TWI477393B - Adhesive tape for processing semiconductor components - Google Patents

Adhesive tape for processing semiconductor components Download PDF

Info

Publication number
TWI477393B
TWI477393B TW101139718A TW101139718A TWI477393B TW I477393 B TWI477393 B TW I477393B TW 101139718 A TW101139718 A TW 101139718A TW 101139718 A TW101139718 A TW 101139718A TW I477393 B TWI477393 B TW I477393B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive
layer
base film
acrylate
adhesive layer
Prior art date
Application number
TW101139718A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201336684A (zh
Inventor
Yuri Tamagawa
Satoshi Ota
Akira Yabuki
Satoshi Hattori
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Publication of TW201336684A publication Critical patent/TW201336684A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI477393B publication Critical patent/TWI477393B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/03—3 layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/24—All layers being polymeric
    • B32B2250/242—All polymers belonging to those covered by group B32B27/32
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/40—Symmetrical or sandwich layers, e.g. ABA, ABCBA, ABCCBA
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/16—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer
    • C09J2301/162—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer the carrier being a laminate constituted by plastic layers only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/04—Presence of homo or copolymers of ethene
    • C09J2423/046—Presence of homo or copolymers of ethene in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/16—Presence of ethen-propene or ethene-propene-diene copolymers
    • C09J2423/166—Presence of ethen-propene or ethene-propene-diene copolymers in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

半導體元件加工用黏著膠帶 發明領域
本發明係有關於半導體元件加工用黏著膠帶。進一步而言，係為有關於在金屬框架上形成硬化樹脂層，在將整體密封而成之半導體元件，逐一獨立化，進行分割之際，使用於支撐‧固定半導體元件的固定用黏著膠帶者。
 發明背景
在半導體元件之製造中，將形成有回路圖案之半導體晶圓，以黏貼、固定於黏著膠帶的狀態切割為晶片狀，並在洗淨、乾燥後，經過拾取步驟，獲得半導體晶片，半導體晶片係在安裝步驟、連結步驟等後，藉由以硬化樹脂密封而被封裝體化。
以往，在藉由硬化樹脂進行密封之際，可使用將各個半導體晶片分別密封的方法。但，近年來，盛行將連結於一張基板上之複數的半導體晶片以硬化樹脂整體密封，並藉由進一步將其切割而獨立化，獲得個別之半導體元件的方式。
另一方面，伴隨著手機、攜帶型電腦、及其他小型電子機器的普及，搭載於此等之半導體裝置的小型化‧薄型化的要求增加，與BGA(Ball Grid Array)或CSP(Chip Size Pakage)封裝體一樣，作為使用引線框架之小型封裝體，SON(Small Outline Non-lead)或QFN(Quad Flat Non-leaded)封裝體係被實用化。
即使在如此之QFN封裝體等的組裝中，亦採用於密封模具的一個凹槽，將搭載、配列於引線框架之複數的半導體晶片整體密封，之後，將整體密封部與引線框架一起藉由切割用之刀片切段分離而獨立化，藉由整體密封進行組裝的方式。
在此組裝方式中，通常經由(1)隔介使用紫外線硬化型黏著劑之切割膠帶將被整體密封的封裝體固定於引線框架；(2)刀片切割；(3)紫外線照射；(4)拾取步驟而獲得獨立化之封裝體，但由於在切割步驟時之銅等金屬製引線框架會被刀片切斷，因此作為切削屑所產生之金屬粉的除去成為課題。
在切割時，即使於切削處供給水進行刀片的冷卻與切削屑的除去，或使用水進行切削屑的除去，亦難以除去所有的切削屑，無法除去之切削屑會附著在半導體元件或切割膠帶之黏著劑表面。附著在半導體元件上之切削屑，會有使半導體元件性能降低，或使測試步驟之測試器的針受到汙染的問題。此外，附著在切割膠帶上的切削屑，會有在藉由紫外線硬化使黏著劑輕剝離化之際揚起成為粉塵，汙染到半導體元件或裝置的問題。
對於此問題，在專利文獻1中，藉由使用添加擁有特定構造之聚合物的切削水用添加劑，謀求防止切割時之切削屑的附著。
然而，在專利文獻1所記載的方法，相應之裝置改造 係屬必要，另外，從以往僅使用純水的部分，變為需要作為消耗品之切削水用添加劑這點來看，有製造成本上升的問題。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2009-13301號公報
 發明概要
因此，本發明所欲解決之課題係在於提供一種半導體元件加工用膠帶，不必進行新的設備改良，或導入消耗品，便可於切割整體密封的封裝體之際，防止切削屑的附著。
本發明者等，係為了達成上述目的不斷努力研究的結果，發現藉由使用黏著劑層在紫外線照射前對純水及二碘甲烷的接觸角為特定範圍之值的黏著膠帶，可防止切削屑附著於半導體元件，本發明係根據此知見而完成者。
亦即本發明係：(1)一種半導體元件加工用黏著膠帶，係於基材薄膜之至少單面積層有紫外線硬化型黏著劑層者，其特徵在於：紫外線照射前之前述黏著劑層表面，相對於純水之接觸角為115°以下，且相對於二碘甲烷之接觸角為65°以下；(2)如(1)所記載之半導體元件加工用黏著膠帶，其中紫 外線照射前之前述黏著劑層，其探針附著性試驗之波峰值為300~400kPa；(3)如(1)所記載之半導體元件加工用黏著膠帶，其中紫外線照射前之前述黏著劑層表面相對於純水之接觸角為82~114°，且相對於二碘甲烷之接觸角為44~64°；紫外線照射前之前述黏著劑層，其探針附著性試驗之波峰值為294~578kPa；(4)如(1)所記載之半導體元件加工用黏著膠帶，其中紫外線照射前之前述黏著劑層，其探針附著性試驗之波峰值為342~394kPa；(5)如(1)所記載之半導體元件加工用黏著膠帶，其中前述基材薄膜係兩層以上之複層構造，其與前述黏著劑層接觸之第1基材薄膜層的熔點，係較第2基材薄膜層的熔點低，該第2基材薄膜層係與前述第1基材薄膜層之前述黏著劑層側的反對面接觸；(6)如(5)所記載之半導體元件加工用黏著膠帶，其中前述基材薄膜係由低密度聚乙烯/聚丙烯隨機共聚物/低密度聚乙烯所構成之三層構造。
根據本發明，可提供一種半導體元件加工用黏著膠帶，不必進行新的設備改良，或導入消耗品，在將被整體密封之QFN等分割為獨立個體之際的切割中，可防止切削屑附著於半導體元件。
1‧‧‧黏著膠帶
3‧‧‧基材薄膜
5‧‧‧黏著劑層
6‧‧‧離型紙
9‧‧‧環狀框架
11‧‧‧整體密封封裝體
13‧‧‧切割刀
15‧‧‧獨立化之封裝體
17‧‧‧紫外線照射
19‧‧‧拾取夾具
圖1係為說明與本發明之實施形態有關之半導體元件加工用黏著膠帶的概略剖面圖。
圖2係為說明(a)~(e)整體密封封裝體之獨立化的概略剖面圖。
 用以實施發明之形態
本發明之實施態樣，係參照圖式進行詳細說明。
圖1係為標示本發明之半導體元件加工用黏著膠帶之一例的剖面圖。
本發明之黏著膠帶1，係由基材薄膜3，及作為設置於其單面上之紫外線硬化型黏著劑層的黏著劑層5所構成。黏著膠帶1係為於將被整體密封之半導體元件獨立化之際，被黏貼於密封樹脂層，用以在切割時支持固定半導體元件者。
黏著劑層5之特徵在於，紫外線照射前之黏著劑層5表面之相對於純水的接觸角為115°以下，且相對於二碘甲烷的接觸角為65°以下。在本發明中，所謂黏著劑層5表面之相對於純水(或二碘甲烷)的接觸角，係意指黏著劑層5表面與純水(或二碘甲烷)剛接觸後之接觸角。此接觸角係為於溫度23℃、濕度50%測定之值。測定可使用市面販賣之接觸角測定裝置進行。
黏著劑層5在紫外線照射前黏著劑層5表面之相對於純水的接觸角，係為115°以下，但宜為80~110°，較宜為82~114°，更宜為95~105°。藉由令黏著層5表面在紫外線 照射前之相對於純水的接觸角為115°以下，提高黏著劑層5之親水性的方式，使切割之際因被切割刀片攪拌所形成之切削屑(金屬與黏著劑的混合物，亦即金屬粉)，與切削水及洗淨水的親和性變高，而變得容易被水沖掉。在切割時可防止金屬粉附著於半導體元件的表面，洗淨時容易除去附著於半導體元件表面的金屬粉。
黏著劑層5表面在紫外線照射前之相對於二碘甲烷的接觸角，係為65°以下，宜為30~60°，較宜為44~64°，更宜為45~55°。藉由令黏著層5表面在紫外線照射前之相對於二碘甲烷的接觸角為65°以下的方式，黏著劑層5之金屬密著性降低，可抑制切割之際因被切割刀片攪拌所形成之切削屑(金屬與黏著劑的混合物)的產生。此外，可防止在附著於半導體元件表面之黏著劑上，附著因切割步驟被粉碎之金屬。
黏著劑層5在紫外線照射前之探針附著性的波峰值係以為294~578kPa為佳，以為300~400kPa為較佳，以為342~394kPa為更佳。藉由令在紫外線照射前之探針附著性的波峰值為300~400kPa的方式，可抑制半導體元件在切割時飛散，且可抑制切削屑附著至未黏貼半導體元件之黏著膠帶1的黏著劑露出部。在探針附著性之波峰值太低的情況下，會有在切割步驟中無法保持被獨立化的半導體元件而產生晶片彈起的疑慮。此外，在探針附著性之波峰值太高的情況下，會有未黏貼半導體元件之黏著膠帶1的黏著劑露出部出現切削屑附著之情形增加的疑慮。
黏著劑層5係只要為具有在切割中充分抑制半導體元件之飛散的黏著性者即可，黏著劑層5在紫外線照射前之黏著力以為0.05~1.0N/mm為佳。在黏著力為0.05N/mm以下的情況，會有在切割步驟中無法保持被獨立化的半導體元件而產生晶片彈起的疑慮。另一方面，若在1.0N/mm以上則於剝離之際會有產生黏著劑之殘膠的問題發生。
構成黏著劑層5之黏著劑，係只要為紫外線硬化型黏著劑，黏著劑層5表面在紫外線照射前之相對於純水的接觸角為115°以下，且相對於二碘甲烷的接觸角為65°以下便無特別限制，可從傳統公知之黏著劑中適當選擇使用。例如使用天然橡膠或合成橡膠等之橡膠類黏著劑；使用聚(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸烷基酯與其他單體的共聚物等之丙烯酸類黏著劑；其他除了於聚氨酯類黏著劑、聚酯類黏著劑、或聚碳酸酯類黏著劑等一般黏著劑調配紫外線硬化性之單體成分或寡聚物成分等紫外線硬化樹脂的紫外線硬化型黏著劑之外，作為原料聚合物，例示有使用在聚合物之側鏈或主鏈中，或者在主鏈末端具有碳-碳雙鍵之碳-碳雙鍵導入型丙烯酸類聚合物的紫外線硬化型黏著劑。在作為原料聚合物，使用於主鏈末端具有碳-碳雙鍵之碳-碳雙鍵導入型丙烯酸類聚合物的情況下，並非一定需要調配紫外線硬化性之單體成分或寡聚物成分等紫外線硬化樹脂。
作為構成黏著劑層5之黏著劑，係以使用聚(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酸酯與其他單體之共聚物等(以下， 統稱為丙烯酸聚合物)的丙烯酸類黏著劑為佳。
作為前述丙烯酸聚合物之構成成分，作為聚(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酸酯與其他單體之共聚物，係例如可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十六酯、(甲基)丙烯酸十七酯、(甲基)丙烯酸十八酯等(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸環己酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苯基酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等。(甲基)丙烯酸酯係可單獨或2種以上組合使用。
作為製造前述丙烯酸聚合物之方法係無特別限制，但由於以藉由交聯劑提高重量平均分子量，或者藉由縮合反應或加成反應導入紫外線硬化性碳-碳雙鍵，因此以具有羥基、羧基、或環氧丙基等官能基為佳。
對於丙烯酸聚合物之紫外線硬化性碳-碳雙鍵的導入，係以如以下的方式進行。首先，使用丙烯酸聚合物之構成成分，與具有官能基之單體進行共聚合，調製具有官能基之丙烯酸聚合物。其後，將具有可與具有官能基之 丙烯酸聚合物中的官能基進行反應之官能基與碳-碳雙鍵的化合物，以維持碳-碳雙鍵之紫外線硬化性(紫外線聚合性)的狀態，對具有官能基之丙烯酸聚合物進行縮合反應或加成反應。
具有官能基之丙烯酸聚合物係為可對構成成分之(甲基)丙烯酸酯進行共聚合，且可藉由與具有羥基、羧基、環氧丙基等官能基的單體(共聚性單體)進行共聚的方式獲得。作為可對(甲基)丙烯酸酯進行共聚合，且具有羥基之單體，係可舉出(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、甘油單(甲基)丙烯酸酯等。作為可對(甲基)丙烯酸酯進行共聚合，且具有羧基之單體，係可舉出(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、伊康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸、異巴豆酸等。作為可對(甲基)丙烯酸酯進行共聚合，且具有環氧丙基之單體，係可舉出(甲基)丙烯酸環氧丙酯。
作為具有可與官能基進行反應之官能基與碳-碳雙鍵的化合物，係可舉出(甲基)丙烯酸2-氰氧基乙酯、異氰酸1，1-(雙丙烯醯氧乙基)乙酯等。在成為縮合反應或加成反應之對象的官能基為羧基的情況下，係可舉出甲基丙烯酸環氧丙酯或烯丙基環氧丙醚等。在成為縮合反應或加成反應之對象的官能基為環氧丙基的情況下，係可舉出(甲基)丙烯酸等不飽和羧酸等。
丙烯酸聚合物係從防止半導體元件等被加工物 之汙染的觀點來看，以低分子量物之含有量較少者為佳。從此觀點來看，作為丙烯酸聚合物之重量平均分子量，以10萬以上為佳，再者以20萬~200萬為合適。若丙烯酸聚合物之重量平均分子量太小，則對於半導體元件等被加工物之汙染防止性會降低，若太大則用以形成黏著劑層5之黏著劑組成物的黏度會變得極高，使黏著膠帶1的製造變為困難。
此外，丙烯酸聚合物係從黏著性表現的觀點來看，玻璃轉移溫度以-70℃~0℃為佳，更宜為-65℃~20℃。若玻璃轉移溫度太低，則聚合物的黏度會變低，使穩定之塗膜形成變得困難，若玻璃轉移溫度太高，則黏著劑會變硬，使相對於被黏體之濡溼性惡化。
前述丙烯酸聚合物係可單獨使用，只要相溶性許可亦可混合使用2種以上的丙烯酸聚合物。
一般而言調配於黏著劑使用於黏著劑層5的紫外線硬化型樹脂並非為特別限定者，例如可舉出胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、具有如(甲基)丙烯酸寡聚物及如伊康酸寡聚物之羥基或羧基等官能基的寡聚物。
此外，可在本發明所使用之黏著劑中調配光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可舉出安息香異丙醚、安息香異丁醚、二苯甲酮、米其勒酮、氯噻噸酮、十二基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、二苯乙二酮二甲基鯨蠟醇、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。 藉由將此等內至少1種添加至黏著劑中的方式，可效率良好地進行黏著劑層5之硬化反應，並可藉此適度降低半導體元件之固定黏著力。
光聚合起始劑之添加量，係以相對於前述紫外線硬化型樹脂100質量部為0.5~10質量部為佳。在使用於聚合物之側鏈或主鏈中，或者於主鏈末端具有碳-碳雙鍵之碳-碳雙鍵導入型丙烯酸類聚合物作為原料聚合物的情況下，以相對於碳-碳雙鍵導入型丙烯酸類聚合物100質量部為0.5~10質量部為佳。
可因應必要進一步於本發明所使用之黏著劑調配膠黏劑、黏著調整劑、界面活性劑等、或者調配其他改質劑。此外，亦可適宜加入無機化合物填料。
黏著劑層5之黏著性，係可藉由控制黏著材料之交聯密度的方式進行適當控制。黏著材料之交聯密度的控制，係可藉由以下之適當的方式進行，該方式為：例如透過多官能異氰酸酯類化合物或環氧類化合物、三聚氰胺類化合物或金屬鹽類化合物、金屬鉗合物類化合物或胺樹脂類化合物或過氧化物等適當之交聯劑進行交聯處理的方式；及藉由混合具有2個以上之碳-碳雙鍵的化合物，並照射能量線等進行交聯處理的方式等。
黏著劑層5之紫外線照射前黏著劑層5表面之相對於純水及二碘甲烷的接觸角，係除了藉由調整丙烯酸聚合物之共聚單體比率之外，亦可藉由調配作為添加劑之烷基乙二醇、聚烷基乙二醇、或矽氧樹脂等方式進行調整。
基材薄膜3係除了因為於黏著劑層5使用紫外線硬化型黏著劑而需要為透光性以外，可從傳統公知之基材薄膜中適當選擇使用。具體而言可舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、及聚丁烯等聚烯烴；乙烯-乙酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等乙烯共聚物；聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑膠；軟聚氯乙烯、半剛性聚氯乙烯、聚酯、聚氨酯、聚醯胺、聚醯亞胺天然橡膠及合成橡膠等高分子材料。此外，亦可為選自此等之群中2種以上混合者或複層畫者，或者為根據與黏著劑層5之接著性進行任意選擇。
基材薄膜3係以為二層以上之複層構造為佳，在複層構造的情況下，與黏著劑層5接觸之基材薄膜層(第1層)的熔點，以較與基材薄膜層(第1層)之黏著劑層5側的反對面接觸之基材薄膜層(第2層)的熔點低者為佳，例如以第1層/第2層之組合為例，有聚乙烯/聚丙烯、乙烯乙酸乙酯共聚物/聚乙烯、或乙烯乙酸乙酯共聚物/聚丙烯等。尤其以低密度聚乙烯/聚丙烯隨機共聚物/低密度聚乙烯之三層構造所構成的基材薄膜為佳。藉由令基材薄膜為具有前述熔點之2層以上複層構造的方式，使因切削時之熱軟化的基材薄膜(第1層)與切削屑之金屬與黏著劑的混合物，固著於即使在切削時亦能維持較高黏性之基材薄膜(第2層)，變得難以排出至外部，而可藉此抑制金屬粉的產生。
此外在基材薄膜3為三層以上，接觸基材薄膜(第2層) 與基材薄膜(第1層)接觸之反對面的基材薄膜(第3層)，熔點較基材薄膜(第2層)低的情況下，切割刀的切入深度貫通基材薄膜(第1層)，且未到達基材薄膜(第3層)係為重要。
基材薄膜3之厚度以100μm~200μm為佳，尤其以為130μm~170μm為佳。基材薄膜之(第1層)係以5μm~50μm為佳，尤其以為10~30μm為佳。在基材薄膜3之(第1層)較50μm厚的情況下，有切削屑之金屬與黏著劑的混合物之產生量多，無法完全固著於基材薄膜(第2層)而被排出至外部，造成無法抑制金屬粉之產生的疑慮。另一方面，在基材薄膜之(第1層)未達5μm的情況下，有會使基材薄膜之(第1層)與(第2層)間之黏性差造成的作用機制難以成立，因而仍然無法抑制金屬粉之產生的疑慮。此外，在基材薄膜為三層以上的情況，從(第2層)與(第3層)之界面起到與基材薄膜之黏著劑層5側的反對面為止的厚度係以5μm~50μm為佳，尤其以為10~30μm為佳。基材薄膜3在三層以上的情況下，在從(第2層)與(第3層)之界面起到與基材薄膜3之黏著劑層5側的反對面為止的厚度為50μm以上的情況，在欲令切割刀之切入深度貫通基材薄膜(第1層)，且不到達基材薄膜(第3層)的情況下，有切入深度太淺，造成半導體晶片之形狀出現異常的疑慮。
黏著膠帶1係除了將黏著劑層5直接塗布於基材薄膜3上形成之外，亦可藉由將塗布於離型紙6上之黏著劑層5與基材薄膜貼合而轉印至基材薄膜3的方式進行製作。
說明關於黏著膠帶1之使用方法的一例。
如圖2所示，將黏著膠帶1之黏著劑層5黏貼至整體密封封裝體11，令基材薄膜3朝下以環狀框架9固定於切割裝置(圖2(a))。接著，藉由切割刀13沿著預定的線，將整體密封封裝體11全切斷(圖2(b))，使其獨立化(圖2(c))。接著從基材薄膜3側進行紫外線照射17，使黏著劑層5硬化而使黏著力降低(圖2(d))。之後藉由拾取夾具19進行拾取，獲得獨立化之封裝體15(圖2(e))。
以上，參照附圖說明關於本發明之適切的實施形態，但本發明不受此等例所限定。只要為具相關知識者，便可在本發明所揭示之技術性思想的範疇內，想出各種變更例或修正例的事實係顯而易見，關於該等例當然為屬於本發明之技術範圍者。
實施例
接著根據實施例進一步詳細說明本發明。以下雖藉由實施例說明本發明，但本發明非受此等實施例所限定者。
將實施例及比較例所使用之黏著劑組成物顯示於下。
黏著劑組成物(A)
藉由在丙烯酸2-乙基己酯(70重量%)、甲基丙烯酸甲酯(10重量%)、丙烯酸2-羥乙酯(20重量%)之共聚物(玻璃轉移溫度：-50℃)，添加異氰酸2-丙烯醯氧基乙酯，或作為觸媒之二月桂酸二丁基錫進行反應的方式可得在側鏈末端具有碳-碳雙鍵的丙烯類聚合體，相對於其100質量部，添加作 為光聚合起始劑之商品名「IRGACURE651」(CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製)：2.5質量部及聚異氰酸酯類化合物(商品名「CORONATE L」NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.,LTD.製)：0.2質量部，獲得紫外線硬化型丙烯類黏著劑組成物(A)。
黏著劑組成物(B)
相對於丙烯酸正丁酯(60重量%)、丙烯酸2-羥乙酯(40重量%)之共聚物(玻璃轉移溫度：-40℃)100質量部，添加作為紫外線硬化樹脂之令丙烯酸季戊四醇酯及異佛酮二異氰酸酯反應所得的紫外線硬化性寡聚物：50質量部、作為光聚合起始劑之商品名「IRGACURE651」(CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製)：2.5質量部、及聚異氰酸酯類化合物(商品名「CORONATE L」NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.,LTD.製)：0.2質量部，獲得紫外線硬化型丙烯類黏著劑組成物(B)。
黏著劑組成物(C)
除了添加分子量1000之聚丙二醇4.0質量部以外，以與黏著劑組成(B)相同的方式，獲得紫外線硬化型丙烯類黏著劑組成物(C)。
黏著劑組成物(D)
除了令聚異氰酸酯類化合物(商品名「CORONATE L」NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.,ITD.製)之添加量為1.0質量部以外，以與黏著劑組成物(A)相同的方式，獲得紫外線硬化型丙烯類黏著劑組成物(D)。
黏著劑組成物(E)
相對於丙烯酸2-乙基己酯(47重量%)、甲基丙烯酸甲酯(33重量%)、丙烯酸2-羥乙酯(20重量部)之共聚物(玻璃轉移溫度：-20℃)100質量部，添加作為紫外線硬化樹脂之令丙烯酸2-羥乙酯及異佛酮二異氰酸酯反應所得的紫外線硬化性寡聚物50質量部、作為光聚合起始劑之商品名「IRGACURE651」(CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製)：2.5質量部、及聚異氰酸酯類化合物(商品名「CORONATE L」NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.,LTD.製)：0.2質量部，獲得紫外線硬化型丙烯類黏著劑組成物(E)。
黏著劑組成物(F)
藉由在丙烯酸2-乙基己酯(90重量%)、丙烯酸2-羥乙酯(10重量%)之共聚物(玻璃轉移溫度：-65℃)添加異氰酸2-丙烯醯氧基乙酯，與作為觸媒之二月桂酸二丁基錫進行反應的方式可得在側鏈末端具有碳-碳雙鍵的丙烯類聚合體，相對於其100質量部，添加作為光聚合起始劑之商品名「IRGACURE651」(CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製)：2.5質量部、及聚異氰酸酯類化合物(商品名「CORONATE L」NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.,LTD.製)：0.2質量部，獲得紫外線硬化型丙烯類黏著劑組成物(F)。
黏著劑組成物(G)
除了添加分子量1000之聚丙二醇4.0質量部以外，以與 黏著劑組成(F)相同的方式，獲得紫外線硬化型丙烯類黏著劑組成物(G)。
黏著劑組成物(H)
除了添加作為矽化合物之聚醚變性矽油(商品名「SF8427」(Dow Corning Toray Co.,Ltd.製))0.5質量部以外，以與黏著劑組成(A)相同的方式，獲得紫外線硬化型丙烯類黏著劑組成物(H)。
黏著劑組成物(I)
除了令聚異氰酸酯類化合物(商品名「CORONATE L」NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.,LTD.製)之添加量為1.0質量部以外，以與黏著劑組成(F)相同的方式，獲得紫外線硬化型丙烯類黏著劑組成物(I)。
將實施例及比較例所使用之基材薄膜顯示於下。
基材薄膜(i)
藉由將聚丙烯隨機共聚物(熔點143℃)，使用擠製機進行擠製加工，於單面進行電暈放電處理的方式，製作厚度150μm之基材薄膜(i)。
基材薄膜(ro)
藉由將乙烯乙酸乙酯共聚物(熔點90℃)，使用擠製機進行擠製加工，於單面進行電暈放電處理的方式，製作厚度150μm之基材薄膜(ro)。
基材薄膜(ha)
藉由將乙烯乙酸乙酯共聚物(EVA)(熔點90℃)及低密度聚乙烯(LDPE)(熔點111℃)，使用擠製機進行擠製加工， 於EVA表面側進行電暈放電處理的方式，製作2層構造之基材薄膜(ha)。各層之厚度如下，EVA之厚度為50μm，LDPE之厚度為100μm。
基材薄膜(ni)
使用低密度聚乙烯(LDPE)(熔點111℃)及聚丙烯隨機共聚物(PP)(熔點143℃)，以擠製機進行擠製加工，於單面之LDPE表面側進行電暈放電處理的方式，製作LDPE/PP/LDPE之3層構造的基材薄膜(ni)。各層之厚度為LDPE/PP/LDPE=30μm/90μm/30μm。
[實施例1]
在預先進行過離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯離型紙的離型處理面上，以令黏著劑組成物(A)乾燥後之黏著層厚度成為20μm的方式進行塗布，並以80℃乾燥10分鐘後，以與基材薄膜(i)之電暈處理面貼合而使黏著劑轉印至基材薄膜的方式製作黏著膠帶。
[實施例2]
在預先進行過離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯離型紙的離型處理面上，以令黏著劑組成物(A)乾燥後之黏著層厚度成為20μm的方式進行塗布，並以80℃乾燥10分鐘後，以與基材薄膜(ro)之電暈處理面貼合而使黏著劑轉印至基材薄膜的方式製作黏著膠帶。
[實施例3]
在預先進行過離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯離型紙的離型處理面上，以令黏著劑組成物(B)乾燥後之黏著層厚 度成為20μm的方式進行塗布，並以80℃乾燥10分鐘後，以與基材薄膜(i)之電暈處理面貼合而使黏著劑轉印至基材薄膜的方式製作黏著膠帶。
[實施例4]
在預先進行過離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯離型紙的離型處理面上，以令黏著劑組成物(C)乾燥後之黏著層厚度成為20μm的方式進行塗布，並以80℃乾燥10分鐘後，以與基材薄膜(i)之電暈處理面貼合而使黏著劑轉印至基材薄膜的方式製作黏著膠帶。
[實施例5]
在預先進行過離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯離型紙的離型處理面上，以令黏著劑組成物(D)乾燥後之黏著層厚度成為20μm的方式進行塗布，並以80℃乾燥10分鐘後，以與基材薄膜(i)之電暈處理面貼合而使黏著劑轉印至基材薄膜的方式製作黏著膠帶。
[實施例6]
在預先進行過離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯離型紙的離型處理面上，以令黏著劑組成物(B)乾燥後之黏著層厚度成為5μm的方式進行塗布，並以80℃乾燥10分鐘後，以與基材薄膜(i)之電暈處理面貼合而使黏著劑轉印至基材薄膜的方式製作黏著膠帶。
[實施例7]
在預先進行過離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯離型紙的離型處理面上，以令黏著劑組成物(E)乾燥後之黏著層厚 度成為20μm的方式進行塗布，並以80℃乾燥10分鐘後，以與基材薄膜(i)之電暈處理面貼合而使黏著劑轉印至基材薄膜的方式製作黏著膠帶。
[實施例8]
在預先進行過離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯離型紙的離型處理面上，以令黏著劑組成物(E)乾燥後之黏著層厚度成為20μm的方式進行塗布，並以80℃乾燥10分鐘後，以與基材薄膜(ha)之電暈處理面貼合而使黏著劑轉印至基材薄膜的方式製作黏著膠帶。
[實施例9]
在預先進行過離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯離型紙的離型處理面上，以令黏著劑組成物(E)乾燥後之黏著層厚度成為20μm的方式進行塗布，並以80℃乾燥10分鐘後，以與基材薄膜(ni)之電暈處理面貼合而使黏著劑轉印至基材薄膜的方式製作黏著膠帶。
[比較例1]
除了令黏著劑組成物(A)為黏著劑組成物(F)以外，以與實施例1相同的方式，製作乾燥後厚度為20μm的黏著膠帶。
[比較例2]
除了令黏著劑組成物(A)為黏著劑組成物(G)以外，以與實施例1相同的方式，製作乾燥後厚度為20μm的黏著膠帶。
[比較例3]
除了令黏著劑組成物(A)為黏著劑組成物(H)以外，以 與實施例1相同的方式，製作乾燥後厚度為20μm的黏著膠帶。
[比較例4]
除了令黏著劑組成物(A)為黏著劑組成物(I)以外，以與實施例1相同的方式，製作乾燥後厚度為20μm的黏著膠帶。
[比較例5]
除了令黏著劑組成物(E)為黏著劑組成物(F)以外，以與實施例8相同的方式，製作乾燥後厚度為20μm的黏著膠帶。
[比較例6]
除了令黏著劑組成物(E)為黏著劑組成物(F)以外，以與實施例9相同的方式，製作乾燥後厚度為20μm的黏著膠帶。
(評價)
關於實施例1~9及比較例1~6所得之各黏著膠帶，以接下來的要領，進行黏著劑層表面之對於純水及二碘甲烷之接觸角的測定、探針附著性測定、及作為切割膠帶使用之際的性能評價。
將結果顯示於表1及表2。
<黏著劑層表面之接觸角的測定>
將基材薄膜之沒有設置黏著劑層的面，使用雙面膠帶固定於表面平坦之玻璃板上。在剝離離型紙後，滴下純水或二碘甲烷，並使用協和化學股份有限公司製FACE接觸角計CA-S150型測定接觸角θ。測定溫度為23℃，測定濕度為50%。
<探針附著性的測定>
使用RHESCA股份有限公司製之黏著力測試機TAC-II型進行。測定模式使用以保持加壓值至設定時間經過為止的方式持續控制之恆定負載(Constant Load)。在剝離離型紙後，將黏著膠帶之黏著劑層朝上，令直徑3.0mm之SUS304製的探針從上側接觸。探針接觸測定試料時的速度為30mm/min，接觸荷重為100gf，接觸時間為1秒。之後令探針以600mm/min的剝離速度從上方剝離，測定剝離所需要的力量。令探針溫度為23℃，板溫度為23℃。
<切割評價>
在剝離離型紙後，將黏著膠帶隔介黏著劑層黏貼至60×60mm之QFN基板封裝體的硬化樹脂面，並同時固定至環狀框架。接著將QFN基板封裝體，使用切割裝置(DISCO公司製DAD340)，沿已設定之分割預定線全切斷為3×3mm四方，獲得總計324個的半導體元件(獨立化之封裝體)。切割的條件係如以下所述。
刀片前進速度：50mm/sec
刀片轉速：40000rpm
膠帶切入深度：100μm
切割結束後，關於晶片保持性及切割膠帶露出部之銅粉附著，藉由下述方法進行評價。
接著，從黏著膠帶之基板薄膜側，使用高壓水銀燈照射200mJ/cm2 的紫外線令黏著劑層硬化後，拾取獨立化之半導體元件。
關於所獲得之各半導體元件，以下述之要領評價銅粉 附著量。
將結果顯示於表1。
<晶片保持性>
切割結束後，觀察半導體園鍵與黏著膠帶之黏著劑間的密合狀態，即使只有部分產生剝離之半導體元件的數量亦列入計算。將沒有產生剝離之半導體元件者，判斷為良好的結果。
<黏著劑露出部之銅粉附著量>
切割結束後，計算附著在鄰接QFN基板封裝體之黏著膠帶黏著劑露出部5cm×5cm區域上的銅粉數量。將10個以下判斷為良好的結果。
<半導體元件表面之銅粉附著量>
對所獲得之全部半導體元件的銅框架側之面以顯微鏡觀察，計算附著有銅粉之半導體元件的總數。將20個以下判斷為良好的結果。
<結果之評價>
實施例1~9任一者之半導體元件表面的銅粉附著量皆少而為良好。
實施例6~9之探針附著性的波峰值為300~400kPa，切割膠帶之黏著劑露出部的銅粉附著變得特別少。
實施例5之探針附著性的波峰值為300kPa以下，儘管在切割時有部分半導體元件與切割膠帶黏著劑間產生部分剝離，但得到半導體元件表面之銅粉附著量、切割膠帶之黏著劑露出部的銅粉附著量較少的結果。
實施例8、9使用為複層構造，且黏著劑層側之基材薄膜層的熔點，較與該黏著劑層側之基材薄膜層相接之基材薄膜層的熔點低者作為基材薄膜，得到半導體元件表面之銅粉附著變得更少的結果。在使用低密度聚乙烯/聚丙烯隨機共聚物/低密度聚乙烯所構成之三層構造基材薄膜的實施例9中，半導體元件表面之銅粉附著量極少。
另一方面，比較例1係由於黏著劑層之相對於純 水及二碘甲烷的接觸角皆不在本案發明之範圍內，因此得到半導體元件表面之銅粉附著量很多的結果。
比較例2中，雖然黏著劑層之相對於純水的接觸角為115°以下，但相對於二碘甲烷的接觸角並非為65°以下而在本案發明之範圍外，因此得到半導體元件表面之銅粉附著量很多的結果。
比較例3中，雖然黏著劑層之相對於二碘甲烷的接觸角為65°以下，但相對於純水的接觸角並非為115°以下而在本案發明之範圍外，因此得到半導體元件表面之銅粉附著量很多的結果。
比較例4中，黏著劑層之相對於純水及二碘甲烷的接觸角皆不在本案發明之範圍內，因此得到半導體元件表面之銅粉附著量很多的結果。附著性之波峰值較比較例1低，雖然銅粉附著量變得稍微低一點但並非為良好的結果。
比較例5中，黏著劑層之相對於純水及二碘甲烷的接觸角皆不在本案發明之範圍內，因此得到半導體元件表面之銅粉附著量很多的結果。基材薄膜為具特徵性之2層構造，雖然銅粉附著量變得較比較例1稍微低一點但並非為良好的結果。
比較例6中，黏著劑層之相對於純水及二碘甲烷的接觸角皆不在本案發明之範圍內，因此得到半導體元件表面之銅粉附著量很多的結果。基材薄膜為具特徵性之3層構造，雖然銅粉附著量變得較比較例1稍微低一點但並非為良好.的結果。
1‧‧‧黏著膠帶
3‧‧‧基材薄膜
5‧‧‧黏著劑層
6‧‧‧離型紙

Claims (4)

  1. 一種半導體元件加工用黏著膠帶，其係於基材薄膜之至少單面積層有紫外線硬化型黏著劑層者，其特徵在於：紫外線照射前之前述黏著劑層表面，相對於純水之接觸角為82~114°，且相對於二碘甲烷之接觸角為44~64°；且紫外線照射前之前述黏著劑層，其探針附著性試驗之波峰值為294~578kPa。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體元件加工用黏著膠帶，其中紫外線照射前之前述黏著劑層，其探針附著性試驗之波峰值為342~394kPa。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體元件加工用黏著膠帶，其中前述基材薄膜係為兩層以上之複層構造，其與前述黏著劑層接觸之第1基材薄膜層的熔點係較第2基材薄膜層的熔點低，該第2基材薄膜層係與前述第1基材薄膜層之前述黏著劑層側的反對面接觸。
  4. 如申請專利範圍第3項之半導體元件加工用黏著膠帶，其中前述基材薄膜係由低密度聚乙烯/聚丙烯隨機共聚物/低密度聚乙烯所構成之三層構造。
TW101139718A 2011-10-27 2012-10-26 Adhesive tape for processing semiconductor components TWI477393B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011236071A JP5019657B1 (ja) 2011-10-27 2011-10-27 半導体デバイス加工用粘着テープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201336684A TW201336684A (zh) 2013-09-16
TWI477393B true TWI477393B (zh) 2015-03-21

Family

ID=46980477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101139718A TWI477393B (zh) 2011-10-27 2012-10-26 Adhesive tape for processing semiconductor components

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5019657B1 (zh)
KR (1) KR101402553B1 (zh)
CN (1) CN103370770B (zh)
MY (1) MY154031A (zh)
TW (1) TWI477393B (zh)
WO (1) WO2013061925A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5437681B2 (ja) * 2009-03-30 2014-03-12 リンテック株式会社 粘着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5460809B1 (ja) * 2012-10-17 2014-04-02 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
JP5379919B1 (ja) * 2013-02-13 2013-12-25 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
JP2015003988A (ja) * 2013-06-20 2015-01-08 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
JP6328397B2 (ja) * 2013-10-02 2018-05-23 リンテック株式会社 電子部品加工用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5607847B1 (ja) * 2013-11-29 2014-10-15 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
CN105940488B (zh) * 2014-02-21 2018-06-26 株式会社村田制作所 电子部件供给体及其制造方法
CN105684131B (zh) * 2014-03-03 2018-09-25 古河电气工业株式会社 半导体加工用粘合带
WO2020053981A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 リンテック株式会社 ワーク加工用シートおよび加工済みワークの製造方法
JP7269095B2 (ja) * 2019-05-29 2023-05-08 古河電気工業株式会社 ガラス加工用テープ
KR20220072634A (ko) * 2020-11-25 2022-06-02 (주)이녹스첨단소재 스페이서용 다층 필름 및 이를 이용한 스페이서 형성 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200833807A (en) * 2006-10-04 2008-08-16 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for laser processing

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4477346B2 (ja) * 2003-12-05 2010-06-09 古河電気工業株式会社 半導体ダイシング用粘接着テープ
JP2006303472A (ja) * 2005-03-23 2006-11-02 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
WO2007142321A1 (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Nitto Denko Corporation 非相溶性物質偏在ポリマー層を有するポリマー部材、及び該ポリマー部材からなる表面凹凸テープ又はシート
JP5000370B2 (ja) * 2007-04-20 2012-08-15 日東電工株式会社 ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート
JP5048436B2 (ja) * 2007-09-25 2012-10-17 日東電工株式会社 粘着テープの製造方法
JP2009242776A (ja) * 2008-03-14 2009-10-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP5503357B2 (ja) * 2009-03-23 2014-05-28 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ、ダイシングテープの硬化阻害防止方法及び一括封止された半導体基板のダイシング方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200833807A (en) * 2006-10-04 2008-08-16 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for laser processing

Also Published As

Publication number Publication date
TW201336684A (zh) 2013-09-16
WO2013061925A1 (ja) 2013-05-02
KR20140004250A (ko) 2014-01-10
JP5019657B1 (ja) 2012-09-05
KR101402553B1 (ko) 2014-05-30
CN103370770A (zh) 2013-10-23
MY154031A (en) 2015-04-30
CN103370770B (zh) 2015-07-29
JP2013093519A (ja) 2013-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI477393B (zh) Adhesive tape for processing semiconductor components
KR102543780B1 (ko) 반도체 가공용 점착 테이프, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101411080B1 (ko) 웨이퍼 가공용 점착 테이프
KR100593814B1 (ko) 반도체 다이본딩용 점착테이프
JP5781302B2 (ja) 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート
EP1583144A2 (en) Dicing die-bonding film
US20100019365A1 (en) Dicing/die bonding film
JP6374199B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び積層フィルム
TW201728394A (zh) 半導體晶片之製造方法及用於其之遮罩一體型表面保護帶
KR20070027465A (ko) 점착 시트 및 이 점착 시트를 이용한 제품의 가공 방법
JP5294365B1 (ja) 放射線硬化型ダイシング用粘着テープ
TWI642717B (zh) 切割膜片
KR101766174B1 (ko) 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법
JP2015026707A (ja) ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR20150113905A (ko) 다이 본드 필름, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름, 반도체 장치, 및, 반도체 장치의 제조 방법
WO2017154619A1 (ja) ダイシングダイボンディングシート、半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
KR102545004B1 (ko) 방사선 경화형 다이싱용 점착 테이프
JP2010225753A (ja) ダイシングテープ
TW201936830A (zh) 遮蔽材
CN112055736B (zh) 电子部件用胶带及电子部件的加工方法
JP5764600B2 (ja) 半導体ウェハの裏面研削加工用表面保護粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法
TW202340410A (zh) 切割晶粒接合膜及製造半導體裝置之方法
JP2024016762A (ja) 半導体加工用粘着シート