JP4706570B2 - 基板及びその分断方法、電気光学装置及びその製造方法、電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は、基板及びその分断方法、電気光学装置及びその製造方法、電子機器に関するものである。
光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す。）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光点におけるピークパワー密度が１×１０8（Ｗ／ｃｍ2）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。
また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）に対してＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。
液晶表示装置などの表示装置は、外形が矩形の１対の基板を用いて、１対の基板の間に液晶や発光素子を配置して形成されることが多い。その製造方法において、トランジスタなどのスイッチング素子の表示装置に対応するパターンを複数配列した素子マザー基板と、共通電極等の表示装置に対応するパターンを複数配列した対向マザー基板とを貼り合せて、分断する方法が広く採用されている。
素子マザー基板と対向マザー基板とを貼り合せて、対向マザー基板にレーザ光を照射して改質部を形成するとき、レーザ光の一部が対向マザー基板を通過して、素子マザー基板を照射する。素子マザー基板には、配線、端子、スイッチング素子等が配置されており、レーザ光により損傷を受ける可能性があった。
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、レーザスクライブするとき、レーザ光による損傷が防止できる基板及びその分断方法、電気光学装置及びその製造方法、電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、第１の基板と、第２の基板とを接合して第１の基板及び第２の基板を分断する基板の分断方法であって、第１の基板において、第２の基板と対向する第１の面と、第２の基板において、第１の基板と対向する第２の面との内、少なくとも一つの面に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、第１の基板と第２の基板とを接合する接合工程と、第１の基板及び第２の基板にレーザ光を照射して、第１の基板及び第２の基板の内部に改質部を形成するスクライブ工程と、改質部を押圧して第１の基板及び第２の基板を分断する分断工程とを有し、遮光膜形成工程では、スクライブ工程においてレーザ光が照射される場所に、遮光膜を形成することを特徴とする。
この基板の分断方法によれば、遮光膜形成工程において、遮光膜が形成される。第１の基板において、第２の基板と対向する面を第１の面とし、第２の基板において、第１の基板と対向する面を第２の面とする。遮光膜は第１の面と、第２の面との内、少なくとも一つの面において、スクライブ工程でレーザ光が照射される場所に形成される。
スクライブ工程では、第１の基板及び第２の基板にレーザ光を照射して、第１の基板及び第２の基板の内部に改質部を配列して形成する。第１の基板にレーザ光を照射するとき、第１の基板を通過するレーザ光は、遮光膜に遮光される為、第２の基板を照射する事が無い。第２の基板に配線、端子、素子等が形成されているとき、この配線、端子、素子等は、レーザ光を照射されることによる損傷を受けることがない。従って、第２の基板に形成される配線、端子、素子等に損傷を与えずに、第１の基板をスクライブして分断することができる。
本発明の基板の分断方法は、遮光膜形成工程では、有機材料を含む材料を塗布し固化して、遮光膜を形成することを特徴とする。
この基板の分断方法によれば、遮光膜は有機材料を含む材料を塗布し固化して形成される。有機材料に色素材料を加えて、特定の波長の光を吸収する遮光膜や、有機材料に金属粉などを加えて、光を遮光する遮光膜を形成することができる。有機材料は、溶媒を加えて粘性を調節し、塗布性を良くすることができることから、生産性良く遮光膜を形成することができる。
本発明の基板の分断方法は、遮光膜形成工程では、液滴吐出法を用いて遮光膜を形成する材料を塗布し固化して、遮光膜を形成することを特徴とする。
この基板の分断方法によれば、液滴吐出法を用いて遮光膜を形成する材料を塗布し固化して、遮光膜が形成される。液滴吐出法は、遮光膜を形成する場所に限定して遮光膜の材料を塗布する。基板の全面に遮光膜の材料を塗布して、不要な部分を除去する方法に比べて、遮光膜の材料を消費する量が少なくする事ができる。その結果、省資源な方法で遮光膜を形成することができる。
本発明の基板の分断方法は、遮光膜形成工程では、第１の面に遮光膜を形成することを特徴とする。
この基板の分断方法によれば、第１の基板における第１の面に遮光膜が形成される。スクライブ工程で形成される改質部は第１の基板の内部に形成されることから、第１の面は、第２の基板における第２の面に比べて、改質部が形成される場所に近い場所にある。改質部を形成するときにレーザ光を集光する集光レンズは開口数の大きいレンズが用いられる為、レーザ光を集光する場所から離れる程、レーザ光は広がる。レーザ光を集光する場所に近い場所に遮光膜を配置するとき、レーザ光が広がる前に遮光することから、遮光膜は狭い面積で遮光できる。第１の面は、レーザ光を集光する場所に近いことから、第１の面に遮光膜を形成する方が、第２の面に遮光膜を形成するときに比べて、狭い面積で遮光できる。その結果、少ない遮光膜の材料で遮光膜を形成でき、省資源な分断方法とすることができる。
本発明の基板の分断方法は、遮光膜形成工程では、第２の面に遮光膜を形成することを特徴とする。
この基板の分断方法によれば、第２の基板において、第１の基板と対向する第２の面に遮光膜が形成される。第２の基板に配線、端子、素子等の、レーザ光を照射されて損傷を受ける物が配置されるとき、損傷を受ける物を覆う様に遮光膜を配置することで、損傷を防ぐことができる。損傷を受け易い物を直接、遮光膜で覆うことにより確実に、レーザ光による損傷を防止できる。
本発明の基板の分断方法は、遮光膜を除去する遮光膜除去工程を含むことを特徴とする。
この基板の分断方法によれば、遮光膜除去工程において、遮光膜が除去される。端子を遮光膜で覆った場合など、遮光膜により端子に外部の配線との接合が阻害されるとき、遮光膜を除去することで、遮光膜による不具合を解消することができる。
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１の基板と、第２の基板とを接合して第１の基板及び第２の基板を分断する電気光学装置の製造方法であって、上記のいずれか一項に記載の基板の分断方法を用いて形成することを特徴とする。
この電気光学装置の製造方法によれば、電気光学装置は、上記の基板の分断方法を用いて形成されている。上記の基板の分断方法では、レーザ光を用いて第１の基板をスクライブして分断するとき、第２の基板には、レーザ光による損傷を与えない。従って、第２の基板に配線、端子、素子等のレーザ光により損傷を受け易い物が配置されるときにも、レーザ光により損傷を受けることがない。従って、スクライブ工程で、レーザ光により損傷を受けない第２基板を備えた電気光学装置の製造方法とすることができる。
本発明の基板は、上記のいずれか一項に記載の基板の分断方法で分断されていることを特徴とする。
この基板によれば、基板は、上記の基板の分断方法を用いて形成されている。上記の基板の分断方法では、レーザ光を用いて第１の基板をスクライブして分断するとき、第２の基板には、レーザ光による損傷を与えない。従って、第２の基板に配線、端子、素子等のレーザ光により損傷を受け易い物が配置されるときにも、レーザ光により損傷を受けることがない。従って、スクライブ工程で、レーザ光により損傷を受けない基板をとすることができる。
本発明の電気光学装置は、上記に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする。
この電気光学装置によれば、電気光学装置は、上記の電気光学装置の製造方法を用いて製造されている。この電気光学装置の製造方法では、レーザ光を用いて第１の基板をスクライブして分断するとき、第２の基板には、レーザ光による損傷を与えない。従って、第２の基板に配線、端子、素子等のレーザ光により損傷を受け易い物が配置されるときにも、レーザ光により損傷を受けることがない。従って、スクライブ工程で、レーザ光により損傷を受けない第２基板を備えた電気光学装置とすることができる。
本発明の電子機器は、上記に記載の電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする。
この電子機器によれば、電子機器は上記の電気光学装置を備えている。この電気光学装置は、レーザ光を用いて第１の基板をスクライブして分断するとき、第２の基板には、レーザ光による損傷を与えない。従って、第２の基板に配線、端子、素子等のレーザ光により損傷を受け易い物が配置されるときにも、レーザ光により損傷を受けることがない。従って、スクライブ工程で、レーザ光により損傷を受けない第２基板を備えた電気光学装置を有する電子機器とすることができる。
以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
本実施形態では、液滴吐出法によって遮光膜を形成し、レーザスクライブ法によってスクライブして分断する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、液晶表示装置、レーザ照射装置、液滴吐出装置について順次説明する。
本実施形態では、液滴吐出法によって遮光膜を形成し、レーザスクライブ法によってスクライブして分断する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、液晶表示装置、レーザ照射装置、液滴吐出装置について順次説明する。
（液晶表示装置）
まず、液晶表示装置について説明する。図１は、液晶表示装置の模式平面図であり、図２は、図１の液晶表示装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。
まず、液晶表示装置について説明する。図１は、液晶表示装置の模式平面図であり、図２は、図１の液晶表示装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。
図１及び図２において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置１は、対をなす基板としてのＴＦＴアレイ基板２と基板としての対向基板３とが熱硬化性の封止材であるシール４によって貼り合わされ、このシール４によって区画される領域内に封入された液晶５からなる液晶層を備えている。シール４は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。
シール４の内側で対向基板３の液晶５側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り６が形成されている。シール４の外側の場所には、データ線駆動回路７及び実装端子８がＴＦＴアレイ基板２の辺２ａ（図１中下側の辺）に沿って形成されており、この辺２ａに隣接する辺２ｂ及び辺２ｃ（図１中左右の辺）に沿って走査線駆動回路９が形成されている。データ線駆動回路７、実装端子８及び走査線駆動回路９はアルミニウムを素材とする配線１０ａにより電気的に接続されている。ＴＦＴアレイ基板２の残る辺２ｄ（図１中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路９の間を接続するための配線１０ｂが設けられている。また、対向基板３のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間で電気的導通をとるための基板間導通材１１が配設されている。
また、液晶表示装置１はカラー表示用として構成しており、対向基板３において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが保護膜とともに形成されている。カラーフィルタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの各フィルタ素子の間には、遮光膜１３が形成されており、カラーフィルタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを通過しない光は遮光膜１３が遮断するようになっている。さらに、カラーフィルタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの保護膜のＴＦＴアレイ基板２側には対向電極１４と配向膜１５とが配置されている。
液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶分子の液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、ＴＦＴのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。それにより、透過した光は、画素毎に相対して設置される赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の色フィルタを有するカラーフィルタを透過することで、画素毎に対応する各色フィルタの色を色光として透過する。なお、光が液晶により遮られた画素に対応する色フィルタには当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させることにより、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、カラー映像を表示させることができる。
このような構造を有する液晶表示装置１の画像を表示する領域には、複数の画素がｍ行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素の各々には、画素信号をスイッチングするＴＦＴ（スイッチング素子）がＴＦＴアレイ基板２に形成されている。画素信号を供給するデータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に画素電極１６が電気的に接続されている。画素電極１６はカラーフィルタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの各フィルタ素子と対向する場所に形成されている。走査線が接続されるＴＦＴのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。
画素電極１６は、ＴＦＴのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素の画素電極１６に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極１６に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、図２に示す対向基板３の対向電極１４との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶５の光透過量が変化する。液晶表示装置１はカラーフィルタを備えており、カラーフィルタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを透過する光を液晶５からなる液晶層を挟持する電極に印加する画像信号により制御することで、液晶表示装置１はカラー画像を表示することができる。
画素電極１６の対向基板３側には配向膜１７が配置されている。配向膜１５と配向膜１７とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜１５と配向膜１７との間に充填された液晶５は、溝状の凹凸に沿って配列して形成される。
ＴＦＴアレイ基板２及び対向基板３において、液晶５と反対側の面には、偏光シート１８，１９が配置され、偏光シート１８，１９及び液晶５の作用により、液晶表示装置１を透過する光透過量が変化するようになっている。
（レーザ照射装置）
次にレーザ照射装置について説明する。図３は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。
図３に示すように、レーザ照射装置２１は、レーザ光を出射するレーザ光源２２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部２３と、光学経路部２３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部２４と、動作を制御する制御装置２５を主として構成されている。
次にレーザ照射装置について説明する。図３は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。
図３に示すように、レーザ照射装置２１は、レーザ光を出射するレーザ光源２２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部２３と、光学経路部２３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部２４と、動作を制御する制御装置２５を主として構成されている。
レーザ光源２２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源２２は、本実施形態において、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）のレーザ媒質からなり、第３高調波（波長：３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パルスのレーザ光を出射する発光条件を採用している。
光学経路部２３はダイクロイックミラー２６を備えている。ダイクロイックミラー２６は、レーザ光源２２から照射されるレーザ光の光軸２７上に配置されている。ダイクロイックミラー２６はレーザ光源２２から照射されるレーザ光を反射して、光軸２７の進行方向を変更する。ダイクロイックミラー２６に反射したレーザ光が通過する光軸２７上に集光レンズ２８が配置されている。テーブル部２４にはワーク２９が配置され、集光レンズ２８を通過したレーザ光がワーク２９に照射されるようになっている。
集光レンズ２８はレンズ支持部３０により、レンズ移動機構３１に支持されている。レンズ移動機構３１は、図示しない直動機構を有し、集光レンズ２８を光軸２７方向に移動させて、集光レンズ２８を通過したレーザ光が集光する位置を移動可能としている。
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構３１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸２７方向に沿って往動又は復動するようになっている。
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構３１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸２７方向に沿って往動又は復動するようになっている。
集光レンズ２８とダイクロイックミラー２６とを通過する光軸２７の延長線上にあって、ダイクロイックミラー２６に対して集光レンズ２８と反対側には、撮像装置３２を備えている。撮像装置３２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ２８を透過してワーク２９を照射する。撮像装置３２は、集光レンズ２８とダイクロイックミラー２６とを通してワーク２９を撮像することが可能となっている。
テーブル部２４は、基台３５を備えている。基台３５の光学経路部２３側には、レール３６が凸設して配置されており、レール３６上にはＸ軸スライド３７が配置されている。Ｘ軸スライド３７は、図示しない直動機構を備え、レール３６上のＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構３１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド３７が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
Ｘ軸スライド３７の光学経路部２３側にはレール３８が凸設して配置されており、レール３８上にはＹ軸スライド３９が配置されている。Ｙ軸スライド３９は、Ｘ軸スライド３７と同様な直動機構を備え、レール３８上をＹ方向に移動可能となっている。
Ｙ軸スライド３９の光学経路部２３側には、ステージ４０が配置され、ステージ４０の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク２９を載置すると、チャック機構によって、ワーク２９がステージ４０の上面における所定の位置に位置決めされて固定されるようになっている。
制御装置２５は、メインコンピュータ４４を備えている。メインコンピュータ４４は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やメモリーを備えている。ＣＰＵはメモリー内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザ照射装置２１の動作を制御するものである。
メインコンピュータ４４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置４５、表示装置４６、レーザ制御装置４７、レンズ制御装置４８、画像処理装置４９、ステージ制御装置５０と接続されている。
メインコンピュータ４４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置４５、表示装置４６、レーザ制御装置４７、レンズ制御装置４８、画像処理装置４９、ステージ制御装置５０と接続されている。
入力装置４５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置４６はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行い。加工状況を表示装置４６に表示する。操作者が表示装置４６に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況を確認して操作するようになっている。
レーザ制御装置４７は、レーザ光源２２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ４４の制御信号により制御される。
レンズ制御装置４８は、レンズ移動機構３１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構３１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置４８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ２８の光軸２７方向の位置を認識する。レンズ制御装置４８は、レンズ移動機構３１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構３１を所望の位置に移動することができるようになっている。
レンズ制御装置４８は、レンズ移動機構３１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構３１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置４８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ２８の光軸２７方向の位置を認識する。レンズ制御装置４８は、レンズ移動機構３１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構３１を所望の位置に移動することができるようになっている。
画像処理装置４９は、撮像装置３２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ４０にワーク２９を配置し、撮像装置３２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構３１を操作して、集光レンズ２８とワーク２９との間の距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光レンズ２８を移動して、ワーク２９のステージ４０側の面に焦点が合うときと、ワーク２９の光学経路部２３側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。
集光レンズ２８を光軸２７の方向（図中上下方向）に移動して、撮像装置３２が撮像するワーク２９の画像が鮮明になるときの集光レンズ２８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク２９の厚みを測定することが可能となる。
撮像装置３２で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光を照射したときに、集光レンズ２８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物をワーク２９としてステージ４０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置３２の焦点が合うように集光レンズ２８を移動する。次に、レーザ光を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部との距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。
集光レンズ２８を光軸２７方向（図中上下方向）に移動して、ワーク２９の光学経路部２３側の面に撮像装置３２の焦点を合わせる。レーザ光を照射したい位置とオフセット距離とで集光レンズ２８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光レンズ２８を移動させる。この方法でワーク２９における所定の深さにレーザ光を集光することが可能となる。
ステージ制御装置５０は、Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９との位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置５０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９との位置を検出する。ステージ制御装置５０は、Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９との位置情報を取得し、メインコンピュータ４４から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９とを駆動して移動する。ステージ制御装置５０はＸ軸スライド３７とＹ軸スライド３９とを駆動して、所望の位置にワーク２９を移動することが可能となっている。
レーザ制御装置４７がレーザ光源２２を制御しレーザ光を発光させる。画像処理装置４９がワーク２９の光学経路部２３側の面に対する光軸２７方向（図中上下方向）の位置を検出する。レンズ制御装置４８がレーザ光を集光する集光レンズ２８の光軸２７方向（図中上下方向）の位置を制御する。ステージ制御装置５０がワーク２９をＸＹ方向に移動して、ワーク２９にレーザ光が照射される位置を制御する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ光を集光して照射することが可能となっている。
ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光レンズ２８によって集光されたレーザ光は、ワーク２９に入射する。そして、ワーク２９がレーザ光を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップよりも光子のエネルギーが非常に大きいとき、ワーク２９は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と呼び、レーザ光のパルス幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収をワーク２９の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。
本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果、クラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英ガラスなどの場合には、クラック部は、空洞状のクラックが形成される場合もある。
このような改質部を形成するためのレーザ光の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光の出力やパルス幅、パルス周期、レーザスキャン速度等の設定が必要になる。特に、レーザ光源２２が照射するレーザ光の出力は、ダイクロイックミラー２６や集光レンズ２８のような光軸２７上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。
（液滴吐出装置）
次に、液晶表示装置１の製造において、遮光膜を液滴吐出法にて形成する液滴吐出装置５５について図４及び図５に従って説明する。図４は、液滴吐出装置の概略斜視図である。図５は、そのヘッド部の要部模式断面図である。
液滴吐出装置に関しては様々な種類の装置があるが、インクジェット法を用いた装置が好ましい。インクジェット法は微小液滴の吐出が可能であるため、微細加工に適している。本実施形態においては、例えば、インクジェット法を採用している。
次に、液晶表示装置１の製造において、遮光膜を液滴吐出法にて形成する液滴吐出装置５５について図４及び図５に従って説明する。図４は、液滴吐出装置の概略斜視図である。図５は、そのヘッド部の要部模式断面図である。
液滴吐出装置に関しては様々な種類の装置があるが、インクジェット法を用いた装置が好ましい。インクジェット法は微小液滴の吐出が可能であるため、微細加工に適している。本実施形態においては、例えば、インクジェット法を採用している。
図４は、液滴吐出装置５５の構成を示す斜視図である。液滴吐出装置５５により、遮光膜の液状材料が吐出され塗布される。
図４に示すように、液滴吐出装置５５には、直方体形状に形成される基台５６が備えられている。本実施形態では、この基台５６の長手方向をＹ方向とし、同Ｙ方向と直交する方向をＸ方向とする。
図４に示すように、液滴吐出装置５５には、直方体形状に形成される基台５６が備えられている。本実施形態では、この基台５６の長手方向をＹ方向とし、同Ｙ方向と直交する方向をＸ方向とする。
基台５６の上面５６ａには、Ｙ方向に延びる一対の案内レール５７ａ，５７ｂが同Ｙ方向全幅にわたり凸設されている。その基台５６の上側には、一対の案内レール５７ａ，５７ｂに対応する図示しない直動機構を備えた走査手段を構成するステージ５８が取付けられている。そのステージ５８の直動機構は、例えば案内レール５７ａ，５７ｂに沿ってＹ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が、所定のパルス信号を受けてステップ単位で正逆転するＹ軸モータ（図示しない）に連結されている。そして、所定のステップ数に相対する駆動信号がＹ軸モータに入力されると、Ｙ軸モータが正転又は逆転して、ステージ５８が同ステップ数に相当する分だけ、Ｙ軸方向に沿って所定の速度で往動又は、復動する（Ｙ方向に走査する）ようになっている。
さらに、基台５６の上面５６ａには、案内レール５７ａ，５７ｂと平行に主走査位置検出器５９が配置され、ステージ５８の位置が計測できるようになっている。
そのステージ５８の上面には、載置面６０が形成され、その載置面６０には、図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。そして、載置面６０に対向基板３を載置すると、基板チャック機構によって、その対向基板３が載置面６０の所定位置に位置決め固定されるようになっている。
基台５６においてＸ方向の両側の側面には、一対の支持台６１ａ，６１ｂが立設され、その一対の支持台６１ａ，６１ｂには、Ｘ方向に延びる案内部材６２が架設されている。案内部材６２は、その長手方向の幅がステージ５８のＸ方向よりも長く形成され、その一端が支持台６１ａ側に張り出すように配置されている。
案内部材６２の上側には、吐出する液体を供給可能に収容する収容タンク６３が配設されている。一方、その案内部材６２の下側には、Ｘ方向に延びる案内レール６４がＸ方向全幅にわたり凸設されている。
案内レール６４に沿って移動可能に配置されるキャリッジ６５は、略直方体形状に形成されている。そのキャリッジ６５の直動機構は、例えば案内レール６４に沿ってＸ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が、所定のパルス信号を受けてステップ単位で正逆転するＸ軸モータ（図示しない）に連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号をＸ軸モータに入力すると、Ｘ軸モータが正転又は逆転して、キャリッジ６５が同ステップ数に相当する分だけＸ方向に沿って往動又は復動する（Ｘ方向に走査する）。案内部材６２とキャリッジ６５との間には、副走査位置検出装置６６が配置され、キャリッジ６５の位置が計測できるようになっている。
キャリッジ６５の下面（ステージ５８側の面：ヘッド配設面６５ａ）には、液滴吐出ヘッド６７がＸ方向に凸設されている。
図５は、液滴吐出ヘッドの構造を説明するための要部模式断面図である。
図５に示すように、液滴吐出ヘッド６７はノズルプレートＰ１を備えている。ノズルプレートＰ１には、ノズルＮ１が配列して形成されている。ノズルプレートＰ１の上側であってノズルＮ１と相対する位置には、キャビティ６８が形成されている。そして、液滴吐出ヘッド６７のキャビティ６８には、図４に示す収容タンク６３に貯留されている遮光膜の材料液６９が供給される。
図５に示すように、液滴吐出ヘッド６７はノズルプレートＰ１を備えている。ノズルプレートＰ１には、ノズルＮ１が配列して形成されている。ノズルプレートＰ１の上側であってノズルＮ１と相対する位置には、キャビティ６８が形成されている。そして、液滴吐出ヘッド６７のキャビティ６８には、図４に示す収容タンク６３に貯留されている遮光膜の材料液６９が供給される。
キャビティ６８の上側には、上下方向に振動して、キャビティ６８内の容積を拡大縮小する振動板７０と、上下方向に伸縮して振動板７０を振動させる圧電素子７１が配設されている。圧電素子７１が上下方向に伸縮して振動板７０を振動し、振動板７０がキャビティ６８内の容積を拡大縮小する。それにより、キャビティ６８内に供給された遮光膜の材料液６９はノズルＮ１を通って吐出される。つまり、液滴吐出ヘッド６７は、遮光膜の材料液６９を微小液滴７２にして吐出する。
図４に示す液滴吐出装置５５は、図示しないコンピュータにより制御されている。コンピュータは、ステージ５８、キャリッジ６５及び、液滴吐出ヘッド６７を制御し、所望の場所に微小液滴７２を吐出して塗布するようになっている。
（液晶表示装置の製造方法）
次に、上述した液晶表示装置３３における基板の分断方法について図６〜図１５にて説明する。図６は、基板の分断方法のフローチャートであり、図７〜１５は基板の分断方法を説明する図である。
次に、上述した液晶表示装置３３における基板の分断方法について図６〜図１５にて説明する。図６は、基板の分断方法のフローチャートであり、図７〜１５は基板の分断方法を説明する図である。
図６のフローチャートにおいて、ステップＳ１は遮光膜形成工程に相当し、対向マザー基板に遮光膜を形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は接合工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板と対向マザー基板とを接合する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向マザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は対向マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、対向マザー基板において、ステップＳ３でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ５に移行する。
ステップＳ５はＴＦＴアレイマザー基板の第１スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ６に移行する。ステップＳ６はＴＦＴアレイマザー基板の第２スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板において、ステップＳ５でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ７に移行する。ステップＳ７は対向マザー基板の分断工程に相当し、対向マザー基板を分断する工程である。次にステップＳ８に移行する。ステップＳ８はＴＦＴアレイマザー基板の分断工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板を分断する工程である。以上の工程により、液晶表示装置１が形成される。
次に、図７〜図１５を用いて、図６に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図７（ａ）は、対向基板が区画形成されたマザー基板である対向マザー基板を示す模式図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った模式断面図である。
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第１の基板としての対向マザー基板７５は円板状に形成されている基板７６の第１の面７６ａに周辺見切り６、カラーフィルタ１２、遮光膜１３が形成されている。さらに、周辺見切り６、カラーフィルタ１２、遮光膜１３の表面には、光透過性及び通電性のある対向電極１４が形成されている。対向電極１４の表面には、配向膜１５が形成され、表面に凹凸を形成する配向処理が施されている。基板７６は、光透過性のある材質であれば良く、例えば、本実施形態では石英ガラスを採用している。
図１に示す液晶表示装置１を形成する為に対向マザー基板７５を分断する予定の面をそれぞれ、Ｈ対向切断面７７、Ｖ対向切断面７８と表記する。Ｈ対向切断面７７は、一点鎖線で示した対向マザー基板７５の切断面であり、図７（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｖ対向切断面７８は、一点鎖線で示した対向マザー基板７５の切断面であり、図７（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図７（ａ）に示した、７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７７ｄ，７７ｅは、それぞれＨ対向切断面７７であり、７８ａ，７８ｂ，７８ｃは、それぞれＶ対向切断面である。
図８（ａ）及び図８（ｂ）はステップＳ１に対応する図である。このステップでは、図４に示す液滴吐出装置５５が用いられる。図８（ａ）に示すように、対向マザー基板７５の基板７６に液滴吐出ヘッド６７から、遮光膜の材料液６９を液滴７９にして吐出し、第１の面７６ａに塗布して、液状膜８０を形成する。遮光膜の材料は、溶媒で希釈して液滴吐出ヘッド６７から吐出でき、レーザ光を遮光できる程度の遮光性の膜が形成できる材料であれば良く。有機材料に遮光性のある顔料又は染料を加えた物を用いることができる。例えば、本実施形態においては、ポリイミドに黒色の顔料を加え、溶媒で濃度を調整したものを採用している。
図８（ｂ）に示すように、液状膜８０は、Ｈ対向切断面７７及びＶ対向切断面７８の切断面に沿って形成される。液状膜８０を形成した後、対向マザー基板７５を加熱乾燥する。液状膜８０は乾燥され、固化して遮光膜８１となる。
図９〜図１１はステップＳ２に対応する図である。図９（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板が区画形成されたマザー基板であるＴＦＴアレイマザー基板を示す模式図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った模式断面図である。
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、第２の基板としてのＴＦＴアレイマザー基板８２は円板状に形成されている基板８３の第２の面８３ａに画素電極１６が形成され、画素電極１６の表面には配向膜１７が配置されている。配向膜１７には配向処理が施されている。基板８３には図示しないトランジスタ素子が形成され、各画素電極１６とデータ線駆動回路７及び走査線駆動回路９と電気的に接続されている。基板８３には、実装端子８が形成されており、データ線駆動回路７及び走査線駆動回路９と電気的に接続されている。
図１０（ａ）に示すように、基板８３上にシール材８４を枠形状に塗布する。シール材８４を塗布する方法は、シール材８４を所望の形状に塗布できれば良く、例えば、本実施形態においては、スクリーン印刷法を採用している。シール材８４は、固化時に接着力が得られ、液晶３７に接触して劣化しない材料であれば良く、例えば、本実施形態においては、熱硬化性のエポキシ樹脂を採用している。
図１０（ｂ）に示すように、枠形状にシール材８４を塗布した後、シール材８４の内側にディスペンサを用いて液晶５を塗布する。図示しない真空チャンバに基板８３を配置して、真空チャンバ内を脱気して真空にする。
図１０（ｃ）に示すように、真空中で、対向マザー基板７５とＴＦＴアレイマザー基板８２との相対位置を合わせて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板８２に対向マザー基板７５を押圧した後、真空チャンバ内に空気を流入する。大気圧によりＴＦＴアレイマザー基板８２に対向マザー基板７５とが加圧される。
図１０（ｃ）に示すように、真空中で、対向マザー基板７５とＴＦＴアレイマザー基板８２との相対位置を合わせて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板８２に対向マザー基板７５を押圧した後、真空チャンバ内に空気を流入する。大気圧によりＴＦＴアレイマザー基板８２に対向マザー基板７５とが加圧される。
対向マザー基板７５とＴＦＴアレイマザー基板８２との相対位置を保持した状態で加熱し、シール材８４を固化してシール４を形成する。
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、その結果、対向マザー基板７５とＴＦＴアレイマザー基板８２とがシール４を介して接合されたマザー基板８５が完成し、ステップＳ２が終了する。
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、その結果、対向マザー基板７５とＴＦＴアレイマザー基板８２とがシール４を介して接合されたマザー基板８５が完成し、ステップＳ２が終了する。
図１１（ａ）は、マザー基板を示す模式図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った模式断面図である。ステップＳ２が終了したときのマザー基板８５を示している。
図１に示す液晶表示装置１を形成する為にＴＦＴアレイマザー基板８２を分断する予定の面をそれぞれ、Ｈ素子切断面８６、Ｖ素子切断面８７と表記する。Ｈ素子切断面８６は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板８２の切断面であり、図１１（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｈ素子切断面８６は、Ｈ対向切断面７７と対向する場所に位置し、図１１（ａ）に示した、８６ａ，８６ｂ，８６ｃは、それぞれＨ素子切断面８６である。
Ｖ素子切断面８７は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板８２の切断面であり、図１１（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。Ｖ素子切断面８７は、Ｖ対向切断面７８と対向する場所に位置し、図１１（ａ）に示した、８７ａ，８７ｂ，８７ｃは、それぞれＶ素子切断面８７である。
ステップＳ３〜ステップＳ６において、マザー基板８５は、図３に示すレーザ照射装置２１を用いてスクライブされる。
図１２（ａ）〜１２（ｂ）はステップＳ３に対応する図である。図１２（ａ）に示すように、マザー基板８５の基板７６の内部に、集光レンズ２８でレーザ光８８を集光して照射する。レーザ光８８が集光して照射される場所には、改質部８９が形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。集光レンズ２８と基板７６とを相対的に移動してレーザ光８８を照射し、改質部８９を配列して形成する。まず、基板７６において、ＴＦＴアレイマザー基板８２側の面の近くに改質部８９を配列して１段目８９ａを、基板７６のＶ対向切断面７８に沿って形成する。続いて、１段目と隣接する場所に改質部８９を配列して２段目８９ｂを形成する。３段目以降についても、同様の方法で、改質部８９を配列して形成する。
図１２（ａ）〜１２（ｂ）はステップＳ３に対応する図である。図１２（ａ）に示すように、マザー基板８５の基板７６の内部に、集光レンズ２８でレーザ光８８を集光して照射する。レーザ光８８が集光して照射される場所には、改質部８９が形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。集光レンズ２８と基板７６とを相対的に移動してレーザ光８８を照射し、改質部８９を配列して形成する。まず、基板７６において、ＴＦＴアレイマザー基板８２側の面の近くに改質部８９を配列して１段目８９ａを、基板７６のＶ対向切断面７８に沿って形成する。続いて、１段目と隣接する場所に改質部８９を配列して２段目８９ｂを形成する。３段目以降についても、同様の方法で、改質部８９を配列して形成する。
基板７６のＶ対向切断面７８において、ＴＦＴアレイマザー基板８２側の面には、遮光膜８１が塗布されていることから、レーザ光８８は遮光膜８１に遮光される為、レーザ光８８は基板７６を通過しない。
図１２（ｂ）に示すように、その結果、基板７６のＶ対向切断面７８総てに改質部８９が配列して形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。
図１２（ｃ）〜１２（ｄ）はステップＳ４に対応する図である。図１２（ｃ）に示すように、マザー基板８５の基板７６の内部に、集光レンズ２８でレーザ光８８を集光して照射する。レーザ光８８が集光して照射される場所には、改質部８９が形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。ステップＳ３と同様に、集光レンズ２８と基板７６とを相対移動して、レーザ光８８を照射し、改質部８９が、基板７６のＨ対向切断面７７に沿って配列して形成される。
基板７６のＨ対向切断面７７においても、ＴＦＴアレイマザー基板８２側の面には、遮光膜８１が塗布されていることから、レーザ光８８は遮光膜８１に遮光される為、レーザ光８８は基板７６を通過しない。
図１２（ｄ）に示すように、その結果、基板７６のＨ対向切断面７７総てに改質部８９が配列して形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。
図１３（ａ）〜１３（ｂ）はステップＳ５に対応する図である。図１３（ａ）に示すように、マザー基板８５の基板８３の内部に、集光レンズ２８でレーザ光８８を集光して照射する。レーザ光８８が集光して照射される場所には、改質部８９が形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。ステップＳ３と同様に、集光レンズ２８と基板８３とを相対移動して、レーザ光８８を照射し、改質部８９が、基板８３のＶ素子切断面８７に沿って配列して形成される。
図１３（ｂ）に示すように、その結果、基板８３のＶ素子切断面８７総てに改質部８９が配列して形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。
図１３（ｃ）〜１３（ｄ）はステップＳ６に対応する図である。図１３（ｃ）に示すように、マザー基板８５の基板８３の内部に、集光レンズ２８でレーザ光８８を集光して照射する。レーザ光８８が集光して照射される場所には、改質部８９が形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。ステップＳ３と同様に、集光レンズ２８と基板８３とを相対移動して、レーザ光８８を照射し、改質部８９が、基板８３のＨ素子切断面８６に沿って配列して形成される。
図１３（ｄ）に示すように、その結果、基板８３のＨ素子切断面８６総てに改質部８９が配列して形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。ステップＳ３〜ステップＳ６の工程により、Ｈ対向切断面７７、Ｖ対向切断面７８、Ｈ素子切断面８６、Ｖ素子切断面８７の総ての面に沿って改質部８９が配列して形成される。
図１４（ａ）〜１４（ｄ）はステップＳ７に対応する図である。図１４（ａ）に示すように、続いて、マザー基板８５を弾性材からなる台９１の上に配置する。マザー基板８５の対向マザー基板７５が台９１と接する様に配置し、ＴＦＴアレイマザー基板８２において、Ｖ対向切断面７８に配列して形成されているクラック部９０と対向する場所を、加圧部材９２を用いて押圧する。対向マザー基板７５は台９１に沈み込み、クラック部９０に張力が作用する。対向マザー基板７５は、台９１と接する面に近いクラック部９０を起点として破断が進行し、分断する。
図１４（ｂ）に示すように、その結果、対向マザー基板７５は、Ｖ対向切断面７８で分断される。
図１４（ｂ）に示すように、その結果、対向マザー基板７５は、Ｖ対向切断面７８で分断される。
図１４（ｃ）に示すように、続いて、ＴＦＴアレイマザー基板８２において、Ｈ対向切断面７７に配列して形成されているクラック部９０と対向する場所を、加圧部材９２を用いて押圧する。対向マザー基板７５は台９１に沈み込み、クラック部９０に張力が作用する。対向マザー基板７５は、台９１と接する面に近いクラック部９０を起点として破断が進行し、分断する。
図１４（ｄ）に示すように、その結果、対向マザー基板７５は、Ｈ対向切断面７７で分断され、いくつかの対向基板片７６ｂに分割される。
図１５（ａ）〜１５（ｄ）はステップＳ８に対応する図である。図１５（ａ）に示すように、続いて、マザー基板８５のＴＦＴアレイマザー基板８２が台９１と接する様に配置する。対向マザー基板７５において、Ｖ素子切断面８７に配列して形成されているクラック部９０と対向する場所を、加圧部材９２を用いて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は台９１に沈み込み、クラック部９０に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は、台９１と接する面に近いクラック部９０を起点として破断が進行し、分断する。
図１５（ｂ）に示すように、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板８２は、Ｖ素子切断面８７で分断される。
図１５（ｂ）に示すように、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板８２は、Ｖ素子切断面８７で分断される。
図１５（ｃ）に示すように、続いて、対向マザー基板７５において、Ｈ素子切断面８６に配列して形成されているクラック部９０と対向する場所を、加圧部材９２を用いて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は台９１に沈み込み、クラック部９０に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は、台９１と接する面に近いクラック部９０を起点として破断が進行し、分断する。
図１５（ｄ）に示すように、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板８２は、Ｈ素子切断面８６で分断され、いくつかのＴＦＴアレイ基板片８３ｂに分割される。以上の工程により、マザー基板８５が分割されて、図１に示す液晶表示装置１の形状に形成され、図２に示す偏光シート１８，１９を接着して液晶表示装置１が完成する。
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ステップＳ１の遮光膜形成工程において、遮光膜８１が形成されている。対向マザー基板７５において、ＴＦＴアレイマザー基板８２板と対向する面のＨ対向切断面７７とＶ対向切断面７８との面において、遮光膜８１が形成されている。
（１）本実施形態によれば、ステップＳ１の遮光膜形成工程において、遮光膜８１が形成されている。対向マザー基板７５において、ＴＦＴアレイマザー基板８２板と対向する面のＨ対向切断面７７とＶ対向切断面７８との面において、遮光膜８１が形成されている。
ステップＳ３及びステップＳ４では、対向マザー基板７５にレーザ光８８を照射して、基板７６の内部に改質部８９を配列して形成する。このとき、基板７６を通過するレーザ光８８は、遮光膜８１に遮られる為、レーザ光８８がＴＦＴアレイマザー基板８２を照射する事が無い。ＴＦＴアレイマザー基板８２に形成されているデータ線駆動回路７、実装端子８、走査線駆動回路９、配線１０等は、レーザ光８８を照射されることにより損傷を受けることがない。従って、ＴＦＴアレイマザー基板８２に形成されているデータ線駆動回路７、実装端子８、走査線駆動回路９、配線１０等に損傷を与えずに、対向マザー基板７５をスクライブして分断することができる。
（２）本実施形態によれば、遮光膜８１は有機材料を主材料としている。有機材料に色素材料を加えて、特定の波長の光を吸収する遮光膜８１を形成している。有機材料は、溶媒を加えて粘性を調節し、塗布性を良くすることができることから、生産性良く遮光膜８１を形成することができる。
（３）本実施形態によれば、液滴吐出装置５５を用いて遮光膜の材料液６９を塗布し、乾燥して固化し、遮光膜８１が形成される。液滴吐出装置５５は、遮光膜８１を形成する場所に限定して遮光膜８１の材料を塗布する。対向マザー基板７５の全面に遮光膜の材料液６９を塗布して、不要な部分を除去する方法に比べて、遮光膜８１の材料を消費する量が少なくする事ができる。その結果、省資源な方法で遮光膜を形成することができる。
（４）本実施形態によれば、対向マザー基板７５において、ＴＦＴアレイマザー基板８２側の面に遮光膜８１が形成される。ステップＳ３及び、ステップＳ４で形成される改質部８９は基板７６の内部に形成されることから、遮光膜８１が形成される面は、ＴＦＴアレイマザー基板８２より、改質部８９が形成される場所に近い場所にある。改質部８９を形成するときにレーザ光８８を集光する集光レンズ２８は開口数の大きいレンズが用いられる為、レーザ光８８を集光する場所から離れる程、レーザ光８８は広がる。レーザ光８８を集光する場所に近い場所に遮光膜８１を配置するとき、レーザ光８８が広がる前に遮光することから、遮光膜８１は狭い面積で遮光できる。遮光膜８１が形成されている面は、レーザ光８８を集光する場所に近いことから、対向マザー基板７５に遮光膜を形成する方が、ＴＦＴアレイマザー基板８２の面に遮光膜を形成するときに比べて、狭い面積で遮光できる。
（５）本実施形態によれば、液晶表示装置１は、対向マザー基板７５にレーザ光８８を照射するとき、レーザ光８８が遮光膜８１により遮光されている。従って、ＴＦＴアレイマザー基板８２は、レーザ光８８により損傷されることがない。その結果、この液晶表示装置１は、レーザ光８８により損傷されてないＴＦＴアレイマザー基板８２を備えた液晶表示装置１とすることができる。
（６）本実施形態によれば、液晶表示装置１は、実装端子８がレーザ光８８により照射されない。従って、実装端子８がレーザ光８８により照射されて、大気の酸素により酸化され、酸化膜が形成されることを防止できる。実装端子８に酸化膜が形成される場合、実装端子８と外部配線とを接合するときに、酸化膜が接合を妨げる可能性がある。実装端子８に酸化膜が形成されることを防止できることから、品質良く外部配線と接合することができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図１６〜図１９を用いて説明する。図１６は、基板の分断方法のフローチャートであり、図１７〜図１９は基板の分断方法を説明する図である。
この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、図８に示した遮光膜８１を対向マザー基板７５ではなく、ＴＦＴアレイマザー基板８２に形成する点にある。
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図１６〜図１９を用いて説明する。図１６は、基板の分断方法のフローチャートであり、図１７〜図１９は基板の分断方法を説明する図である。
この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、図８に示した遮光膜８１を対向マザー基板７５ではなく、ＴＦＴアレイマザー基板８２に形成する点にある。
すなわち、本実施形態では、図１６に示すフローチャートにおいて、ステップＳ１１の遮光膜形成工程で、ＴＦＴアレイマザー基板８２に遮光膜８１を形成する。対向マザー基板７５には、遮光膜８１を形成しない。ステップＳ１２〜ステップＳ１８は、第１の実施形態のステップＳ２〜ステップＳ８と略同じ工程であり、同じ工程については、説明を省略する。ステップＳ１８の次にステップＳ１９に移行する。ステップＳ１９は遮光膜の除去工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板８２に形成してある遮光膜８１を除去する工程である。
次に、図１７〜図１９を用いて、図１６に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図１７（ａ）は、ＴＦＴアレイが区画形成されたマザー基板であるＴＦＴアレイマザー基板を示す模式図である。図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿った模式断面図である。
図１７（ａ）及び１７（ｂ）はステップＳ１１に対応する図である。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、第１の実施形態と同様に、第２の基板としてのＴＦＴアレイマザー基板８２は円板状に形成されている基板８３に画素電極１６が形成され、画素電極１６の表面には配向膜１７が配置されている。配向膜１７には配向処理が施されている。基板８３には図示しないトランジスタ素子が形成され、各画素電極１６とデータ線駆動回路７及び走査線駆動回路９と電気的に接続されている。基板８３には、実装端子８が形成されており、データ線駆動回路７及び走査線駆動回路９と電気的に接続されている。
ＴＦＴアレイマザー基板８２の基板８３に液滴吐出ヘッド６７から、遮光膜の材料液６９を液滴７９にして、吐出し、塗布して液状膜８０を形成する。液状膜８０は、基板８３に形成されているデータ線駆動回路７、実装端子８、走査線駆動回路９、配線１０等を覆う様に形成される。液状膜８０を形成した後、ＴＦＴアレイマザー基板８２を加熱乾燥する。液状膜８０は乾燥され、固化して遮光膜８１となる。ステップＳ１２については、第１の実施形態と略同様であり、説明を省略する。
図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、ステップＳ１３に対応する図であり、第１の実施形態における図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に対応する図である。
図１８（ａ）に示すように、マザー基板８５の基板７６の内部に、集光レンズ２８でレーザ光８８を集光して照射する。レーザ光８８が集光して照射される場所には、改質部８９が形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。集光レンズ２８と基板７６とを相対的に移動してレーザ光８８を照射し、改質部８９を配列して形成する。
図１８（ａ）に示すように、マザー基板８５の基板７６の内部に、集光レンズ２８でレーザ光８８を集光して照射する。レーザ光８８が集光して照射される場所には、改質部８９が形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。集光レンズ２８と基板７６とを相対的に移動してレーザ光８８を照射し、改質部８９を配列して形成する。
ＴＦＴアレイマザー基板８２において、Ｖ対向切断面７８と対向する場所には、遮光膜８１が塗布されていることから、レーザ光８８は遮光膜８１に遮光される為、レーザ光８８は基板８３に形成されている走査線駆動回路９、配線１０等を照射しない。従って、走査線駆動回路９、配線１０等は、レーザ光８８の照射により損傷を受けることがない。
図１８（ｂ）に示すように、その結果、基板７６のＶ対向切断面７８に沿って改質部８９が配列して形成される。
図１８（ｂ）に示すように、その結果、基板７６のＶ対向切断面７８に沿って改質部８９が配列して形成される。
図１８（ｃ）及び図１８（ｄ）は、ステップＳ１４に対応する図であり、第１の実施形態における図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に対応する図である。
図１８（ｃ）に示すように、マザー基板８５の基板７６の内部に、集光レンズ２８でレーザ光８８を集光して照射する。レーザ光８８が集光して照射される場所には、改質部８９が形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。集光レンズ２８と基板７６とを相対的に移動してレーザ光８８を照射し、改質部８９を配列して形成する。
図１８（ｃ）に示すように、マザー基板８５の基板７６の内部に、集光レンズ２８でレーザ光８８を集光して照射する。レーザ光８８が集光して照射される場所には、改質部８９が形成され、改質部８９の中央にはクラック部９０が形成される。集光レンズ２８と基板７６とを相対的に移動してレーザ光８８を照射し、改質部８９を配列して形成する。
ＴＦＴアレイマザー基板８２において、Ｈ対向切断面７７と対向する場所には、遮光膜８１が塗布されていることから、レーザ光８８は遮光膜８１に遮光される為、レーザ光８８は基板８３に形成されているデータ線駆動回路７、実装端子８、配線１０等を照射しない。従って、データ線駆動回路７、実装端子８、配線１０等は、レーザ光８８の照射により損傷を受けることがない。
図１８（ｄ）に示すように、その結果、基板７６のＨ対向切断面７７に沿って改質部８９が配列して形成される。この後に続くステップＳ１５〜ステップＳ１７は、第１の実施形態と略同様であり、説明を省略する。
図１８（ｄ）に示すように、その結果、基板７６のＨ対向切断面７７に沿って改質部８９が配列して形成される。この後に続くステップＳ１５〜ステップＳ１７は、第１の実施形態と略同様であり、説明を省略する。
図１９（ａ）〜図１９（ｄ）は、ステップＳ１８に対応する図であり、第１の実施形態における図１５（ａ）〜図１５（ｄ）に対応する図である。
図１９（ａ）に示すように、マザー基板８５のＴＦＴアレイマザー基板８２が台９１と接する様に配置する。対向マザー基板７５において、Ｖ素子切断面８７に配列して形成されているクラック部９０と対向する場所を、加圧部材９２を用いて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は台９１に沈み込み、クラック部９０に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は、台９１と接する面に近いクラック部９０を起点として破断が進行し、分断する。
図１９（ａ）に示すように、マザー基板８５のＴＦＴアレイマザー基板８２が台９１と接する様に配置する。対向マザー基板７５において、Ｖ素子切断面８７に配列して形成されているクラック部９０と対向する場所を、加圧部材９２を用いて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は台９１に沈み込み、クラック部９０に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は、台９１と接する面に近いクラック部９０を起点として破断が進行し、分断する。
図１９（ｂ）に示すように、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板８２は、Ｖ素子切断面８７で分断される。
図１９（ｃ）に示すように、対向マザー基板７５において、Ｈ素子切断面８６に配列して形成されているクラック部９０と対向する場所を、加圧部材９２を用いて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は台９１に沈み込み、クラック部９０に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板８２は、台９１と接する面に近いクラック部９０を起点として破断が進行し、分断する。
図１９（ｄ）に示すように、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板８２は、Ｈ素子切断面８６で分断され、いくつかのＴＦＴアレイ基板片８３ｂに分割される。以上の工程により、マザー基板８５が分割されて、図１に示す液晶表示装置１の形状に形成される。
続いて、ステップＳ１９において、ＴＦＴアレイマザー基板８２に形成されている遮光膜８１を除去する。マザー基板８５をアルカリ現像液に浸漬して、遮光膜８１を除去する。アルカリ現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）、コリン、珪酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を用いることができる。本実施形態では、ＴＭＡＨを採用している。遮光膜８１を除去した後、純水にてリンスし、乾燥する。乾燥した後に、図２に示す偏光シート１８，１９を接着して液晶表示装置１が完成する。
上述したように、本実施形態によれば、第１の実施形態の効果（１）、（２）、（３）、（６）に加え、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ＴＦＴアレイマザー基板８２において、対向マザー基板７５と対向する面に遮光膜８１が形成される。ＴＦＴアレイマザー基板８２にデータ線駆動回路７、実装端子８、走査線駆動回路９、配線１０等の、レーザ光を照射されて損傷を受ける物が配置されるとき、損傷を受ける物を覆う様に遮光膜８１を配置することで、損傷を防ぐことができる。損傷を受け易い物を直接、遮光膜８１で覆うことにより確実に、レーザ光８８による損傷を防止できる。
（１）本実施形態によれば、ＴＦＴアレイマザー基板８２において、対向マザー基板７５と対向する面に遮光膜８１が形成される。ＴＦＴアレイマザー基板８２にデータ線駆動回路７、実装端子８、走査線駆動回路９、配線１０等の、レーザ光を照射されて損傷を受ける物が配置されるとき、損傷を受ける物を覆う様に遮光膜８１を配置することで、損傷を防ぐことができる。損傷を受け易い物を直接、遮光膜８１で覆うことにより確実に、レーザ光８８による損傷を防止できる。
（２）本実施形態によれば、ステップＳ１９の遮光膜除去工程において、遮光膜８１が除去される。実装端子８を遮光膜８１で覆った場合など、遮光膜８１により実装端子８に外部の配線との接合が阻害されるとき、遮光膜８１を除去することで、遮光膜８１による不具合を解消することができる。
（３）本実施形態によれば、ステップＳ１９の遮光膜除去工程において、遮光膜８１が除去される。遮光膜８１を除去すると共に、付着しているゴミ、埃等を除去できることから、洗浄を兼ねることができる。
（４）本実施形態によれば、ステップＳ１１では、遮光したい部分にのみ、遮光膜８１を形成している。従って、レーザ光８８を照射したくない場所を遮光膜８１で覆っている。その結果、確実にレーザ光８８の照射を防ぐ事ができ、品質の良い製造方法となっている。
（第３の実施形態）
（第３の実施形態）
次に、上記の第１及び第２の実施形態の液晶表示装置１を備えた電子機器について説明する。
図２０は、パーソナルコンピュータに液晶表示装置を搭載した例を示す概略斜視図である。図２０に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピュータ９５の本体は情報を表示する表示装置９６を表示部に備えている。この表示装置９６に、第１及び第２の実施形態により製造された液晶表示装置１が配置されている。パーソナルコンピュータ９５に配置されている表示装置９６は上記の実施形態により製造され、表示装置９６における基板は、基板に配置されている素子等がレーザ光により損傷うけずにスクライブされて分断されている。従って、パーソナルコンピュータ９５は、基板に配置されている素子等がレーザ光により損傷うけずにスクライブされて分断されている液晶表示装置１を、表示部に備えた電子機器となっている。
図２０は、パーソナルコンピュータに液晶表示装置を搭載した例を示す概略斜視図である。図２０に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピュータ９５の本体は情報を表示する表示装置９６を表示部に備えている。この表示装置９６に、第１及び第２の実施形態により製造された液晶表示装置１が配置されている。パーソナルコンピュータ９５に配置されている表示装置９６は上記の実施形態により製造され、表示装置９６における基板は、基板に配置されている素子等がレーザ光により損傷うけずにスクライブされて分断されている。従って、パーソナルコンピュータ９５は、基板に配置されている素子等がレーザ光により損傷うけずにスクライブされて分断されている液晶表示装置１を、表示部に備えた電子機器となっている。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１及び、第２の実施形態では、対向マザー基板７５とＴＦＴアレイマザー基板８２との２枚の基板を接合して実施しているが、基板を３枚以上接合して実施するときにも、同様の方法にて実施できる。そのとき、前記第１及び第２の実施形態と同様の効果が得られる。
前記第１及び、第２の実施形態では、対向マザー基板７５とＴＦＴアレイマザー基板８２との２枚の基板を接合して実施しているが、基板を３枚以上接合して実施するときにも、同様の方法にて実施できる。そのとき、前記第１及び第２の実施形態と同様の効果が得られる。
（変形例２）
前記第１の実施形態では、遮光膜の材料液６９にポリイミドに黒色の顔料を加え、溶媒で濃度を調整したものを採用したが、有機材料に光を反射する金属粉などの材料を加えて形成しても良い。同様の効果が得られる。
前記第１の実施形態では、遮光膜の材料液６９にポリイミドに黒色の顔料を加え、溶媒で濃度を調整したものを採用したが、有機材料に光を反射する金属粉などの材料を加えて形成しても良い。同様の効果が得られる。
（変形例３）
前記第１の実施形態では、対向マザー基板７５に遮光膜８１を形成し、第２の実施形態では、ＴＦＴアレイマザー基板８２に遮光膜８１を形成したが、両方の基板に遮光膜８１を形成してもよい。レーザ光８８の遮光を確実にできることから、実装端子８や配線１０ａ，１０ｂ等がレーザ光８８により受ける損傷を、さらに受けにくくすることができる。
前記第１の実施形態では、対向マザー基板７５に遮光膜８１を形成し、第２の実施形態では、ＴＦＴアレイマザー基板８２に遮光膜８１を形成したが、両方の基板に遮光膜８１を形成してもよい。レーザ光８８の遮光を確実にできることから、実装端子８や配線１０ａ，１０ｂ等がレーザ光８８により受ける損傷を、さらに受けにくくすることができる。
（変形例４）
前記第１及び、第２の実施形態では、対向マザー基板７５とＴＦＴアレイマザー基板８２に石英ガラスを用いたが、これに限らない。光透過性があり、液晶表示装置１を構成できる脆性材料であれば良く、例えば、石英ガラスの他に、ソーダ石灰ガラス、パイレックス（登録商標）等のホウ珪酸ガラス、ＯＡ−１０（日本電気硝子社製）等の無アルカリガラス、ネオセラム（登録商標）等の耐熱結晶化ガラス、光学ガラス、水晶等を挙げることができる。
前記第１及び、第２の実施形態では、対向マザー基板７５とＴＦＴアレイマザー基板８２に石英ガラスを用いたが、これに限らない。光透過性があり、液晶表示装置１を構成できる脆性材料であれば良く、例えば、石英ガラスの他に、ソーダ石灰ガラス、パイレックス（登録商標）等のホウ珪酸ガラス、ＯＡ−１０（日本電気硝子社製）等の無アルカリガラス、ネオセラム（登録商標）等の耐熱結晶化ガラス、光学ガラス、水晶等を挙げることができる。
（変形例５）
前記第１及び、第２の実施形態では、液晶表示装置１に本発明の基板の分断方法を用いたが、液晶表示装置１以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（ＥＬＥＣＴＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における基板の分断手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、基板に形成されている配線や端子がレーザ光による損傷を受けにくい基板を備えた電気光学装置を提供することができる。
前記第１及び、第２の実施形態では、液晶表示装置１に本発明の基板の分断方法を用いたが、液晶表示装置１以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（ＥＬＥＣＴＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における基板の分断手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、基板に形成されている配線や端子がレーザ光による損傷を受けにくい基板を備えた電気光学装置を提供することができる。
（変形例６）前記第３の実施形態で、液晶表示装置１をパーソナルコンピュータ９５の表示装置９６に用いたが、これに限定されない。例えば、電子ブック、携帯電話、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の電子機器の画像表示手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、表示装置９６に、レーザ光による損傷を受けにくい配線や端子が形成されている基板を有する液晶表示装置１を備えた電子機器を提供することができる。
（変形例７）
前記第１及び、第２の実施形態では、レーザ光源２２にＹＡＧレーザを用いたが、フェムト秒レーザを用いても良い。出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用しても良い。発光条件及び集光レンズの条件の例としては、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。集光レンズは、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズを採用しても良い。
前記第１及び、第２の実施形態では、レーザ光源２２にＹＡＧレーザを用いたが、フェムト秒レーザを用いても良い。出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用しても良い。発光条件及び集光レンズの条件の例としては、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。集光レンズは、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズを採用しても良い。
１…電気光学装置としての液晶表示装置、２…基板としてのＴＦＴアレイ基板、３…基板としての対向基板、７５…第１の基板としての対向マザー基板、７６，８３…基板、７６ａ…第１の面、８１…遮光膜、８２…第２の基板としてのＴＦＴアレイマザー基板、８３ａ…第２の面、８９…改質部、９５…電子機器としてのパーソナルコンピュータ。
Claims (5)
- 第１の基板と、第２の基板とを接合して第１の基板及び前記第２の基板を分断する基板の分断方法であって、
前記第１の基板における前記第２の基板と対向する第１の面及び、前記第２の基板における前記第１の基板と対向する第２の面に特定の波長の光を吸収する遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する接合工程と、
前記第１の基板及び前記第２の基板にレーザ光を照射して、前記第１の基板及び前記第２の基板の内部に改質部を形成するスクライブ工程と、
前記改質部を押圧して前記第１の基板及び前記第２の基板を分断する分断工程と、
前記分断工程の後に前記遮光膜をアルカリ性の薬液で除去する遮光膜除去工程と、
を有し、
前記遮光膜形成工程では、前記スクライブ工程においてレーザ光が照射される場所に液滴吐出法を用いて、ポリイミドを含む有機材料を塗布し固化することで前記遮光膜を形成し、
前記有機材料には黒色顔料又は黒色染料が含まれる、
ことを特徴とする基板の分断方法。 - 第１の基板と、第２の基板とを接合して第１の基板及び第２の基板を分断する電気光学
装置の製造方法であって、
請求項１に記載の基板の分断方法を用いて形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項１に記載の基板の分断方法で分断されていることを特徴とする基板。
- 請求項２に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項４に記載の電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
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