JP2009140958A - レーザーダイシング装置及びダイシング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】オペレータの経験によらず、適正な加工条件を安定して選択することが可能なレーザーダイシング装置及びダイシング方法を提供する。
【解決手段】SDカメラなどを用いてウェーハの厚さを測定し(S12)、ウェーハの表面又は内部の性質を示すウェーハ性質情報を取得する(S14)。測定されたウェーハの厚さに基づいて、チップ分割用の改質領域の厚さ・層数を決定する(S16)。S14で取得されたウェーハ性質情報に基づいて、S16で決定された改質領域の厚さ・層数を実現するための加工条件がデータベースから選択される(S18)。
【選択図】図5
【解決手段】SDカメラなどを用いてウェーハの厚さを測定し(S12)、ウェーハの表面又は内部の性質を示すウェーハ性質情報を取得する(S14)。測定されたウェーハの厚さに基づいて、チップ分割用の改質領域の厚さ・層数を決定する(S16)。S14で取得されたウェーハ性質情報に基づいて、S16で決定された改質領域の厚さ・層数を実現するための加工条件がデータベースから選択される(S18)。
【選択図】図5
Description
本発明は、ウェーハを個々のチップに分割するレーザーダイシング装置及びダイシング方法に関する。
ウェーハを個々のチップに分割するダイシング装置として、レーザー光によりチップ分割用の改質領域をウェーハに形成するレーザーダイシング装置が知られている。
このようなレーザーダイシング装置では、高精度にダイシングを行うため、ダイシング対象のウェーハの厚さに応じて、改質領域をウェーハに形成する際の加工条件(以下、単に「加工条件」という。)を適切に設定する必要がある。
加工条件を設定する方法として、オペレータが、経験に基づいてウェーハの厚さに対応する加工条件を選択し、選択した加工条件を装置に手動で入力する方法がある。しかし、この方法はオペレータ個人の経験に依存するところが大きく、選択される加工条件に個人差がある。また選択された加工条件は、最終的に装置に手動で入力されるため、オペレータの入力ミスに起因する加工不良が起こる場合もある。
そこで、ウェーハの厚さに基づいて加工条件を自動的に選択するレーザーダイシング装置が提案されている。
例えば、特許文献1には、ダイシング対象のウェーハの厚さを測定し、厚さ測定値に対応する加工条件をデータベースから自動的に選択するレーザーダイシング装置が記載されている。このレーザーダイシング装置によれば、オペレータの経験によらない条件選択が可能となり、オペレータの入力ミスを防止することも可能となる。
特開2007−95952号公報
ダイシング対象のウェーハの品種は様々であり、ウェーハの厚さだけでなく、ウェーハの表面及び内部の性質も品種ごとに異なるのが一般的である。そして、適正な加工条件は、ウェーハの厚さだけでなく、ウェーハの表面及び内部の性質にも依存する。
このため、様々な品種のウェーハに対して、安定して適正な加工条件を選択するためには、ウェーハの表面及び内部の性質も考慮して加工条件を決定する必要がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、オペレータの経験によらず、適正な加工条件を安定して選択することが可能なレーザーダイシング装置及びダイシング方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、改質領域形成用のレーザー光をウェーハに照射するレーザー光照射手段と、前記ウェーハの表面又は内部の性質を示すウェーハ関連情報を取得する情報取得手段と、前記情報取得手段が取得する前記ウェーハ関連情報に基づいて、前記ウェーハに改質領域を形成する加工条件を決定する加工条件決定手段と、前記加工条件決定手段が決定する前記加工条件に基づいて、前記レーザー光照射手段を制御する制御部とを備えるレーザーダイシング装置に関する。
当該レーザーダイシング装置によれば、ウェーハの表面又は内部の性質を示すウェーハ関連情報に基づいて加工条件を決定し、オペレータの経験によらず、適正な加工条件を安定して選択することができる。
上述のレーザーダイシング装置は、前記ウェーハの厚さを取得する厚さ取得手段をさらに含み、前記加工条件決定手段は、前記情報取得手段が取得する前記ウェーハ関連情報と、前記厚さ取得手段が取得する前記ウェーハの厚さとに基づいて、前記加工条件を決定してもよい。
これにより、厚さの異なるウェーハをダイシングする場合であっても、ウェーハの厚さによらず、高精度にダイシングを行うことが可能である。
前記ウェーハ関連情報は、前記ウェーハのドープ量と、前記ウェーハの表面の膜種と、前記ウェーハに対する前記レーザー光の透過率とのうち少なくとも一つを含んでもよい。
上述のレーザーダイシング装置は、加工条件をウェーハ関連情報に対応付けて記憶する記憶手段をさらに備え、前記加工条件決定手段は、前記情報取得手段が取得した前記ウェーハ関連情報に対応付けられた前記加工条件を、前記記憶手段から選択してもよい。
前記加工条件は、前記ウェーハに対する前記レーザー光の走査速度と、前記レーザー光の繰り返し走査回数と、前記レーザー光の焦点位置と、前記レーザー光のパワーと、前記レーザー光のパルス幅とのうち少なくとも一つを含んでもよい。
上記目的を達成するため、本発明の一態様は、ウェーハの表面又は内部の性質を示すウェーハ関連情報を取得する情報取得工程と、前記情報取得工程において取得される前記ウェーハ関連情報に基づいて、前記ウェーハに改質領域を形成する加工条件を決定する加工条件決定工程と、前記加工条件決定工程において決定される前記加工条件に基づいて、前記ウェーハに改質領域形成用のレーザー光を照射するレーザー光照射工程とを含むダイシング方法に関する。
本発明によれば、ウェーハの表面又は内部の性質を示すウェーハ関連情報に基づいて加工条件を決定し、オペレータの経験によらず、適正な加工条件を安定して選択することができる。
以下添付図面に従って本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るレーザーダイシング装置10の概略を示す構成図である。図2は、レーザーダイシング装置10に搬入されるワークウェーハ12の一例を示す斜視図である。ワークウェーハ12は、フレームFにたるみなく張られたダイシングテープSと、ダイシングテープSの上に固定されたウェーハWとを含む。
図1に示すように、レーザーダイシング装置10は、本体ベース26と、本体ベース26上に設けられたウェーハ移動部20と、ウェーハ移動部20に載置されるワークウェーハ12に対向するように設けられた測定光学部30と、測定光学部30と並ぶように配置されたレーザー光学部40と、ウェーハ移動部20、測定光学部30及びレーザー光学部40と接続された制御部50と、制御部50に接続された記憶部52とを備える。
ウェーハ移動部20は、ワークウェーハ12が載置される吸着ステージ24と、吸着ステージ24と一体的に設けられたXYZθテーブル22とを有する。
吸着ステージ24は、不図示のポンプを有するとともに、複数の吸着穴が表面に設けられている。吸着ステージ24は、制御部50の制御信号に従って、ポンプを作動させることにより、吸着穴を介してワークウェーハ12を吸着保持する。
XYZθテーブル22は、制御部50の制御信号に従って、XYZθの4方向に移動する。図1に示す例では、XYZの3方向は互いに直交し、このうちX方向およびY方向は水平方向であり、Z方向は鉛直方向である。またθ方向は、鉛直方向軸(Z軸)を回転軸とする回転方向である。
記憶部52は、ウェーハの表面又は内部の性質を示す情報(以下、「ウェーハ性質情報」という。)に対応付けて、加工条件を記憶する。ここでウェーハ性質情報は、ウェーハのサイズ(厚さ及び直径)以外の情報を指し、ウェーハWに添加されたドーパントの種類・ドープ量、ウェーハWの表面に形成された膜(例えば、酸化膜や金属膜)の種類、ウェーハWに対するレーザー光の透過率などを含む。加工条件としては、例えば、レーザー光の走査速度(すなわち、レーザー光学部40に対するXYZθテーブル22の移動速度)、レーザー光の繰り返し走査回数(すなわち、レーザー光学部40に対するXYZθテーブル22の繰り返し移動回数)、レーザー光学部40がワークウェーハ12に照射するレーザー光のパワー・パルス幅などが挙げられる。
制御部50は、CPUを含むマイクロプロセッサとして構成され、処理プログラムを記憶するROMと、一時的にデータを記憶するRAMと、各種信号の送受信が行われる入出力ポートとを有する。
制御部50は、ROMに記憶された処理プログラムにしたがって、測定光学部30により測定されるウェーハWの厚さに応じて、チップ分割用の改質領域の厚さ及び改質領域の層数を決定する。例えば、ウェーハWが比較的厚い場合には、チップ分割用の改質領域を厚くしたり、改質領域の層数を増やしたりする。
さらに制御部50は、記憶部52を参照して、測定光学部30により取得されたウェーハ性質情報に対応する加工条件を選択することにより、ウェーハWの厚さに応じて決定された改質領域の厚さ及び改質領域の層数を実現するための加工条件を決定する。
そして当該加工条件に基づいて、制御部50は、XYZθテーブル22及びレーザー光学部40を制御する。例えば、制御部50は、加工条件により規定されるレーザー光の走査速度及びレーザー光の繰り返し走査回数に基づいて、レーザー光学部40に対してXYZθテーブル22を移動させる。
図3は、測定光学部30の構成を示す図である。測定光学部30は、本体31と、本体31の内部に収容される照明装置32、コリメートレンズ33、ハーフミラー34、コンデンスレンズ36、アクチュエータ38及びCCDセンサー39とを有するSDカメラである。
照明装置32は測定用の照明光を発光する。照明装置32により発光された照明光はコリメートレンズ33で平行光に揃えられ、ハーフミラー34で反射され、コンデンスレンズ36で集光されて、ウェーハWに到達する。ウェーハWに到達した照明光の一部は、ウェーハWで反射されて、コンデンスレンズ36及びハーフミラー34を介してCCDセンサー39に到達する。
CCDセンサー39は、ウェーハWで反射した光を電気信号に変換し、当該電気信号を図1に示す制御部50に送る。制御部50では、当該電気信号に基づいて、ウェーハWの表面の撮像データ及びウェーハWからの反射光の全光量値(SFV値)が算出される。
コンデンスレンズ36の表面には、ウェーハ表面位置測定用の模様(レチクル)が刻印されており、照明光の焦点OがウェーハWの表面に一致する場合、CCDセンサー39を用いて撮像されたウェーハWの表面像には、上述の模様(レチクル)がはっきりと映る。
アクチュエータ38は、中空の円筒形状の圧電素子であり、上端が本体31に固定されており、下端がコンデンスレンズ36を保持するレンズフレーム(図示せず)に固定されている。このような構成を有するアクチュエータ38は、制御部50からの印加電圧に応じて伸縮することで、コンデンスレンズ36を光軸方向(Z方向)に微小移動させる。
図4は、レーザー光学部40の構成を示す図である。レーザー光学部40は、本体41と、本体41に収容されるレーザー発振装置42、コリメートレンズ44、コンデンスレンズ46及びアクチュエータ48を有する。
レーザー発振装置42は、制御部50が選択した加工条件に基づいて、レーザー光を発振する。例えば、レーザー発振装置42は、パルス幅が1μs以下であって、焦点におけるピークパワー密度が1×108(W/cm2)以上となるレーザー光を発振する。
レーザー発振装置42により発振されたレーザー光は、コリメートレンズ44で平行光に揃えられ、集光レンズ46により焦点Pにおいて集光される。レーザー光の焦点Pの近傍では、多光子吸収が誘起されて改質領域110が形成される。図1に示すXYZθテーブル22がウェーハW(ワークウェーハ12)をレーザー光学部40に対して移動させることにより、改質領域110は、焦点Pの軌跡に沿って連続的に形成される。なお、レーザー光の焦点PのZ方向位置(深さ)を変化させて、ウェーハW(ワークウェーハ12)をレーザー光学部40に対して繰り返し移動させた場合は、改質領域110は多層状に形成される。
アクチュエータ48は、中空の円筒形状の圧電素子であり、上端は本体41に固定されており、下端はコンデンスレンズ46を保持するレンズフレーム(図示せず)に固定されている。このような構成を有するアクチュエータ48は、制御部50からの印加電圧に応じて伸縮することで、コンデンスレンズ46を光軸方向(Z方向)に微小移動させて、レーザー光の焦点PのZ方向位置を調整する。
次にレーザーダイシング装置10を用いたダイシング方法について、図5を参照して説明する。図5はレーザーダイシング装置10を用いたダイシング方法の流れを示すフローチャートである。
まずワークウェーハ12をレーザーダイシング装置10に搬入し(図5のS10)、吸着ステージ24に載置する。ワークウェーハ12の搬入は任意の手法で行われる。例えば、ワークウェーハ12を格納したカセットをエレベータにより所定の位置まで運び、この位置でワークウェーハ12をカセットから搬送装置に受け渡して、当該搬送装置により吸着ステージ24まで搬送する。
次に、測定光学部30を用いてウェーハWの厚さを測定する(S12)。具体的には、制御部50が、CCDセンサー39を用いて撮像されたウェーハWの表面像に対して画像認識を行い、コンデンスレンズ36に刻印された模様(レチクル)の有無を判定する。画像認識の結果、ウェーハWの表面像に模様(レチクル)がはっきりと映っていれば、アクチュエータ38に対する印加電圧に基づいてウェーハWの表面の位置を算出する。一方、ウェーハWの表面像に模様(レチクル)が映っていなければ、アクチュエータ38に印加する電圧を変更して、画像認識を再度行う。ウェーハWの表面像に模様(レチクル)が検出されるまで、アクチュエータ38への印加電圧の変更および画像認識を繰り返す。このようにして得られるウェーハWの表面位置は、吸着ステージ24の表面を基準とするウェーハWの表面のZ方向位置(高さ)であるから、記憶部52に予め記憶されているダイシングテープSの厚さを当該表面位置から減算することでウェーハWの厚さが測定される。ウェーハWの厚さの測定は、例えば、ダイシングライン上の所定の一箇所で行ってもよいし、ダイシングライン上の複数箇所で行って平均値を算出してもよい。
次に、測定光学部30を用いて、ウェーハWのウェーハ性質情報が取得される(S14)。例えば、ウェーハWからの反射光の光量はウェーハWの表面の膜種に依存するという事実を利用して、CCDセンサー39を用いて測定されたウェーハWからの反射光の全光量値(SFV値)に基づいて、ウェーハWの表面の膜種に関する情報を取得することができる。ウェーハ性質情報の取得は、例えば、ダイシングライン上の所定の一箇所で行ってもよいし、ダイシングライン上の複数箇所で行ってもよい。
制御部50は、観察光学部30を用いて測定されたウェーハWの厚さに応じて、改質領域110の厚さ及び改質領域110の層数を決定する(S16)。例えば、制御部50が有するROMに保存されている処理プログラムにしたがって、改質領域110の厚さ及び改質領域110の層数が決定される。
制御部50は、記憶部52を参照して、測定光学部30を用いて取得されたウェーハ性質情報に対応付けられた加工条件を選択することにより、S16で決定された改質領域110の厚さ及び改質領域110の層数を実現するための加工条件を決定する(S18)。
制御部50により決定された加工条件に基づいて、XYZθテーブル22及びレーザー光学部40が制御されて、ダイシングラインに沿って改質領域110が形成される(S20)。このとき、測定光学部30を用いてウェーハWの表面を観察することにより、ウェーハWの表面でアブレーションが起きていないことを確認してもよい。
全てのダイシングラインについて改質領域形成加工が終了していなければ(S22のNO判定)、レーザー光学部40の直下に次のダイシングラインが位置するように、XYZθテーブル22を用いてワークウェーハ12を移動させる(S24)。そして、当該次のダイシングラインに沿って改質領域110が形成される(S20)。
一方、全てのダイシングラインについて改質領域形成加工が終了すれば(S22のYES判定)、ワークウェーハ12をレーザーダイシング装置10から取り出して、改質領域形成加工を終了する。改質領域形成加工を経たウェーハWは、ダイシングラインに沿って改質領域110が形成されており、この改質領域110をきっかけとして、わずかな外力により個々のチップに分割される。
以上説明したように本実施形態によれば、測定光学部30が取得するウェーハWに関するウェーハ性質情報に基づいて、制御部50により加工条件が選択されるため、オペレータの経験によらず、適正な加工条件を安定して自動的に選択することができる。
また本実施形態によれば、測定光学部30により測定されるウェーハWの厚さに基づいて、改質領域110の厚さ及び改質領域110の層数が決定されるため、厚さの異なるウェーハWをダイシングする場合であっても、ウェーハWの厚さによらず、高精度にダイシングを行うことが可能である。
本発明の一例について詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。
例えば、上述の実施形態では、測定光学部30を用いてウェーハWの表面の膜種に関するウェーハ性質情報を取得する例について説明したが、レーザー発振装置42により発振されたレーザー光を用いて、ウェーハWに対するレーザー光の透過率に関するウェーハ性質情報を取得してもよい。
図6は、ウェーハWに対するレーザー光の透過率の測定原理を示す図である。図6に示すレーザー光学部400は、図1に示すレーザー光学部40にハーフミラー45及びCCDセンサー47を追加した構成を有する。このレーザー光学部400を用いて、表面に金属膜112が設けられたウェーハWの裏面からレーザー光を照射する。このとき、レーザー光の焦点Pが金属膜112と一致するように、アクチュエータ48に印加する電圧が調整される。これにより、レーザー発振装置42により発振されたレーザー光は、ウェーハWの内部を透過して、焦点Pにおいて金属膜112により反射される。反射されたレーザー光は、ウェーハのコンデンスレンズ46及びハーフミラー45を経てCCDセンサー47で受光され、金属膜112で反射したレーザー光の全光量値(SFV値)が算出される。この全光量値はウェーハWに対するレーザー光の透過率に依存するため、当該全光量値に基づいてウェーハWに対するレーザー光の透過率を測定することが可能である。なお、透過率測定用のレーザー光の光源として、改質領域形成用のレーザー光を発振するレーザー発振装置42を用いる代わりに、別途レーザー光の光源を設けてもよい。透過率はレーザー光の波長に依存するため、別途レーザー光の光源を設ける場合は、実際の改質領域形成加工に使用するレーザー光(すなわち、レーザー発振装置42により発振されるレーザー光)と略同一の波長を有するレーザー光を発振する光源を設けることが好ましい。
またラマン分光器や赤外分光器などを用いて、ウェーハWに添加されているドーパントの種類・ドープ量に関するウェーハ性質情報を取得してもよい。この場合、ウェーハWの半導体デバイスが形成されていない領域でウェーハWを破壊して測定を行ってもよいし、非破壊で測定を行ってもよい。
また以下で説明するように、制御部50により選択された加工条件の下で実際に改質領域形成加工を行い、形成された改質領域110を赤外顕微鏡で観察することにより、当該加工条件が適切であるかを確認してもよい。
図7は、ウェーハWの半導体デバイスが形成されていない領域に設けられたアライメントマーク120を示す平面図である。アライメントマーク120は公知のフォトリソグラフィー技術により形成可能であり、一辺の長さLの正方形を囲む金属膜の細線で構成される。ウェーハWに形成されたアライメントマーク120は測定光学部30により認識されて、アライメントマーク120がレーザー光学部40の直下に位置するように、XYZθテーブル22がワークウェーハ12を移動させる。レーザー光学部40は、制御部50により選択された加工条件に基づいて、アライメントマーク120の内側の正方形の中心(図7に示す位置Q)に改質領域110を形成する。図8は、正方形の位置Qに形成された改質領域110を示す図である。改質領域110の観察用の赤外光は、例えば、特開2002−337034号公報に記載されたような、赤外光照明装置を内部に備え、赤外光を透過する材質により構成された吸着ステージ24を用いてウェーハWの裏面から照射される。吸着ステージ24から照射された赤外光は、ウェーハWの内部に入射して、ウェーハWの表面に対して傾斜した(傾斜角θ)赤外顕微鏡130で拡大されて、CCDセンサー132により受光される。CCDセンサー132により撮像される改質領域110及びアライメントマーク120の投影像から、d×cosθを求めることにより、改質領域110が形成される深さdを算出することができる。この改質領域110の深さdが目標深さに合致しているか判断することにより、制御部50により選択された加工条件が適切であるかを確認することができる。
10…レーザーダイシング装置、12…ワークウェーハ、20…ウェーハ移動部、22…XYZθテーブル、24…吸着ステージ、26…本体ベース、30…測定光学部、32…照明装置、33…コリメートレンズ、34…ハーフミラー、36…コンデンスレンズ、38…アクチュエータ、39…CCDセンサー、40…レーザー光学部、42…レーザー発振装置、44…コリメートレンズ、46…コンデンスレンズ、48…アクチュエータ、50…制御部、52…記憶部、110…改質領域、120…アライメントマーク、130…赤外顕微鏡、132…CCDセンサー
Claims (6)
- 改質領域形成用のレーザー光をウェーハに照射するレーザー光照射手段と、
前記ウェーハの表面又は内部の性質を示すウェーハ関連情報を取得する情報取得手段と、
前記情報取得手段が取得する前記ウェーハ関連情報に基づいて、前記ウェーハに改質領域を形成する加工条件を決定する加工条件決定手段と、
前記加工条件決定手段が決定する前記加工条件に基づいて、前記レーザー光照射手段を制御する制御部とを備えるレーザーダイシング装置。 - 前記ウェーハの厚さを取得する厚さ取得手段をさらに含み、
前記加工条件決定手段は、前記情報取得手段が取得する前記ウェーハ関連情報と、前記厚さ取得手段が取得する前記ウェーハの厚さとに基づいて、前記加工条件を決定することを特徴とする請求項1に記載のレーザーダイシング装置。 - 前記ウェーハ関連情報は、前記ウェーハのドープ量と、前記ウェーハの表面の膜種と、前記ウェーハに対する前記レーザー光の透過率とのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザーダイシング装置。
- 加工条件をウェーハ関連情報に対応付けて記憶する記憶手段をさらに備え、
前記加工条件決定手段は、前記情報取得手段が取得した前記ウェーハ関連情報に対応付けられた前記加工条件を、前記記憶手段から選択することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のレーザーダイシング装置。 - 前記加工条件は、前記ウェーハに対する前記レーザー光の走査速度と、前記レーザー光の繰り返し走査回数と、前記レーザー光の焦点位置と、前記レーザー光のパワーと、前記レーザー光のパルス幅とのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のレーザーダイシング装置。
- ウェーハの表面又は内部の性質を示すウェーハ関連情報を取得する情報取得工程と、
前記情報取得工程において取得される前記ウェーハ関連情報に基づいて、前記ウェーハに改質領域を形成する加工条件を決定する加工条件決定工程と、
前記加工条件決定工程において決定される前記加工条件に基づいて、前記ウェーハに改質領域形成用のレーザー光を照射するレーザー光照射工程とを含むダイシング方法。
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