TWI432549B - An adhesive tape for cutting a semiconductor device - Google Patents

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Description

半導體裝置用之切割加工用黏著帶
本發明係關於一種將半導體裝置切割分離為小片之半導體裝置切割步驟所使用之半導體裝置切割用黏著帶、及使用其之半導體裝置晶片之製造方法。
於進行將形成有電路圖案之半導體裝置晶圓分離為晶片狀(所謂晶圓切割加工)時，進行將半導體裝置晶圓固定於切割用黏著帶上並拾取之方式。於該方式中，半導體裝置晶圓於移至安裝步驟前在貼合、固定於晶圓切割用黏著帶之狀態下被晶圓切割成晶片狀。其後，將所獲得之半導體裝置晶圓晶片清洗、乾燥後進行拾取，並藉由利用硬化樹脂之密封而封裝化，製成半導體裝置封裝。
先前，使用有於利用上述步驟製作半導體裝置晶圓晶片後進行個別密封之方法。近年來，進行有總括模具密封封裝切割，其對利用硬化樹脂將接合於一片基板上之複數個半導體裝置晶圓晶片總括密封而成之封裝進行封裝切割，從而獲得各個半導體裝置。
又，於切割中，形成有IC等特定之電路圖案之半導體晶圓或利用樹脂總括密封之封裝於其背面貼合半導體晶圓加工用黏著帶後，經由分散有金屬粒子之刀片高速旋轉等之旋轉刀而切割處理成特定之晶片尺寸。該處理時，通常採用有進行達到半導體晶圓加工用黏著帶之一部分之切割而使晶圓單片化的方法。
切割步驟所使用之刀片通常藉由自磨損而使自銳功能活化並產生切削性能。其自銳功能受到切削之半導體裝置及同時被切削之黏著帶影響，故而即便於對相同半導體裝置進行處理之情形時，若使用不同之黏著帶，則刀片之自磨損量變動，不易藉由刀片切割之膠帶會相應地使刀片磨損。
為了提高切削性，若應用自磨損量較多、例如熔點較高之黏著帶，則於切割中刀片之直徑變小，故而於每個切割線或同一切割線中切入深度會變化，而有對單片化之半導體裝置之品質造成影響之虞。又，因刀片之壽命變短，故必需增加更換頻率，於作業性之惡化及刀片之成本方面亦有改良之餘地。
因此，例如於專利文獻1中，提出有藉由切割裝置而持續監控刀片直徑，提高加工穩定性之方法。於該方法中，若判定達到於切割刀片之前端產生偏磨損而無法以標準尺寸對成為切入對象之封裝基板準確地進行全切的磨損狀態，則發出警報督促更換切割刀片，故而刀片之更換頻率變高，有改良作業性及成本之餘地。
為了降低刀片之磨損量，例如於專利文獻2中提出有使刀片傾斜而使其局部磨損之方法，但為了進行全切，必需使用兩種刀片或變更切割刀片之角度，不能說是作業性十分良好。
又，於專利文獻3中，提出有為了獲得於切割面上不產生線狀毛邊之切割加工性，將縱向之拉伸彈性模數與橫 向之拉伸彈性模數及該等之比設為特定之範圍內，但關於切割步驟中之刀片之磨損量則未作記載。
[專利文獻1]日本特開2008-166546號公報
[專利文獻2]日本特開2004-47602號公報
[專利文獻3]日本特開2005-68420號公報
本發明提供一種降低切割步驟中刀片之磨損量，並且提高作業性之半導體裝置用之切割加工用黏著帶、及使用其之半導體裝置晶片之製造方法。
本發明人等為了達成上述目的而反覆進行潛心研究，結果發現：藉由將構成黏著帶之基材樹脂膜層設為複數層構成，並使該複數層構成之樹脂的熔點有差異，可降低刀片磨損量。本發明係基於該見解而完成者。
本發明之課題係藉由以下之手段而達成。
即本發明提供<1>一種半導體裝置用之切割加工用黏著帶，其係於基材膜上形成放射線硬化型黏著劑層而成之半導體裝置切割用黏著帶，其特徵在於：上述基材膜由2層以上之基材樹脂膜層構成，鄰接於上述黏著劑層側之基材樹脂膜層之熔點為100~120℃，於與上述黏著劑層相反側與該黏著劑層側之基材樹脂膜層鄰接之基材樹脂膜層之熔點為140~150℃；<2>如上述<1>之半導體裝置用之切割加工用黏著帶，其中，鄰接於上述黏著劑層側之基材樹脂膜層含有低 密度聚乙烯或直鏈狀低密度聚乙烯，鄰接於與黏著劑層相反側之基材樹脂膜層含有聚丙烯；<3>如上述<1>或<2>之半導體裝置用之切割加工用黏著帶，其中，上述基材膜之鄰接於上述黏著劑層側之基材樹脂膜層之熔點為108~117℃，且於與上述黏著劑層相反側與該黏著劑層側之基材樹脂膜層鄰接之基材樹脂膜層之熔點為146~150℃；<4>如上述<1>至<3>中任一項之半導體裝置用之切割加工用黏著帶，其中，鄰接於上述黏著劑層側之基材樹脂膜層之厚度相對於基材樹脂膜整體厚度為20~40%；<5>如上述<1>至<4>中任一項之半導體裝置用之切割加工用黏著帶，其中，鄰接於上述黏著劑層側之基材樹脂膜層之厚度相對於基材樹脂膜整體厚度為64/3~40%；<6>如上述<1>至<5>中任一項之半導體裝置用之切割加工用黏著帶，其中，放射線硬化前之基於JIS K 7128-1之撕裂強度為70~95N/mm；<7>一種半導體裝置之加工方法，其係將上述<1>至<6>中任一項之半導體裝置用之切割加工用黏著帶貼合於半導體裝置，對該經貼合之半導體裝置進行切割加工，其中，對上述基材膜之鄰接於上述黏著劑層側之基材樹脂膜層進行全切(full cut)。
於本發明之半導體裝置用之切割加工用黏著帶中，藉由將基材膜所使用之樹脂層之構成設為特定之積層體，可 不增加成本而降低切割刀片之磨損量，並且謀求半導體裝置加工後之品質之提昇。
本發明之上述及其他特徵及優點係適當參照隨附圖式，並根據下述記載而更為明確。
以下，適當參照圖式，對本發明之較佳之實施形態進行詳細說明。
再者，於本說明書中，所謂半導體裝置，係包含半導體裝置晶圓或半導體裝置總括模具密封封裝兩者。
圖1係示意性表示本發明之半導體裝置切割用黏著帶之較佳之一實施形態之圖。
圖1中，半導體裝置切割用黏著帶100由基材膜10與黏著劑層20構成，該基材膜10由位於其最外層之樹脂膜層1及接觸於黏著劑層之樹脂膜層2構成，且於基材膜10之樹脂膜層2側形成有黏著劑層20。
本發明之半導體裝置切割用黏著帶100由如下樹脂組成物構成：於基材膜10中，構成樹脂膜層2之樹脂組成物之熔點為100~120℃，更佳為超過100℃且為120℃以下，進而較佳為108~117℃，構成樹脂膜層1之樹脂組成物之熔點為140~150℃，更佳為超過140℃且為150℃以下，進而較佳為141~150℃，尤佳為146~150℃。
再者，構成樹脂膜層2之樹脂組成物之熔點之上限雖為120℃以下，但該上限較佳為117℃以下，更佳為110℃以下，因此，於將上述較佳之範圍之各上限自120℃設為117 ℃、110℃時，成為進而優於上述範圍之範圍。另一方面，構成樹脂膜層1之樹脂組成物之熔點之上限雖為150℃以下，但該上限較佳為148℃以下，因此，較佳為將上述較佳之範圍中之各上限設為148℃以下。例如，於上述之進而較佳之範圍的141~150℃中，141~148℃之範圍優於141~150℃之範圍。
此處，樹脂膜層1與2之樹脂組成物之熔點之差可藉由示差掃描熱量測定(DSC)而求出。熔點係藉由JIS K 7121所規定之試驗方法而獲得之值。
於利用切割刀片之切削中，利用刀片之高速旋轉而削去被黏著體及黏著帶之一部分。此時，半導體裝置切割用黏著帶之劃線周邊由於與刀片之摩擦而成為高溫。通常於利用刀片進行切割時，使15~25℃之冷卻水流至該接觸部分而抑制發熱，但對於刀片前端部，該冷卻效果並不充分，而可能使黏著帶之對應於劃線之部位熔融。又，黏著帶之構成物質包含高分子量物質，故而若接近各構成樹脂之熔點或玻璃轉移溫度(Tg)，則有黏著帶作為黏性體之特性變強，由於該黏性而使刀片之自銳功能降低，同時刀片之磨損量降低之傾向。其結果，刀片之自銳功能降低，同時刀片之切割性能降低，故而有引起被黏著體之品質惡化之虞。
針對於此，於本發明中，使構成樹脂膜之樹脂之熔點存在差異，於具有相對較低之熔點之樹脂膜層2中，更強地表現黏性體之性能而抑制刀片之自銳功能，於具有相對較高之熔點之樹脂膜層1中，表現所必需之最低限度之自 銳功能，從而降低、抑制刀片之磨損量。其結果，可長期使用刀片而不會伴隨著品質惡化。
若樹脂膜層1之熔點未達140℃，尤其是為140℃以下，則樹脂膜層1於切割時暫時接近熔融狀態，故而具有較強之黏性，其結果無法使刀片磨損，而有產生半導體裝置之缺損等之虞。另一方面，若超過150℃，則於切割時強烈地發揮作為彈性體之作用，故而有刀片之磨損量增加之傾向。
又，若樹脂膜層2之熔點未達100℃，尤其是為100℃以下，則樹脂膜層2於切割時具有更強之黏性，故而有由於該黏性而使刀片之自銳功能明顯降低，同時產生半導體裝置之毛邊等之虞。另一方面，若超過120℃，則於樹脂膜層2之切割時變得缺乏作為黏性體之性能，故而有刀片磨損量增加之傾向。
構成基材膜10之樹脂只要於上述熔點之範圍內，則並無特別限制，亦可併用其他樹脂或橡膠等可成形為片狀者。
例如，可使用聚丙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚胺酯(polyurethane)、聚醯胺、離子聚合物、 丁腈橡膠、丁基橡膠、苯乙烯異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、天然橡膠及其氫化物或改質物等。其中，最外層之樹脂膜層1尤佳為聚丙烯，又，接觸於黏著劑層之樹脂膜層2尤佳為低密度聚乙烯(LDPE)或直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)。
對於構成接觸於黏著劑層之基材樹脂膜層2之層，為了進而提高密合性，亦可實施電暈處理或實施底塗等處理。
然而，因為切割加工時所使用之刀片外周部剖面具有R形狀，故為了使作為半導體裝置側面之切割刀片切削面平滑，越使用刀片刀厚較厚者，越必需較深地切入切割帶中。因此，越使用刀片刀厚較厚者，越必需增厚基材樹脂膜層。由此，較佳為將基材樹脂膜層之厚度設為最少為切割所使用之刀片厚度之30%以上的厚度。另一方面，若基材樹脂膜層變得過厚，則有半導體裝置切割用黏著帶之剛性提高，作業性惡化之情況。
作為切割用之刀片，使用有刀厚50~400μm左右之刀片，因此半導體裝置切割用黏著帶之基材膜10之厚度較佳為30~300μm，進而較佳為50~250μm。
關於各樹脂膜層之厚度，由於本發明之效果係藉由完全切斷接觸於黏著劑層之樹脂膜層2而發揮，故接觸於黏著劑層之樹脂膜層2之厚度相對於基材膜10整體之厚度，較佳為20~40%，更佳為21~40%，進而較佳為64/3~40%，尤佳為25~35%。
只要滿足上述關係性，則基材樹脂膜層數並不限定於2 層，可設為3層以上。
圖2係示意性表示本發明之半導體裝置切割用黏著帶之較佳之另一實施形態的圖。
於該情形時，半導體裝置切割用黏著帶200之基材膜30係由最外層之樹脂膜層31、接觸於黏著劑層之樹脂膜層33、此兩層所夾持之中間樹脂膜層32此3層構成。較佳為以該樹脂膜層32之熔點高於構成接觸於黏著劑層之樹脂膜層33之樹脂之熔點的方式來構成。進而，於由3層構成之情形時，較佳為構成樹脂膜層32之樹脂之熔點高於構成樹脂膜31之樹脂之熔點。樹脂膜層32之熔點較佳為140~150℃，更佳為146~150℃。
最外層之樹脂膜層31只要於膜層彼此之密合性上不產生問題，則並無特別限制，樹脂膜層31較佳為應用與樹脂膜層32或樹脂膜層33相同之樹脂。樹脂膜層31尤佳為應用與樹脂膜層33相同之樹脂。
較佳為接觸於黏著劑層之樹脂膜層33之厚度為基材樹脂膜30之20~40%(尤佳為64/3~40%)即可。
作為構成黏著劑層20之放射線硬化型黏著劑，例如可較佳地使用日本特公平1-56112號公報、日本特開平7-135189號公報等所記載者，但並不限定於該等。只要具有藉由放射線而硬化並立體網狀化之性質即可，例如可使用對通常之橡膠系或(甲基)丙烯酸系之感壓性基質樹脂(聚合物)摻合分子中具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之低分子量化合物(以下稱為光聚合性化合物)及光聚合起始劑 而成者。
此處，所謂放射線，意指紫外線之類之光線或電子束之類之電離性放射線。所謂「(甲基)丙烯酸」，意指「丙烯酸」或「甲基丙烯酸」中之任一者或兩者。
上述橡膠系或丙烯酸系之基質樹脂可使用天然橡膠、各種合成橡膠等橡膠系聚合物；或聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯與可與其共聚之其他不飽和單體之共聚物等(甲基)丙烯酸系聚合物。
(甲基)丙烯酸系聚合物並無特別限制，可將重量平均分子量設為10萬~100萬，將玻璃轉移點設為-50~0℃之範圍。
又，可藉由於上述黏著劑中混合異氰酸酯系硬化劑而將初期之黏著力設定為任意值。此種硬化劑具體而言，使用有多元異氰酸酯化合物，例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、離胺酸異氰酸酯等。
硬化劑之含量只要根據所欲之黏著力進行適當調整即可，且相對於黏著劑之上述基質樹脂共聚物100質量份，較佳為0.01~10質量份，進而較佳為0.1~5質量份。
放射線硬化型黏著劑可藉由將光聚合起始劑混入黏著 劑中而減少取決於放射線照射之聚合硬化時間以及放射線照射量。
此種光聚合起始劑具體而言，可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、二聯苯醯、二乙醯、β-氯蒽醌等。
黏著劑層20之厚度可根據作為欲應用之被黏著體之基材而適當設定，並無特別限制，較佳為5~30μm，進而較佳為10~25μm。
又，藉由於如上述之黏著劑層中含有光聚合性化合物及光聚合起始劑，可藉由照射放射線而硬化，使黏著劑之黏著力降低而使黏著劑層容易自被黏著體剝離。
黏著劑層20之形成可與通常之切割帶同樣地於基材上塗佈黏著劑而製造。
又，較佳為上述半導體裝置切割用黏著帶之撕裂強度基於JIS K7128-1所規定之試驗方法為70~95N/mm(更佳為74~95N/mm)。
若為該範圍內，則不會於半導體裝置之貼合時或拉伸時斷裂，並可降低刀片之磨損量。
即，藉由將撕裂強度設為95N/mm以下而減小切割時對刀片之負荷且不增加磨損量。另一方面，藉由設為70N/mm以上，可避免於半導體裝置之貼合時或操作時之拉伸時斷裂。
使切割用黏著帶之黏著劑層貼合於總括模具密封封裝 及環形框架之下面，將以上述方式形成之半導體裝置切割用黏著帶固定於總括模具密封封裝或環形框架。切割用黏著帶亦可預先貼合於環形框架之下面，其後，使總括模具密封封裝貼合於切割用黏著帶。並且，進行經固定之半導體裝置之切割時，對成為基材膜之第1片之接觸於黏著劑層之樹脂膜層2、33進行全切。
藉此，可抑制切割刀片之磨損量並且製作品質良好之半導體晶片。
[實施例]
以下，基於實施例進而詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等。
<構成黏著劑層之樹脂組成物>
使用以下A、B作為構成黏著劑層之樹脂組成物。
(構成黏著劑層之樹脂組成物A)
相對於丙烯酸系基質聚合物(由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯所構成之共聚物，重量平均分子量30萬，玻璃轉移點=-35℃)100質量份，添加聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司製造，商品名Coronate L)2質量份、作為具有光聚合性碳-碳雙鍵之化合物之四羥甲基甲烷四丙烯酸酯50質量份、及作為光聚合起始劑之日本Ciba-Geigy公司製造之Irgacure184(商品名)0.5質量份並加以混合，製備放射線硬化性之黏著劑樹脂組成物A。
(構成黏著劑之樹脂組成物B)
使由丙烯酸丁酯(79質量%)、甲基丙烯酸(1質量%)、丙烯酸2-羥基乙酯(20質量%)構成之丙烯酸系共聚物100質量份、與作為具有光聚合性碳-碳雙鍵及官能基之化合物之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(昭和電工公司製造，商品名Karenz MOI)0.2質量份反應，獲得對主鏈之重複單元鍵結有具有下述丙烯酸系單體部之殘基的聚合物，該丙烯酸系單體部具有含有放射線硬化性碳-碳雙鍵之基。該聚合物之重量平均分子量為60萬。此處，重量平均分子量係對藉由凝膠滲透層析儀(Waters公司製造，商品名150-C ALC/GPC)測定溶解於四氫呋喃中獲得之1%溶液所得之值進行聚苯乙烯換算而算出者。相對於上述聚合物100質量份，添加聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司製造，商品名Coronate L)0.5質量份、及作為光聚合起始劑之日本Ciba-Geigy公司製造之Irgacure184(商品名)0.5質量份並加以混合，製備放射線硬化性之黏著劑樹脂組成物B。
<構成基材膜之樹脂組成物>
使用以下樹脂C~J作為構成基材膜之樹脂組成物。
(樹脂C)聚丙烯，Prime Polymer公司製造，製品名「F724NP」，熔點146℃
(樹脂D)聚丙烯，SunAllomer公司製造，製品名「PF724S」，熔點150℃
(樹脂E)聚丙烯，SunAllomer公司製造，製品名「PC412A」，熔點158℃
(樹脂F)聚丙烯，Prime Polymer公司製造，製品名「F327」，熔點138℃
(樹脂G)低密度聚乙烯，Nippon Unicar公司製造，製品名「NUC-8007」，熔點108℃
(樹脂H)直鏈狀低密度聚乙烯，Prime Polymer公司製造，製品名「0434N」，熔點117℃
(樹脂I)乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，Nippon Unicar公司製造，製品名「NUC-3758」，熔點93℃
(樹脂J)乙烯-甲基丙烯酸共聚物，Dupont-Mitsui Polychemicals公司製造，製品名「NO908C」，熔點99℃
將樹脂C~樹脂J調整為表1之構成，並利用雙軸混練機以約200℃進行膜擠出成形，以厚度總計為150μm製造各基材樹脂膜層。繼而如表1所示，以乾燥後之厚度成為20μm之方式對各基材樹脂膜層之接觸於黏著劑層之層塗佈上述黏著劑而形成黏著劑層，製造如圖2之結構之實施例1~5、比較例1~8，如圖1之結構之實施例6~8、比較例9、10之半導體裝置切割用黏著帶。
(撕裂強度)
使用實施例1~8及比較例1~10之半導體裝置用黏著片，依據JIS K7128-1製作試片，並測定撕裂強度。試片係分別於MD、TD方向製成n=5，並將其最大值與最小值作為試驗結果示於表1。
然後，於環形框架貼合實施例1~8及比較例1~10之半導體切割用黏著帶，並於環形框架中央部固定寬度50mm、長度150mm、厚度500μm之總括密封型封裝。其後，使用切割裝置(DISCO公司製造，DAD-340(商品名))，以晶片尺寸成為6mm見方之方式，藉由切割刀片(Mitsubishi Materials公司製造之樹脂接合刀片SDC230-R100IP05(商品名)，60×0.32×40)進行封裝切割。
將切割條件設為：旋轉圓刀轉速：30000rpm、切削速度：100mm/s、切削水流量設為：刀片冷卻器：2L/min、噴淋：1L/min、噴霧：1L/min。又，以切割刀片切入封裝切割帶之深度成為90um之方式進行切割。
進行以下試驗，評價其性能。將其結果示於表2。
(刀片磨損量)
於實施例1~8及比較例1~10中，於上述加工後，測定刀片磨損量。將刀片磨損量未達10μm/m之情形設為「A」，為10μm/m以上之情形設為「C」。
(切割後之晶片品質)
於實施例1~8及比較例1~10中，於上述加工後，確認於晶片是否有缺損、毛邊。將無晶片缺損、毛邊之情形設為「A」，將稍有晶片缺損、毛邊之情形設為「C」。
如表2所示，比較例1~10之半導體裝置用黏著片無法兼顧刀片磨損量及切割後之晶片品質之維持，相對於此，實施例1~8之半導體裝置用黏著片可兼顧刀片磨損量及切割後之晶片品質之維持。
雖說明本發明與其實施態樣，但只要本發明沒有特別指定，則即使在說明本發明之任一細部中，皆非用以限定本發明，且只要在不違反本案申請專利範圍所示之發明精神與範圍下，應作最大範圍的解釋。
本案主張基於2011年10月21日於日本提出申請之特願2011-232278之優先權，本發明係參照此申請案並將其 內容加入作為本說明書記載之一部份。
1、31‧‧‧最外層之樹脂膜層
2、33‧‧‧接觸於黏著劑層之樹脂膜層
10、30‧‧‧基材樹脂膜
20‧‧‧黏著劑層
32‧‧‧中間樹脂膜層
100、200‧‧‧半導體裝置切割用黏著帶
圖1係示意性表示本發明之半導體裝置切割用黏著帶之一實施形態之剖面圖。
圖2係示意性表示本發明之半導體裝置切割用黏著帶之另一實施形態之剖面圖。
1‧‧‧最外層之樹脂膜層
2‧‧‧接觸於黏著劑層之樹脂膜層
10‧‧‧基材樹脂膜
20‧‧‧黏著劑層
100‧‧‧半導體裝置切割用黏著帶

Claims (3)

  1. 一種半導體裝置用之切割加工用黏著帶，其係於基材膜上形成放射線硬化型黏著劑層而成之半導體裝置切割用黏著帶，其特徵在於：該基材膜由2層以上之基材樹脂膜層構成，鄰接於該黏著劑層側之基材樹脂膜層之熔點為108~117℃，於與該黏著劑層相反側之與該黏著劑層側的基材樹脂膜層鄰接之基材樹脂膜層的熔點為146~150℃，鄰接於該黏著劑層側之基材樹脂膜層含有低密度聚乙烯或直鏈狀低密度聚乙烯，鄰接於與該黏著劑層相反側之基材樹脂膜層含有聚丙烯；鄰接於該黏著劑層側之基材樹脂膜層的厚度相對於基材樹脂膜整體厚度為64/3~40%。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置用之切割用加工用黏著帶，其中，放射線硬化前之基於JIS K 7128-1的撕裂強度為74~95N/mm。
  3. 一種半導體裝置之加工方法，其係將申請專利範圍第1或2項之半導體裝置用之切割加工用黏著帶貼合於半導體裝置，對該經貼合之半導體裝置進行切割加工，其中，對該基材膜之鄰接於該黏著劑層側的基材樹脂膜層進行全切(full cut)。
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