CN109196405B - 法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法 - Google Patents

Abstract

法布里‑帕罗干涉滤光器的制造方法具备：形成工序，其在包含与二维状地排列的多个基板对应的部分、且沿着多条线的各个被切断成多个基板的预定的晶圆的第1主面，形成具有多个第1镜部的第1镜层、具有多个去除预定部的牺牲层、及具有多个第2镜部的第2镜层；去除工序，其在形成工序之后，通过蚀刻自牺牲层同时去除二维状地排列的多个去除预定部；切断工序，其在去除工序后，沿着多条线的各个将晶圆切断成多个基板。

Description

法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法

技术领域

本发明涉及一种法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法。

背景技术

作为现有的法布里-帕罗干涉滤光器，已知有具备基板、在基板上经由空隙而相互相对的固定镜及可动镜、及划定空隙的中间层的滤光器(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2013-506154号公报

发明内容

发明所要解决的问题

上述那样的法布里-帕罗干涉滤光器由于为微细的构造体，因而在制造法布里-帕罗干涉滤光器时，难以提高制造效率及成品率这两者。

因此，本发明的目的在于，提供一种可提高制造效率及成品率这两者的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法。

解决问题的技术手段

本发明的一个方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法具备：形成工序，其在包含与二维状地排列的多个基板对应的部分、且沿着多条线的各个被切断成多个基板的预定的晶圆的第1主面，将具有分别作为固定镜而发挥功能的预定的多个第1镜部的第1镜层、具有多个去除预定部的牺牲层、及具有分别作为可动镜而发挥功能的预定的多个第2镜部的第2镜层以1个第1镜部、1个去除预定部、及1个第2镜部自1个基板侧按该顺序配置的方式形成；去除工序，其在形成工序后，通过蚀刻自牺牲层同时去除二维状地排列的多个去除预定部；切断工序，其在去除工序后，沿着多条线的各个将晶圆切断成多个基板。

在该法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法中，通过蚀刻自牺牲层去除多个去除预定部的去除工序以晶圆级实施。由此，与该去除工序以各个芯片级实施的情况相比，可效率极其良好地在第1镜部与第2镜部之间形成空隙。而且，由于对二维状地排列的多个去除预定部同时实施牺牲层的蚀刻等，在晶圆内的任意的与基板对应的部分、及包围其的周围的与基板对应的部分同时进行工艺，因而可减少晶圆面内的应力的偏倚。因而，根据该法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法，可提高制造效率及成品率这两者。

本发明的一个方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法中，也可在形成工序中，形成第1镜层、牺牲层、及第2镜层的至少1层沿着多条线的各个被部分地薄化的第1薄化区域。在沿着各条线将晶圆切断成多个基板的切断工序中，虽然第2镜层中与各第2镜部对应的部分成为浮在空隙上的状态，但由于预先形成有沿着各条线被薄化的第1薄化区域，因而与未形成该第1薄化区域的情况相比，外力难以作用于空隙周边的结构，其结果，可有效地抑制空隙周边的结构破损那样的事态。再者，“第1薄化区域”包括第1镜层、牺牲层、及第2镜层中沿着各条线的部分的全部被去除的区域。

本发明的一个方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法中，也可在形成工序中，在晶圆的第2主面形成应力调整层，且形成将应力调整层沿着多条线的各个部分薄化的第2薄化区域。由此，可抑制由第1主面侧与第2主面侧之间的层构成的不一致引起的晶圆的翘曲。再有，由于应力调整层沿着各条线被部分地薄化，因而可在沿着各条线将晶圆切断成多个基板时，抑制在应力调整层产生损坏。再者，“第2薄化区域”包括应力调整层中沿着各条线的部分的全部被去除的区域。

本发明的一个方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法中，也可在形成工序中，通过至少将牺牲层及第2镜层中沿着多条线的各个的部分薄化而形成第1薄化区域。由此，可在沿着各条线将晶圆切断成多个基板时，更有效地抑制牺牲层中的空隙周边的部分、及浮在空隙上的第2镜部破损那样的事态。

本发明的一个方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法中，也可在形成工序中，在将形成于第1镜层上的牺牲层中沿着多条线的各个的部分薄化后，在牺牲层上形成第2镜层，由此由第2镜层包覆沿着多条线的各个相互相对的牺牲层的侧面。由此，可防止在通过蚀刻自牺牲层去除去除预定部时将牺牲层的侧面的一部分去除。再有，在所制造的法布里-帕罗干涉滤光器中，可防止成为杂散光的光自相当于牺牲层的侧面的中间层的侧面入射。

本发明的一个方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法中，也可在切断工序中，通过激光的照射，沿着多条线的各个在晶圆的内部形成改质区域，使龟裂自改质区域在晶圆的厚度方向上伸展，由此沿着多条线的各个将晶圆切断成多个基板。由此，与通过刀片切割将晶圆切断成多个基板的情况相比，外力难以作用于空隙周边的结构，因而可更有效地抑制空隙周边的结构破损那样的事态。另外，可防止在实施刀片切割时产生的微粒、刀片切割所使用的冷却洗净水等侵入空隙，从而可防止法布里-帕罗干涉滤光器的特性劣化。

本发明的一个方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法中，也可在切断工序中，通过使贴附于晶圆的第2主面侧的扩展胶带扩张，而使龟裂自改质区域沿晶圆的厚度方向伸展。由此，可在具有分别作为可动镜而发挥功能的预定的多个第2镜部的第2镜层，抑制因扩展胶带的贴附导致产生损坏。

本发明的一个方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法中，也可在切断工序中，在第2主面侧贴附有扩展胶带的状态下，使激光自与扩展胶带相反侧向晶圆入射。由此，可抑制由扩展胶带导致的激光的散射、衰减等，从而可沿着各条线在晶圆的内部可靠地形成改质区域。

本发明的一个方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法中，也可在切断工序中，在第2主面侧贴附有扩展胶带的状态下，使激光自扩展胶带侧经由扩展胶带向晶圆入射。由此，例如在自上方照射激光的情况下，即使所产生的微粒通过自身重量而落下，由于扩展胶带作为罩而发挥功能，因而也可抑制这样的微粒附着于第2镜层等。

发明的效果

根据本发明，可提供一种可提高制造效率及成品率这两者的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法。

附图说明

图1是一个实施方式所涉及的法布里-帕罗干涉滤光器的俯视图。

图2是图1的法布里-帕罗干涉滤光器的仰视图。

图3是沿着图1的III-III线的法布里-帕罗干涉滤光器的剖视图。

图4是于图1的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法所用的晶圆的俯视图。

图5(a)及(b)是用于说明图1的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法的剖视图。

图6(a)及(b)是用于说明图1的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法的剖视图。

图7(a)及(b)是用于说明图1的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法的剖视图。

图8(a)及(b)是用于说明图1的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法的剖视图。

图9(a)及(b)是用于说明图1的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法的剖视图。

图10是图1的法布里-帕罗干涉滤光器的变形例的外缘部分的放大剖视图。

图11(a)及(b)是用于说明图10的法布里-帕罗干涉滤光器的制造工序的一个例子的图。

图12(a)及(b)是用于说明图10的法布里-帕罗干涉滤光器的制造工序的一个例子的图。

图13(a)及(b)是用于说明图10的法布里-帕罗干涉滤光器的制造工序的其他例的图。

图14(a)及(b)是用于说明图10的法布里-帕罗干涉滤光器的制造工序的其他例的图。

图15(a)及(b)是用于说明图10的法布里-帕罗干涉滤光器的制造工序的其他例的图。

图16(a)及(b)是用于说明图10的法布里-帕罗干涉滤光器的制造工序的其他例的图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式详细地进行说明。再者，在各图中对相同或相当的部分标注相同的符号，并省略重复的说明。

[法布里-帕罗干涉滤光器的构成]

如图1、图2及图3所示，法布里-帕罗干涉滤光器1具备基板11。基板11具有第1表面11a、及与第1表面11a相对的第2表面11b。在第1表面11a，依次层叠有抗反射层21、第1层叠体(第1层)22、中间层23及第2层叠体(第2层)24。在第1层叠体22与第2层叠体24之间，通过框状的中间层23而划定有空隙(气隙)S。

在自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下(俯视)的各部的形状及位置关系如下所述。基板11的外缘是例如矩形状。基板11的外缘与第2层叠体24的外缘相互一致。抗反射层21的外缘、第1层叠体22的外缘及中间层23的外缘相互一致。基板11具有相对于空隙S的中心较中间层23的外缘更位于外侧的外缘部11c。外缘部11c是例如框状，且在自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下包围中间层23。

法布里-帕罗干涉滤光器1在划定于其中央部的光透过区域1a，使具有规定的波长的光透过。光透过区域1a是例如圆柱状的区域。基板11由例如硅、石英或玻璃等构成。在基板11由硅构成的情况下，抗反射层21及中间层23例如由氧化硅构成。中间层23的厚度例如为数十nm～数十μm。

第1层叠体22中的与光透过区域1a对应的部分作为第1镜部31而发挥功能。第1镜部31经由抗反射层21而配置于第1表面11a。第1层叠体22通过将多个多晶硅层25与多个氮化硅层26逐层地交替层叠而构成。在本实施方式中，在抗反射层21上依次层叠有多晶硅层25a、氮化硅层26a、多晶硅层25b、氮化硅层26b及多晶硅层25c。构成第1镜部31的多晶硅层25及氮化硅层26的各者的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。再者，第1镜部31也可不经由抗反射层21而直接配置于第1表面11a上。

第2层叠体24中的与光透过区域1a对应的部分作为第2镜部32而发挥功能。第2镜部32在相对于第1镜部31而与基板11相反侧经由空隙S而与第1镜部31相对。第2层叠体24经由抗反射层21、第1层叠体22及中间层23而配置于第1表面11a。第2层叠体24通过将多个多晶硅层27与多个氮化硅层28逐层地交替层叠而构成。在本实施方式中，在中间层23上依次层叠有多晶硅层27a、氮化硅层28a、多晶硅层27b、氮化硅层28b及多晶硅层27c。构成第2镜部32的多晶硅层27及氮化硅层28的各者的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。

再者，在第1层叠体22及第2层叠体24中，也可使用氧化硅层代替氮化硅层。另外，作为构成第1层叠体22及第2层叠体24的各层的材料，也可使用氧化钛、氧化钽、氧化锆、氟化镁、氧化铝、氟化钙、硅、锗、硫化锌等。

在第2层叠体24中与空隙S对应的部分，形成有自第2层叠体24的与中间层23相反侧的表面24a至空隙S的多个贯通孔24b。多个贯通孔24b以实质上不对第2镜部32的功能造成影响的程度形成。多个贯通孔24b用于通过蚀刻将中间层23的一部分去除而形成空隙S。

第2层叠体24除了具有第2镜部32以外，还具有包覆部33及周缘部34。第2镜部32、包覆部33及周缘部34以相互具有相同的层叠构造的一部分且相互连续的方式一体地形成。包覆部33在自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下包围第2镜部32。包覆部33包覆中间层23的与基板11相反侧的表面23a、以及中间层23的侧面23b(外侧的侧面、即与空隙S侧相反侧的侧面)、第1层叠体22的侧面22a及抗反射层21的侧面21a，且到达至第1表面11a。即，包覆部33包覆中间层23的外缘、第1层叠体22的外缘及抗反射层21的外缘。

周缘部34在自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下包围包覆部33。周缘部34位于外缘部11c中的第1表面11a上。周缘部34的外缘在自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下与基板11的外缘一致。

周缘部34沿外缘部11c的外缘而被薄化。即，周缘部34中的沿外缘部11c的外缘的部分与周缘部34中的除了沿外缘的部分以外的其他部分相比变薄。在本实施方式中，周缘部34通过将构成第2层叠体24的多晶硅层27及氮化硅层28的一部分去除而被薄化。周缘部34具有与包覆部33连续的非薄化部34a、及包围非薄化部34a的薄化部34b。在薄化部34b中，将除了直接设置于第1表面11a上的多晶硅层27a以外的多晶硅层27及氮化硅层28去除。

非薄化部34a的与基板11相反侧的表面34c距第1表面11a的高度低于中间层23的表面23a距第1表面11a的高度。非薄化部34a的表面34c距第1表面11a的高度例如为100nm～5000nm。中间层23的表面23a距第1表面11a的高度在例如500nm～20000nm的范围内，为较非薄化部34a的表面34c距第1表面11a的高度更大的高度。薄化部34b的宽度(非薄化部34a的外缘与外缘部11c的外缘之间的距离)是基板11的厚度的0.01倍以上。薄化部34b的宽度例如为5μm～400μm。基板11的厚度例如为500μm～800μm。

在第1镜部31，以包围光透过区域1a的方式形成有第1电极12。第1电极12通过在多晶硅层25c中掺杂杂质且进行低电阻化而形成。在第1镜部31，以包含光透过区域1a的方式形成有第2电极13。第2电极13通过在多晶硅层25c中掺杂杂质且进行低电阻化而形成。第2电极13的大小优选为包含光透过区域1a的全体的大小，但也可与光透过区域1a的大小大致相同。

在第2镜部32，形成有第3电极14。第3电极14经由空隙S而与第1电极12及第2电极13相对。第3电极14通过在多晶硅层27a中掺杂杂质且进行低电阻化而形成。

端子15以隔着光透过区域1a而相对的方式设置有一对。各端子15配置于自第2层叠体24的表面24a至第1层叠体22的贯通孔内。各端子15经由配线12a而与第1电极12电连接。端子15通过例如铝或其合金等的金属膜而形成。

端子16以隔着光透过区域1a而相对的方式设置有一对。各端子16配置于自第2层叠体24的表面24a至第1层叠体22的贯通孔内。各端子16经由配线13a而与第2电极13电连接，并且经由配线14a而与第3电极14电连接。端子16通过例如铝或其合金等的金属膜而形成。一对端子15相对的方向、与一对端子16相对的方向正交(参照图1)。

在第1层叠体22的表面22b，设置有沟槽17、18。沟槽17以包围配线13a中的与端子16的连接部分的方式呈环状地延伸。沟槽17将第1电极12与配线13a电绝缘。沟槽18沿第1电极12的内缘而呈环状地延伸。沟槽18将第1电极12与第1电极12的内侧的区域(第2电极13)电绝缘。各沟槽17、18内的区域可为绝缘材料，也可为空隙。

在第2层叠体24的表面24a，设置有沟槽19。沟槽19以包围端子15的方式呈环状地延伸。沟槽19将端子15与第3电极14电绝缘。沟槽19内的区域可为绝缘材料，也可为空隙。

在基板11的第2表面11b，依次层叠有抗反射层41、第3层叠体(第3层)42、中间层(第3层)43及第4层叠体(第3层)44。抗反射层41及中间层43分别具有与抗反射层21及中间层23相同的构成。第3层叠体42及第4层叠体44分别具有以基板11为基准与第1层叠体22及第2层叠体24对称的层叠构造。抗反射层41、第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44具有抑制基板11的翘曲的功能。

第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44沿外缘部11c的外缘而被薄化。即，第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中的沿外缘部11c的外缘的部分与第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中的除了沿外缘的部分以外的其他部分相比变薄。在本实施方式中，第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44通过在自垂直于第1表面11a的方向观察的情况下与薄化部34b重叠的部分，将第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44的全部去除而被薄化。

在第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44，以包含光透过区域1a的方式设置有开口40a。开口40a具有与光透过区域1a的大小大致相同的直径。开口40a在光出射侧开口，开口40a的底面到达至抗反射层41。

在第4层叠体44的光出射侧的表面，形成有遮光层45。遮光层45由例如铝等构成。在遮光层45的表面及开口40a的内表面，形成有保护层46。保护层46包覆第3层叠体42、中间层43、第4层叠体44及遮光层45的外缘，并且包覆外缘部11c上的抗反射层41。保护层46由例如氧化铝构成。再者，可通过将保护层46的厚度设为1～100nm(优选为30nm左右)，而使保护层46的光学性影响可忽略不计。

在如以上那样构成的法布里-帕罗干涉滤光器1中，若经由端子15、16而在第1电极12与第3电极14之间施加电压，则在第1电极12与第3电极14之间产生与该电压对应的静电力。通过该静电力，将第2镜部32向固定于基板11的第1镜部31侧吸引，而调整第1镜部31与第2镜部32的距离。这样，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，第1镜部31与第2镜部32的距离设为可变。

透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光的波长依赖于光透过区域1a中的第1镜部31与第2镜部32的距离。因此，可通过调整施加于第1电极12与第3电极14之间的电压，而适当选择透过的光的波长。此时，第2电极13与第3电极14为相同电位。因此，第2电极13作为用于在光透过区域1a中将第1镜部31及第2镜部32保持为平坦的补偿电极而发挥功能。

在法布里-帕罗干涉滤光器1中，例如，可通过一边使施加于法布里-帕罗干涉滤光器1的电压变化(即，一边在法布里-帕罗干涉滤光器1中使第1镜部31与第2镜部32的距离变化)，一边通过光检测器检测透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光，而获得分光光谱。

如以上所说明的那样，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，第2层叠体24除了具有第2镜部32以外，还具有：包覆部33，其包覆中间层23；及周缘部34，其位于外缘部11c中的第1表面11a上；且这些第2镜部32、包覆部33及周缘部34以相互连续的方式一体地形成。由此，通过第2层叠体24覆盖中间层23，因而中间层23的剥落得以抑制。另外，由于通过第2层叠体24覆盖中间层23，因而即使在例如通过蚀刻在中间层23形成空隙S的情况下，也可抑制中间层23的劣化，其结果，中间层23的稳定性提高。再有，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，周缘部34沿外缘部11c的外缘而被薄化。由此，即使在例如将包含与基板11对应的部分的晶圆沿外缘部11c的外缘切断，而获得法布里-帕罗干涉滤光器1的情况下，也可抑制基板11上的各层的劣化，其结果，基板上的各层的稳定性提高。通过以上，根据法布里-帕罗干涉滤光器1，可抑制在基板11上的各层产生剥落。再有，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，由于通过第2层叠体24覆盖中间层23的侧面23b，因而可抑制自中间层23的侧面23b的光的进入，而可抑制杂散光的产生。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，包覆部33包覆第1层叠体22的外缘。由此，可更可靠地抑制第1层叠体22的剥落。再有，即使在例如将包含与基板11对应的部分的晶圆沿外缘部11c的外缘切断，而获得法布里-帕罗干涉滤光器1的情况下，也可更佳地抑制第1层叠体22的劣化。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，第1层叠体22所包含的氮化硅层26的外缘通过包覆部33而包覆。由此，第1层叠体22的氮化硅层26未露出至外部，因此，即使在例如通过使用氢氟酸气体的蚀刻在中间层23形成空隙S的情况下，也可抑制氢氟酸气体与氮化硅层26进行反应而产生残渣。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，通过将构成第2层叠体24的多晶硅层27及氮化硅层28的一部分去除，而沿外缘部11c的外缘进行薄化。由此，可通过构成第2层叠体24的多晶硅层27及氮化硅层28中的未被去除而残存的部分，保护基板11的第1表面11a。再有，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，在薄化部34b仅残存多晶硅层27a。由此，薄化部34b的表面变得平滑，因此，即使在例如为了将包含与基板11对应的部分的晶圆沿外缘部11c的外缘切断，而使激光沿外缘部11c的外缘聚光于晶圆的内部的情况下，也可使激光较佳地聚光于晶圆的内部而将晶圆精度良好地切断，可更佳地抑制基板11上的各层的劣化。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，在基板11的第2表面11b配置有第3层叠体42及第4层叠体44，第3层叠体42及第4层叠体44沿外缘部11c的外缘而被薄化。由此，可抑制因基板11的第1表面11a侧与第2表面11b侧之间的层构成不一致而引起的基板11的翘曲。再有，即使在例如将包含与基板11对应的部分的晶圆沿外缘部11c的外缘切断，而获得法布里-帕罗干涉滤光器1的情况下，也可抑制第3层叠体42及第4层叠体44的劣化，其结果，基板11上的各层的稳定性提高。

[法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法]

首先，如图4所示，准备晶圆110。晶圆110为包含与呈二维状地排列的多个基板11对应的部分，且沿多条线10的各个切断成多个基板11的预定的晶圆。晶圆110具有相互相对的第1主面110a及第2主面110b。晶圆110由例如硅、石英或玻璃等构成。作为一个例子，当在自垂直于第1主面110a的方向观察的情况下各基板11呈矩形状时，多个基板11呈二维矩阵状地排列，多条线10以通过邻接的基板11间的方式设定为格子状。

继而，如图5(a)～图7(a)所示，实施形成工序。在形成工序中，在晶圆110的第1主面110a，形成抗反射层210、第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240、以及第1薄化区域290(参照图7(a))。另外，在形成工序中，在晶圆110的第2主面110b，形成应力调整层400、遮光层450及保护层460、以及第2薄化区域470(参照图7(a))。

具体而言，如图5(a)所示，在晶圆110的第1主面110a形成抗反射层210，并且在晶圆110的第2主面110b形成抗反射层410。抗反射层210是沿各线10切断成多个抗反射层21的预定的层。抗反射层410是沿各线10切断成多个抗反射层41的预定的层。

继而，通过在各抗反射层210、410上，交替地层叠多个多晶硅层及多个氮化硅层，而在抗反射层210上形成第1镜层220，并且在抗反射层410上形成构成应力调整层400的层420。第1镜层220是具有分别作为固定镜而发挥功能的预定的多个第1镜部31的层，且为沿各线10切断成多个第1层叠体22的预定的层。构成应力调整层400的层420是沿各线10切断成多个第3层叠体42的预定的层。

在形成第1镜层220时，通过蚀刻，以使抗反射层210的表面露出的方式，将第1镜层220中的沿各线10的部分去除。另外，通过杂质掺杂而将第1镜层220中的规定的多晶硅层部分地低电阻化，由此，在每个与基板11对应的部分，形成第1电极12、第2电极13及配线12a、13a。再有，通过蚀刻，在每个与基板11对应的部分，在第1镜层220的表面形成沟槽17、18。

继而，如图5(b)所示，在第1镜层220上、及露出的抗反射层210的表面，形成牺牲层230，并且在构成应力调整层400的层420上，形成构成应力调整层400的层430。牺牲层230是具有多个去除预定部50的层，且为沿各线10切断成多个中间层23的预定的层。去除预定部50是与空隙S(参照图3)对应的部分。构成应力调整层400的层430是沿各线10切断成多个中间层43的预定的层。

继而，通过蚀刻，以使晶圆110的第1主面110a露出的方式，将牺牲层230及抗反射层210中的沿各线10的部分去除。另外，通过该蚀刻，在每个与基板11对应的部分，在牺牲层230中的与各端子15、16(参照图3)对应的部分形成空隙。

继而，如图6(a)所示，通过在晶圆110的第1主面110a侧及第2主面110b侧的各个，交替地层叠多个多晶硅层及多个氮化硅层，而在牺牲层230上、及露出的晶圆110的第1主面110a形成第2镜层240，并且在构成应力调整层400的层430上，形成构成应力调整层400的层440。第2镜层240是具有分别作为可动镜而发挥功能的预定的多个第2镜部32的层，且为沿各线10切断成多个第2层叠体24的预定的层。构成应力调整层400的层440是沿各线10切断成多个第4层叠体44的预定的层。

在形成第2镜层240时，将沿线10而相互相对的牺牲层230的侧面230a、第1镜层220的侧面220a及抗反射层210的侧面210a通过第2镜层240包覆。另外，通过杂质掺杂而将第2镜层240中的规定的多晶硅层部分地低电阻化，由此，在每个与基板11对应的部分，形成第3电极14及配线14a。

继而，如图6(b)所示，通过蚀刻而以第2镜层240所包含的多晶硅层27a(参照图3)(即，位于最靠第1主面110a侧的多晶硅层)的表面露出的方式，使第2镜层240中沿着各条线10的部分薄化。另外，通过该蚀刻，在每个与基板11对应的部分，在第2镜层240中与各端子15、16(参照图3)对应的部分形成空隙。继而，在每个与基板11对应的部分，在该空隙形成端子15、16，将端子15与配线12a连接，并且将端子16与配线13a及配线14a的各者连接。

至此，在晶圆110的第1主面110a，形成抗反射层210、第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240、以及第1薄化区域290。第1薄化区域290是第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240沿各线10部分地被薄化而成的区域。再者，抗反射层210、第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240以自1个基板11侧起依次(即，1个抗反射层21、1个第1镜部31、1个去除预定部50、1个第2镜部32的顺序)配置1个抗反射层21、1个第1镜部31、1个去除预定部50及1个第2镜部32的方式形成。

继而，如图7(a)所示，在每个与基板11对应的部分，通过蚀刻，在第2层叠体24形成自第2层叠体24的表面24a至去除预定部50的多个贯通孔24b。继而，在构成应力调整层400的层440上形成遮光层450。遮光层450是沿各线10切断成多个遮光层45的预定的层。继而，通过蚀刻，以使抗反射层410的表面露出的方式，将遮光层450及应力调整层400(即层420、430、440)中的沿各线10的部分去除。另外，通过该蚀刻，在每个与基板11对应的部分，形成开口40a。继而，在遮光层450上、露出的抗反射层410的表面、及开口40a的内表面、面向第2薄化区域470的应力调整层400的侧面，形成保护层460。保护层460是沿各线10切断成多个保护层46的预定的层。

至此，在晶圆110的第2主面110b，形成应力调整层400、遮光层450及保护层460、以及第2薄化区域470。第2薄化区域470是应力调整层400沿各线10部分地被薄化而成的区域。

继以上的形成工序之后，如图7(b)所示，实施去除工序。具体而言，通过经由多个贯通孔24b的蚀刻(例如使用氢氟酸气体的气相蚀刻)，自牺牲层230将多个去除预定部50同时去除。由此，在每个与基板11对应的部分，形成空隙S。

继而，如图8(a)及(b)所示，实施切断工序。具体而言，如图8(a)所示，在保护层460上(即，在应力调整层400侧)贴附扩展胶带60。继而，在应力调整层400侧贴附有扩展胶带60的状态下，自与扩展胶带60相反侧照射激光L，且使激光L的聚光点位于晶圆110的内部并使激光L的聚光点沿各线10相对移动。即，自与扩展胶带60相反侧，经由在第1薄化区域290露出的多晶硅层的表面，而使激光L入射至晶圆110。

然后，通过该激光L的照射，沿各线10在晶圆110的内部形成改质区域。改质区域是密度、折射率、机械强度、其他物理特性变成与周围不同的状态的区域，且为成为在晶圆110的厚度方向上伸展的龟裂的起点的区域。作为改质区域，例如有熔融处理区域(是指暂时熔融后再固化的区域、熔融状态中的区域及自熔融进行再固化的状态中的区域中的至少任一者)、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有它们混合存在的区域。再有，作为改质区域，有在晶圆110的材料中改质区域的密度与非改质区域的密度相比发生变化的区域、及形成有晶格缺陷的区域等。在晶圆110的材料为单晶硅的情况下，改质区域也可称为高错位密度区域。再者，相对于各线10在晶圆110的厚度方向上排列的改质区域的列数可通过晶圆110的厚度而适当调整。

继而，如图8(b)所示，通过使贴附于第2主面110b侧的扩展胶带60扩张，而自形成于晶圆110的内部的改质区域沿晶圆110的厚度方向使龟裂伸展，从而沿各线10将晶圆110切断成多个基板11。此时，在第1薄化区域290中将第2镜层240的多晶硅层沿各线10切断，并且在第2薄化区域470中将抗反射层410及保护层460沿各线10切断。由此，获得在扩展胶带60上处于相互隔开的状态的多个法布里-帕罗干涉滤光器1。

如以上说明的那样，在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，以晶圆级实施通过蚀刻自牺牲层230去除多个去除预定部50的去除工序。由此，与该去除工序以各个芯片级实施的情况相比，可效率极其良好地在第1镜部31与第2镜部32之间形成空隙S。而且，由于对二维状地排列的多个去除预定部50同时实施牺牲层230的蚀刻等，在晶圆110内的任意的与基板11对应的部分、及包围其的周围的与基板11对应的部分同时进行工艺，因而可降低晶圆110的面内的应力的偏倚。因而，根据法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法，可提高制造效率及成品率这两者，从而可稳定地量产质量较高的法布里-帕罗干涉滤光器1。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，在形成工序中，形成第1镜层220、牺牲层230、及第2镜层240的至少1层沿着各条线10被部分地薄化的第1薄化区域290。在沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11的切断工序中，虽然第2镜层240中与各第2镜部32对应的部分成为浮在空隙S上的状态，但由于预先形成有沿着各条线10被薄化的第1薄化区域290，因而与未形成第1薄化区域290的情况相比，外力难以作用于空隙S周边的结构，其结果，可有效地抑制空隙S周边的结构产生破损那样的事态(若假设未形成第1薄化区域290，则在沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11时，冲击、应力等传递至第1镜层220、牺牲层230、及第2镜层240，从而容易产生损坏)。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，在形成工序中，在晶圆110的第2主面110b形成应力调整层400，从而形成应力调整层400沿着各条线10被部分地薄化的第2薄化区域470。由此，可抑制由第1主面110a侧与第2主面110b侧之间的层构成的不一致引起的晶圆110的翘曲。再有，由于应力调整层400沿着各条线10被部分地薄化，因而可在沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11时，抑制开口40a周边的部分等、应力调整层400产生损坏(若假设未形成第2薄化区域470，则在沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11时，冲击、应力等传递至开口40a周边的部分等、应力调整层400，从而容易产生损坏)。

特别是在法布里-帕罗干涉滤光器1中，形成于晶圆110的第1主面110a的第1镜层220、牺牲层230、及第2镜层240、以及形成于晶圆110的第2主面110b的应力调整层400为较薄且精细的层构造，因此，若在实施切断工序之前未预先形成第1薄化区域290及第2薄化区域470，则在切断工序中在层构造易产生损伤。该情况在实施如通过使扩展胶带60扩张而自改质区域使龟裂伸展那样的切断工序的情况下，由于变为以撕裂层构造的方式作用力，因而变得显著。在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，可通过在实施切断工序之前预先形成第1薄化区域290及第2薄化区域470，而抑制在层构造产生损伤并通过干式工艺实施污染较少的激光加工(在晶圆110的内部形成改质区域的内部加工型的激光加工)。

以上的情况基于“虽然第1镜层220、牺牲层230、第2镜层240、及应力调整层400的各者为较薄的层构造，但是难以通过激光L的照射而稳定地形成到达至这些层的内部的改质区域”及“另一方面，由于第1镜层220、牺牲层230、第2镜层240、及应力调整层400的各者为较薄的层构造，因而若不形成第1薄化区域290及第2薄化区域470，则易因撕裂而受到较大的损伤”的本发明人所发现的见解。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，通过实施形成工序，而在晶圆110的第1主面110a，形成第1镜层220、牺牲层230、第2镜层240、及第1薄化区域290，并且在晶圆110的第2主面110b，形成应力调整层400、及第2薄化区域470，然后，通过实施去除工序，而自牺牲层230将去除预定部50去除。由此，在晶圆110的内部应力减少的状态下实施去除工序，因此，可抑制在隔着空隙S而相互相对的第1镜部31及第2镜部32产生应变、变形等。例如，若至少将第2薄化区域470的形成在自牺牲层230将去除预定部50去除之后实施，则在隔着空隙S而相互相对的第1镜部31及第2镜部32变得易产生应变、变形等，而变得难以获得具有所期望的特性的法布里-帕罗干涉滤光器1。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，在形成工序中，通过将至少牺牲层230及第2镜层240中沿着各条线10的部分薄化，而形成第1薄化区域290。由此，可在沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11时，更有效地抑制牺牲层230中的空隙S周边的部分、及浮在空隙S上的第2镜部32产生破损那样的事态。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，在形成工序中，在将形成于第1镜层220上的牺牲层230中沿着各条线10的部分薄化后，在牺牲层230上形成第2镜层240，由此以第2镜层240包覆沿着各条线10而相互相对的牺牲层230的侧面230a。由此，可在通过蚀刻而自牺牲层230将去除预定部50去除时，防止牺牲层230的侧面230a的一部分被去除(侵蚀)。再有，在所制造的法布里-帕罗干涉滤光器1中，可防止成为杂散光的光自相当于牺牲层230的侧面230a的中间层23的侧面23b入射。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，在切断工序中，通过激光L的照射沿着各条线10在晶圆110的内部形成改质区域，使龟裂自改质区域沿晶圆110的厚度方向伸展，由此沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11。由此，与通过刀片切割将晶圆110切断成多个基板11的情况相比，外力难以作用于空隙S周边的结构，因而可更有效地抑制空隙S周边的结构产生破损那样的事态。另外，可防止在实施刀片切割时产生的微粒、刀片切割所使用的冷却洗净水等侵入至空隙S，而使法布里-帕罗干涉滤光器1的特性劣化。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，在切断工序中，通过使贴附于晶圆110的第2主面110b侧的扩展胶带60扩张，而使龟裂自改质区域沿晶圆110的厚度方向伸展。由此，可在具有分别作为可动镜而发挥功能的预定的多个第2镜部32的第2镜层240，抑制因扩展胶带60的贴附导致产生损坏。再有，通过第2薄化区域470的存在，而扩展胶带60的扩张力变得容易集中于改质区域及其附近部分，因而可容易使龟裂自改质区域沿晶圆110的厚度方向伸展。

另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法中，在切断工序中，在第2主面110b侧贴附有扩展胶带60的状态下，使激光L自与扩展胶带60相反侧向晶圆110入射。由此，可抑制由扩展胶带60导致的激光L的散射、衰减等，从而沿着各条线10在晶圆110的内部可靠地形成改质区域。

然而，在利用刀片切割等的切断工序中，顾虑到第2镜部32破损的可能性，一直以来，在沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11的切断工序后，实施通过蚀刻自牺牲层230将去除预定部50去除的去除工序。本发明人发现了如下见解：“对二维状地排列的多个去除预定部50同时进行牺牲层230的蚀刻，在降低作用于晶圆110的面内、即邻接的基板11间的应力后进行切断工序，由此可抑制由较薄且精细的层结构构成的第2镜部32产生破损”。因此，相对于多个去除预定部50的牺牲层230的蚀刻优选为对与在晶圆110的面内二维状地排列的基板11中任意的基板11、及邻接于该基板11且包围该基板11的多个基板11对应的多个去除预定部50同时实施。

[变形例]

以上，对本发明的一个实施方式进行了说明，但本发明的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法并不限定于上述的实施方式。例如，各构成的材料及形状不限于上述的材料及形状，可采用各种材料及形状。

另外，形成工序中的各层及各区域的形成顺序并不限定于上述。作为一个例子，也可将第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240形成于晶圆110的第1主面110a，其后，使第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240中沿着各条线10的部分薄化，由此形成第1薄化区域290。另外，也可将第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240形成于晶圆110的第1主面110a，并且将应力调整层400形成于晶圆110的第2主面110b，其后，形成第1薄化区域290及第2薄化区域470。

另外，第1薄化区域290只要为第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240的至少1者沿着各条线10被部分地薄化的区域即可。因此，第1薄化区域290也可为包含第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240的第1主面110a侧的所有层中沿着各条线10的部分的全部被去除的区域。再者，在形成工序中，也可不形成第1薄化区域290。

另外，第2薄化区域470只要为应力调整层400的至少一部分沿着各条线10被部分地薄化的区域即可。因此，第2薄化区域470也可为包含应力调整层400的第2主面110b侧的所有层中沿着各条线10的部分的全部被去除的区域。再者，在形成工序中，也可不形成第2薄化区域470。再有，也可不形成应力调整层400本身。

另外，如图9(a)及(b)所示，也可实施切断工序。具体而言，如图9(a)所示，在保护层460上(即在第2主面110b侧)贴附扩展胶带60。继而，在第2主面110b侧贴附有扩展胶带60的状态下，自扩展胶带60侧照射激光L并使激光L的聚光点位于晶圆110的内部，且使激光L的聚光点沿着各条线10相对移动。即，使激光L自扩展胶带60侧经由扩展胶带60向晶圆110入射。然后，通过该激光L的照射，沿着各条线10在晶圆110的内部形成改质区域。

继而，如图9(b)所示，使贴附于第2主面110b侧的扩展胶带60扩张，由此自形成于晶圆110的内部的改质区域使龟裂沿晶圆110的厚度方向伸展，从而沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11。然后，获得在扩展胶带60上处于相互隔开的状态的多个法布里-帕罗干涉滤光器1。

根据这样的切断工序，如图9(a)所示，例如在自上方照射激光L的情况下，即使所产生的微粒通过自身重量而落下，由于扩展胶带60作为罩而发挥功能，因而也可抑制这样的微粒附着于第2镜层240等。

另外，在切断工序中，也可在通过激光L的照射而沿着各条线10在晶圆110的内部形成改质区域时，龟裂自该改质区域沿晶圆110的厚度方向伸展，从而晶圆110沿着各条线10被切断成多个基板11。在该情况下，可通过使扩展胶带60扩张，而使通过切断而获得的多个法布里-帕罗干涉滤光器1相互隔开。

另外，在形成工序中，以构成第1镜层220而非第2镜层240的多晶硅层的表面露出的方式，使第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240的至少1者沿着各条线10部分地薄化，在切断工序中，也可使激光L经由第1镜层220而非第2镜层240所包含的多晶硅层的表面入射至晶圆110。

再有，在形成工序中表面被露出的层只要为构成第1镜层220或第2镜层240的至少1个层即可。具体而言，在形成工序中表面被露出的层不限定于多晶硅层，例如也可为氮化硅层、氧化硅层等。在该情况下，晶圆110的第1主面110a也由表面被露出的层保护，维持入射激光L的面的平坦性，因而可抑制激光L的散射，从而在晶圆110的内部更可靠地形成改质区域。再者，在平滑的表面的形成中，为了使第1镜层220、牺牲层230及第2镜层240的至少1者沿着各条线10部分地薄化，与干式蚀刻相比实施湿式蚀刻较为有利。

另外，在切断工序中，也可通过刀片切割、激光剥蚀切割、利用喷水锯的切断、超声波切割等，沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11。再者，也可在通过这些方法沿着各条线10将晶圆110自第1主面110a侧半切后，通过研磨晶圆110的第2主面110b，而沿着各条线10将晶圆110切断成多个基板11。

另外，在形成工序中，也可以至少中间层23的侧面23b弯曲的方式(以形成连续的曲面的方式)形成第1薄化区域290。图10是在以中间层23的侧面23b、第1层叠体22的侧面22a及抗反射层21的侧面21a连续地弯曲的方式形成第1薄化区域290的情况下所获得的法布里-帕罗干涉滤光器1的外缘部分的放大剖视图。

对如图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1进行说明。中间层23的侧面23b以中间层23的基板11侧的缘部23k较中间层23的与基板11相反侧的缘部23j在与第1表面11a平行的方向上更位于外侧的方式弯曲。即，在自与第1表面11a垂直的方向观察的情况下，缘部23k包围缘部23j。更具体而言，侧面23b在与第1表面11a垂直的剖面中向空隙S侧弯曲为凹状。侧面23b平滑地连接于第1层叠体22的表面22b或侧面22a。侧面23b以在与第1表面11a垂直的方向上越靠近基板11则在与第1表面11a平行的方向上越远离空隙S的方式，向空隙S侧弯曲为凹状。换言之，在侧面23b中，侧面23b相对于第1表面11a的角度在与第1表面11a垂直的方向上越靠近基板11则变得越小。

第1层叠体22的侧面22a及抗反射层21的侧面21a较中间层23的侧面23b，相对于空隙S的中央部在与第1表面11a平行的方向上更位于外侧。第1层叠体22的侧面22a及抗反射层21的侧面21a以在与第1表面11a垂直的方向上越靠近基板11则在与第1表面11a平行的方向上越远离空隙S的方式，向与空隙S相反侧弯曲为凸状。换言之，在第1层叠体22的侧面22a及抗反射层21的侧面21a中，第1层叠体22的侧面22a及抗反射层21的侧面21a相对于第1表面11a的角度在与第1表面11a垂直的方向上越靠近基板11则变得越大。

对如上所述用于使中间层23的侧面23b弯曲为凹状的方法的一个例子进行说明。首先，如图11(a)所示，在中间层23上形成抗蚀层M。继而，如图11(b)所示，在抗蚀层M实施图案化，使中间层23中应去除的区域露出。继而，如图12(a)所示，对中间层23实施蚀刻(湿式蚀刻)。此时，由于中间层23被去除至被抗蚀层M覆盖的部分为止，因而中间层23的侧面23b成为弯曲为凹状的形状。再者，一边重复成膜及蚀刻一边阶段性地形成抗反射层21及第1层叠体22，以中间层23的侧面23b连续地(平滑地)连接于第1层叠体22的侧面22a的方式实施中间层23的蚀刻，由此中间层23的侧面23b、第1层叠体22的侧面22a及抗反射层21的侧面21a成为连续弯曲的形状。继而，如图12(b)所示，自中间层23上去除抗蚀层M。

另外，如下所述，也能够使中间层23的侧面23b弯曲为凹状。首先，如图13(a)所示，在中间层23上形成抗蚀层M。继而，利用3D掩膜对抗蚀层M实施曝光及显影。由此，如图13(b)所示，中间层23中应去除的区域露出，并且抗蚀层M的侧面成为弯曲为凹状的形状。继而，如图14(a)所示，对中间层23实施干式蚀刻。此时，由于抗蚀层M的侧面的形状复制至中间层23的侧面23b，因而中间层23的侧面23b成为弯曲为凹状的形状。继而，如图14(b)所示，自中间层23上去除抗蚀层M。

再有，如下所述，也能够使中间层23的侧面23b弯曲为凹状。首先，如图15(a)所示，在中间层23上形成抗蚀层M。继而，对抗蚀层M实施光刻。由此，如图15(b)所示，中间层23中应去除的区域露出，并且抗蚀层M的侧面成为弯曲为凹状的形状。通过调整抗蚀层M的条件(例如材料等)及光刻的条件(例如曝光条件、显影条件、烘烤条件等)，可使抗蚀层M的侧面成为弯曲为凹状的形状。继而，如图16(a)所示，对中间层23实施干式蚀刻。此时，由于抗蚀层M的侧面的形状复制至中间层23的侧面23b，因而中间层23的侧面23b成为弯曲为凹状的形状。继而，如图16(b)所示，自中间层23上去除抗蚀层M。

在如图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1中，第2层叠体24的包覆部33包覆中间层23的侧面23b。因此，可抑制由光自中间层23的侧面23b入射导致在来自法布里-帕罗干涉滤光器1的输出光中噪声增大。因此，可抑制法布里-帕罗干涉滤光器1的特性产生劣化。此外，在该法布里-帕罗干涉滤光器1中，由于第2层叠体24包覆中间层23的侧面23b，因此在第2镜部32向第1镜部31侧移动时，即使对于第2层叠体24中包覆中间层23的侧面23b的区域，力也以朝向第2镜部32侧的方式发挥作用。因此，应力容易集中于中间层23的侧面23b的第2层叠体24侧的角部。此处，在如图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1中，中间层23的侧面23b以中间层23的基板11侧的缘部23k较中间层23的与基板11相反侧的缘部23j在与第1表面11a平行的方向上更位于外侧的方式弯曲。因此，可在中间层23的侧面23b中的第2层叠体24侧的角部使应力分散。因此，可抑制在该角部产生裂纹等损伤。通过以上，根据图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1，可获得较高的可靠性。

另外，在图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1中，与中间层23的侧面23b未弯曲的情况相比较，中间层23的侧面23b与第2层叠体24的接触面积扩大。因此，可相对于中间层23的侧面23b牢固地固定第2层叠体24。另外，中间层23的侧面23b以在与第1表面11a垂直的方向上越靠近基板11则在与第1表面11a平行的方向上越远离空隙S的方式弯曲。因此，在制造工序中，可良好地维持第2层叠体24的包覆部33包覆中间层23的侧面23b的厚度(范围(coverage))。

另外，在图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1中，中间层23的侧面23b以中间层23的基板11侧的缘部23k较中间层23的与基板11相反侧的缘部23j在与第1表面11a平行的方向上更位于外侧的方式，在空隙S侧弯曲为凹状。因此，中间层23的侧面23b相对于第1表面11a的角度在中间层23的侧面23b中靠近基板11的部分，在与第1表面11a垂直的方向上越靠近基板11则变得越小。由此，可抑制第2层叠体24自中间层23的侧面23b中接近基板11的部分剥落。

另外，在图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1中，中间层23的侧面23b以在与第1表面11a垂直的方向上越靠近基板11则在与第1表面11a平行的方向上越远离空隙S的方式弯曲。因此，中间层23的侧面23b在其整体上在与第1表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第1表面11a平行的方向上越远离空隙S。由此，可在中间层23的侧面23b的第2层叠体24侧的角部使应力更进一步地分散。

另外，在图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1中，第1层叠体22的侧面22a较中间层23的侧面23b相对于空隙S的中央部在与第1表面11a平行的方向上更位于外侧，第2层叠体24的包覆部33包覆第1层叠体22的侧面22a。因此，第2层叠体24的包覆部33超越中间层23的侧面23b而包覆至第1层叠体22的侧面22a为止，相对于第1层叠体22的侧面22a固定。由此，可抑制第2层叠体24自中间层23的侧面23b中接近基板11的部分剥落。

另外，在图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1中，基板11具有在自与第1表面11a垂直的方向观察的情况下较第1层叠体22的外缘更位于外侧的外缘部11c，第2层叠体24包覆外缘部11c。因此，第2层叠体24超越第1层叠体22的外缘而包覆至基板11的外缘部11c为止，由此将第1层叠体22相对于基板11侧固定。由此，可抑制第1层叠体22自基板11侧剥落。

另外，在图10所示的法布里-帕罗干涉滤光器1中，第1层叠体22的侧面22a以在与第1表面11a垂直的方向上越靠近基板11则在与第1表面11a平行的方向上越远离空隙S的方式弯曲。因此，第2层叠体24的包覆部33相对于第1层叠体22的侧面22a被更牢固地固定。因而，可抑制第2层叠体24自中间层23的侧面23b中接近基板11的部分剥落。

符号的说明

1…法布里-帕罗干涉滤光器、10…线、11…基板、31…第1镜部、32…第2镜部、50…去除预定部、60…扩展胶带、110…晶圆、110a…第1主面、110b…第2主面、220…第1镜层、230…牺牲层、230a…侧面、240…第2镜层、290…第1薄化区域、400…应力调整层、470…第2薄化区域、L…激光。

Claims (7)

1.一种法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法，其特征在于，

具备：

形成工序，其在包含与二维状地排列的多个基板对应的部分、且沿着多条线的各个被切断成多个所述基板的预定的晶圆的第1主面，将具有分别作为固定镜而发挥功能的预定的多个第1镜部的第1镜层、具有多个去除预定部的牺牲层、及具有分别作为可动镜而发挥功能的预定的多个第2镜部的第2镜层，以1个所述第1镜部、1个所述去除预定部、及1个所述第2镜部自1个所述基板侧按顺序配置的方式形成；

去除工序，其在所述形成工序之后，通过蚀刻自所述牺牲层同时去除二维状地排列的多个所述去除预定部；

切断工序，其在所述去除工序之后，沿着多条所述线的各个将所述晶圆切断成多个所述基板，

在所述形成工序中，形成所述第1镜层、所述牺牲层、及所述第2镜层的至少1者沿着多条所述线的各个被部分地薄化的第1薄化区域，

在所述形成工序中，在使形成于所述第1镜层上的所述牺牲层中沿着多条所述线的各个的部分薄化后，在所述牺牲层上形成所述第2镜层，由此由所述第2镜层包覆沿着多条所述线的各个而相互相对的所述牺牲层的侧面。

2.如权利要求1所述的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法，其特征在于，

在所述形成工序中，在所述晶圆的第2主面形成应力调整层，且形成所述应力调整层沿着多条所述线的各个被部分地薄化的第2薄化区域。

3.如权利要求1或2所述的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法，其特征在于，

在所述形成工序中，通过至少使所述牺牲层及所述第2镜层中沿着多条所述线的各个的部分薄化，而形成所述第1薄化区域。

4.如权利要求1至3中任一项所述的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法，其特征在于，

在所述切断工序中，通过激光的照射而沿着多条所述线的各个在所述晶圆的内部形成改质区域，使龟裂自所述改质区域沿所述晶圆的厚度方向伸展，由此沿着多条所述线的各个将所述晶圆切断成多个所述基板。

5.如权利要求4所述的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法，其特征在于，

在所述切断工序中，通过使贴附于所述晶圆的第2主面侧的扩展胶带扩张，而使所述龟裂自所述改质区域沿所述晶圆的厚度方向伸展。

6.如权利要求5所述的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法，其特征在于，

在所述切断工序中，在所述第2主面侧贴附有所述扩展胶带的状态下，使所述激光自与所述扩展胶带相反侧入射至所述晶圆。

7.如权利要求5所述的法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法，其特征在于，

在所述切断工序中，在所述第2主面侧贴附有所述扩展胶带的状态下，使所述激光自所述扩展胶带侧经由所述扩展胶带入射至所述晶圆。

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