JP2002224870A

JP2002224870A - レーザ切断方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器

Info

Publication number: JP2002224870A
Application number: JP2001023345A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Takei; 厚武居
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-01-31
Filing date: 2001-01-31
Publication date: 2002-08-13

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶パネルに用いるガラス基板などといった
パネル状ワークを高い精度で、かつ、効率よく切断する
ことのできるレーザ切断方法、このレーザ切断方法を利
用した電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および
電子機器を提案すること。【解決手段】電気光学装置を製造するにあたって、２
枚の大型基板１００、２００を重ねて貼り合わせた大型
パネル３００の表面側および裏面側の双方にレーザ光Ｌ
１、Ｌ２を照射して短冊状パネルに切断する。この際、
大型基板１００、２００には、切断予定線３０１に沿っ
て集熱パターン４５、５５をそれぞれ形成しておく。こ
の集熱パターン４５、５５は、熱伝導性が高いので、集
熱パターン４５、５５に向けてレーザ光を照射すれば、
大型パネル３００を切断予定線３０１に沿って精度よく
切断することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パネル状ワークを
レーザ光を用いて切断するためのレーザ切断方法、この
レーザ切断方法を利用した電気光学装置の製造方法、電
気光学装置、および電子機器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電機、携帯型コンピュータ、
ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶
装置などといった電気光学装置が広く用いられている。
液晶装置では、２枚の基板をシール材によって重ねて貼
り合わせて空セルと称せられる空のパネルを構成した
後、シール材で区画された領域内に電気光学物質として
の液晶が封入される。

【０００３】このような液晶装置に用いるパネルは、個
々のパネルに対応した２枚の基板を一枚ずつ形成して貼
り合わせる場合もあるが、小型の液晶装置を製造する場
合には特に、複数のパネルを形成できる大型基板（元基
板）に対して複数の液晶装置分の配線パターンを形成す
るなど、製造工程の途中までは、大型基板のままで処理
を行い、その後、大型基板を個々の基板に切断、分割す
ることが多い。また、２枚の大型基板を重ねて貼り合わ
せて大型パネルとした後、この大型パネルを個々のパネ
ルサイズに切断することもある。

【０００４】このような切断は、従来、２枚の基板を貼
り合わせたパネルの表面にダイヤモンドチップなどによ
りスクライブラインを形成した後、パネルを裏返し、パ
ネルの裏面側からパネルに対してブレーク用の冶具（例
えば、ゴムローラ）により曲げ応力を加え、この応力に
よって切断する。

【０００５】しかしながら、この切断方法では、スクラ
イブによって生じたパネル断面のマイクロクラックの制
御ができない為、切断が不安定となる。また、マイクロ
クラックからの多数のチッピングがパネル断面から発生
する。このようなチッピングが多数、発生すると、パネ
ル強度を弱めるとともに、その破片を除去するための洗
浄を行わなければならないという問題点がある。また、
接触式であるため、ゴムローラに異物が付着している
と、パネルに傷を付けてしまうおそれがある。

【０００６】一方、特開平１１−１０４８６９号公報な
どにおいては、ガラス基板を切断する方法としてレーザ
光を利用する方法が提案されている。この方法によれ
ば、レーザ光が照射された領域が温度上昇して、その温
度勾配に起因して発生する熱応力が増大し、基板に亀裂
が厚さ方向に発生して基板が割れる。また、非接触で切
断を行うので、基板に傷を付けるおそれがない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】電気光学装置などを製
造する際には、基板を高い精度で切断する必要があり、
ここに、本願発明者は、このような要求に対応可能なレ
ーザ切断方法を提案するものである。

【０００８】また、特開平１１−１０４８６９号に開示
に切断方法は、あくまで一枚のガラス基板を切断するこ
とを前提にしており、これに開示の方法により、２枚の
ガラス基板を貼り合わせたパネルを切断しようとする
と、以下のような問題が発生する。まず、ガラス基板
は、光吸収率が高いため、レーザ光を上側から照射した
とき、上側のガラス基板は加熱されるが、下側のガラス
基板は加熱されない。それ故、熱応力は、上側のガラス
基板のみに働き、下側のガラス基板に働かない。また、
上下のガラス板は、シール材により連結されており、上
側のガラス板が割れようとしても、下側のガラス基板
は、割れを抑えるように働いて、１枚の基板と同一条件
で切断を行えないという問題点がある。さらに、熱エネ
ルギーを増大させると、上側のガラス基板が割れようと
する力が増大するが、下側のガラス基板は、その力をシ
ール材を介して受けるだけである。従って、このような
力によって、下側のガラス基板が割れるとしても、その
力は、パネルの構造やシール材の接着状態等に依存し、
再現性に乏しいという問題点がある。

【０００９】そこで、本願出願人は、２枚の基板を重ね
て貼り合わせたパネルの両面の各々にレーザ光を照射し
て切断する方法を案出し、特願２０００−２８４８９６
号として特許出願しているが、さらに本願出願人は、２
枚の基板を重ねて貼り合わせたパネルについても、高い
精度で切断可能なレーザ切断方法を提案するものであ
る。

【００１０】よって、本発明の課題は、液晶パネルに用
いるガラス基板などといったパネル状ワークを高い精度
で、かつ、効率よく切断することのできるレーザ切断方
法、このレーザ切断方法を利用した電気光学装置の製造
方法、電気光学装置、および電子機器を提案することに
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、パネル状ワークにレーザ光を照射して
当該パネル状ワークを切断するレーザ切断方法におい
て、前記パネル状ワークの切断予定線上に、当該パネル
状ワークの基体よりも熱伝導性の高い集熱パターンを形
成しておき、該集熱パターンに向けてレーザ光を照射す
ることにより前記パネル状ワークを切断することを特徴
とする。

【００１２】本発明において、パネル状ワークにレーザ
光を照射すると、レーザ光が照射された領域が温度上昇
して、その温度勾配に起因して大きな熱応力が発生し、
パネル状ワークに亀裂が厚さ方向に入ってパネル状ワー
クが割れる。ここで、本発明では、パネル状ワークには
切断予定線上に集熱パターンが形成され、レーザ光の光
束中心と切断予定線とが完全一致していなくても、レー
ザ光の照射による加熱は、集熱パターンに集中する。し
かも、集熱パターンは、半導体プロセスなどを利用して
切断予定線上に高い位置精度をもって形成できる。それ
故、パネル状ワークを切断予定線に沿って高い精度で切
断でき、かつ、その再現性も極めて高い。さらに、本発
明では、非接触で切断を行うので、基板に傷を付けるお
それがない。

【００１３】本発明において、前記パネル状ワークは、
２枚の基板を重ねて貼り合わされてなることがある。こ
のようなパネル状ワークを切断する際には、前記２枚の
基板の双方に当該パネル状ワークの切断予定線上に前記
集熱パターンを形成しておき、該集熱パターンに向けて
前記パネル状ワークの表面側および裏面側の双方にレー
ザ光を同時に照射して前記２枚の基板を同時に切断す
る。２枚の基板を重ねて貼り合わせたパネル状ワークに
表面側および裏面側の双方にレーザ光を照射すると、各
基板においてレーザ光が照射された領域が温度上昇し
て、その温度勾配に起因して大きな熱応力が発生し、各
基板に亀裂が厚さ方向に入ってパネル状ワークが割れ
る。このため、２枚の基板を重ねて貼り合わされたパネ
ル状ワークであっても、切断精度が高く、かつ、その再
現性に優れている。

【００１４】本発明において、前記集熱パターンは、前
記パネル状ワークの表面に形成された他の構成要素と同
一組成の膜からなることが好ましい。このように構成す
ると、パネル状ワークの表面に他の構成要素を形成する
際、集熱パターンを同時に形成することができる。従っ
て、新たな工程を追加してパネル状ワークに集熱パター
ンを形成する必要がないので、生産性が低下しない。

【００１５】本発明に係るレーザ切断方法は、電気光学
装置を製造するのに利用することができる。この場合、
電気光学物質を保持するための基板を前記パネル状ワー
クとして、あるいは、電気光学物質を保持するために２
枚の基板を重ねて貼り合わせてなるパネルを前記パネル
状ワークとして切断する。

【００１６】本発明において、前記集熱パターンは、前
記基板に形成された駆動素子を構成する薄膜、あるいは
前記基板に形成された電極のいずれかと同時形成されて
なることが好ましい。すなわち、パッシブマトリクス型
の液晶装置であれば、ＩＴＯ膜（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ
Ｏｘｉｄｅ／透明導電膜）によって電極パターンを形
成するとき、同じＩＴＯ膜によって集熱パターンを形成
することが好ましい。また、ＴＦＴアクティブマトリク
ス型、あるいはＴＦＤアクティブマトリクス型の液晶装
置であれば、ＴＦＴあるいはＴＦＤを構成する各薄膜、
データ線、走査線などを薄膜によって構成する際に、こ
の薄膜によって集熱パターンを形成することが好まし
い。このように構成した場合には、新たな工程を追加し
てパネル状ワークに集熱パターンを形成する必要がない
ので、生産性が低下しない。また、このような薄膜は、
成膜工程、およびフォトリソグラフィ技術を利用したパ
ターニング工程によって所定のパターンに形成されるの
で、これらのパターンと集熱パターンとを同時に形成す
れば、集熱パターンを任意のパターンに高い精度で形成
することができる。

【００１７】本発明において、前記基板は、例えばガラ
ス基板である。

【００１８】本発明において、前記電気光学物質は、例
えば液晶である。

【００１９】本発明に係る方法を利用して製造した電気
光学装置は、例えば、電子機器の表示部として利用され
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下の説明では、本発明に係る
レーザ切断方法を、パッシブマトリクス型の電気光学装
置の製造方法に適用した例を説明する。

【００２１】（全体構成）図１および図２はそれぞれ、
本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜
視図である。図３は、本発明を適用した電気光学装置を
図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ側の端部の断面図
である。なお、図１および図２には、電極パターンおよ
び端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の電
気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が形成
されている。

【００２２】図１および図２において、本形態の電気光
学装置１は、携帯電話などの電子機器に搭載されている
パッシブマトリクスタイプの液晶表示装置である。この
電気光学装置１に用いた液晶パネル１′では、所定の間
隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形の
ガラス基板からなる一対の透明基板１０、２０間にシー
ル材３０によって液晶封入領域３５が区画されていると
ともに、この液晶封入領域３５内に電気光学物質として
の液晶が封入されている。

【００２３】ここに示す電気光学装置１は透過型の例で
あり、第２の透明基板２０の外側表面に偏光板６１が貼
られ、第１の透明基板１０の外側表面にも偏光板６２が
貼られている。また、第２の透明基板２０の外側にはバ
ックライト装置９が配置されている。

【００２４】第１の透明基板１０には、図３に示すよう
に、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０
との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、
これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に絶
縁性の平坦化膜１３、第１の電極パターン４０および配
向膜１２がこの順に形成されている。これに対して、第
２の透明基板２０には、第２の電極パターン５０、オー
バーコート膜２９、および配向膜２２がこの順に形成さ
れている。

【００２５】本形態の電気光学装置１において、第１の
電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいず
れも、ＩＴＯ膜に代表される透明電極膜によって形成さ
れている。ここで、第２の電極パターン５０の下に絶縁
膜を介し、パターニングされた薄いアルミニウム膜など
といった半透過・半反射性のを形成すれば、半透過・半
反射型の電気光学装置１を構成できる。また、外部表面
の偏向板６１の外部に半透過反射板をラミネートするこ
とでも可能である。また、第２の電極パターン５０の下
に形成された反射層を厚いアルミニウム膜などといった
反射性の膜で形成すれば、反射型の電気光学装置１を構
成でき、この場合には、第２の透明基板２０の裏面側か
らバックライト装置９を省略すればよい。

【００２６】（集熱パターンの構成）本形態の電気光学
装置１に用いた液晶パネル１′は、図４、図５および図
６（Ａ）を参照して後述するように、複数枚分の第１の
透明基板１０および第２の透明基板２０を各々形成でき
る大型基板１００、２００に対して各電極パターン４
０、５０などを形成した後、大型基板１００、２００の
状態のまま貼り合わせて大型パネル３００とし、しかる
後に、この大型パネル３００をレーザ照射によって個々
のパネルサイズに切断したものである。従って、液晶パ
ネル１′において、その端縁は大型パネル３００に対す
る切断箇所であり、本形態の液晶パネル１′では、第１
の透明基板１０および第２の透明基板２０の各々の端縁
には、大型パネル３００から液晶パネル１′を切り出す
ときにその切断位置を制御する集熱パターン４５、５５
が形成されている。従って、集熱パターン４５、５５
は、図５を参照して後述するように、大型パネル３００
に対する切断予定線３０１、４０１に沿って、大型基板
１００、２００の各々に形成されている。

【００２７】集熱パターン４５、５５は、第１の透明基
板１０（大型基板１００）、および第１の透明基板２０
（大型基板２００）の基体であるガラスよりも熱伝導性
が高ければよい。従って、本形態では、第１の透明基板
１０および第２の透明基板２０に対して半導体プロセス
を利用してＩＴＯ膜からなる電極パターン４０、５０を
それぞれ形成する際に、集熱パターン４５、５５をＩＴ
Ｏ膜から同時形成したものである。

【００２８】ここで、集熱パターン４５、５５をＩＴＯ
膜などの導線膜から形成した場合、図１および図２に示
す第２の透明基板２０の基板辺２０１において端子同士
が集熱パターン４５、５５によって短絡しないようにす
るには、例えば、端子８１、８２を第２の透明基板２０
の縁からやや内側領域に形成した構成、あるいは、端子
８１、８２が形成されている側の基板辺２０１について
は集熱パターン４５、５５の形成を省略した構成を採用
すればよい。

【００２９】（電極パターンおよび端子の構成）再び図
１および図２において、本形態の電気光学装置１では、
外部からの信号入力および基板間の導通のいずれを行う
にも、第１の透明基板１０および第２の透明基板２０の
同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近におい
て第１の透明基板１０および第２の透明基板２０のそれ
ぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第
２の端子形成領域２１が用いられる。従って、第２の透
明基板２０としては、第１の透明基板１０よりも大きな
基板が用いられ、第１の透明基板１０と第２の透明基板
２０とを貼り合わせたときに第１の透明基板１０の基板
辺１０１から第２の透明基板２０が張り出す部分２５を
利用して、駆動用ＩＣ７をＣＯＦ実装したフレキシブル
基板９０の接続などが行われる。

【００３０】このため、第２の透明基板２０において、
第２の端子形成領域２１は、基板辺２０１に近い部分が
第１の透明基板１０から張り出した部分２５に形成さ
れ、この基板辺２０１に近い端子形成領域部分の表面は
開放状態にある。これに対して、第２の透明基板２０に
おいて、第２の端子形成領域２１の液晶封入領域３５の
側に位置する部分は、第１の透明基板１０の側との基板
間導通用に用いられるので、この第２の端子形成領域２
１のうち、液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第
１の透明基板１０との重なり部分に形成されている。

【００３１】また、第１の透明基板１０において、第１
の端子形成領域１１は、第２の透明基板２０の側との基
板間導通に用いられるので、第２の透明基板２０との重
なり部分に形成されている。

【００３２】このような接続構造を構成するにあたっ
て、本形態では、第１の透明基板１０において、第１の
端子形成領域１１は第１の透明基板１０の基板辺１０１
の中央部分に沿って形成され、この第１の端子形成領域
１１では、基板辺１０１に沿って複数の第１の基板間導
通用端子６０が所定の間隔をもって並んでいる。また、
第１の透明基板１０では、第１の基板間導通用端子６０
から対向する基板辺１０２に向かって複数列の液晶駆動
用の第１の電極パターン４０が両側に斜めに延びた後、
液晶封入領域３５内で基板辺１０１、１０２に直交する
方向に延びている。

【００３３】第２の透明基板２０において、第２の端子
形成領域２１も基板辺２０１に沿って形成されている
が、この第２の端子形成領域２１は、基板辺２０１の両
端を除く比較的広い範囲にわたって形成されている。第
２の端子形成領域２１には、その中央領域で基板辺２０
１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第１の外部入
力用端子８１、およびこれらの第１の外部入力用端子８
１が形成されている領域の両側２箇所で基板辺２０１に
沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第２の外部入力用
端子８２が形成されている。

【００３４】また、第１の外部入力用端子８１からは、
第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを貼り合わ
せたときに第１の基板間導通用端子６０と重なる複数の
第２の基板間導通用端子７０が基板辺２０２に向かって
直線的に延びている。

【００３５】さらに、第２の透明基板２０において、第
２の外部入力用端子８２からは、第１の透明基板１０と
第２の透明基板２０とを貼り合わせたときに第１の電極
パターン４０の形成領域の両側に相当する領域を回り込
むように複数列の液晶駆動用の第２の電極パターン５０
が形成され、これらの第２の電極パターン５０は、液晶
封入領域３５内において第１の電極パターン４０と交差
するように延びている。

【００３６】このように構成した第１の透明基板１０お
よび第２の透明基板２０を用いて電気光学装置１を構成
するにあたって、本形態では、第１の透明基板１０と第
２の透明基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせ
る際に、シール材３０にギャップ材および導通材を配合
しておくとともに、シール材３０を第１の基板間導通用
端子６０および第２の基板間導通用端子７０が重なる領
域に形成する。ここで、シール材３０に含まれる導電材
は、たとえば、弾性変形可能なプラスチックビーズの表
面にめっきを施した粒子であり、その粒径は、シール材
３０に含まれるギャップ材の粒径よりもわずかに大き
い。それ故、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０
とを重ねた状態でその間隙を狭めるような力を加えなが
らシール材３０を溶融、硬化させると、導電材は、第１
の透明基板１０と第２の透明基板２０との間で押し潰さ
れた状態で第１の基板間導通用端子６０と第２の基板間
導通用端子７０とを導通させる。

【００３７】また、第１の透明基板１０と第２の透明基
板２０とをシール材３０を介して貼り合わせると、第１
の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交差
部分によって画素がマトリクス状に形成される。このた
め、第２の透明基板２０の第２の端子形成領域２１の基
板辺２０１側の端部に対してフレキシブル基板９０を異
方性導電材などを用いて実装した後、このフレキシブル
基板９０を介して第２の透明基板２０の第１の外部入力
用端子８１および第２の外部入力用端子８２に信号入力
すると、第２の透明基板２０に形成されている第２の電
極パターン５０には第２の外部入力用端子８２を介して
走査信号を直接、印加することができ、かつ、第１の透
明基板１０に形成されている第１の電極パターン４０に
は、第１の外部入力用端子８１、第２の基板間導通用端
子７０、導通材および第１の基板間導通用端子６０を介
して画像データを信号入力することができる。よって、
これらの画像データおよび走査信号によって、各画素５
において第１の電極パターン４０と第２の電極パターン
５０との間に位置する液晶の配向状態を制御することが
できるので、所定の画像を表示することができる。

【００３８】（電気光学装置１の製造方法）図４および
図５はそれぞれ、電気光学装置１の製造方法を示す工程
図、および説明図である。図６（Ａ）は、電気光学装置
１の製造工程において大型パネル３００を切断する様子
を示す説明図である。

【００３９】本形態の電気光学装置１を製造するにあた
って、第１の透明基板１０および第２の透明基板２０は
いずれも、図４および図５に示す工程（Ａ）において、
これらの基板１０、２０を各々、多数枚取りできる大型
基板１００、２００の状態で電極パターン４０、５０な
どの形成工程が行われる。

【００４０】そして、大型基板１００、２００の各々に
対して、図４および図５に示す工程（Ｂ）において、配
向膜１２、２２の形成およびラビング工程を行った後、
例えば、図４および図５に示す工程（Ｃ）において、第
１の大型基板１００にシール材３０を塗布する一方、第
２の大型基板２００にギャップ材２８を散布する。

【００４１】次に、図４および図５に示す工程（Ｄ）に
おいて、大型基板１００、２００を所定の位置関係をも
って貼り合わせて大型パネル３００を形成する。

【００４２】次に、図４および図５に示す工程（Ｅ）に
おいて、大型パネル３００に対する切断工程（１次ブレ
イク工程）として、大型パネル３００の表面側および裏
面側の双方に対して、切断予定線３０１に沿ってレーザ
光Ｌ１、Ｌ２を照射し、大型パネル３００を短冊状パネ
ル４００に切断する。

【００４３】このとき、大型パネル３００を構成する大
型基板１００、２００には、図６（Ａ）に示すように、
切断予定線３０１上に集熱パターン４５、５５が形成さ
れている。従って、レーザ光Ｌ１、Ｌ２の光束中心と切
断予定線３０１とが完全一致していなくても、レーザ光
の照射による加熱は、集熱パターン４５、５５に集中す
る。しかも、集熱パターン４５、５５は、半導体プロセ
スなどを利用して切断予定線３０１上に高い位置精度を
もって形成できている。それ故、大型パネル３００を切
断予定線３０１に沿って高い精度で短冊状パネル４００
に切断でき、かつ、その再現性も極めて高い。

【００４４】なお、大型パネル３００に対する切断を行
う際、その切断位置は、集熱パターン４５、５５で制御
できるが、切断予定線３０１にスクライブラインを形成
した後、レーザ光Ｌ１、Ｌ２を照射する方法を採用して
もよい。

【００４５】このように切り出した短冊状パネル４００
の切断部分には、液晶注入口３１（図２を参照）が開口
している。従って、図４および図５に示す工程（Ｆ）に
おいて、液晶注入口３１から液晶を注入した後、液晶注
入口３１を封止材３２（図２を参照）で封止する。

【００４６】次に、図４および図５に示す工程（Ｇ）に
おいて、短冊状パネル４００を各電気光学装置１毎の単
品の液晶パネル１′に切断するための切断工程（２次ブ
レイク工程）として、短冊状パネル４００の表面側およ
び裏面側の双方に対して、切断予定線４０１に沿ってレ
ーザ光Ｌ１、Ｌ２を照射し、短冊状パネル１００を単品
の液晶パネル１′に切断する。

【００４７】このとき、短冊状パネル４００には、切断
予定線４０１上に集熱パターン４５、５５が形成されて
いる。従って、レーザ光Ｌ１、Ｌ２の光束中心と切断予
定線４０１とが完全一致していなくても、レーザ光の照
射による加熱は、集熱パターン４５、５５に集中する。
しかも、集熱パターン４５、５５は、半導体プロセスな
どを利用して切断予定線４０１上に高い位置精度をもっ
て形成されている。それ故、短冊状パネル４００を切断
予定線４０１に沿って高い精度で単品の液晶パネル１′
に切断でき、かつ、その再現性も極めて高い。

【００４８】なお、短冊状パネル４００に対する切断を
行う際も、その切断位置は、集熱パターン４５、５５で
制御できるが、切断予定線４０１にスクライブラインを
形成した後、レーザ光Ｌ１、Ｌ２を照射する方法を採用
してもよい。

【００４９】次に、単品の液晶パネル１′については、
図１および図２に示すように、第１の透明基板１０を第
２の透明基板２０よりも小さ目に仕上げて、各端子領域
を露出させる必要があるので、短冊状パネル４００から
切り出した単品の液晶パネル１′に対して、スクライブ
ライン４０３を形成し、それにレーザ光Ｌを照射して、
第２の透明基板２０から端子領域を露出させる（短冊か
らの除材工程）。

【００５０】しかる後に、図４および図５に示す工程
（Ｈ）において、フレキシブル基板９０などの実装を行
う。

【００５１】（レーザ切断装置）以上説明したレーザ切
断方法を実施するにあたって、本形態では、以下に説明
するレーザ切断装置を用いる。

【００５２】図７は、本発明を適用したレーザ切断方法
を実施するためのレーザ切断装置の基本構成を模式的に
示す説明図である。図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれ
ぞれ、本発明を適用したレーザ切断装置において大型パ
ネルを支持するためのパネル支持具の平面図、そのＩＩ
−ＩＩ′断面図、およびＩＩＩ−ＩＩＩ′断面図であ
る。なお、レーザ切断装置の基本的な構成は、大型パネ
ル３００を切断するための構成と、短冊状パネル４００
を切断するための構成とが共通しているので、大型パネ
ル３００を切断するための構成を例に説明し、短冊状パ
ネル４００を切断するための構成については省略する。

【００５３】図７に示すように、本形態のレーザ切断装
置５００は、大型パネル３００（パネル状ワーク）に向
けて表面側および裏面側の双方にレーザ光Ｌ１、Ｌ２を
照射するレーザ照射装置５０１を有している。レーザ照
射装置５０１は、光源コントローラ５４１を備えてお
り、この光源コントローラ５４１は、炭酸ガスレーザ５
４１、５４２を制御し、炭酸ガスレーザ５４２、５４３
は、それぞれレーザ光Ｌ１、Ｌ２を出射する。炭酸ガス
レーザ５４２からのレーザ光Ｌ１は、全反射ミラー５４
４により反射されて、集光レンズ５４６を介して、前記
した大型パネル３００の表面に照射される。また、炭酸
ガスレーザ５４３からのレーザ光Ｌ２も、レーザ光Ｌ１
と同様、全反射ミラー５４５で反射された後、集光レン
ズ５４７を介して、大型パネル３００の裏面に照射され
る。

【００５４】その結果、レーザ光Ｌ１、Ｌ２が照射され
た領域が温度上昇し、その温度勾配に起因して発生する
熱応力が増大し、大型パネル３００を構成する２枚の基
板１００、２００の各々に亀裂が厚さ方向に発生して、
２枚の基板が各々割れる。このため、切断精度が高く、
かつ、再現性に優れている。また、非接触で切断を行う
ので、大型パネル３００などといったパネル状ワークに
傷を付けるおそれがない。

【００５５】なお、全反射ミラー５４４、５４５は、そ
の反射角度および取り付け位置が任意に調整できるよう
に支持されており、レーザ光Ｌ１が炭酸ガスレーザ５４
３に到達しないよう、かつ、レーザ光Ｌ２が炭酸ガスレ
ーザ５４２に到達しないよう、レーザ光Ｌ１、Ｌ２が大
型パネル３００に対して所定の傾きをもって斜めに入射
するようになっている。

【００５６】また、レーザ切断装置５００において、大
型パネル３００は、パネル支持具６５０により支持さ
れ、このパネル支持具６５０は、ロボット部５５０によ
りその位置が制御される。

【００５７】ここで、パネル支持具６５０は、大型パネ
ル３００などといったパネル状ワークの表面側および裏
面側の双方にレーザ光Ｌ１、Ｌ２を照射可能なように、
図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように構成されてい
る。

【００５８】図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において、パ
ネル支持具６５０は、中空のブロック６５１の上面に多
数の孔６５２が形成されており、このブロック６５１の
表面に大型パネル３００を載置した状態で、ブロック６
５１内を真空引きすると、上面で開口する多数の孔６５
２から大型パネル３００が真空吸着される。また、ブロ
ック６５１の表面には、大型パネル３００の縁に当接し
て、それをブロック６５１上の所定の位置に位置決めす
るためのノックピン６５３が所定位置に形成されてい
る。さらに、ブロック６５１の側面には、ブロック内を
真空引きするための管を接続するためのジョイント６５
４が形成されている。

【００５９】ここで、ブロック６５１には、吸着、保持
した大型パネル３００の切断予定線３０１に相当する位
置に長孔からなる開口６５５が形成されている。

【００６０】このため、ブロック６５１上に大型パネル
３００を載せ、この状態で大型パネル３００をブロック
６５１が吸着すると、大型パネル３００は、ブロック６
５１上に保持されるが、パネル表面側は完全開放状態に
ある一方、その裏面側は、少なくとも切断予定線３０１
に相当する部分が開口６５５を介して開放状態にある。
従って、大型パネル３００をパネル支持具６５０のブロ
ック６５１上に保持した状態のまま、大型パネル３００
の表面側および裏面側の双方にレーザ光Ｌ１、Ｌ２を同
時に照射することができる。

【００６１】このように構成したレーザ切断装置５００
を用いて大型パネル３００を切断するには、まず、パネ
ル支持具６５０によって大型パネル３００を支持した状
態で、大型パネル３００の切断予定線３０１に対してレ
ーザ光Ｌ１、Ｌ２を照射し、この状態で、大型パネル３
００を移動させて、レーザ光Ｌ１、Ｌ２を切断予定線に
沿って走査させる。その結果、大型パネル３００を構成
する２枚の基板は、レーザ光Ｌ１、Ｌ２によって同時に
切断される。

【００６２】［その他の実施の形態］上記実施形態にお
いては、工程（Ｇ）において、短冊状パネル４００から
単品の液晶パネル１´を切り出し、その後、第２の透明
基板２０から端子領域を露出させたが、図６（Ｂ）に示
す構造の場合には、前記の工程（Ｇ）において、短冊状
パネル４００の状態で第２の透明基板２０の端子領域に
相当する部分を露出させるようにして単品の液晶パネル
１´を切り出し、その後、端材を除去するようにしても
良い。

【００６３】すなわち、図６（Ｂ）に示すように、図４
に示した工程（Ｇ）では、短冊状パネル４００におい
て、第１の透明基板１０の切断予定線４０３に沿って形
成された集熱パターン４５、および第２の透明基板２０
の集熱パターン５５に沿ってレーザ光を照射する。これ
により、短冊状パネル４００は張り出し領域２５が露出
した状態で個々の液晶パネルに分割されるが、個々の液
晶パネルには端材６０が残るので、切断予定線４０１に
沿ってレーザ光を照射もしくはスクライブラインを形成
することによって、端材６０を除去する。また、個々の
液晶パネルに分割する際に、切断予定線４０１に沿って
形成された集熱パターン４５に沿ってもレーザ光を照射
し、分割と端材６０の除去を同時に行うことも可能であ
る。

【００６４】上記実施形態では、２枚の基板によって液
晶を保持するパネル（大型パネル３００および短冊状パ
ネル４００）をパネル状ワークとして切断したが、１枚
の基板をパネル状ワークとして切断する場合も本発明を
適用できる。この場合には、基板の表面側あるいは裏面
側の一方にレーザ光を照射すればよい点を除けば、上記
実施形態と同様であるため、それらの説明を省略する。

【００６５】なお、上記実施形態では、パッシブマトリ
クス型の電気光学装置１の製造に本発明を適用した例を
説明したが、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクテ
ィブマトリクス方式の液晶装置、あるいは能動素子とし
てＴＦＴを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置
等々、各種の電気光学装置の製造に本発明を適用しても
よく。このような電気光学装置に本発明を適用する場
合、集熱パターンは、ＴＦＴあるいはＴＦＤを構成する
各薄膜、データ線、走査線などを薄膜によって構成する
際に、この薄膜によって集熱パターンを形成すればよ
い。

【００６６】（電子機器の実施形態）図９は、本発明に
係る電気光学装置（液晶装置）を各種の電子機器の表示
装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここ
に示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理
回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７
３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４
は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液
晶装置７４および液晶パネル７５としては、前述した電
気光学装置１、および単品のパネル１′を用いることが
できる。

【００６７】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Read Onl
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といっ
たメモリ、各種ディスク等といったストレージユニッ
ト、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備
え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各
種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像
信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給
する。

【００６８】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。駆動回路７６は、走査線駆動回路やデータ線
駆動回路、検査回路等を総称したものである。また、電
源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。

【００６９】図１０は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８６を備えた本体部８７と、液晶表示ユニット
８９とを有する。液晶表示ユニット８９は、前述した電
気光学装置１を含んで構成される。

【００７０】図１１は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、液晶装置から
なる電気光学装置１を有している。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明において、
パネル状ワークにレーザ光を照射すると、レーザ光が照
射された領域が温度上昇し、その温度勾配に起因して発
生する熱応力が増大し、パネル状ワークに亀裂が厚さ方
向に発生してパネル状ワークが割れる。また、パネル状
ワークには、切断予定線上に集熱パターンが形成され、
レーザ光の光束中心と集熱パターンの中心とが完全一致
していなくても、レーザ光の照射による加熱は、集熱パ
ターンに集中する。しかも、集熱パターンは、半導体プ
ロセスなどを利用して切断予定線上に高い位置精度をも
って形成できる。それ故、パネル状ワークを切断予定線
に沿って高い精度で切断でき、かつ、その再現性も極め
て高い。さらに、本発明では、非接触で切断を行うの
で、基板に傷を付けるおそれがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図であ
る。

【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。

【図３】図１に示す電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で
切断したときのＩ側の端部の断面図である。

【図４】図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程
図である。

【図５】図１に示す電気光学装置の製造方法を示す説明
図である。

【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光
学装置の製造工程のうち、大型パネルを切断する様子を
示す説明図、およびその変形例を示す説明図である。

【図７】本発明に係るレーザ切断方法を実施するための
レーザ切断装置の基本構成を示す説明図である。

【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を
適用したレーザ切断装置において大型パネルを支持する
ためのパネル支持具の平面図、そのＩＩ−ＩＩ′断面
図、およびＩＩＩ−ＩＩＩ′断面図である。

【図９】本発明に係る電気光学装置を用いた各種電子機
器の構成を示すブロック図である。

【図１０】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器
の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュ
ータを示す説明図である。

【図１１】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器
の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。

【符号の説明】

１電気光学装置１０第１の透明基板２０第２の透明基板３０シール材３５液晶封入領域（画像表示領域）４０第１の電極パターン４５、５５集熱パターン５０第２の電極パターン１００、２００大型基板３００大型パネル３０１、４０１切断予定線４００短冊状パネル５００レーザ切断装置５０１レーザ照射装置５１０位置調整装置５４２、５３３炭酸ガスレーザ５５０ロボット部６５０パネル支持具６５５パネル支持具の開口Ｌ１、Ｌ２レーザ光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:36 Ｂ２３Ｋ 101:36

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パネル状ワークにレーザ光を照射して当
該パネル状ワークを切断するレーザ切断方法であって、前記パネル状ワークの切断予定線上に、当該パネル状ワ
ークの基体よりも熱伝導性の高い集熱パターンを形成し
ておき、該集熱パターンに向けてレーザ光を照射するこ
とにより前記パネル状ワークを切断することを特徴とす
るレーザ切断方法。
【請求項２】請求項１において、前記パネル状ワーク
は、２枚の基板を重ねて貼り合わされてなり、前記パネル状ワークを切断する際には、前記２枚の基板
の双方に当該パネル状ワークの切断予定線上に前記集熱
パターンを形成しておき、該集熱パターンに向けて前記
パネル状ワークの表面側および裏面側の双方にレーザ光
を同時に照射して前記２枚の基板を同時に切断すること
を特徴とするレーザ切断方法。
【請求項３】請求項１または２において、前記集熱パ
ターンは、前記パネル状ワークの表面に形成された他の
構成要素と同一組成の膜からなることを特徴とするレー
ザ切断方法。
【請求項４】請求項１または２に規定するレーザ切断
方法を用いることにより、電気光学物質を保持するため
の基板を前記パネル状ワークとして切断することを特徴
とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】請求項１または２に規定するレーザ切断
方法を用いることにより、電気光学物質を保持するため
に２枚の基板を重ねて貼り合わせてなるパネルを前記パ
ネル状ワークとして切断することを特徴とする電気光学
装置の製造方法。
【請求項６】請求項４または５において、前記集熱パ
ターンは、前記基板に形成された駆動素子を構成する薄
膜、あるいは前記基板に形成された電極のいずれかと同
時形成されてなることを特徴とする電気光学装置の製造
方法。
【請求項７】請求項４または５において、前記基板
は、ガラス基板であることを特徴とする電気光学装置の
製造方法。
【請求項８】請求項４ないし７のいずれかにおいて、
前記電気光学物質は液晶であることを特徴とする電気光
学装置の製造方法。
【請求項９】請求項４ないし８のいずれかに規定する
方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】請求項９に規定する電気光学装置を表
示部として備えていることを特徴とする電子機器。