KR101748924B1 - 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 - Google Patents

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Abstract

기재 시트 상에 점착제층을 가지고, 기재 시트의 두께 방향에 대해서, 선단 형상 R = 5.0±0.1㎜(즉, R = 4.9 ~ 5.1㎜)의 압자를 1㎜/min로 가압하고, 해당 기재 시트로부터의 반발력이 50 N이 된 변위를 유지한 상태로부터의 응력 완화의 시간 변화에 있어서, 0 ~ 5초의 반발력의 시간 변화(A)가 0.23 ~ 0.28 N/s이며, 또한 5 ~ 10초까지의 반발력의 시간 변화(B)와의 비 (B)/(A)가 0.40 ~ 0.45인 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.

Description

반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프{ADHESIVE TAPE FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFERS}
본 발명은 반도체 웨이퍼를 소편(小片)으로 절단 분리하는 다이싱 공정에 이용되는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 관한 것이다.
최근, 모바일 기기의 발전으로부터, 반도체 디바이스에 대해서 박형화가 더 요망되고 있다. 이 때문에, 반도체 칩을 두께 50 ~ 100μm 혹은 그 이하까지 얇게 할 필요가 생기고 있다. 일반적으로, 이면(裏面) 연삭시는 반도체 웨이퍼의 회로면에 표면 보호 시트를 붙여서, 회로면의 보호 및 웨이퍼의 고정을 행하여 이면 연삭이 행해진다. 그 후, 다이싱, 픽업, 다이본드, 수지 밀봉 등의 각종 공정을 거쳐서, 반도체 장치가 제조된다.
반도체 웨이퍼를 다이싱하고 칩화할 때에는, 반도체 웨이퍼의 이면(연삭면)에 다이싱 테이프가 첩착(貼着)되어, 다이싱 테이프 상에 웨이퍼를 유지하면서 웨이퍼의 개편화(個片化, 다이싱)를 행하고 있다. 다이싱 테이프로서는, 여러 가지의 것이 시판되고 있지만, 특히 UV 테이프로 불리는 자외선 경화형 점착 테이프가 바람직하게 이용되고 있다. UV 테이프는, 자외선 조사에 의해 점착제층이 경화하여, 접착력이 소실 또는 격감하는 성질을 가진다. 따라서, 웨이퍼의 다이싱 시에는, 충분한 접착력으로 웨이퍼를 고정할 수 있고, 다이싱 종료 후에는 점착제층을 자외선 경화시키는 것으로, 칩을 용이하게 픽업할 수 있다.
반도체 웨이퍼의 다이싱 시에, 치핑(chipping)으로 불리는 칩의 결손ㆍ크랙이 발생하고, 그 크기는 100μm에 달하는 경우가 있다. 박막화가 진행되고 있는 반도체 디바이스에 있어서는, 수십 μm의 치핑이라도, 회로면에 치핑이 도달하는 경우가 있고, 이것이 수율의 저하로 이어진다.
이 치핑은, 다이싱 시에 회전날에 의해서 칩이 진동되어서, 칩과 회전날, 혹은 칩끼리의 접촉이 발생하는 것에 기인한다. 치핑의 문제를 해결하기 위해서, 특허 문헌 1에 있어서는, 보다 강고하게 칩을 유지하기 위한 점착제 구성물이 개시되어 있다. 한편, 기재 시트에 대해서는 언급되어 있지 않아, 충분한 치핑 억제에 도달하지 않았다.
특허 문헌 2에 있어서는, 치핑 억제에 효과가 있는 기재 시트의 인장 강도를 개시하고 있다. 그러나, 다이싱 시에는, 회전날에 의한 가압 응력이 기재 시트에 크게 걸리고 있는데, 가압에 대한 반발력 지표의 검토가 불충분하다. 또한, 인장 강도의 상한에 대해서는 확장성에 착안하여 설정되어 있고, 픽업 공정에 대해서는 언급되어 있지 않으며, 픽업 공정에 적절한 기재 시트로서는 아직 만족할 수 있는 것이 아니었다.
일본 공개 특허 공보 2011-233718호 일본 공개 특허 공보 2001-207140호
본 발명은, 박막화가 진행되고 있는 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정과 픽업 공정을 통해서 요구 성능을 만족시켜서 치핑을 저감시키고, 또한, 픽업을 용이, 확실하게 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 연구를 거듭한 결과, 점착 테이프를 구성하는 기재 시트에 대해서, 가압 응력을 부여했을 때의 완화 응력의 시간 변화를 시간과의 관계로 제어하는 것에 의해, 치핑을 저감할 수 있고, 또한, 픽업이 용이해지는 것을 발견했다. 본 발명은 이 발견에 근거하여 이루어진 것이다.
즉, 상기 과제는 이하의 수단에 의해 달성되었다.
(1) 기재(基材) 시트 상에 점착제층이 적층된 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프로서, 해당 기재 시트의 두께 방향에 대해서, 선단 형상 R = 5.0±0.1㎜(즉 R = 4.9 ~ 5.1㎜)의 압자(penetrator)를 1㎜/min로 가압하고, 해당 기재 시트로부터의 반발력이 50 N이 된 변위를 유지한 상태로부터의 응력 완화의 시간 변화에 있어서, 0 ~ 5초의 반발력의 시간 변화(A)가 0.23 ~ 0.28 N/s이며, 또한 5초를 초과하여 10초까지의 반발력의 시간 변화(B)와의 비(B/A)가 0.40 ~ 0.45인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
(2) 상기 점착제층 두께가, 5 ~ 10μm인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
(3) 상기 점착제층에 프탈산 디에스테르를, 점착제 수지 성분 100질량부에 대해서, 0.1 ~ 30질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
(4) 상기 기재 시트가, 폴리염화비닐 수지인 것을 특징으로 하는 (1) ~ (3) 중 어느 한 항에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
(5) 상기 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프가, 반도체 디바이스의 다이싱 공정에 이용되는 것을 특징으로 하는 (1) ~ (4) 중 어느 한 항에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프에서는, 기재 시트에 가압력을 부여했을 때의 완화 응력의 시간 변화(응력 완화성)를 가압 응력에 의한 변위 부여로부터의 경과 시간과의 관계로 특정의 범위로 제어하는 것으로, 치핑의 저감과 용이한 픽업성의 양립을 꾀할 수 있다. 특히 박막화 반도체 웨이퍼의 가공용 점착 테이프로서 유용하다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 적절히 첨부된 도면을 참조하여, 하기의 기재로부터 보다 분명해질 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 일실시 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 실시예에서 행한 반발력 측정에 있어서의 압축 시험의 측정 모식도이다.
이하에서 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세하게 설명한다.
<<반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프>>
도 1은 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 바람직한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이며, 기재(基材) 시트(1)와, 기재 시트(1) 상에 점착제층(2)이 형성되어 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프는, 기재 시트의 두께 방향에 대해서, 선단 형상 R = 5.0±0.1㎜의 압자(penetrator)를 1㎜/min로 가압하고, 기재 시트로부터의 반발력이 50 N이 된 변위를 유지한 상태로부터의 응력 완화의 시간 변화에 있어서, 0 ~ 5초의 응력 완화의 시간 변화(A)가 0.23 ~ 0.28 N/s이며, 또한 5 ~ 10초까지의 응력 완화의 시간 변화(B)와의 비(B/A)가 0.40 ~ 0.45이다.
다이싱 블레이드에 의한 절삭에 있어서는, 회전날의 고속 회전에 의해 피착체(被着體) 및 점착 테이프의 일부를 깎아낸다. 회전날의 회전 방향은, 점착 테이프면에 대해서 수직이기 때문에, 다이싱 시에 점착 테이프는 회전날에 의한 수직 아래 방향, 즉, 점착 테이프에서는 가압 방향에의 압축력이 발생하고 있다.
일반적으로는, 다이싱에서는, 피착체 절삭과 함께, 점착 테이프의 일부까지 절입(切入)된다. 치핑의 요인이 되는, 다이싱 시의 진동은, 피착체에 의한 절삭시 저항, 및, 점착 테이프에 의한 저항에 기인한다. 점착 테이프의 절삭시의 저항에 착안하면, 일반적으로는 점착제층은 다이싱에 의해서 완전 분단되어 버리기 때문에, 기재 시트의 가압력에 대한 반발력이 지배적이 된다. 따라서, 기재 시트가 가압될 때의 응력 완화의 시간 변화가 크면, 칩의 진동을 억제할 수 있고, 치핑을 저감할 수 있다.
또한, 그때 발생한 반발력은, 일정치에 가까워지도록 시간 변화되어 가지만, 그 시간이 짧으면, 인접 라인을 절삭할 때 안정된 상태를 유지할 수 있기 때문에, 그 영향을 받기 어려워지고, 칩끼리의 접촉에 의한 치핑을 저감할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 기재 시트의 두께 방향에 대해서, 선단 형상 R = 5.0±0.1㎜(R은 곡률반경)의 압자를 1㎜/min로 가압하고, 기재 시트로부터의 반발력이 50 N이 된 변위를 유지한 상태로부터의 응력 완화의 시간 변화에 있어서, 0 ~ 5초의 응력 완화의 시간 변화(A)가 0.23 ~ 0.28 N/s이며, 또한 5초를 초과하여 10초까지의 응력 완화의 시간 변화(B)와의 비(B/A)가 0.40 ~ 0.45이다. 상기 (A)와 비 (B/A)의 값을 상기 범위로 설정하는 것으로 다이싱 공정의 치핑의 발생을 억제하고, 픽업 공정의 칩의 픽업 불량을 방지할 수 있다. (A)가 0.23 N/s 미만인 경우는, 가압력에 대한 응력 완화 속도가 충분하지 않아, 칩 진동이 발생하고, 치핑이 생긴다. 또한, 0.28 N/s를 초과하면, 응력 완화 속도가 너무 빨라서 픽업시의 밀어 올리기 핀에 의한 가압력을 완화시켜 버려서, 픽업 불량을 일으킬 가능성이 있다. 그리고, (B/A)가 0.40 미만인 경우는, 기재 시트의 반발력이 높은 상태에서 머물게 되므로, 픽업 시에, 핀의 밀어 올리는 힘이 칩에 과도하게 전해져서, 칩 크랙을 발생시키는 일이 있다. 또한, 0.45보다 큰 경우는, 기재 시트의 반발력이 일정치에 달할 때까지 시간을 필요로 하기 때문에, 다음의 인접한 칩 절삭 단계에 이행 후에 있어서도 반발력이 변화하고 있을 가능성이 있고, 인접한 칩끼리의 접촉에 의한 치핑을 일으킬 우려가 있다. 또한, 일반적으로 반발력은 시간 경과와 함께 감소해 나가기 때문에, (B/A)는 1 이하가 된다.
상기의 응력 완화의 시간 변화의 측정은, 후술의 실시예에서 나타내는 방법으로 측정할 수 있다.
여기서, 응력 완화의 관계는, 기재 시트의 두께가 80μm, 점착제층의 두께가 100μm에서 얻어지는 값이며, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 특성을 나타내는 것이다. 따라서, 본 발명에 있어서의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 기재 시트와 점착제층의 두께를 규정하는 것은 아니다.
0 ~ 5초의 응력 완화의 시간 변화(A)는, 바람직하게는 0.23 ~ 0.25 N/s이다. 또한, (B/A)는, 바람직하게는 0.41 ~ 0.44이다.
응력 완화의 관계를 이와 같이 조정하기 위해서는, 기재 시트의 수지 성분, 수지중의 첨가물, 시트의 두께 등의 변경으로 조정할 수 있고, 또한, 기재 시트가 복합 필름의 경우는, 이것들에 더하여, 조합하는 필름의 수지 성분이나 조합하는 필름의 두께로 조제할 수 있다. 또한, 점착제층의 종류나 두께에 의해서도 조정할 수 있다.
기재 시트를 구성하는 수지로서는, 상기의 응력 완화의 시간 변화의 범위 내이면, 특별히 제한은 없고, 다른 수지나 고무 등 시트 형상으로 성형할 수 있는 것을 병용해도 좋다.
예를 들면, 폴리프로필렌, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 에틸렌ㆍ프로필렌 공중합체, 프로필렌 공중합체, 에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체 가류물(加硫物), 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 메틸공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 에틸공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 부틸공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐-초산비닐 공중합체, 에틸렌-염화비닐-초산비닐 공중합체, 폴리우레탄, 폴리아미드, 이오노머, 니트릴 고무, 부틸 고무, 스티렌 이소프렌 고무, 스티렌 부타디엔 고무, 천연 고무 및 그 수(水)첨가물 또는 변성물, 각종 이오노머 수지 등을 이용해도 좋다.
또한, 이오노머 수지는, 폴리에틸렌, 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌, 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸공중합체 등이 이용된다. 이용하는 금속 이온은 K, Na, Ca, Zn 등 여러가지 선택이 가능하다. 그 중에서도, 에틸렌과 (메타)아크릴산 공중합체 중의 카르복실기의 적어도 일부를 금속 이온으로 중화 가교한 2원(元) 공중합체계 이오노머 수지, 또는, 에틸렌과 (메타)아크릴산과 α,β-불포화 카르복실산 에스테르의 3원 공중합체 중의 카르복실기의 적어도 일부를 금속 이온으로 중화한 3원 공중합체계 이오노머 수지가 바람직하다.
상기의 금속 이온으로서는, 예를 들면 Na 이온, K 이온 혹은 Li 이온 등의 알칼리 금속 이온, Ca 이온, Mg 이온, Zn 이온 등의 2가 금속 이온, 예를 들면 Al 이온 혹은 Nd 이온 등의 3가 금속 이온, 및 이들의 혼합물을 들 수 있는데, Na 이온, Zn 이온 또는 Li 이온 등이 내구성 등에서 적합하게 이용된다.
상기 2원 공중합체계 이오노머 수지의 구체적인 예를 상품명으로 예시하면, 미츠이듀퐁폴리케미컬카부시키가이샤(三井 DUPONT POLYCHEMICALS 株式會社)에서 시판되고 있는 하이밀란 1605(Na), 하이밀란 1706(Zn), 하이밀란 1707(Na), 하이밀란 AM7318(Na), 하이밀란 AM7315(Zn), 하이밀란 AM7317(Zn), 하이밀란 AM7311(Mg) 또는 하이밀란 MK7320(K) 등을 들 수 있다. 또한, 듀퐁사로부터 시판되고 있는 이오노머 수지로서는, 서린 8920(Na), 서린 8940(Na), 서린 AD8512(Na), 서린 9910(Zn), 서린 AD8511(Zn), 서린 7930(Li) 또는 서린 7940(Li) 등을 들 수 있다. 또한, 엑손카가쿠사(EXXON化學社)로부터 시판되고 있는 이오노머 수지로서는, 아이오텍크 7010(Zn) 또는 아이오텍크 8000(Na) 등을 들 수 있다.
상기 3원 공중합체계 이오노머 수지의 구체적인 예를 상품명으로 예시하면, 미츠이듀퐁폴리케미컬카부시키가이샤로부터 시판되고 있는 하이밀란 1856(Na), 하이밀란 1855(Zn), 하이밀란 AM7316(Zn) 등, 듀퐁사로부터 시판되고 있는 서린 AD8265(Na), 서린 AD8269(Na) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 이오노머 수지의 상품명의 뒤의 괄호 안에 기재한 Na, Zn, K, Li, Mg 등은 이들의 중화 금속 이온의 금속종을 나타내고 있다.
이들 수지 중, 폴리염화비닐 수지, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 혹은, 에틸렌 및 (메타)아크릴산에 더하여 (메타)아크릴산 에스테르 등의 다른 공중합 성분을 포함하는 3원 이상의 공중합체, 나아가서는 이오노머 수지가 바람직하다.
이 중, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체는, (메타)아크릴산의 함유량이, 1 ~ 20 질량%가 바람직하고, 1 ~ 15 질량%가 보다 바람직하다.
또한, 이오노머 수지는, 에틸렌-(메타)아크릴산계의 2원 혹은 3원(좌기(左記)에 더하여 (메타)아크릴산 에스테르의 3원) 이상이 바람직하다.
또한, 상기의 바람직한 공중합체 혹은 수지 중, 특히, 폴리염화비닐 수지가 바람직하다.
폴리염화비닐을 이용하는 경우는 적절하게, 안정제, 가소제를 이용할 수 있다.
이들 기재 시트를 구성하는 수지는 단층 또는 복층 구성으로 해도 좋고, 본 발명에 있어서는 복층 구성이 바람직하다.
복층 구성으로 한 경우, 점착제층측의 수지는, 폴리염화비닐, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체가 바람직하고, 점착제층이 마련되는 측과는 반대측의 필름의 수지는, 폴리염화비닐, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체 또는 이오노머 수지가 바람직하다.
기재 시트의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 취급하기 쉬운 것으로부터, 50 ~ 200μm가 바람직하고, 70 ~ 110μm가 더 바람직하다.
기재 시트의 점착제층에 접하는 면에는 밀착성을 더 향상시키기 위해서, 코로나 처리, 프라이머(primer) 등의 처리를 실시해도 좋다.
점착제층을 구성하는 점착제로서는, 방사선 경화형이 바람직하고, 예를 들면, 일본 공고 특허 공보 평01-56112호, 일본 공개 특허 공보 평07-135189호 등에 기재된 것이 바람직하게 사용되지만, 이것들로 한정되지는 않는다. 방사선에 의해 경화되여 3차원 망상화하는 성질을 가지면 좋고, 예를 들면 통상의 고무계 혹은 (메타)아크릴계의 감압성 베이스 수지(폴리머)에 대해서, 분자중에 적어도 2개의 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 저분자량 화합물(이하, 광중합성 화합물이라고 한다) 및 광중합 개시제가 배합되어서 이루어지는 것을 사용할 수 있다.
여기서, 방사선이란, 자외선과 같은 광선, 또는 전자선(電子線)과 같은 전리성 방사선을 의미한다. 「(메타)아크릴」이란, 「아크릴」 또는 「메타크릴」 의 어느 하나, 또는 양쪽 모두를 의미한다.
상기의 고무계 혹은 아크릴계의 베이스 수지는, 천연 고무, 각종 합성 고무 등의 고무계 폴리머, 혹은 폴리(메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 알킬에스테르와 이것과 공중합 가능한 다른 불포화 단량체와의 공중합물 등의 (메타)아크릴계 폴리머를 사용할 수 있다.
(메타)아크릴계 폴리머는, 특별히 제한되지 않지만, 질량 평균 분자량을 10만 ~ 100만, 유리전이온도(Tg)를 -50 ~ 0℃의 범위로 할 수 있다.
또한, 상기의 점착제중에, 이소시아네이트계 경화제를 혼합하는 것에 의해, 초기의 접착력을 임의의 값으로 설정할 수 있다. 이러한 경화제로서는, 구체적으로는 다가(多價) 이소시아네이트 화합물, 예를 들면, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌 디이소시아네이트, 1,4-크실렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4＇-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4＇-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4＇-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4＇-디이소시아네이트, 리진 이소시아네이트 등이 이용된다.
경화제의 함유량은, 소망의 점착력에 대응하여 조정하면 좋고, 점착제의 상기 베이스 수지 공중합체 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.01 ~ 10질량부, 더 바람직하게는 0.1 ~ 5질량부이다.
방사선 경화형 점착제는, 점착제 중에 광중합 개시제를 혼입하는 것에 의해, 방사선 조사에 의한 중합 경화 반응을 발현할 수 있다.
이러한 광중합 개시제로서는, 구체적으로는, 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.
점착제층의 두께는, 바람직하게는 5 ~ 10μm이다. 5μm보다 얇아지면 안정적인 제조성을 얻기 힘들고, 또한, 10μm보다 두꺼우면 다이싱 시의 칩 진동의 영향이 커진다.
또한, 상기와 같은 점착제층 중에 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함시키는 것에 의해서, 방사선을 조사하는 것에 의해 경화하고, 점착제의 점착력을 저하시켜서, 피착체로부터 접착제층을 박리하기 쉽게 할 수 있다.
점착제층의 형성은, 통상의 다이싱 테이프와 동일하게 기재 시트 상에 점착제를 도공(塗工)하여 제조할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 점착제층에 가소제를 함유하는 것이 바람직하다. 가소제를 이용하는 것으로, 점착제의 유연성이 증가하고, 다이싱 시의 회전날에 의한 응력을 완화시킬 수 있다. 가소제의 양, 종류는, 특별히 제한은 없고, 일반적인 가소제를 이용할 수 있다.
이러한 가소제로서는, 방향족 에스테르, 지방족 에스테르, 인산 에스테르, 아미드 화합물, 지방족 알코올, 파라핀류를 들 수 있다. 그 중에서도, 방향족 에스테르, 인산 에스테르가 바람직하고, 방향족 에스테르가 보다 바람직하다. 방향족 에스테르로서는, 그 중에서도 프탈산디에스테르가 바람직하고, 알코올부의 탄소수가 6 ~ 12인 것이 더 바람직하며, 프탈산디옥틸이 가장 바람직하다.
방향족 에스테르로서는, 예를 들면, 프탈산디옥틸, 프탈산디헥실, 프탈산디도데실, 프탈산테레프탈산 디2-에틸헥실, 이소프탈산디부틸, 트리멜리트산트리이소프로필 등을 들 수 있고, 인산 에스테르로서는, 트리크레실 포스페이트, 트리 2-에틸헥실 포스페이트 등을 들 수 있다.
가소제의 첨가량은, 점착제 수지 성분 100질량부에 대해서, 0.1 ~ 30질량부가 바람직하고, 0.1 ~ 25질량부가 보다 바람직하며, 0.1 ~ 10질량부가 더 바람직하다. 첨가량이 0.1질량부보다 적으면 상기의 응력 완화가 발현되지 않는다. 또한, 첨가량이 30질량부보다 많아지면, 점착제층이 너무 부드러워져서, 치핑이 악화된다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 사용하는 것은, 통상의 방법에 따라서 이용할 수 있고, 예를 들면 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 붙여서 고정한 후, 회전날로 반도체 웨이퍼를 칩으로 절단한다. 그 후, 상기 점착 테이프의 기재측으로부터 자외선 또는 전자선을 조사하고, 다음에 전용 지그를 이용하여 상기 점착 테이프를 방사(放射) 형상으로 확대하여 칩 사이를 일정 간격으로 넓힌 후(expend), 칩을 니들 등으로 밀어올림과 함께, 진공 콜릿(collet), 에어 핀셋 등으로 흡착하는 방법 등에 의해 픽업하는 것과 동시에 마운팅하면 좋다.
또한, 본 발명을 적용하는 반도체 웨이퍼의 두께는, 바람직하게는 200 ~ 75μm, 보다 바람직하게는 100 ~ 75μm이며, 그 두께가 얇은 경우에 효과가 현저하다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 근거하여, 더 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<점착제층을 구성하는 수지 조성물>
점착제층을 구성하는 수지 조성물로서, 이하의 수지 조성물 A ~ E를 이용했다.
(점착제층을 구성하는 수지 조성물 A)
아크릴계 베이스 폴리머(2-에틸헥실 아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트로 이루어지는 공중합체, 질량 평균 분자량 30만, 유리 전이 온도 -35℃) 100질량부에 대해서, 폴리이소시아네이트 화합물(니뽄폴리우레탄사(日本POLYURETHANE社)제, 상품명 콜로네이트 L) 2질량부, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물로서 테트라메틸올 메탄테트라아크릴레이트 50질량부 및 광중합 개시제로서 니혼치바가이기사(日本CIBA-GEIGY社)제의 이르가큐어-184(상품명) 0.5질량부 및 프탈산디옥틸 0.1질량부 더하여 혼합하여, 방사선 경화성의 점착제 수지 조성물 A를 조제했다.
(점착제층을 구성하는 수지 조성물 B)
프탈산디옥틸을 25질량부로 한 것 외에는 점착제 수지 조성물 A와 동일하게 점착제층을 구성하는 수지 조성물 B를 조제했다.
(점착제층을 구성하는 수지 조성물 C)
프탈산디옥틸을 30질량부로 한 것 외에는 점착제 수지 조성물 A와 동일하게 조제했다.
(점착제를 구성하는 수지 조성물 D)
부틸아크릴레이트(79 질량%), 메타크릴산(1 질량%), 2-하이드록시 에틸아크릴레이트(20 질량%)로 이루어지는 아크릴계 공중합체 100질량부에, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 화합물로서, 2-메타크릴로일 옥시에틸이소시아네이트(쇼와덴코우사(昭和電工社)제, 상품명 커런츠 MOI) 0.2질량부를 반응시켜서, 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 가지는 아크릴계 단량체부를 가지는 잔기를 결합한 중합체를 얻었다. 이 중합체의 질량 평균 분자량은 60만이었다. 여기서, 질량 평균 분자량은, 테트라히드로푸란에 용해해서 얻은 1%용액을, 겔 퍼미에이션(삼투) 크로마토그래피(워터스사제, 상품명 150-CALC/GPC)에 의해 측정한 값을 폴리스티렌 환산하여 산출한 것이다. 상기 중합체 100질량부에 대해서, 폴리이소시아네이트 화합물(니뽄폴리우레탄사제, 상품명 콜로네이트 L) 0.5질량부, 광중합 개시제로서 니혼치바가이기사제의 이르가큐어-184(상품명) 0.5질량부 및 프탈산디옥틸 0.08질량부 더하여 혼합하여, 방사선 경화성의 점착제 수지 조성물 D를 조제했다.
(점착제층을 구성하는 수지 조성물 E)
프탈산디옥틸을 0.2질량부로 한 것 외에는 점착제 수지 조성물 D와 동일하게 조제했다.
<기재 시트를 구성하는 수지 조성물>
기재 시트를 구성하는 수지 조성물로서, 이하의 수지 F ~ I를 이용했다. 또한, 기재 시트로서 시트 J를 이용했다.
(수지 F) 폴리프로필렌 프라임 폴리머사제 「F724NP」
(수지 G) 에틸렌-메타크릴산 공중합체 미츠이듀퐁폴리케미컬사제 제품명 「N0908C」(메타크릴산 함유량 9질량%)
(수지 H) 에틸렌-초산 비닐 공중합체 니혼유니카사(日本UNICAR社)제 「NUC-3758」
(수지 I) 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산 2-메틸-프로필)-Zn2 + 이오노머 수지 미츠이듀퐁폴리케미컬사제 「하이밀란 AM7316」
(시트 J) 염화 비닐 시트 두께 80μm
수지 F ~ 수지 I를 하기 표 1, 2에 나타내는 구성으로 조정하여, 2축 혼련기에서 약 200℃로 필름 압출 성형하고, 두께가 표 1, 2에 나타내는 것으로 각 기재 수지 필름인 기재 시트를 제조했다. 다음으로 표 1, 2에 나타낸 바와 같이, 각각의 기재 시트의 점착제층에 접하는 층에, 상기의 점착제를, 건조 후의 두께가 하기 표 1, 2의 구성이 되도록 도공하여, 점착제층을 형성하고, 도 1과 같은 구조의 실시예 1 ~ 9, 비교예 1, 2의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 제조했다.
(반발력의 시간 변화 평가)
작성한 기재 시트를 25㎜×40㎜로 채취하고, 각 점착 테이프의 점착제를, 점착 테이프 작성시와 동일한 방법으로 100μm가 되도록 도포하여, 측정용 샘플을 작성했다. 그 후 인스트론(INSTRON) 인장 시험기(트윈 칼럼 탁상 모델 5567)를 이용하여 이하의 조건으로 측정했다.
(반발력 측정 조건)
장치: 인스트론 인장 시험기(트윈 칼럼 탁상 모델 5567)
압축 속도: 1.0㎜/min
시험 온도: 23℃
압자: 굽히기 시험(JISK7171)의 압자
압자 선단 형상: R = 5.0±0.1㎜
가압 방향: 기재 시트측으로부터 압축
(시험 방법)
가) 도 2와 같이 압축 평행판 상에 점착제층이 아래가 되도록 시험 샘플을 설치
나) 굽히기 압자를 점착 테이프의 두께로 접촉시킨다
다) 변위 및 반발력을 제로로 세트한다
라) 속도 1.0㎜/min로 압축을 하여, 반발력 50N까지 부하한다
마) 반발력 50N이 되었을 때를 개시 시각으로 하여, 압자의 위치를 유지한 상태에서 1.0초마다 반발력값을 채취한다
바) 개시 시각으로부터 0 ~ 5초 경과에 있어서의 반발력의 시간 변화를 (A)(단위: N/s)로 한다
사) 개시 시각으로부터 5초 ~ 10초 경과에 있어서의 반발력의 시간 변화를 (B)(단위: N/s)로 한다
아) (A)와 (B)와의 비 (B/A)를 산출한다
실시예 1 ~ 9 및 비교예 1, 2의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트에, 직경 6 인치, 두께 100μm의 더미회로면 부가 실리콘 웨이퍼를 첩합(貼合)하고, 다이싱 장치(DISCO사제, DAD-340)를 사용하여 칩 사이즈가 10㎜각(角)이 되도록 다이싱 공정을 행했다.
(다이싱 조건)
다이서: DISCO사제, DAD-340
회전날 회전수: 40000rpm
절삭 속도: 100㎜/s
절삭 수류량: 20mL
회전날이 실리콘 웨이퍼를 절단 후, 점착 시트에 절입(切入)하는 깊이:10μm
(픽업)
실리콘 웨이퍼를 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트의 점착제층에 첩합 후, 실리콘 웨이퍼를 다이싱하고, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트를 방사 형상으로 확대하여 칩 사이를 일정 간격으로 넓히고(expend), 다이싱 테이프의 기재 시트측으로부터, 자외선을 500 mJ/㎟ 조사하여 점착제층을 경화시킨 후, 개편화(個片化)된 반도체 칩을, 다이스 픽커-장치(캐논머시너리사(CANON-MACHINERY社)제 CAP-300 II)를 이용하여 픽업했다. 임의의 칩 50개를, 하기의 픽업 조건으로 픽업하고, 픽업이 성공한 칩 수를 카운트하고, 50개 모든 반도체 칩의 픽업이 성공한 경우를 ◎, 47 ~ 49개의 반도체 칩의 픽업이 성공한 경우를 ○, 44 ~ 46개의 반도체 칩의 픽업이 성공한 경우를 △로 하고, 그 외에는 ×로서 픽업성을 평가했다.
(픽업 조건)
다이스 픽커-장치: 캐논머시너리사제 「CAP-300 II」
핀수: 4개
핀의 간격: 7.8×7.8㎜
핀 선단 곡률: 0.25㎜
핀 밀어 올리기량: 0.40㎜
(치핑)
픽업 후의 임의의 칩 50개의 치핑을 광학 현미경으로 측정했다. 단부로부터의 치핑 높이가, 모두 10μm 이하인 경우를 ◎, 15μm 이하인 경우를 ○, 25μm 이하인 경우를 △, 그것보다 큰 경우를 ×로 했다.
Figure 112014107025464-pct00001
Figure 112014107025464-pct00002
표 1, 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 ~ 9의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프는, 비교예 1 ~ 6의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 비해, 치핑의 저감 및 픽업성의 양립이 가능했다.
본 발명을 그 실시 형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한, 우리의 발명을 설명의 어느 세부에 있어서도 한정하려고 하는 것이 아니고, 첨부의 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되어야 할 것으로 생각한다.
본원은, 2013년 3월 5일에 일본에서 특허 출원된 일본 특허 출원 2013-43566에 근거하는 우선권을 주장하는 것이며, 이것은 여기에 참조하여 그 내용을 본 명세서의 기재의 일부로서 넣는다.
1: 기재 시트 2: 점착제층
10: 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프
21: 압축 시험 스테이지 22: 압축 시험 압자

Claims (6)

  1. 기재(基材) 시트 상에 점착제층이 적층된 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프로서,
    해당 기재 시트의 두께 방향에 대해서, 선단 형상 R = 5.0±0.1㎜의 압자(penetrator)를 1㎜/min로 가압하고, 해당 기재 시트로부터의 반발력이 50 N이 된 변위를 유지한 상태로부터의 응력 완화의 시간 변화에 있어서, 0 ~ 5초의 반발력의 시간 변화(A)가 0.23 ~ 0.28 N/s이며, 또한 5초를 초과하여 10초까지의 반발력의 시간 변화(B)와의 비 (B)/(A)가 0.40 ~ 0.45인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층 두께가, 5 ~ 10μm인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층에 프탈산 디에스테르를, 점착제 수지 성분 100질량부에 대해서, 0.1 ~ 30질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재 시트가, 폴리염화비닐 수지인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층에 프탈산 디에스테르를, 점착제 수지 성분 100질량부에 대해서 0.1 ~ 30질량부 함유하고, 상기 기재 시트가, 폴리염화비닐 수지인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프가, 반도체 디바이스의 다이싱 공정에 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013172328A1 (ja) * 2012-05-14 2013-11-21 リンテック株式会社 接着性樹脂層付シートおよび半導体装置の製造方法
JP5697061B1 (ja) * 2014-03-24 2015-04-08 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ加工用粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法
JP7041475B2 (ja) * 2017-07-04 2022-03-24 日東電工株式会社 ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、及び半導体装置の製造方法
JP7446773B2 (ja) * 2019-11-07 2024-03-11 日東電工株式会社 ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220571A (ja) 2001-01-24 2002-08-09 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ加工用保護シート
JP2011216704A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハ加工用粘着テープ
WO2012014487A1 (ja) 2010-07-28 2012-02-02 三井・デュポンポリケミカル株式会社 積層フィルム及びそれを用いた半導体製造用フィルム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3520996B2 (ja) * 1991-12-24 2004-04-19 三菱化学ポリエステルフィルム株式会社 半導体ウエハ貼着用粘着シート
JP3383227B2 (ja) * 1998-11-06 2003-03-04 リンテック株式会社 半導体ウエハの裏面研削方法
JP5059559B2 (ja) * 2006-12-05 2012-10-24 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
WO2009048061A1 (ja) * 2007-10-09 2009-04-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. 接着フィルム付き半導体チップの製造方法及びこの製造方法に用いられる半導体用接着フィルム、並びに、半導体装置の製造方法
JP2009130333A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4851613B2 (ja) * 2009-12-22 2012-01-11 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220571A (ja) 2001-01-24 2002-08-09 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ加工用保護シート
JP2011216704A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハ加工用粘着テープ
WO2012014487A1 (ja) 2010-07-28 2012-02-02 三井・デュポンポリケミカル株式会社 積層フィルム及びそれを用いた半導体製造用フィルム

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