本说明书中。

Claims (7)

1.一种半导体晶片表面保护用粘着膜，其在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上，
所述半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，所述粘着剂层位于所述基材膜的一个表面上，
所述粘着剂层以质量比即A/B：57/43～90/10含有：动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度Ta超过0℃的聚合物A、与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度Tb为0℃以下的聚合物B，
所述聚合物A包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～27质量％。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，剥离速度10mm/min～1000mm/min时的粘着力为4.0N/25mm以下。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，所述基材膜包含选自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物层、聚烯烃层和聚酯层中的至少1种层。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，所述粘着剂层是使用通过下述方法获得的含有所述聚合物A和所述聚合物B的液体而形成的，所述方法包括下述工序：
第一聚合工序，将含有用于形成所述聚合物A和所述聚合物B中一方的原料单体的第一聚合用材料供给到反应容器，使聚合开始，以及
第二聚合工序，在第一聚合工序之后，将含有用于形成所述聚合物A和所述聚合物B中另一方的原料单体的第二聚合用材料进一步供给到所述反应容器，使其聚合。
5.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，所述粘着剂层是使用将含有所述聚合物A的液体与含有所述聚合物B的液体混合而得的混合液而形成的。
6.一种半导体晶片的保护方法，其包括下述工序：
贴附工序，在半导体晶片的电路形成面上，以权利要求1～5的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜中的粘着剂层与其接触的方式进行贴附，
磨削工序，将贴附有所述半导体晶片表面保护用粘着膜的所述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削，以及
剥离工序，将所述半导体晶片表面保护用粘着膜从所述半导体晶片剥离。
7.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：
贴附工序，在半导体晶片的电路形成面上，以权利要求1～5的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜中的粘着剂层与其接触的方式进行贴附，
磨削工序，将贴附有所述半导体晶片表面保护用粘着膜的所述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削，以及
剥离工序，将所述半导体晶片表面保护用粘着膜从所述半导体晶片剥离。
CN201580008260.6A 2014-02-14 2015-02-12 半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法 Active CN105981138B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-027013 2014-02-14
JP2014027013 2014-02-14
PCT/JP2015/053847 WO2015122465A1 (ja) 2014-02-14 2015-02-12 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム、並びに粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105981138A CN105981138A (zh) 2016-09-28
CN105981138B true CN105981138B (zh) 2018-12-28

Family

ID=53800205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580008260.6A Active CN105981138B (zh) 2014-02-14 2015-02-12 半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6121003B2 (zh)
KR (1) KR101891422B1 (zh)
CN (1) CN105981138B (zh)
TW (1) TWI669371B (zh)
WO (1) WO2015122465A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6900167B2 (ja) * 2016-10-19 2021-07-07 株式会社寺岡製作所 粘着テープ
JP6956492B2 (ja) * 2017-02-02 2021-11-02 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
WO2020246207A1 (ja) * 2019-06-03 2020-12-10 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
CN112802734A (zh) * 2020-12-30 2021-05-14 长春长光圆辰微电子技术有限公司 硅片单侧膜淀积的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1643657A (zh) * 2002-03-27 2005-07-20 三井化学株式会社 半导体晶片表面保护用粘结膜及用该粘结膜的半导体晶片的保护方法
CN1827725A (zh) * 2005-01-26 2006-09-06 日东电工株式会社 粘合剂组合物、粘合型光学薄膜及图像显示装置
CN101298542A (zh) * 2007-05-02 2008-11-05 日东电工株式会社 水分散型粘合剂组合物以及粘合薄膜

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05345883A (ja) * 1992-06-16 1993-12-27 Sekisui Chem Co Ltd 感光性保護シート
KR100931742B1 (ko) * 2000-02-15 2009-12-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물, 그 제조 방법, 이것을 이용한 접착 필름, 반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치
TW578222B (en) * 2002-01-11 2004-03-01 Mitsui Chemicals Inc Semiconductor wafer surface protective adhesive tape and backside process method of semiconductor wafer using the same
JP4266120B2 (ja) * 2002-03-27 2009-05-20 三井化学株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法
JP4587019B2 (ja) * 2003-12-24 2010-11-24 Ｄｉｃ株式会社 両面粘着シート
JP2008001822A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハの加工方法及びそれに用いる半導体ウェハ加工用粘着フィルム、並びに、半導体ウェハ加工用粘着フィルムの製造方法
JP5286085B2 (ja) * 2007-07-19 2013-09-11 積水化学工業株式会社 ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
JP2011252095A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Nitto Denko Corp 両面粘着テープ
JP4976531B2 (ja) * 2010-09-06 2012-07-18 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム
KR20130129223A (ko) * 2010-12-10 2013-11-27 히타치가세이가부시끼가이샤 화상 표시 장치용 점착 시트, 화상 표시 장치 및 점착성 수지 조성물

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1643657A (zh) * 2002-03-27 2005-07-20 三井化学株式会社 半导体晶片表面保护用粘结膜及用该粘结膜的半导体晶片的保护方法
CN1827725A (zh) * 2005-01-26 2006-09-06 日东电工株式会社 粘合剂组合物、粘合型光学薄膜及图像显示装置
CN101298542A (zh) * 2007-05-02 2008-11-05 日东电工株式会社 水分散型粘合剂组合物以及粘合薄膜

Also Published As

Publication number Publication date
JP6121003B2 (ja) 2017-04-26
TWI669371B (zh) 2019-08-21
JPWO2015122465A1 (ja) 2017-03-30
KR20160106752A (ko) 2016-09-12
CN105981138A (zh) 2016-09-28
KR101891422B1 (ko) 2018-08-23
WO2015122465A1 (ja) 2015-08-20
TW201533210A (zh) 2015-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105247661B (zh) 半导体晶片保护用膜及半导体装置的制造方法
CN103525324B (zh) 半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法
JP6085076B2 (ja) 粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法、半導体チップの製造方法
KR100735720B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면보호필름 및 상기 보호필름을 사용하는반도체 웨이퍼의 보호 방법
CN100334690C (zh) 半导体晶片表面保护用粘结膜及用该粘结膜的半导体晶片的保护方法
KR100696287B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 보호방법
CN107750386B (zh) 半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法
CN105981138B (zh) 半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法
TWI553083B (zh) 壓敏性膠黏膜及使用彼之背面研磨法
CN1411037A (zh) 半导体晶片表面保护用粘结膜及使用其保护该晶片方法
TWI803606B (zh) 黏著性組合物及黏著膠帶
TWI500732B (zh) Insulating tape for semiconductor wafer surface protection
US6730595B2 (en) Protecting method for semiconductor wafer and surface protecting adhesive film for semiconductor wafer used in said method
CN106189897A (zh) 切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置
CN105981137A (zh) 保护膜以及使用该保护膜的半导体装置的制造方法
KR100735719B1 (ko) 반도체웨이퍼 표면보호용 점착필름 및 상기 점착필름을사용하는 반도체웨이퍼의 보호방법
CN108028190A (zh) 半导体晶圆表面保护用粘合带及半导体晶圆的加工方法
TWI803605B (zh) 黏著性組合物及黏著膠帶
JP3594581B2 (ja) 半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
JP4663081B2 (ja) 半導体ウェハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハ裏面研削方法
JP4309671B2 (ja) 半導体ウェハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハ裏面研削方法
JP4511840B2 (ja) 粘着フィルムおよびそれを用いた半導体ウエハの保護方法
JP2004214521A (ja) 半導体ウェハ裏面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法
JP2004035585A (ja) 半導体ウェハ裏面研削用粘着フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant