CN107363413A - 蓝宝石晶片的加工方法和激光加工装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种蓝宝石晶片的加工方法和激光加工装置，不论蓝宝石晶片的结晶缺陷的差异如何都能够良好地形成改质层。蓝宝石晶片的加工方法构成为具有：对于卡盘工作台上的蓝宝石晶片按照规定的激光加工条件对外周剩余区域照射激光光线而试验加工出改质层的步骤；根据蓝宝石晶片的外周剩余区域的改质层的拍摄图像来计算出改质层形成率，根据关系数据来选定与规定的加工条件下的激光加工时的改质层形成率相对应的最佳激光加工条件的步骤；以及按照最佳激光加工条件沿着蓝宝石晶片的分割预定线照射激光光线而沿着分割预定线形成改质层的步骤。

Description

蓝宝石晶片的加工方法和激光加工装置
技术领域
本发明涉及将蓝宝石晶片分割成各个器件芯片的蓝宝石晶片的加工方法和激光加工装置。
背景技术
蓝宝石晶片是通过在蓝宝石基板的正面上设置发光元件等光器件而形成的。作为这种蓝宝石晶片的分割方法，公知有如下方法：在沿着间隔道照射激光光线而在内部形成了改质层之后，以改质层为起点对蓝宝石晶片进行分割(例如，参照专利文献1)。利用因激光光线的会聚而产生的多光子吸收来形成改质层，形成有改质层的部分比基板内的其他区域脆。通过对该强度降低的改质层的附近施加外力而沿着间隔道将蓝宝石晶片分割成各个器件芯片。
专利文献1：日本特开2013-105847号公报
但是，蓝宝石晶片的纯度标示未必与结晶缺陷的比例(氧缺陷比例)对应。当蓝宝石晶片的提供方不同时，即使蓝宝石晶片的纯度标示相同，结晶缺陷的比例也会不同，在蓝宝石晶片的缺乏氧的部位很难形成改质层。因此，在来自不同的提供方的蓝宝石晶片混杂在一起的情况下，即使按照相同的加工条件对蓝宝石晶片实施激光加工，也会在改质层的形成状况中产生差异而无法对蓝宝石晶片进行良好地分割。
发明内容
本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于提供蓝宝石晶片的加工方法和激光加工装置，无论蓝宝石晶片的结晶缺陷的差异如何，都能够良好地形成改质层。
本发明的蓝宝石晶片的加工方法，对蓝宝石晶片进行加工，该蓝宝石晶片在正面上具有形成有多个器件和多条分割预定线的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该蓝宝石晶片的加工方法包含如下的步骤：关系数据准备步骤，准备通过如下方式而得到的关系数据：将对于蓝宝石晶片具有透过性的波长的激光光线定位在种类不同的多个蓝宝石晶片的内部并按照规定的激光加工条件进行照射而在蓝宝石晶片内部形成改质层，使利用图像处理对所拍摄的该改质层的形成状态进行了数值化而得的改质层形成率和最佳激光加工条件按照蓝宝石晶片的每个种类对应起来；外周剩余区域改质层形成步骤，在实施了该关系数据准备步骤之后，对于激光加工装置的卡盘工作台上表面上所保持的蓝宝石晶片，将对于蓝宝石晶片具有透过性的波长的激光光线定位在内部并按照该规定的激光加工条件对外周剩余区域进行照射，在该蓝宝石晶片内部形成改质层；最佳激光加工条件选定步骤，在实施了该外周剩余区域改质层形成步骤之后，利用拍摄单元对所形成的改质层进行拍摄并利用图像处理计算出改质层形成率，根据该关系数据选定该蓝宝石晶片的种类和最佳激光加工条件；激光光线照射步骤，按照所选定的该最佳激光加工条件沿着该蓝宝石晶片的该分割预定线照射激光光线，沿着该分割预定线形成改质层；以及分割步骤，在实施了该激光光线照射步骤之后，对该蓝宝石晶片施加外力而以该改质层为起点沿着该分割预定线进行分割。
本发明的激光加工装置具有：卡盘工作台，其对蓝宝石晶片进行保持，该蓝宝石晶片在正面上具有形成有多个器件和多条分割预定线的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；激光光线照射单元，其将对于该卡盘工作台所保持的蓝宝石晶片具有透过性的波长的激光光线照射至蓝宝石晶片的内部；拍摄单元，其对该卡盘工作台所保持的蓝宝石晶片的正面进行拍摄；以及控制单元，其特征在于，该激光加工装置具有存储单元，该存储单元对通过如下方式而得到的关系数据进行存储：对于种类不同的多个蓝宝石晶片，按照规定的激光加工条件将该激光光线定位在蓝宝石晶片的内部并进行照射而形成改质层，对该改质层进行拍摄，使利用图像处理对改质层的形成状态进行了数值化而得的改质层形成率和最佳激光加工条件按照蓝宝石晶片的每个种类对应起来，当蓝宝石晶片被保持在该卡盘工作台上时，该激光光线照射单元将对于蓝宝石晶片具有透过性的波长的激光光线定位在蓝宝石晶片的内部并按照该规定的激光加工条件对该外周剩余区域进行照射而在蓝宝石晶片内部形成改质层，该拍摄单元对所形成的改质层形成区域进行拍摄，该控制单元根据所拍摄的图像信息计算出改质层形成率，并根据该关系数据选定最佳激光加工条件，该激光光线照射单元按照所选定的该最佳激光加工条件沿着蓝宝石晶片的该分割预定线照射激光光线。
根据这些结构，使规定的激光加工条件下的改质层形成率和最佳激光加工条件按照蓝宝石晶片的每个种类对应起来而作为关系数据预先进行存储。按照规定的激光加工条件在蓝宝石晶片的外周剩余区域中试验加工出改质层，对规定的激光加工条件下的该蓝宝石晶片中的改质层形成率进行计算。参照关系数据并根据改质层形成率来选定蓝宝石晶片的种类和最佳激光加工条件，按照最佳激光加工条件沿着蓝宝石晶片的分割预定线进行激光加工。由于选定出与蓝宝石晶片的结晶缺陷的差异对应的最佳激光加工条件，所以无论蓝宝石晶片的结晶缺陷的差异如何都能够良好地形成改质层而将蓝宝石晶片分割成各个器件芯片。
根据本发明，使改质层形成率和最佳激光加工条件按照蓝宝石晶片的每个种类相对应地存储。因此，通过在蓝宝石晶片中试验加工出改质层而选定蓝宝石晶片的种类和最佳激光加工条件，无论蓝宝石晶片的结晶缺陷的差异如何都能够良好地形成改质层。
附图说明
图1是本实施方式的激光加工装置的立体图。
图2的(A)和(B)是本实施方式的激光加工条件的选定方法的说明图。
图3是示出本实施方式的关系数据准备步骤的一例的图。
图4是示出本实施方式的外周剩余区域改质层形成步骤的一例的图。
图5是示出本实施方式的最佳激光加工条件选定步骤的一例的图。
图6是示出本实施方式的激光光线照射步骤的一例的图。
图7是示出本实施方式的分割步骤的一例的图。
标号说明
1：激光加工装置；20：卡盘工作台；40：激光光线照射单元；42：拍摄单元；45：控制单元；46：存储单元；55：改质层；A1：器件区域；A2：外周剩余区域；L：分割预定线；W：蓝宝石晶片。
具体实施方式
以下，参照附图对本实施方式的激光加工装置进行说明。图1是本实施方式的激光加工装置的立体图。另外，以下所示的激光加工装置仅表示一例，并不仅限于该结构。只要能够适用于本实施方式的蓝宝石晶片的加工方法，则激光加工装置也可以适当变更。
如图1所示，激光加工装置1构成为使照射激光光线的激光光线照射单元40与保持着蓝宝石晶片W的卡盘工作台20相对移动而对蓝宝石晶片W进行激光加工。在蓝宝石晶片W的正面呈格子状排列有多条分割预定线L，在由分割预定线L划分出的各区域内形成有LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等多个器件(未图示)。并且，蓝宝石晶片W的正面被划分成形成有多个器件的器件区域A1和围绕器件区域A1的外周剩余区域A2。
并且，在保持带T的中央部分粘贴有蓝宝石晶片W，在保持带T的外周部分粘贴有环状的框架F。蓝宝石晶片W在借助保持带T而支承于框架F的状态下被搬送到激光加工装置1中。
在激光加工装置1的基台10上设置有卡盘工作台移动机构30，该卡盘工作台移动机构30使卡盘工作台20在X轴方向和Y轴方向上移动。卡盘工作台移动机构30具有：一对导轨31，它们配置在基台10上且与X轴方向平行；以及由电动机驱动的X轴工作台33，其以能够在一对导轨31上滑动的方式设置。并且，卡盘工作台移动机构30具有：一对导轨32，它们配置在X轴工作台33的上表面且与Y轴方向平行；以及由电动机驱动的Y轴工作台34，其以能够在一对导轨32上滑动的方式设置。
在X轴工作台33和Y轴工作台34的背面侧分别形成有未图示的螺母部，这些螺母部与滚珠丝杠35、36螺合。并且，通过使与滚珠丝杠35、36的一端部连结的驱动电动机37、38旋转驱动，卡盘工作台20沿着导轨31、32在X轴方向和Y轴方向上移动。并且，在Y轴工作台34上设置有对蓝宝石晶片W进行保持的卡盘工作台20。在卡盘工作台20的上表面形成有保持面21，在卡盘工作台20的周围设置有对蓝宝石晶片W的周围的框架F进行夹持固定的夹具部22。
在卡盘工作台20的后方的立壁部11上突出设置有臂部12，在臂部12的前端设置有激光光线照射单元40，该激光光线照射单元40在上下方向上与卡盘工作台20对置。激光光线照射单元40的加工头41朝向保持在卡盘工作台20上的蓝宝石晶片W照射从未图示的振荡器振荡出的激光光线(脉冲激光)。激光光线的波长对于蓝宝石晶片W具有透过性，通过使激光光线会聚在蓝宝石晶片W的内部而形成脉冲痕。
通过沿着分割预定线L连续地形成该脉冲痕，在蓝宝石晶片W中形成作为分割起点的改质层55(参照图3)。另外，脉冲痕是指从激光点伸长的裂痕。并且，改质层55是指蓝宝石晶片W的内部的密度、折射率、机械强度和其他的物理的特性因激光光线的照射而变成与周围不同的状态的、强度比周围降低的区域。改质层55例如是熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域，也可以是将这些混在一起的区域。
在激光光线照射单元40的外侧设置有对蓝宝石晶片W的正面进行拍摄的拍摄单元42。根据拍摄单元42的拍摄图像来使加工头41与蓝宝石晶片W对准。并且，在激光加工装置1中设置有对装置各部分进行统一控制的控制单元45和对后述的关系数据进行存储的存储单元46。控制单元45和存储单元46由执行各种处理的处理器和存储器等构成。存储器按照用途由ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)等一个或多个存储介质构成。
有时，虽然在蓝宝石晶片W上标示了纯度，但即使是相同的纯度标示，蓝宝石晶片W的结晶缺陷、即难以形成脉冲痕的缺乏氧的部位的比例也会按照每个提供方的厂家(按照种类)而不同。因此，即使按照相同的激光加工条件对相同的纯度标示的蓝宝石晶片W进行激光加工，蓝宝石晶片W的内部的改质层55(参照图3)的形成状况也未必相同。需要对蓝宝石晶片W选定合适的激光加工条件，但无法根据蓝宝石晶片W的纯度标示来选定出最佳激光加工条件。
因此，在本实施方式的激光加工装置1中，作为用于选定激光加工条件的参照数据，预先准备了使改质层形成率和最佳激光加工条件按照蓝宝石晶片W的每个种类相对应的关系数据。并且，在蓝宝石晶片W中试验加工出改质层55(参照图3)，根据试验加工时的改质层形成率参照关系数据来选定出实际生产时的蓝宝石晶片W的种类和最佳激光加工条件。因此，即使因蓝宝石晶片的种类随机而使结晶缺陷的比例不同，也能够按照最佳的激光加工条件来良好地形成改质层55。
这里，对激光加工条件的选定方法进行详细地说明。图2是本实施方式的激光加工条件的选定方法的说明图。图2的(A)示出了改质层形成区域的拍摄图像的一例，图2的(B)示出了关系数据的一例。
如图2的(A)所示，在对蓝宝石晶片W的改质层形成区域进行拍摄而得的拍摄图像中，显示出排列成一列的多个脉冲痕M。多个脉冲痕M是通过将拍摄单元42(参照图1)的焦点对准沿着分割预定线L(参照图1)按照规定的激光加工条件形成的改质层55而拍摄得到的。由于蓝宝石晶片W内的各脉冲痕M因光散射而显示得较暗，所以通过对拍摄图像实施二值化处理等图像处理而将脉冲痕M显示成黑像素。根据该拍摄图像内的黑像素的显示状况等计算出蓝宝石晶片W中的改质层形成率(脉冲痕产生率)。
并且，由于在蓝宝石晶片W的缺乏氧的部位不形成脉冲痕M，所以改质层形成率按照结晶缺陷的比例而变化。例如，在几乎不存在结晶缺陷的蓝宝石晶片WA中，在全部的激光光线的照射部位形成脉冲痕M，改质层形成率为100％。并且，在结晶缺陷的比例较小的蓝宝石晶片WB中，在一部分的激光光线的照射部位产生脉冲痕M的缺失，改质层形成率为80％。并且，在结晶缺陷的比例较大的蓝宝石晶片WC中，在大部分的激光光线的照射部位产生脉冲痕M的缺失，改质层形成率为40％。
这样，结晶缺陷的比例按照蓝宝石晶片W的每个种类而不同，根据结晶缺陷的比例而在改质层形成率中产生差异，最佳的激光加工条件按照蓝宝石晶片W的每个种类而不同。因此，在激光加工装置1的存储单元46(参照图1)中存储有能够根据改质层形成率对蓝宝石晶片W的种类和最佳激光加工条件进行选定的关系数据。
如图2的(B)所示，关于关系数据，使以规定的激光加工条件进行了加工的情况下的改质层形成率和对于该改质层形成率最佳的激光加工条件按照蓝宝石晶片W的每个种类相对应。例如，使蓝宝石晶片W的种类WA～WD和最佳激光加工条件A～D分别与改质层形成率为95％以上、改质层形成率为80％以上不足95％、改质层形成率为40％以上不足80％、改质层形成率不足40％相对应。另外，蓝宝石晶片W的种类不仅包含提供方的厂家的不同，也可以包含蓝宝石晶片的厚度、实际的纯度、制造方法等的不同。
并且，最佳激光加工条件是指实际对多种蓝宝石晶片W进行激光加工而使改质层形成率为100％的激光加工条件。激光加工条件例如被设定为以激光加工条件A为基准，随着改质层形成率变小，激光输出变大，加工进给速度变慢。能够通过参照关系数据，根据改质层形成率来选定出对于任意的蓝宝石晶片W的最佳激光加工条件，其中，该改质层形成率是按照规定的加工条件在任意的蓝宝石晶片W中试验加工出改质层55而求出的。
参照图3到图7对本实施方式的蓝宝石晶片的加工方法进行说明。图3示出了关系数据准备步骤的一例，图4示出了外周剩余区域改质层形成步骤的一例，图5示出了最佳激光加工条件选定步骤的一例，图6示出了激光光线照射步骤的一例，图7示出了分割步骤的一例。
如图3所示，在蓝宝石晶片的加工前实施关系数据准备步骤。在关系数据准备步骤中，准备种类不同的多张蓝宝石晶片W，将激光光线定位在各蓝宝石晶片W的内部而进行照射，按照规定的激光加工条件在蓝宝石晶片W的内部形成改质层55。并且，通过拍摄单元42来拍摄各蓝宝石晶片W的改质层形成区域，通过控制单元45来求出利用图像处理对拍摄图像内的改质层55的形成状态进行了数值化而得的改质层形成率。使改质层形成率与各蓝宝石晶片W的种类相对应而存储在存储单元46中。
并且，虽然未详细地进行图示，但一边改变激光加工条件一边重复进行激光加工而确定出对于各蓝宝石晶片W的种类的最佳激光加工条件。最佳激光加工条件和改质层形成率一同与各蓝宝石晶片W的种类相对应而存储在存储单元46中。这样，在存储单元46中存储有使改质层形成率和激光加工条件按照蓝宝石晶片W的每个种类相对应的关系数据(参照图2的(B))。另外，改质层形成率只要能够通过拍摄图像的图像处理来进行计算即可，并不仅限于利用二值化处理的方法，例如，也可以根据通过拍摄图像与改质层形成率为100％的基准图像的匹配处理而计算出的相关值来进行计算。
如图4所示，在关系数据准备步骤之后实施外周剩余区域改质层形成步骤。在外周剩余区域改质层形成步骤中，蓝宝石晶片W被保持在激光加工装置1(参照图1)的卡盘工作台20(参照图5)的上表面上，蓝宝石晶片W的周围的框架F被夹具部22保持。并且，加工头41的照射口被定位在蓝宝石晶片W的外周剩余区域A2，按照规定的激光加工条件对外周剩余区域A2照射激光光线。并且，通过使加工头41相对于蓝宝石晶片W相对移动，在蓝宝石晶片W的内部试验加工出改质层55。
如图5所示，在外周剩余区域形成步骤之后实施最佳激光加工条件选定步骤。在最佳激光加工条件选定步骤中，拍摄单元42被定位在试验加工后的蓝宝石晶片W的外周剩余区域A2的正上方，使拍摄单元42的焦点下降到蓝宝石晶片W内的改质层形成区域而进行拍摄。通过控制单元45对外周剩余区域A2的拍摄图像实施图像处理等而计算出蓝宝石晶片W的改质层形成率。并且，通过控制单元45根据上述的关系数据(参照图2的(B))来选定出与改质层形成率相对应的蓝宝石晶片W的种类和最佳激光加工条件。
如图6所示，在最佳激光加工条件选定步骤之后实施激光光线照射步骤。在激光光线照射步骤中，加工头41的照射口被定位于蓝宝石晶片W的分割预定线L(参照图4)，按照最佳激光加工条件沿着分割预定线L照射激光光线。并且，通过使加工头41相对于蓝宝石晶片W相对移动，沿着分割预定线L形成改质层55。通过重复进行该加工进给，沿着蓝宝石晶片W的全部的分割预定线L形成改质层55。这样，按照与蓝宝石晶片W的种类对应的最佳激光加工条件在蓝宝石晶片W中良好地形成改质层55。
如图7所示，在激光光线照射步骤之后实施分割步骤。在分割步骤中，晶片W被载置在扩展装置(未图示)的扩展鼓51上，蓝宝石晶片W的周围的框架F被保持在框架保持部52上。此时，扩展鼓51的直径比蓝宝石晶片W的直径大，扩展鼓51的外周缘从下侧与蓝宝石晶片W和框架F之间的保持带T接触。并且，通过使框架保持部52在下降方向上移动，扩展鼓51相对地抬起。
通过使扩展鼓51与框架保持部52离开，保持带T在放射方向上被扩展，借助保持带T对蓝宝石晶片W的改质层55施加外力。由此，以强度降低的改质层55为分割起点将蓝宝石晶片W分割成各个器件芯片C。这样，即使在结晶缺陷的比例不同的蓝宝石晶片W混在一起的情况下，也能够按照最佳激光加工条件在各个蓝宝石晶片W中形成改质层55，将各个蓝宝石晶片W良好地分割成各个器件芯片C。
如以上那样，在本实施方式的蓝宝石晶片的加工方法中，使规定的激光加工条件下的改质层形成率和最佳激光加工条件按照蓝宝石晶片W的每个种类相对应而作为关系数据预先进行存储。按照规定的激光加工条件在蓝宝石晶片W的外周剩余区域A2中试验加工出改质层55，并计算出对于该蓝宝石晶片W的规定的激光加工条件下的改质层形成率。参照关系数据并根据改质层形成率来选定出蓝宝石晶片W的种类和最佳激光加工条件，按照最佳激光加工条件沿着蓝宝石晶片W的分割预定线L进行激光加工。由于选定出与蓝宝石晶片W的结晶缺陷的差异对应的最佳激光加工条件，所以无论蓝宝石晶片W的结晶缺陷的差异如何，都能够良好地形成改质层55而将蓝宝石晶片W分割成各个器件芯片。
另外，本发明并不仅限于上述实施方式，能够实施各种变更。在上述实施方式中，关于在附图中图示的大小或形状等，并不仅限于此，能够在发挥本发明的效果的范围内进行适当变更。另外，只要在不脱离本发明的目的的范围内便能够实施适当变更。
例如，在上述的实施方式中，在分割步骤中，构成为通过保持带的扩展来分割蓝宝石晶片W，但并不仅限于该结构。关于分割步骤，只要能够对蓝宝石晶片W施加外力而以改质层55为起点沿着分割预定线L进行分割即可。例如，可以通过切割来分割蓝宝石晶片W，也可以通过对改质层形成后的蓝宝石晶片W施加磨削载荷的SDBG(Stealth Dicing BeforeGrinding：磨削前的隐形切割)来分割蓝宝石晶片W。
并且，在上述的实施方式中，构成为激光加工装置1自动实施最佳激光加工条件选定步骤，但并不仅限于该结构。关于最佳激光加工条件选定步骤，也可以是由操作者参照关系数据来选定出最佳激光加工条件。
并且，在上述的实施方式中，使改质层形成率、最佳激光加工条件和蓝宝石晶片W的种类相对应来构成关系数据，但并不仅限于该结构。关于关系数据，至少使改质层形成率和最佳激光加工条件相对应即可，还可以与其他的参数相对应。
并且，在上述的实施方式中，构成为将蓝宝石晶片W的加工方法适用于纯度标示大致相同的蓝宝石晶片W，但并不仅限于该结构。蓝宝石晶片W的加工方法也能够适用于纯度标示明显不同的蓝宝石晶片。
并且，在上述的实施方式中，将最佳激光加工条件作为改质层形成率为100％的激光加工条件来进行说明，但并不仅限于该结构。关于最佳激光加工条件，只要是能够将蓝宝石晶片分割的改质层形成率即可，例如，也可以是改质层形成率为90％以上的激光加工条件。
如以上说明的那样，本发明具有无论蓝宝石晶片的结晶缺陷的差异如何都能够良好地形成改质层的效果，特别是在对提供方的厂家不同的蓝宝石晶片进行激光加工的蓝宝石晶片的加工方法和激光加工装置中有用。

Claims (2)

1.一种蓝宝石晶片的加工方法，对蓝宝石晶片进行加工，该蓝宝石晶片在正面上具有形成有多个器件和多条分割预定线的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该蓝宝石晶片的加工方法包含如下的步骤：
关系数据准备步骤，准备通过如下方式而得到的关系数据：将对于蓝宝石晶片具有透过性的波长的激光光线定位在种类不同的多个蓝宝石晶片的内部并按照规定的激光加工条件进行照射而在蓝宝石晶片内部形成改质层，使利用图像处理对所拍摄的该改质层的形成状态进行了数值化而得的改质层形成率和最佳激光加工条件按照蓝宝石晶片的每个种类对应起来；
外周剩余区域改质层形成步骤，在实施了该关系数据准备步骤之后，对于激光加工装置的卡盘工作台上表面上所保持的蓝宝石晶片，将对于蓝宝石晶片具有透过性的波长的激光光线定位在内部并按照该规定的激光加工条件对外周剩余区域进行照射，在该蓝宝石晶片内部形成改质层；
最佳激光加工条件选定步骤，在实施了该外周剩余区域改质层形成步骤之后，利用拍摄单元对所形成的改质层进行拍摄并利用图像处理计算出改质层形成率，根据该关系数据选定该蓝宝石晶片的种类和最佳激光加工条件；
激光光线照射步骤，按照所选定的该最佳激光加工条件沿着该蓝宝石晶片的该分割预定线照射激光光线，沿着该分割预定线形成改质层；以及
分割步骤，在实施了该激光光线照射步骤之后，对该蓝宝石晶片施加外力而以该改质层为起点沿着该分割预定线进行分割。
2.一种激光加工装置，其具有：
卡盘工作台，其对蓝宝石晶片进行保持，该蓝宝石晶片在正面上具有形成有多个器件和多条分割预定线的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域；
激光光线照射单元，其将对于该卡盘工作台所保持的蓝宝石晶片具有透过性的波长的激光光线照射至蓝宝石晶片的内部；
拍摄单元，其对该卡盘工作台所保持的蓝宝石晶片的正面进行拍摄；以及
控制单元，
其特征在于，
该激光加工装置具有存储单元，该存储单元对通过如下方式而得到的关系数据进行存储：对于种类不同的多个蓝宝石晶片，按照规定的激光加工条件将该激光光线定位在蓝宝石晶片的内部并进行照射而形成改质层，对该改质层进行拍摄，使利用图像处理对改质层的形成状态进行了数值化而得的改质层形成率和最佳激光加工条件按照蓝宝石晶片的每个种类对应起来，
当蓝宝石晶片被保持在该卡盘工作台上时，
该激光光线照射单元将对于蓝宝石晶片具有透过性的波长的激光光线定位在蓝宝石晶片的内部并按照该规定的激光加工条件对该外周剩余区域进行照射而在蓝宝石晶片内部形成改质层，
该拍摄单元对所形成的改质层形成区域进行拍摄，
该控制单元根据所拍摄的图像信息计算出改质层形成率，并根据该关系数据选定最佳激光加工条件，
该激光光线照射单元按照所选定的该最佳激光加工条件沿着蓝宝石晶片的该分割预定线照射激光光线。
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