TW201738556A - 被加工物之內部檢測裝置及內部檢測方法 - Google Patents

被加工物之內部檢測裝置及內部檢測方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201738556A
TW201738556A TW106105319A TW106105319A TW201738556A TW 201738556 A TW201738556 A TW 201738556A TW 106105319 A TW106105319 A TW 106105319A TW 106105319 A TW106105319 A TW 106105319A TW 201738556 A TW201738556 A TW 201738556A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
processed object
detecting
light
wafer
Prior art date
Application number
TW106105319A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Nakamura
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of TW201738556A publication Critical patent/TW201738556A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本發明之應解決的課題係提供實際上不分割晶圓而可以檢測出藉由對被加工物照射雷射光線被形成在內部之加工痕的被加工物之內部檢測方法，及內部檢測裝置。若藉由本發明時，提供一種檢測出藉由對被加工物照射雷射光線被形成在內部之加工痕的被加工物之內部檢測裝置，其係至少由保持被加工物之保持手段；對該被加工物照射具備相對於該被加工物具有穿透性之波長之光之照明手段；和攝影該被加工物之攝影手段；及與該被加工物之側面相向而被配設，反射來自該側面之光而引導至該攝影手段之反射鏡所構成之被加工物之內部檢測裝置，及檢測出藉由對被加工物照射雷射光線而被形成在內部之加工痕的被加工物之內部檢測方法，提供一種被加工物之內部檢測方法，其包含：保持工程，其係將被加工物保持在保持手段；照明工程，其係對該被加工物照射具備相對於該被加工物具有穿透性之波長的光；反射鏡定位工程，其係與被保持在該保持手段之該被加工物之側面相向而定位反射鏡，反射來自該側面之光而引導至攝影手段；及加工痕檢測工程，其係以該攝影手段攝影該被加工物之側面，檢測出被形成在該被加工物之內部的該加工痕。

Description

被加工物之內部檢測裝置及內部檢測方法
本發明係關於檢測出藉由對被加工物，例如矽晶圓等之內部照射雷射光線而被形成的改質層等之加工痕的被加工物之內部檢測裝置，及內部檢測方法。
IC、LSI等之複數的裝置藉由分割預定線被區劃且被形成在表面的晶圓，藉由切割裝置被分割成各個裝置，被利用於行動電話、個人電腦等之電氣機器。
再者，作為將複數的裝置藉由分割預定線被區劃且被形成在表面的晶圓分割成各個裝之技術，除了使用上述切割裝置之外，申請人提案將相對於晶圓具有穿透性之波長的雷射光線之聚光點定位在晶圓之內部而予以照射，沿著分割預定線形成改質層之後，施加外力而將晶圓分割成各個裝置之技術(例如，參照專利文獻1)，並且，適當設定聚光脈衝雷射光線之聚光透鏡之數值孔徑，沿著分割預定線照射藉由聚光透鏡聚光的脈衝雷射光線使在被定位於單晶基板之聚光點，和被射入脈衝雷射光線之側之間，生長細孔和遮蔽該細孔之非晶質而形成所謂的遮 蔽隧道，施加外力而將晶圓分割成各個裝置之技術(例如，參照專利文獻2)。
上述般將晶圓分割成各個裝置之技術，日新月異重複改良，尤其，已知在照射雷射光線在單晶基板之內部形成上述的改質層、遮蔽隧道等之加工痕，在施加外力分割成各個之情況下，照射其雷射光線之各種條件，例如，藉由輸出、重複頻率、聚光透鏡被設定的數值孔徑、聚光點位置等之變化會對被形成在晶圓之內部的加工痕之形成產生影響。依此，為了提升加工效率或產品品質，必須充分探討雷射光線之照射條件的變更，如何影響加工痕之形成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第3408805號公報
[專利文獻2]日本特開2014-221483號公報
若為使用切削刀而切削晶圓之切割裝置時，雖然即使在加工途中，亦能夠容易從外部檢測藉由切削刀被形成之切入深度等之加工狀態，但是在照射雷射光線而在晶圓之內部形成改質層、遮蔽隧道等之加工方法之情況 下，因難以從外部正確把握被形成在內部之加工痕之尺寸或形狀等，故於施予雷射加工之後，實際施加外力，沿著加工痕分割晶圓，觀察該分割面而掌握藉由雷射光線所形成之狀態。
但是，因在將晶圓分割成各個後觀察分割面之情況下，被形成在內部之加工痕被破壞，故無法嚴格地觀察破壞前之加工痕之狀態，例如被形成之改質層之高度等。再者，有變更照射雷射光線之時的各種之條件而形成改質層、遮蔽隧道等，施加外力沿著分割預定線予以分割之後，即使欲觀察其分割面，當所形成之改質層或遮蔽隧道不充分時，晶圓亦無法如預期般被分割，即使觀察分割面，未必可以正確地驗證被形成在內部的改質層等之加工痕這樣的問題。
本發明係鑒於上述事實而創作出，其主要技術課題，在於提供實際上不分割晶圓而可以檢測出藉由對被加工物照射雷射光線而被形成內部之加工痕的被加工物之內部之檢測方法及檢測裝置。
為了解決上述主要之技術課題，若藉由本發明時，提供一種被加工物之內部檢測裝置，其係藉由對被加工物照射雷射光線，檢測出被形成在內部之加工痕的被加工物之內部檢測裝置，至少由下述所構成：保持手段，其係保持被加工物；照明手段，其係對該被加工物照射具 備相對於該被加工物具有穿透性之波長之光；和攝影手段，其係攝影該被加工物；及反射鏡，其係與該被加工物之側面相向而被配設，反射來自該側面之光而引導至該攝影手段。
再者，若藉由本發明時，提供一種被加工物之內部檢測方法，其係檢測出藉由對被加工物照射雷射光線，被形成在內部之加工痕的被加工物之內部檢測方法，包含：保持工程，其係將被加工物保持在保持手段；照明工程，其係對該被加工物照射具備相對於該被加工物具有穿透性之波長的光；反射鏡定位工程，其係與被保持在該保持手段之該被加工物之側面相向而定位反射鏡，反射來自該側面之光而引導至攝影手段；及加工痕檢測工程，其係以該攝影手段攝影該被加工物之側面，檢測出被形成在該被加工物之內部的該加工痕。
進一步包含平坦化工程，其係於在該被加工物之內部形成該加工痕之前，或是形成該加工痕之後，在該側面形成用以檢測出該加工痕之平坦部。
若藉由本發明之被加工物之內部檢測裝置、內部檢測方法時，實際上不分割被加工物，能夠藉由從被加工物之側面穿透之光檢測出加工痕之尺寸、形狀等。再者，因藉由本發明之內部檢測裝置係藉由對被保持在該保持手段之被加工物照射具備具有穿透性之波長的光之照明 手段，和攝影被保持在該保持手段之被加工物之攝影手段，和反射被配設在被保持在該保持手段之被加工物之側面，反射來自該側面之光而引導至該攝影手段之反射鏡所構成，故能夠從具備相對於比較物具有穿透性之例如紅外線照射手段，及由紅外線照攝影機等所構成之攝影手段的既有之雷射加工裝置容易且便宜地構成。
10‧‧‧矽晶圓
12、12’‧‧‧平坦部
30‧‧‧切削裝置
40‧‧‧雷射加工裝置
42‧‧‧保持機構
43‧‧‧移動手段
44‧‧‧雷射光線照射手段
44a‧‧‧聚光器
45‧‧‧顯示手段
50‧‧‧攝影手段
52‧‧‧紅外線光源
54‧‧‧光學系統
56‧‧‧具備紅外線用攝影元件之攝影部
58‧‧‧反射鏡單元
581‧‧‧環部
582‧‧‧臂部
583‧‧‧反射鏡
圖1為根據本發明適用實施被加工物之內部檢測方法之內部檢測裝置的雷射加工裝置。
圖2為用以說明在圖1所示之雷射加工裝置中構成內部檢測裝置之狀態的說明圖。
圖3為用以說明被適用於本發明之內部檢測裝置的在被加工物形成平坦部之平坦化工程的說明圖。
圖4為說明在圖1所示之雷射加工裝置中對被加工物施予雷射加工之狀態的說明圖。
圖5為用以說在本發明中之加工痕檢測工程的說明圖。
圖6為用以說明在本發明之內部檢測裝置中，形成加工痕，於實施加工痕檢測工程之後，實施平坦化之狀態的說明圖。
以下，針對藉由本發明之被加工物之內部檢測方法及內部檢測裝置之最佳的實施型態，參照附件圖面詳細說明。
圖1表示依照本發明，被構成能夠具備檢測被加工物之內部的內部檢測裝置，同時對該被加工物實施雷射加工之雷射加工裝置40之全體斜視圖。圖所示之雷射加工裝置40具備基台41、保持該被加工物之保持機構42、使保持機構42移動之移動手段43、對被保持於保持機構42之被工物照射雷射光線之雷射光線照射手段44、顯示手段45、攝影手段50，和藉由電腦所構成之無圖示之控制手段，藉由控制手段控制各手段。
保持機構42包含在X方向移動自如地被搭載在基台41之矩形狀之X方向可動板61，和在Y方向移動自如地被搭載在X方向可動板61之矩形狀之Y方向可動板63，和被固定在Y方向可動板63之上面的圓筒狀之支柱60，和被固定在支柱60之上端的矩形狀之蓋板62。在蓋板62形成有在Y方向延伸之長孔62a。在作為通過長孔62a而在上方延伸之保持圓形狀之被加工物的保持手段之挾盤載置台64之上面，配置有由多孔質材料所形成之實質上水平延伸之圓形狀之吸附挾盤66。吸附挾盤66係藉由通過支柱60之流路而被連接於無圖示之吸引手段。在挾盤載置台64之周緣，於圓周方向隔著間隔配置有複數個夾具68。另外，X方向係在圖1中以箭號X表示之方向，Y方向係在圖1中以箭號Y表示之方向，且與 X方向正交之方向。以X方向、Y方向規定的平面實質上水平。
移動手段43包含X方向移動手段70、Y方向移動手段72和無圖示之旋轉手段。X方向移動手段70具有在基台41上在X方向延伸之滾珠螺桿74，和與滾珠螺桿74之單端部連結的馬達76。滾珠螺桿74之無圖示之螺帽部被固定在X方向可動板61之下面。而且，X方向移動手段70係藉由滾珠螺桿74將馬達76之旋轉運動轉換成直線運動而傳達至X方向可動板61，沿著基台41上之導軌43a而使X方向可動板61在X方向進退。Y方向移動手段72具有在X方向可動板61上於Y方向方向延伸之滾珠螺桿78，和與滾珠螺桿78之單端部連結的馬達80。滾珠螺桿78之無圖示之螺帽部被固定在Y方向可動板63之下面。而且，Y方向移動手段72係藉由滾珠螺桿78將馬達80之旋轉運動轉換成直線運動而傳達至Y方向可動板63，沿著X方向可動板61上之導軌61a而使Y方向可動板63在Y方向進退。旋轉手段被內藏在支柱60，使吸附挾盤66對支柱60做旋轉。
攝影手段50被附設在框體82之前端下面，位於導軌43a之上方，使挾盤載置台64沿著導軌43a移動，依此能夠攝影被載置於挾盤載置台64之被加工物，在框體82之前端上面，搭載藉由攝影手段50被攝影到的畫像被輸出成能夠經控制手段而予以顯示的顯示手段45。攝影手段50除在圖示之實施型態中藉由可視光線攝 影之無圖示之通常的攝影元件(CCD)之外，如圖2所示般，係由具備對用以被加工物照射紅外線之紅外線光源52、由用以將來自該紅外線光源52之紅外線光線引導至光學系統54之光纖521所構成之紅外線照明手段、和輸出與藉由該光學系統54被捕獲之紅外線對應的電訊號之紅外線用攝影元件(紅外線CCD)之攝影部56等所構成，將攝影到之畫像訊號送至後述之控制手段。成為在該光學系統54之下端部，能夠配設被構成可對光學系統54拆卸之反射鏡單元58，反射鏡單元58設置有被嵌合於該光學系統54之前端部的圓環狀之環部581，和從環部581朝向下方延伸之臂部582，和從該臂部582之前端朝向內側下方具有45°之傾斜角度而延伸之反射鏡583。反射鏡單元58對光學系統54之安裝，係藉由將光學系統54之前端部定位在反射鏡單元58之環部581，使固定螺絲584之前端部進入被形成在光學系統54之前端部之凹部54a且使其固定而被進行。之後詳細敘述，反射鏡583係以被定位在與被保持於該挾盤載置台64之被加工物之側面相向之位置，將從紅外線光源52對該側面照射的紅外線予以反射而照射至被加工物，同時將在該被照射之區域反射之來自被加工物之側面的紅外線引導至具備紅外線用攝影元件之攝影部56之方式，設定其傾斜。另外，從紅外線光源52被照射之紅外線不一定要在反射鏡583反射而予以照射，可以因應欲攝影之地點或影像而適當變更。在本實施型態中之被加工物之內部檢測裝置係如此地以雷射加 工時被使用於對準工程之攝影手段50，和附帶於該攝影手段50而被構成之反射鏡單元58所構成。
當返回圖1繼續說明時，雷射光線照射手段44被構成從基台41之上面延伸至上方，接著，被內裝在實質上水平延伸之框體82，將以相對於被加工物具有穿透性之例如1340nm之波長使得輸出被適當調整的雷射光線，經由被配設在框體82之前端下面的聚光器44a而朝向被載置於挾盤載置台64上之被加工物照射，在內部形成改質層。
在本實施型態中之雷射加工裝置40具備無圖示之控制手段，該控制手段具備藉由電腦被構成，依照控制程式進行運算處理之中央運算處理裝置(CPU)、儲存控制程式等之唯讀記憶體(ROM)、用以暫時性地儲存檢測出之檢測值、運算結果等之能讀取之隨機存取記憶體(RAM)；輸入介面及輸出介面。在該控制手段之輸入介面，除來自攝影手段50之畫像訊號之外，被輸入保持機構42之無圖示之X方向、來自Y方向之位置檢測手段之訊號等。再者，從該輸出介面朝向雷射光線振盪器44、紅外線光源52、X方向移動手段70、Y方向移動手段72等而發送作動訊號。
用以實行依照本發明被實施的被加工物之內部檢測方法之內部檢測裝置，概略被構成上述般，針對其作用，以下說明。
圖3表示在本發明之內部檢測裝置，內部被 檢測的圓板狀之矽晶圓10。另外，該矽晶圓10雖然係係藉由圖1所示之雷射加工裝置40，照射雷射光線，在其內部形成改質層，但是在本實施型態中，採用在表面不形成裝置之試驗用之矽晶圓10。
於藉由本發明之內部檢測裝置檢測出藉由對矽晶圓10照射雷射光線而在內部形成的加工痕之時，如圖3所示般，首先，實施藉由事先切斷矽晶圓10之端部，分割成分割後之新的矽晶圓10a，和10a’，在新的矽晶圓10a之側面形成平坦部12之平坦化工程。該平坦化工程可以使用藉由旋轉之切削刀切斷矽晶圓10之端部之切割裝置而予以實施，能取得形成平坦部12之矽晶圓10a。再者，將分割之前的矽晶圓10，或分割後之矽晶圓10a定位在環狀之框架F之開口部，黏貼於黏貼膠帶T，同時藉由將黏貼膠帶T之外周部安裝於環狀之框架F，使成為一體化(參照圖3)。
在圖1所示之雷射加工裝置40之挾盤載置台64，載置上述矽晶圓10a之黏貼膠帶T側，環狀之框架F藉由被配設在挾盤載置台64之夾具68被固定。而且，藉由使無圖示之吸引手段作動，將矽晶圓10a吸引固定在吸附挾盤66上(保持工程)。
若實施該保持工程時，實行使X方向移動手段70作動，將吸引保持矽晶圓10a之吸附挾盤66定位在攝影手段50之正下方，藉由攝影手段50及無圖示之控制手段，檢測出矽晶圓10a之應雷射加工的加工區域的對準 工程。在本實施型態中被實行之雷射加工係用以變更雷射光線之照射條件而檢測出內部，如圖4(a)所示般，沿著平坦部12照射雷射光線LB而形成由1條之改質層100所構成之加工痕。依此，該對準工程係進行雷射光線照射手段44之聚光器44a之位置，和平坦部12之位置對準，在離平坦部12特定距離(例如，30μm)之位置，被進行對準以使沿著該平坦部12照射來自聚光器44a之雷射光線。如上述般，若進行對準工程時，將挾盤載置台64移動至雷射光線照射手段44之聚光器44a所在的雷射光線照射區域。
使雷射光線振盪手段44作動，將從聚光器44a被照射之脈衝雷射光線之聚光點，定位成矽晶圓10a之內部的特定高度，邊從聚光器44a照射相當於矽晶圓10a具有穿透性之波長的脈衝雷射光線，邊使構成挾盤載置台64之吸附挾盤66以特定之移動速度在圖4(a)中以箭頭X表示之方向移動。如此一來，藉由實施雷射加工，如以重要之放大剖面圖表示於圖4(b)般，沿著試驗用之矽晶圓10a之平坦部12而在其內部形成1條之改質層100。
另外，形成上述之改質層的雷射加工係在例如下述般之加工條件下被進行。
波長：1342nm
重覆頻率：90kHz
平均輸出：1.0~2.0W
點徑：φ2μm
加工進給速度：700mm/秒
若在矽晶圓10a形成由改質層100所構成之加工痕時，如圖5(a)所示般，對攝影手段50之光學系統54之前端部安裝並固定反射鏡單元58。若安裝固定反射鏡單元58時，使X方向移動手段70、Y方向移動手段72作動而使挾盤載置台64移動，同時藉由適當調整攝影手段50之上下方向位置，如圖5(b)所示般，將該反射鏡單元58之反射鏡583定位在與形成矽晶圓10a之平坦部12之側面相向之位置(反射鏡定位工程)。
若實施該反射鏡定位工程時，使紅外線光源52作動而經由光纖521將紅外線引導至光學系統54。由圖5(b)所示之概略剖面圖明顯可知，被構成經由光纖521被引導至光學系統54之紅外線，藉由半反射鏡541被反射，經由聚光透鏡542而引導至反射鏡583，在反射鏡583被反射之紅外線，被照射至矽晶圓10a之平坦部12。被照射至平坦部12之紅外線係穿透矽晶圓10a之波長的光，穿透矽晶圓10a，照射被形成內部之改質層100(照明工程)。
照射矽晶圓10a之內部的紅外線係在藉由改質層100所形成之加工痕而反射，穿透矽晶圓10a之內部，而經由被形成在側面之平坦部12而被射入至反射鏡583。該被射入之反射光穿透光學系統54之聚光透鏡542、半反射鏡541，被引導至具備紅外線用攝影元件之 攝影部56而被輸入至無圖示之控制手段，被記憶於隨機存取記憶體(RAM)，同時被顯示於顯示手段45(加工痕檢測工程)。
藉由上述加工痕檢測工程被實施，實際不分割矽晶圓10a，可以檢測出被形成在矽晶圓10a之內部的加工痕。即是，可以藉由從被顯示於顯示手段45之畫像，觀察被形成在矽晶圓10a之改質層100之厚度方向的尺寸，或其形狀，觀察實行雷射工之時之雷射光線之照射條件對改質層之形成的影響。
在本實型態中，對上述矽晶圓10a照射射光線，而形成1條之改質層100，於實行上述加工痕檢測工程之後(圖6(a))，再次實施平坦化工程。即是，藉由由切削被形成檢測完之改質層的區域，可以形成新的內部檢測用之矽晶圓。更具體而言，如圖6(b)所示般，將實行加工痕檢測工程之矽晶圓10a載置在另外準備之切削裝置30之保持手段，沿著平坦部12切削包含該改質層100之區域，將矽晶圓10a分割成新的矽晶圓10b，和包含已被檢測出之改質層100的10b’。而且，切離分割的10b’，取得具備新的平坦部12’之矽晶圓10b(參照圖6(c))。將如此所取得之矽晶圓10b再次載置於圖1所示之雷射加工裝置40，變更雷射加工條件，沿著平坦部12’而形成新的改質層，實行用以檢測出該新的改質層之加工痕檢測工程。藉由重覆該些作業，使用一片的矽晶圓10，使加工條件變化而形成多數的加工痕，能夠觀察各 個。再者，在本實施型態中，因僅對雷射加工裝置40之攝影手段50安裝反射鏡單元58，可以原樣地構成被加工物之內部檢測裝置，故接續形成改質層之加工，不需要從保持手段拆下被加工物，能夠在原樣下實行加工痕檢測工程。
依照本發明被構成之被加工物之內部檢測裝置，及被加工物之內檢測方法，並不限定於上述實施型態，可以構成各種變形例。例如，在上述實施型態中，雖然僅表示採用矽晶圓作為被加工物，且使用紅外線光源之例，但是並不限定於此，若為能夠將具有穿透性之波長的光當作光源而予以設定的被加工物時，亦可以將任何物體作為對象。例如，作為被加工物，於採用藍寶石基板、鉭酸鋰(LT)基板之情況下，作為為了檢測出內部而被照射之光的光源，可以採用照射可視光之光源。
在上述實施型態中，雖然成為將被加工物保持於保持手段，且在將被加工物保持於保持手段之後，藉由施予雷射加工而在內部形成改質層，在原樣下實施檢測出該改質層之加工痕檢測工程，但是本發明並不限定於此，即使於在將被加工物保持於用以實施加工痕檢測工程之保持手段之前，事先施予雷射加工而形成改質層，之後，實施將被加工物保持在保持手段而檢測出內部的加工痕檢測工程亦可。
在上述實施型態中，在雷射加工裝置中，雖然成為在施予雷射加工之時被實施之對準工程中使用之對 準用之攝影手段，安裝反射鏡單元，構成被加工物之內部檢測裝置，但是本發明並不限定於此，亦能夠以與雷射加工裝置不同的獨立裝置構成被加工物之內部檢測裝置。
在上述實施型態中，雖然表示於施予1條之改質層之雷射加工之後，實施檢測出被保持於保持手段之被加工物之內部的加工痕檢測工程，之後，實施形成新的平坦部之平坦化工程，再次形成改質層，重覆實施檢測出重新被形成的改質層之加工痕檢測工程之例，但是即使例如於藉由雷射加工在內部形成改質層之時，一面逐漸地變更雷射加工條件，一面以特定間隔一次形成複數的改質層，對最接近於平坦部之1條的改質層實施加工痕檢測工程之後，藉由僅切削且除去形成接近於平坦部之1條的改質層的區域之平坦化工程，形成新的平坦部，重覆實施檢測出最接近於新的平坦部之另外的改質層之加工痕檢測工程亦可。依此，在加工痕檢測工程和平坦化工程之間無須另外施予雷射加工，加工痕之檢測效率提升。
在上述實施型態中，雖然作為在成為觀察對象之被加工物之側面形成平坦部之平坦化工程之手段，表示使用切割裝置之例，但是並不限定於此，即使設為採用其他之分割裝置，例如藉由雷射加工分割被加工物之雷射加工裝置亦可。
10a‧‧‧矽晶圓
12‧‧‧平坦部
45‧‧‧顯示手段
50‧‧‧攝影手段
52‧‧‧紅外線光源
54‧‧‧光學系統
56‧‧‧具備紅外線用攝影元件之攝影部
58‧‧‧反射鏡單元
100‧‧‧改質層
521‧‧‧光纖
541‧‧‧半反射鏡
542‧‧‧聚光透鏡
581‧‧‧環部
582‧‧‧臂部
583‧‧‧反射鏡
F‧‧‧框架
T‧‧‧黏貼膠帶

Claims (3)

  1. 一種被加工物之內部檢測裝置，其係檢測出藉由對被加工物照射雷射光線被形成在內部之加工痕的被加工物之內部檢測裝置，其特徵在於至少由下述所構成：保持手段，其係保持被加工物；照明手段，其係對該被加工物照射具備相對於該被加工物具有穿透性之波長之光；攝影手段，其係攝影該被加工物；及反射鏡，其係與該被加工物之側面相向而被配設，反射來自該側面之光而引導至該攝影手段。
  2. 一種被加工物之內部檢測方法，其係檢測出藉由對被加工物照射雷射光線被形成在內部之加工痕的被加工物之內部檢測方法，其特徵在於包含：保持工程，其係將被加工物保持在保持手段；照明工程，其係對該被加工物照射具備相對於該被加工物具有穿透性之波長的光；反射鏡定位工程，其係與被保持在該保持手段之該被加工物之側面相向而定位反射鏡，反射來自該側面之光而引導至攝影手段；及加工痕檢測工程，其係以該攝影工程攝影該被加工物之側面，檢測出被形成在該被加工物之內部的該加工痕。
  3. 如請求項2所記載之被加工物之內部檢測方法，其中進一步包含平坦化工程，其係於在該被加工物之內部形成該加工痕之前，或是形成該加工痕之後，在該側面形 成用以檢測出該加工痕之平坦部。
TW106105319A 2016-03-16 2017-02-17 被加工物之內部檢測裝置及內部檢測方法 TW201738556A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016052162A JP2017166961A (ja) 2016-03-16 2016-03-16 被加工物の内部検出装置、および内部検出方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201738556A true TW201738556A (zh) 2017-11-01

Family

ID=59904916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106105319A TW201738556A (zh) 2016-03-16 2017-02-17 被加工物之內部檢測裝置及內部檢測方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2017166961A (zh)
KR (1) KR20170107900A (zh)
CN (1) CN107199409A (zh)
TW (1) TW201738556A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7112204B2 (ja) 2018-02-07 2022-08-03 株式会社ディスコ 非破壊検出方法
JP7256604B2 (ja) 2018-03-16 2023-04-12 株式会社ディスコ 非破壊検出方法
CN113588640B (zh) * 2021-07-29 2024-01-16 安徽机电职业技术学院 一种多角度便携式现场痕迹检测仪

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11183152A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Canon Inc 透明体の内部検査方法および内部検査装置
JP3734718B2 (ja) * 2001-05-10 2006-01-11 独立行政法人科学技術振興機構 レーザーによる透明試料の内部加工過程の測定方法及びそのための装置
CN1237340C (zh) * 2002-12-09 2006-01-18 铼宝科技股份有限公司 检测修复系统及检测修复方法
AU2003220847A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-30 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US20060054843A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Electronic Design To Market, Inc. Method and apparatus of improving optical reflection images of a laser on a changing surface location
JP2006208314A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法
US7284396B2 (en) * 2005-03-01 2007-10-23 International Gemstone Registry Inc. Method and system for laser marking in the volume of gemstones such as diamonds
CN102472712A (zh) * 2009-07-24 2012-05-23 旭硝子株式会社 玻璃部件的质量管理方法和质量管理装置以及带标记的玻璃部件

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017166961A (ja) 2017-09-21
KR20170107900A (ko) 2017-09-26
CN107199409A (zh) 2017-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI707757B (zh) 晶圓生成方法及加工進給方向檢測方法
KR102251261B1 (ko) 칩 제조 방법
TWI571345B (zh) The laser processing method and laser processing apparatus
US9358637B2 (en) Laser beam spot shape detecting method
TWI657495B (zh) 晶圓的加工方法
JP2008109015A (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
JP5985896B2 (ja) ウエーハの加工方法およびレーザー加工装置
JP6757185B2 (ja) レーザー光線の検査方法
TW201738556A (zh) 被加工物之內部檢測裝置及內部檢測方法
TW201910038A (zh) 雷射加工方法
US9149886B2 (en) Modified layer forming method
TWI746820B (zh) 聚光點位置檢測方法
JP2021027071A (ja) レーザー加工装置
JP6157991B2 (ja) ウエーハの管理方法
JP2011161553A (ja) ワーク保持機構
JP2019021743A (ja) ウエーハの加工方法
KR102537095B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
US20120086797A1 (en) Method of detecting pattern formed on non-exposed surface of workpiece
TWI707393B (zh) 雷射加工裝置
TWI825359B (zh) 攝像裝置
TW201513963A (zh) 保護膜檢測裝置
JP6625928B2 (ja) レーザー加工装置
JP6456781B2 (ja) レーザー加工装置
JP7266402B2 (ja) チップの製造方法
JP2019102468A (ja) ウェーハの加工方法