KR101876578B1 - 사파이어 기판의 가공 방법 - Google Patents

사파이어 기판의 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101876578B1
KR101876578B1 KR1020120068965A KR20120068965A KR101876578B1 KR 101876578 B1 KR101876578 B1 KR 101876578B1 KR 1020120068965 A KR1020120068965 A KR 1020120068965A KR 20120068965 A KR20120068965 A KR 20120068965A KR 101876578 B1 KR101876578 B1 KR 101876578B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sapphire substrate
laser beam
processing
discrimination
modified layer
Prior art date
Application number
KR1020120068965A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130005227A (ko
Inventor
노부모리 오고시
아츠시 우에키
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20130005227A publication Critical patent/KR20130005227A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101876578B1 publication Critical patent/KR101876578B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/57—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

본 발명은, 제조 로트가 상위하거나 제조 메이커가 다른 사파이어 기판이라도 적정한 개질층을 형성할 수 있는 사파이어 기판의 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 사파이어 기판의 가공 방법으로서, 사파이어 기판의 특성에 대응하여 적어도 2종류의 가공 조건을 설정하는 가공 조건 설정 공정과, 적어도 2종류의 가공 조건이 설정된 사파이어 기판을 판별하기 위한 판별 조건 설정 공정과, 판별 조건 설정 공정에서 설정된 판별 조건에 기초하여 사파이어 기판을 판별하며, 판별된 사파이어 기판의 상기 가공 조건 설정 공정에서 설정된 적어도 2종류의 가공 조건으로부터 하나의 가공 조건을 결정하는 가공 조건 결정 공정과, 가공 조건 결정 공정에서 결정된 가공 조건에 따라 레이저 광선의 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치 설정해서 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 포함한다.

Description

사파이어 기판의 가공 방법{SAPPHIRE SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 광디바이스 웨이퍼 등의 기판으로서 이용되는 사파이어 기판에 설정된 분할 예정 라인을 따라 레이저 광선을 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 사파이어 기판의 가공 방법에 관한 것이다.
광디바이스 제조 공정에서는, 대략 원판 형상인 사파이어 기판의 표면에 질화갈륨계 화합물 반도체로 이루어지는 광디바이스층이 적층되어 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광디바이스를 형성하여 광디바이스 웨이퍼를 구성한다. 그리고, 광디바이스 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 분할함으로써 개개의 광디바이스를 제조하고 있다.
전술한 광디바이스 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 분할하는 분할 방법으로서, 광디바이스 웨이퍼를 구성하는 사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 내부에 집광점을 맞추어 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 파단의 기점이 되는 개질층을 연속적으로 형성하고, 이 파단의 기점이 되는 개질층이 형성된 분할 예정 라인을 따라 외력을 부여함으로써, 웨이퍼를 분할하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 제3408805호 공보
그래서, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 파단의 기점이 되는 개질층을 형성할 수 있는 가공 조건을 설정하여도, 사파이어 기판의 제조 로트가 상위(相違)하거나, 사파이어 기판의 제조 메이커가 다르면, 동일한 크기이며 동일한 두께의 사파이어 기판이어도 동일 조건으로 가공하면, 개질층이 불충분하거나, 분할 예정 라인으로부터 벗어나 크랙이 발생하여 광디바이스를 손상시킨다고 하는 문제가 있다. 즉, 사파이어 기판에는 Al2O3을 성장시키는 단계에서 결정 결함(산소 결함)이 발생하기 때문에, 동일한 크기이며 동일한 두께의 사파이어 기판이어도 제조 로트가 상위하거나 제조 메이커가 다르면, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 파단의 기점이 되는 적정한 개질층을 형성하기 위해서는, 사파이어 기판에 따라 그 때마다 가공 조건을 설정하는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는 제조 로트가 상위하거나 제조 메이커가 다른 사파이어 기판이어도 적정한 개질층을 형성할 수 있는 사파이어 기판의 가공 방법을 제공하는 것이다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 내부에 집광점을 맞추어 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 파단의 기점이 되는 개질층을 형성하는 사파이어 기판의 가공 방법으로서,
사파이어 기판의 특성에 대응하여 적어도 2종류의 가공 조건을 설정하는 가공 조건 설정 공정과,
적어도 2종류의 가공 조건이 설정된 사파이어 기판을 판별하기 위한 판별 조건 설정 공정과,
상기 판별 조건 설정 공정에서 설정된 판별 조건에 기초하여 사파이어 기판을 판별하고, 판별된 사파이어 기판의 상기 가공 조건 설정 공정에서 설정된 적어도 2종류의 가공 조건으로부터 하나의 가공 조건을 결정하는 가공 조건 결정 공정과,
상기 가공 조건 결정 공정에서 결정된 가공 조건에 따라 레이저 광선의 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치 설정해서 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 파단의 기점이 되는 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법이 제공된다.
상기 판별 조건 설정 공정은, 사파이어 기판에 대하여 가공을 할 수 없을 정도의 출력의 레이저 광선을 사파이어 기판의 내부에 조사하고, 그 때에 발생하는 반응광에 기초해서, 반응광이 발생하는 한계 레이저 광선 출력을 구하여 판별 조건을 설정한다.
본 발명에 따른 사파이어 기판의 가공 방법은, 사파이어 기판의 특성에 대응하여 적어도 2종류의 가공 조건을 설정하는 가공 조건 설정 공정과, 적어도 2종류의 가공 조건이 설정된 사파이어 기판을 판별하기 위한 판별 조건 설정 공정과, 판별 조건 설정 공정에서 설정된 판별 조건에 기초하여 사파이어 기판을 판별하고, 판별된 사파이어 기판의 가공 조건 설정 공정에서 설정된 적어도 2종류의 가공 조건으로부터 하나의 가공 조건을 결정하는 가공 조건 결정 공정과, 가공 조건 결정 공정에서 결정된 가공 조건에 따라 레이저 광선의 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치 설정해서 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 파단의 기점이 되는 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 포함하기 때문에, 개질층 형성 공정은 사파이어 기판의 특성에 대응하여 설정된 가공 조건으로 실시되기 때문에, 레이저 광선의 출력 부족으로 인해 형성된 개질층이 불충분하거나, 레이저 광선의 출력 과잉에 의해 사파이어 기판에 분할 예정 라인으로부터 벗어나 크랙이 발생한다고 하는 문제가 해소된다.
도 1은 본 발명에 따른 사파이어 기판의 가공 방법을 실시하기 위한 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치에 장비되는 레이저 광선 조사 수단의 구성을 간략하게 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명에 따른 사파이어 기판의 가공 방법에 따라 가공되는 광디바이스 웨이퍼의 사시도이다.
도 4는 도 3에 나타내는 광디바이스 웨이퍼를 환형의 프레임에 장착된 보호 테이프에 점착한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 사파이어 기판의 가공 방법에 있어서의 판별 조건 설정 공정의 설명도이다.
도 6은 본 발명에 따른 사파이어 기판의 가공 방법에 있어서의 개질층 형성 공정의 설명도이다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼의 레이저 가공 방법의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여, 더욱 상세하게 설명한다.
도 1에는, 본 발명에 따른 사파이어 기판의 가공 방법을 실시하기 위한 레이저 가공 장치의 사시도가 도시되어 있다. 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치(1)는 정지 베이스(2)와, 이 정지 베이스(2)에 화살표(X)로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동 가능하게 배치되어 피가공물을 유지하는 척 테이블 기구(3)와, 정지 베이스(2)에 상기 X축 방향과 직교하는 화살표(Y)로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동 가능하게 배치된 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)와, 이 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)에 화살표(Z)로 나타내는 집광점 위치 조정 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하게 배치된 레이저 광선 조사 유닛(5)을 구비하고 있다.
상기 척 테이블 기구(3)는 정지 베이스(2) 상에 X축 방향을 따라 평행하게 배치된 한쌍의 안내 레일(31, 31)과, 이 안내 레일(31, 31) 상에 X축 방향으로 이동 가능하게 배치된 제1 슬라이딩 블록(32)과, 이 제1 슬라이딩 블록(32) 상에 화살표(Y)로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동 가능하게 배치된 제2 슬라이딩 블록(33)과, 이 제2 슬라이딩 블록(33) 상에 원통 부재(34)에 의해 지지된 커버 테이블(35)과, 피가공물 유지 수단으로서의 척 테이블(36)을 구비하고 있다. 이 척 테이블(36)은 다공성 재료로 형성된 흡착 척(361)을 구비하고 있으며, 흡착 척(361)의 상면(유지면)에 피가공물인 예컨대 원반형의 반도체 웨이퍼를 도시하지 않는 흡인 수단에 의해 유지하도록 되어 있다. 이와 같이 구성된 척 테이블(36)은 원통 부재(34) 내에 배치된 도시하지 않는 펄스 모터에 의해 회전된다. 또한, 척 테이블(36)에는, 후술하는 환형의 프레임을 고정하기 위한 클램프(362)가 배치되어 있다.
상기 제1 슬라이딩 블록(32)은 그 하면에 상기 한쌍의 안내 레일(31, 31)과 감합하는 한쌍의 피안내홈(321, 321)이 형성되어 있으며, 그 상면에 Y축 방향을 따라 평행하게 형성된 한쌍의 안내 레일(322, 322)이 설치되어 있다. 이와 같이 구성된 제1 슬라이딩 블록(32)은 피안내홈(321, 321)이 한쌍의 안내 레일(31, 31)에 감합함으로써, 한쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 도시된 실시형태에 있어서의 척 테이블 기구(3)는 제1 슬라이딩 블록(32)을 한쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동시키기 위한 가공 이송 수단(37)을 구비하고 있다. 가공 이송 수단(37)은 상기 한쌍의 안내 레일(31, 31) 사이에 평행하게 배치된 수나사 로트(371)와, 이 수나사 로트(371)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(372) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로트(371)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 베어링 블록(373)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(372)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로트(371)는, 제1 슬라이딩 블록(32)의 중앙부 하면에 돌출하여 마련된 도시하지 않는 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(372)에 의해 수나사 로트(371)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 제1 슬라이딩 블록(32)은 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동한다.
상기 제2 슬라이딩 블록(33)은 그 하면에 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 설치된 한쌍의 안내 레일(322, 322)과 감합하는 한쌍의 피안내홈(331, 331)이 형성되어 있고, 이 피안내홈(331, 331)을 한쌍의 안내 레일(322, 322)에 감합함으로써, 화살표(Y)로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 도시된 실시형태에 있어서의 척 테이블 기구(3)는 제2 슬라이딩 블록(33)을 제1 슬라이딩 블록(32)에 설치된 한쌍의 안내 레일(322, 322)을 따라 Y축 방향으로 이동시키기 위한 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 구비하고 있다. 제1 인덱싱 이송 수단(38)은 상기 한쌍의 안내 레일(322, 322) 사이에 평행하게 배치된 수나사 로트(381)와, 이 수나사 로트(381)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(382) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로트(381)는 그 일단이 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 고정된 베어링 블록(383)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(382)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로트(381)는 제2 슬라이딩 블록(33)의 중앙부 하면에 돌출하여 마련된 도시하지 않는 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(382)에 의해 수나사 로트(381)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 제2 슬라이딩 블록(33)은 안내 레일(322, 322)을 따라 Y축 방향으로 이동한다.
상기 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)는 정지 베이스(2) 상에 화살표(Y)로 나타내는 인덱싱 이송 방향을 따라 평행하게 배치된 한쌍의 안내 레일(41, 41)과, 이 안내 레일(41, 41) 상에 Y축 방향으로 이동 가능하게 배치된 가동 지지 베이스(42)를 구비하고 있다. 이 가동 지지 베이스(42)는 안내 레일(41, 41) 상에 이동 가능하게 배치된 이동 지지부(421)와, 이 이동 지지부(421)에 부착된 장착부(422)를 포함한다. 장착부(422)는 한쪽의 측면에 Z축 방향으로 연장되는 한쌍의 안내 레일(423, 423)이 평행하게 설치되어 있다. 도시된 실시형태에 있어서의 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)는 가동 지지 베이스(42)를 한쌍의 안내 레일(41, 41)을 따라 Y축 방향으로 이동시키기 위한 제2 인덱싱 이송 수단(43)을 구비하고 있다. 제2 인덱싱 이송 수단(43)은 상기 한쌍의 안내 레일(41, 41) 사이에 평행하게 배치된 수나사 로트(431)와, 이 수나사 로트(431)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(432) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로트(431)는 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 도시하지 않는 베어링 블록에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(432)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로트(431)는 가동 지지 베이스(42)를 구성하는 이동 지지부(421)의 중앙부 하면에 돌출하여 마련된 도시하지 않는 암나사 블록에 형성된 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 이에, 펄스 모터(432)에 의해 수나사 로트(431)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 가동 지지 베이스(42)는 안내 레일(41, 41)을 따라 Y축 방향으로 이동한다.
도시된 실시형태에 있어서의 레이저 광선 조사 유닛(5)은 유닛 홀더(51)와, 이 유닛 홀더(51)에 부착된 레이저 광선 조사 수단(6)을 구비하고 있다. 유닛 홀더(51)는 상기 장착부(422)에 설치된 한쌍의 안내 레일(423, 423)에 미끄럼 이동 가능하게 감합하는 한쌍의 피안내홈(511, 511)이 형성되어 있고, 이 피안내홈(511, 511)을 상기 안내 레일(423, 423)에 감합함으로써, Z축 방향으로 이동 가능하게 지지된다.
도시된 레이저 광선 조사 유닛(5)은 유닛 홀더(51)를 한쌍의 안내 레일(423, 423)을 따라 Z축 방향으로 이동시키기 위한 집광점 위치 조정 수단(53)을 구비하고 있다. 집광점 위치 조정 수단(53)은 한쌍의 안내 레일(423, 423) 사이에 배치된 수나사 로트(도시하지 않음)와, 이 수나사 로트를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(532) 등의 구동원을 포함하고 있고, 펄스 모터(532)에 의해 도시하지 않는 수나사 로트를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 유닛 홀더(51) 및 레이저 광선 조사 수단(6)을 안내 레일(423, 423)을 따라 Z축 방향으로 이동시킨다. 또한, 도시된 실시형태에 있어서는 펄스 모터(532)를 정회전 구동시킴으로써 레이저 광선 조사 수단(6)을 상방으로 이동시키고, 펄스 모터(532)를 역회전 구동시킴으로써 레이저 광선 조사 수단(6)을 하방으로 이동시키도록 되어 있다.
도시된 레이저 광선 조사 수단(6)은 상기 유닛 홀더(51)에 고정되어 실질상 수평으로 연장되는 원통 형상의 케이싱(61)을 포함하고 있다. 이 레이저 광선 조사 수단(6)에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다.
도시된 레이저 광선 조사 수단(6)은 상기 케이싱(61) 내에 배치된 펄스 레이저 광선 발진 수단(62)과, 이 펄스 레이저 광선 발진 수단(62)에 의해 발진된 펄스 레이저 광선의 출력을 조정하는 출력 조정 수단(63)과, 이 출력 조정 수단(63)에 의해 출력이 조정된 펄스 레이저 광선을 상기 척 테이블(36)의 상면인 유지면을 향하여 방향 변환하는 방향 변환 미러(64)와, 이 방향 변환 미러(64)에 의해 방향 변환된 펄스 레이저 광선을 집광하여 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에 조사하는 집광 렌즈(65)를 구비하고 있다.
상기 펄스 레이저 광선 발진 수단(62)은, 예컨대 파장이 532 ㎚인 펄스 레이저 광선을 발진하는 펄스 레이저 광선 발진기(621)와, 이것에 부설된 반복 주파수 설정 수단(622)으로 구성되어 있다. 상기 출력 조정 수단(63)은 펄스 레이저 광선 발진 수단(62)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선의 출력을 정해진 출력으로 조정한다. 이들 펄스 레이저 광선 발진 수단(62) 및 출력 조정 수단(63)은 후술하는 제어 수단에 의해 제어된다.
도 2를 참조하여 설명을 계속하면, 도시된 레이저 가공 장치(1)는 상기 방향 변환 미러(64)와 집광 렌즈(65)의 사이에 배치된 다이크로익 미러(dichroic mirror)(66)를 구비하고 있다. 이 다이크로익 미러(66)는 펄스 레이저 광선 발진 수단(62)이 발진하는 파장의 광은 통과시키지만 다른 파장의 광은 반사하는 기능을 갖고 있다. 따라서, 다이크로익 미러(66)는 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에 펄스 레이저 광선이 조사됨으로써 발광하는 광을 반사시킨다.
또한, 집광 렌즈(65)에 의해 집광되어 조사되는 펄스 레이저 광선의 조사 영역에는, 백색광으로 이루어지는 조명 수단에 의해 조명하도록 구성하여도 좋다.
도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치(1)는 상기 다이크로익 미러(66)에 의해 반사된 반사광 중 정해진 범위의 파장의 광을 차단하는 컷 필터(67)와, 이 컷 필터(67)를 통과한 광을 포착하여 촬상하는 촬상 수단(68)을 구비하고 있다. 컷 필터(67)는 상기 펄스 레이저 광선 발진기(621)가 발진하는 펄스 레이저 광선의 파장 영역인 510 ㎚∼550 ㎚의 광을 차단하고, 그 이외의 파장의 광을 통과시킨다. 촬상 수단(68)은 컷 필터(67)를 통과한 광을 포착하여 촬상하고 촬상한 화상 신호를 제어 수단(7)에 보낸다. 제어 수단(7)은 촬상 수단(68)으로부터의 화상 신호에 기초하여 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에 펄스 레이저 광선이 조사됨으로써 발광하는 반응광을 판별한다. 이 제어 수단(7)은 후술하는 광디바이스 웨이퍼를 구성하는 사파이어 기판의 특성에 대응하여 설정된 적어도 2종류의 가공 조건과, 적어도 2종류의 가공 조건이 설정된 사파이어 기판을 판별하기 위한 판별 조건을 기억하는 메모리(71)를 구비하고 있다. 또한, 제어 수단(7)에는 상기 촬상 수단(68)이나 후술하는 얼라인먼트 수단(8)으로부터 검출 신호가 입력되며 입력 수단(70)으로부터 가공 조건 등이 입력되도록 되어 있고, 또한, 상기 펄스 레이저 광선 발진기(621)나 반복 주파수 설정 수단(622)이나 출력 조정 수단(63) 및 모니터(9) 등에 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있다.
도 1로 되돌아가 설명을 계속하면, 도시된 레이저 가공 장치(1)는 케이싱(61)의 전단부에 배치되어 상기 레이저 광선 조사 수단(6)에 의해 레이저 가공하여야 할 가공 영역을 촬상하는 얼라인먼트 수단(8)을 구비하고 있다. 이 얼라인먼트 수단(8)은 현미경이나 CCD 카메라 등의 광학 수단을 포함하고, 촬상한 화상 신호를 상기 제어 수단(7)에 보낸다.
다음에, 전술한 레이저 가공 장치(1)를 이용하여 실시하는 사파이어 기판의 가공 방법에 대해서 설명한다.
도 3의 (a) 및 (b)에는, 본 발명에 따른 사파이어 기판의 가공 방법에 따라 가공되는 광디바이스 웨이퍼의 사시도 및 주요부를 확대하여 나타내는 단면도가 도시되어 있다. 도 3의 (a) 및 (b)에 나타내는 광디바이스 웨이퍼(10)는, 예컨대 직경이 150 ㎜, 두께가 100 ㎛인 사파이어 기판(11)의 표면(11a)에 n형 질화물 반도체층(121) 및 p형 질화물 반도체층(122)을 포함하는 광디바이스층(에피택셜층)(12)이 예컨대 5 ㎛의 두께로 적층되어 있다. 그리고, 광디바이스층(에피택셜층)(12)이 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(13)에 의해 구획된 복수의 영역에 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광디바이스(14)가 형성되어 있다.
이하, 레이저 가공 장치(1)를 이용하여 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)의 내부에 분할 예정 라인(13)을 따라 파단의 기점이 되는 개질층을 형성하는 사파이어 기판의 가공 방법에 대해서 설명한다.
또한, 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)에는, 2개의 제조 로트(A 로트, B 로트)에 의해 제조된 것이 포함되어 있다고 한다. 2개의 제조 로트(A 로트, B 로트)에 의해 제조된 사파이어 기판에 대하여 각각 사파이어 기판의 내부에 개질층을 형성하기 위한 최적의 가공 조건을 실험적으로 구하여, 각각의 가공 조건을 설정해 둔다(가공 조건 설정 공정).
예컨대, A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판에 대한 제1 가공 조건은 다음과 같이 설정된다.
레이저 광선의 파장 : 532 ㎚
반복 주파수 : 45 ㎑
평균 출력 : 0.13 W
집광 스폿 직경 : φ1 ㎛
가공 이송 속도 : 360 ㎜/초
또한, B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판에 대한 제2 가공 조건은 다음과 같이 설정된다.
레이저 광선의 파장 : 532 ㎚
반복 주파수 : 45 ㎑
평균 출력 : 0.15 W
집광 스폿 직경 : φ1 ㎛
가공 이송 속도 : 360 ㎜/초
이상과 같이 설정된 제1 가공 조건 및 제2 가공 조건은 상기 제어 수단(7)의 메모리(71)에 저장된다.
또한, 상기 A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판인지 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판인지를 판별하기 위한 판별 조건 설정 공정을 실시한다. 이 판별 조건 설정 공정은, 사파이어 기판에 대하여 가공을 할 수 없을 정도의 출력의 레이저 광선을 사파이어 기판의 내부에 조사하고, 그 때에 발생하는 반응광에 기초해서, 반응광이 발생하는 한계 레이저 광선 출력을 구하여 판별 조건을 설정한다. 본 발명자들의 실험에 의하면, A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판은, 반응광이 발생하는 한계 레이저 광선 출력이 0.025 W인 것을 모니터(9)에 의해 관찰함으로써 알 수 있었다. 한편, B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판은, 반응광이 발생하는 한계 레이저 광선 출력이 0.035 W인 것을 모니터(9)에 의해 관찰함으로써 알 수 있었다. 따라서, 레이저 광선 출력의 출력을, A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판의 한계 레이저 광선 출력인 0.025 W와 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판의 한계 레이저 광선 출력인 0.035 W의 중간 출력인 0.03 W로 설정함으로써, 반응광이 발생한 경우에는 A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판이라고 판정하고, 반응광을 확인할 수 없는 경우에는 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판이라고 판정할 수 있다. 이와 같이 하여, A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판과 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판을 판별하는 레이저 광선 출력을 구하였다면, 예컨대 하기와 같이 판별 조건을 설정하여, 상기 제어 수단(7)의 메모리(71)에 저장해 둔다.
판별 조건:
레이저 광선의 파장 : 532 ㎚
반복 주파수 : 45 ㎑
평균 출력 : 0.03 W
집광 스폿 직경 : φ 1 ㎛
가공 이송 속도 : 360 ㎜/초
이상과 같이 하여, A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판에 대한 제1 가공 조건과 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판에 대한 제2 가공 조건을 설정하며, A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판과 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판을 판별하는 판별 조건을 설정하고, 제1 가공 조건과 제2 가공 조건 및 판별 조건을 제어 수단(7)의 메모리(71)에 저장하였다면, 레이저 가공 장치(1)는 이하와 같이 도 3에 나타내는 광디바이스 웨이퍼(10)를 가공한다.
우선, 도 4에 나타내는 바와 같이 환형의 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)의 표면에 광디바이스 웨이퍼(10)의 표면(10a)을 점착한다(웨이퍼 점착 공정). 따라서, 점착 테이프(T)의 표면에 점착된 광디바이스 웨이퍼(10)는 사파이어 기판(11)의 이면(11b)이 상측이 된다.
전술한 웨이퍼 점착 공정을 실시하였다면, 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치의 척 테이블(36) 상에 광디바이스 웨이퍼(10)의 점착 테이프(T)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시킴으로써, 점착 테이프(T)를 통해 광디바이스 웨이퍼(10)를 척 테이블(36) 상에 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)는 이면(11b)이 상측이 된다.
전술한 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(10)를 흡인 유지한 척 테이블(36)은 가공 이송 수단(37)에 의해 얼라인먼트 수단(8)의 바로 밑에 위치 설정된다. 척 테이블(36)이 얼라인먼트 수단(8)의 바로 밑에 위치 설정되면, 얼라인먼트 수단(8) 및 제어 수단(7)에 의해 광디바이스 웨이퍼(10)의 레이저 가공하여야 할 가공 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 즉, 얼라인먼트 수단(8) 및 제어 수단(7)은, 광디바이스 웨이퍼(10)의 정해진 방향에 형성되어 있는 분할 예정 라인(13)과, 분할 예정 라인(13)을 따라 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(6)의 집광 렌즈(65)와의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하고, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트를 수행한다. 또한, 광디바이스 웨이퍼(10)에 형성되어 있는 상기 정해진 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(13)에 대해서도, 마찬가지로 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 수행된다.
이상과 같이 하여 척 테이블(36) 상에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)에 형성되어 있는 분할 예정 라인(13)을 검출하고, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 행해졌다면, 도 5에서 나타내는 바와 같이 척 테이블(36)을 레이저 광선 조사 수단(6)의 집광 렌즈(65)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시켜, 정해진 분할 예정 라인(13)의 일단(도 5에 있어서 좌단)을 집광 렌즈(65)의 바로 밑에 위치 설정한다. 그리고, 집광 렌즈(65)를 통해 조사되는 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)의 이면(11b)(상면)으로부터 예컨대 15 ㎛ 하방 위치에 위치 설정한다.
다음에, 제어 수단(7)은 상기 판별 조건에 기초하여 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)에 펄스 레이저 광선을 조사하고, 그 때에 반응광이 발생하였는지의 여부에 따라 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)이 A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판인지 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판인지를 판별한다(사파이어 기판 판별 공정). 즉, 레이저 광선 조사 수단(6)을 작동시켜 파장이 532 ㎚, 반복 주파수가 45 ㎑, 평균 출력이 0.03 W인 펄스 레이저 광선을 집광 렌즈(65)를 통해 사파이어 기판(11)에 조사하며, 척 테이블(36)을 도 5에 있어서 화살표(X1)로 나타내는 방향으로 360 ㎜/초의 가공 이송 속도로 이동시킨다. 이 사파이어 기판 판별 공정에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이 피가공물(W)[사파이어 기판 판별 공정에서는 광디바이스 웨이퍼(10)]에 조사된 파장이 532 ㎚인 펄스 레이저 광선은, 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)의 이면(11b)(상면)에서 반사되어, 집광 렌즈(65)를 통해 다이크로익 미러(66)에 이르며, 다이크로익 미러(66)에 의해 반사되어 컷 필터(67)에 이른다. 컷 필터(67)는 전술한 바와 같이 파장이 510 ㎚∼550 ㎚인 광을 차단하기 때문에, 파장이 532 ㎚인 펄스 레이저 광선의 반사광은 차단된다. 한편, 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)이 펄스 레이저 광선의 조사에 의해 반응하면, 청색(400 ㎚ 영역)의 반응광이 발생하는 것을 알 수 있었다. 이 400 ㎚ 영역의 반응광은 집광 렌즈(65)를 통해 다이크로익 미러(66)에 이르며, 다이크로익 미러(66)에 의해 반사되어 컷 필터(67)를 통과하기 때문에, 촬상 수단(68)에 의해 포착된다. 이와 같이, 평균 출력이 0.03 W인 펄스 레이저 광선을 집광 렌즈(65)를 통해 사파이어 기판(11)에 조사하였을 때, 반응광이 발생하고, 이 반응광이 컷 필터(67)를 통과하여 촬상 수단(68)에 의해 포착되었을 때에는, 제어 수단(7)은 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)이 A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판이라고 판정한다. 또한, 평균 출력이 0.03 W인 펄스 레이저 광선을 집광 렌즈(65)를 통해 사파이어 기판(11)에 조사하였을 때, 반응광이 발생하지 않는 경우에는 펄스 레이저 광선의 반사광이 전술한 바와 같이 컷 필터(67)에 의해 차단되기 때문에, 촬상 수단(68)이 광을 포착할 수 없다. 따라서, 제어 수단(7)은 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)이 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판이라고 판정한다.
전술한 사파이어 기판 판별 공정을 실시하였다면, 제어 수단(7)은 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)의 가공 조건을 결정한다. 즉, 제어 수단(7)은 상기 사파이어 기판 판별 공정에서 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)이 A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판이라고 판정한 경우에는 상기 제1 가공 조건으로 결정하고, 상기 사파이어 기판 판정 공정에서 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)이 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판이라고 판정한 경우에는 상기 제2 가공 조건으로 결정한다(가공 조건 결정 공정).
이와 같이 하여, 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)의 가공 조건을 결정하였다면, 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)에 결정된 가공 조건에 따라 개질층 형성 공정을 실시한다.
개질층 형성 공정을 실시하기 위해서는, 도 6의 (a)에서 나타내는 바와 같이 척 테이블(36)을 집광 렌즈(65)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시키고, 광디바이스 웨이퍼(10)에 형성된 정해진 분할 예정 라인(13)의 일단[도 6의 (a)에 있어서 좌단]을 집광 렌즈(65)의 바로 밑에 위치 설정한다. 그리고, 집광 렌즈(65)를 통해 조사되는 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)의 두께 방향 중심 부근에 위치 설정한다.
다음에, 제어 수단(7)은 레이저 광선 조사 수단(6)을 작동시켜 집광 렌즈(65)로부터 펄스 레이저 광선을 조사하며, 가공 이송 수단(37)을 작동시켜 척 테이블(36)을 도 6의 (a)에 있어서 화살표(X1)로 나타내는 방향으로 정해진 가공 이송 속도로 이동시킨다(개질층 형성 공정). 이 개질층 형성 공정에서는, 상기 사파이어 기판 판정 공정에서 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)이 B 로트에 의해 제조된 사파이어 기판이라고 판정한 경우에는 상기 제2 가공 조건으로 실시하고, 상기 사파이어 기판 판정 공정에서 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)이 A 로트에 의해 제조된 사파이어 기판이라고 판정한 경우에는 상기 제1 가공 조건으로 실시한다. 그리고, 도 6의 (b)에서 나타내는 바와 같이 집광 렌즈(65)로부터 조사되는 펄스 레이저 광선의 조사 위치가 분할 예정 라인(13)의 타단[도 6의 (b)에 있어서 우단]에 다다르면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지하며, 척 테이블(36)의 이동을 정지한다. 이 결과, 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판(11)에는, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이 정해진 분할 예정 라인(13)을 따라 개질층(110)이 형성된다. 이와 같이 개질층 형성 공정은, 척 테이블(36)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(10)를 구성하는 사파이어 기판의 특성에 대응하여 설정된 가공 조건으로 실시되기 때문에, 펄스 레이저 광선의 출력 부족으로 인해 형성된 개질층이 불충분하거나, 펄스 레이저 광선의 출력 과잉에 의해 사파이어 기판에 분할 예정 라인으로부터 벗어나 크랙이 발생하여 광디바이스를 손상시킨다고 하는 문제가 해소된다.
전술한 바와 같이, 광디바이스 웨이퍼(10)의 정해진 방향에 형성된 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 상기 개질층 형성 공정을 실시하였다면, 광디바이스 웨이퍼(10)를 유지한 척 테이블(36)을 90도 회전한 위치에 위치 설정한다. 그리고, 광디바이스 웨이퍼(10)의 상기 정해진 방향과 직교하는 방향에 형성된 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 상기 개질층 형성 공정을 실시한다.
이상과 같이 하여, 개질층 형성 공정이 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 실시된 광디바이스 웨이퍼(10)는 개질층이 형성된 분할 예정 라인(13)을 따라 파단하는 웨이퍼 분할 공정에 반송된다.
1: 레이저 가공 장치 2: 정지 베이스
3: 척 테이블 기구 36: 척 테이블
37: 가공 이송 수단 38: 제1 인덱싱 이송 수단
4: 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구 43: 제2 인덱싱 이송 수단
5: 레이저 광선 조사 유닛 53: 집광점 위치 조정 수단
6: 레이저 광선 조사 수단 62: 펄스 레이저 광선 발진 수단
63: 출력 조정 수단 64: 방향 변환 미러
65: 집광 렌즈 66: 다이크로익 미러
67: 컷 필터 68: 촬상 수단
7: 제어 수단 8: 얼라인먼트 수단
10: 광디바이스 웨이퍼 F: 환형의 프레임
T: 점착 테이프

Claims (2)

  1. 사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 내부에 집광점을 맞추어 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 파단의 기점이 되는 개질층을 형성하는 사파이어 기판의 가공 방법에 있어서,
    사파이어 기판의 특성에 대응하여 적어도 2종류의 가공 조건을 설정하는 가공 조건 설정 공정과,
    적어도 2종류의 가공 조건이 설정된 사파이어 기판을 판별하기 위한 판별 조건 설정 공정과,
    상기 판별 조건 설정 공정에서 설정된 판별 조건에 기초하여 사파이어 기판을 판별하고, 판별된 사파이어 기판의 상기 가공 조건 설정 공정에서 설정된 적어도 2종류의 가공 조건으로부터 하나의 가공 조건을 결정하는 가공 조건 결정 공정과,
    상기 가공 조건 결정 공정에서 결정된 가공 조건에 따라 레이저 광선의 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치 설정해서 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 분할 예정 라인을 따라 파단의 기점이 되는 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정
    을 포함하고,
    상기 판별 조건 설정 공정은, 사파이어 기판에 대하여 가공을 할 수 없을 정도의 출력의 레이저 광선을 사파이어 기판의 내부에 조사하고, 그 때에 발생하는 반응광에 기초해서, 반응광이 발생하는 한계 레이저 광선 출력을 구하여 판별 조건을 설정하는 것인 사파이어 기판의 가공 방법.
  2. 삭제
KR1020120068965A 2011-07-05 2012-06-27 사파이어 기판의 가공 방법 KR101876578B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011149388A JP5833362B2 (ja) 2011-07-05 2011-07-05 サファイア基板の加工方法
JPJP-P-2011-149388 2011-07-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130005227A KR20130005227A (ko) 2013-01-15
KR101876578B1 true KR101876578B1 (ko) 2018-07-09

Family

ID=47441264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120068965A KR101876578B1 (ko) 2011-07-05 2012-06-27 사파이어 기판의 가공 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5833362B2 (ko)
KR (1) KR101876578B1 (ko)
CN (1) CN102861992B (ko)
TW (1) TWI590900B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6121733B2 (ja) 2013-01-31 2017-04-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2017204574A (ja) * 2016-05-12 2017-11-16 株式会社ディスコ サファイアウェーハの加工方法及びレーザー加工装置
JP6651257B2 (ja) * 2016-06-03 2020-02-19 株式会社ディスコ 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置
CN115519238A (zh) * 2021-06-25 2022-12-27 台达电子工业股份有限公司 采用动态光斑的激光焊接系统及其方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63193842U (ko) * 1987-05-30 1988-12-14
JP2006170831A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Dainippon Printing Co Ltd 材質判別装置
JP2009140958A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング装置及びダイシング方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2571656B2 (ja) * 1992-08-06 1997-01-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
CN1126633C (zh) * 1995-01-13 2003-11-05 东海工业缝纫机株式会社 激光加工机和具有激光加工功能的缝纫机
JP4005440B2 (ja) * 2002-08-01 2007-11-07 住友重機械工業株式会社 レーザ加工方法
JP4909657B2 (ja) * 2006-06-30 2012-04-04 株式会社ディスコ サファイア基板の加工方法
CN101253018B (zh) * 2006-09-28 2010-05-19 三菱电机株式会社 激光加工装置
JP5552627B2 (ja) * 2009-01-15 2014-07-16 並木精密宝石株式会社 エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法
JP5307612B2 (ja) * 2009-04-20 2013-10-02 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP2011035253A (ja) * 2009-08-04 2011-02-17 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63193842U (ko) * 1987-05-30 1988-12-14
JP2006170831A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Dainippon Printing Co Ltd 材質判別装置
JP2009140958A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング装置及びダイシング方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI590900B (zh) 2017-07-11
CN102861992A (zh) 2013-01-09
JP5833362B2 (ja) 2015-12-16
JP2013016703A (ja) 2013-01-24
KR20130005227A (ko) 2013-01-15
CN102861992B (zh) 2016-03-23
TW201302361A (zh) 2013-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9130031B2 (en) Wafer processing method
KR102027621B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP5010978B2 (ja) レーザー加工装置
TWI582875B (zh) A laser processing device with a plasma detection mechanism
US8431428B2 (en) Optical device wafer processing method and laser processing apparatus
KR102044044B1 (ko) 웨이퍼의 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
US20050224475A1 (en) Laser beam processing machine
US20090153868A1 (en) Device for detecting the edges of a workpiece, and a laser beam processing machine
KR20170008163A (ko) 다결정 SiC 웨이퍼의 생성 방법
KR20120047786A (ko) 레이저 가공 장치
KR101850556B1 (ko) 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법
US10276413B2 (en) Laser processing apparatus
JP2008200694A (ja) ウエーハの加工方法およびレーザー加工装置
US9981343B2 (en) Laser processing apparatus
KR20130142926A (ko) 레이저 가공 장치
KR20130075656A (ko) 웨이퍼의 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP5860219B2 (ja) レーザー加工装置
KR20100081923A (ko) 레이저 가공 장치
JP4447392B2 (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
KR101876578B1 (ko) 사파이어 기판의 가공 방법
JP2014093445A (ja) 光デバイスウエーハの加工方法
JP2010064125A (ja) レーザー加工装置
JP5940783B2 (ja) 板状物の加工方法
JP2010064106A (ja) レーザー加工装置
JP2008264805A (ja) レーザー加工装置およびウエーハの裏面に装着された接着フィルムのレーザー加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant