JP2001064029A - 多層ガラス基板及び、その切断方法 - Google Patents
多層ガラス基板及び、その切断方法Info
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- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射ミラー素子を構成する為の多層ガラス基
板を切断する際にその表面を汚染する粘着テープ及び、
消耗品であるカッターを使用せず、もって低価格な反射
ミラー素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 ガラス基板の少なくとも一方の主面に一
層以上の薄膜を設けた多層ガラス基板に亀裂を形成する
方法に於いて、前記薄膜の表面にレーザビームを照射し
て該薄膜を切断した後、該切断の軌跡を辿るようにレー
ザビームをガラス基板に直接的に照射してすることによ
り、カッターを使用することなくスクライブラインの形
成が可能となり、且つ、レーザビームによるスクライブ
ラインの形成時には薄膜の溶解が生じない為、多層ガラ
ス基板の加工コストを減少させ、もって反射ミラー素子
の低価格化が実現される。
板を切断する際にその表面を汚染する粘着テープ及び、
消耗品であるカッターを使用せず、もって低価格な反射
ミラー素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 ガラス基板の少なくとも一方の主面に一
層以上の薄膜を設けた多層ガラス基板に亀裂を形成する
方法に於いて、前記薄膜の表面にレーザビームを照射し
て該薄膜を切断した後、該切断の軌跡を辿るようにレー
ザビームをガラス基板に直接的に照射してすることによ
り、カッターを使用することなくスクライブラインの形
成が可能となり、且つ、レーザビームによるスクライブ
ラインの形成時には薄膜の溶解が生じない為、多層ガラ
ス基板の加工コストを減少させ、もって反射ミラー素子
の低価格化が実現される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学系装置にミラー
として使用される多層ガラス基板の製造方法に関し、特
に多層ガラス基板を分割する為の亀裂（スクライブライ
ン）を形成する方法に関する。
として使用される多層ガラス基板の製造方法に関し、特
に多層ガラス基板を分割する為の亀裂（スクライブライ
ン）を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ピックアップ等の光学系装置に信号光
の光路を変更する為に用いられる反射ミラー素子の製造
方法としては、従来、図２に示すようなダイシング方法
を一般的に用いていた。同図に示すように上記ダイシン
グ方法とは、ウエハ状のガラス基板１０１の表面にアル
ミナ等の材料からなる酸化薄膜１０２を成膜した多層ガ
ラス基板１０３を粘着テープ１０４に貼り付けた状態に
てダイヤモンドカッター１０５を用いて所望のサイズの
反射ミラー素子１０６となるよう分割するとした切断方
法である。
の光路を変更する為に用いられる反射ミラー素子の製造
方法としては、従来、図２に示すようなダイシング方法
を一般的に用いていた。同図に示すように上記ダイシン
グ方法とは、ウエハ状のガラス基板１０１の表面にアル
ミナ等の材料からなる酸化薄膜１０２を成膜した多層ガ
ラス基板１０３を粘着テープ１０４に貼り付けた状態に
てダイヤモンドカッター１０５を用いて所望のサイズの
反射ミラー素子１０６となるよう分割するとした切断方
法である。
【０００３】このとき上記切断工程の際に多層ガラス基
板１０３を完全に切断する理由としては、例えばその他
の切断方法として多層ガラス基板１０３をハーフカット
し、後に基板を曲折して分割するスクライブ方法の場
合、ハーフカットによって多層ガラス基板１０３に残さ
れるカッター１０５の切り欠き形状がコの字形である
為、その後のスクライブの際に切り欠きのコーナー部か
ら亀裂が走り易く、その結果、バリが発生してしまうと
いう不具合が生じてしまうことから小型の反射ミラー素
子を構成する方法としては不向きとされている。従っ
て、多層ガラス基板１０３を完全に切断するダイシング
方法を用いると共に、切断する際には切断時及び切断後
に於ける運搬時に不用意に素子が動いてしまうのを防ぐ
為、予め粘着テープ１０４を貼り付ける必要が生じてい
た。
板１０３を完全に切断する理由としては、例えばその他
の切断方法として多層ガラス基板１０３をハーフカット
し、後に基板を曲折して分割するスクライブ方法の場
合、ハーフカットによって多層ガラス基板１０３に残さ
れるカッター１０５の切り欠き形状がコの字形である
為、その後のスクライブの際に切り欠きのコーナー部か
ら亀裂が走り易く、その結果、バリが発生してしまうと
いう不具合が生じてしまうことから小型の反射ミラー素
子を構成する方法としては不向きとされている。従っ
て、多層ガラス基板１０３を完全に切断するダイシング
方法を用いると共に、切断する際には切断時及び切断後
に於ける運搬時に不用意に素子が動いてしまうのを防ぐ
為、予め粘着テープ１０４を貼り付ける必要が生じてい
た。
【０００４】
【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
のような製造方法では、切断された反射ミラー素子１０
６の表面に付着した粘着テープ１０４の粘着物質を取り
除く為に長時間の洗浄工程を必要とすることから生産効
率の向上が十分達成されず、更に、度重なる切断工程に
よって摩耗する度に高価なカッター１０５を交換する必
要があるということも加わり、その結果、反射ミラー素
子１０６の低価格化が十分達成されないという問題が生
じていた。
のような製造方法では、切断された反射ミラー素子１０
６の表面に付着した粘着テープ１０４の粘着物質を取り
除く為に長時間の洗浄工程を必要とすることから生産効
率の向上が十分達成されず、更に、度重なる切断工程に
よって摩耗する度に高価なカッター１０５を交換する必
要があるということも加わり、その結果、反射ミラー素
子１０６の低価格化が十分達成されないという問題が生
じていた。
【０００５】一方、薄膜を備えていないガラス基板に於
いては、カッター及び粘着テープを必要としない切断方
法として特表平８−５０９９４７号に開示されたような
レーザビームを用いた方法が知られている。この方法
は、ガラス表面の切断路上にレーザビームを照射して局
所的にガラスを加熱した後、加熱したガラス表面を冷媒
を用いて局所的に冷却することによりガラス基板に発生
する熱応力を利用して亀裂を形成するものである。しか
し、この方法を上記多層ガラス基板１０３の切断方法と
して用いた場合、ガラス基板を切断する為に必要な高い
エネルギーを有するレーザビームを照射すると、これに
より薄膜の破損が生じてしまうという欠点がある。
いては、カッター及び粘着テープを必要としない切断方
法として特表平８−５０９９４７号に開示されたような
レーザビームを用いた方法が知られている。この方法
は、ガラス表面の切断路上にレーザビームを照射して局
所的にガラスを加熱した後、加熱したガラス表面を冷媒
を用いて局所的に冷却することによりガラス基板に発生
する熱応力を利用して亀裂を形成するものである。しか
し、この方法を上記多層ガラス基板１０３の切断方法と
して用いた場合、ガラス基板を切断する為に必要な高い
エネルギーを有するレーザビームを照射すると、これに
より薄膜の破損が生じてしまうという欠点がある。
【０００６】特に、ガラス基板表面に反射膜がコーティ
ングされている場合は、本来ガラス基板を切断するには
必要十分なエネルギーを有するレーザビームを多層ガラ
ス基板に照射してもミラーの反射作用によってレーザビ
ームが反射される為にエネルギー損失が生じてしまい、
その結果、ガラス基板を十分に加熱することができない
ので亀裂を生じさせることができない。その為、レーザ
ビームを用いて多層ガラス基板１０３に亀裂を形成する
には、上記のようなエネルギー損失を補うよう予めエネ
ルギーを高めに設定したレーザビームを照射する必要が
あるが、この場合、切断ラインに沿った薄膜部分が高エ
ネルギーに耐えきれず溶解してしまい、この溶解した部
分は反射ミラーとして使用不可能となる。
ングされている場合は、本来ガラス基板を切断するには
必要十分なエネルギーを有するレーザビームを多層ガラ
ス基板に照射してもミラーの反射作用によってレーザビ
ームが反射される為にエネルギー損失が生じてしまい、
その結果、ガラス基板を十分に加熱することができない
ので亀裂を生じさせることができない。その為、レーザ
ビームを用いて多層ガラス基板１０３に亀裂を形成する
には、上記のようなエネルギー損失を補うよう予めエネ
ルギーを高めに設定したレーザビームを照射する必要が
あるが、この場合、切断ラインに沿った薄膜部分が高エ
ネルギーに耐えきれず溶解してしまい、この溶解した部
分は反射ミラーとして使用不可能となる。
【０００７】従って、上記のようにレーザビームを用い
て反射ミラー素子１０６を構成する製造方法は、予め薄
膜が溶解することを考慮して広面積の反射ミラー素子１
０６となるよう構成しなければならないことから一枚の
ウエハから得られる反射ミラー素子１０６の数量が減少
し、これに伴い反射ミラー素子１０６が高価額化すると
いう問題の発生が避けられず、その結果、未だ実用化に
至っていないのが実状であった。
て反射ミラー素子１０６を構成する製造方法は、予め薄
膜が溶解することを考慮して広面積の反射ミラー素子１
０６となるよう構成しなければならないことから一枚の
ウエハから得られる反射ミラー素子１０６の数量が減少
し、これに伴い反射ミラー素子１０６が高価額化すると
いう問題の発生が避けられず、その結果、未だ実用化に
至っていないのが実状であった。
【０００８】本発明はレーザビームを用いた多層ガラス
基板の製造方法上の諸問題を解決することによって実用
に供し得るようにしたレーザビームを用いた多層ガラス
基板の切断方法を提供することを目的としている。尚、
本発明に於けるガラス基板とは狭義のＳｉＯ2（石英ガ
ラス）に限らずミラー等の材料として利用し得るもので
あれば如何なる透明材料にも適用可能である。
基板の製造方法上の諸問題を解決することによって実用
に供し得るようにしたレーザビームを用いた多層ガラス
基板の切断方法を提供することを目的としている。尚、
本発明に於けるガラス基板とは狭義のＳｉＯ2（石英ガ
ラス）に限らずミラー等の材料として利用し得るもので
あれば如何なる透明材料にも適用可能である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
本発明に係わる請求項１記載の発明は、ガラス基板の少
なくとも一方の主面に一層以上の薄膜を設けた多層ガラ
ス基板にスクライブラインを形成する方法に於いて、前
記薄膜の表面にレーザビームを照射して該薄膜を切断し
た後、該切断の軌跡を辿るようにレーザビームをガラス
基板に直接的に照射してスクライブラインを形成するこ
とを特徴としている。
本発明に係わる請求項１記載の発明は、ガラス基板の少
なくとも一方の主面に一層以上の薄膜を設けた多層ガラ
ス基板にスクライブラインを形成する方法に於いて、前
記薄膜の表面にレーザビームを照射して該薄膜を切断し
た後、該切断の軌跡を辿るようにレーザビームをガラス
基板に直接的に照射してスクライブラインを形成するこ
とを特徴としている。
【００１０】請求項２記載の発明は請求項１記載の発明
に加え、前記多層ガラス基板を前記レーザビームを照射
して加熱した後、該加熱した部分を冷媒を用いて冷却す
ることにより、熱変化により生じる応力を利用して前記
薄膜の切断及び前記スクライブラインの形成を行うこと
を特徴ととしている。
に加え、前記多層ガラス基板を前記レーザビームを照射
して加熱した後、該加熱した部分を冷媒を用いて冷却す
ることにより、熱変化により生じる応力を利用して前記
薄膜の切断及び前記スクライブラインの形成を行うこと
を特徴ととしている。
【００１１】請求項３記載の発明は請求項１または請求
項２記載の発明に加え、前記多層ガラス基板の切断面側
の一部に切り欠き部を設け、該切り欠き部を始点に前記
レーザビームを照射して前記薄膜の切断及び前記スクラ
イブラインを形成することを特徴としている。
項２記載の発明に加え、前記多層ガラス基板の切断面側
の一部に切り欠き部を設け、該切り欠き部を始点に前記
レーザビームを照射して前記薄膜の切断及び前記スクラ
イブラインを形成することを特徴としている。
【００１２】請求項４記載の発明は請求項３記載の発明
に加え、前記切り欠き部を前記薄膜及びガラス基板を切
り欠くよう構成することを特徴としている。
に加え、前記切り欠き部を前記薄膜及びガラス基板を切
り欠くよう構成することを特徴としている。
【００１３】請求項５記載の発明は請求項１乃至請求項
４記載の発明に加え、前記多層ガラスがミラーであるこ
とを特徴としている。
４記載の発明に加え、前記多層ガラスがミラーであるこ
とを特徴としている。
【００１４】請求項６記載の発明は請求項１乃至請求項
５記載の発明に加え、前記薄膜を切断する際の前記レー
ザビームの出力パワーを前記ガラス基板に照射する際の
レーザビームの出力パワーよりも小さくしたことを特徴
としている。
５記載の発明に加え、前記薄膜を切断する際の前記レー
ザビームの出力パワーを前記ガラス基板に照射する際の
レーザビームの出力パワーよりも小さくしたことを特徴
としている。
【００１５】請求項７記載の発明は請求項１乃至請求項
６記載の発明に加え、薄膜切断時の前記レーザビームの
照射面積をガラス基板切断時の前記レーザビームの照射
面積よりも小面積としたことを特徴としている。
６記載の発明に加え、薄膜切断時の前記レーザビームの
照射面積をガラス基板切断時の前記レーザビームの照射
面積よりも小面積としたことを特徴としている。
【００１６】請求項８記載の発明は請求項１乃至請求項
７記載の発明に加え、前記ガラス基板が透明な圧電基板
であることを特徴としている。
７記載の発明に加え、前記ガラス基板が透明な圧電基板
であることを特徴としている。
【００１７】請求項９記載の発明は請求項１乃至請求項
８記載の発明に加え、前記ガラス基板が透明な結晶体で
あることを特徴としている。
８記載の発明に加え、前記ガラス基板が透明な結晶体で
あることを特徴としている。
【００１８】請求項１０記載の発明は、前記請求項１乃
至前記請求項９の切断方法によって切断された多層ガラ
ス基板を特徴としている。
至前記請求項９の切断方法によって切断された多層ガラ
ス基板を特徴としている。
【００１９】
【本発明の実施の形態】以下、図示した実施例に基づい
て本発明を詳細に説明する。図１は本発明に基づく多層
ガラス基板の切断工程の一実施例を示すものであり、図
１（ａ）は反射ミラー素子を構成する為の多層ガラス基
板の側面図を、同図（ｂ）はレーザビームによる第1の
切断工程を示す斜視図を、同図（ｃ）は第１の切断工程
後の多層ガラス基板の切断面を示す側面断面図を、同図
（ｄ）はレーザビームによる第２の切断工程図を示す斜
視図を、同図（ｅ）は第２の切断工程後の多層ガラス基
板の切断面を示す側面断面図を示すものである。
て本発明を詳細に説明する。図１は本発明に基づく多層
ガラス基板の切断工程の一実施例を示すものであり、図
１（ａ）は反射ミラー素子を構成する為の多層ガラス基
板の側面図を、同図（ｂ）はレーザビームによる第1の
切断工程を示す斜視図を、同図（ｃ）は第１の切断工程
後の多層ガラス基板の切断面を示す側面断面図を、同図
（ｄ）はレーザビームによる第２の切断工程図を示す斜
視図を、同図（ｅ）は第２の切断工程後の多層ガラス基
板の切断面を示す側面断面図を示すものである。
【００２０】図１（ａ）に示すように多層ガラス基板１
はガラス基板２の一方の主面に薄膜３を、他の一方の主
面に薄膜４をそれぞれ蒸着またはスパッタ等の方法を用
いて成膜し、更に、例えば薄膜３を成幕した主面側の一
部には亀裂を生じさせるきっかけとする為の切り欠き部
５がダイヤモンドカッター等を用いて形成されている。
この場合、上記薄膜３は例えば全体の膜厚が約２μｍと
なるよう最下層からＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｍｇ
Ｆ2の順に成膜した多層構造の反射防止膜（ＡＲ）であ
り、薄膜４は例えば全体の膜厚が約２μｍとなるようＴ
ｉＯ2とＺｎＯ2＋ＴｉＯ2とＡｌ2Ｏ3とをそれぞれ複数
回成膜した多層構造の全反射膜（ＭＲ）である。
はガラス基板２の一方の主面に薄膜３を、他の一方の主
面に薄膜４をそれぞれ蒸着またはスパッタ等の方法を用
いて成膜し、更に、例えば薄膜３を成幕した主面側の一
部には亀裂を生じさせるきっかけとする為の切り欠き部
５がダイヤモンドカッター等を用いて形成されている。
この場合、上記薄膜３は例えば全体の膜厚が約２μｍと
なるよう最下層からＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｍｇ
Ｆ2の順に成膜した多層構造の反射防止膜（ＡＲ）であ
り、薄膜４は例えば全体の膜厚が約２μｍとなるようＴ
ｉＯ2とＺｎＯ2＋ＴｉＯ2とＡｌ2Ｏ3とをそれぞれ複数
回成膜した多層構造の全反射膜（ＭＲ）である。
【００２１】また、多層ガラス基板１の大きさは例えば
４．０ｍｍ×４．６ｍｍ×板厚１．２ｍｍである。そし
て第１の切断工程として同図（ｂ）に示すように上記多
層ガラス基板１の薄膜３の表面上の切断路７を切り欠き
部５を始点として照射されるレーザビーム６により加熱
すると共に、その加熱直後の加熱部を冷媒８として例え
ば空気を含む水ジェット８により急激に冷却する。尚、
加熱部を局所的に冷却する為、冷媒８は例えばノズル９
から噴出するよう構成する。
４．０ｍｍ×４．６ｍｍ×板厚１．２ｍｍである。そし
て第１の切断工程として同図（ｂ）に示すように上記多
層ガラス基板１の薄膜３の表面上の切断路７を切り欠き
部５を始点として照射されるレーザビーム６により加熱
すると共に、その加熱直後の加熱部を冷媒８として例え
ば空気を含む水ジェット８により急激に冷却する。尚、
加熱部を局所的に冷却する為、冷媒８は例えばノズル９
から噴出するよう構成する。
【００２２】これにより同図（ｃ）に示すように薄膜３
の切断路部分には加熱と冷却とによる温度変動の影響に
よって切断路７を引き裂く向きに生じる引っ張り力によ
り亀裂１０が形成され、その結果、下層のガラス基板２
が露出する。このときレーザビーム６の出力設定として
は、例えばパワー密度分布がガウシアン分布特性である
ＣＯ2レーザビームを用い、その出力パワーを２８Ｗ、
基板表面にレーザビームの焦点が結ばれるようレンズか
ら基板表面までの距離を１０ｍｍとし、レーザビームの
送り速度を２００ｍｍ／ｓｅｃとする。
の切断路部分には加熱と冷却とによる温度変動の影響に
よって切断路７を引き裂く向きに生じる引っ張り力によ
り亀裂１０が形成され、その結果、下層のガラス基板２
が露出する。このときレーザビーム６の出力設定として
は、例えばパワー密度分布がガウシアン分布特性である
ＣＯ2レーザビームを用い、その出力パワーを２８Ｗ、
基板表面にレーザビームの焦点が結ばれるようレンズか
ら基板表面までの距離を１０ｍｍとし、レーザビームの
送り速度を２００ｍｍ／ｓｅｃとする。
【００２３】そして、このように薄膜３の表面にレーザ
ビームの焦点が結ばれるよう設定することにより、より
細く切断路７を加熱することが可能であり、もって、亀
裂１０の幅を細く形成することができる。その後、第２
の切断工程として同図（ｄ）に示すように上記多層ガラ
ス基板１に設けた切り欠き部５を始点として上記亀裂１
０に照射されるレーザビーム６により上記露出したガラ
ス基板２を加熱すると共に、その加熱直後の加熱部を冷
媒８により急激に冷却する。
ビームの焦点が結ばれるよう設定することにより、より
細く切断路７を加熱することが可能であり、もって、亀
裂１０の幅を細く形成することができる。その後、第２
の切断工程として同図（ｄ）に示すように上記多層ガラ
ス基板１に設けた切り欠き部５を始点として上記亀裂１
０に照射されるレーザビーム６により上記露出したガラ
ス基板２を加熱すると共に、その加熱直後の加熱部を冷
媒８により急激に冷却する。
【００２４】そして、同図（ｅ）に示すようにガラス基
板２の切断路部分には加熱と冷却とによる温度変動と予
め形成されていた亀裂１０との影響によってこの亀裂１
０を押し広げる方向に生じる引っ張りにより多層ガラス
基板１の厚みに対して約１／５〜１／３の亀裂１１が形
成される。このときのレーザビームの出力設定は、上記
薄膜３の切断時のレーザビーム６の出力設定と比較し
て、例えばレーザビームの送り速度は２００ｍｍ／ｓｅ
ｃのままとして出力パワーを約３倍の１１０Ｗ、更に、
広範囲のガラス基板面を加熱する為、レーザビームの照
射位置を焦点より外れた拡散部分となるようレンズとガ
ラス基板面との距離を約２倍の２４ｍｍとした。
板２の切断路部分には加熱と冷却とによる温度変動と予
め形成されていた亀裂１０との影響によってこの亀裂１
０を押し広げる方向に生じる引っ張りにより多層ガラス
基板１の厚みに対して約１／５〜１／３の亀裂１１が形
成される。このときのレーザビームの出力設定は、上記
薄膜３の切断時のレーザビーム６の出力設定と比較し
て、例えばレーザビームの送り速度は２００ｍｍ／ｓｅ
ｃのままとして出力パワーを約３倍の１１０Ｗ、更に、
広範囲のガラス基板面を加熱する為、レーザビームの照
射位置を焦点より外れた拡散部分となるようレンズとガ
ラス基板面との距離を約２倍の２４ｍｍとした。
【００２５】即ち、切断路７上に形成された亀裂１０は
極めて細い為、この部分を面積が小面積であるレーザビ
ームの焦点を用いて正確に辿り加熱することは作業性が
極めて悪い。従って、効率的に加熱する為、レーザビー
ムの照射面積を広範囲に設定して亀裂１０の周囲とを含
めて加熱するが、このとき焦点以外の基板面ではレーザ
ビームの焦点からずれた位置となるのでレーザビームの
エネルギーが拡散されている為、薄膜３を溶解するまで
には至らないが、ガラス基板を加熱するには十分であ
る。
極めて細い為、この部分を面積が小面積であるレーザビ
ームの焦点を用いて正確に辿り加熱することは作業性が
極めて悪い。従って、効率的に加熱する為、レーザビー
ムの照射面積を広範囲に設定して亀裂１０の周囲とを含
めて加熱するが、このとき焦点以外の基板面ではレーザ
ビームの焦点からずれた位置となるのでレーザビームの
エネルギーが拡散されている為、薄膜３を溶解するまで
には至らないが、ガラス基板を加熱するには十分であ
る。
【００２６】亀裂１１を形成した後、上記亀裂１１をス
クライブラインとして多層ガラス基板１を曲折し反射ミ
ラー素子として必要なチップサイズに分割する。上記の
ような方法によれば、第１の切断工程にて出力パワーの
小さいレーザビームを用いて薄膜３を予め切断し、且
つ、その下層にあるガラス基板２を露出させた後、第2
の切断工程にて直接的にガラス基板２にガラスを加熱す
るに必要十分ではあるが薄膜３の溶解には至らないエネ
ルギーを有するレーザビームを照射することにより、薄
膜を溶解することなく多層ガラス基板１に亀裂１１を形
成することが可能であり、更に、亀裂１１の形状は極め
て細い楔型である為、これをスクライブラインとして用
いて分割してもバリの発生が無いか、或いは極めて微量
に抑えることができる。
クライブラインとして多層ガラス基板１を曲折し反射ミ
ラー素子として必要なチップサイズに分割する。上記の
ような方法によれば、第１の切断工程にて出力パワーの
小さいレーザビームを用いて薄膜３を予め切断し、且
つ、その下層にあるガラス基板２を露出させた後、第2
の切断工程にて直接的にガラス基板２にガラスを加熱す
るに必要十分ではあるが薄膜３の溶解には至らないエネ
ルギーを有するレーザビームを照射することにより、薄
膜を溶解することなく多層ガラス基板１に亀裂１１を形
成することが可能であり、更に、亀裂１１の形状は極め
て細い楔型である為、これをスクライブラインとして用
いて分割してもバリの発生が無いか、或いは極めて微量
に抑えることができる。
【００２７】従って、ダイシング方法のように個々の部
品が切断されない為、予め粘着テープを用いて連結して
おく必要のないレーザビームによるスクライブ方法を多
層ガラス基板の切断方法として初めて実現することがで
きる。以上、本発明を薄膜３としてＳｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＭｇＦ2の順に成膜したＡＲ膜と、薄膜
４として全体の膜厚が約２μｍとなるようＴｉＯ2とＺ
ｎＯ2＋ＴｉＯ2とＡｌ2Ｏ3とをそれぞれ複数回成膜した
ＭＲ膜とを用いた多層ガラス基板１を用いて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ガラス基
板に上記以外の薄膜が成膜されている基板にも適用可能
である。
品が切断されない為、予め粘着テープを用いて連結して
おく必要のないレーザビームによるスクライブ方法を多
層ガラス基板の切断方法として初めて実現することがで
きる。以上、本発明を薄膜３としてＳｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＭｇＦ2の順に成膜したＡＲ膜と、薄膜
４として全体の膜厚が約２μｍとなるようＴｉＯ2とＺ
ｎＯ2＋ＴｉＯ2とＡｌ2Ｏ3とをそれぞれ複数回成膜した
ＭＲ膜とを用いた多層ガラス基板１を用いて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ガラス基
板に上記以外の薄膜が成膜されている基板にも適用可能
である。
【００２８】更に、本発明を反射ミラー素子を構成する
多層ガラス基板を用いて説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、あらゆる用途の基板に対して適
用可能である。即ち、請求項に於いて記した多層ガラス
基板とは母体となる基板の表面を膜または他の基板にて
覆っている状態の積層基板のことを意味している。
多層ガラス基板を用いて説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、あらゆる用途の基板に対して適
用可能である。即ち、請求項に於いて記した多層ガラス
基板とは母体となる基板の表面を膜または他の基板にて
覆っている状態の積層基板のことを意味している。
【００２９】更に、上記本発明をレーザビームによる加
熱と冷媒による冷却とを用いた薄膜切断方法を用いて説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上
記薄膜が十分薄いものであればレーザビームのみを用い
て薄膜を切断するとした方法を用いても構わない。そし
て更に、本発明をパワー分布密度がガウシアン分布特性
を有するＣＯ2レーザビームを用いて説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、薄膜とガラス基板
とを分割可能であれば、パワー分布密度が非ガウシアン
分布特性を有するＣＯ2レーザビームでも良く、また、
ＣＯ2レーザビーム以外のＹＡＧレーザビーム等のその
他レーザビームを用いても構わない。
熱と冷媒による冷却とを用いた薄膜切断方法を用いて説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上
記薄膜が十分薄いものであればレーザビームのみを用い
て薄膜を切断するとした方法を用いても構わない。そし
て更に、本発明をパワー分布密度がガウシアン分布特性
を有するＣＯ2レーザビームを用いて説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、薄膜とガラス基板
とを分割可能であれば、パワー分布密度が非ガウシアン
分布特性を有するＣＯ2レーザビームでも良く、また、
ＣＯ2レーザビーム以外のＹＡＧレーザビーム等のその
他レーザビームを用いても構わない。
【００３０】更に、薄膜切断時とガラス基板切断時とで
違なるレーザビームを使用しても構わないことは明らか
であろう。
違なるレーザビームを使用しても構わないことは明らか
であろう。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明に基づく多層
ガラス基板の切断方法は、ガラス基板の少なくとも一方
の主面に一層以上の薄膜を設けた多層ガラス基板に亀裂
を形成する方法に於いて、前記薄膜の表面にレーザビー
ムを照射して該薄膜を切断した後、該切断の軌跡を辿る
ように更にレーザビームをガラス基板に直接的に照射し
てスクライブラインを形成とした切断時のレーザビーム
のエネルギーを高めずとも切断することが可能とする段
階的な切断方法とした為、レーザビームによる切断時の
薄膜の溶解を防ぎ、もってダイシング方法を使用するこ
となく基板を切断する為のスクライブラインの形成が可
能となった為、その結果、多層ガラス基板の加工コスト
が抑えられるの伴い、反射ミラー素子の低価格が実現さ
れるという効果をそうする。
ガラス基板の切断方法は、ガラス基板の少なくとも一方
の主面に一層以上の薄膜を設けた多層ガラス基板に亀裂
を形成する方法に於いて、前記薄膜の表面にレーザビー
ムを照射して該薄膜を切断した後、該切断の軌跡を辿る
ように更にレーザビームをガラス基板に直接的に照射し
てスクライブラインを形成とした切断時のレーザビーム
のエネルギーを高めずとも切断することが可能とする段
階的な切断方法とした為、レーザビームによる切断時の
薄膜の溶解を防ぎ、もってダイシング方法を使用するこ
となく基板を切断する為のスクライブラインの形成が可
能となった為、その結果、多層ガラス基板の加工コスト
が抑えられるの伴い、反射ミラー素子の低価格が実現さ
れるという効果をそうする。
【図１】本発明に基づく多層ガラス基板の切断工程の一
実施例を示すものである。 （ａ）多層ガラス基板の側面図を示すものである。 （ｂ）第１の切断工程の斜視図を示すものである。 （ｃ）第1の切断工程後の多層ガラス基板の側面図を示
すものである。 （ｄ）第2の切断工程の斜視図を示すものである。 （ｅ）第2の切断工程後の多層ガラス基板の側面図を示
すものである。
実施例を示すものである。 （ａ）多層ガラス基板の側面図を示すものである。 （ｂ）第１の切断工程の斜視図を示すものである。 （ｃ）第1の切断工程後の多層ガラス基板の側面図を示
すものである。 （ｄ）第2の切断工程の斜視図を示すものである。 （ｅ）第2の切断工程後の多層ガラス基板の側面図を示
すものである。
【図２】従来のダイシング方法を多層ガラス基板切断工
程の側面図を示すものである。
程の側面図を示すものである。
１、１０３多層ガラス基板、２、１０１ガラス基板、
３、４、１０２薄膜、５切り欠き部、６レーザビーム、
７切断路、８冷媒、９ノズル、１０、１１亀裂、１０４
粘着テープ、１０５カッター、１０６反射ミラー素子
３、４、１０２薄膜、５切り欠き部、６レーザビーム、
７切断路、８冷媒、９ノズル、１０、１１亀裂、１０４
粘着テープ、１０５カッター、１０６反射ミラー素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C069 AA03 BA08 CA11 4E068 AD01 AE01 CB06 DA11 4G015 FA01 FA06 FA07 FB02 FC10
Claims (10)
- 【請求項１】ガラス基板の少なくとも一方の主面に一層
以上の薄膜を設けた多層ガラス基板にスクライブライン
を形成する方法に於いて、前記薄膜の表面にレーザビー
ムを照射して該薄膜を切断した後、該切断の軌跡を辿る
ようにレーザビームをガラス基板に直接的に照射してス
クライブラインを形成することを特徴とする多層ガラス
基板の切断方法。 - 【請求項２】前記多層ガラス基板を前記レーザビームを
照射して加熱した後、該加熱した部分を冷媒を用いて冷
却することにより、熱変化により生じる応力を利用して
前記薄膜の切断及び前記スクライブラインの形成を行う
ことを特徴とする請求項１記載の多層ガラス基板の切断
方法。 - 【請求項３】前記多層ガラス基板の切断面側の一部に切
り欠き部を設け、該切り欠き部を始点に前記レーザビー
ムを照射して前記薄膜の切断及び前記スクライブライン
を形成することを特徴とする請求項１または請求項２記
載の多層ガラス基板の切断方法。 - 【請求項４】前記切り欠き部を前記薄膜及びガラス基板
を切り欠くよう構成することを特徴とする請求項３記載
の多層ガラス基板の切断方法。 - 【請求項５】前記多層ガラスがミラーであることを特徴
とする請求項１乃至請求項４記載の多層ガラス基板の切
断方法。 - 【請求項６】前記薄膜を切断する際の前記レーザビーム
の出力パワーを前記ガラス基板に照射する際のレーザビ
ームの出力パワーよりも小さくしたことを特徴とする請
求項１乃至請求項５記載の多層ガラス基板の切断方法。 - 【請求項７】薄膜切断時の前記レーザビームの照射面積
をガラス基板切断時の前記レーザビームの照射面積より
も小面積としたことを特徴とする請求項１乃至請求項７
記載の多層ガラス基板の切断方法。 - 【請求項８】前記ガラス基板が透明な圧電基板であるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項７記載の多層ガラス
基板の切断方法。 - 【請求項９】前記ガラス基板が透明な結晶体であること
を特徴とする請求項１乃至請求項８記載の多層ガラス基
板の切断方法。 - 【請求項１０】前記請求項１乃至前記請求項９の切断方
法によって切断されたことを特徴とする多層ガラス基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24087699A JP2001064029A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 多層ガラス基板及び、その切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24087699A JP2001064029A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 多層ガラス基板及び、その切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001064029A true JP2001064029A (ja) | 2001-03-13 |
Family
ID=17066021
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24087699A Pending JP2001064029A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 多層ガラス基板及び、その切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001064029A (ja) |
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