JP2019033162A - レーザー加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】レーザー加工を実施に施す前に、その加工条件で内部に改質層を形成できる被加工物であるか否かを容易に判定するレーザー加工方法を提供する。【解決手段】レーザー光線照射手段24の集光器241をパワーメータ36に対峙させてレーザー光線LBを照射し、第1のパワーを検出する第1の検出ステップと、集光器とパワーメータとの間に被加工物100を位置付けてレーザー光線を照射し、第2のパワーを検出する第2の検出ステップと、第1のパワーと第2のパワーから被加工物の透過率を表す指標を算出する透過率算出ステップと、該透過率を表す指標から被加工物の内部に改質層が形成できるか否かを判定する改質層形成判定ステップと、改質層形成判定ステップによって改質層が形成できると判定された被加工物に対してレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、から少なくとも構成される。【選択図】図3

Description

被加工物に対して確実に改質層を形成できるレーザー加工方法に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置等によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
レーザー加工装置は、被加工部に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成して内部加工を施すタイプ(例えば、特許文献1を参照。)と、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の上面に位置付けて照射してアブレーション加工を施すタイプ(例えば特許文献2を参照。)と、に大きく分かれている。
特許第3408805号公報 特開平10−305420号公報
上記した被加工部に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成して内部加工を施すタイプのレーザー加工では、例えばシリコン(Si)ウエーハを被加工物としてレーザー加工が施される。しかし、シリコンウエーハは、シリコンウエーハを形成する際、結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加するいわゆるドーピングが行われている。このシリコンウエーハの基板を形成する製造者に応じて、または、シリコンウエーハに形成されるデバイスの種類に応じてドーピングされる物質の種類、あるいはドーピングされる物質の量が異なり、シリコンに対して透過性を有する波長として設定されたレーザー光線を用いても、照射されたレーザー光線が十分に被加工物を透過せず、予め設定されたとおりの加工条件にてレーザー加工を施したとしても加工不良となる場合がある。
また、上記したドーピングの違いによって透過性の度合いに変化が生じる場合に限らず、例えば、シリコンウエーハが製造されてから時間が経過した場合にも、表面に酸化膜等が形成される等して透過率に変化が生じ、同様の問題が生じ得る。このような問題は、シリコンウエーハに限らず、他の材質で構成される被加工物においても生じ得る問題である。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー加工を実施に施す前に、その加工条件で内部に改質層を形成できる被加工物であるか否かを容易に判定し得るレーザー加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、該レーザー光線照射手段の集光器をパワーメータに対峙させてレーザー光線を照射し第1のパワーを検出する第1の検出ステップと、該集光器と該パワーメータとの間に被加工物を位置付けてレーザー光線を照射し第2のパワーを検出する第2の検出ステップと、該第1のパワーと該第2のパワーとから被加工物の透過率を表す指標を算出する透過率算出ステップと、該透過率を表す指標から被加工物の内部に改質層が形成できるか否かを判定する改質層形成判定ステップと、該改質層形成判定ステップによって改質層が形成できると判定された被加工物に対してレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、から少なくとも構成されるレーザー加工方法が提供される。
該パワーメータは、該チャックテーブルに隣接して配設されており、該集光器と該保持手段とを相対的に移動して該第1の検出ステップを実施することができる。
該保持手段のチャックテーブルからはみ出して該パワーメータに至るように被加工物を該チャックテーブルに保持し、該第2の検出ステップを実施するようにしてもよい。また、被加工物はシリコンウエーハであり、レーザー光線の波長は近赤外線とすることができる。
本発明のレーザー加工方法は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、該レーザー光線照射手段の集光器をパワーメータに対峙させてレーザー光線を照射し第1のパワーを検出する第1の検出ステップと、該集光器と該パワーメータとの間に被加工物を位置付けてレーザー光線を照射し第2のパワーを検出する第2の検出ステップと、該第1のパワーと該第2のパワーとから被加工物の透過率を表す指標を算出する透過率算出ステップと、該透過率を表す指標から被加工物の内部に改質層が形成できるか否かを判定する改質層形成判定ステップと、該改質層形成判定ステップによって改質層が形成できると判定された被加工物に対してレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、から少なくとも構成されていることにより、被加工物が改質層を形成し得るものであるのかを容易に判定し、改質層が確実に形成されるレーザー加工を実施することができる。
本発明の実施に使用されるレーザー加工装置の全体を示す斜視図、および被加工物のシリコンウエーハ示す斜視図である。 本発明の第1の検出ステップの動作を説明する概略図(a)、第2の検出ステップの動作を説明する概略図(b)である。 本発明に基づき実施されるレーザー加工方法の手順を示すフローチャートである。 本発明の改質層形成ステップを説明するための概略図である。
以下、本発明に基づいて構成されたレーザー加工方法について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
図1には、本発明に基づいて構成されるレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置2の全体斜視図、および被加工物としてのシリコンウエーハ(100、110)の斜視図が示されている。なお、本発明によって透過率が検出される被加工物は、表面にデバイス等が形成される前のシリコンウエーハ100(図中(a)を参照、以下「ダミーウエーハ」という。)でもよいし、該ダミーウエーハ100の表面110a上の分割予定ライン112によって区画された領域にデバイス114が形成されたシリコンウエーハ110(図中(b))であってもよい。
図1に示すレーザー加工装置2は、被加工物を保持する保持手段22と、静止基台2a上に配設され保持手段22を移動させる移動手段23と、保持手段22に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段24と、静止基台2a上の移動手段23の側方に矢印Zで示すZ方向に立設される垂直壁部51、及び垂直壁部51の上端部から水平方向に延びる水平壁部52からなる枠体50とを備えている。枠体50の水平壁部52内部には、本発明のレーザー加工装置2の主要部を構成するレーザー光線照射手段24の光学系が内蔵されており、水平壁部52の先端部下面側には、レーザー光線照射手段24を構成する集光器241が配設されると共に、集光器241に対して図中矢印Xで示す方向で隣接する位置に撮像手段26が配設される。該撮像手段26は、可視光線により撮像する通常の撮像素子(CCD)と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕える光学系と、該光学系が捕えた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)とを含む。
保持手段22は、図中に矢印Xで示すX方向において移動自在に基台2aに搭載された矩形状のX方向可動板30と、図中に矢印Yで示すY方向において移動自在にX方向可動板30に搭載された矩形状のY方向可動板31と、Y方向可動板31の上面に固定された円筒状の支柱32と、支柱32の上端に固定された矩形状のカバー板33とを含む。カバー板33には該カバー板33上に形成された長穴を通って上方に延びる円形状の被加工物を保持し、図示しない回転駆動手段により回転可能に構成されたチャックテーブル34が配設されている。チャックテーブル34の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック35からなる吸引保持手段が配置されている。吸着チャック35は、支柱32を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。カバー板33においてチャックテーブル34のX方向に隣接した位置に、レーザー光線照射手段24から照射されるレーザー光線のパワー(出力)を検出するパワーメータ36が配設されている。パワーメータ36は、後述する制御装置20に図示しないケーブルによって接続されており、測定すべきレーザー光線の全光量を受光できる面積に配置された複数の受光素子で構成され、受光したレーザー光線のパワーを制御装置20に出力する。なお、X方向は図1に矢印Xで示す方向であり、Y方向は矢印Yで示す方向であってX方向に直交する方向である。X方向、Y方向で規定される平面は実質上水平である。
制御装置20は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置(CPU)と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている(詳細についての図示は省略)。
移動手段23は、制御装置20によって制御されるものであり、X方向移動手段40と、Y方向移動手段42と、を含む。X方向移動手段40は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換してX方向可動板30に伝達し、基台2a上の案内レールに沿ってX方向可動板30をX方向において進退させる。Y方向移動手段42は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換し、Y方向可動板31に伝達し、X方向可動板30上の案内レールに沿ってY方向可動板31をY方向において進退させる。なお、図示は省略するが、X方向移動手段40、Y方向移動手段42には、それぞれ位置検出手段が配設されており、チャックテーブル34のX方向の位置、Y方向の位置、周方向の回転位置が正確に検出され、制御装置20から指示される信号に基づいてX方向移動手段40、Y方向移動手段42、及び図示しない回転駆動手段が駆動され、任意の位置および角度にチャックテーブル34を正確に位置付けることが可能になっている。なお、上記したレーザー加工装置2全体、及び移動手段23等は、通常の加工状態では、説明の都合上省略された図示しないカバー、蛇腹等により覆われており、内部に粉塵や埃等が入らないように構成される。
本発明を実施するレーザー加工装置2は、概ね以上のように構成されており、以下に、本発明のレーザー加工方法について説明する。
図2は、本発明によって実施されるレーザー加工方法の手順をフローチャートで示したものである。このフローチャートを参照しながら本発明のレーザー加工方法について説明する。
(第1の検出ステップ)
本発明のレーザー加工方法を実施するに際し、まず第1の検出ステップ(S1)を実施する。第1の検出ステップを実施するためには、最初にカバー板33上に配設されたパワーメータ36とレーザー光線照射手段24の集光器241との位置合わせを行う。この位置合わせは保持手段22をX方向、Y方向に移動させるX方向移動手段40、Y方向移動手段42を制御することにより、撮像手段26によりパワーメータ36の中心位置を撮像してその位置を検出し、集光器241とパワーメータ36とを相対的に移動させることにより集光器241をパワーメータに対峙させる。なお、集光器241とパワーメータ36との位置合わせは、必ずしも撮像手段26を使用して実施することに限定されず、集光器241から照射されるレーザー光線の照射位置をオペレータが目視により確認しながら行ってもよい。
集光器241とパワーメータ36との位置合わせを実施したならば、図3(a)に示すように、レーザー光線照射手段24の図示しないレーザー発振器からレーザー光線LBを発振し、集光器241からパワーメータ36に対して照射して、レーザー光線LBのパワーを制御装置20に出力する。この際、レーザー光線LBの集光位置Pは、パワーメータ36の受光素子の高さに合わせるのではなく、所定の距離だけ上方に位置付ける(デフォーカス)。これにより、パワーメータ36において計測される集光スポットのパワー密度が過剰に大きくならないようにし、パワーメータ36の劣化を抑制する。また、レーザー光線LBの上記デフォーカス量は、パワーメータ36に照射されるレーザー光線LBの全光量がパワーメータ36にて受光されるようにする。なお、この際に照射されるレーザー光線LBのパワーは、実際に被加工物に加工を施す際のパワーと比して低くすることが好ましい。
上記した第1検出ステップにて照射されるレーザー光線の照射条件は、例えば、以下のように設定することができる。
波長 :1342nm
繰り返し周波数 :90kHz
平均出力 :1000mW
図3(a)から理解されるように、第1の検出ステップで検出されるレーザー光線のパワーは、レーザー光線照射手段24から照射されるレーザー光線LBのパワーであり、本実施形態では、1000mW(1W)が検出される。検出されたパワーは、制御装置20のメモリに「第1のパワー(P1)」として記憶される。なお、レーザー光線照射手段24に搭載された図示しないレーザー発振器のパワーは、経年変化等で低下したり、レーザー発振器の品質ばらつき等で変化したりする場合があり、この第1検出ステップを実施することにより正確にレーザー光線LBの第1のパワー(P1)が検出される。
(第2の検出ステップ)
上記したように、第1の検出ステップが実施され第1のパワー(P1)を制御装置20のメモリに記憶したならば、図2に示す第2の検出ステップ(S2)を実施する。具体的には、図1に示したダミーウエーハ100を用意し、図3(b)に示すように、ダミーウエーハ100が、パワーメータ36の受光素子を覆うように位置付ける。この際、チャックテーブル34からはみ出してパワーメータ36に至るようにダミーウエーハ100を載置し、吸着チャック35に接続された図示しない吸引手段を作動してダミーウエーハ100がずれないように保持することが好ましい。このようにダミーウエーハ100を位置付けたならば、上記した第1の検出ステップと同じ照射条件でレーザー光線LBをパワーメータ36に照射する。なお、上記したダミーウエーハ100は、被加工物として加工されるシリコンウエーハ110の基板となるものであり、シリコンウエーハ110の基板と同一のインゴットから、同一の製造過程を経て生産されるものである。よってダミーウエーハ100の透過率を知ることで、シリコンウエーハ110の基板の透過率を知ることができる。
上記したようにダミーウエーハ100を保持した状態でパワーメータ36に向けてレーザー光線LBが照射されると、ダミーウエーハ100に吸収されずに透過したレーザー光線LBがパワーメータ36にて受光される。本実施形態では、600mWが検出され、検出されたパワーは、制御装置20のメモリに「第2のパワー(P2)」として記憶される。
(透過率算出ステップ)
上記したように、第1の検出ステップ(S1)、第2の検出ステップ(S2)が実行されたならば、図2に示す透過率算出ステップ(S3)が実施される。この透過率算出ステップ(S3)では、制御装置20に記憶された第1のパワー(P1=1000mW)と第2のパワー(P2=600mW)とから、被加工物の透過率を表す指標を算出する。具体的には以下のような演算を実施する。
透過率(R)=(第2のパワー(P2)/第1のパワー(P1))×100
=(600(mW)/1000(mW))×100=60(%)
上記した透過率算出ステップ(S3)が実行されることにより、本実施形態のダミーウエーハ100の透過率(R=60%)が算出され、制御装置20のメモリに記憶される。なお、透過率算出ステップ(S3)で算出される透過率(R)は、透過率を表す指標であればよく、上記した演算により算出されることに限定されない。例えば、ダミーウエーハ100によりレーザー光線LBが吸収される吸収率を演算するものであってもよい。吸収率を算出する場合は、第1のパワー(P1)から第2のパワー(P2)を引いた値(P1−P2)を分子とし、第1のパワー(P1)を分母とすることで吸収率を算出することができる。該吸収率は、透過率が高いほど低く、透過率が低いほど高い値を示すものであり、実質的に透過率を表す指標として本発明に利用することができる。
(改質層形成判定ステップ)
上記した透過率算出ステップ(S3)が実行されたならば、改質層形成可能か否かを判定する改質層形成判定ステップ(S4)を実施する。具体的には、透過率に関する所定の判定基準、例えば、レーザー光線照射手段24から照射されるレーザー光線LBの波長(1342nm)に対して透過率30%以上であるか否かを判定するステップであり、本実施形態で計測した透過率は、R=60%(≧30%)であることから、この判定基準を満たす、すなわち改質層形成判定ステップ(S4)において改質層形成可能(Yes)と判定される。なお、透過率を表す指標として吸収率を使用する場合は、吸収率が70%以下であるか否かを判定基準とすればよい。また、この判定基準は、使用するレーザー加工装置の加工条件、被加工物の物性、厚み等を考慮して適宜決定されてよい。
(改質層形成ステップ)
上記した改質層形成判定ステップ(S4)においてYesと判定されたならば、次に改質層形成ステップ(S5)を実施する。上記したように、透過率(R)の算出は、ダミーウエーハ100に基づいて算出したものであるが、実際の改質層の形成はデバイス14が形成されたシリコンウエーハ110に対して実施される。具体的には、複数のシリコンウエーハ110が収容されたカセット(図示は省略する。)から搬送され、チャックテーブル34に載置されたシリコンウエーハ110に対してレーザー加工が実施される。この際に照射されるレーザー光線LB’は、第1の検出ステップ(S1)、第2の検出ステップ(S2)において照射されたレーザー光線LBと同一の波長を有するレーザー光線であるが、実際に改質層を形成するため透過率を算出する際のレーザー光線LBよりも高い出力が設定される。
この改質層形成ステップ(S5)は、先ず上述した図1に示すレーザー加工装置2のチャックテーブル34上にシリコンウエーハ110の裏面110b側を上面にして載置する。そして、図4に示すように、図示しない吸引手段を作用させることによってチャックテーブル34の吸着チャック35上にシリコンウエーハ110を吸引保持する。なお、シリコンウエーハ110の表面110a側に保護テープを貼着し、保護テープを介して吸着チャック35上に吸着させてもよい。このようにして、シリコンウエーハ110を吸引保持したチャックテーブル34は、移動手段23によって撮像手段26の直下に位置付けられる。
シリコンウエーハ110が保持されたチャックテーブル34が撮像手段26の直下に位置付けられると、撮像手段26および制御装置20によってシリコンウエーハ110のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段26および制御装置20は、半導体ウエーハ2の所定方向に形成されている分割予定ライン112と、分割予定ライン112に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段24の集光器241との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、シリコンウエーハ110に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン112に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、シリコンウエーハ110の分割予定ライン112が形成されている表面110aは下側に位置しているが、上述したように、撮像手段26は、赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されているので、裏面110b側から透かして表面110a側の分割予定ライン112を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル34上に保持されたシリコンウエーハ110に形成されている分割予定ライン112を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図4に示すようにチャックテーブル34を、集光器241が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン112の一端をレーザー光線照射手段24の集光器241の直下に位置付ける。次に、集光器241から照射されるレーザー光線LB’の集光点を半導体ウエーハ2の表面110bから所定の深さ位置に位置付ける。そして、集光器241からシリコンウエーハ110に対して第1の検出ステップ(S1)、第2の検出ステップ(S2)において照射したレーザー光線LBと同一波長であって出力が大きいレーザー光線LB’を照射しつつ、チャックテーブル34を図4において矢印Xで示す方向に所定の加工送り速度で移動させる。そして、分割予定ライン112の他端が集光器241の照射位置に達したら、レーザー光線LB’の照射を停止するとともにチャックテーブル34の移動を停止する。このようにして改質層120を形成するレーザー加工を、移動手段22によりチャックテーブル34の回転、及び移動を実施しながら、シリコンウエーハ110の内部に、図4に示すような改質層120を形成し、最終的には、全ての分割予定ライン112に沿って改質層120を形成する。
上記改質層形成ステップ(S5)において実施されるレーザー加工条件は、例えば次のように設定される。
波長 :1342nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :90kHz
平均出力 :1.7W
加工送り速度 :700mm/秒
なお、上記した第1の検出ステップ(S1)、第2の検出ステップ(S2)、改質層形成ステップ(S5)では、波長が1342nmのレーザー光線LB、LB’を照射したが、本発明は、波長が1342nmのレーザー光線であることに限定されず、被加工物の物性や、選択したレーザー光線照射手段24に応じて、近赤外線の波長域、例えば、1000nm〜2500nm波長のレーザー光線から、任意の波長を選択することができる。
(レーザー加工中止ステップ)
図3に戻り説明を続けると、改質層形成判定ステップ(S4)において、算出された透過率(R)が所定の条件(30%以上)を満たさず、Noと判定されたならば、改質層形成ステップ(S5)に進まず、レーザー加工中止ステップ(S6)に進む。このような透過率(R)のシリコンウエーハ110では、透過率が低すぎるため、設定された条件である加工条件に基づいてレーザー加工を実施しても、シリコンウエーハ110の内部に良好な改質層120を形成することができないと判断される。よって、その後に設定されたレーザー加工を中止する。なお、このレーザー加工中止ステップ(S6)によりレーザー加工を中止した場合であっても、レーザー加工条件を変更することにより対応できる場合は、レーザー加工条件の再設定(レーザー光線の波長、出力の変更等)を行ったうえで、改質層120の形成を行う改質層形成ステップを実行することとしてもよい。
本発明は、上記した実施形態に限定されず、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の変形例を想定することができる。
例えば、上記した実施形態では、被加工物であるシリコンウエーハ110を構成するダミーウエーハ100を用いて透過率を算出し、シリコンウエーハ110が改質層の形成に適するか否かを判定したが、本発明はこれに限定されない。シリコンウエーハ110には、デバイス114が形成されていない外周領域110cがあり、上記した第2の検出ステップにてダミーウエーハ100に代えてシリコンウエーハ110を載置し、その際に外周領域110cがパワーメータ36の受光素子を覆うように配置し、保持する。そして、シリコンウエーハ110の外周領域110cにレーザー光線LBを照射して透過するレーザー光線をパワーメータ36により受光して第2のパワーを検出することにより実際に加工が施されるシリコンウエーハ110の透過率を算出してもよい。このようにすれば、実際にデバイス114を基板上に形成する過程において生じた透過率の変化も加味した透過率となり、より精密に透過率を把握でき、改質層形成判定に反映させることができる。
2:レーザー加工装置
20:制御装置
22:保持手段
23:移動手段
33:カバー板
34:チャックテーブル
35:吸着チャック
36:パワーメータ
40:X方向移動手段
42:Y方向移動手段
100:ダミーウエーハ
110:シリコンウエーハ
110a:表面
110b:裏面
110c:外周余剰領域
112:分割予定ライン
114:デバイス

Claims (4)

  1. 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、
    該レーザー光線照射手段の集光器をパワーメータに対峙させてレーザー光線を照射し第1のパワーを検出する第1の検出ステップと、
    該集光器と該パワーメータとの間に被加工物を位置付けてレーザー光線を照射し第2のパワーを検出する第2の検出ステップと、
    該第1のパワーと該第2のパワーとから被加工物の透過率を表す指標を算出する透過率算出ステップと、
    該透過率を表す指標から被加工物の内部に改質層が形成できるか否かを判定する改質層形成判定ステップと、
    該改質層形成判定ステップによって改質層が形成できると判定された被加工物に対してレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、
    から少なくとも構成されるレーザー加工方法。
  2. 該パワーメータは、該チャックテーブルに隣接して配設されており、該集光器と該保持手段とを相対的に移動して該第1の検出ステップを実施する請求項1に記載のレーザー加工方法。
  3. 該保持手段のチャックテーブルからはみ出して該パワーメータに至るように被加工物を該チャックテーブルに保持し、該第2の検出ステップを実施する請求項2に記載のレーザー加工方法。
  4. 被加工物はシリコンウエーハであり、レーザー光線の波長は近赤外線である請求項1に乃至3のいずれかに記載されたレーザー加工方法。
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