DE102006008584A1 - Fertigungsprozess für integrierte Piezo-Bauelemente - Google Patents

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Abstract

Es wird ein einfaches Verfahren zur Herstellung von integrierten mikro-elektro-mechanischen Bauelementen bereitgestellt, bei dem zunächst eine Siliziumschicht (2) auf einer Isolatorschicht (1), dann eine piezoresistive Schicht (7) auf oder in der Siliziumschicht (2) und anschließend mindestens eine Ätzöffnung (3) zum Ätzen wenigstens eines Hohlraums (5) im Wesentlichen innerhalb der Siliziumschicht (2) hergestellt wird. Durch Anordnen von zusätzlichen vertikalen und horizontalen Ätzstoppschichten wird die Form des Hohlraums (5) in der Siliziumschicht (2) vorgegeben und der Ätzvorgang gut reproduzierbar. Das Verfahren eignet sich, um insbesondere mit den zur Signalaufbereitung und Signalverarbeitung nötigen Schaltungskomponenten in Standardfertigungsprozesse integriert zu werden.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von integrierten mikro-elektro-mechanischen Bauelementen gemäß Patentanspruch 1 und mikro-elektro-mechanische Bauelemente gemäß Patentanspruch 16.
  • Mikro-elektro-mechanische Systeme MEMS, mit denen physikalische Größen wie Druck, Kraft, Beschleunigung, Durchfluss etc. in ein elektrisches Signal umgewandelt werden können, sind bekannt. Umgekehrt ist es auch bekannt, elektrische Signale beispielsweise durch Auslenkung einer freitragenden Membran in mechanische Bewegung umzusetzen.
  • Auch die Herstellung von unterschiedlichen Bauteilen wie Sensoren, mikromechanischen Schaltern oder Schallquellen ist unter Verwendung der Technik, wie sie bei der Halbleiterherstellung verwendet wird, bekannt. Unter anderem werden dabei Sensoren hergestellt, die auf einer verformbaren Membran mit auf dieser angeordneten Piezowiderständen basieren. Mit diesen Sensoren kann beispielsweise ein Absolutdruck im Verhältnis zu einem innerhalb eines geschlossenen Hohlraums unterhalb der Membran festgelegten Referenzdruckes detektiert werden.
  • Durch die Verformung der Membran wird auf die piezoelektrischen Körper eine Kraft ausgeübt, welche zu einer Ladungsverschiebung im piezoelektrischen Körper und damit zu einem Spannungsabfall bzw. Widerstandsänderung über den Körper führt.
  • Umgekehrt verursacht das Anliegen einer elektrischen Spannung an einem piezoelektrischen Körper dessen geometrische Deformation. Die erzielte Bewegung ist abhängig von der Polarität der angelegten Spannung und der Richtung des Vektors der Polarisation.
  • Besondere Beachtung bei der Herstellung von mikro-mechanischen Bauelementen mit Membranen und Piezowiderständen finden daher vor allem die Geometrie der Membran sowie die Anordnung, Form und Beschaffenheit der Piezowiderstände.
  • Aus dem Proceedings of SPIE Volume 2642 des Micromachining and Microfabrication Symposiums, Oct. 23-24, in Austin, TX sind mikroelektromechanische Sensoren, die auf einer verformbaren Membran aus Siliziumnitrid mit Polysilizium-Piezowiderständen basieren, bekannt. Mit Hilfe der Sensoren kann, bezogen auf den Referenzdruck im Hohlraum unterhalb der Membran, ein Absolutdruck gemessen werden. Alle Materialen und Prozessschritte zur Herstellung der Sensoren sind in einen CMOS-Prozess integrierbar. Hierbei wird zunächst eine Isolatorschicht (Silizium-Nitrid-Schicht) auf einem Trägermaterial hergestellt. Danach werden eine dicke Oxidschicht (TEOS) und anschließend nochmals eine dünne Oxidschicht (BPSG) auf die Isolatorschicht aufgebracht, die beide jeweils nach dem Aufbringen strukturiert werden. Im Anschluss daran wird eine Nitridschicht für die spätere Membran aufgebracht und ebenfalls strukturiert. Danach werden die beiden Oxidschichten unterhalb der Nitridschicht in einer HF-Lösung geätzt, so dass ein Hohlraum unterhalb der Nitridschicht entsteht, und danach die Ätzöffnungen mit Nitrid versiegelt. Anschließend wird zuerst das piezoresistive Polysilizium aufgebracht, implantiert und strukturiert und danach Aluminium aufgebracht und strukturiert.
  • Auch die US 6959608B2 offenbart einen piezoresistiven Drucksensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung auf der Basis eines SOI-Wafers. Hierbei wird zuerst ein schmaler Spalt in die Silizium- und Oxidschicht geätzt und anschließend der Wafer mit einer Nitridschicht bedeckt, um den Spalt mit Nitrid aufzufüllen. Nach der Beseitigung des übrigen Nitrids wird eine Schicht aus dotiertem, epitaktisch gewachsenem Silizium aufgebracht, um die Pie zowiderstände und Anschlüsse zu strukturieren. Anschließend wird eine Aluminium-Schicht aufgebracht und strukturiert und danach eine schmale Ätzöffnung in der Siliziumschicht hergestellt, um mittels HF einen Hohlraum in der Oxidschicht des Wafers zu ätzen. Zum Schluss wird eine Schicht aus Oxid (LTO) auf den Wafer aufgebracht, die gleichzeitig dazu dient, die Ätzöffnung wieder zu verschließen.
  • Nachteilig an diesen Verfahren ist, dass der Ätzprozess innerhalb der vergrabenen Oxidschicht schlecht kontrolliert und reproduziert werden kann.
    •
  • Aufgabe der Erfindung ist es, die Nachteile im Stand der Technik zu überwinden.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren der eingangs genannten Art mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 und durch eine Vorrichtung gemäß Patentanspruch 17 gelöst. Günstige Ausgestaltungsformen sind Gegenstand von Unteransprüchen.
  • Demnach besteht das Wesen der Erfindung darin, bei einem Verfahren zur Herstellung von integrierten mikro-elektro-mechanischen Bauelementen nacheinander folgende Schritte auszuführen. Bei der Prozessierung eines Wafers wird zunächst eine Siliziumschicht auf einer Isolatorschicht und anschließend auf der Siliziumschicht eine piezoresistive Schicht abgeschieden oder die Siliziumschicht in Teilbereichen zur Herstellung einer piezoresistiven Schicht dotiert. Daraufhin wird mindestens eine Ätzöffnung zum Ätzen wenigstens eines Hohlraums im Wesentlichen innerhalb der Siliziumschicht hergestellt.
  • Alternativ kann die Schrittfolge auch so ausgeführt werden, dass zunächst eine Siliziumschicht auf einer Isolatorschicht abgeschieden wird. Daraufhin wird mindestens eine Ätzöffnung zum Ätzen wenigstens eines Hohlraums im Wesentlichen innerhalb der Siliziumschicht hergestellt und anschließend ei ne piezoresistive Schicht auf der Siliziumschicht abgeschieden oder die Siliziumschicht in Teilbereichen zur Herstellung der piezoresistiven Schicht dotiert.
  • Über dem Hohlraum verbleibt nach der Ätzung eine freitragende Membran, deren Dicke und Maximalhub durch die ursprüngliche Dicke der Siliziumschicht vorgegeben ist.
  • Diese einfachen Fertigungsprozesse haben den Vorteil, dass sie gut in Standardprozesse eingebunden werden können und mit weiteren Schaltungskomponenten integrierbar sind.
  • Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung werden zur seitlichen Begrenzung des Hohlraums tiefe Gräben, so genannte Trenche, vorzugsweise innerhalb der Siliziumschicht hergestellt, die bis zur Isolatorschicht hinabreichen und ebenfalls mit einem isolierenden Material, beispielsweise Oxid gefüllt sind. Diese dienen bei der Ätzung des Hohlraums aufgrund der hohen Selektivität des Ätzmediums als laterale Ätzstopps. Weiterhin isolieren sie auch die einzlenen mikro-elektro-mechanischen Bauelemente voneinander. Besonders vorteilhaft ist es daher, die Trenche umlaufend herzustellen und damit auch die Form der Hohlräume zu bestimmen. Hierbei ist es auch möglich, die Trenche so anzuordnen, dass nach der Ätzung innerhalb eines mikro-elektro-mechanischen Bauelements mehrer Hohlräume kommunizieren.
  • Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird die Siliziumschicht, die vorzugsweise ein Polysilizium ist, selektiv dotiert, um piezoresistive Bereiche zu erhalten. Alternativ kann als Ausgangmaterial für die piezoresistive Schicht ein dotiertes, vorzugsweise implantiertes Polysilizium vorgesehen werden oder ein durch Diffusion dotiertes Polysilizium verwendet. Werden. Es ist auch möglich, andere piezoresistive Materialien wie Blei-Zirkonat-Titanat-Keramiken (PZT) oder Aluminium-Nitrid zu verwenden.
  • Weiterhin sieht die Erfindung vor, die piezoresistive Schicht zu strukturieren, um Piezo- Widerstände herzustellen, mittels derer die Auslenkung der freitragenden Membran detektiert werden kann, da diese unter dem Einfluss von mechanischen Spannungen ihren elektrischen Widerstand ändern. Alternativ zur Strukturierung der piezoresistiven Schicht können die Piezo-Widerstände auch dadurch hergestellt werden, dass das Poly-Silizium, das als Ausgangsmaterial für die piezoresistiver Schicht verwendet wurde, selektiv in Teilbereichen dotiert wird. Dabei können die einzelnen Widerstände durch pn-Übergänge von einander isoliert werden.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, vor dem Herstellen der piezoresistiven Schicht eine zweite Isolatorschicht, beispielsweise aus Siliziumoxid SiO2 oder Siliziumnitrid Si3N4 auf der Siliziumschicht abzuscheiden. In diesem Fall ergibt sich eine sehr gute Reproduzierbarkeit des Ätzvorgangs, da die Isolatorschichten als Ätzstoppschichten dienen. Die Form des Hohlraums wird seitlich durch die vertikalen Trenche, unten durch die erste Isolatorschicht und oben durch die zweite Isolatorschicht vorgegeben. Somit werden Größe und Geometrie des Hohlraums durch den Abstand und die Form der Trenche in der Opferschicht und die Dicke der Siliziumschicht bestimmt. In diesem Fall dient die zweite Isolatorschicht nach der Herstellung des Hohlraums als freitragende Membran. Ein weiterer Vorteil der zweiten Isolatorschicht besteht darin, dass durch diese auch die Piezowiderstände, die auf ihr angeordnet sind, voneinander isoliert werden. Durch die gute Kontrolle der Opferätzung werden die Eigenschaften der einzelnen Bau- oder Sensorelemente sowohl auf dem einzelnen Wafer als auch von Wafer zu Wafer und Los zu Los gut reproduzierbar.
  • Bevorzugt ist auch, die wenigstens eine Ätzöffnung wieder zu verschließen. Eine Weiterbildung der Erfindung sieht außerdem vor, dass während des Schließens der Ätzöffnungen ein definierter Innendruck in den Hohlräumen erzeugt wird, der bei Druckmessungen mit dem mikro-elektro-mechanischen Bauelement einen definierten Referenzdruck liefert.
  • Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung des Verfahrens sieht vor, dass die Abscheidung und Strukturierung von mehreren Metallisierungsebenen, die zur elektrischen Kontaktierung der piezoresistiven Schicht dienen, und die Abscheidung der dazwischen liegenden dielektrischen Schichten vor Herstellung eines Hohlraums erfolgt.
  • Vorteilhaft ist auch, zum Schutz der piezoresistiven Schicht eine Abdeckung als Schutzschicht, vorzugsweise aus Si3N4 vorzusehen. Zum einen schützt die Abdeckung die piezoresistiven Strukturen, sofern diese aus einem Material bestehen, welches bei der Opferätzung angegriffen würde. Zum anderen dient die Abdeckung als Schutzschicht für die Oberfläche des Bauelements vor Umwelteinflüssen in der späteren Anwendung. Die Schutzschicht kann auch in Teilbereichen strukturiert oder auch wieder entfernt werden, um die mechanischen Eigenschaften der Membran nicht zu beeinträchtigen.
  • Ferner ist bevorzugt, die erste Isolatorschicht auf einer Trägerschicht, beispielsweise einem Substrat herzustellen. Als Ausgangsmaterial für das erfindungsgemäße Verfahren kann somit ein SOI-Wafer dienen.
  • Gemäß einer weiteren Ausgestaltung können vier Piezo-Widerstände zu einer Wheatstone-Brücke verschaltet werden. Durch eine Schaltung als Halb- oder Vollbrücke (zwei bzw. vier sich ändernd Widerstände) wird eine verbesserte Empfindlichkeit des Bauelements, bsp. bei der Verwendung als Sensor, erzielt und außerdem eine Temperaturkompensation ermöglicht. Nicht veränderliche Widerstände können außerhalb der Membran angeordnet werden.
  • MEMS-Bauelemente mit piezoelektrischen Schichten sind elektromechanische Wandlerkomponenten. Diese sind in der Lage mechanische Kräfte wie Druck, Dehnung oder Beschleunigung in eine elektrische Spannung bzw. Ladungsverschiebung umzuwandeln (direkter Piezoeffekt) und eine elektri sche Spannung in mechanische Bewegung oder Schwingungen umzuwandeln (inverser Piezoeffekt). Unter Nutzung dieser Effekte eröffnen sich die vielfältigsten Applikationsmöglichkeiten in allen Bereichen der Technik. Beispielsweise kann die Umwandlung von elektrischen Spannungen in mechanische Bewegung für piezoelektrische Aktoren, z.B. Translatoren, Biegeelemente und Piezomotoren für Mikro- und Nanopositionierung, Laser-Tuning, aktive Schwingungsdämpfung oder Pneumatikventile etc. genutzt werden.
  • Ebenso wird die Umwandlung von mechanischen Kräften und Beschleunigungen für Sensoren, Zündelemente, Piezotastaturen, Generatoren oder zur passiven Dämpfung verwendet. Die Umwandlung von akustischen in elektrische Signale wird vor allem bei Schall- und Ultraschallempfängern, bei der Geräuschanalyse oder bei der akustischen Emissions-Spektroskopie genutzt.
  • Weiterhin findet auch die Umwandlung von elektrischen Signalen in Schwingungen oder akustische Signale bei Schall- und Ultraschallgebern, Signalgebern (Buzzer) oder Leitungsultraschallgeneratoren Verwendung.
  • Speziell bei Füllstands- oder Durchflussmessungen, bei der Objekterkennung, medizinischen Diagnostik, bei der hochauflösenden Materialerkennung oder bei Sonar und Echoloten werden sowohl der direkte als auch der inverse Piezoeffekt ausgenutzt.
  • Um ein ausreichend großes Summensignal oder eine bessere Signalausbeute zu erhalten, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, mehrere mikro-elektro-mechanische Bauelemente netzartig zu einem Array zu verschalten.
  • Die Erfindung sieht weiterhin ein mikro-elektro-mechanisches Bauelement mit einer Isolatorschicht, einer Siliziumschicht und einer strukturierten, piezoresistiven Schicht vor, wobei innerhalb der Siliziumschicht ein Hohlraum und über dem Hohlraum eine freitragende Membran vorgesehen ist, auf der wenigstens Teile der piezoresistiven, strukturierten Schicht angeordnet sind.
  • Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung weist das mikro-elektro-mechanisches Bauelement unterhalb der strukturierten, piezoresistiven Schicht eine zweite Isolatorschicht auf, die nach dem Herstellen des in der Siliziumschicht angeordneten Hohlraums als freitragende Membran dient.
  • Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
    •
  • Anhand der Figuren soll die Erfindung näher beschrieben werden.
  • 1a bis 1g zeigen jeweils in einer Schnittdarstellung eine Abfolge von Prozessschritten zur Herstellung von mikro-elektro-mechanischen Bauelementen zur Verwendung als piezoresistiver Drucksensor gemäß einer ersten Ausführungsform.
  • 2a bis 2g zeigen jeweils in einer Schnittdarstellung eine Abfolge von Prozessschritten zur Herstellung von mikro-elektro-mechanischen Bauelementen zur Verwendung als piezoresistiver Drucksensor gemäß einer zweiten Ausführungsform.
  • 3 zeigt eine Draufsicht auf ein mikro-elektro-mechanisches Bauelement, welches als Drucksensor verwendet werden kann.
  • 1a zeigt einen Schnitt durch ein Halbleitermaterial, beispielsweise einen SOI-Wafer mit einer ersten vergrabenen Isolatorschicht 1 auf einer Trägerschicht 13. Auf der Isolatorschicht 1 ist wiederum eine Siliziumschicht 2, die sowohl einkristallin als auch polykristallin sein kann, abgeschieden worden. In 1b sind zwei Trenche 11 erkennbar, die zur lateralen Isolation des Bauelements gegenüber dem nächsten Element und auch zur Begrenzung eines späteren Hohlraums 5 dienen. Die Trenche 11 könne einerseits mit Oxid gefüllt sein oder auch als Oxidliner mit einer Füllung aus Polysilizium oder Nitrid ausgeführt sein. Nach der Herstellung der Trenche 11 wird, wie in 1c gezeigt, eine zweite Isolatorschicht 6, die beispielsweise aus Silizium-Nitrid Si3N4 oder Silizium-Oxid SiO2 besteht, auf der Siliziumschicht 2 und den Trenchs 11 abgeschieden. Diese dient nach der Opferätzung als mikro-mechanische Membran oder zumindest als Teil der Membran sowie zur Isolation von einzelnen Piezo-Widerständen. Die Piezo-Widerstände werden aus einer piezoresistiven Schicht 7, die beispielsweise aus dotiertem, meist implantierten Polysilizium oder einem anderen piezoresistiven Material besteht, strukturiert. In 1d sind drei Piezo-Widerstände oder Teile davon erkennbar, die üblicherweise miteinander verschaltet werden.
  • 1e zeigt eine Schutzschicht 8, die die piezoresistiven Strukturen abdeckt. Diese Schutzschicht, die beispielsweise auch aus Silizium-Nitrid Si3N4 bestehen kann, schützt zum einen die Piezo-Widerstände und die Oberfläche des Bauelements vor späteren Umwelteinflüssen und zum anderen bei der Weiterprozessierung des Wafers Materialen, wie dotiertes Polysilizium, die bei der späteren Opferätzung angegriffen würden. Im Anschluss daran werden Ätzöffnungen 3 für die Opferätzung zur Herstellung des Hohlraums 5 definiert. Es ist vorteilhaft, diese Öffnungen schon früh im Prozess vorzudefinieren, da die später erzeugte Topographie den Lithographieschritt bei der Strukturierung erschweren würde. 1g zeigt die Weiterprozessierung des Wafers im Back-End-of-Line (BEOL). Dabei werden für Kontakte und Leitbahnen 4 eine oder mehrere Metallisierungsebenen mit dazwischen liegenden isolierenden dielektrischen Schichten 9 abgeschieden und strukturiert. Nach der elektrischen Kontaktierung der Wafer wird das BEOL, wie in 1h zu sehen ist, mit Hilfe einer anisotropen Ätzung wieder geöffnet und somit auch die bereits definierten Ätzöffnungen 3 und auch die Oberfläche des späteren Sensors freigelegt. Anschließend wird mittels einer isotropen Ätzung die Opferschicht, im vorliegenden Fall die Siliziumschicht 2, entfernt und ein Hohlraum 5 hergestellt. In 1i wird deutlich, dass der Hohlraum 5 unten durch die Isolatorschicht 1, an den Seiten durch die Trenche 11 und oben durch die Isolatorschicht 6 begrenzt wird, die alle bei der Ätzung als Ätzstoppschicht dienen. Durch die Anordnung dieser Elemente werden somit die Größe des Hohlraums und die Parameter für die bewegliche Membran definiert. 1j zeigt den Verschluss des Hohlraums 5 mittels einer gegebenenfalls strukturierten Schicht 10, die vorzugsweise isolierend ist.
  • Auch die 2a bis 2id zeigen die aus den vorgenannten Figuren bekannte Prozessabfolge. Allerdings wird, wie aus 2a ersichtlich, vor dem Abscheiden der zweiten Isolatorschicht 6 auf der ersten leitfähigen Schicht 2 in Teilbereichen eine weitere dünne Opferschicht 12 aus Polysilizium oder ähnlichem Material abgeschieden. Beim Aufbringen der zweiten Isolatorschicht 6 wird diese dünne Opferschicht 12 vollkommen überdeckt und erst nach dem Aufbringen und Strukturieren der piezoresistive Schicht 7 und deren Abdeckung mit einer Schutzschicht 8 wieder an wenigstens einer Stelle freigelegt. 2f zeigt die Weiterprozessierung des Wafers. Die Oberfläche der späteren Membran ist mit einer Abdeckung aus einer oder mehreren isolierenden Schichten 9 versehen. Bei der anisotropen Ätzung zum Freilegen des Zugangs zur Opferschicht 12 wird ein Teil der Abdeckung wieder entfernt. Bei der anschließenden isotropen Ätzung wird ein Zugang zur Siliziumschicht 2 freigegeben, da die Opferschicht 12 ganz oder teilweise entfernt wird. Die untere Isolatorschicht 1, Trenche 11 und die zweite Isolatorschicht 6 dienen wiederum als Ätzstoppschicht. 2i zeigt das Bauelement mit verschlossener Membran, wobei der Verschluss 10 der Ätzöffnung 3 vorzugsweise aus einem Isolator besteht.
  • 3 zeigt eine Draufsicht auf ein mikro-elektro-mechanisches Bauelement, wobei die Abdeckschicht über den Piezo-Widerständen nicht dargestellt ist. Auf der kreisförmigen Membran, bei der der Verschluss 10 der Ätzöffnungen in der Mitte liegt, sind vier Piezo-Widerstände angeordnet; diese sind über Leitbahnen 4, die aus Metallisierungsschichten oder alternativ aus dotiertem Poly-Silizium bestehen, kontaktiert. Form und Anordnung der Piezo-Widerstände sind hierbei jedoch variabel. Beispielsweise können die Widerstände so ausgestaltet sein, dass sie eine meanderförmige Struktur bzw. einen meanderförmigen Umriss aufweisen. Weiterhin ist auch möglich, jeweils zwei gegenüberliegende Widerstände um 90° gedreht anzuordnen.
  • Die Schwingungszustände bzw. -formen der Membran werden maßgeblich von deren Geometrie sowie mechanoelastischen Eigenschaften bestimmt.
    • 1
    Isolatorschicht
    2
    Siliziumschicht
    3
    Ätzöffnung
    4
    Kontakte und Leitbahnen
    5
    Hohlraum
    6
    Zweite Isolatorschicht
    7
    piezoresistive Schicht – Piezo-Widerstand
    8
    Schutzschicht
    9
    BEOL mit typischen Schichten
    10
    Verschluss der Ätzöffnung
    11
    Trench
    12
    Opferschicht
    13
    Trägermaterial

Claims (18)

  1. Verfahren zur Herstellung von integrierten mikro-elektro-mechanischen Bauelementen mit den Schritten • Herstellen einer Siliziumschicht (2) auf einer Isolatorschicht (1), • Herstellen einer piezoresistiven Schicht (7) auf oder in der Siliziumschicht (2), • Herstellen mindestens einer Ätzöffnung (3) zum Ätzen wenigstens eines Hohlraums (5) im Wesentlichen innerhalb der Siliziumschicht (2).
  2. Verfahren zur Herstellung von integrierten mikro-elektro-mechanischen Bauelementen mit den Schritten • Herstellen einer Siliziumschicht (2) auf einer Isolatorschicht (1), • Herstellen mindestens einer Ätzöffnung (3) zum Ätzen wenigstens eines Hohlraums (5) im Wesentlichen innerhalb der Siliziumschicht (2). • Herstellen einer piezoresistiven Schicht (7) auf oder in der Siliziumschicht (2),
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2 mit dem Schritt • Herstellen eines Trenches (11) zur seitlichen Begrenzung des Hohlraums (5).
  4. Verfahren gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein umlaufender Trench (11) hergestellt wird.
  5. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen der piezoresistiven Schicht (7) die Siliziumschicht (2) wenigstens in Teilbereichen dotiert, vorzugsweise implantiert wird.
  6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Ausgangmaterial für die piezoresistive Schicht (7) ein dotiertes, vorzugsweise implantiertes Polysilizium vorgesehen ist.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Ausgangmaterial für die piezoresistive Schicht (7) wenigstens in Teilbereichen ein durch Diffusion dotiertes Polysilizium vorgesehen ist.
  8. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche mit dem Schritt • Herstellen einer zweiten Isolatorschicht (6) auf der Siliziumschicht (2) vor dem Herstellen der piezoresistiven Schicht (7).
  9. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche mit dem Schritt • Herstellen von Piezo-Widerständen durch Strukturierung der piezoresistiven Schicht (7).
  10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 mit dem Schritt • Herstellen von Piezo-Widerständen durch selektive Dotierung einer Siliziumschicht, die vorzugsweise aus Polysilizium vorgesehen ist.
  11. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Ätzöffnung (3) verschlossen wird.
  12. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Kontaktierung (4) der piezoresistiven Schicht (7) vor Herstellung eines Hohlraums (5) vorgesehen ist.
  13. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zum Schutz der piezoresistiven Schicht (7) eine Schutzschicht (8), vorzugsweise aus Si3N4 vorgesehen ist.
  14. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während des Schließens der Ätzöffnungen (3) ein definierter Innendruck in den Hohlräumen (5) erzeugt wird.
  15. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolatorschicht (1) auf einer Trägerschicht (13) hergestellt wird.
  16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass vier Piezo-Widerstände zu einer Wheatstone-Brücke verschaltet werden.
  17. Mikro-elektro-mechanisches Bauelement mit einer Isolatorschicht (1), einer Siliziumschicht (2) und einer strukturierten, piezoresistiven Schicht (7), wobei innerhalb der Siliziumschicht (2) ein Hohlraum (5) und über dem Hohlraum (5) eine freitragende Membran vorgesehen ist, auf der wenigstens Teile der piezoresistiven, strukturierten Schicht (7) angeordnet sind.
  18. Mikro-elektro-mechanisches Bauelement gemäß Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass als freitragende Membran unterhalb der strukturierten piezoresistiven Schicht (7) eine zweite Isolatorschicht (6) angeordnet ist.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012021413A1 (de) * 2012-10-30 2014-04-30 Infineon Technologies Ag Sensor mit Maskierung
DE102008026886B4 (de) * 2008-06-05 2016-04-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Strukturierung einer Nutzschicht eines Substrats
DE102017216835A1 (de) * 2017-09-22 2019-03-28 Infineon Technologies Ag MEMS-Bauelement und Herstellungsverfahren für ein MEMS-Bauelement

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8044373B2 (en) * 2007-06-14 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20100109104A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Radi Medical Systems Ab Pressure sensor and wire guide assembly
US9341529B2 (en) * 2009-11-04 2016-05-17 Rohm Co., Ltd Pressure sensor and method for manufacturing pressure sensor
CN102176006A (zh) * 2011-01-24 2011-09-07 中北大学 一种硅基单片集成声纳基阵
CN103130177A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 中国科学院微电子研究所 一种悬浮结构mems器件及其制造方法
CN102530847A (zh) * 2012-02-22 2012-07-04 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 热绝缘微结构及其制备方法
DE102012215262B4 (de) 2012-08-28 2020-08-20 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Struktur und entsprechendes Herstellungsverfahren
US9714876B2 (en) 2015-03-26 2017-07-25 Sensata Technologies, Inc. Semiconductor strain gauge
ITUB20159497A1 (it) * 2015-12-24 2017-06-24 St Microelectronics Srl Dispositivo piezoelettrico mems e relativo procedimento di fabbricazione
CN107290099B (zh) 2016-04-11 2021-06-08 森萨塔科技公司 压力传感器、用于压力传感器的插塞件和制造插塞件的方法
EP3236226B1 (de) 2016-04-20 2019-07-24 Sensata Technologies, Inc. Verfahren zur herstellung eines drucksensors
JP6341959B2 (ja) 2016-05-27 2018-06-13 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタの製造方法
CN109196405B (zh) 2016-05-27 2021-09-10 浜松光子学株式会社 法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法
US10513429B2 (en) * 2016-07-27 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integration scheme for microelectromechanical systems (MEMS) devices and complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices
EP3505987B1 (de) * 2016-08-24 2023-10-11 Hamamatsu Photonics K.K. Fabry-perot-interferenzfilter
DE102017102190B4 (de) * 2017-02-03 2020-06-04 Infineon Technologies Ag Membranbauteile und Verfahren zum Bilden eines Membranbauteils
DE102017102545B4 (de) * 2017-02-09 2018-12-20 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtung, Drucksensor, Mikrofon, Beschleunigungssensor und Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung
US10545064B2 (en) 2017-05-04 2020-01-28 Sensata Technologies, Inc. Integrated pressure and temperature sensor
US10323998B2 (en) 2017-06-30 2019-06-18 Sensata Technologies, Inc. Fluid pressure sensor
US10724907B2 (en) 2017-07-12 2020-07-28 Sensata Technologies, Inc. Pressure sensor element with glass barrier material configured for increased capacitive response
US10557770B2 (en) 2017-09-14 2020-02-11 Sensata Technologies, Inc. Pressure sensor with improved strain gauge
NL2019560B1 (en) * 2017-09-15 2019-03-28 Berkin Bv Method of fabricating a micro machined channel
CN113447171B (zh) * 2021-06-02 2023-01-10 中国科学院地质与地球物理研究所 一种压力计芯片及其制造工艺
CN113465794B (zh) * 2021-06-02 2023-01-10 中国科学院地质与地球物理研究所 一种双空腔压力计芯片及其制造工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002012116A2 (en) * 2000-08-03 2002-02-14 Analog Devices, Inc. Bonded wafer optical mems process
DE69429381T2 (de) * 1993-05-10 2002-05-23 Delphi Tech Inc Verfahren zum Mikro-Bearbeiten eines in der Oberfläche eines Siliziumkörpers integrierten Sensors
US6959608B2 (en) * 2002-05-23 2005-11-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Ultra-miniature pressure sensors and probes

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4766666A (en) * 1985-09-30 1988-08-30 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing the same
JPH0750789B2 (ja) * 1986-07-18 1995-05-31 日産自動車株式会社 半導体圧力変換装置の製造方法
US5490034A (en) * 1989-01-13 1996-02-06 Kopin Corporation SOI actuators and microsensors
US4945769A (en) * 1989-03-06 1990-08-07 Delco Electronics Corporation Semiconductive structure useful as a pressure sensor
JPH041949A (ja) * 1990-04-18 1992-01-07 Canon Inc 情報入力及び／または取出し装置
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US6547973B2 (en) * 1996-07-30 2003-04-15 Agilent Technologies, Inc. Fabrication of suspended structures using a sacrificial layer
US5894161A (en) * 1997-02-24 1999-04-13 Micron Technology, Inc. Interconnect with pressure sensing mechanism for testing semiconductor wafers
WO2000012428A1 (de) * 1998-08-27 2000-03-09 Infineon Technologies Ag Mikromechanisches bauelement mit verschlossenen membranöffnungen
DE19857946C1 (de) * 1998-12-16 2000-01-20 Bosch Gmbh Robert Mikroschwingspiegel
US6892582B1 (en) * 1999-08-20 2005-05-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor pressure sensor and pressure sensing device
DE10024266B4 (de) * 2000-05-17 2010-06-17 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements
US6511915B2 (en) * 2001-03-26 2003-01-28 Boston Microsystems, Inc. Electrochemical etching process
JP3778128B2 (ja) * 2002-05-14 2006-05-24 株式会社デンソー メンブレンを有する半導体装置の製造方法
US7265429B2 (en) * 2002-08-07 2007-09-04 Chang-Feng Wan System and method of fabricating micro cavities
JP4916647B2 (ja) * 2003-05-23 2012-04-18 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 外部共振器半導体レーザーおよびその製造方法
TWI224190B (en) * 2003-05-28 2004-11-21 Au Optronics Corp Semiconductor pressure sensor
DE10352001A1 (de) * 2003-11-07 2005-06-09 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement mit einer Membran und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements
JP3944161B2 (ja) * 2003-12-25 2007-07-11 株式会社東芝 薄膜バルク波音響共振器及び薄膜バルク波音響共振器の製造方法
JP2005238540A (ja) * 2004-02-25 2005-09-08 Sony Corp 流体駆動装置と流体駆動装置の製造方法および静電駆動流体吐出装置と静電駆動流体吐出装置の製造方法
US7694346B2 (en) * 2004-10-01 2010-04-06 Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Education On Behalf Of The University Of Nevada Cantilevered probe detector with piezoelectric element
US7884432B2 (en) * 2005-03-22 2011-02-08 Ametek, Inc. Apparatus and methods for shielding integrated circuitry
US7453256B2 (en) * 2006-02-16 2008-11-18 General Electric Company Micro-electromechanical system (MEMS) based current and magnetic field sensor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69429381T2 (de) * 1993-05-10 2002-05-23 Delphi Tech Inc Verfahren zum Mikro-Bearbeiten eines in der Oberfläche eines Siliziumkörpers integrierten Sensors
WO2002012116A2 (en) * 2000-08-03 2002-02-14 Analog Devices, Inc. Bonded wafer optical mems process
US6959608B2 (en) * 2002-05-23 2005-11-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Ultra-miniature pressure sensors and probes

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008026886B4 (de) * 2008-06-05 2016-04-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Strukturierung einer Nutzschicht eines Substrats
DE102012021413A1 (de) * 2012-10-30 2014-04-30 Infineon Technologies Ag Sensor mit Maskierung
DE102012021413B4 (de) * 2012-10-30 2016-06-02 Infineon Technologies Ag Sensor mit Maskierung
DE102017216835A1 (de) * 2017-09-22 2019-03-28 Infineon Technologies Ag MEMS-Bauelement und Herstellungsverfahren für ein MEMS-Bauelement
DE102017216835B4 (de) 2017-09-22 2022-01-27 Infineon Technologies Ag MEMS-Bauelement und Herstellungsverfahren für ein MEMS-Bauelement
DE102017216835B9 (de) 2017-09-22 2022-06-30 Infineon Technologies Ag MEMS-Bauelement und Herstellungsverfahren für ein MEMS-Bauelement

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