JP5614738B2 - 基板加工方法 - Google Patents
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本発明の第1の実施の形態に係る基板加工方法に適用する半導体ウェハ構造は、図1(a)に示すように表され、X−Y走査方向と、劈開方向Cは、図1(b)に示すように表される。図1(a)に示すように、例えば、(100)面のシリコンウェハにおいて、劈開方向Cは、オリエンテーションフラット面の<110>方向および<110>方向に垂直な方向である。
第2の実施の形態に係る基板加工方法において、一層目のパターン状改質層50を形成する工程の基板10の模式的断面構造は、図16に示すように表され、二層目のパターン状改質層52および三層目のパターン状改質層54を形成する工程の基板10の模式的断面構造は、図17に示すように表される。
第3の実施の形態に係る基板加工方法において、4層目のパターン状改質層76を形成する工程後のX−Y走査方向に沿う基板10の模式的鳥瞰構造は、図23に示すように表される。
第2の実施の形態に係る基板加工方法において、基板の劈開方向CをY方向に合わせ、他は第1の実施の形態と同一条件で、2次元状内部改質層を形成しようとしたところ、レーザ光の照射による2次元状内部改質層の形成途中で、基板がY方向沿って割れた。割れた場所から、レーザ光の出力を0.7Wに落とし、さら照射を続け、11mm×11mmの2次元状内部改質層を形成した基板を得た。
上記のように、本発明は第1〜第3の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
12…2次元状内部改質層
14a、14b、14c、14d…劈開面
16…集光レンズ(レーザ集光手段)
18…収差増強ガラス板(収差増強材)
20、20a、20b、22、26…レーザ光
24…レーザスポット
36、42、43、50、52、54、60、62、70、72、74、76…パターン状改質層
38…導電性高分子層(半導体層)
40…保護層
44…エッチング液
46…エッチング槽
64…開孔部
66…半導体加工基板
68…凹部
Claims (10)
- 半導体の基板上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、
前記レーザ集光手段により、前記基板表面にレーザ光を照射し、前記基板内部にレーザ光を集光する工程と、
前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に2次元状内部改質層を形成する工程と、
前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記2次元状内部改質層の前記レーザ集光手段側およびまたは前記レーザ集光手段と反対側に少なくとも1層のパターン状改質層を形成する工程と、
前記基板表面に前記基板と反対導電型の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の表面に保護層を形成する工程と、
前記基板表面に前記パターン状改質層を露出させる工程と、
前記パターン状改質層および前記2次元状内部改質層をエッチングする工程と
を有することを特徴とする基板加工方法。 - 前記パターン状改質層を形成する工程は、前記基板内部に集光するレーザ光の集光点を前記レーザ集光手段側に移動させることで、前記2次元状内部改質層上にパターニングされた前記パターン状改質層を1層以上形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の基板加工方法。
- 前記基板表面に前記パターン状改質層を露出させる工程は、前記基板内部に集光するレーザ光の集光点を前記レーザ集光手段側に移動させることで、最後に前記基板表面に前記パターン状改質層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載の基板加工方法。
- 前記基板内部に2次元状内部改質層を形成する工程では、前記基板の劈開面の劈開方向に対してレーザ光を所定の角度ずらして照射することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板加工方法。
- 前記所定の角度が5°以上であることを特徴とする請求項4に記載の基板加工方法。
- 基板上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、
前記レーザ集光手段により、前記基板表面にレーザ光を照射し、前記基板内部にレーザ光を集光する工程と、
前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に集光するレーザ光の集光点を前記集光手段と反対側の前記基板の最深部に設定した状態から、前記レーザ集光手段側に移動させることで、1層または複数層のパターン状改質層を形成する工程と、
前記パターン状改質層を形成する工程後、前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に2次元状内部改質層を形成する工程と、
前記基板表面に前記パターン状改質層を露出させる工程と、
前記パターン状改質層および前記2次元状内部改質層をエッチングする工程と
を有することを特徴とする基板加工方法。 - 前記1層の前記パターン状改質層により、前記集光手段が配置される側と反対側の前記基板表面に前記パターン状改質層が露出することを特徴とする請求項6に記載の基板加工方法。
- 前記基板は半導体基板であり、前記2次元状内部改質層を形成する工程後、前記基板表面に前記パターン状改質層を露出させる工程前に、前記基板表面に前記基板と反対導電型の半導体層を形成する工程を有することを特徴とする請求項6または7に記載の基板加工方法。
- 前記基板内部に2次元状内部改質層を形成する工程では、前記基板の劈開面の劈開方向に対してレーザ光を所定の角度ずらして照射することを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の基板加工方法。
- 前記所定の角度が5°以上であることを特徴とする請求項9に記載の基板加工方法。
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