KR20100106459A - 웨이퍼 첩착용 점착시트 및 웨이퍼의 가공방법 - Google Patents

웨이퍼 첩착용 점착시트 및 웨이퍼의 가공방법 Download PDF

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KR20100106459A
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아키라 야부키
쇼조 야노
사토시 오타
유리 다마가와
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

기재 필름(1)과, 상기 기재필름상에 형성된 점착제층(2)으로 이루어지는 점착시트로서, 상기 점착시트를 폭 7mm로 가공한 시험편을 이용하여 동적 점탄성 측정장치로 측정한 손실계수(23℃, 주파수 1∼100Hz)가 0.15 이상인 웨이퍼 첩착용 점착시트, 및, 상기 웨이퍼 첩착용 점착시트에 웨이퍼를 첩합하는 공정과, 상기 웨이퍼의 다이싱 공정을 포함하고, 다이싱 공정에 있어서 웨이퍼 첩착용 점착시트의 기재필름까지 잘라 들어가지 않는 웨이퍼의 가공방법.

Description

웨이퍼 첩착용 점착시트 및 웨이퍼의 가공방법{ADHESIVE SHEET FOR BONDING WAFER AND WAFER PROCESSING METHOD}
본 발명은 웨이퍼 첩착(貼着)용 점착시트 및 웨이퍼의 가공방법에 관한 것이다. 더 자세하게는, 반도체 웨이퍼를 소편(小片)으로 절단 분리할 때에 발생하는 칩의 깨짐 혹은 금이 가는 것(이후, 칩핑이라 기재)을 저감할 수 있는 웨이퍼 첩착용 점착시트 및, 웨이퍼의 가공방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 반도체 장치의 제조공정에 있어서는, 실리콘, 갈륨 비소 등의 반도체 웨이퍼를 소편으로 절단 분리(다이싱)하는 공정 후, 픽업 공정에 제공된다. 일반적인 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정에 대해서 도 2 내지 5에 도시한 단면도를 참조하면서 설명한다.
우선, 양단이 홀더(11)에 고정되어 있는, 기재필름상에 점착제를 도포한 점착시트(12)에, 반도체 웨이퍼(13)를 첩착하고(도 2 참조), 다이싱에 의해 웨이퍼를 소자 소편(칩)(14)으로 분할한다(도 3 참조). 이어서, 칩(14)을 픽업하기 위해서, 실선 화살표 방향 15로 익스팬더(16)에 의해 밀어 올려, 점선 화살표 방향 17로 확대하고 칩(14) 사이의 간격을 확장하여(도 4 참조), 전체 칩(14)의 픽업 혹은 일부 칩(14)의 픽업을 행한다(도 5 참조). 한편, 도 2 내지 5에 있어서, 동일한 부호는 같은 것을 의미하고, 일부의 도면에 대해서, 그 설명을 생략하고 있다.
종래, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정으로부터 픽업 공정에 이르는 공정에서는, 기재필름에 점착제를 도포한 점착시트가 이용되어 왔다. 이러한 점착시트에 있어서, 확장성을 고려하여, 비교적 연질인 수지로 이루어지는 기재가 이용되고 있다. 예를 들면, 폴리 염화비닐 필름이나 폴리에틸렌계 필름이 이용되는 경우가 있다.
다이싱시에는, 칩핑으로 불리는 칩의 깨짐·금이 생기고, 크기는 100㎛ 이상이 되는 것은 드물지 않아, 회로면에 칩핑이 생기면 회로 그 자체의 성능에 지장을 초래하기도 한다. 또한, 픽업 공정시에 칩핑에 의해 생긴 칩의 파편이 다른 칩 표면에 부착되어, 회로 그 자체를 파괴하는 경우가 있다.
칩핑은 다이싱시의 블레이드라고 불리는 회전날에 의해, 절삭중의 칩이 진동해 버려, 칩과 블레이드의 접촉에 의해 생긴다. 따라서, 점착시트 대신에 왁스로 웨이퍼를 완전하게 고정하여, 진동이 일어나지 않도록 하는 방법도 있다. 그러나, 제조공정과 같이 반복하여 다이싱을 행하는 경우는 왁스에 의한 고정·제거가 번잡하게 되어 버려, 현실적이지 않다. 또한, 왁스를 완전하게 제거할 수 없는 경우는 웨이퍼의 오염으로서 남기 때문에, 오염물질을 극도로 꺼리는 전자기기에 있어서는, 적용이 어렵다.
본 발명은, 저비용으로 제조 가능한 웨이퍼 첩착용 점착시트를 이용하고, 또한 다이싱시에 발생하는 칩핑의 발생을 저감할 수 있는 웨이퍼 첩착용 점착시트를 제공하는 것을 과제로 한다. 게다가 본 발명은, 다이싱시에 발생하는 칩핑의 발생을 저감할 수 있는 웨이퍼의 가공방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제에 대해 열심히 검토한 결과, 웨이퍼 첩착용 점착시트에 특정의 손실계수를 갖도록 함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다. 본 발명은 그러한 지견에 기초하여 이루어진 것이다.
즉, 본 발명에 의하면, 이하의 수단이 제공된다.
(1) 기재필름과, 상기 기재필름상에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착시트로서, 상기 점착시트를 폭 7mm로 가공한 시험편을 이용하여, 동적(動的) 점탄성 측정장치에 의해 필름형상으로 측정한 손실계수(23℃, 주파수 1∼100Hz)가 0.15 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트,
(2) 상기 기재필름을 구성하는 층중 적어도 1층이, 스티렌-수첨(水添) 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 또는 스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1) 항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트,
(3) 상기 기재필름을 구성하는 층중 적어도 1층이, 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 또는 스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체와 폴리프로필렌과의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 (2)항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트,
(4) 상기 기재필름에 있어서의 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 또는 스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체의 함유량이 10∼75 질량%인 것을 특징으로 하는 상기 (2) 또는 (3)항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트,
(5) 상기 점착제층을 형성하는 점착제가 아크릴계 점착제인 것을 특징으로 하는 (1)∼(4)중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트, 및,
(6) 상기 (1)∼(5) 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트에 웨이퍼를 첩합하는 공정과, 상기 웨이퍼의 다이싱 공정을 포함하고, 상기 다이싱 공정에 있어서 웨이퍼 첩착용 점착시트의 기재필름까지 잘라 들어가지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공방법.
한편, 상기 '스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체'는, '스티렌-수첨 이소프렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체'를 의미한다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 적절히 첨부된 도면을 참조하여, 하기의 기재로부터 보다 분명해질 것이다.
도 1은, 본 발명의 점착시트의 일실시형태를 도시하는 단면도이다.
도 2는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정을 설명하는 단면도이다.
도 3은, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정을 설명하는 단면도이다.
도 4는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정을 설명하는 단면도이다.
도 5는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정을 설명하는 단면도이다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트의 바람직한 실시형태를 나타내는 개략 단면도이고, 기재필름(1)과, 기재필름(1)상에 형성된 점착제층(2)으로 이루어진다. 본 발명에 있어서, 점착시트는 점착 테이프(예를 들면, 다이싱테이프)를 포함하는 것이다. 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 폭 7mm로 가공한 시험편을 이용하여 동적 점탄성 측정장치로 측정한 손실계수(23℃, 주파수 1∼100Hz)가 0.15 이상이다.
본 명세서에 있어서, 손실계수(tanδ)는, 저장 전단(剪斷) 탄성률(G')과 손실 전단 탄성률(G")의 비(G'/G")이다. 손실계수는, JIS G 0602 '제진(制振)강판의 진동감쇠특성 시험방법'에 기재된 중앙지지 정상 가진법(중앙 가진법)에 준거하여, 이하와 같이 측정된다. 동적 점탄성 측정장치(레오메트릭사제, ARES)로, 필름 측정 툴을 이용해 시트를 폭 7mm로 가공하여 시험편으로 하고, 지지용 치구에 고정하여, 측정온도 23℃, 측정 주파수 1∼100Hz이고, JIS G 0602 '제진강판의 진동감쇠 특성 시험방법'에 기재된 감쇠법 또는 반값폭법으로 손실계수를 산출한다. 시험편의 길이는 60mm 이상이라도 좋다.
칩핑은, 다이싱시의 블레이드라 불리는 회전날에 의해 발생하는 것이다. 그 원인에 대해 본 발명자들이 열심히 검토한 바, 그 회전날에 의해, 절삭중의 칩이 진동해 버려, 칩과 블레이드의 접촉에 의해 생기는 것을 발견하였다. 따라서, 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 제진성을 갖게 함으로써, 다이싱시에 발생한 칩의 진동을 감쇠시켜, 칩핑을 막는 것이다. 웨이퍼 첩착용 점착시트의 손실계수는 0.15 이상, 바람직하게는 0.20 이상이다. 손실계수가 0.15 미만이면 다이싱 블레이드에 의한 진동을 저감하지 못하여, 칩핑의 발생이 많아진다.
기재필름(1)으로서는 특별히 제한은 없지만, 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체(스티렌-에틸렌·프로필렌-스티렌 블록 공중합체, 이하 'SEPS'라고 한다), 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체(이하 'SIS'라고 한다), 스티렌-수소 첨 부타디엔-스티렌 공중합체(이하 'SEBS'라고 한다) 혹은 스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체(이하 'SEEPS'라고 한다)의 단독 또는 이들 중 어느 하나와 다른 수지와의 혼합물로 구성되는 것이 바람직하다.
기재필름(1)은, 내수성 및 내열성이 우수한 것이 적합하고, 특히 합성수지 필름이 적합하다. 신장 가능한 필름을 개재시키면, 확장을 용이하게 행할 수 있게 된다. 이러한 수지로서는, 구체적으로는, 상기의 SEPS, SIS, SEBS, SEEPS 이외에는, 폴리프로필렌, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 에틸렌·프로필렌 공중합체, 프로필렌 공중합체, 에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체 가황물, 폴리부텐, 폴리 부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타) 아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타) 아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌-(메타) 아크릴산 에틸 공중합체, 폴리 염화비닐, 염화비닐-초산비닐 공중합체, 에틸렌-염화비닐-초산비닐 공중합체, 폴리우레탄, 폴리아미드, 아이오노머, 니트릴고무, 부틸고무, 스티렌 이소프렌 고무, 스티렌 부타디엔 고무, 천연고무 및 그 수첨가물 또는 변성물등 등을 들 수 있다.
이러한 수지로 이루어지는 신장 가능한 필름은, 2종 이상을 배합 또는 적층고 조합하여 이용할 수도 있다. 기재필름이 복수층으로 구성되는 경우에는, 적어도 1층은 SEPS, SIS, SEBS 또는 SEEPS를 함유하는 층인 것이 바람직하고, 상기 적어도 1층이, SEPS, SIS, SEBS 또는 SEEPS와 폴리프로필렌과의 혼합물로 이루어지는 것이 더 바람직하다.
본 발명에 있어서의 SEPS, SIS, SEBS 또는 SEEPS를 배합하는 양은, 제진성의 요구 레벨에 따라서, 적절히 선정할 수 있고, 필름 강도와 제진성의 밸런스를 고려하여 적절히 결정할 수 있지만, 예를 들면, 기재필름을 구성하는 베이스 폴리머 100 질량부당, 10∼75질량부에서의 선정이 가능하며, 특히 15∼60질량부가 바람직하다. 본 발명에 있어서의 SEPS, SIS, SEBS 또는 SEEPS의 함유량이 너무 적으면, 충분한 제진성을 얻지 못하고, 칩핑 억제 효과가 작은 경우가 있다. 또한, SEPS, SIS, SEBS 또는 SEEPS의 함유량이 너무 많으면, 필름 자체가 너무 부드러워져서 핸들링이 악화된다.
또한, 기재필름을 구성하는 층에, SEPS, SIS, SEBS 또는 SEEPS와 함께 혼합되어 이용되는 수지로서는, 그것에 한정되는 것은 아니지만, 폴리프로필렌이 바람직하다. 기재필름을 구성하는 베이스 폴리머를 SEPS, SIS, SEBS 또는 SEEPS와 폴리프로필렌을 배합하여 구성하는 경우에는, 폴리프로필렌의 함유량은, 90∼25질량부로 설정할 수 있지만, 바람직하게는, 85∼40질량부로 하는 것이 바람직하다.
기재필름(1)의 점착제층(2)과 접하는 면에는 밀착성을 향상하기 위해서, 코로나 처리를 실시하거나 프라이머 등의 다른 층을 설치해도 좋다. 기재필름(1)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 30∼200㎛, 특히 바람직하게는 50∼100㎛이다.
또한, 기재필름(1)이 복수의 층으로 구성되는 경우에는, 상기 SEPS, SIS, SEBS 또는 SEEPS 함유층의 두께는 5∼100㎛인 것이 바람직하다.
점착제층(2)은, 종래부터 공지의 여러 가지의 점착제에 의해 형성될 수 있다. 이러한 점착제로서는, 아무런 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐 에테르계 등을 베이스 폴리머로 한 점착제가 이용된다.
이들 베이스 폴리머에 응집력을 부가하기 위해서 가교제를 배합할 수 있다.
상기 가교제로서는, 베이스 폴리머에 대응하여, 예를 들면 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민 수지 등을 들 수 있다. 또한 점착제에는, 소망에 의해, 각종 첨가성분을 함유시킬 수 있다.
또한, 방사선 경화형이나 가열 발포형의 점착제도 이용할 수 있다. 방사선 경화형의 점착제로서는, 자외선, 전자선 등으로 경화하고, 박리시에는 박리하기 쉬워지는 점착제를 사용할 수 있다. 가열 발포형의 점착제란, 가열에 의해 발포제나 팽창제에 의해 박리하기 쉬워지는 점착제를 사용할 수 있다. 게다가, 점착제로서는 다이싱·다이본딩 겸용 가능한 접착제이더라도 좋다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들면, 일본 특허공고공보 1-56112호, 일본 공개특허공보 평성7-135189호 등에 기재된 것이 바람직하게 사용되지만 이것들에 한정되지는 않는다. 본 발명에 있어서는, 자외선 경화형 점착제를 이용하는 것이 바람직하다. 그 경우에는, 방사선에 의해 경화하여 3차원 망상화(網狀化)하는 성질을 가지면 좋고, 예를 들면 통상의 고무계 혹은 아크릴계의 감압성 베이스 수지(폴리머)에 대해서, 분자중에 적어도 2개의 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 저분자량 화합물(이하, 광중합성 화합물이라고 한다) 및 광중합 개시제가 배합되어 이루어지는 것이 사용된다.
상기의 고무계 혹은 아크릴계의 베이스 수지는, 천연고무, 각종의 합성고무 등의 고무계 폴리머, 혹은 폴리(메타) 아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 알킬에스테르와 이것과 공중합 가능한 다른 불포화 단량체와의 공중합물 등의 아크릴계 폴리머가 사용된다.
또한 상기의 점착제중에, 이소시아네이트계 경화제를 혼합하는 것에 의해, 초기의 접착력을 임의의 값으로 설정할 수 있다. 이러한 경화제로서는, 구체적으로는 다가(多價) 이소시아네이트 화합물, 예를 들면 2,4-트릴렌 디이소시아네이트, 2,6-트릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실렌 디이소시아네이트, 1,4-크실렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸 디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사 메틸렌 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 디시클로 헥실 메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로 헥실 메탄-2,4'-디이소시아네이트, 리진 이소시아네이트 등이 이용된다.
자외선 경화형 점착제의 경우에는, 점착제중에 광중합 개시제를 혼입하는 것에 의해, 자외선 조사에 의한 중합 경화시간 및 자외선 조사량을 적게 할 수 있다.
이러한 광중합 개시제로서는, 구체적으로는, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸 티우람 모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-크롤안스라퀴논 등을 들 수 있다.
점착제층(2)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 4∼30㎛, 특히 바람직하게는 5∼25㎛이다.
본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트에 웨이퍼를 첩합하고, 통상의 방법에 의해, 도 2 내지 5에 도시하는 웨이퍼의 다이싱, 및, 픽업을 행할 수 있다. 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트를 이용한 웨이퍼의 가공방법에 있어서는, 기재필름까지 잘라 들어가지 않는 것이, 다이싱 블레이드의 절삭 저항을 저감하여, 웨이퍼 절삭을 부드럽게 하고, 칩핑을 저감하기 때문에, 바람직하다. 기재필름까지 잘라 들어가지 않기 위해서는, 예를 들면, 이용하는 다이싱 장치의 절삭 진입 깊이의 설정을, 메뉴얼에 따라 적절히 변경하면 좋다.
본 발명에 이용하는 베어 웨이퍼는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 종래 이용되고 있는 임의의 베어 웨이퍼로부터 적절히 선택하여 이용할 수 있다.
본 발명에 관한 웨이퍼 첩착용 점착시트 및 웨이퍼의 가공방법에 의해, 웨이퍼의 가공에 있어서, 칩핑을 큰 폭으로 감소시키는 것이 가능하다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
한편, 실시예 및 비교예에서 이용한 점착제, 기재 구성 수지는 다음과 같다.
(점착제)
아크릴계 베이스 폴리머(2-에틸헥실 아크릴레이트, 메틸 아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트로 이루어지는 공중합체, 중량 평균분자량 20만, 유리 전이점= -35℃) 100질량부에 폴리이소시아네이트 화합물(니혼폴리우레탄사제, 상품명 콜로네이트 L) 3질량부, 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물로서 테트라메틸올 메탄 테트라 아크릴레이트 10질량부, 광중합 개시제로서 α-히드록시 시클로헥실 페닐케톤 1질량부를 첨가하고, 혼합하여 얻었다.
[실시예 1∼3, 비교예 1]
스티렌-수첨 이소프렌 스티렌 블록 공중합체(SEPS)(쿠라레사제, '셉톤 KF-2104')와 호모 프로필렌(PP){우베 교산사(宇部 興産社)제, 상품명: J-105G}를 표 1에서 나타내는 배합비로 혼합하고, 2축 혼련기로, 약 200℃에서 필름 압출성형으로 가공하여, 두께 100㎛의 기재필름을 제조하였다.
얻어진 기재필름의 한쪽의 표면에, 상기의 점착제를 두께 10㎛로 도공하고, 점착제층을 형성하여, 실시예 1∼3, 비교예 1의 웨이퍼 첩착용 점착시트를 제조하였다.
[실시예 4∼6]
상기 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SEPS)를 대신하여, 다음의 공중합체를 각각 표 1에 나타내는 배합비로 혼합한 이외는, 실시예 1과 같이 행하여 상기 웨이퍼 첩착용 점착시트를 제조하였다.
스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체(SIS)
(쿠라레사제, 상품명 : 하이브라-5127)
스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체(SEBS)
(쿠라레사제, 상품명: 셉톤8104 )
스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체(SEEPS)
(쿠라레사제, 상품명 : 셉톤4033)
실시예 1∼6 및 비교예 1의 웨이퍼 첩착용 점착시트에, 직경 6인치, 두께 350㎛의 표면 금증착 실리콘 웨이퍼를 첩합하고, 다이싱장치(DISCO사제, DAD-340)를 사용하여 칩 사이즈가 5mm각이 되도록 다이싱을 행하였다. 다이싱 조건은, 회전 둥근날 회전수: 40000rpm, 절삭속도: 100mm/s, 절삭수류량은 20mL이다. 또한, 다이싱시, 회전 둥근날이 점착시트로 잘라 들어가는 깊이는 30㎛가 되도록 행하였다.
여러 특성 평가를 하기와 같이 행하여, 결과를 표 1에 나타내었다.
(손실계수)
동적 점탄성 측정장치(레오메트릭사제, ARES)로, 필름 측정 툴을 이용하여, 실시예 및 비교예의 시트를 폭 7mm×길이 60mm의 시험편으로 가공하여, 지지용 치구(척)에 고정하였다. 측정온도 23℃, 측정 주파수 1∼100Hz로 측정하여, JIS G 0602 '제진강판의 진동감쇠특성 시험방법'에 기초하는 중앙 가진법에 준하여, 손실계수를 산출하였다.
또한, 상기의 측정은, 초기 하중 200g, 변형 1%이고, 회전력을 인장력으로 변환하는 방법으로 인장 하중과 변위를 부여하여 행하였다.
(칩핑성)
다이싱 후, UV조사를 실시하여(500mJ/m2), 1매의 웨이퍼로부터 랜덤하게 50칩을 꺼내, 칩 이면(점착면)의 각 변에 있어서의 최대의 칩핑값을 현미경(100∼200배)으로 측정하여, 전체 값의 평균을 산출하였다.
배합비/mass%
손실계수		 칩핑값/
㎛
PP SEPS SIS SEBS SEEPS
실시예 1 60 40 - - - 0.19∼0.25 45
실시예 2 45 55 - - - 0.20∼0.30 40
실시예 3 35 65 - - - 0.20∼0.30 30
실시예 4 60 - 40 - - 0.20∼0.30 30
실시예 5 60 - - 40 - 0.20∼0.30 40
실시예 6 60 - - - 40 0.20∼0.30 45
비교예 1 100 - - - - 0.05 150
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼6의 시트는, 비교예 1의 시트에 비해 칩핑값을 1/3 이하로 큰 폭으로 저감할 수 있어, 양호한 성능을 나타내었다.
산업상 이용 가능성
본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 저비용으로 제조 가능하고, 다이싱시에 발생하는 칩핑의 발생이 적다. 따라서, 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트는 반도체 장치의 제조 등에 적합하게 적용되는 것이다.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 자세한 부분으로 한정하려고 하는 것이 아니라, 첨부된 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되는 것이 당연하다고 생각한다.
본원은, 2007년 12월 18일에 일본에서 특허 출원된 특원 2007-326555, 및 2008년 12월 1일에 일본에서 특허 출원된 특원 2008-306587에 기초하는 우선권을 주장한 것이며, 여기에 참조하여 그 내용을 본 명세서의 기재된 일부로서 넣는다.

Claims (6)

  1. 기재필름과, 상기 기재필름상에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착시트로서, 상기 점착시트를 폭 7mm로 가공한 시험편을 이용하여, 동적 점탄성 측정장치에 의해 필름형상으로 측정한 손실계수(23℃, 주파수 1∼100Hz)가 0.15 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기재필름을 구성하는 층중 적어도 1층이, 스티렌-수첨(水添) 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 또는 스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 기재필름을 구성하는 층중 적어도 1층이, 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 또는 스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체와 폴리프로필렌과의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 기재필름에 있어서의 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 또는 스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체의 함유량이 10∼75질량%인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층을 형성하는 점착제가 아크릴계 점착제인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트에 웨이퍼를 첩합하는 공정과, 상기 웨이퍼의 다이싱 공정을 포함하고, 상기 다이싱 공정에 있어서 웨이퍼 첩착용 점착시트의 기재필름까지 잘라 들어가지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공방법.




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