JP2019511122A - 分離されるべき固体物の複合レーザ処理 - Google Patents
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Abstract
Description
6 HCl + 2 Al + 12 H2O ! 2 [AlCl3*6 H2O] + 3 H2
深さ180μm、パルス持続時間3ns(ナノ秒)、開口数0.4:
低ドーピング:7μJ−21mOhmcm
高ドーピング:8μJ−16mOhmcm
低ドーピング:9.5μJ−21mOhmcm
高ドーピング:12μJ−16mOhmcm
Eは、μJ単位のエネルギー
E0は、最低ドーピングでのオフセットエネルギー
Kは、エネルギー・スケーリング係数
Rは、測定したドーピング度
Bは、基礎のドーピング度(21mOhmcm)
K=1/(21−16)μJ/mOhmcm=0.2μJ/mOhmcm
E0=7μJ
B=21mOhmcm
である。
Eは、μJ単位のエネルギー
E0は、最低ドーピングでのオフセットエネルギー
Kは、エネルギー・スケーリング係数
Rは、測定したドーピング度
Bは、基礎のドーピング度(21mOhmcm)
K=2.5/(21−16)μJ/mOhmcm=0.5μJ/mOhmcm
E0=9.5μJ
B=21mOhmcm
である。
好ましく配置される。
横方向ライン(鋸歯波付き)及び亀裂開始ライン(鋸歯の波頭上)についての一例図。
2 改質
3 改質が生成された場所
4 亀裂誘導領域
6 固体部分
8 レーザ適用装置
9 対象レンズ
10 レーザビーム
11 変更されたレーザビーム
12 凹み
14 固体層
16 固体層の表面
17 放射された表面
18 応力発生層又は受理層140
19 接着又は更なる応力発生層
24 固体物の局所的特性変化(例えば伝達性)
26 溝
28 フレーム
30 反射したビームの交差点
32 噴流装置
34 コーティング
300 チャック
L 固体物の長手方向
Claims (22)
- 固体物(1)から少なくとも1つの固体層(14)を剥離するための方法であって、ここで、固体部分(6)特に1つの固体層を該固体物(1)から剥離するための亀裂を誘導するために、亀裂誘導領域(4)が改質(2)によって提供され、前記方法は、
レーザ適用装置(8)に対して相対的に固体物(1)を動かす工程と、少なくとも1つの改質(2)をそれぞれ生成するために該レーザ適用装置(8)によって複数のレーザビーム(10)を相次いで生成する工程とを少なくとも含み、
前記レーザ適用装置(8)は、改質の定義された生成のために、少なくとも1つのパラメータ、特に、定義された複数位置での及び定義された固体深さについての前記固体物の伝達特性、に依存して調整され、
作用を受けた面の領域及び/又は作用を受けた固体物の体積の領域における前記固体物の不均質性が、前記レーザ適用装置(8)の前記調整によって補償され、
さらに、前記固体物(1)から前記固体層(14)を剥離する工程を含む方法。 - 1又は複数の前記パラメータに関連するデータが、記憶装置内に設けられ、少なくとも改質(2)を生成する前に制御装置に供給され、ここで、該制御装置は、生成すべき改質(2)の各位置に依存して前記レーザ適用装置(8)を調整し、
及び/又は、
改質(2)を生成するための前記レーザビーム(10)は、高い伝導性を持つ領域よりも低い伝導性を持つ領域においてより大きなエネルギーを持ち、ここで、前記レーザ適用装置(8)は、レーザビームエネルギーを調整するための手段特に音響光学変調器を備える、ことを特徴とする請求項1の方法。 - 前記固体層(14)が、前記改質の生成の結果としての前記亀裂誘導領域(4)に沿って前記固体物(1)から剥離される、又は、
前記固体物(1)が、前記改質の生成後に、熱的に作用され、特に冷却され、該熱的作用の結果として、前記固体層(14)が前記亀裂誘導領域(4)に沿って前記固体物(1)から剥離される、又は、
応力発生層(18)特にポリマー層が、前記固体物(1)において配置又は形成され、ここで、前記ポリマー層は、剥離されるべき固体層(14)の表面に好ましく配置又は形成され、該ポリマー層は、熱的に作用され、特に冷却され、該熱的作用に応じて該ポリマー層の強度が変化され、該ポリマー層の強度の変化の結果として、前記固体物(1)において機械的応力が発生され、該機械的応力は、前記固体物(1)から前記固体層(14)を剥離するために、前記亀裂誘導領域に沿う亀裂伝播を引き起す、ことを特徴とする請求項1又は2の方法。 - 少なくとも部分ごとにドーム又はカーブをなす少なくとも1つの固体層(14)を生成するための方法であって、
レーザ適用装置(8)に対して相対的に固体物(1)を動かす工程と、
前記固体物(1)の内部に少なくとも1つの改質(2)をそれぞれ生成するために該レーザ適用装置(8)によって複数のレーザビーム(10)を相次いで生成する工程と
を少なくとも含み、
前記改質(2)の結果として、前記固体物(1)から固体部分(14)特に固体層を剥離するための亀裂を誘導するために亀裂誘導領域(4)が設けられ、
前記改質は前記固体物(1)内に圧力上昇をもたらし、前記亀裂誘導領域(4)に沿う該圧力上昇の結果としての亀裂の伝播により該固体物(1)から固体層(14)が剥離され、
前記固体層(14)の一部として前記改質(2)の少なくとも一部分が前記固体物(1)から分離され、
該固体層(14)は前記改質(2)の結果としてカーブした又はドーム形状に変換され、これにより、前記亀裂誘導領域(4)に由来する前記固体層(14)の表面部分が少なくとも部分ごとに湾曲して形作られる、ことを特徴とする方法。 - 前記レーザビーム(10)は、前記固体物(1)の長手方向に沿って、又は前記固体層(14)の好ましくは一部である1つの面特に平面にわたって該固体物(1)の長手方向(L)に対して60度以下の角度で傾いて、該固体物(1)内に入射し、
前記亀裂誘導領域(4)は、前記改質(2)の複数層で形成され、各層は、互いに分離して又はオフセットされて、前記長手方向(L)に生成され、及び/又は、
少なくとも複数の前記改質(2)が、前記長手方向(L)において1乃至50μmの範囲を持ち、及び/又は、
該改質(2)を生成するための前記レーザビーム(10)は、0.8未満の開口数となるように前記固体物(1)内に導入される、ことを特徴とする請求項4の方法。 - 固体物又はドナー基材(1)から少なくとも1つの固体層(14)特に固体ウェハ(14)を剥離するための方法であって、
固体物(1)を提供する工程と、
レーザビーム(10)によって前記固体物(1)の内部に改質(2)を生成する工程と、ここで、亀裂誘導領域(4)に沿って固体層(14)が前記固体物(1)から剥離されるべく、該改質(2)の結果として該亀裂誘導領域(4)が規定され、
特に周辺の凹み(12)を生成するために前記固体物(1)の材料を取り外す工程と、ここで、該材料の取り外しは該固体物の長手方向において行われ、該材料の取り外しの結果として前記亀裂誘導領域(4)が露出され、
前記固体物から固体層(14)を剥離する工程と
を少なくとも含み、
前記材料の取り外しの結果として固体層(14)が前記固体物(1)から剥離されるように、前記固体物が前記亀裂誘導領域(4)において脆弱化され、若しくは、
前記材料の取り外しの後に、前記固体物(1)から固体層(14)が剥離されるようになるように、前記固体物が前記亀裂誘導領域において脆弱化されるほどの数の改質が生成され、若しくは、
周囲面に対して或る傾きで整列した前記固体物(1)の特に平らな面(16)において、応力発生層(18)が配置又は形成され、かつ、固体層(14)における熱的作用の結果として、前記固体物(1)において機械的応力が発生され、該機械的応力の結果として、該固体層(14)を剥離するための亀裂が生成され、前記材料の取り外しによって露出された前記固体物の表面から開始する改質(2)に沿って、該亀裂が伝播し、若しくは、
前記固体物(1)が、熱的に作用され、特に改質の生成後に冷却され、該熱的作用の結果として、固体層(14)が亀裂誘導領域(4)に沿って前記固体物(1)から剥離される、ことを特徴とする方法。 - 前記材料の取り外しは、前記固体物(1)の露出した面から開始して行われ、該露出した面は特に平らな面であり、該平らな面は、前記固体物(1)の長手方向(L)に、かつ、少なくとも部分ごとに前記固体物(1)の周囲面から離隔した、前記固体物(1)の周囲面に特に平行な面であり、及び/又は
前記材料の取り外しは、少なくとも部分ごとに連続して延びた溝(26)の形態で行われ、該溝(26)は、前記周囲面から好ましくは少なくとも30μm又は少なくとも100μm又は少なくとも500μm又は少なくとも1mmだけ離隔されている、ことを特徴とする請求項6の方法。 - 前記固体層(14)の剥離後に、前記溝(26)と周囲面との間に形成された前記固体物(1)の少なくとも固体部分(28)が、特に既に取り外された1又は複数の固体層(14)の厚み分だけ、少なくとも部分ごとに取り外され、特に研削、ラップ磨き、エッチング又は研磨され、
及び/又は、
前記材料の取り外しは、レーザ切除又はジェット水切断又はエッチングによって行われる、ことを特徴とする請求項6又は7の方法。 - 固体物又はドナー基材(1)から少なくとも1つの固体層特に固体ウェハ(14)を剥離するための方法であって、
固体物(1)を提供する工程と、
レーザ放射領域における塵の滞留を防止するために、ガスの流れ方、特に固体物(1)とレーザ適用装置(8)との間特にレーザ放射経路の領域に位置する空気の流れ方を調整する工程と、
レーザ適用装置(8)のレーザビーム(10)によって前記固体物(1)の内部に改質(2)を生成する工程と、ここで、該改質(2)によって剥離領域又は亀裂誘導領域が規定され、該改質(2)に沿って前記固体物(1)からの固体層(14)の剥離が行われることになり、
前記固体物(1)から前記固体層(14)を剥離する工程と
を少なくとも含み、
材料の取り外しの結果として前記固体層(14)が前記固体物(1)から剥離されるように、亀裂誘導領域(4)における改質(2)によって前記固体物(1)が脆弱化され、又は、
材料の取り外し後、固体層(14)が前記固体物(1)から剥離されることになるように、前記固体物が亀裂誘導領域において脆弱化されるような数の改質が生成され、又は、
周囲面に対して或る傾きで整列した前記固体物(1)の特に平らな面(16)において応力発生層(18)が生成若しくは配置され、且つ、固体層(14)に対する熱的作用の結果として、機械的応力が前記固体物(1)において発生され、該機械的応力の結果として、該固体層(14)を剥離するための亀裂が生成され、該亀裂は、前記材料の取り外しによって露出された固体物の表面から始まって、前記改質(2)に沿って伝播し、又は、
前記固体物(1)は、熱的に作用され、特に前記改質の生成後に冷却され、該熱的作用の結果として、前記固体層(14)が前記亀裂誘導領域(4)に沿って前記固体物(1)から剥離される、ことを特徴とする方法。 - 前記流れ方の調整は、流体特にイオン化されたガスを、対物レンズと前記固体物(1)の間のレーザビーム経路の領域に供給することによって行われる、若しくは、前記流れ方の調整は、前記対物レンズと前記固体物(1)の間のレーザビーム経路の領域に負圧を発生させる特に真空にすることによって行われる、ことを特徴とする請求項9の方法。
- 固体物又はドナー基材(1)から少なくとも1つの固体層特に固体ウェハ(14)を剥離するための方法であって、
固体物(1)を提供する工程と、ここで、該固体物(1)は少なくとも1つのコーティング(34)を有するか、若しくは、該固体物(1)上にコーティング(34)が生成され、該コーティング(34)の屈折率は該コーティング(34)が配置された固体物(1)の表面の屈折率とは異なり、
レーザ適用装置(8)のレーザビーム(10)によって前記固体物(1)の内部に改質(2)を生成する工程と
を少なくとも含み、前記改質(2)によって亀裂誘導領域が規定され、該改質(2)に沿って前記固体物(1)からの固体層(14)の剥離が実現される、ことを特徴とする方法。 - 前記コーティング(34)はスピンコーティングによって生成され、該コーティング(34)は、ナノ粒子、特に、少なくともシリコン、炭化珪素、酸化チタン、ガラス特に石英ガラス、又は酸化アルミニウムを含むリストから選択された少なくとも1つの材質からなるナノ粒子からなり、
及び/又は、
複数のコーティング(34)が互いに重ねられて配置又は生成され、その屈折率が互いに異なり、好ましくは、前記固体物(1)上に配置又は生成された第1のコーティングは、該第1のコーティングの上に生成された付加的なコーティングよりも大きな屈折率を持つ、ことを特徴とする請求項11の方法。 - 固体物又はドナー基材(1)から少なくとも1つの固体層(14)特に固体ウェハ(14)を剥離するための方法であって、
固体物(1)を提供する工程と、
レーザ適用装置(8)のレーザビーム(10)によって前記固体物(1)の内部に改質(2)を生成する工程と、ここで、前記改質(2)によって亀裂誘導領域が規定され、該改質(2)に沿って前記固体物(1)からの固体層(14)の剥離が実現され、ここで、レーザ放射は、ブリュースター角で又は該ブリュースター角から−5度乃至+5度の範囲のずれで前記固体物に入射され、
前記固体物から前記固体層を剥離する工程と
を少なくとも含み、
材料の取り外しの結果として前記固体層(14)が前記固体物(1)から剥離されるように、亀裂誘導領域(4)における改質(2)によって前記固体物(1)が脆弱化され、又は、
材料の取り外し後、固体層(14)が前記固体物(1)から剥離されることになるように、前記固体物が亀裂誘導領域において脆弱化されるような数の改質が生成され、又は、
周囲面に対して或る傾きで整列した前記固体物(1)の特に平らな面(16)において応力発生層(18)が生成若しくは配置され、且つ、固体層(14)に対する熱的作用の結果として、機械的応力が前記固体物(1)において発生され、該機械的応力の結果として、該固体層(14)を剥離するための亀裂が生成され、該亀裂は、前記材料の取り外しによって露出された固体物の表面から始まって、前記改質(2)に沿って伝播し、又は、
前記固体物(1)は、熱的に作用され、特に前記改質の生成後に冷却され、該熱的作用の結果として、前記固体層(14)が前記亀裂誘導領域(4)に沿って前記固体物(1)から剥離される、ことを特徴とする方法。 - ブリュースター角の放射に起因する前記レーザ適用装置(8)の球面収差を補償するために補償装置、特に回折光学要素又は連続的くさびのような光学要素が設けられる、ことを特徴とする請求項13の方法。
- 固体物(1)から少なくとも1つの固体層(14)を剥離するための方法であって、ここで、固体部分(6)特に1つの固体層を該固体物(1)から剥離するための亀裂を誘導するために、改質(2)によって亀裂誘導領域(4)が規定され、前記方法は、
レーザ適用装置(8)に対して相対的に固体物(1)を動かす工程と、
少なくとも1つの改質(2)をそれぞれ生成するために該レーザ適用装置(8)によって複数のレーザビーム(10)を相次いで生成する工程と、
前記固体物(1)から前記固体層(14)を剥離する工程と
を少なくとも含む、ことを特徴とする方法。 - 前記レーザ適用装置(8)は、少なくとも1つのパラメータ、すなわち、定義された複数位置における及び定義された固体深さのための前記固体物の伝達特性、に依存して調整され、及び/又は、
前記改質(2)は前記固体物(1)内に圧力上昇をもたらし、前記亀裂誘導領域(4)に沿う該圧力上昇の結果として、亀裂伝播によって該固体物(1)から固体層(14)が剥離され、ここで、前記固体層(14)の一部として前記改質(2)の少なくとも一部分が前記固体物(1)から剥離され、該固体層(14)は前記改質(2)の結果としてカーブした又はドーム形状に好ましく変換され、これにより、前記亀裂誘導領域(4)に由来する前記固体層(14)の更なる表面部分が少なくとも部分ごとに湾曲して形作られ、及び/又は、
前記固体物(1)は、少なくとも1つのコーティング(34)を有するか、若しくは、該固体物(1)上にコーティング(34)が生成され、該コーティング(34)の屈折率は該コーティング(34)が配置された固体物(1)の表面の屈折率とは異なり、及び/又は、
前記レーザ放射は、ブリュースター角で又は該ブリュースター角から−10度乃至+10度の範囲のずれで前記固体物(1)上に入射され、
さらに、
特に周辺の凹み(12)を生成するために前記固体物(1)の材料を取り外す工程であって、該材料が前記固体物(1)の長手方向において取り外され、前記亀裂誘導領域(4)が該材料の取り外しの結果として露出される、前記工程、
又は、
レーザ放射領域(10)における塵の滞留を防止するために、ガスの流れ方、特に固体物(1)とレーザ適用装置(8)との間特にレーザ放射経路の領域に位置する空気の流れ方を調整する工程、
の少なくとも1つを含む、ことを特徴とする請求項15の方法。 - 1つのパラメータが、特に前記固体物内の、特に前記固体物の表面から或る距離をおいた、所定の位置又は所定の領域における前記固体物のドーピング度であり、
ここで、前記ドーピング度は、非弾性散乱(ラマン散乱)を持つ後方散乱光の分析によって予め決定されるものであり、前記後方散乱光は、該後方散乱を誘発するために定められた放射光とは異なる波長又は異なる波長範囲を持ち、該後方散乱光は、予め定義された位置又は予め定義された領域から後方散乱され、
若しくは、
ここで、前記ドーピング度は、渦電流測定によって好ましく決定されるものであり、前記固体物材料における導電率の相違が決定される、ことを特徴とする請求項16又は請求項1乃至9のいずれかの方法。 - 前記固体物(1)の最初に露出された表面の上又は上方に複数の層及び/又はコンポーネント(150)を配置又は生成することにより、複合構造を生成する工程を更に含み、ここで、前記露出された表面は、剥離されるべき固体層の一部であり、
前記複合構造を生成する前に、剥離面を形成するために複数の前記改質が生成される、ことを特徴とする請求項16、17又は請求項1乃至9のいずれかの方法。 - 前記剥離面を形成する前に、前記固体物(1)が少なくとも1つの高温方法を使用して処理され、ここで、該高温方法は、70℃と前記固体物(1)の材料の融点又は蒸発温度との間の温度で実行され、
前記少なくとも1つの高温方法が、エピタキシ方法、ドーピング方法、又はプラズマを使用する方法であり、該高温方法によって前記固体物(1)上に少なくとも1つの層(145)が生成され、該生成された少なくとも1つの層(145)は予め定義された複数のパラメータを持ち、少なくとも1つの該パラメータはレーザ光波の屈折及び/又は吸収及び/又は反射の最大値を特定するものであり、屈折及び/又は吸収及び/又は反射の度合いは、5%未満、好ましくは1%未満、特に好ましくは0.1%未満である、ことを特徴とする請求項18の方法。 - 複数の前記改質が多光子励起によって生成され、
最初に、少なくとも部分毎に均質に走る特にカーブした線上に、特に均質に走る部分において、少なくとも複数の基礎の改質が生成され、
前記基礎の改質は複数の予め定義された処理パラメータを用いて生成され、
前記複数の予め定義された処理パラメータはショットごとのエネルギー及び/又はショット密度を含み、
前記処理パラメータの少なくとも1つの値及び好ましくは両方の値又はこれら処理パラメータの全ての値若しくはこれら処理パラメータの2以上の値が、前記固体物の結晶格子安定性に依存して特定され、
該値は、結晶格子が各基礎の改質の回りにそのまま残るように選択され、
複数の更なるトリガ改質が未臨界の亀裂をトリガするために生成され、
トリガ改質を発生するための少なくとも1つの処理パラメータは、基礎の改質を発生するための少なくとも1つの処理パラメータとは異なっており、好ましくは、複数の処理パラメータが互いに異なっており、及び/又は
前記トリガ改質は、前記基礎の改質が並んで発生されているラインの進行方向に角度をなす若しくは間隔をあけた方向に生成され、前記未臨界の亀裂は5mm未満で伝播する、ことを特徴とする請求項1乃至19のいずれかの方法。 - 前記固体物の材料はシリコンであり、その開口数は0.5乃至0.8の間、特に0.65であり、放射の深さは200μm乃至400μmの間、特に300μmであり、パルス配置間隔は1μm乃至5μmの間、特に2μmであり、並びラインの間隔は1μm乃至5μmの間、特に2μmであり、パルス持続時間は50ns乃至400nsの間、特に300nsであり、パルスエネルギーは5μJ乃至15μJの間、特に10μJであり、
若しくは、
前記固体物の材料はSiCであり、その開口数は0.5乃至0.8の間、特に0.4であり、放射の深さは100μm乃至300μmの間、特に180μmであり、パルス配置間隔は0.1μm乃至3μmの間、特に1μmであり、並びラインの間隔は20μm乃至100μmの間、特に75μmであり、パルス持続時間は1ns乃至10nsの間、特に3nsであり、パルスエネルギーは3μJ乃至15μJの間、特に7μJである、ことを特徴とする請求項1乃至20のいずれかの方法。 - 前記未臨界の亀裂は、前記固体物において、5μm乃至200μmの間で、特に、10μm乃至100μmの間又は10μm乃至50μmの間又は10μm乃至30μmの間又は20μm乃至100μmの間又は20μm乃至50μmの間又は20μm乃至30μmの間で伝播し、
及び/又は、
ガラス転移によって生成される応力の結果として前記未臨界の亀裂が伝播しているいくつかのライン状の領域の間の部分を裂くこと、を特徴とする請求項20又は21の方法。
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