TWI582875B - A laser processing device with a plasma detection mechanism - Google Patents

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Description

具有電漿檢測機構之雷射加工裝置 發明領域
本發明係有關於一種具有電漿檢測機構之雷射加工裝置。
發明背景
在光學裝置製程中，於為約圓板狀之藍寶石基板等磊晶基板之表面隔著緩衝層積層由n型半導體層及p型半導體層構成之光學裝置層，於以形成格子狀之複數切割道劃分之複數區域形成發光二極體、雷射二極體等光學裝置而構成光學裝置晶圓。然後，藉將光學裝置晶圓沿著切割道分割，而製造了諸個光學裝置(例如參照專利文獻1)。
又，使光學裝置之亮度提高之技術於下述專利文獻2揭示有一種稱為剝離(lift-off)之製造方法，該製造方法係將於構成光學裝置晶圓之藍寶石基板等磊晶基板表面隔著緩衝層積層之由n型半導體層及p型半導體層構成的光學裝置層藉由金(Au)、白金(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等接合金屬層接合鉬(Mo)、銅(Cu)、矽等移設基板，接著，從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層，藉此，將磊晶基板剝離，將光學裝置層移轉至移設基板。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本專利公開公報平10-305420號
專利文獻2 日本專利公表公報2005-516415號
發明概要
而因緩衝層之厚度薄至1μm左右，並且以與由n型半導體層及p型半導體層構成之光學裝置層相同之氮化鎵形成，故有照射雷射光，確實地僅破壞緩衝層不易之問題。
本發明係鑑於此點而發明者，其目的係提供適合藉從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層，而從光學裝置層將藍寶石基板剝離之具有電漿檢測機構之雷射加工裝置。
根據本發明，提供一種雷射加工裝置，係從於藍寶石基板之表面隔著緩衝層而積層有光學裝置層之光學裝置晶圓剝離藍寶石基板者，其特徵在於包含有夾台、雷射光線照射機構、電漿檢測機構、及顯示機構，該夾台係保持光學裝置晶圓者；該雷射光線照射機構係將脈衝雷射光線照射於保持在該夾台之光學裝置晶圓，以破壞該緩衝層者；該電漿檢測機構係檢測藉從該雷射光線照射機構將雷射光線照射於光學裝置晶圓而生成於該緩衝層之電漿光的光強度者；該顯示機構係顯示以該電漿檢測機構所檢測出之電漿光之光強度者；又，該電漿檢測機構可檢測前述電漿光之從形成該緩衝層之物質產生之波長區之電漿光的光強度。
較佳為前述電漿檢測機構具有二向分光鏡、帶通濾波器、及光檢器，該二向分光鏡係反射使該雷射光線照射機構照射之雷射光線通過而在該緩衝層生成之電漿光者；該帶通濾波器係使以該二向分光鏡所反射之電漿光中從形成該緩衝層之物質產生之波長區的電漿光通過者；該光檢器係檢測通過該帶通濾波器之電漿光之光強度者；又，該光檢器之檢測結果可顯示於該顯示機構。
由於本發明之雷射加工裝置具有檢測於將雷射光線照射於緩衝層之際生成之電漿光之光強度的電漿檢測機構，故可依據顯示於顯示機構之資訊，調整輸出調整機構，設定僅破壞緩衝層之適當之雷射光線的功率。
圖式簡單說明
圖1係根據本發明構成之雷射加工裝置之立體圖。
圖2係裝備於圖1所示之雷射加工裝置之雷射光線照射機構及電漿檢測機構之方塊結構圖。
圖3係顯示裝備於圖1所示之雷射加工裝置之電漿檢測機構之另一實施形態的方塊結構圖。
圖4(a)~圖4(b)係用於本發明之雷射光線之輸出設定方法之光學裝置晶圓的立體圖及放大主要部份而顯示之截面圖。
圖5(a)~圖5(b)係將移設基板接合於圖4所示之光學裝置晶圓之光學裝置層之表面的移設基板接合步驟之說明圖。
圖6係顯示將接合於光學裝置晶圓之移設基板側貼附於裝設在環狀框架之切割膠帶之表面之狀態的立體圖。
圖7係本發明之雷射光線之輸出設定方法之雷射光線照射步驟的說明圖。
圖8係本發明雷射光線之輸出設定方法之電漿光強度顯示步驟的說明圖。
圖9(a)~圖9(c)係從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層之剝離用雷射光線照射步驟的說明圖。
圖10係從光學裝置層將磊晶基板剝離之磊晶基板剝離步驟之說明圖。
較佳實施例之詳細說明 用以實施發明之形態
以下，就本發明之雷射光線之輸出設定方法及雷射加工裝置之較佳實施形態，參照附加圖式，詳細地說明。
於圖1顯示用以實施本發明之雷射光線之輸出設定方法之雷射加工裝置的立體圖。圖1所示之雷射加工裝置1包含有靜止基台2、以可於以箭號X所示之加工進給方向(X軸方向)移動之方式配設於該靜止基台2以保持被加工物之夾台設備3、以可於與上述X軸方向垂直相交且以箭號Y所示之分度進給方向(Y軸方向)移動之方式配設於靜止基台2的雷射光線照射單元支撐設備4、以可於以箭號Z所示之聚光點位置調整方向(Z軸方向)移動之方式配設於該雷射光線照射機單元支撐設備4的雷射光線照射單元5。
上述夾台設備3具有沿著X軸方向平行地配設於靜止基台2上之一對引導軌道31、31、以可於X軸方向移動之方式配設於該引導軌道31、31上之第1滑動塊32、以可於以箭號Y所示之分度進給方向移動之方式配設於該第1滑動塊32上之第2滑動塊33、以圓筒構件34支撐於該第2滑動塊33上之蓋台35、作為被加工物保持機構之夾台36。此夾台36具有由多孔性材料形成之吸附吸盤361，而可以圖中未示之吸引機構將為被加工物之例如圓盤狀半導體晶圓保持於吸附吸盤361之上面(保持面)。可以配設於圓筒構件34內之圖中未示之脈衝馬達使如此構成之夾台36旋轉。此外，於夾台36配設有用以固定後述環狀框架之夾362。
上述第1滑動塊32於其下面設有與上述一對引導軌道31、31嵌合之一對被引導溝321、321，並且於其上面設有沿著Y軸方向平行地形成之一對引導軌道322、322。如此構成之第1滑動塊32藉被引導溝321嵌合於一對引導軌道31、31，構造成可沿著一對引導軌道31、31於X軸方向移動。圖中所示之實施形態之夾台設備3具有用以使第1滑動塊32沿著一對引導軌道31、31於X軸方向移動之加工進給機構37。加工進給機構37具有平行地配設於上述一對引導軌道31與31間之陽螺桿371、用以將該陽螺桿371旋轉驅動之脈衝馬達372等驅動源。陽螺桿371其一端旋轉自如地支撐於固定在上述靜止基台2之軸承塊373，另一端傳動連結於上述脈衝馬達372之輸出軸。此外，陽螺桿371螺合於形成在突出設於第1滑動塊32之中央部下面之圖中未示之陰螺紋 塊的貫穿陰螺紋孔。因而，藉以脈衝馬達372將陽螺桿371正轉及反轉驅動，可使第1滑動塊32沿著引導軌道31、31於X軸方向移動。
上述第2滑動塊33於其下面設有與設在上述第1滑動塊32之上面之一對引導軌道322、322嵌合之一對被引導溝331、331，並藉將此被引導溝331、331嵌合於一對引導軌道322、322，構造成可於以箭號Y所示之分度進給方向移動。圖中所示之實施形態之夾台設備3具有用以使第2滑動塊33沿著設在第1滑動塊32之一對引導軌道322、322於Y軸方向移動之第1分度進給機構38。第1分度進給機構38具有平行地配設於上述一對引導軌道322與322間之陽螺桿381、用以將該陽螺桿381旋轉驅動之脈衝馬達382等驅動源。陽螺桿381其一端旋轉自如地支撐於固定在上述第1滑動塊32之上面之軸承塊383，其另一端傳動連結於上述脈衝馬達382之輸出軸。此外，陽螺桿381螺合於形成在突出設於第2滑動塊33之中央部下面之圖中未示之陰螺紋塊的貫穿陰螺紋孔。因而，藉以脈衝馬達382將陽螺桿381正轉及反轉驅動，可使第2滑動塊33沿著引導軌道322、322於Y軸方向移動。
上述雷射光線照射單元支撐設備4具有沿著以箭號Y顯示之分度進給方向平行地配設於靜止基台2上之一對引導軌道41、41、以可於Y軸方向移動之方式配設於該引導軌道41、41上之可動支撐基台42。此可動支撐基台42由可移動地配設於引導軌道41、41上之移動支撐部421、安裝於 該移動支撐部421之裝設部422構成。裝設部422於其中一側面平行地設有於Z軸方向延伸之一對引導軌道423、423。圖中所示之實施形態之雷射光線照射單元支撐設備4具有用以使可動支撐基台42沿著一對引導軌道41、41於Y軸方向移動之第2分度進給機構43。第2分度進給機構43具有平行地配設於上述一對引導軌道41、41間之陽螺桿431、用以將該陽螺桿431旋轉驅動之脈衝馬達432等驅動源。陽螺桿431其一端旋轉自如地支撐於固定在上述靜止基台2之圖中未示之軸承塊，其另一端傳動連結於上述脈衝馬達432之輸出軸。此外，陽螺桿431螺合於形成在突出設於構成可動支撐基台42之移動支撐部421之中央部下面之圖中未示的陰螺紋塊之陰螺紋孔。因此，藉以脈衝馬達432將陽螺桿431正轉及反轉驅動，可使可動支撐基台42沿著引導軌道41、41於Y軸方向移動。
雷射光線照射單元5具有單元支持器51、安裝於該單元支持器51之雷射光線照射機構6。單元支持器51設有可滑動地嵌合於設在上述裝設部422之一對引導軌道423、423之一對被引導溝511、511，藉將此被引導溝511、511嵌合於上述引導軌道423、423，可支撐成於Z軸方向移動。
雷射光線照射單元5具有用以使單元支持器51沿著一對引導軌道423、423於Z軸方向移動之聚光點位置調整機構53。聚光點位置調整機構53具有配設於一對引導軌道423、423間之陽螺桿(圖中未示)、用以將該陽螺桿旋轉驅動之脈衝馬達532等驅動源，藉以脈衝馬達532將圖中未示之 陽螺桿正轉及反轉驅動，可使單元支持器51及雷射光線照射機構6沿著引導軌道423、423於Z軸方向移動。此外，在圖中所示之實施形態中，藉將脈衝馬達532正轉驅動，可將雷射光線照射機構6移動至上方，而藉將脈衝馬達532反轉驅動，可將雷射光線照射機構6移動至下方。
雷射光線照射機構6具有固定於上述單元支持器51且實質上水平地延伸而出之圓筒狀殼體61。就此雷射光線照射機構6，參照圖2來說明。圖中所示之雷射光線照射機構6具有配設於上述殼體61內之脈衝雷射光線振盪機構62、調整以該脈衝雷射光線振盪機構62振盪之脈衝雷射光線之輸出的輸出調整機構63、將業經以該輸出調整機構63調整輸出之脈衝雷射光線照射於保持在上述夾台36之保持面之被加工物W的聚光器64。
上述脈衝雷射光線振盪機構62由振盪波長為257nm之脈衝雷射光線之脈衝雷射振盪器621、設定脈衝雷射振盪器621振盪之脈衝雷射光線之重複頻率的重複頻率設定機構622、調整脈衝雷射振盪器621振盪之脈衝雷射光線之脈衝寬度之脈衝寬度調整機構623構成。上述輸出調整機構63將從脈衝雷射光線振盪機構62振盪之脈衝雷射光線之輸出調整成預定輸出。該等脈衝雷射光線振盪機構62之脈衝雷射振盪器621、重複頻率設定機構622、脈衝寬度調整機構623及輸出調整機構63可以控制機構7控制。
上述聚光器64具有將從脈衝雷射光線振盪機構62振盪且經輸出調整機構63調整輸出之脈衝雷射光線朝夾 台36之保持面轉換方向之方向轉換鏡641、將業經以該方向轉換鏡641轉換方向之脈衝雷射光線聚光而照射於保持在夾台36之被加工物W之聚光透鏡642。如此構成之聚光器64如圖1所示，裝設於殼體61之前端。
參照圖2，繼續說明，雷射加工裝置1具有檢測電漿之光強度之電漿檢測機構8，該電漿係藉將從脈衝雷射光線振盪機構62振盪而經輸出調整機構63調整輸出之脈衝雷射光線照射於保持在夾台36之被加工物W而產生者。此電漿檢測機構8具有配設於上述方向轉換鏡641與聚光透鏡642間而反射藉將脈衝雷射光線照射於保持在夾台36之被加工物W而產生之電漿的二向分光鏡81、使以該二向分光鏡81反射之電漿之預定波長區(在圖中所示之實施形態為400~420nm)之光通過的帶通濾波器82、接收通過該帶通濾波器82之電漿之光的光檢器83。
上述二向分光鏡81可使從脈衝雷射光線振盪機構62振盪且經方向轉換鏡641轉換方向之波長為257nm之脈衝雷射光線通過，而藉將脈衝雷射光線照射於保持在夾台36之被加工物W而產生之電漿則朝帶通濾波器82反射。上述帶通濾波器82使對為鎵(Ga)之電漿之波長410nm係±10nm之範圍(400~420nm)之波長的光通過，遮斷其他波長之光。上述光檢器83接收通過帶通濾波器82之電漿，將接收信號作為光強度信號發送至控制機構7。控制機構7將從光檢器83所發送之電漿之400~420nm之波長區的光強度輸出至顯示機構70。此外，可從輸入機構71將加工條件等輸 入至控制機構7。
接著，就電漿檢測機構8之另一實施形態，參照圖3來說明。
圖3所示之電漿檢測機構8構造成以與聚光器64相鄰配設之電漿受光機構85接收藉將從雷射光線照射機構6之聚光器64照射之雷射光線照射於保持在夾台36之被加工物W而產生之電漿，藉由上述帶通濾波器82，引導至光檢器83。
返回圖1來說明，雷射加工裝置1具有配設於殼體61之前端部，拍攝應以上述雷射光線照射機構6雷射加工之加工區域的校準機構9。此校準機構9由顯微鏡或CCD照相機等光學機構構成，將所拍攝之圖像信號發送至控制機構7。
雷射加工裝置1如以上構成，以下，就其作用作說明。
於圖4(a)及圖4(b)顯示以上述雷射加工裝置1加工之光學裝置晶圓之立體圖及主要部份放大截面圖。圖4(a)及(b)所示之光學裝置晶圓10係藉磊晶成長法於由直徑50mm、厚度600μm之圓板形狀之藍寶石基板構成之磊晶基板11的表面11a形成有由n型氮化鎵半導體層121及p型氮化鎵半導體層122構成之光學裝置層12。此外，於磊晶基板11之表面以磊晶成長法積層由n型氮化鎵半導體層121及p型氮化鎵半導體層122構成之光學裝置層12之際，於磊晶基板11之表面11a與形成光學裝置層12之n型氮化鎵半導體層121間形成由氮化鎵(GaN)構成且厚度為1μm的緩衝層13。如此構成之 光學裝置晶圓10在圖中所示之實施形態中，光學裝置層12之厚度形成為10μm。此外，光學裝置層12如圖4(a)所示，於以形成格子狀之複數切割道123所劃分之複數區域形成有光學裝置124。
如上述，為將光學裝置晶圓10之磊晶基板11從光學裝置層12剝離而移轉至移設基板，乃實施將移設基板接合於光學裝置層12之表面12a之移設基板接合步驟。即，如圖5(a)及(b)所示，藉由由錫構成之接合金屬層16將由厚度1mm之銅基板構成之移設基板15接合於形成在構成光學裝置晶圓10之磊晶基板11之表面11a的光學裝置層12之表面12a。此外，移設基板15可使用鉬(Mo)、矽(Si)等，又，形成接合金屬層16之接合金屬可使用金(Au)、白金(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等。此移設基板接合步驟係於形成在磊晶基板11之表面11a之光學裝置層12的表面12a或移設基板15之表面15a蒸鍍沉積上述接合金屬，形成厚度3μm左右之接合金屬層16，使此接合金屬層16與移設基板15之表面15a或光學裝置層12之表面12a面對面而壓著，藉此，可藉由接合金屬層16將移設基板15之表面15a接合於構成光學裝置晶圓10之光學裝置層12的表面12a。
接著，就下述方法作說明，前述方法係藉使用上述雷射加工裝置1，從上述磊晶基板11之背面側將雷射光線照射於緩衝層13，將磊晶基板11剝離之際，設定雷射光線之輸出者。
要實施上述設定雷射光線之輸出之方法，首先如圖6所 示，將接合於光學裝置晶圓10之移設基板15側貼附於裝設在環狀框架F之切割膠帶T之表面(光學裝置晶圓支撐步驟)。因而，接合有貼附於切割膠帶T之表面之移設基板15的光學裝置晶圓10之磊晶基板11之背面11b形成為上側。
當實施上述晶圓支撐步驟後，將貼附有接合於構成上述光學裝置晶圓10之磊晶基板11之移設基板15的切割膠帶T側載置於圖1所示之雷射加工裝置1之夾台36上，使圖中未示之吸引機構作動，隔著切割膠帶T將光學裝置晶圓10吸引保持於夾台36上(晶圓保持步驟)。因而，保持於夾台36上之光學裝置晶圓10係磊晶基板11之背面11b形成為上側。然後，以配設於夾台36之夾362固定裝設有切割膠帶T之環狀框架F。
當實施上述晶圓保持步驟後，使加工進給機構37作動，將夾台36移動至雷射光線照射機構6之聚光器64所在之雷射光線照射區域，將光學裝置晶圓10之未形成光學裝置124之外周部(外周剩餘區域)就定位於聚光器64之正下方。然後，實施雷射光線照射步驟，該雷射光線照射機構係從磊晶基板11之背面11b(上面)側將對藍寶石具穿透性且對氮化鎵(GaN)具吸收性之波長(257nm)之雷射光線一面變更輸出，一面照射於緩衝層13。在此雷射光線照射步驟中，將脈衝雷射光線之平均輸出設定為0.09W、0.10W、0.11W、0.12W、0.13W、0.14W，如圖7所示，依序照射。此外，在圖中所示之實施形態中，在雷射光線照射步驟中照射之脈衝雷射光線之重複頻率設定為50kHz，脈衝寬度設定為 100ps。又，在雷射光線照射步驟中從聚光器64照射之脈衝雷射光線之緩衝層13之上面的點徑設定為70μm。此點徑可為聚光點徑，亦可為散焦之點徑。
於實施上述雷射光線照射步驟之際，控制機構7使電漿檢測機構8作動。因而，藉將脈衝雷射光線照射於緩衝層13而產生之電漿藉由聚光透鏡642、二向分光鏡81、帶通濾波器82，波長400~420nm之光為光檢器83所接收。然後，光檢器83將所接收之光強度信號作為電壓信號而發送至控制機構7。控制機構7依據來自光檢器83之光強度信號(電壓信號)，對應於照射於緩衝層13之脈衝雷射光線之輸出，分別將電漿之光強度如圖8所示輸出至顯示機構70(電漿光強度顯示步驟)。
藉實施上述電漿光強度顯示步驟，依據對應於顯示於顯示機構70之照射在緩衝層13之脈衝雷射光線的輸出之電漿之光強度，操作員驗證光強度與緩衝層之破壞之狀態，可確實地僅分解緩衝層13之適當輸出係設定為0.12W(輸出設定步驟)。然後，操作員從輸入機構71輸入雷射光線之適當輸出(在圖中所示之實施形態中為0.12W)。控制機構7將如此進行而輸入之雷射光線之適當輸出暫時儲存於內藏之記憶體，在後述剝離用雷射光線照射步驟，調整輸出。又，操作員從輸入機構71輸入照射雷射光線之適當輸出(在圖中所示之實施形態中為0.12W)時之電漿之光強度(在圖中所示之實施形態中為0.38V)，將之儲存於控制機構7之記憶體。因而，對之後加工之同種光學裝置晶圓， 控制機構7將檢測出儲存於記憶體之電漿之光強度(在圖中所示之實施形態為0.38V)之雷射光線的輸出設定作為適當輸出。
如上述，當設定照射於緩衝層13之脈衝雷射光線之適當輸出(在圖中所示之實施形態為0.12W)後，實施剝離用雷射光線照射步驟，該剝離用雷射光線照射步驟係與上述雷射光線照射步驟同樣地，從上述磊晶基板11之背面11b(上面)側將對藍寶石具穿透性且對氮化鎵(GaN)具吸收性之波長的雷射光線將平均輸出設定為上述適當輸出(在圖中所示之實施形態為0.12W)而照射於緩衝層13，以分解(破壞)緩衝層13。此剝離用雷射光線照射步驟係將夾台36如圖9(a)所示移動至雷射光線照射機構6之聚光器64所在之雷射光線照射區域，將一端(在圖9(a)為左端)就定位於雷射光線照射機構6之聚光器64之正下方。接著，將從聚光器64照射之脈衝雷射光線之緩衝層13之上面之點S的點徑設定為70μm。此點徑可與上述雷射光線照射步驟同樣地為聚光點徑，亦可為散焦之點徑。又，控制機構7使脈衝雷射光線振盪機構62作動，並且控制輸出調整機構63，將業經以脈衝雷射光線振盪機構62振盪之脈衝雷射光線之平均輸出調整為0.12W，一面從聚光器64照射脈衝雷射光線，一面使夾台36於在圖9(a)中以箭號X1所示之方向以預定加工進給速度移動。然後，如圖9(c)所示，磊晶基板11之另一端(在圖9(c)為右端)到達雷射光線照射機構6之聚光器64之照射位置後，停止脈衝雷射光線之照射，並且停止夾台36之移動 (剝離用雷射光線照射步驟)。於對應於緩衝層13整面之區域實施此剝離用雷射光線照射步驟。結果，分解緩衝層13，緩衝層13所作之磊晶基板11與光學裝置層12之結合功能喪失。
上述剝離用雷射光線照射步驟之加工條件如下設定。
光源：YAG脈衝雷射
波長：257nm
平均輸出：0.12W
重複頻率：50kHz
脈衝寬度：100ps
點徑：φ70μm
加工進給速度：600mm/秒
當實施上述剝離用雷射光線照射步驟後，實施將磊晶基板11從光學裝置層12剝離之基板剝離步驟。即，由於磊晶基板11與光學裝置層12結合之緩衝層13因實施剝離用雷射光線照射步驟，而喪失結合功能，故如圖10所示，磊晶基板11可易從光學裝置層12剝離(磊晶基板剝離步驟)。如此藉剝離構成光學裝置晶圓10之磊晶基板11，可將積層於磊晶基板11之表面之光學裝置層12平順地移轉至移設基板15。
1‧‧‧雷射加工裝置
2‧‧‧靜止基台
3‧‧‧夾台設備
4‧‧‧雷射光線照射單元支撐設備
5‧‧‧雷射光線照射單元
6‧‧‧雷射光線照射機構
7‧‧‧控制機構
8‧‧‧電漿檢測機構
9‧‧‧校準機構
10‧‧‧光學裝置晶圓
11‧‧‧磊晶基板
11a‧‧‧表面
11b‧‧‧背面
12‧‧‧光學裝置層
12a‧‧‧表面
13‧‧‧緩衝層
15‧‧‧移設基板
15a‧‧‧表面
16‧‧‧接合金屬層
31‧‧‧引導軌道
32‧‧‧第1滑動塊
33‧‧‧第2滑動塊
34‧‧‧圓筒構件
35‧‧‧蓋台
36‧‧‧夾台
37‧‧‧加工進給機構
38‧‧‧第1分度進給機構
41，322，423‧‧‧引導軌道
42‧‧‧可動支撐基台
43‧‧‧第2分度進給機構
51‧‧‧單元支持器
53‧‧‧聚光點位置調整機構
61‧‧‧殼體
62‧‧‧脈衝雷射光線振盪機構
63‧‧‧輸出調整機構
64‧‧‧聚光器
70‧‧‧顯示機構
71‧‧‧輸入機構
81‧‧‧二向分光鏡
82‧‧‧帶通濾波器
83‧‧‧光檢器
85‧‧‧電漿受光機構
121‧‧‧n型氮化鎵半導體層
122‧‧‧p型氮化鎵半導體層
123‧‧‧切割道
124‧‧‧光學裝置
321，331，511‧‧‧被引導溝
361‧‧‧吸附吸盤
362‧‧‧夾
371，381，431‧‧‧陽螺桿
372，382，432，532‧‧‧脈衝馬達
373，383‧‧‧軸承塊
421‧‧‧移動支撐部
422‧‧‧裝設部
621‧‧‧脈衝雷射振盪器
622‧‧‧重複頻率設定機構
623‧‧‧脈衝寬度調整機構
641‧‧‧方向轉換鏡
642‧‧‧聚光透鏡
F‧‧‧環狀框架
S‧‧‧點
T‧‧‧切割膠帶
W‧‧‧被加工物
X，Y，Z‧‧‧箭號
圖1係根據本發明構成之雷射加工裝置之立體圖。
圖2係裝備於圖1所示之雷射加工裝置之雷射光線照射 機構及電漿檢測機構之方塊結構圖。
圖3係顯示裝備於圖1所示之雷射加工裝置之電漿檢測機構之另一實施形態的方塊結構圖。
圖4(a)~圖4(b)係用於本發明之雷射光線之輸出設定方法之光學裝置晶圓的立體圖及放大主要部份而顯示之截面圖。
圖5(a)~圖5(b)係將移設基板接合於圖4所示之光學裝置晶圓之光學裝置層之表面的移設基板接合步驟之說明圖。
圖6係顯示將接合於光學裝置晶圓之移設基板側貼附於裝設在環狀框架之切割膠帶之表面之狀態的立體圖。
圖7係本發明之雷射光線之輸出設定方法之雷射光線照射步驟的說明圖。
圖8係本發明雷射光線之輸出設定方法之電漿光強度顯示步驟的說明圖。
圖9(a)~圖9(c)係從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層之剝離用雷射光線照射步驟的說明圖。
圖10係從光學裝置層將磊晶基板剝離之磊晶基板剝離步驟之說明圖。
6‧‧‧雷射光線照射機構
7‧‧‧控制機構
8‧‧‧電漿檢測機構
36‧‧‧夾台
62‧‧‧脈衝雷射光線振盪機構
63‧‧‧輸出調整機構
64‧‧‧聚光器
70‧‧‧顯示機構
71‧‧‧輸入機構
81‧‧‧二向分光鏡
82‧‧‧帶通濾波器
83‧‧‧光檢器
621‧‧‧脈衝雷射振盪器
622‧‧‧重複頻率設定機構
623‧‧‧脈衝寬度調整機構
641‧‧‧方向轉換鏡
642‧‧‧聚光透鏡
W‧‧‧被加工物

Claims (2)

  1. 一種雷射加工裝置，係從於藍寶石基板之表面隔著緩衝層而積層有光學裝置層之光學裝置晶圓剝離藍寶石基板者，其特徵在於包含有：夾台，係保持光學裝置晶圓者；雷射光線照射機構，係將脈衝雷射光線照射於保持在該夾台之光學裝置晶圓，以破壞該緩衝層者；電漿檢測機構，係檢測藉從該雷射光線照射機構將雷射光線照射於光學裝置晶圓而生成於該緩衝層之電漿光的光強度者；及顯示機構，係顯示以該電漿檢測機構所檢測出之電漿光之光強度者；又，該電漿檢測機構可檢測前述電漿光之從形成該緩衝層之物質產生之波長區之電漿光的光強度。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射加工裝置，其中前述電漿檢測機構具有：二向分光鏡，係使該雷射光線照射機構照射之雷射光線通過，且反射在該緩衝層生成之電漿光者；帶通濾波器，係使以該二向分光鏡所反射之電漿光中從形成該緩衝層之物質產生之波長區的電漿光通過者；及光檢器，係檢測通過該帶通濾波器之電漿光之光強度者；又，該光檢器之檢測結果可顯示於該顯示機構。
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