JP2002047025A - 基板の切断方法、およびこれを用いた電気光学装置の製造方法とこれに用いるレーザ切断装置および電気光学装置と電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一対の基板母材をレーザーカットするに際し
て、レーザー光により基板母材に与えられた熱が逃げ易
くなることを改善し、歪みがなく、滑らかな切断面を安
定して形成できる電気光学装置の製造方法の提供。 【解決手段】 一対の基板母材４ａ、４ｂに対して基板
領域の外周縁に沿ってレーザー光を照射して基板母材を
加熱するとともに該基板母材の加熱部分を冷却してクラ
ックを成長させて基板母材をレーザーカットする際、上
記基板母材のレーザー光照射面と反対側の面に接する部
分で、基板母材の切断位置に対応する位置の両側の少な
くとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ
・Ｋ）以下にした定盤４０ａを用いてレーザーカットす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の切断方法、
およびこれを用いた電気光学装置の製造方法とこれに用
いるレーザ切断装置および電気光学装置と電子機器に関
し、特に、１枚の基板もしくは一対の基板母材をレーザ
ーカットするに際して、１枚の基板もしくは基板母材の
レーザー光照射面と反対側の面に接する部分で、基板母
材の切断位置に対応する位置の両側の少なくとも５ｍｍ
以下の範囲の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下にするこ
とにより、歪みがなく、滑らかな切断面を安定して形成
できる基板の切断方法、およびこれを用いた電気光学装
置の製造方法とこれに用いるレーザ切断装置および電気
光学装置と電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置を製造するには、従来か
ら、それぞれが複数個の基板領域を含む一対の基板母材
の表面の各基板領域に透光性電極、配向膜、その他の必
要な要素を形成した後、一方の基板母材の各基板領域の
周辺部分に液晶注入孔となる開口を有する環状のシール
材を形成し、ついで、上記一対の基板母材をそれらの基
板領域が互いに対向するように貼り合わせた後、上記一
対の基材母材に対して個々の基板領域の周囲の基板母材
を切断して個々の液晶表示パネルを取り出し、ついで各
液晶表示パネルの液晶注入孔からシール材で囲まれた液
晶封入領域に液晶を注入した後、上記液晶注入孔にモー
ルド用樹脂を充填した後、硬化させることにより液晶注
入孔をモールド樹脂で封止し、この後、液晶表示パネル
部分を液晶表示装置に実装する方法によって行われてい
る。

【０００３】別の液晶表示装置を製造する方法として
は、それぞれが複数個の基板領域を含む基板母材を前記
個々の基板領域の周囲の基板母材を切断して後、各基板
領域に透光性電極、配向膜、その他の必要な要素を形成
した後、各基板領域の周辺部分に液晶注入孔となる開口
を有する環状のシール材を形成し、ついで、基板領域が
互いに対向するように貼り合わせた後、液晶表示パネル
の液晶注入孔からシール材で囲まれた液晶封入領域に液
晶を注入した後、上記液晶注入孔にモールド用樹脂を充
填した後、硬化させることにより液晶注入孔をモールド
樹脂で封止し、この後、液晶表示パネル部分を液晶表示
装置に実装する方法によって行われている。

【０００４】基板母材の切断は、図２０に示すように、
定盤などの支持台５２によって基板母材５１を支持し、
スクライブローラ５３によって線状のスクライブ溝５４
を基板母材５１の厚さ方向に形成したのち、図２１に示
すように、スクライブ溝５４を形成した部分を反対側か
ら押圧し、その押圧力によってスクライブ溝５４の底部
を起点とした亀裂（垂直割れ目）５４ａを厚さ方向に成
長させることにより切断する方法などによって行われて
いる。なお、図２１中、符号、５４ｂ、５４ｂは、垂直
割れ目５４ａの両側に形成されたサイドクラック５４
ｂ，５４ｂである。

【０００５】図２２は、上記のような製造方法により得
られた液晶表示パネルを示した概略斜視図である。図２
２において、符号５１ａ、５１ｂは、基板母材を切断し
て得られた液晶基板を示している。この液晶基板５１
ａ、５１ｂの端面の外面に近い部分には、基板母材を切
断する際に設けられたスクライブ溝５４があり、このス
クライブ溝５４内にカッターマーク５５、５５が形成さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが上記のような
スクライブ法により基板母材を切断して得られた液晶表
示パネルでは、液晶基板５１ａ、５１ｂの端面と外面と
からなる角部に割れ５７や欠け等の傷が発生しやすく、
得られる液晶表示パネルの強度が弱いことが問題となっ
ていた。

【０００７】そこで、本発明者は、上記の問題を改善す
べく、種々の検討及び実験を重ねた結果、基板母材を切
断する手段としてレーザーカットを採用すれば、滑らか
な切断面を有する液晶基板が得られ、液晶基板の端面と
外面とからなる角部に割れ等の傷が発生するのを防止で
きるとの推定に至った。

【０００８】ところでレーザーカットによる基板母材の
切断方法は、１枚の基板母材もしくは対向する一対の基
板母材を定盤の表面に吸着させ、この基板母材の基板領
域の周囲の所定位置にレーザービームスポットを照射し
て加熱することにより、上記基板母材表面に局所的に大
きな圧縮応力を発生させる。また、これと同時に適当な
冷媒を用いて基板母材の加熱部分の局所的な冷却を行う
と引張応力を誘起し、圧縮状態にある材料部分にまで浸
透して応力が材料の強度を超えるとクラックが生じる。
従って、レーザービームスポットを基板領域の周囲に沿
って移動させるとともに加熱部分の局所的な冷却を行っ
て上記クラックを成長させることにより、基板母材を切
断することができる。

【０００９】しかしながら上記のようにして基板母材を
レーザーカットにより切断する場合においては、定盤は
通常熱伝導率が大きい金属から構成されているため、レ
ーザー光により基板母材に与えられた熱が基板母材の下
側にある定盤に逃げ易いために、基板母材が十分加熱さ
れる前に冷めてしまい、基板母材の加熱部分を冷却して
クラックを発生させる際に十分な効果が得られず、切断
面に歪みが生じたり、場合によっては切断が出来なくな
り、歩留まりが悪いという問題があった。このような問
題は、基板母材の厚み方向の途中までクラックを成長さ
せるスクライブの場合も、基板母材の表面側から裏面側
までクラックを成長させる完全切断の場合も同様にして
起こってしまう。また、上記のような問題は、基板母材
の厚みが薄くなるほど顕著に発生してしまう。

【００１０】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、基板をレーザーカットにより切断するに際して、レ
ーザー光により基板に与えられた熱が逃げ易くなること
を改善し、歪みがなく、滑らかな切断面を安定して形成
できる基板の切断方法を提供することを目的の１つとし
ている。

【００１１】また、本発明は、一対の基板母材をレーザ
ーカットにより切断するに際して、レーザー光により基
板母材に与えられた熱が逃げ易くなることを改善し、歪
みがなく、滑らかな切断面を安定して形成できる電気光
学装置の製造方法を提供することを目的の１つとしてい
る。

【００１２】また本発明は、上記の電気光学装置の製造
方法の実施に好適に用いることができるレーザ切断装置
を提供することを目的の１つとしている。

【００１３】また本発明は、互いに対向する一対の基板
母材を切断して得られた一対の基板の端面に歪みがな
く、滑らかである電気光学装置の提供を目的の１つとし
ている。 更に本発明は、これらの優れた特徴を備えた
電気光学装置を備えた電子機器の提供を目的の１つとし
ている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の基板の切断方法
は、基板にレーザー光を照射して該基板表面を加熱する
とともに該基板の加熱部分を冷却することでクラックを
成長させて該基板を切断する基板の切断方法であって、
前記基板の前記レーザー光が照射される面と反対側の面
に接する部分で、該基板の前記切断位置に対応する位置
の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率
を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下にすること特徴とする。

【００１５】このような基板の切断方法では、基板をレ
ーザーカットする際、上記基板のレーザー光が照射され
る面（レーザー光照射面）と反対側の面に接する部分
で、基板の切断位置に対応する位置の両側の少なくとも
５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）
以下にすることにより、レーザー光による基板の加熱部
分と反対側の面に接する部分の熱伝導率が小さくなり、
レーザー光により基板に与えられた熱が逃げにくくなる
ので、基板の切断位置を局所的に十分加熱でき、基板の
加熱部分を冷却してクラックを発生させて滑らかな切断
面を得るのに十分な効果が得られ、切断面に歪みが生じ
るなどの切断不良を防止でき、滑らかな切断面を安定し
て形成でき、歩留まりが向上する。このような本発明の
基板の切断方法は、基板の厚み方向の途中までクラック
を成長させるスクライブの場合も、基板の表面側から裏
面側までクラックを成長させる完全切断の場合も適応可
能である。従って、このような本発明の基板の切断方法
は、それぞれが複数個あるいは単数の基板領域を含む一
対の基板母材を互いに対向するように貼り合わせる工程
と、対向するに至った対をなす複数個あるいは単数の基
板領域間に電気光学材料を封入する工程と、上記一対の
基板母材に対して個々の基板領域の外周縁に沿って基板
母材を切断する工程を含む電気光学装置の製造方法に好
適に用いることができる。

【００１６】本発明の電気光学装置の製造方法は、それ
ぞれが複数個あるいは単数の基板領域を含む一対の基板
母材を互いに対向するように貼り合わせる工程と、対向
するに至った対をなす複数個あるいは単数の基板領域間
に電気光学材料を封入する工程と、上記一対の基板母材
に対して個々の基板領域の外周縁に沿って基板母材を切
断する工程を含む電気光学装置の製造方法であって、上
記基板母材を切断する工程は、上記一対の基板母材に対
して基板領域の外周縁に沿ってレーザー光を照射して基
板母材を加熱するとともに該基板母材の加熱部分を冷却
してクラックを成長させて基板母材をレーザーカットす
る際、上記基板母材のレーザー光照射面と反対側の面に
接する部分で、基板母材の切断位置に対応する位置の両
側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率を３
Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下にすることを特徴とする。ここでの
「基板領域」とは、面積の大きい基板母材から電気光学
装置用（液晶表示装置用、有機ＥＬやＦＥＤ等の表示装
置用）の基板を一枚以上切り出す（通常は、製造効率の
点から二枚以上切り出す）場合に、電気光学装置（液晶
表示装置、有機ＥＬやＦＥＤ等の表示装置）を構成する
基板に相当する領域のことをいう。

【００１７】このような電気光学装置の製造方法では、
基板母材をレーザーカットする際、上記基板母材のレー
ザー光照射面と反対側の面に接する部分で、基板母材の
切断位置に対応する位置の両側の少なくとも５ｍｍ以下
の範囲の部分の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下にする
ことにより、レーザー光による基板母材の加熱部分と反
対側の面に接する部分の熱伝導率が小さくなり、レーザ
ー光により基板母材に与えられた熱が逃げにくくなるの
で、基板母材の切断位置を局所的に十分加熱でき、基板
母材の加熱部分を冷却してクラックを発生させて滑らか
な切断面を得るのに十分な効果が得られ、切断面に歪み
が生じるなどの切断不良を防止でき、滑らかな切断面を
安定して形成でき、歩留まりが向上する。このような本
発明の電気光学装置の製造方法は、基板母材の厚み方向
の途中までクラックを成長させるスクライブの場合も、
基板母材の表面側から裏面側までクラックを成長させる
完全切断の場合も適応可能である。

【００１８】本発明のレーザ切断装置は、１枚の基板母
材もしくは対向するに至った対をなす複数個あるいは単
数の基板領域間に電気光学材料が封入された一対の基板
母材に対して個々の基板領域の外周縁に沿って基板母材
をレーザーカットするレーザ切断装置であって、１枚の
基板母材もしくは一対の基板母材が載置される定盤と、
該定盤に載置された１枚の基板母材もしくは一対の基板
母材表面にレーザー光を照射するレーザー出射手段と、
上記１枚の基板母材もしくは上記一対の基板母材のレー
ザー光による加熱部分を冷却する冷却手段とが備えられ
てなり、上記定盤は、上記基板母材のレーザー光照射面
と反対側の面に接する部分で、基板母材の切断位置に対
応する位置の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分
の熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であることを特徴と
する。

【００１９】このレーザ切断装置では、基板母材のレー
ザー光照射面と反対側の面に接する部分で、基板母材の
切断位置に対応する位置の両側の少なくとも５ｍｍ以下
の範囲の定盤の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下とした
ことにより、上記１枚の基板母材もしくは上記一対の基
板母材を定盤に載置してレーザーカットする際に、レー
ザー光による基板母材の加熱部分と反対側の面に接する
定盤の部分の熱伝導率が小さくなり、レーザー光により
基板母材に与えられた熱が逃げにくくなるので、基板母
材を局所的に十分加熱でき、基板母材の加熱部分を冷却
してクラックを発生させて滑らかな切断面を得るのに十
分な効果が得られ、切断面に歪みが生じるなどの切断不
良を防止でき、滑らかな切断面を安定して形成でき、歩
留まりが向上する。従って、本発明のレーザ切断装置
は、本発明の電気光学装置の製造方法の実施に好適に用
いることができる。

【００２０】本発明のレーザ切断装置は、上記定盤全体
の熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のものであってもよ
い。

【００２１】また、本発明のレーザ切断装置に備えられ
る定盤は、上記基板母材のレーザー光照射面と反対側の
面に接する部分で、基板母材の切断位置に対応する位置
の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分に、熱伝導
率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の低熱伝導部が設けられたも
のであってもよい。

【００２２】また、本発明のレーザ切断装置に備えられ
る定盤は、上記基板母材のレーザー光照射面と反対側の
面に接する部分で、基板母材の切断位置に対応する位置
の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分に、凹部が
設けられたものであってもよい。

【００２３】また、本発明のレーザ切断装置は、１枚の
基板母材もしくは対向するに至った対をなす複数個ある
いは単数の基板領域間に電気光学材料が封入された一対
の基板母材に対して個々の基板領域の外周縁に沿って基
板母材をレーザーカットするレーザ切断装置装置であっ
て、１枚の基板母材もしくは一対の基板母材が載置され
る定盤と、該定盤に載置された１枚の基板母材もしくは
一対の基板母材にレーザー光を照射するレーザー出射手
段と、上記１枚の基板母材もしくは上記一対の基板母材
のレーザー光による加熱部分を冷却する冷却手段とが備
えられてなり、上記定盤には、上記１枚の基板母材もし
くは上記一対の基板母材をそのレーザー光照射面と反対
側の面と上記定盤との間に隙間を隔てて支持する支持部
材が設けられたことを特徴とするものであってもよい。

【００２４】このような構成の本発明のレーザ切断装置
おいては、上記支持部材のうち少なくとも上記基板母材
の切断位置の下方に設けられた支持部材の基板母材と接
触する部分の面積が４ｍｍ²以下とすることが、切断面
に歪みが生じるなどの切断不良の発生率を低減する効果
をいっそう向上させることができる点で好ましい。

【００２５】本発明の電気光学装置は、互いに対向する
２枚の基板間に電気光学材料を有する電気光学装置であ
って、上記の構成の本発明の電気光学装置の製造方法を
用いて製造されたことを特徴とする。

【００２６】このような電気光学装置とすることによ
り、２枚の基板の端面に歪みがなく、滑らかなものとな
り、また、スクライブローラを用いる切断法によって切
断された基板のように端面にカッターマークが形成され
ることがないため、カッターマーク部分に存在するクラ
ックを起点とした割れが発生することがなく、強度を向
上させることができる。

【００２７】本発明の電子機器は、上記の構成の本発明
の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

【００２８】このような電子機器とすることで、優れた
強度を有するものとなる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を例を示して詳しく
説明する。 ［第１の実施形態］図１は、本発明に係わる電気光学装
置の製造方法を用いて、図７に示すような構造のＭＩＭ
方式（二端子型非線形素子方式）の液晶パネル１０を製
造する場合の第１の実施形態を示している。

【００３０】この液晶パネル１０に、液晶駆動用ＩＣ、
バックライト、支持体などの付帯要素を装着することに
よって、最終製品としての液晶表示装置となる。

【００３１】この液晶パネル１０は、平面視矩形で、環
状のシール材２を介して互いに対向するように貼り付け
られた一対の透光性液晶基板１ａおよび１ｂを有する。
シール材２には、液晶封入領域に液晶を注入する液晶注
入孔２ａが形成されている。一方の透光性液晶基板１ａ
は、ＭＩＭ素子を搭載する素子側の基板であり、対向す
る対向側の基板である透光性液晶基板１ｂと、これら透
光性基板１ａ、１ｂの間のシール材２で囲まれた液晶封
入領域には、液晶３が封入されている。

【００３２】液晶注入孔２ａはモールド樹脂で封止され
ている。

【００３３】また、透光性液晶基板１ａ，１ｂの端面
は、それぞれレーザーカットにより得られた面である。

【００３４】次に、本発明に係わる電気光学装置の製造
方法を用いて図７に示すような液晶パネル１０を製造す
る場合について説明する。

【００３５】まず、図１に示すように、面積の大きい透
光性基板母材４ａおよび４ｂを用意する。これらの透光
性基板母材４ａ、４ｂは、例えば、厚さ０．４ｍｍの透
光性を備えたガラスによって形成される。一方の透光性
基板母材４ａには、図７に示す素子側の透光性液晶基板
１ａを４個形成するための液晶基板領域１ａが含まれ
る。また、他方の透光性基板母材４ｂには、図７に示す
対向側の透光性液晶基板１ｂを４個形成するための液晶
基板領域１ｂが含まれる。

【００３６】ついで、対向側の透光性基板母材４ｂの液
晶基板領域１ｂの内側表面（図１の下側表面）に周知の
成膜方法を用いてカラーフィルタを形成する。そして、
このカラーフィルタの上にスパッタリングによりＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）を一様の厚さとなるように成膜
し、さらに、フォトリソグラフィ処理を用いてパターニ
ングしてストライプ状の透光性電極１１を形成する。さ
らに、それらの透光性電極１１の上に配向膜を形成す
る。

【００３７】一方、素子側の透光性基板母材４ａの液晶
基板領域１ａの内側表面（図１の上側表面）に、直線状
の配線１２を互いに平行に複数個配列し、さらにそれら
の配線１２の間に、非線形抵抗素子としてのＭＩＭ素子
１３を形成し、さらに個々のＭＩＭ素子１３に対応して
ＩＴＯによりドット状の透光性画素電極１４を形成す
る。

【００３８】ＭＩＭ素子１３は、周知の構造の素子であ
るので、詳しい説明は省略するが、簡単にいえば、透光
性基板母材４ａの上にＴａ（タンタル）などによって第
１電極を形成し、その第１電極の上に例えば陽極酸化法
を用いて絶縁層としての陽極酸化膜を形成し、その陽極
酸化膜の上にＣｒ（クロム）などによって第２電極を形
成した構造を有している。上記の透光性画素電極１４
は、ＭＩＭ素子１３の上記第２電極の先端に重ねて形成
される。

【００３９】次に、各液晶基板領域１ａ内の全域に配向
膜を形成し、さらに、その液晶基板領域１ａの周辺部分
にシール材２をスクリーン印刷法によって環状に形成す
る。シール材２の一部分は開口２ａとされ、この開口２
ａが液晶注入孔とされる。

【００４０】素子側および対向側の透光性基板母材４
ａ、４ｂに対して、上記の処理を行ったのち、いずれか
一方の透光性基板母材の電極面上にビーズ状のスペーサ
を分散し、素子側および対向側の透光性基板母材４ａ、
４ｂそれぞれの電極面が相対向するように、素子側の透
光性基板母材４ａと対向側の透光性基板母材４ｂとを互
いに重ね合わせて貼り合わせることによって、図４に示
す面積の大きな液晶パネル母材１６が形成される。な
お、透光性液晶基板１ａ、１ｂ間と、シール材２によっ
て囲まれる領域が、液晶が封入される液晶封入領域とさ
れる。

【００４１】次に、このようにして形成された液晶パネ
ル母材１６を図２および図３に示すレーザ切断装置（本
発明のレーザ切断装置の第１の実施形態）を用いてレー
ザーカットにより切断する。

【００４２】ここで用いるレーザ切断装置は、この例で
は図２および図３に示すように液晶パネル母材１６が載
置される定盤４０と、定盤４０に載置された液晶パネル
母材（一対の基板母材）１６にレーザービームスポット
（レーザー光）を照射するレーザー出射手段５０と、液
晶パネル母材１６のレーザービームスポットによる加熱
部分を冷媒により局所的に冷却する冷却手段５６とから
概略構成されてなるものである。 定盤４０は、全体が
熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の材料から構成されて
いる。熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の材料として
は、熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のポリアミド等有
機樹脂、木質材料などが挙げられる。

【００４３】定盤４０には、これの表面に液晶パネル母
材１６を吸着するための吸着手段が設けられている。こ
の吸着手段は、定盤４０の表面に開口する多数の吸着用
孔４５と、定盤４０内に設けられ、これら吸着用孔４５
と連通する排気路４６と、排気路４６に排気管４７を介
して接続された真空排気源４７ａが備えられてなる。排
気管４７の排気路４６側の周囲には、ガス漏れ防止用の
シール部材４８が設けられている。

【００４４】レーザー出射手段５０は、ＣＯ²レーザー
を用いたものである。このレーザー出射手段５０は、液
晶パネル母材１６を構成する透光性基板母材の材質、厚
さや切断速度等に応じて、レーザーの出力、スポットの
形状と大きさを適宜調整することができる。

【００４５】冷却手段５６は、冷媒として窒素ガスを用
いたものである。この冷却手段５６は液晶パネル母材１
６を構成する透光性基板母材の材質、厚さや切断速度等
に応じて、冷媒の吹付け位置や吹付け量を適宜調整する
ことができる。

【００４６】次に、ここで使用するレーザーカットにつ
いて説明する。

【００４７】レーザービームスポットは極めてエネルギ
ー密度の高い光スポットである。ガラス基板等の透光性
液晶基板にレーザービームスポットを照射すると、透光
性液晶基板表面に局所的に大きな圧縮応力が発生する。
レーザービームスポットで加熱すると同時に適当な冷媒
を用いて加熱部分の局所的な冷却を行うと引張応力を誘
起し、圧縮状態にある材料部分にまで浸透して応力が材
料の強度を超えると亀裂が発生する。この操作を透光性
液晶基板表面の所定位置に施せば、透光性液晶基板を任
意の形状に切断することができる。基板を切断をするに
は先ず透光性液晶基板材料を加熱せねばならず、レーザ
ー光は透光性液晶基板材料に対して不透明でなければな
らない。このため透光性液晶液晶基板としてのガラス基
板の切断に使用するレーザー光の波長は、通常２μｍを
越える赤外領域の波長のものを使用する。このような観
点からガラス切断では波長が１０．６μｍ近辺のＣＯ²
レーザーを利用する。その他にＹＡＧレーザーも利用で
きる。冷媒としては窒素ガスが用いられる。レーザービ
ームスポットの形状及び寸法、レーザーの出力密度、冷
媒の供給速度などは切断する基板材料としてのガラス基
板の材質、厚さ及び切断速度などを考慮して適宜最適値
を選択すれば良い。

【００４８】レーザーカットにより基板材料をパターン
に切断するには、被切断材料としての液晶パネル母材を
載せた作業用ステージとしての定盤４０と上記レーザ出
射手段５０から出射されるレーザースポットの位置と
を、いわゆる数値制御（ＮＣ）手段を利用して相対的に
移動させることにより行うことができる。即ち、作業ス
テージ上にＸ−Ｙ座標を設定し、切断パターンをあらか
じめＸ−Ｙ座標で決めて制御装置に記憶させておく。次
いでこのＸ−Ｙ座標に従って、作業ステージとレーザー
スポットの位置とを相対的に移動させれば良い。また、
切断パターンは定盤４０上にＸ−Ｙ座標を取り、切断パ
ターンをあらかじめＸ、Ｙ座標で装置に記憶させてお
き、いわゆる数値制御方式で定盤４０とレーザースポッ
トとの相対位置を決めることで、自動的に任意のパター
ンに切断することもできる。

【００４９】上記のようにして形成した液晶パネル母材
１６をレーザーカットするには、以下に述べるような順
序で行う。

【００５０】図２および図３に示したレーザ切断装置に
備えられた定盤４０の上面に図４に示すように液晶パネ
ル母材１６を対向側の透光性基板母材４ｂを上にして載
置した後、排気管４７に接続された上記真空排気源４７
ａを作動させて吸着用孔４５および排気路４６内の空気
を排気して、吸着用孔孔４５に液晶パネル母材１６を吸
着させることにより、定盤４０の表面に固定する。

【００５１】レーザー出射手段５０からレーザービーム
を出射し、レーザビームスポットを図４の液晶基板領域
１ｂの周縁に沿った切断線Ｙ１に沿って移動させて透光
性基板母材４ａ、４ｂを局所的に順次加熱していくとと
もにレーザービームスポットによる加熱部分を冷却手段
５６から供給された冷媒により局所的に順次冷却するこ
とによりクラックを成長させ、透光性基板母材４ｂ及び
透光性基板母材４ａを２枚同時に直線切断する。ここで
の切断線Ｙ１に沿った切断は、レーザーの出力を上げて
透光性基板母材４ｂ及び透光性基板母材４ａを２枚同時
に切断するものである。この際切断線Ｙ１は各液晶注入
孔２ａの入口を横切るように形成する。

【００５２】次いで、レーザーの出力を落とし、レーザ
ビームスポットを図４の切断線Ｙ２に沿って移動させて
透光性基板母材４ｂのみを局所的に順次加熱していくと
ともにレーザービームスポットによる加熱部分を冷却手
段５６から供給された冷媒により局所的に順次冷却する
ことによりクラックを成長させ、透光性基板母材４ｂの
みを１枚だけ直線切断する。この結果、図１に示す大型
の液晶パネル母材１６は、図５（ａ）に示す２枚の中型
の液晶パネル母材１７となる。図中符号１８は端材とし
て除去される部分である。

【００５３】次いで、液晶注入孔２ａの連なった中型の
液晶パネル母材１７の段階で、液晶注入孔２ａから上記
液晶封入領域に公知の手段により液晶３の注入を行う
と、作業効率が良く好都合である。このように液晶３を
注入したならば、光硬化型樹脂などのモールド用樹脂を
液晶注入孔２ａに充填した後、光を照射させモールド用
樹脂を硬化させると、液晶注入孔２ａがモールド樹脂で
封止される。

【００５４】次に、上記で得られた中型の液晶パネル母
材１７を図５（ｂ）に示すように反転し、透光性基板母
材４ａを上にして定盤４０の上面にセットし、レーザー
出射手段５０からレーザービームを出射し、レーザビー
ムスポットを図５（ｂ）の切断線Ｚ１に沿って移動させ
て透光性基板母材４ａ、４ｂを局所的に順次加熱してい
くとともにレーザービームスポットによる加熱部分を冷
却手段５６から供給された冷媒により局所的に順次冷却
することによりクラックを成長させ、透光性基板母材４
ａ及び透光性基板母材４ｂを２枚同時に切断する。ここ
での切断線Ｚ１に沿った切断は、レーザーの出力を上げ
て透光性基板母材４ａ及び透光性基板母材４ｂの２枚を
同時切断するものである。

【００５５】この後、レーザーの出力を落とし、レーザ
ービームスポットを図５（ｂ）の切断線Ｚ２に沿って移
動させて透光性基板母材４ａのみを局所的に順次加熱し
ていくととともにレーザービームスポットによる加熱部
分を冷却手段５６から供給された冷媒により局所的に順
次冷却することによりクラックを成長させ、透光性基板
母材４ａのみを１枚だけ直線切断する。その結果、図５
に示す２枚の中型の液晶パネル母材１７は、図６に示す
４枚の所定の大きさの液晶パネル１０となり、結局図４
に示す１枚の大型の液晶パネル母材１６から、図６に示
す所定の大きさの液晶パネル１０が４枚得られたことに
なる。このようにして得られた各液晶パネル１０は、図
７に示した本発明の実施形態の液晶パネル１０である。
この液晶パネル１０の透光性液晶基板１ａ，１ｂの端面
（レーザーカットにより得られた切断面）は、歪みがな
く、表面粗さが１μｍ以下と安定しており、滑らかであ
る。

【００５６】本実施形態の液晶パネルの製造方法では、
液晶パネル母材１６をレーザーカットする際、熱伝導率
が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の材料から構成された定盤４０
が備えられたレーザ切断装置を用い、この定盤４０の上
面に液晶パネル母材１６を載置してレーザーカットして
いるので、液晶パネル母材１６のレーザー光照射面と反
対側の面に接する部分の熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以
下と小さくなっており、レーザービームスポットにより
液晶パネル母材１６の切断線（切断位置）Ｙ１、Ｙ２、
Ｚ１、Ｚ２に沿った部分に局所的に与えられた熱が逃げ
にくくなるので、液晶パネル母材１６の切断位置を局所
的に十分加熱でき、基板母材の加熱部分を冷却してクラ
ックを発生させて滑らかな切断面を得るのに十分な効果
が得られ、切断面に亀裂や歪みがなく、綺麗な切断面を
安定して形成でき、また、衝撃によって切断面近傍から
の割れの発生を抑止する効果があり、歩留まりが向上す
る。

【００５７】本実施形態のレーザ切断装置によれば、熱
伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の材料から構成された定
盤４０が備えられたことにより、この定盤４０に液晶パ
ネル母材１６を載置してレーザーカットするに際して、
液晶パネル母材１６のレーザー光照射面と反対側の面に
接する部分の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下と小さく
することができるので、本実施形態の液晶パネルの製造
方法の実施に好適に用いることができる。

【００５８】本実施形態の液晶パネルの製造方法より得
られた液晶パネル１０は、対向する一対の透光性液晶基
板１ａ、１ｂの端面に歪みがなく、滑らかなものとな
り、また、スクライブローラを用いる切断法によって切
断された基板のように端面にカッターマークが形成され
ることがないため、カッターマーク部分に存在するクラ
ックを起点とした割れが発生することがなく、強度が向
上したものとなり、衝撃に強くて以後の電子機器の組立
工程においても搬送中に端面や、該端面と外面とからな
る角部に割れや欠け等の傷が発生することも少なく、電
子機器の使用に際してもかなりの衝撃に耐えるものであ
る。

【００５９】図８に、スクラブローラを用いる従来のス
クライブ法により切断したガラス基板の切断面と、熱伝
導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の材料から構成された定盤
が備えられた本実施形態のレーザ切断装置を用いてレー
ザーカットを行ったガラス基板の切断面の表面粗さを比
較した結果を示す。図８（ａ）は従来のスクライブ法で
基板厚さが０．７ｍｍの場合、図８（ｂ）及び（ｃ）は
本実施形態のレーザ切断装置を用いたレーザカットでガ
ラス基板厚さがそれぞれ０．７ｍｍと０．４ｍｍの場合
である。図８は切断面のほぼ中心部を接触式の表面粗さ
計により、２５ｍｍスキャンしたときの触針の触れる高
さを示している。表面粗さを示すＲａ値は、従来のスク
ライブ法では約５μｍであるのに対し、本実施形態のレ
ーザ切断装置を用いてレーザーカットを行った場合では
１μｍ以下となっており、非常に滑らかな切断面を安定
して得られており、クラックを防止できるうえ切断面の
歪みを防止できることがわかる。切断面が滑らかになっ
ていることで、切断面に存在するクラックを起点とする
割れが発生しにくい液晶パネルとすることができる。

【００６０】［第２の実施形態］本発明に係わる電気光
学装置の製造方法を用いて、図７に示すような構造の液
晶パネル１０を製造する場合の第２の実施形態について
説明する。

【００６１】第２の実施形態の液晶パネルの製造方法
が、上述した第１の実施形態の液晶パネルの製造方法と
異なるところは、図９に示すレーザ切断装置（本発明の
レーザ切断装置の第２の実施形態）を用いて液晶パネル
母材１６をレーザーカットする点である。

【００６２】図９に示すレーザ切断装置が、図２乃至図
３に示したレーザ切断装置と異なるところは、定盤の構
成が異なる点である。図９に示すレーザ切断装置に備え
られる定盤４０ａの上面（液晶パネル母材１６のレーザ
ー光照射面と反対側の面に接する面）で、切断線（切断
位置）Ｙ１、Ｙ２にそれぞれ対応する位置Ｙ１’、Ｙ
２’の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分には、
熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の低熱伝導部６０が埋
設され、切断線（切断位置）Ｚ１、Ｚ２にそれぞれ対応
する位置Ｚ１’、Ｚ２’の両側の少なくとも５ｍｍ以下
の範囲の部分には、熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の
低熱伝導部６１が埋設されており、低熱伝導部６０、６
１以外の部分は、金属から構成されている点である。

【００６３】低熱伝導部６０、６１を構成する材料とし
ては、熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のポリアミド等
有機樹脂、木質材料などが挙げられる。

【００６４】図９に示すレーザ切断装置を用いて図７に
示すような液晶パネル１０を製造するには、液晶パネル
母材１６を定盤４０ａの上面に載置して切断線Ｙ１、Ｙ
２に沿ってレーザーカットする際、切断線Ｙ１、Ｙ２
と、これらに対応して設けられた低熱伝導部６０との位
置合わせを行う以外は第１の実施形態の液晶パネルの製
造方法と同様にしてレーザーカットを行い２枚の中型の
液晶パネル母材１７を得る。

【００６５】この後、第１の実施形態の液晶パネルの製
造方法と同様にして中型の液晶パネル母材１７の液晶封
入領域に液晶３の注入を行った後、モールド用樹脂を液
晶注入孔２ａに充填し、硬化させて、液晶注入孔２ａを
モールド樹脂で封止する。

【００６６】ついで、得られた中型の液晶パネル母材１
７を反転し、透光性基板母材４ａを上にして定盤４０ａ
の上面に載置して、切断線Ｚ１、Ｚ２に沿ってレーザー
カットする際、切断線Ｚ１、Ｚ２と、これらに対応して
設けられた低熱伝導部６１との位置合わせを行う以外は
第１の実施形態の液晶パネルの製造方法と同様にしてレ
ーザーカットを行うと、図６に示す所定の大きさの液晶
パネル１０が４枚得られたことになる。このようにして
得られた各液晶パネル１０は、図７に示した本発明の実
施形態の液晶パネル１０である。

【００６７】本実施形態の液晶パネルの製造方法では、
液晶パネル母材１６をレーザーカットする際、液晶パネ
ル母材１６の切断位置に対応する位置の両側の少なくと
も５ｍｍ以下の範囲に設けられた熱伝導率が３Ｗ／（ｍ
・Ｋ）以下の低熱伝導部６０、６１を有する定盤４０ａ
が備えられたレーザ切断装置を用い、さらに、この定盤
４０ａの上面に液晶パネル母材１６を載置してレーザー
カットする際、切断線Ｙ１、Ｙ２と低熱伝導部６０とを
位置合わせし、切断線Ｚ１、Ｚ２と低熱伝導部６１とを
位置合わせしてレーザーカットしているので、液晶パネ
ル母材１６のレーザー光照射面と反対側の面に接する部
分で、液晶パネル母材１６の切断位置に対応する位置の
両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率が
３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下と小さくなっており、レーザービ
ームスポットにより液晶パネル母材１６の切断線（切断
位置）Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２に沿った部分に局所的に
与えられた熱が逃げにくくなるので、液晶パネル母材１
６の切断位置を局所的に十分加熱でき、基板母材の加熱
部分を冷却してクラックを発生させて滑らかな切断面を
得るのに十分な効果が得られ、切断面に亀裂や歪みがな
く、綺麗な切断面を安定して形成でき、また、衝撃によ
って切断面近傍からの割れの発生を抑止する効果があ
り、歩留まりが向上する。

【００６８】本実施形態のレーザ切断装置によれば、上
記のような低熱伝導部６０、６１が設けられた定盤４０
ａが備えられたことにより、この定盤４０ａに液晶パネ
ル母材１６を載置してレーザーカットするに際して、液
晶パネル母材１６のレーザー光照射面と反対側の面に接
する部分で、液晶パネル母材１６の切断位置に対応する
位置の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝
導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下と小さくすることができる
ので、本実施形態の液晶パネルの製造方法の実施に好適
に用いることができる。

【００６９】本実施形態の液晶パネルの製造方法より得
られた液晶パネル１０は、第１の実施形態の液晶パネル
の製造方法により得られた液晶パネル１０と同様に対向
する一対の透光性液晶基板１ａ、１ｂの端面に歪みがな
く、滑らかなものとなり、また、スクライブローラを用
いる切断法によって切断された基板のように端面にカッ
ターマークが形成されることがないため、強度が向上し
たものとなる。

【００７０】［第３の実施形態］本発明に係わる電気光
学装置の製造方法を用いて、図７に示すような構造の液
晶パネル１０を製造する場合の第３の実施形態について
説明する。

【００７１】第３の実施形態の液晶パネルの製造方法
が、上述した第１の実施形態の液晶パネルの製造方法と
異なるところは、図１０に示すレーザ切断装置（本発明
のレーザ切断装置の第３の実施形態）を用いて液晶パネ
ル母材１６をレーザーカットする点である。

【００７２】図１０に示すレーザ切断装置が、図２乃至
図３に示したレーザ切断装置と異なるところは、定盤の
構成が異なる点である。図１０に示すレーザ切断装置に
備えられる定盤４０ｂの上面（液晶パネル母材１６のレ
ーザー光照射面と反対側の面に接する面）で、切断線
（切断位置）Ｙ１、Ｙ２にそれぞれ対応する位置Ｙ
１’、Ｙ２’の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部
分には、溝（凹部）６４が形成され、切断線（切断位
置）Ｚ１、Ｚ２にそれぞれ対応する位置Ｚ１’、Ｚ２’
の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分には、溝
（凹部）６５が形成されており、溝６４、６５以外の部
分は、金属から構成されている点である。

【００７３】このような定盤４０ｂの上面に液晶パネル
母材１６を載置したとき、液晶パネル母材１６の切断位
置と溝の底面との間、すなわち、溝６４、６５内に空隙
部を有している。この空隙部には、空気が存在している
ので、溝６４、６５内の熱伝導率は３Ｗ／（ｍ・Ｋ）よ
り遙かに小さくなっている。

【００７４】図１０に示すレーザ切断装置を用いて図７
に示すような液晶パネル１０を製造するには、液晶パネ
ル母材１６を定盤４０ｂの上面に載置して切断線Ｙ１、
Ｙ２に沿ってレーザーカットする際、切断線Ｙ１、Ｙ２
と、これらに対応して設けられた溝６４との位置合わせ
を行う以外は第１の実施形態の液晶パネルの製造方法と
同様にしてレーザーカットを行い２枚の中型の液晶パネ
ル母材１７を得る。

【００７５】この後、第１の実施形態の液晶パネルの製
造方法と同様にして中型の液晶パネル母材１７の液晶封
入領域に液晶３の注入を行った後、モールド用樹脂を液
晶注入孔２ａに充填し、硬化させて、液晶注入孔２ａを
モールド樹脂で封止する。

【００７６】ついで、得られた中型の液晶パネル母材１
７を反転し、透光性基板母材４ａを上にして定盤４０ｂ
の上面に載置して、切断線Ｚ１、Ｚ２に沿ってレーザー
カットする際、切断線Ｚ１、Ｚ２と、これらに対応して
設けられた溝６５との位置合わせを行う以外は第１の実
施形態の液晶パネルの製造方法と同様にしてレーザーカ
ットを行うと、図６に示す所定の大きさの液晶パネル１
０が４枚得られたことになる。このようにして得られた
各液晶パネル１０は、図７に示した本発明の実施形態の
液晶パネル１０である。

【００７７】本実施形態の液晶パネルの製造方法では、
液晶パネル母材１６をレーザーカットする際、液晶パネ
ル母材１６の切断位置に対応する位置の両側の少なくと
も５ｍｍ以下の範囲に設けられた溝（凹部）６４、６５
を有する定盤４０ｂが備えられたレーザ切断装置を用
い、さらに、この定盤４０ｂの上面に液晶パネル母材１
６を載置してレーザーカットする際、切断線Ｙ１、Ｙ２
と溝６４とを位置合わせし、切断線Ｚ１、Ｚ２と溝６５
とを位置合わせしてレーザーカットしているので、液晶
パネル母材１６のレーザー光照射面と反対側の面に接す
る部分で、液晶パネル母材１６の切断位置に対応する位
置の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導
率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）より大幅に小さくなっており、レ
ーザービームスポットにより液晶パネル母材１６の切断
線（切断位置）Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２に沿った部分に
局所的に与えられた熱が逃げにくくなるので、液晶パネ
ル母材１６の切断位置を局所的に十分加熱でき、基板母
材の加熱部分を冷却してクラックを発生させて滑らかな
切断面を得るのに十分な効果が得られ、切断面に亀裂や
歪みがなく、綺麗な切断面を安定して形成でき、また、
衝撃によって切断面近傍からの割れの発生を抑止する効
果があり、歩留まりが向上する。

【００７８】本実施形態のレーザ切断装置によれば、上
記のような溝６４、６５が設けられた定盤４０ｂが備え
られたことにより、この定盤４０ｂに液晶パネル母材１
６を載置してレーザーカットするに際して、液晶パネル
母材１６のレーザー光照射面と反対側の面に接する部分
で、液晶パネル母材１６の切断位置に対応する位置の両
側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率を３
Ｗ／（ｍ・Ｋ）より大幅に小さくすることができるの
で、本実施形態の液晶パネルの製造方法の実施に好適に
用いることができる。

【００７９】［第４の実施形態］本発明に係わる電気光
学装置の製造方法を用いて、図７に示すような構造の液
晶パネル１０を製造する場合の第４の実施形態について
説明する。

【００８０】第４の実施形態の液晶パネルの製造方法
が、上述した第１の実施形態の液晶パネルの製造方法と
異なるところは、図１１に示すレーザ切断装置（本発明
のレーザ切断装置の第４の実施形態）を用いて液晶パネ
ル母材１６をレーザーカットする点である。

【００８１】図１１に示すレーザ切断装置が、図２乃至
図３に示したレーザ切断装置と異なるところは、定盤の
構成が異なる点である。図１１に示すレーザ切断装置に
備えられる定盤４０ｃの上面に液晶パネル母材１６を支
持する多数のピン（支持部材）６６が設けられている。
ピン６６をなす材料としては、ステンレス鋼などの金属
が用いられている。

【００８２】このような定盤４０ｃの多数のピン６６で
液晶パネル母材１６を支持したとき、液晶パネル母材１
６のレーザ照射面と反対側の面と、定盤４０ｃの上面と
の間に空隙部を有している。この空隙部には、空気が存
在しているので、空隙部の熱伝導率は３Ｗ／（ｍ・Ｋ）
より遙かに小さくなっている。

【００８３】なお、この定盤４０ｃは、上記の多数のピ
ン６６で液晶パネル母材１６を支持しているので、図２
乃至図３に示した定盤４０に備えられたような吸着手段
は設けられていない。

【００８４】各ピン６６の先端（液晶パネル母材１６と
接する部分）の面積は、４ｍｍ²以下であることが好ま
しい。ピン６６の先端の面積が４ｍｍ²を越えると、こ
のピン６６が液晶パネル母材１６の切断線（切断位置）
Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２の真下にきたときに、ピン６６
の熱伝導率が大きいために、レーザービームスポットに
より液晶パネル母材１６の切断線（切断位置）Ｙ１、Ｙ
２、Ｚ１、Ｚ２に沿った部分に局所的に与えられた熱が
逃げ易くなるのを防止する効果が低下し、液晶パネル母
材をレーザーカットして得られた端面に歪みなどの不良
が発生する割合が大きくなってしまう。

【００８５】図１１に示すレーザ切断装置を用いて図７
に示すような液晶パネル１０を製造するには、液晶パネ
ル母材１６を定盤４０ｃの上面に設けられた多数のピン
６６に載置して切断線Ｙ１、Ｙ２に沿ってレーザーカッ
トする以外は第１の実施形態の液晶パネルの製造方法と
同様にしてレーザーカットを行い２枚の中型の液晶パネ
ル母材１７を得る。

【００８６】この後、第１の実施形態の液晶パネルの製
造方法と同様にして中型の液晶パネル母材１７の液晶封
入領域に液晶３の注入を行った後、モールド用樹脂を液
晶注入孔２ａに充填し、硬化させて、液晶注入孔２ａを
モールド樹脂で封止する。

【００８７】ついで、得られた中型の液晶パネル母材１
７を反転し、透光性基板母材４ａを上にして定盤４０ｃ
の上面に設けられた多数のピン６６に載置して、切断線
Ｚ１、Ｚ２に沿ってレーザーカットする以外は第１の実
施形態の液晶パネルの製造方法と同様にしてレーザーカ
ットを行うと、図６に示す所定の大きさの液晶パネル１
０が４枚得られたことになる。このようにして得られた
各液晶パネル１０は、図７に示した本発明の実施形態の
液晶パネル１０である。

【００８８】本実施形態の液晶パネルの製造方法では、
液晶パネル母材１６をレーザーカットする際、多数のピ
ン６６が設けられた定盤４０ｃが備えられたレーザ切断
装置を用いてレーザーカットしているので、液晶パネル
母材１６のレーザー光照射面と反対側の面に接する部分
の熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）より大幅に小さくなって
おり、レーザービームスポットにより液晶パネル母材１
６の切断線（切断位置）Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２に沿っ
た部分に局所的に与えられた熱が逃げにくくなるので、
液晶パネル母材１６の切断位置を局所的に十分加熱で
き、基板母材の加熱部分を冷却してクラックを発生させ
て滑らかな切断面を得るのに十分な効果が得られ、切断
面に亀裂や歪みがなく、綺麗な切断面を安定して形成で
き、また、衝撃によって切断面近傍からの割れの発生を
抑止する効果があり、歩留まりが向上する。

【００８９】本実施形態のレーザ切断装置によれば、上
記のような多数のピン６６が設けられた定盤４０ｃが備
えられたことにより、この定盤４０ｃに液晶パネル母材
１６を載置してレーザーカットするに際して、液晶パネ
ル母材１６のレーザー光照射面と反対側の面に接する部
分の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）より大幅に小さくする
ことができるので、本実施形態の液晶パネルの製造方法
の実施に好適に用いることができる。

【００９０】本実施形態のレーザ切断装置においては、
定盤４０ｃに設けられる全てのピン（支持部材）６６の
先端の面積が４ｍｍ²以下である場合について説明した
が、多数のピン６６のうち少なくとも液晶パネル母材１
６の切断位置の下方に設けられたピン（支持部材）６６
の先端（液晶パネル母材１６と接する部分）の面積が４
ｍｍ²以下であればよい。

【００９１】以上、第１乃至第４の実施形態において、
本発明の電気光学装置の製造方法およびこれにより製造
された電気光学装置の好ましい一例を、液晶パネルの製
造方法とこれにより得られた液晶パネルの例を挙げて説
明したが、本発明はこの例のみに限定されるものではな
く、本発明の範囲内で種々に変更することが可能であ
る。

【００９２】第１乃至第４の実施形態として、基板母材
を貼り合わせた後、レーザーカットにより切断している
が、貼り合わせる前の基板母材を切断した後、貼り合わ
せることも可能である。

【００９３】第１乃至第４の実施形態として、ＭＩＭ方
式の液晶表示装置の製造方法とこれにより製造されたＭ
ＩＭ方式の液晶表示装置を示したが、ＭＩＭ方式以外の
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置、例えば、Ｔ
ＦＴ方式の液晶表示装置に対しても適用することができ
るし、あるいは、単純マトリクス方式の液晶表示装置に
対しても適用できる。

【００９４】また、第１乃至第４の実施形態では１枚の
大型の液晶パネル母材１６から４枚の液晶パネル１０を
製造する方法を示したが、本発明は１個の液晶基板領域
を備えた１枚の液晶パネル母材から１枚の液晶パネルを
製造する場合にも適用することができる。

【００９５】［電子機器の例］次に、上記の第１〜第４
の実施形態の製造方法で得られた液晶パネル１０を備え
た電子機器の具体例について説明する。

【００９６】図１２は、投射型表示装置の一例の要部を
示した概略構成図である。

【００９７】図１２において、符号３０は光源、符号３
３、３４はダイクロイックミラー、符号３５、３６、３
７は反射ミラー、符号３８は入射レンズ、符号３９はリ
レーレンズ、符号２０は出射レンズ、符号２２、２３、
２４は液晶光変調装置、符号２５はクロスダイクロイッ
クプリズム、符号２６は投射レンズを示している。

【００９８】光源３０は、メタルハラルドなどのランプ
３１とランプ３１の光を反射するリフレクタ３２とから
なる。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー３３
は、光源３０からの光束のうちの赤色光を透過させると
ともに青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光
は、反射ミラー３７で反射されて、赤色光用液晶光変調
装置２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー３
３で反射された色光のうち緑色光は、緑色光反射のダイ
クロイックミラー３４によって反射され、緑色光用液晶
光変調装置２３に入射される。一方、青色光は、第２の
ダイクロイックミラー３４も透過する。青色光に対して
は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ３
８、リレーレンズ３９、出射レンズ２０を含むリレーレ
ンズ系からなる導光手段２１が設けられ、これを介して
青色光が青色光用液晶光変調装置２４に入射される。

【００９９】各光変調装置により変調された３つの色光
は、クロスダイクロイックプリズム２５に入射する。こ
のプリズムは、４つの直角プリズムが張り合わされ、そ
の内面に赤色を反射する誘電体多層膜と青色を反射する
誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘
電体多層膜によって、３つの色光が合成されて、カラー
画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学
系である投射レンズ２６によってスクリーン上に投射さ
れ、画像が拡大されて表示される。

【０１００】このような投射型表示装置は、上記の液晶
パネル１０を用いた液晶光変調装置２２、２３、２４を
備えたものであるので、液晶光変調装置２２、２３、２
４の強度が優れた投射型表示装置となる。

【０１０１】次に、本発明の電子機器の他の例について
説明する。

【０１０２】図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図
である。

【０１０３】図１３において、符号１０００は携帯電話
本体を示し、符号１００１は上記の液晶パネル１０を用
いた液晶表示部を示している。

【０１０４】図１４は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。

【０１０５】図１４において、符号１１００は時計本体
を示し、符号１００１は上記の液晶パネル１０を用いた
液晶表示部を示している。

【０１０６】図１５は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。

【０１０７】図１５において、符号１２００は情報処理
装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１
２０４は情報処理装置本体、符号１００１は上記の液晶
パネル１０を用いた液晶表示部を示している。

【０１０８】図１３から図１５に示す電子機器は、上記
の液晶パネル１０を用いた液晶表示部を備えたものであ
るので、優れた強度を有するものとなる。

【０１０９】

【実施例】［実験例１］定盤をアルミニウム（熱伝導率
５０Ｗ／（ｍ・Ｋ））から構成した以外は図２および図
３に示したレーザ切断装置と同様の構成のレーザ切断装
置を用い、さらにこのアルミニウム製定盤の上面全面に
板材を敷き、この上に厚さ０．１ｍｍのガラス基板（基
板母材）を載置いてレーザカットする際、上記板材とし
て熱伝導率が異なるものを用いたときの不良率について
調べた。ここでの熱伝導率が異なる板材としては、熱伝
導率が０．６Ｗ／（ｍ・Ｋ）の紙製シート、熱伝導率が
２．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の木質板、熱伝導率が２．７Ｗ／
（ｍ・Ｋ）のナイロンシート、熱伝導率が３．２Ｗ／
（ｍ・Ｋ）のポリエチレンシートを用いた。ここでの不
良率は、ガラス基板をレーザーカットして得られた切断
面を目視で調べたときに歪みや亀裂が認められるもの
や、切断できなかったものを不良としたときの発生割合
である。結果を図１６に示す。

【０１１０】図１６に示した結果からガラス基板の下面
（レーザー光照射面と反対側の面）に接触する部分（板
材）の熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）を越えると切断面に
不良が生じる割合が高くなっていることがわかる。な
お、アルミニウム製定盤の上面に、板材を敷かずに直接
ガラス基板を載置してレーザーカットしたときの不良率
は、８０％を越えるものであった。これらの結果からガ
ラス基板（基板母材）をレーザーカットする際、ガラス
基板のレーザー光照射面と反対側の面に接触する部分の
熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下とすれば、切断面に歪
みが生じるなどの切断不良を防止でき、歩留まりを向上
するのに有効であることがわかる。

【０１１１】［実験例２］定盤をアルミニウム（熱伝導
率５０Ｗ／（ｍ・Ｋ））から構成した以外は図２および
図３に示したレーザ切断装置と同様の構成のレーザ切断
装置を用い、さらにこのアルミニウム製定盤の上面全面
に板材を敷き、この上にガラス基板（基板母材）を載置
いてレーザカットする際、上記板材として熱伝導率が異
なるものを用いたときのガラス基板の厚みと不良率につ
いて調べた。ここでの熱伝導率が異なる板材としては、
熱伝導率が２．７Ｗ／（ｍ・Ｋ）のナイロンシート、熱
伝導率が３．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）のポリエチレンシートを
用いた。ここでの不良率は、ガラス基板をレーザーカッ
トして得られた切断面を目視で調べたときに歪みや亀裂
が認められるものや、切断できなかったものを不良とし
たときの発生割合である。結果を図１７に示す。

【０１１２】図１７に示した結果から定盤の上面に熱伝
導率が３．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）のポリエチレンシートを敷
いた場合、ガラス基板の厚みが０．５ｍｍより小さくな
ると、切断面に不良が発生しており、すなわち、ガラス
基板の厚みが０．５ｍｍ以上でないと不良が発生してし
まう。

【０１１３】これに対して定盤の上面に熱伝導率が２．
７Ｗ／（ｍ・Ｋ）のナイロンシートを敷いた場合、ガラ
ス基板の厚みが０．２ｍｍより薄くなると不良が発生し
ており、すなわち、ガラス基板の厚みが０．２ｍｍ以上
であれば切断面に不良がないことがわかる。液晶パネル
製造用の基板母材の厚みは、通常、０．１〜０．７ｍｍ
の範囲のものであるので、ガラス基板（基板母材）をレ
ーザーカットする際、ガラス基板のレーザー光照射面と
反対側の面に接触する部分の熱伝導率を２．７Ｗ／（ｍ
・Ｋ）とすれば、切断面に歪みが生じるなどの切断不良
を防止でき、滑らかな切断面を安定して形成するのに有
効であることがわかる。

【０１１４】また、これらの結果より、ガラス基板（基
板母材）をレーザーカットする際、ガラス基板のレーザ
ー光照射面と反対側の面に接触する部分の熱伝導率が
３．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であれば、切断面に不良がな
く、滑らかな切断面を安定して形成するのに有効である
と考えられる。

【０１１５】［実験例３］図９に示したレーザ切断装置
と同様の構成のレーザ切断装置を用い、定盤の上面に厚
さ０．１ｍｍのガラス基板（基板母材）を載置いてレー
ザカットする際、ガラス基板（基板母材）のレーザー光
照射面と反対側の面に接する部分で、ガラス基板（基板
母材）の切断位置に対応する位置Ｚ１’の両側一定距離
ｄ間の低熱伝導部として熱伝導率が異なるものを用いた
ときのその距離ｄと不良率について調べた。ここでの熱
伝導率が異なる低熱伝導部の材料としては、熱伝導率が
２．７Ｗ／（ｍ・Ｋ）のナイロン、熱伝導率が３．２Ｗ
／（ｍ・Ｋ）のポリエチレンを用いた。ここでの不良率
は、ガラス基板をレーザーカットして得られた切断面を
目視で調べたときに歪みや亀裂が認められるものや、切
断できなかったものを不良としたときの発生割合であ
る。結果を図１８に示す。

【０１１６】図１８に示した結果から定盤の低熱伝導部
を熱伝導率が３．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）のポリエチレンから
構成した場合、ガラス基板の切断位置に対応する位置の
両側一定距離ｄが６ｍｍより小さくなると、不良率が急
激に高くなっている。

【０１１７】これに対して定盤の低熱伝導部を熱伝導率
が２．７Ｗ／（ｍ・Ｋ）のナイロンから構成した場合、
ガラス基板の切断位置に対応する位置の両側一定距離ｄ
が５ｍｍより小さくなると、不良率が高くなっており、
すなわち、上記距離ｄが５ｍｍ以上であれば切断面に不
良がなく、滑らかな切断面を安定して形成するのに有効
であることがわかる。

【０１１８】これらの結果より、定盤の低熱伝導部を熱
伝導率が３．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の場合、ガラス基板の切
断位置に対応する位置の両側一定距離ｄが少なくとも５
ｍｍあれば、切断面に不良がなく、滑らかな切断面を安
定して形成するのに有効であると考えられる。

【０１１９】［実験例４］図１０に示したレーザ切断装
置と同様の構成のレーザ切断装置を用い、定盤の上面に
厚さ０．１ｍｍのガラス基板（基板母材）を載置いてレ
ーザカットする際、ガラス基板（基板母材）のレーザー
光照射面と反対側の面に接する部分で、ガラス基板（基
板母材）の切断位置に対応する位置Ｚ１’の両側一定距
離ｄ間に溝（空気層）を形成したときのその距離ｄと不
良率について調べた。ここでの不良率は、ガラス基板を
レーザーカットして得られた切断面を目視で調べたとき
に歪みや亀裂が認められるものや、切断できなかったも
のを不良としたときの発生割合である。

【０１２０】その結果、ガラス基板の切断位置に対応す
る位置の両側一定距離ｄ間に溝を設ける場合、上記距離
ｄが５ｍｍより小さくなると、不良率が高くなってお
り、すなわち、上記距離ｄが５ｍｍ以上であれば切断面
に不良がなく、滑らかな切断面を安定して形成するのに
有効であることがわかった。

【０１２１】［実験例５］図１１に示したレーザ切断装
置と同様の構成のレーザ切断装置を用い、定盤の上面に
設けたステンレス製ピン上に厚さ０．１ｍｍのガラス基
板（基板母材）を載置いてレーザーカットする際、ガラ
ス基板の切断位置の直下に位置するピンの先端の断面積
（ガラス基板との接触面積）を変更したときの接触面積
と不良率について調べた。ここでの不良率は、ガラス基
板をレーザーカットして得られた切断面を目視で調べた
ときに歪みや亀裂が認められるものや、切断できなかっ
たものを不良としたときの発生割合である。結果を図１
９に示す。

【０１２２】図１９に示した結果からピンのガラス基板
との接触面積が４ｍｍ²を越えると不良率が高くなって
いることがわかる。

【０１２３】このことから定盤に設けられたピンにガラ
ス基板を置いてレーザーカットする際、ガラス基板の切
断位置の直下にくるピンのガラス基板と接触する部分の
面積を４ｍｍ²以下とすれば、不良率が約０．２％以下
と小さく、滑らかな切断面を安定して形成するのにより
有効であることがわかる。

【０１２４】［実験例６］上記実施例１から５では、１
枚の基板母材を用いているが、一対の基板母材を貼り合
わせた状態でも同様な結果が得られる。

【０１２５】また、本発明の基板の切断方法は、液晶パ
ネルに用いられる基板の切断に限らず、脆性基板一般の
切断に効果があり。また液晶パネル同様脆性基板を用い
た有機ＥＬ、ＦＥＤ等の表示装置の基板母材切断にも有
効である。

【０１２６】

【発明の効果】以上説明したように本発明の電気光学装
置の製造方法にあっては、基板母材をレーザーカットす
る際、上記基板母材のレーザー光照射面と反対側の面に
接する部分で、基板母材の切断位置に対応する位置の両
側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率を３
Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下にすることにより、レーザー光によ
る基板母材の加熱部分と反対側の面に接する部分の熱伝
導率が小さくなり、レーザー光により基板母材に与えら
れた熱が逃げにくくなるので、基板母材の切断位置を局
所的に十分加熱でき、基板母材の加熱部分を冷却してク
ラックを発生させて滑らかな切断面を得るのに十分な効
果が得られ、切断面に歪みが生じるなどの切断不良を防
止でき、滑らかな切断面を安定して形成でき、歩留まり
が向上する。

【０１２７】本発明のレーザ切断装置にあっては、基板
母材のレーザー光照射面と反対側の面に接する部分で、
基板母材の切断位置に対応する位置の両側の少なくとも
５ｍｍ以下の範囲の定盤の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）
以下としたことにより、一対の基板母材を定盤に載置し
てレーザーカットする際に、レーザー光による基板母材
の加熱部分と反対側の面に接する定盤の部分の熱伝導率
が小さくなり、レーザー光により基板母材に与えられた
熱が逃げにくくなるので、基板母材を局所的に十分加熱
でき、基板母材の加熱部分を冷却してクラックを発生さ
せて滑らかな切断面を得るのに十分な効果が得られ、切
断面に歪みが生じるなどの切断不良を防止でき、滑らか
な切断面を安定して形成でき、歩留まりが向上する。従
って、本発明のレーザ切断装置は、本発明の電気光学装
置の製造方法の実施に好適に用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係わる液晶パネルの製造方法の一工
程を示した斜視図である。

【図２】 本発明に係わるレーザー切断装置の一実施形
態を示した斜視図である。

【図３】 図２のIII−III線断面図である。

【図４】 本発明に係わる液晶パネルの製造方法の他の
一工程を示した斜視図である。

【図５】 本発明に係わる液晶パネルの製造方法のさら
に他の一工程を示した斜視図である。

【図６】 本発明に係わる液晶パネルの製造方法により
製造された液晶パネルの一例を示した概略斜視図であ
る。

【図７】 本発明に係わるＭＩＭ方式の液晶パネルの一
例を示した概略斜視図である。

【図８】 従来のスクライブ法により切断したガラス基
板の切断面と、本発明に係わるレーザ切断装置を用いる
レーザーカットによるガラス基板の切断面の表面粗さを
比較した結果を示すグラフである。

【図９】 本発明に係わるレーザー切断装置の他の実施
形態を示した斜視図である。

【図１０】 本発明に係わるレーザー切断装置のさらに
他の実施形態を示した斜視図である。

【図１１】 本発明に係わるレーザー切断装置のさらに
他の実施形態を示した斜視図である。

【図１２】 本発明の電子機器の一例として、投射型表
示装置の一例の要部を示した概略構成図である。

【図１３】 本発明の電子機器の一例として、携帯電話
の一例を示した斜視図である。

【図１４】 本発明の電子機器の一例として、腕時計型
電子機器の一例を示した斜視図である。

【図１５】 本発明の電子機器の一例として、携帯型情
報処理装置の一例を示した斜視図である。

【図１６】 アルミニウム製定盤を備えたレーザ切断装
置を用いてガラス基板をレーザーカットする際、定盤の
上面に敷いた部材の熱伝導率と不良率との関係を示すグ
ラフである。

【図１７】 アルミニウム製定盤を備えたレーザ切断装
置を用いてガラス基板をレーザーカットする際、定盤の
上面に敷いた部材の熱伝導率が異なるものを用いたとき
のガラス基板厚と不良率との関係を示すグラフである。

【図１８】 レーザ切断装置を用いてガラス基板をレー
ザーカットする際、ガラス基板のレーザー光照射面と反
対側の面に接する部分で、ガラス基板の切断位置に対応
する位置の両側一定距離ｄ間の低熱伝導部として熱伝導
率が異なるものを用いたときの距離ｄと不良率との関係
を示すグラフである。

【図１９】 図１１のレーザー切断装置を用いてガラス
基板をレーザーカットする際、ガラス基板の切断位置の
直下に位置するピンのガラス基板との接触面積を変更し
たときの接触面積と不良率との関係を示すグラフであ
る。

【図２０】 従来の基板の切断方法の一工程を説明する
ための図である。

【図２１】 従来の基板の切断方法の他の一工程を説明
するための図である。

【図２２】 従来の液晶パネルの一例を示した概略斜視
図である。

【符号の説明】

１ａ、１ｂ 透光性液晶基板（液晶基板領域） ２ シール材 ２ａ 開口（液晶注入孔） ３ 液晶 ４ａ、４ｂ 透光性基板母材 １０ 液晶パネル １１ 透光性電極 １２ 配線 １３ ＭＩＭ素子 １４ 透光性画素電極 １６ 液晶パネル母材 １７ 液晶パネル母材 ２０ 出射レンズ ２１ 導光手段 ２２、２３、２４ 液晶光変調装置 ２５ クロスダイクロイックプリズム ２６ 投射レンズ ３０ 光源 ３１ ランプ ３２ リフレクタ ３３、３４ ダイクロイックミラー ３５、３６、３７ 反射ミラー ３８ 入射レンズ ３９ リレーレンズ ４０、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ 定盤 ４５ 吸着用孔 ４６ 排気路 ４７ 排気管 ４７ａ 真空排気源 ４８ シール部材 ５０ レーザー出射手段 ５６ 冷却手段 ６０、６１ 低熱伝導部 ６４、６５ 溝（凹部） ６６ ピン（支持部材） １０００ 携帯電話本体 １００１ 液晶表示部 １１００ 時計本体 １２００ 情報処理装置 １２０２ 入力部 １２０４ 情報処理装置本体 Ｙ１、Ｙ２ 切断線 Ｚ１、Ｚ２ 切断線

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA06 FA07 FA16 FA17 FA24 FA30 HA08 HA13 HA23 HA24 KA30 MA16 2H090 JB02 JC01 JC13 LA04 LA11 LA12 LA16 4E068 AE00 CB06 DA11 DB14 4G015 FA06 FB02 FC02 FC11 FC14

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板にレーザー光を照射して該基板表面
   を加熱するとともに該基板の加熱部分を冷却することで
   クラックを成長させて該基板を切断する基板の切断方法
   であって、前記基板の前記レーザー光が照射される面と
   反対側の面に接する部分で、該基板の前記切断位置に対
   応する位置の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分
   の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下にすること特徴とす
   る基板の切断方法。
2. 【請求項２】 それぞれが複数個あるいは単数の基板領
   域を含む一対の基板母材を互いに対向するように貼り合
   わせる工程と、対向するに至った対をなす複数個あるい
   は単数の基板領域間に電気光学材料を封入する工程と、
   前記一対の基板母材に対して個々の基板領域の外周縁に
   沿って基板母材を切断する工程を含む電気光学装置の製
   造方法であって、 前記基板母材を切断する工程は、前記一対の基板母材に
   対して基板領域の外周縁に沿ってレーザー光を照射して
   基板母材を加熱するとともに該基板母材の加熱部分を冷
   却してクラックを成長させて基板母材をレーザーカット
   する際、前記基板母材のレーザー光照射面と反対側の面
   に接する部分で、基板母材の切断位置に対応する位置の
   両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率を
   ３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下にすること特徴とする電気光学装
   置の製造方法。
3. 【請求項３】 １枚の基板もしくは対向するに至った対
   をなす複数個あるいは単数の基板領域間に電気光学材料
   が封入された一対の基板母材に対して個々の基板領域の
   外周縁に沿って基板母材をレーザーカットするレーザ切
   断装置装置であって、 １枚の基板もしくは一対の基板母材が載置される定盤
   と、該定盤に載置された１枚の基板もしくは一対の基板
   母材表面にレーザー光を照射するレーザー出射手段と、
   前記１枚の基板もしくは前記一対の基板母材のレーザー
   光による加熱部分を冷却する冷却手段とが備えられてな
   り、前記定盤は、前記１枚の基板もしくは前記基板母材
   のレーザー光照射面と反対側の面に接する部分で、前記
   １枚の基板もしくは基板母材の切断位置に対応する位置
   の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率
   が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であることを特徴とするレーザ
   切断装置。
4. 【請求項４】 前記定盤全体の熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・
   Ｋ）以下であることを特徴とする請求項３記載のレーザ
   切断装置。
5. 【請求項５】 前記定盤には、前記１枚の基板もしくは
   前記基板母材のレーザー光照射面と反対側の面に接する
   部分で、１枚の基板もしくは基板母材の切断位置に対応
   する位置の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分
   に、熱伝導率が３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の低熱伝導部が設
   けられたことを特徴とする請求項３記載のレーザ切断装
   置。
6. 【請求項６】 前記定盤には、前記１枚の基板もしくは
   前記基板母材のレーザー光照射面と反対側の面に接する
   部分で、１枚の基板もしくは基板母材の切断位置に対応
   する位置の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分
   に、凹部が設けられたことを特徴とする請求項３記載の
   レーザ切断装置。
7. 【請求項７】 １枚の基板もしくは対向するに至った対
   をなす複数個あるいは単数の基板領域間に電気光学材料
   が封入された一対の基板母材に対して個々の基板領域の
   外周縁に沿って基板母材をレーザーカットするレーザ切
   断装置装置であって、 １枚の基板もしくは一対の基板母材が載置される定盤
   と、該定盤に載置された１枚の基板もしくは一対の基板
   母材表面にレーザー光を照射するレーザー出射手段と、
   前記１枚の基板もしくは前記一対の基板母材のレーザー
   光による加熱部分を冷却する冷却手段とが備えられてな
   り、前記定盤に、前記１枚の基板もしくは前記一対の基
   板母材をそのレーザー光照射面と反対側の面と前記定盤
   との間に隙間を隔てて支持する支持部材が設けられたこ
   とを特徴とするレーザ切断装置。
8. 【請求項８】 前記支持部材のうち少なくとも前記１枚
   の基板もしくは前記基板母材の切断位置の下方に設けら
   れた支持部材の１枚の基板もしくは基板母材と接触する
   部分の面積が４ｍｍ²以下であることを特徴とする請求
   項７記載のレーザ切断装置。
9. 【請求項９】 互いに対向する２枚の基板間に電気光学
   材料を有する電気光学装置であって、請求項２に記載の
   電気光学装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴
   とする電気光学装置。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の電気光学装置を備え
    たことを特徴とする電子機器。