KR20140004250A - 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프 - Google Patents

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사토시 오오타
아키라 야부키
사토시 핫토리
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스의 가공에 있어서, 새로운 설비의 개량, 소모품의 도입 없이, 반도체 디바이스에 대한 절삭 부스러기의 부착을 방지하여 다이싱가능한 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 일괄 밀봉된 패키지를 다이싱하여 개편화하고, 개개의 패키지로 분할할 때에 일괄 밀봉된 패키지를 고정하기 위하여 이용되는 점착 테이프(1)로서, 기재 필름(3) 상에 자외선 경화형 점착제층(5)을 가지고 있으며, 자외선 조사 전의 점착제층(5) 표면은 순수에 대한 접촉각이 115˚ 이하이고, 또한, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각이 65˚ 이하인 것이다.

Description

반도체 디바이스 가공용 점착 테이프 {ADHESIVE TAPE FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프에 관한 것이다. 상세하게는, 금속 프레임 상에 경화 수지층이 형성되고, 일괄 밀봉되어 이루어지는 반도체 디바이스를 하나 하나로 개편화(個片化)하여 분할할 때, 반도체 디바이스를 지지·고정하기 위해 사용하는 고정용의 점착 테이프에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서, 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼를 점착 테이프에 접착, 고정한 상태로 칩 형상으로 다이싱하고, 세정, 건조 후, 픽업 공정을 거쳐 반도체칩을 얻으며, 반도체칩은 마운트 공정, 본딩 공정 등의 후에 경화 수지에 의한 밀봉에 의해 패키지화된다.
종래, 경화 수지에 의한 밀봉 시에는, 개개의 반도체칩을 개별적으로 밀봉하는 방법이 이용되어 왔다. 그러나, 최근, 1개의 기판 상에 본딩된 복수의 반도체칩을 경화 수지로 일괄 밀봉한 것을 다시 다이싱하여 개편화함으로써, 개개의 반도체 디바이스를 얻는 방식이 활발히 행해지고 있다.
한편 휴대전화, 휴대형 컴퓨터, 기타 소형 전자기기의 보급에 따라, 이들에 탑재되는 반도체 장치의 소형화·박형화에 대한 요구가 높아져, BGA(Ball Grid Array)나 CSP(Chip Size Pakage) 패키지와 더불어, 리드 프레임을 이용한 소형 패키지로서 SON(Small Outline Non-lead)이나 QFN(Quad Flat Non-leaded) 패키지가 실용화되고 있다.
이러한 QFN 패키지 등의 조립에 있어서도, 밀봉금형의 하나인 캐비티로, 리드 프레임 등에 탑재, 배열된 복수의 반도체칩을 일괄하여 밀봉하고, 그 후, 일괄 밀봉부를 리드 프레임과 함께 다이싱용 블레이드에 의해 절단분리하여 개편화하는 일괄 밀봉에 의한 조립 방식이 채용되고 있다.
이 조립 방식에서는 통상 (1) 자외선 경화형의 점착제를 이용한 다이싱 테이프를 통해 일괄 밀봉된 패키지를 링 프레임에 고정, (2) 블레이드 다이싱, (3) 자외선 조사, (4) 픽업 공정을 거쳐 개편화된 패키지가 얻어지지만, 다이싱 공정 시에 구리 등의 금속제의 리드 프레임이 블레이드에 의해 절단되기 때문에, 절삭 부스러기로서 발생하는 금속 가루의 제거가 과제가 되고 있다.
다이싱 시에는 절삭 개소에 물을 공급하여 블레이드의 냉각 및 절삭 부스러기의 제거 등을 행하지만, 물을 사용하여 절삭 부스러기를 제거해도 모든 절삭 부스러기를 제거하는 것은 어려워, 제거되지 못한 절삭 부스러기가 반도체 디바이스나 다이싱 테이프의 점착제 표면에 부착되어 버린다. 반도체 디바이스 상에 부착된 절삭 부스러기는 반도체 디바이스의 성능을 저하시키거나, 테스트 공정에 있어서 테스터의 핀을 오염시키거나 하는 등의 문제가 있다. 또한, 다이싱 테이프 상에 부착된 절삭 부스러기는 자외선 경화에 의해 점착제가 경박리화되었을 때 분진으로서 흩날려, 반도체 디바이스나 장치를 오염시킨다는 문제가 있다.
이 문제에 대해, 특허문헌 1에서는 특정 구조를 가진 폴리머를 첨가한 절삭수용 첨가제를 이용함으로써, 다이싱 시의 절삭 부스러기의 부착 방지를 도모하고 있다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 방법에서는 상응하는 장치 개조가 필요하고, 또한, 종래에는 순수만을 사용하였지만, 소모품으로서 절삭수용 첨가제가 필요한 점에서 제조 코스트가 상승한다는 문제가 있었다.
특허문헌 1: 특개 2009-13301호 공보
따라서, 본 발명이 해결하려고 하는 과제는 새로운 설비의 개량, 소모품의 도입 없이, 일괄 밀봉된 패키지를 다이싱할 때에 절삭 부스러기의 부착을 방지할 수 있는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프를 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 상기의 목적을 달성하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 순수 및 요오드화메틸렌에 대한 접촉각이 특정 범위의 값인 점착 테이프를 이용함으로써, 반도체 디바이스에 대한 절삭 부스러기의 부착을 방지할 수 있는 것을 발견하였다. 본 발명은 이 지견에 근거하여 이루어진 것이다.
즉 본 발명은,
(1) 기재 필름의 적어도 편면에 자외선 경화형 점착제층이 적층되어 이루어지는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프로서, 자외선 조사 전의 상기 점착제층 표면은 순수에 대한 접촉각이 115˚ 이하이며, 또한, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각이 65˚ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프,
(2) 자외선 조사 전의 상기 점착제층은 프로브택 시험의 피크치가 300~400 kPa인 것을 특징으로 하는 (1) 기재의 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프,
(3) 자외선 조사 전의 상기 점착제층 표면은 순수에 대한 접촉각이 82~114˚이며, 또한, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각이 44~64˚이고, 자외선 조사 전의 상기 점착제층은 프로브택 시험의 피크치가 294~578 kPa인 것을 특징으로 하는 (1) 기재의 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프,
(4) 자외선 조사 전의 상기 점착제층은 프로브택 시험의 피크치가 342~394 kPa인 것을 특징으로 하는 (4) 기재의 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프,
(5) 상기 기재 필름은 2층 이상의 복층 구조이며, 상기 점착제층과 접하는 제1 기재 필름층의 융점이 상기 제1 기재 필름층의 상기 점착층측과 반대면에 접하는 제2 기재 필름층의 융점보다 낮은 것을 특징으로 하는 (1) 기재의 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프,
(6) 상기 기재 필름은 저밀도 폴리에틸렌／폴리프로필렌 랜덤 코폴리머／저밀도 폴리에틸렌으로 이루어지는 3층 구조인 것을 특징으로 하는 (5) 기재의 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프이다.
본 발명에 의하면, 새로운 설비의 개량, 소모품의 도입 없이, 일괄 밀봉된 QFN 등을 개개로 분할할 때의 다이싱에 있어서, 반도체 디바이스에 대한 절삭 부스러기의 부착을 방지할 수 있는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프를 설명하는 개략 단면도이다.
도 2(a) 내지 도 2(e)는 일괄 밀봉 패키지의 개편화를 설명하는 개략 단면도이다.
본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프의 일례를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 점착 테이프(1)는 기재 필름(3)과, 그 편면 상에 형성된 자외선 경화형 점착제층인 점착제층(5)으로 이루어진다. 점착 테이프(1)는 일괄 밀봉된 반도체 디바이스를 개편화할 때에 밀봉수지층에 대해서 접착되어, 다이싱 시의 반도체 디바이스의 지지 고정에 이용되는 것이다.
점착제층(5)은 자외선 조사 전의 점착제층(5) 표면의 순수에 대한 접촉각이 115˚ 이하이며, 또한, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각이 65˚ 이하이다. 본 발명에 있어서, 점착제층(5) 표면의 순수(또는 요오드화메틸렌)에 대한 접촉각이란 점착제층(5) 표면과 순수(또는 요오드화메틸렌)와의 접촉 직후의 접촉각을 의미한다. 이 접촉각은 온도 23℃, 습도 50%에서 측정한 값이다. 측정은 시판 중인 접촉각 측정 장치를 이용하여 행할 수 있다.
점착제층(5)의 자외선 조사 전의 점착제층(5) 표면의 순수에 대한 접촉각은 115˚ 이하이지만, 바람직하게는 80~110˚이며, 보다 바람직하게는 82~114˚이고, 더욱 바람직하게는 95~105˚이다. 점착제층(5) 표면의 자외선 조사 전에 있어서의 순수에 대한 접촉각을 115˚ 이하로 하여 점착제층(5)의 친수성을 높임으로써, 다이싱 시에 다이싱 블레이드에 뒤섞임으로써 형성되는 절삭 부스러기인 금속과 점착제의 혼합물, 즉 금속 가루와 절삭수 및 세정수의 친화성이 높아져, 물에 의해 씻겨 흘려지기 쉬워진다. 다이싱 시에 있어서는 금속 가루가 반도체 디바이스 표면에 부착되는 것이 방지되며, 세정 시에는 반도체 디바이스 표면에 부착된 금속 가루를 제거하기 쉬워진다.
점착제층(5) 표면의 자외선 조사 전에 있어서의 요오드화메틸렌에 대한 접촉각은 65˚ 이하이지만, 바람직하게는 30~60˚이며, 보다 바람직하게는, 44~64˚이고, 더욱 바람직하게는 45~55˚이다. 점착제층(5)의 자외선 조사 전에 있어서의 요오드화메틸렌에 대한 접촉각을 65˚ 이하로 함으로써, 점착제층(5)의 금속 밀착성이 저하되어, 다이싱 시에 다이싱 블레이드에 뒤섞임으로써 형성되는 절삭 부스러기인 금속과 점착제와의 혼합물의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 반도체 디바이스 표면에 부착된 점착제에, 다이싱 공정에 의해 분쇄된 금속이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
점착제층(5)은 자외선 조사 전에 있어서의 프로브택의 피크치가 294~578 kPa인 것이 바람직하고, 300~400 kPa인 것이 보다 바람직하며, 342~394 kPa인 것이 보다 더 바람직하다. 자외선 조사 전에 있어서의 프로브택의 피크치를 300~400 kPa로 함으로써, 다이싱 중에 반도체 디바이스가 비산하는 것을 억제할 수 있으며, 또한, 반도체 디바이스가 접착되어 있지 않은 점착 테이프(1)의 점착제 노출부에 대한 절삭 부스러기의 부착을 억제할 수 있다. 프로브택의 피크치가 너무 낮은 경우는, 다이싱 공정 중에 개편화된 반도체 디바이스를 지지하지 못하고 칩 날림을 일으킬 우려가 있다. 또한, 프로브택의 피크치가 너무 높은 경우는, 반도체 디바이스가 접착되어 있지 않은 점착 테이프(1)의 점착제 노출부에 대한 절삭 부스러기의 부착이 증가할 우려가 있다.
점착제층(5)은 다이싱 중에 반도체 디바이스의 비산을 억제하기 충분한 점착성을 가지는 것이면 되고, 점착제층(5)의 자외선 조사 전에 있어서의 점착력은 0.05~1.0 N／mm인 것이 바람직하다. 점착력이 0.05 N／mm 이하인 경우는 다이싱 공정 중에 개편화된 반도체 디바이스를 지지하지 못하고 칩 날림을 일으킬 우려가 있다. 한편 1.0 N／mm 이상에서는 박리 시에 점착제의 접착 잔사를 발생시킬 우려가 있다.
점착제층(5)의 두께는 8~32 ㎛, 보다 바람직하게는 15~25 ㎛이다. 점착제층(5)의 두께가 너무 얇으면 반도체 디바이스를 지지하기에 충분한 점착력을 얻을 수 없다. 또한, 점착제층(5)의 두께가 너무 두꺼우면, 반도체 디바이스의 절단면의 품질 악화, 반도체 디바이스 측면에 대한 접착 잔사와 같은 문제가 발생한다.
점착제층(5)을 구성하는 점착제는 자외선 경화형 점착제이며, 점착제층(5) 표면의 자외선 조사 전에 있어서의 순수에 대한 접촉각이 115˚ 이하이고, 또한, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각이 65˚ 이하이면 특별히 제한은 없고, 종래 공지의 점착제 중에서 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들면 천연 고무나 합성 고무 등을 이용한 고무계 점착제, 폴리(메타)아크릴산 알킬에스테르나 (메타)아크릴산 알킬에스테르와 다른 모노머와의 공중합체 등을 이용한 아크릴계 점착제, 기타 폴리우레탄계 점착제나 폴리에스테르계 점착제 및 폴리카보네이트계 점착제 등의 일반적인 점착제에, 자외선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분 등의 자외선 경화 수지를 배합한 자외선 경화형 점착제 외에, 베이스 폴리머로서 탄소-탄소 2중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 가지는 탄소-탄소 2중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 이용하는 자외선 경화형 점착제가 예시된다. 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 2중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 가지는 탄소-탄소 2중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 이용한 경우는, 반드시 자외선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분 등의 자외선 경화 수지를 배합할 필요는 없다.
점착제층(5)을 구성하는 점착제로서는, 폴리(메타)아크릴산 에스테르나 (메타)아크릴산 에스테르와 다른 모노머와의 공중합체 등(이후, 총칭하여 아크릴폴리머라고 한다)을 이용한 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴폴리머의 구성 성분으로서, (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면 (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 이소부틸, (메타)아크릴산 s-부틸, (메타)아크릴산 t-부틸, (메타)아크릴산 펜틸, (메타)아크릴산 헥실, (메타)아크릴산 헵틸, (메타)아크릴산 옥틸, (메타)아크릴산 이소옥틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 노닐, (메타)아크릴산 이소노닐, (메타)아크릴산 데실, (메타)아크릴산 이소데실, (메타)아크릴산 운데실, (메타)아크릴산 도데실, (메타)아크릴산 트리데실, (메타)아크릴산 테트라데실, (메타)아크릴산 펜타데실, (메타)아크릴산 헥사데실, (메타)아크릴산 헵타데실, (메타)아크릴산 옥타데실 등의 (메타)아크릴산 알킬에스테르; (메타)아크릴산 시클로헥실 등의 (메타)아크릴산 시클로알킬에스테르; (메타)아크릴산 페닐 등의 (메타)아크릴산 아릴에스테르 등을 들 수 있다. (메타)아크릴산 에스테르는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
상기 아크릴폴리머를 제조하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 가교제에 의하여 중량 평균 분자량을 높이거나, 축합 반응 또는 부가 반응에 의해 자외선 경화성 탄소-탄소 2중 결합을 도입하거나 하기 위하여, 수산기나 카르복실기, 글리시딜기 등의 관능기를 가지는 것이 바람직하다.
아크릴폴리머에 대한 자외선 경화성 탄소-탄소 2중 결합의 도입은 이하와 같이 행한다. 먼저, 아크릴폴리머의 구성 성분과, 관능기를 가지는 모노머를 이용해 공중합하여, 관능기를 가지는 아크릴폴리머를 조제한다. 그 후, 관능기를 가지는 아크릴폴리머 중의 관능기와 반응할 수 있는 관능기와 탄소-탄소 2중 결합을 가지는 화합물을, 관능기를 가지는 아크릴폴리머에, 탄소-탄소 2중 결합의 자외선 경화성(자외선 중합성)을 유지한 상태로 축합 반응 또는 부가 반응시킨다.
관능기를 가지는 아크릴폴리머는, 구성 성분인 (메타)아크릴산 에스테르에 대해서 공중합이 가능하고, 또한 수산기, 카르복실기, 글리시딜기 등의 관능기를 가지는 모노머(공중합성 모노머)를 공중합함으로써 얻을 수 있다. (메타)아크릴산 에스테르에 대해서 공중합이 가능하고, 또한 수산기를 가지는 모노머로서는, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 글리세린모노(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. (메타)아크릴산 에스테르에 대해서 공중합이 가능하고, 또한 카르복실기를 가지는 모노머로서는, (메타)아크릴산(아크릴산, 메타크릴산), 이타콘산, 말레산, 푸말산, 크로톤산, 이소크로톤산 등을 들 수 있다. (메타)아크릴산 에스테르에 대해서 공중합이 가능하고, 또한 글리시딜기를 가지는 모노머로서는, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
관능기와 반응할 수 있는 관능기와 탄소-탄소 2중 결합을 가지는 화합물로서는, 축합 반응 또는 부가 반응의 대상이 되는 관능기가 수산기인 경우에는, 2-이소시아나토에틸(메타)아크릴레이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다. 축합 반응 또는 부가 반응의 대상이 되는 관능기가 카르복실기인 경우에는, 글리시딜메타크릴레이트나 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 축합 반응 또는 부가 반응의 대상이 되는 관능기가 글리시딜기인 경우에는, (메타)아크릴산 등의 불포화 카르복시산 등을 들 수 있다.
아크릴폴리머는 반도체 디바이스 등의 피가공물의 오염 방지 등의 관점에서, 저분자량물의 함유량이 적은 것이 바람직하다. 이 관점에서 아크릴폴리머의 중량 평균 분자량으로서는, 10만 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 20만~200만인 것이 적합하다. 아크릴폴리머의 중량 평균 분자량이 너무 작으면, 반도체 디바이스 등의 피가공물에 대한 오염 방지성이 저하되고, 너무 크면 점착제층(5)을 형성하기 위한 점착제 조성물의 점도가 매우 높아져 점착 테이프(1)의 제조가 곤란해진다.
또한, 아크릴폴리머는 점착성 발현의 관점에서, 유리 전이점이 -70℃ ~ 0℃인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는, -65℃ ~ -20℃이다. 유리 전이점이 너무 낮으면 폴리머의 점도가 낮아져 안정된 도막 형성이 곤란해지고, 유리 전이점이 너무 높으면 점착제가 굳어져 피착체에 대한 젖음성이 악화된다.
상기 아크릴폴리머는 단독으로 이용해도 되고, 상용성이 허락하는 한 2종 이상의 아크릴폴리머를 혼합하여 이용해도 된다.
일반적인 점착제에 배합하여 점착제층(5)에 이용하는 자외선 경화형 수지는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예로서, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트, 폴리에테르 (메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산 올리고머 및 이타콘산 올리고머와 같이 수산기 혹은 카르복실기 등의 관능기를 가지는 올리고머를 들 수 있다.
또한 본 발명에 이용되는 점착제 중에 광중합 개시제를 배합할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들면 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 벤질디메틸케탄올, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 들 수 있다. 이들 중의 적어도 1종을 점착제 중에 첨가함으로써, 점착제층(5)의 경화 반응을 효율 좋게 진행시킬 수 있으며, 이에 따라 반도체 디바이스의 고정 점착력을 적절히 저하시킬 수 있다.
광중합 개시제의 첨가량은 상기 자외선 경화형 수지 100 질량부에 대해서 0.5~10 질량부로 하는 것이 바람직하다. 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 2중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 가지는 탄소-탄소 2중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 이용한 경우는, 탄소-탄소 2중 결합 도입형 아크릴계 폴리머 100 질량부에 대해서 0.5~10 질량부로 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 이용되는 점착제에는 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조정제, 계면활성제 등 혹은 기타 개질제 등을 더욱 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적절히 첨가해도 된다.
점착제층(5)의 점착성은, 점착 재료의 가교 밀도를 제어함으로써 적절히 제어 가능하다. 점착 재료의 가교 밀도의 제어는, 예를 들면 다관능 이소시아네이트계 화합물이나 에폭시계 화합물, 멜라민계 화합물이나 금속염계 화합물, 금속 킬레이트계 화합물이나 아미노 수지계 화합물 및 과산화물 등의 적절한 가교제를 통해 가교 처리하는 방식, 탄소-탄소 2중 결합을 2개 이상 가지는 화합물을 혼합하여, 에너지선의 조사 등에 의해 가교 처리하는 방식 등 적절한 방식으로 행할 수 있다.
점착제층(5)의 자외선 조사 전의 점착제층(5) 표면의 순수 및 요오드화메틸렌에 대한 접촉각은 아크릴폴리머의 코모노머 비율을 조정하는 것 외에, 첨가제로서 알킬렌글리콜이나 폴리알킬렌글리콜, 실리콘 수지 등을 배합함으로써 조정 가능하다.
기재 필름(3)은 점착제층(5)에 자외선 경화형 점착제를 이용하는 점에서, 광투과성인 것이 필요한 것 이외에는 종래 공지의 기재 필름 중에서 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 구체적으로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 및 폴리부텐과 같은 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 및 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 같은 에틸렌 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리메타크릴산 메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 연질 폴리염화 비닐, 반경질 폴리염화 비닐, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 천연 고무 및 합성 고무 등의 고분자 재료를 들 수 있다. 또한, 이들 군에서 선택되는 2종 이상이 혼합된 것 혹은 복층화된 것이어도 되며, 점착제층(5)과의 접착성에 따라 임의로 선택할 수 있다.
기재 필름(3)은 2층 이상의 복층 구조인 것이 바람직하다. 복층 구조의 경우, 점착제층(5)과 접하는 기재 필름층(제1층)의 융점이, 기재 필름층(제1층)의 점착제층(5)측과 반대면에 접하는 기재 필름층(제2층)의 융점보다 낮은 것이 바람직하고, 예를 들면 제1층／제2층의 조합으로서는, 폴리에틸렌／폴리프로필렌이나 에틸렌아세트산 비닐 공중합체／폴리에틸렌, 에틸렌아세트산 비닐 공중합체／폴리프로필렌 등이 있다. 특히 저밀도 폴리에틸렌／폴리프로필렌 랜덤 코폴리머／저밀도 폴리에틸렌의 3층 구조로 이루어지는 기재 필름이 바람직하다. 기재 필름을 상기와 같은 융점을 가지는 2층 이상의 복층 구조로 함으로써, 절삭 시의 열에 의해 유연화된 기재 필름(제1층)과 절삭 부스러기인 금속과 점착제와의 혼합물이, 절삭 시에도 비교적 높은 점성을 유지하고 있는 기재 필름(제2층)에 고착되어, 외부로 배출되기 어려워지므로 금속 가루의 발생을 억제할 수 있다.
또한 기재 필름(3)이 3층 이상으로, 기재 필름(제2층)의 기재 필름(제1층)과 반대면에 접하는 기재 필름(제3층)이, 기재 필름(제2층)보다 융점이 낮은 경우는, 다이싱 블레이드의 절삭 깊이는 기재 필름(제1층)을 관통하고, 기재 필름(제3층)에 도달하지 않는 것이 중요하다.
기재 필름(3)의 두께는 100 ㎛ ~ 200 ㎛가 바람직하고, 특히 130 ㎛ ~ 170 ㎛가 바람직하다. 기재 필름의 (제1층)은 5 ㎛ ~ 50 ㎛가 바람직하고, 특히 10~30 ㎛가 바람직하다. 기재 필름(3)의 (제1층)이 50 ㎛보다 두꺼운 경우, 절삭 부스러기인 금속과 점착제와의 혼합물의 발생량이 많아, 기재 필름(제2층)으로 전부 고착되지 못하고 외부로 배출되어, 금속 가루의 발생의 억제로 이어지지 못할 우려가 있다. 한편, 기재 필름의 (제1층)이 5 ㎛ 미만인 경우, 기재 필름의 (제1층)과 (제2층)과의 사이의 점성차에 의한 메카니즘이 성립하기 어려워, 역시 금속 가루의 발생의 억제로 이어지지 못할 우려가 있다. 또한, 기재 필름(3)이 3층 이상인 경우는, (제2층)과 (제3층)의 계면에서부터 기재 필름의 점착제층(5)측과 반대면까지의 두께는 5 ㎛ ~ 50 ㎛가 바람직하고, 특히 10~30 ㎛가 바람직하다. 기재 필름(3)이 3층 이상인 경우, (제2층)과 (제3층)의 계면에서부터 기재 필름(3)의 점착제층(5)측과 반대면까지의 두께가 50 ㎛ 이상인 경우, 다이싱 블레이드의 절삭 깊이가 기재 필름(제1층)을 관통하고, 기재 필름(제3층)에 도달하지 않도록 한 경우, 절삭 깊이가 얕아, 반도체칩의 형상에 이상을 초래할 우려가 있다.
점착 테이프(1)는 점착제층(5)을 직접 기재 필름(3) 상에 도포하여 형성하는 것 외에, 세퍼레이터(6) 상에 도포한 점착제층(5)을 기재 필름과 접합함으로써 기재 필름(3)에 전사시키는 것에 의해 제작할 수 있다.
점착 테이프(1)의 사용 방법의 일례에 대해 설명한다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 점착 테이프(1)의 점착제층(5)을 일괄 밀봉 패키지(11)에 첩부하고, 기재 필름(3)을 아래로 하여 링 프레임(9)으로 다이싱 장치에 고정한다(도 2(a)). 다음으로, 다이싱 블레이드(13)에 의해 소정의 라인을 따라 일괄 밀봉 패키지(11)를 풀 컷하여(도 2(b)), 개편화한다(도 2(c)). 다음으로 기재 필름(3)측으로부터 자외선 조사(17)를 행하여, 점착제층(5)을 경화시켜 점착력을 저하시킨다(도 2(d)). 그 후 픽업 척(19)으로 픽업하여 개편화된 패키지(15)를 얻는다(도 2(e)).
이상, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 본원에서 개시한 기술적 사상의 범주 내에 있어서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하며, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해될 것이다
실시예
다음으로 본 발명을 실시예에 근거하여 더욱 상세하게 설명한다. 이하 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예들로 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예에서 사용한 점착제 조성물을 이하에 나타낸다.
점착제 조성물(A)
2-에틸헥실아크릴레이트(70 중량%), 메틸메타크릴레이트(10 중량%), 2-히드록시에틸아크릴레이트(20 중량%)의 공중합체(유리 전이점: -50℃)에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 또한, 촉매로서 디라우르산디부틸주석을 첨가하여 반응시킴으로써 얻어진, 측쇄 말단에 탄소-탄소 2중 결합을 가지는 아크릴 중합체 100 질량부에 대해서, 광중합 개시제로서 상품명 "이르가큐어 651"(치바·스페셜티·케미컬즈사 제조): 2.5 질량부와, 폴리이소시아네이트계 화합물(상품명 "코로네이트 L)" 일본 폴리우레탄공업사 제조): 0.2 질량부를 첨가하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 조성물(A)를 얻었다.
점착제 조성물(B)
n-부틸아크릴레이트(60 중량%), 2-히드록시에틸아크릴레이트(40 중량%)의 공중합체(유리 전이점: -40℃) 100 질량부에 대해서, 자외선 경화 수지로서 펜타에리트리톨트리아크릴레이트 및 이소포론디이소시아네이트를 반응시켜 얻은 자외선 경화성 올리고머: 50 질량부와, 광중합 개시제로서 상품명 "이르가큐어 651"(치바·스페셜티·케미컬즈사 제조): 2.5 질량부와, 폴리이소시아네이트계 화합물(상품명 "코로네이트 L" 일본 폴리우레탄공업사 제조): 0.2 질량부를 첨가하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 조성물(B)를 얻었다.
점착제 조성물(C)
분자량 1000의 폴리프로필렌글리콜을 4.0 질량부 첨가한 것 이외에는 점착제 조성(B)와 동일하게 하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 조성물(C)를 얻었다.
점착제 조성물(D)
폴리이소시아네이트계 화합물(상품명 "코로네이트 L" 일본 폴리우레탄공업사 제조)의 첨가량을 1.0 질량부로 한 것 이외에는 점착제 조성물(A)와 동일하게 하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 조성물(D)를 얻었다.
점착제 조성물(E)
2-에틸헥실아크릴레이트(47 중량%), 메틸메타크릴레이트(33 중량%), 2-히드록시에틸아크릴레이트(20중량부)의 공중합체(유리 전이점: -20℃) 100 질량부에 대해서, 자외선 경화 수지로서 2-히드록시에틸아크릴레이트 및 이소포론디이소시아네이트를 반응시켜 얻은 자외선 경화성 올리고머 50 질량부와, 광중합 개시제로서 상품명 "이르가큐어 651"(치바·스페셜티·케미컬즈사 제조) 2.5 질량부와, 폴리이소시아네이트계 화합물(상품명 "코로네이트 L" 일본 폴리우레탄공업사 제조) 0.2 질량부를 첨가하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 조성물(E)를 얻었다.
점착제 조성물(F)
2-에틸헥실아크릴레이트(90 중량%), 2-히드록시에틸아크릴레이트(10 중량%)의 공중합체(유리 전이점: -65℃)에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를, 촉매로서 디라우르산디부틸주석을 첨가하여 반응시킴으로써 얻어진, 측쇄 말단에 탄소-탄소 2중 결합을 가지는 아크릴 중합체 100 질량부에 대해서, 광중합 개시제로서 상품명 "이르가큐어 651"(치바·스페셜티·케미컬즈사 제조) 2.5 질량부와, 폴리이소시아네이트계 화합물(상품명 "코로네이트 L" 일본 폴리우레탄공업사 제조) 0.2 질량부를 첨가하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 조성물(F)를 얻었다.
점착제 조성물(G)
분자량 1000의 폴리프로필렌글리콜을 4.0 질량부 첨가한 것 이외에는 점착제 조성(F)와 동일하게 하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 조성물(G)를 얻었다.
점착제 조성물(H)
실리콘 화합물로서 폴리에테르 변성 실리콘오일(상품명 "SF8427"(토레이 다우코닝사 제조) 0.5 질량부를 첨가한 것 이외에는 점착제 조성(A)와 동일하게 하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 조성물(H)를 얻었다.
점착제 조성물(I)
폴리이소시아네이트계 화합물(상품명 "코로네이트 L" 일본 폴리우레탄공업사 제조)의 첨가량을 1.0 질량부로 한 것 이외에는 점착제 조성(F)와 동일하게 하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 조성물(I)를 얻었다.
실시예 및 비교예에 있어서 사용한 기재 필름을 이하에 나타낸다.
기재 필름(가)
폴리프로필렌 랜덤 코폴리머(융점 143℃)를 압출기를 사용하여 압출 가공, 편면에 코로나 방전 처리를 실시함으로써, 두께 150 ㎛의 기재 필름(가)를 작성하였다.
기재 필름(나)
에틸렌아세트산 비닐 공중합체(융점 90℃)를 압출기를 사용하여 압출 가공, 편면에 코로나 방전 처리를 실시함으로써, 두께 150 ㎛의 기재 필름(나)를 작성하였다.
기재 필름(다)
에틸렌아세트산 비닐 공중합체(EVA)(융점 90℃) 및 저밀도 폴리에틸렌(LDPE)(융점 111℃)을 압출기를 사용하여 공압출 가공, EVA 표면측에 코로나 방전 처리를 실시함으로써, 2층 구조의 기재 필름(다)를 작성하였다. 각 층의 두께는 EVA의 두께 50 ㎛, LDPE의 두께 100 ㎛로 하였다.
기재 필름(라)
저밀도 폴리에틸렌(LDPE)(융점 111℃) 및 폴리프로필렌 랜덤 코폴리머(PP)(융점 143℃)를 이용하여, 압출기를 사용하여 공압출 가공, 편면의 LDPE 표면측에 코로나 방전 처리를 실시함으로써, LDPE／PP／LDPE의 3층 구조로 이루어지는 기재 필름(라)를 작성하였다. 각 층의 두께는 LDPE／PP／LDPE=30 ㎛／90 ㎛／30 ㎛로 하였다.
[실시예 1]
미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 점착제 조성물(A)를 건조 후의 점착층의 두께가 20 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 기재 필름(가)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 필름에 점착제를 전사시킴으로써 점착 테이프를 제작하였다.
[실시예 2]
미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 점착제 조성물(A)를 건조 후의 점착층의 두께가 20 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 기재 필름(나)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 필름에 점착제를 전사시킴으로써 점착 테이프를 제작하였다.
[실시예 3]
미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 점착제 조성물(B)를 건조 후의 점착층의 두께가 20 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 기재 필름(가)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 필름에 점착제를 전사시킴으로써 점착 테이프를 제작하였다.
[실시예 4]
미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 점착제 조성물(C)를 건조 후의 점착층의 두께가 20 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 기재 필름(가)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 필름에 점착제를 전사시킴으로써 점착 테이프를 제작하였다.
[실시예 5]
미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 점착제 조성물(D)를 건조 후의 점착층의 두께가 20 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 기재 필름(가)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 필름에 점착제를 전사시킴으로써 점착 테이프를 제작하였다.
[실시예 6]
미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 점착제 조성물(B)를 건조 후의 점착층의 두께가 5 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 기재 필름(가)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 필름에 점착제를 전사시킴으로써 점착 테이프를 제작하였다.
[실시예 7]
미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 점착제 조성물(E)를 건조 후의 점착층의 두께가 20 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 기재 필름(가)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 필름에 점착제를 전사시킴으로써 점착 테이프를 제작하였다.
[실시예 8]
미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 점착제 조성물(E)를 건조 후의 점착층의 두께가 20 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 기재 필름(다)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 필름에 점착제를 전사시킴으로써 점착 테이프를 제작하였다.
[실시예 9]
미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 점착제 조성물(E)를 건조 후의 점착층의 두께가 20 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 기재 필름(라)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 필름에 점착제를 전사시킴으로써 점착 테이프를 제작하였다.
[비교예 1]
점착제 조성물(A)를 점착제 조성물(F)로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 건조 후의 두께 20 ㎛의 점착 테이프를 제작하였다.
[비교예 2]
점착제 조성물(A)를 점착제 조성물(G)로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 건조 후의 두께 20 ㎛의 점착 테이프를 제작하였다.
[비교예 3]
점착제 조성물(A)를 점착제 조성물(H)로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 건조 후의 두께 20 ㎛의 점착 테이프를 제작하였다.
[비교예 4]
점착제 조성물(A)를 점착제 조성물(I)로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 건조 후의 두께 20 ㎛의 점착 테이프를 제작하였다.
[비교예 5]
점착제 조성물(E)를 점착제 조성물(F)로 한 것 이외에는 실시예 8과 동일하게 하여, 건조 후의 두께 20 ㎛의 점착 테이프를 제작하였다.
[비교예 6]
점착제 조성물(E)를 점착제 조성물(F)로 한 것 이외에는 실시예 9와 동일하게 하여, 건조 후의 두께 20 ㎛의 점착 테이프를 제작하였다.
(평가)
실시예 1~9 및 비교예 1~6에서 얻어진 각 점착 테이프에 대하여, 다음의 방법으로 점착제층 표면의 순수, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각의 측정, 프로브택의 측정 및 다이싱 테이프로서 사용했을 때의 성능 평가를 행하였다.
결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
<점착제층 표면의 접촉각의 측정>
기재 필름의 점착제층이 형성되지 않은 쪽의 면을 양면 테이프를 이용하여 표면이 평탄한 유리판 상에 고정하였다. 세퍼레이터를 박리한 후, 순수 혹은 요오드화메틸렌을 적하하여, 접촉각(θ)을 쿄와 화학주식회사 제조 FACE 접촉각계 CA-S150형을 이용하여 측정하였다. 측정 온도는 23℃, 측정 습도는 50%이다.
<프로브택의 측정>
주식회사 레스카의 택킹 시험기 TAC-II를 이용하여 행하였다. 측정 모드는 설정한 가압치까지 프로브를 압압하여, 설정한 시간이 경과할 때까지 가압치를 유지하도록 계속해서 컨트롤하는 Constant Load를 이용하였다. 세퍼레이터를 박리한 후, 점착 테이프의 점착제층을 위로 하고, 상측으로부터 직경 3.0 mm의 SUS304제의 프로브를 접촉시켰다. 프로브를 측정 시료에 접촉시킬 때의 스피드는 30 mm／min이며, 접촉 하중은 100 gf이고, 접촉 시간은 1초이다. 그 후, 프로브를 600 mm／min의 박리속도로 상방으로 잡아떼어, 잡아떼는 데에 필요한 힘을 측정하였다. 프로브 온도는 23℃이며, 플레이트 온도는 23℃로 하였다.
<다이싱 평가>
세퍼레이터를 박리한 후, 점착 테이프를, 60×60 mm의 QFN 기판 패키지의 경화 수지면에, 점착제층을 통해 접착함과 함께 링 프레임에 고정하였다. 다음으로 QFN 기판 패키지를, 다이싱 장치(디스코사 제조 DAD340)를 이용하여, 설정한 분할 예정 라인을 따라 3×3 mm 사이즈로 풀 컷하여, 총 324개의 반도체 디바이스(개편화된 패키지)를 얻었다. 다이싱의 조건은 하기와 같다.
블레이드 전송 속도: 50 mm／sec
블레이드 회전수: 40000 rpm
점착 테이프에 대한 절삭 깊이량: 100 ㎛
다이싱 종료 후, 칩 지지성 및 다이싱 테이프 노출부에 대한 구리 가루 부착에 대해, 하기 방법에 의해 평가하였다.
다음으로, 점착 테이프의 기판 필름측으로부터, 고압 수은등을 이용하여 자외선을 200 mJ／cm2 조사하여 점착제층을 경화시킨 후, 개편화된 반도체 디바이스를 픽업하였다.
얻어진 각 반도체 디바이스에 대해, 구리 가루 부착량을 하기의 방법으로 평가하였다.
결과를 표 1에 나타낸다.
<칩 지지성>
다이싱 종료 후, 반도체 디바이스와 점착 테이프의 점착제와의 사이의 밀착 상태를 관찰하여, 부분적이라도 박리가 발생하고 있는 반도체 디바이스의 수를 카운트하였다. 박리가 발생한 반도체 디바이스가 없는 것을 양호한 결과라고 판단하였다.
<점착제 노출부에 대한 구리 가루 부착>
다이싱 종료 후, QFN 기판 패키지에 인접한 점착 테이프의 점착제 노출부 5 cm×5 cm의 영역 상에 부착된 구리 가루의 수를 카운트하였다. 10개 이하를 양호한 결과라고 판단하였다.
<반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량>
얻어진 반도체 디바이스의 전체 수에 대해 구리 프레임측의 면을 현미경으로 관찰하여, 구리 가루가 부착된 반도체 디바이스의 총 수를 카운트하였다. 20개 이하를 양호한 결과라고 판단하였다.
[표 1]
Figure pct00001

[표 2]
Figure pct00002
<결과의 평가>
실시예 1~9는, 모두 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량이 적어 양호하다.
실시예 6~9는, 프로브택의 피크치가 300~400 kPa이며, 다이싱 테이프의 점착제 노출부에 대한 구리 가루 부착이 특히 적다.
실시예 5는, 프로브택의 피크치가 300 kPa 이하이며, 다이싱 시에 있어서, 일부 반도체 디바이스와 다이싱 테이프 점착제의 사이에 부분적인 박리가 발생했지만, 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량, 다이싱 테이프의 점착제 노출부에 대한 구리 가루 부착량은 적다는 결과가 나왔다.
실시예 8, 9는, 기재 필름으로서 복층 구조이며, 점착제층측의 기재 필름층의 융점이, 이 점착제층측의 기재 필름층에 접하는 기재 필름층의 융점보다 낮은 것을 사용하여, 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착이 보다 적다는 결과가 나왔다. 저밀도 폴리에틸렌／폴리프로필렌 랜덤 코폴리머／저밀도 폴리에틸렌으로 이루어지는 3층 구조의 기재 필름을 이용한 실시예 9에서는 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량이 매우 적었다.
한편 비교예 1은, 점착제층의 순수에 대한 접촉각, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각 모두 본원 발명의 범위 내가 아닌 점에서, 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량이 많다는 결과가 나왔다.
비교예 2는, 점착제층의 순수에 대한 접촉각은 115℃ 이하이지만, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각이 65℃ 이하가 아니라 본원 발명의 범위 외로, 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량이 많다는 결과가 나왔다.
비교예 3은, 점착제층의 요오드화메틸렌에 대한 접촉각은 65℃ 이하이지만, 순수에 대한 접촉각이 115℃ 이하가 아니라 본원 발명의 범위 외로, 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량이 많다는 결과가 나왔다.
비교예 4는, 점착제층의 순수에 대한 접촉각, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각 모두 본원 발명의 범위 내가 아니라, 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량이 많다는 결과가 나왔다. 비교예 1보다 택의 피크치가 낮아, 구리 가루 부착량은 약간 감소되었지만 양호한 결과는 아니었다.
비교예 5는, 점착제층의 순수에 대한 접촉각, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각 모두 본원 발명의 범위 내가 아니라, 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량이 많다는 결과가 나왔다. 기재 필름이 특징적인 2층 구조이며, 비교예 1보다 구리 가루 부착량은 약간 낮아졌지만 양호한 결과는 아니었다.
비교예 6은, 점착제층의 순수에 대한 접촉각, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각 모두 본원 발명의 범위 내가 아니라, 반도체 디바이스 표면에 대한 구리 가루 부착량이 많다는 결과가 나왔다. 기재 필름이 특징적인 3층 구조이며, 비교예 1보다 구리 가루 부착량은 약간 낮아졌지만 양호한 결과는 아니었다.
1 : 점착 테이프
3 : 기재 필름
5 : 점착제층
6 : 세퍼레이터
9 : 링 프레임
11 : 일괄 밀봉 패키지
13 : 다이싱 블레이드
15 : 개편화된 패키지
17 : 자외선 조사
19 : 픽업 척

Claims (6)

  1. 기재 필름의 적어도 편면에 자외선 경화형 점착제층이 적층되어 이루어지는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프로서,
    자외선 조사 전의 상기 점착제층 표면은 순수에 대한 접촉각이 115˚ 이하이며, 또한, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각이 65˚ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프.
  2. 제1항에 있어서,
    자외선 조사 전의 상기 점착제층은 프로브택 시험의 피크치가 300~400 kPa인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프.
  3. 제1항에 있어서,
    자외선 조사 전의 상기 점착제층 표면은 순수에 대한 접촉각이 82~114˚이며, 또한, 요오드화메틸렌에 대한 접촉각이 44~64˚이고,
    자외선 조사 전의 상기 점착제층은 프로브택 시험의 피크치가 294~578 kPa인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프.
  4. 제1항에 있어서,
    자외선 조사 전의 상기 점착제층은 프로브택 시험의 피크치가 342~394 kPa인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기재 필름은 2층 이상의 복층 구조이며, 상기 점착제층과 접하는 제1 기재 필름층의 융점이 상기 제1 기재 필름층의 상기 점착층측과 반대면에 접하는 제2 기재 필름층의 융점보다 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기재 필름은 저밀도 폴리에틸렌／폴리프로필렌 랜덤 코폴리머／저밀도 폴리에틸렌으로 이루어지는 3층 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프.
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