WO2005027212A8 - 半導体基板の切断方法 - Google Patents

半導体基板の切断方法

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Abstract

　表面に機能素子が形成された半導体基板をダイボンド樹脂層と共に効率良く切断し得る半導体基板の切断方法を提供する。 　表面３に機能素子１５が形成されたウェハ１１の裏面１７をレーザ光入射面とし、ウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することで、多光子吸収を生じさせて切断予定ライン５に沿ってウェハ１１の内部に溶融処理領域１３による切断起点領域８を形成する。これにより自然に或いは比較的小さな力で切断起点領域８を起点として割れを発生させ、その割れを表面３と裏面１７とに到達させることができる。従って、切断起点領域８形成後に、ウェハ１１の裏面１７にダイボンド樹脂層２３を介在させて拡張フィルム２１を貼り付け、その拡張フィルム２１を拡張させると、切断予定ライン５に沿ってウェハ１１及びダイボンド樹脂層２３を切断することができる。
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