JP6341959B2 - ファブリペロー干渉フィルタの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ファブリペロー干渉フィルタの製造方法に関する。
従来のファブリペロー干渉フィルタとして、基板と、基板上において空隙を介して互いに対向する固定ミラー及び可動ミラーと、空隙を画定する中間層と、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
上述したようなファブリペロー干渉フィルタは、微細な構造体であるため、ファブリペロー干渉フィルタを製造するに際し、製造効率及び歩留まりの両方を向上させることは困難である。
そこで、本発明は、製造効率及び歩留まりの両方を向上させることができるファブリペロー干渉フィルタの製造方法を提供することを目的とする。
本発明のファブリペロー干渉フィルタの製造方法は、複数のラインのそれぞれに沿って複数の基板に切断される予定のウェハの第１主面に、それぞれが固定ミラーとして機能する予定の複数の第１ミラー部を有する第１ミラー層、複数の除去予定部を有する犠牲層、及びそれぞれが可動ミラーとして機能する予定の複数の第２ミラー部を有する第２ミラー層を、１つの第１ミラー部、１つの除去予定部、及び１つの第２ミラー部が１つの基板側からこの順序で配置されるように形成し、第１ミラー層、犠牲層、及び第２ミラー層の少なくとも１つが複数のラインのそれぞれに沿って部分的に薄化された第１薄化領域を形成する形成工程と、形成工程の後に、レーザ光の照射によって、複数のラインのそれぞれに沿ってウェハの内部に改質領域を形成し、改質領域からウェハの厚さ方向に亀裂を伸展させることにより、複数のラインのそれぞれに沿ってウェハを複数の基板に切断する切断工程と、形成工程と切断工程との間に、又は切断工程の後に、エッチングによって犠牲層から除去予定部を除去する除去工程と、を備える。
このファブリペロー干渉フィルタの製造方法では、第１ミラー層、犠牲層、及び第２ミラー層の少なくとも１つが各ラインに沿って部分的に薄化された第１薄化領域を形成した後に、レーザ光の照射によって、各ラインに沿ってウェハの内部に改質領域を形成する。これにより、レーザ光の散乱等を抑制して、ウェハの内部に改質領域を確実に形成することができる。更に、第１ミラー層、犠牲層、及び第２ミラー層の少なくとも１つが各ラインに沿って部分的に薄化されているため、各ラインに沿ってウェハを複数の基板に切断する際に、第１ミラー層、犠牲層、及び第２ミラー層にダメージが生じるのを抑制することができる。よって、このファブリペロー干渉フィルタの製造方法によれば、製造効率及び歩留まりの両方を向上させることができる。なお、「第１薄化領域」は、第１ミラー層、犠牲層、及び第２ミラー層のうち各ラインに沿った部分の全てが除去された領域を含む。
本発明のファブリペロー干渉フィルタの製造方法では、形成工程においては、ウェハの第２主面に応力調整層を形成し、応力調整層が複数のラインのそれぞれに沿って部分的に薄化された第２薄化領域を形成してもよい。これによれば、第１主面側と第２主面側との間の層構成の不一致に起因するウェハの反りを抑制することができる。更に、応力調整層が各ラインに沿って部分的に薄化されているため、各ラインに沿ってウェハを複数の基板に切断する際に、応力調整層にダメージが生じるのを抑制することができる。なお、「第２薄化領域」は、応力調整層のうち各ラインに沿った部分の全てが除去された領域を含む。
本発明のファブリペロー干渉フィルタの製造方法では、切断工程においては、応力調整層側に貼り付けられたエキスパンドテープを拡張させることにより、改質領域からウェハの厚さ方向に亀裂を伸展させてもよい。これによれば、それぞれが可動ミラーとして機能する予定の複数の第２ミラー部を有する第２ミラー層に、エキスパンドテープの貼り付けによってダメージが生じるのを抑制することができる。更に、第２薄化領域の存在によって、エキスパンドテープの拡張力が改質領域及びその近傍部分に集中し易くなるため、改質領域からウェハの厚さ方向に容易に亀裂を伸展させることができる。
本発明のファブリペロー干渉フィルタの製造方法では、切断工程においては、応力調整層側にエキスパンドテープが貼り付けられた状態で、エキスパンドテープとは反対側からウェハにレーザ光を入射させてもよい。これによれば、エキスパンドテープによるレーザ光の散乱、減衰等を抑制して、各ラインに沿ってウェハの内部に改質領域を確実に形成することができる。
本発明のファブリペロー干渉フィルタの製造方法では、切断工程においては、応力調整層側にエキスパンドテープが貼り付けられた状態で、エキスパンドテープ側からエキスパンドテープを介してウェハにレーザ光を入射させてもよい。これによれば、例えばレーザ光を上方から照射した場合に、パーティクルが自重によって落下してきたとしても、エキスパンドテープがカバーとして機能するため、そのようなパーティクルが第２ミラー層等に付着するのを抑制することができる。
本発明のファブリペロー干渉フィルタの製造方法では、除去工程は、形成工程と切断工程との間に実施されてもよい。これによれば、エッチングによって犠牲層から除去予定部を除去する除去工程がウェハレベルで実施されるため、当該除去工程が個々のチップレベルで実施される場合に比べ、極めて効率良く、第１ミラー部と第２ミラー部との間に空隙を形成することができる。このとき、第２ミラー層のうち複数の第２ミラー部のそれぞれに対応する部分が空隙上に浮いた状態になるものの、その後の切断工程がレーザ光の照射によって実施されるため、空隙上に浮いた第２ミラー部が破損するような事態を効果的に抑制することができる。
本発明のファブリペロー干渉フィルタの製造方法では、形成工程においては、第１ミラー層上に形成された犠牲層のうち複数のラインのそれぞれに沿った部分を薄化した後に、犠牲層上に第２ミラー層を形成することにより、複数のラインのそれぞれに沿って互いに対向する犠牲層の側面を第２ミラー層で被覆してもよい。これによれば、エッチングによって犠牲層から除去予定部を除去する際に、犠牲層の側面の一部が除去されるのを防止することができる。更に、製造されたファブリペロー干渉フィルタでは、犠牲層の側面に相当する中間層の側面から、迷光となる光が入射するのを防止することができる。
本発明のファブリペロー干渉フィルタの製造方法では、形成工程においては、第１ミラー層又は第２ミラー層を構成する少なくとも１つの層の表面が露出するように、第１ミラー層、犠牲層、及び第２ミラー層の少なくとも１つのうち複数のラインのそれぞれに沿った部分を薄化し、切断工程においては、層の表面を介してウェハにレーザ光を入射させてもよい。これによれば、第１ミラー層又は第２ミラー層を構成する少なくとも１つの層よってウェハの第１主面が保護され、レーザ光を入射させる面の平坦性が維持されるため、レーザ光の散乱等を抑制して、ウェハの内部に改質領域をより確実に形成することができる。
本発明によれば、製造効率及び歩留まりの両方を向上させることができるファブリペロー干渉フィルタの製造方法を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［ファブリペロー干渉フィルタの構成］
［ファブリペロー干渉フィルタの構成］
図１、図２及び図３に示されるように、ファブリペロー干渉フィルタ１は、基板１１を備えている。基板１１は、第１表面１１ａと、第１表面１１ａと対向する第２表面１１ｂと、を有している。第１表面１１ａには、反射防止層２１、第１積層体（第１層）２２、中間層２３及び第２積層体（第２層）２４が、この順序で積層されている。第１積層体２２と第２積層体２４との間には、枠状の中間層２３によって空隙（エアギャップ）Ｓが画定されている。
第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合（平面視）における各部の形状及び位置関係は、次の通りである。基板１１の外縁は、例えば矩形状である。基板１１の外縁と第２積層体２４の外縁とは、互いに一致している。反射防止層２１の外縁と第１積層体２２の外縁と中間層２３の外縁とは、互いに一致している。基板１１は、中間層２３の外縁よりも空隙Ｓの中心に対して外側に位置する外縁部１１ｃを有している。外縁部１１ｃは、例えば、枠状であり、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に中間層２３を包囲している。
ファブリペロー干渉フィルタ１は、その中央部に画定された光透過領域１ａにおいて、所定の波長を有する光を透過させる。光透過領域１ａは、例えば円柱状の領域である。基板１１は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。基板１１がシリコンからなる場合には、反射防止層２１及び中間層２３は、例えば、酸化シリコンからなる。中間層２３の厚さは、例えば、数十ｎｍ〜数十μｍである。
第１積層体２２のうち光透過領域１ａに対応する部分は、第１ミラー部３１として機能する。第１ミラー部３１は、反射防止層２１を介して第１表面１１ａに配置されている。第１積層体２２は、複数のポリシリコン層２５と複数の窒化シリコン層２６とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。本実施形態では、ポリシリコン層２５ａ、窒化シリコン層２６ａ、ポリシリコン層２５ｂ、窒化シリコン層２６ｂ及びポリシリコン層２５ｃが、この順で反射防止層２１上に積層されている。第１ミラー部３１を構成するポリシリコン層２５及び窒化シリコン層２６のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の１／４の整数倍であることが好ましい。なお、第１ミラー部３１は、反射防止層２１を介することなく第１表面１１ａ上に直接に配置されてもよい。
第２積層体２４のうち光透過領域１ａに対応する部分は、第２ミラー部３２として機能する。第２ミラー部３２は、第１ミラー部３１に対して基板１１とは反対側において空隙Ｓを介して第１ミラー部３１と対向している。第２積層体２４は、反射防止層２１、第１積層体２２及び中間層２３を介して第１表面１１ａに配置されている。第２積層体２４は、複数のポリシリコン層２７と複数の窒化シリコン層２８とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。本実施形態では、ポリシリコン層２７ａ、窒化シリコン層２８ａ、ポリシリコン層２７ｂ、窒化シリコン層２８ｂ及びポリシリコン層２７ｃが、この順で中間層２３上に積層されている。第２ミラー部３２を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の１／４の整数倍であることが好ましい。
なお、第１積層体２２及び第２積層体２４では、窒化シリコン層の代わりに酸化シリコン層が用いられてもよい。また、第１積層体２２及び第２積層体２４を構成する各層の材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、シリコン、ゲルマニウム、硫化亜鉛等が用いられてもよい。
第２積層体２４において空隙Ｓに対応する部分には、第２積層体２４の中間層２３とは反対側の表面２４ａから空隙Ｓに至る複数の貫通孔２４ｂが形成されている。複数の貫通孔２４ｂは、第２ミラー部３２の機能に実質的に影響を与えない程度に形成されている。複数の貫通孔２４ｂは、エッチングによって中間層２３の一部を除去して空隙Ｓを形成するために用いられる。
第２積層体２４は、第２ミラー部３２に加えて、被覆部３３と、周縁部３４と、を更に有している。第２ミラー部３２、被覆部３３及び周縁部３４は、互いに同じ積層構造の一部を有し且つ互いに連続するように、一体的に形成されている。被覆部３３は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に第２ミラー部３２を包囲している。被覆部３３は、中間層２３の基板１１とは反対側の表面２３ａ、並びに、中間層２３の側面２３ｂ（外側の側面、つまり、空隙Ｓ側とは反対側の側面）、第１積層体２２の側面２２ａ及び反射防止層２１の側面２１ａを被覆しており、第１表面１１ａに至っている。すなわち、被覆部３３は、中間層２３の外縁、第１積層体２２の外縁及び反射防止層２１の外縁を被覆している。
周縁部３４は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に被覆部３３を包囲している。周縁部３４は、外縁部１１ｃにおける第１表面１１ａ上に位置している。周縁部３４の外縁は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に基板１１の外縁と一致している。
周縁部３４は、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。すなわち、周縁部３４のうち外縁部１１ｃの外縁に沿う部分は、周縁部３４のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。本実施形態では、周縁部３４は、第２積層体２４を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８の一部が除去されていることによって薄化されている。周縁部３４は、被覆部３３に連続する非薄化部３４ａと、非薄化部３４ａを包囲する薄化部３４ｂと、を有している。薄化部３４ｂにおいては、第１表面１１ａ上に直接に設けられたポリシリコン層２７ａ以外のポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８が除去されている。
非薄化部３４ａの基板１１とは反対側の表面３４ｃの第１表面１１ａからの高さは、中間層２３の表面２３ａの第１表面１１ａからの高さよりも低い。非薄化部３４ａの表面３４ｃの第１表面１１ａからの高さは、例えば１００ｎｍ〜５０００ｎｍである。中間層２３の表面２３ａの第１表面１１ａからの高さは、例えば５００ｎｍ〜２００００ｎｍの範囲において、非薄化部３４ａの表面３４ｃの第１表面１１ａからの高さよりも大きな高さとなる。薄化部３４ｂの幅（非薄化部３４ａの外縁と外縁部１１ｃの外縁との間の距離）は、基板１１の厚さの０．０１倍以上である。薄化部３４ｂの幅は、例えば５μｍ〜４００μｍである。基板１１の厚さは、例えば５００μｍ〜８００μｍである。
第１ミラー部３１には、光透過領域１ａを囲むように第１電極１２が形成されている。第１電極１２は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第１ミラー部３１には、光透過領域１ａを含むように第２電極１３が形成されている。第２電極１３は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第２電極１３の大きさは、光透過領域１ａの全体を含む大きさであることが好ましいが、光透過領域１ａの大きさと略同一であってもよい。
第２ミラー部３２には、第３電極１４が形成されている。第３電極１４は、空隙Ｓを介して第１電極１２及び第２電極１３と対向している。第３電極１４は、ポリシリコン層２７ａに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。
端子１５は、光透過領域１ａを挟んで対向するように一対設けられている。各端子１５は、第２積層体２４の表面２４ａから第１積層体２２に至る貫通孔内に配置されている。各端子１５は、配線１２ａを介して第１電極１２と電気的に接続されている。端子１５は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。
端子１６は、光透過領域１ａを挟んで対向するように一対設けられている。各端子１６は、第２積層体２４の表面２４ａから第１積層体２２に至る貫通孔内に配置されている。各端子１６は、配線１３ａを介して第２電極１３と電気的に接続されていると共に、配線１４ａを介して第３電極１４と電気的に接続されている。端子１６は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。一対の端子１５が対向する方向と、一対の端子１６が対向する方向とは、直交している（図１参照）。
第１積層体２２の表面２２ｂには、トレンチ１７，１８が設けられている。トレンチ１７は、配線１３ａにおける端子１６との接続部分を囲むように環状に延在している。トレンチ１７は、第１電極１２と配線１３ａとを電気的に絶縁している。トレンチ１８は、第１電極１２の内縁に沿って環状に延在している。トレンチ１８は、第１電極１２と第１電極１２の内側の領域（第２電極１３）とを電気的に絶縁している。各トレンチ１７，１８内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。
第２積層体２４の表面２４ａには、トレンチ１９が設けられている。トレンチ１９は、端子１５を囲むように環状に延在している。トレンチ１９は、端子１５と第３電極１４とを電気的に絶縁している。トレンチ１９内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。
基板１１の第２表面１１ｂには、反射防止層４１、第３積層体（第３層）４２、中間層（第３層）４３及び第４積層体（第３層）４４が、この順序で積層されている。反射防止層４１及び中間層４３は、それぞれ、反射防止層２１及び中間層２３と同様の構成を有している。第３積層体４２及び第４積層体４４は、それぞれ、基板１１を基準として第１積層体２２及び第２積層体２４と対称の積層構造を有している。反射防止層４１、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、基板１１の反りを抑制する機能を有している。
第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。すなわち、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４のうち外縁部１１ｃの外縁に沿う部分は、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。本実施形態では、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に薄化部３４ｂと重なる部分において第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４の全部が除去されていることによって薄化されている。
第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４には、光透過領域１ａを含むように開口４０ａが設けられている。開口４０ａは、光透過領域１ａの大きさと略同一の径を有している。開口４０ａは、光出射側に開口しており、開口４０ａの底面は、反射防止層４１に至っている。
第４積層体４４の光出射側の表面には、遮光層４５が形成されている。遮光層４５は、例えばアルミニウム等からなる。遮光層４５の表面及び開口４０ａの内面には、保護層４６が形成されている。保護層４６は、第３積層体４２、中間層４３、第４積層体４４及び遮光層４５の外縁を被覆すると共に、外縁部１１ｃ上の反射防止層４１を被覆している。保護層４６は、例えば酸化アルミニウムからなる。なお、保護層４６の厚さを１〜１００ｎｍ（好ましくは、３０ｎｍ程度）にすることで、保護層４６による光学的な影響を無視することができる。
以上のように構成されたファブリペロー干渉フィルタ１においては、端子１５，１６を介して第１電極１２と第３電極１４との間に電圧が印加されると、当該電圧に応じた静電気力が第１電極１２と第３電極１４との間に発生する。当該静電気力によって、第２ミラー部３２が、基板１１に固定された第１ミラー部３１側に引き付けられ、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との距離が調整される。このように、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との距離が可変とされている。
ファブリペロー干渉フィルタ１を透過する光の波長は、光透過領域１ａにおける第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との距離に依存する。したがって、第１電極１２と第３電極１４との間に印加する電圧を調整することで、透過する光の波長を適宜選択することができる。このとき、第２電極１３は、第３電極１４と同電位である。したがって、第２電極１３は、光透過領域１ａにおいて第１ミラー部３１及び第２ミラー部３２を平坦に保つための補償電極として機能する。
ファブリペロー干渉フィルタ１では、例えば、ファブリペロー干渉フィルタ１に印加する電圧を変化させながら（すなわち、ファブリペロー干渉フィルタ１において第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との距離を変化させながら）、ファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａを透過した光を光検出器によって検出することで、分光スペクトルを得ることができる。
以上説明したように、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第２積層体２４が、第２ミラー部３２に加えて、中間層２３を被覆する被覆部３３と、外縁部１１ｃにおける第１表面１１ａ上に位置する周縁部３４と、を更に有しており、これらの第２ミラー部３２、被覆部３３及び周縁部３４が、互いに連続するように一体的に形成されている。これにより、第２積層体２４によって中間層２３が覆われているので、中間層２３の剥がれが抑制されている。また、第２積層体２４によって中間層２３が覆われているので、例えばエッチングによって中間層２３に空隙Ｓを形成した場合でも、中間層２３の劣化が抑制され、その結果、中間層２３の安定性が向上している。更に、ファブリペロー干渉フィルタ１では、周縁部３４は、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。これにより、例えば、基板１１に対応する部分を含むウェハを外縁部１１ｃの外縁に沿って切断し、ファブリペロー干渉フィルタ１を得た場合でも、基板１１上の各層の劣化が抑制され、その結果、基板上の各層の安定性が向上している。以上により、ファブリペロー干渉フィルタ１によれば、基板１１上の各層に剥がれが生じるのを抑制することができる。更に、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第２積層体２４によって中間層２３の側面２３ｂが覆われているので、中間層２３の側面２３ｂからの光の進入を抑制することができ、迷光の発生を抑制することができる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、被覆部３３が第１積層体２２の外縁を被覆している。これにより、第１積層体２２の剥がれをより確実に抑制することができる。更に、例えば、基板１１に対応する部分を含むウェハを外縁部１１ｃの外縁に沿って切断し、ファブリペロー干渉フィルタ１を得た場合でも、第１積層体２２の劣化をより好適に抑制することができる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１積層体２２が含む窒化シリコン層２６の外縁が被覆部３３によって被覆されている。これにより、第１積層体２２の窒化シリコン層２６が外部に露出していないため、例えば、フッ酸ガスを用いたエッチングよって中間層２３に空隙Ｓを形成した場合でも、フッ酸ガスと窒化シリコン層２６とが反応して残渣が発生することを抑制することができる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第２積層体２４を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８の一部が除去されていることによって、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されていている。これにより、第２積層体２４を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８のうち除去されずに残存している部分によって、基板１１の第１表面１１ａを保護することができる。更に、ファブリペロー干渉フィルタ１では、薄化部３４ｂにはポリシリコン層２７ａのみが残存している。これにより、薄化部３４ｂの表面が滑らかになるので、例えば、基板１１に対応する部分を含むウェハを外縁部１１ｃの外縁に沿って切断するために、レーザ光を外縁部１１ｃの外縁に沿ってウェハの内部に集光させた場合でも、レーザ光をウェハの内部に好適に集光させてウェハを精度良く切断することができ、基板１１上の各層の劣化をより好適に抑制することができる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、基板１１の第２表面１１ｂに第３積層体４２及び第４積層体４４が配置されており、第３積層体４２及び第４積層体４４が外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。これにより、基板１１の第１表面１１ａ側と第２表面１１ｂ側との間の層構成の不一致に起因する基板１１の反りを抑制することができる。更に、例えば、基板１１に対応する部分を含むウェハを外縁部１１ｃの外縁に沿って切断し、ファブリペロー干渉フィルタ１を得た場合でも、第３積層体４２及び第４積層体４４の劣化が抑制され、その結果、基板１１上の各層の安定性が向上している。
［ファブリペロー干渉フィルタの製造方法］
［ファブリペロー干渉フィルタの製造方法］
まず、図４に示されるように、ウェハ１１０を用意する。ウェハ１１０は、二次元状に配列された複数の基板１１に対応する部分を含み、複数のライン１０のそれぞれに沿って複数の基板１１に切断される予定のウェハである。ウェハ１１０は、互いに対向する第１主面１１０ａ及び第２主面１１０ｂを有している。ウェハ１１０は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。一例として、第１主面１１０ａに垂直な方向から見た場合に各基板１１が矩形状を呈するときには、複数の基板１１は二次元マトリックス状に配列され、複数のライン１０は隣り合う基板１１間を通るように格子状に設定される。
続いて、図５の（ａ）〜図７の（ａ）に示されるように、形成工程を実施する。形成工程では、ウェハ１１０の第１主面１１０ａに、反射防止層２１０、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０、並びに、第１薄化領域２９０を形成する（図７の（ａ）参照）。また、形成工程では、ウェハ１１０の第２主面１１０ｂに、応力調整層４００、遮光層４５０及び保護層４６０、並びに、第２薄化領域４７０を形成する（図７の（ａ）参照）。
具体的には、図５の（ａ）に示されるように、ウェハ１１０の第１主面１１０ａに反射防止層２１０を形成すると共に、ウェハ１１０の第２主面１１０ｂに反射防止層４１０を形成する。反射防止層２１０は、各ライン１０に沿って複数の反射防止層２１に切断される予定の層である。反射防止層４１０は、各ライン１０に沿って複数の反射防止層４１に切断される予定の層である。
続いて、各反射防止層２１０，４１０上に、複数のポリシリコン層及び複数の窒化シリコン層を交互に積層することにより、反射防止層２１０上に第１ミラー層２２０を形成すると共に、反射防止層４１０上に、応力調整層４００を構成する層４２０を形成する。第１ミラー層２２０は、それぞれが固定ミラーとして機能する予定の複数の第１ミラー部３１を有する層であって、各ライン１０に沿って複数の第１積層体２２に切断される予定の層である。応力調整層４００を構成する層４２０は、各ライン１０に沿って複数の第３積層体４２に切断される予定の層である。
第１ミラー層２２０を形成する際には、エッチングによって、反射防止層２１０の表面が露出するように、第１ミラー層２２０のうち各ライン１０に沿った部分を除去する。また、不純物ドープによって、第１ミラー層２２０における所定のポリシリコン層を部分的に低抵抗化することにより、基板１１に対応する部分ごとに、第１電極１２、第２電極１３及び配線１２ａ，１３ａを形成する。更に、エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、第１ミラー層２２０の表面にトレンチ１７，１８を形成する。
続いて、図５の（ｂ）に示されるように、第１ミラー層２２０上、及び露出した反射防止層２１０の表面に、犠牲層２３０を形成すると共に、応力調整層４００を構成する層４２０上に、応力調整層４００を構成する層４３０を形成する。犠牲層２３０は、複数の除去予定部５０を有する層であって、各ライン１０に沿って複数の中間層２３に切断される予定の層である。除去予定部５０は、空隙Ｓ（図３参照）に対応する部分である。応力調整層４００を構成する層４３０は、各ライン１０に沿って複数の中間層４３に切断される予定の層である。
続いて、エッチングによって、ウェハ１１０の第１主面１１０ａが露出するように、犠牲層２３０及び反射防止層２１０のうち各ライン１０に沿った部分を除去する。また、当該エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、犠牲層２３０のうち各端子１５，１６（図３参照）に対応する部分に空隙を形成する。
続いて、図６の（ａ）に示されるように、ウェハ１１０の第１主面１１０ａ側及び第２主面１１０ｂ側のそれぞれにおいて、複数のポリシリコン層及び複数の窒化シリコン層を交互に積層することにより、犠牲層２３０上、及び露出したウェハ１１０の第１主面１１０ａに、第２ミラー層２４０を形成すると共に、応力調整層４００を構成する層４３０上に、応力調整層４００を構成する層４４０を形成する。第２ミラー層２４０は、それぞれが可動ミラーとして機能する予定の複数の第２ミラー部３２を有する層であって、各ライン１０に沿って複数の第２積層体２４に切断される予定の層である。応力調整層４００を構成する層４４０は、各ライン１０に沿って複数の第４積層体４４に切断される予定の層である。
第２ミラー層２４０を形成する際には、ライン１０に沿って互いに対向する犠牲層２３０の側面２３０ａ、第１ミラー層２２０の側面２２０ａ及び反射防止層２１０の側面２１０ａを、第２ミラー層２４０で被覆する。また、不純物ドープによって、第２ミラー層２４０における所定のポリシリコン層を部分的に低抵抗化することにより、基板１１に対応する部分ごとに、第３電極１４及び配線１４ａを形成する。
続いて、図６の（ｂ）に示されるように、エッチングによって、第２ミラー層２４０を構成するポリシリコン層２７ａ（図３参照）（すなわち、最も第１主面１１０ａ側に位置するポリシリコン層）の表面が露出するように（より具体的には、第１主面１１０ａに垂直な方向から見た場合に、ポリシリコン層２７ａの表面が露出するように）、第２ミラー層２４０のうち各ライン１０に沿った部分を薄化する。また、当該エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、第２ミラー層２４０のうち各端子１５，１６（図３参照）に対応する部分に空隙を形成する。続いて、基板１１に対応する部分ごとに、当該空隙に端子１５，１６を形成し、端子１５と配線１２ａとを接続すると共に、端子１６と配線１３ａ及び配線１４ａのそれぞれとを接続する。
ここまでで、ウェハ１１０の第１主面１１０ａに、反射防止層２１０、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０、並びに、第１薄化領域２９０が形成される。第１薄化領域２９０は、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０が各ライン１０に沿って部分的に薄化された領域である。なお、反射防止層２１０、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０は、１つの反射防止層２１、１つの第１ミラー部３１、１つの除去予定部５０及び１つの第２ミラー部３２が１つの基板１１側からこの順序（すなわち、１つの反射防止層２１、１つの第１ミラー部３１、１つの除去予定部５０、１つの第２ミラー部３２という順序）で配置されるように、形成されている。
続いて、図７の（ａ）に示されるように、基板１１に対応する部分ごとに、エッチングによって、第２積層体２４の表面２４ａから除去予定部５０に至る複数の貫通孔２４ｂを第２積層体２４に形成する。続いて、応力調整層４００を構成する層４４０上に遮光層４５０を形成する。遮光層４５０は、各ライン１０に沿って複数の遮光層４５に切断される予定の層である。続いて、エッチングによって、反射防止層４１０の表面が露出するように、遮光層４５０及び応力調整層４００（すなわち、層４２０，４３０，４４０）のうち各ライン１０に沿った部分を除去する。また、当該エッチングによって、基板１１に対応する部分ごとに、開口４０ａを形成する。続いて、遮光層４５０上、露出した反射防止層４１０の表面、及び開口４０ａの内面、第２薄化領域４７０に臨む応力調整層４００の側面に、保護層４６０を形成する。保護層４６０は、各ライン１０に沿って複数の保護層４６に切断される予定の層である。
ここまでで、ウェハ１１０の第２主面１１０ｂに、応力調整層４００、遮光層４５０及び保護層４６０、並びに、第２薄化領域４７０が形成される。第２薄化領域４７０は、応力調整層４００が各ライン１０に沿って部分的に薄化された領域である。
以上の形成工程に続いて、図７の（ｂ）に示されるように、除去工程を実施する。具体的には、複数の貫通孔２４ｂを介したエッチング（例えばフッ酸ガスを用いた気相エッチング）によって、犠牲層２３０から複数の除去予定部５０を一斉に除去する。これにより、基板１１に対応する部分ごとに、空隙Ｓを形成する。
続いて、図８の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、切断工程を実施する。具体的には、図８の（ａ）に示されるように、保護層４６０上に（すなわち、応力調整層４００側に）エキスパンドテープ６０を貼り付ける。続いて、応力調整層４００側にエキスパンドテープ６０が貼り付けられた状態で、エキスパンドテープ６０とは反対側からレーザ光Ｌを照射し、レーザ光Ｌの集光点をウェハ１１０の内部に位置させつつ、レーザ光Ｌの集光点を各ライン１０に沿って相対的に移動させる。つまり、エキスパンドテープ６０とは反対側から、第１薄化領域２９０において露出したポリシリコン層の表面を介して、ウェハ１１０にレーザ光Ｌを入射させる。
そして、このレーザ光Ｌの照射によって、各ライン１０に沿ってウェハ１１０の内部に改質領域を形成する。改質領域は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域であって、ウェハ１１０の厚さ方向に伸展する亀裂の起点となる領域である。改質領域としては、例えば、溶融処理領域（一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくとも何れか一つを意味する）、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域としては、ウェハ１１０の材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域等がある。ウェハ１１０の材料が単結晶シリコンである場合、改質領域は、高転位密度領域ともいえる。なお、各ライン１０に対してウェハ１１０の厚さ方向に配列される改質領域の列数は、ウェハの１１０の厚さによって適宜調整される。
続いて、図８の（ｂ）に示されるように、応力調整層４００側に貼り付けられたエキスパンドテープ６０を拡張させることにより、ウェハ１１０の内部に形成された改質領域からウェハ１１０の厚さ方向に亀裂を伸展させ、各ライン１０に沿ってウェハ１１０を複数の基板１１に切断する。このとき、第１薄化領域２９０において第２ミラー層２４０のポリシリコン層が各ライン１０に沿って切断されると共に、第２薄化領域４７０において反射防止層４１０及び保護層４６０が各ライン１０に沿って切断される。これにより、エキスパンドテープ６０上において互いに離間した状態にある複数のファブリペロー干渉フィルタ１を得る。
以上説明したように、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法では、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０、及び第２ミラー層２４０の少なくとも１つが各ライン１０に沿って部分的に薄化された第１薄化領域２９０を形成した後に、レーザ光Ｌの照射によって、各ライン１０に沿ってウェハ１１０の内部に改質領域を形成する。これにより、レーザ光Ｌの散乱等を抑制して、ウェハ１１０の内部に改質領域を確実に形成することができる。更に、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０、及び第２ミラー層２４０の少なくとも１つが各ライン１０に沿って部分的に薄化されているため、各ライン１０に沿ってウェハ１１０を複数の基板１１に切断する際に、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０、及び第２ミラー層２４０にダメージが生じるのを抑制することができる（仮に第１薄化領域２９０が形成されていないと、各ライン１０に沿ってウェハ１１０を複数の基板１１に切断する際に、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０、及び第２ミラー層２４０に、衝撃、応力等が伝わってダメージが生じ易い）。よって、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法によれば、製造効率及び歩留まりの両方を向上させることができ、品質の高いファブリペロー干渉フィルタ１を安定して量産することが可能となる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法では、形成工程において、ウェハ１１０の第２主面１１０ｂに応力調整層４００を形成し、応力調整層４００が各ライン１０に沿って部分的に薄化された第２薄化領域４７０を形成する。これにより、第１主面１１０ａ側と第２主面１１０ｂ側との間の層構成の不一致に起因するウェハ１１０の反りを抑制することができる。更に、応力調整層４００が各ライン１０に沿って部分的に薄化されているため、各ライン１０に沿ってウェハ１１０を複数の基板１１に切断する際に、開口４０ａ周辺の部分等、応力調整層４００にダメージが生じるのを抑制することができる（仮に第２薄化領域４７０が形成されていないと、各ライン１０に沿ってウェハ１１０を複数の基板１１に切断する際に、開口４０ａ周辺の部分等、応力調整層４００に、衝撃、応力等が伝わってダメージが生じ易い）。
特に、ファブリペロー干渉フィルタ１においては、ウェハ１１０の第１主面１１０ａに形成された第１ミラー層２２０、犠牲層２３０、及び第２ミラー層２４０、並びに、ウェハ１１０の第２主面１１０ｂに形成された応力調整層４００が、薄く且つ精細な層構造であるため、切断工程を実施する前に第１薄化領域２９０及び第２薄化領域４７０を形成しておかないと、切断工程において層構造にダメージが生じ易くなる。これは、エキスパンドテープ６０を拡張させることで改質領域から亀裂を伸展させるような切断工程を実施する場合に、層構造を引きちぎるように力が作用することになるため、顕著となる。ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法では、切断工程を実施する前に第１薄化領域２９０及び第２薄化領域４７０を形成しておくことで、層構造にダメージが生じるのを抑制しつつ、ドライプロセスで汚染の少ないレーザ加工（ウェハ１１０の内部に改質領域を形成する内部加工型のレーザ加工）を実施することができる。
以上のことは、「第１ミラー層２２０、犠牲層２３０、第２ミラー層２４０、及び応力調整層４００のそれぞれが薄い層構造であるにもかかわらず、レーザ光Ｌの照射によってそれらの層の内部にまで至る改質領域を安定して形成することが難しい」及び「その反面、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０、第２ミラー層２４０、及び応力調整層４００のそれぞれが薄い層構造であるが故に、第１薄化領域２９０及び第２薄化領域４７０を形成しないと、引きちぎりにより大きなダメージを受けやすい」との、本発明者が見出した知見に基づくものである。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法では、形成工程を実施することで、ウェハ１１０の第１主面１１０ａに、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０、第２ミラー層２４０、及び第１薄化領域２９０を形成すると共に、ウェハ１１０の第２主面１１０ｂに、応力調整層４００、及び第２薄化領域４７０を形成し、その後に、除去工程を実施することで、犠牲層２３０から除去予定部５０を除去する。これにより、ウェハ１１０の内部応力が減少された状態で除去工程が実施されるため、空隙Ｓを介して互いに対向する第１ミラー部３１及び第２ミラー部３２に歪や変形が生じるのを抑制することができる。例えば、少なくとも第２薄化領域４７０の形成を、犠牲層２３０から除去予定部５０を除去した後に実施すると、空隙Ｓを介して互いに対向する第１ミラー部３１及び第２ミラー部３２に歪や変形が生じ易くなり、所望の特性を有するファブリペロー干渉フィルタ１を得ることが困難になる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法では、切断工程において、応力調整層４００側に貼り付けられたエキスパンドテープ６０を拡張させることにより、改質領域からウェハ１１０の厚さ方向に亀裂を伸展させる。これにより、それぞれが可動ミラーとして機能する予定の複数の第２ミラー部３２を有する第２ミラー層２４０に、エキスパンドテープ６０の貼り付けによってダメージが生じるのを抑制することができる。更に、第２薄化領域４７０の存在によって、エキスパンドテープ６０の拡張力が改質領域及びその近傍部分に集中し易くなるため、改質領域からウェハ１１０の厚さ方向に容易に亀裂を伸展させることができる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法では、切断工程において、応力調整層４００側にエキスパンドテープ６０が貼り付けられた状態で、エキスパンドテープ６０とは反対側からウェハ１１０にレーザ光Ｌを入射させる。これにより、エキスパンドテープ６０によるレーザ光Ｌの散乱、減衰等を抑制して、各ライン１０に沿ってウェハ１１０の内部に改質領域を確実に形成することができる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法では、エッチングによって犠牲層２３０から除去予定部５０を除去する除去工程が、各ライン１０に沿ってウェハ１１０を複数の基板１１に切断する切断工程の前に（すなわち、形成工程と切断工程との間に）実施される。これにより、エッチングによって犠牲層２３０から除去予定部５０を除去する除去工程がウェハ１１０レベルで実施されるため、当該除去工程が個々のチップレベルで実施される場合に比べ、極めて効率良く、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に空隙Ｓを形成することができる。このとき、第２ミラー層２４０のうち各第２ミラー部３２に対応する部分が空隙Ｓ上に浮いた状態になるものの、その後の切断工程がレーザ光Ｌの照射によって実施されるため、空隙Ｓ上に浮いた第２ミラー部３２が破損するような事態を効果的に抑制することができる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法では、形成工程において、第１ミラー層２２０上に形成された犠牲層２３０のうち各ライン１０に沿った部分を薄化した後に、犠牲層２３０上に第２ミラー層２４０を形成することにより、各ライン１０に沿って互いに対向する犠牲層２３０の側面２３０ａを第２ミラー層２４０で被覆する。これにより、エッチングによって犠牲層２３０から除去予定部５０を除去する際に、犠牲層２３０の側面２３０ａの一部が除去（浸食）されるのを防止することができる。更に、製造されたファブリペロー干渉フィルタ１では、犠牲層２３０の側面２３０ａに相当する中間層２３の側面２３ｂから、迷光となる光が入射するのを防止することができる。
また、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法では、形成工程において、第２ミラー層２４０を構成するポリシリコン層の表面が露出するように（より具体的には、第１主面１１０ａに垂直な方向から見た場合に、ポリシリコン層２７ａの表面が露出するように）、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０、及び第２ミラー層２４０の少なくとも１つのうち各ライン１０に沿った部分を薄化し、切断工程において、第２ミラー層２４０が含むポリシリコン層の表面を介してウェハ１１０にレーザ光Ｌを入射させる。これにより、表面が露出させられたポリシリコン層によってウェハ１１０の第１主面１１０ａが保護され、レーザ光Ｌを入射させる面の平坦性が維持されるため、レーザ光Ｌの散乱等を抑制して、ウェハ１１０の内部に改質領域をより確実に形成することができる。
なお、エッチングによって犠牲層２３０から除去予定部５０を除去する除去工程は、各ライン１０に沿ってウェハ１１０を複数の基板１１に切断する切断工程の後に実施されるのが従来一般的である。その理由は、例えば犠牲層２３０における空隙Ｓの形成をブレードダイシングの前に実施すると、ブレードダイシングの実施時に、空隙Ｓ上に浮いた第２ミラー部３２が破損するおそれが高まるからである。また、ブレードダインシングの実施時に発生するパーティクルが空隙Ｓに侵入したり、ブレードダインシングに使用される冷却洗浄水が空隙Ｓに侵入したりするおそれが高まるからである。
［変形例］
［変形例］
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。
また、形成工程における各層及び各領域の形成順序は、上述したものに限定されない。一例として、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０をウェハ１１０の第１主面１１０ａに形成し、その後に、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０のうち各ライン１０に沿った部分を薄化することにより、第１薄化領域２９０を形成してもよい。また、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０をウェハ１１０の第１主面１１０ａに形成すると共に、応力調整層４００をウェハ１１０の第２主面１１０ｂに形成し、その後に、第１薄化領域２９０及び第２薄化領域４７０を形成してもよい。
また、第１薄化領域２９０は、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０の少なくとも１つが各ライン１０に沿って部分的に薄化された領域であればよい。したがって、第１薄化領域２９０は、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０を含む第１主面１１０ａ側の全ての層のうち各ライン１０に沿った部分の全てが除去された領域であってもよい。
また、第２薄化領域４７０は、応力調整層４００の少なくとも一部が各ライン１０に沿って部分的に薄化された領域であればよい。したがって、第２薄化領域４７０は、応力調整層４００を含む第２主面１１０ｂ側の全ての層のうち各ライン１０に沿った部分の全てが除去された領域であってもよい。なお、形成工程において、第２薄化領域４７０を形成しなくてもよい。更には、応力調整層４００自体を形成しなくてもよい。
また、エッチングによって犠牲層２３０から除去予定部５０を除去する除去工程は、各ライン１０に沿ってウェハ１１０を複数の基板１１に切断する切断工程の後に実施されてもよい。この場合、基板１１に対応する部分ごとに、エッチングによって犠牲層２３０から除去予定部５０を除去する。
また、図９の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、切断工程を実施してもよい。具体的には、図９の（ａ）に示されるように、保護層４６０上に（すなわち、応力調整層４００側に）エキスパンドテープ６０を貼り付ける。続いて、応力調整層４００側にエキスパンドテープ６０が貼り付けられた状態で、エキスパンドテープ６０側からレーザ光Ｌを照射し、レーザ光Ｌの集光点をウェハ１１０の内部に位置させつつ、レーザ光Ｌの集光点を各ライン１０に沿って相対的に移動させる。つまり、エキスパンドテープ６０側から、エキスパンドテープ６０を介して、ウェハ１１０にレーザ光Ｌを入射させる。そして、このレーザ光Ｌの照射によって、各ライン１０に沿ってウェハ１１０の内部に改質領域を形成する。
続いて、図９の（ｂ）に示されるように、応力調整層４００側に貼り付けられたエキスパンドテープ６０を拡張させることにより、ウェハ１１０の内部に形成された改質領域からウェハ１１０の厚さ方向に亀裂を伸展させ、各ライン１０に沿ってウェハ１１０を複数の基板１１に切断する。そして、エキスパンドテープ６０上において互いに離間した状態にある複数のファブリペロー干渉フィルタ１を得る。
このような切断工程によれば、図９の（ａ）に示されるように、例えばレーザ光Ｌを上方から照射した場合に、発生したパーティクルが自重によって落下してきたとしても、エキスパンドテープ６０がカバーとして機能するため、そのようなパーティクルが第２ミラー層２４０等に付着するのを抑制することができる。
また、切断工程では、レーザ光Ｌの照射によって各ライン１０に沿ってウェハ１１０の内部に改質領域を形成した際に、当該改質領域からウェハ１１０の厚さ方向に亀裂が伸展し、各ライン１０に沿ってウェハ１１０が複数の基板１１に切断されてもよい。この場合、エキスパンドテープ６０を拡張させることにより、切断によって得られた複数のファブリペロー干渉フィルタ１を互いに離間させることができる。
また、形成工程において、第２ミラー層２４０ではなく第１ミラー層２２０を構成するポリシリコン層の表面が露出するように、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０の少なくとも１つを各ライン１０に沿って部分的に薄化し、切断工程において、第２ミラー層２４０ではなく第１ミラー層２２０が含むポリシリコン層の表面を介してウェハ１１０にレーザ光Ｌを入射させてもよい。
更に、形成工程において表面が露出させられる層は、第１ミラー層２２０又は第２ミラー層２４０を構成する少なくとも１つの層であればよい。具体的には、形成工程において表面が露出させられる層は、ポリシリコン層に限定されず、例えば、窒化シリコン層、酸化シリコン層等であってもよい。その場合にも、表面が露出させられた層によってウェハ１１０の第１主面１１０ａが保護され、レーザ光Ｌを入射させる面の平坦性が維持されるため、レーザ光Ｌの散乱等を抑制して、ウェハ１１０の内部に改質領域をより確実に形成することができる。なお、滑らかな表面の形成には、第１ミラー層２２０、犠牲層２３０及び第２ミラー層２４０の少なくとも１つを各ライン１０に沿って部分的に薄化するために、ドライエッチングよりもウェットエッチングを実施するほうが有利である。
１…ファブリペロー干渉フィルタ、１０…ライン、１１…基板、３１…第１ミラー部、３２…第２ミラー部、５０…除去予定部、６０…エキスパンドテープ、１１０…ウェハ、１１０ａ…第１主面、１１０ｂ…第２主面、２２０…第１ミラー層、２３０…犠牲層、２３０ａ…側面、２４０…第２ミラー層、２９０…第１薄化領域、４００…応力調整層、４７０…第２薄化領域、Ｌ…レーザ光。
Claims (8)
- 複数のラインのそれぞれに沿って複数の基板に切断される予定のウェハの第１主面に、それぞれが固定ミラーとして機能する予定の複数の第１ミラー部を有する第１ミラー層、複数の除去予定部を有する犠牲層、及びそれぞれが可動ミラーとして機能する予定の複数の第２ミラー部を有する第２ミラー層を、１つの前記第１ミラー部、１つの前記除去予定部、及び１つの前記第２ミラー部が１つの前記基板側からこの順序で配置されるように形成し、前記第１ミラー層、前記犠牲層、及び前記第２ミラー層の少なくとも１つが複数の前記ラインのそれぞれに沿って部分的に薄化された第１薄化領域を形成する形成工程と、
前記形成工程の後に、レーザ光の照射によって、複数の前記ラインのそれぞれに沿って前記ウェハの内部に改質領域を形成し、前記改質領域から前記ウェハの厚さ方向に亀裂を伸展させることにより、複数の前記ラインのそれぞれに沿って前記ウェハを複数の前記基板に切断する切断工程と、
前記形成工程と前記切断工程との間に、又は前記切断工程の後に、エッチングによって前記犠牲層から前記除去予定部を除去する除去工程と、を備える、ファブリペロー干渉フィルタの製造方法。 - 前記形成工程においては、前記ウェハの第２主面に応力調整層を形成し、前記応力調整層が複数の前記ラインのそれぞれに沿って部分的に薄化された第２薄化領域を形成する、請求項１に記載のファブリペロー干渉フィルタの製造方法。
- 前記切断工程においては、前記応力調整層側に貼り付けられたエキスパンドテープを拡張させることにより、前記改質領域から前記ウェハの厚さ方向に前記亀裂を伸展させる、請求項２に記載のファブリペロー干渉フィルタの製造方法。
- 前記切断工程においては、前記応力調整層側に前記エキスパンドテープが貼り付けられた状態で、前記エキスパンドテープとは反対側から前記ウェハに前記レーザ光を入射させる、請求項３に記載のファブリペロー干渉フィルタの製造方法。
- 前記切断工程においては、前記応力調整層側に前記エキスパンドテープが貼り付けられた状態で、前記エキスパンドテープ側から前記エキスパンドテープを介して前記ウェハに前記レーザ光を入射させる、請求項３に記載のファブリペロー干渉フィルタの製造方法。
- 前記除去工程は、前記形成工程と前記切断工程との間に実施される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のファブリペロー干渉フィルタの製造方法。
- 前記形成工程においては、前記第１ミラー層上に形成された前記犠牲層のうち複数の前記ラインのそれぞれに沿った部分を薄化した後に、前記犠牲層上に前記第２ミラー層を形成することにより、複数の前記ラインのそれぞれに沿って互いに対向する前記犠牲層の側面を前記第２ミラー層で被覆する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のファブリペロー干渉フィルタの製造方法。
- 前記形成工程においては、前記第１ミラー層又は前記第２ミラー層を構成する少なくとも１つの層の表面が露出するように、前記第１ミラー層、前記犠牲層、及び前記第２ミラー層の少なくとも１つのうち複数の前記ラインのそれぞれに沿った部分を薄化し、
前記切断工程においては、前記層の前記表面を介して前記ウェハに前記レーザ光を入射させる、請求項１〜７のいずれか一項に記載のファブリペロー干渉フィルタの製造方法。
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