TW201739558A - 藍寶石晶圓的加工方法及雷射加工裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為不論藍寶石晶圓的結晶缺陷之差異如何均良好地形成形質層。解決手段為藍寶石晶圓的加工方法，並做成下述之構成：具有相對於工作夾台上之藍寶石晶圓以預定之雷射加工條件來對外周剩餘區域照射雷射光線以測試加工改質層之步驟、從藍寶石晶圓的外周剩餘區域的改質層的拍攝圖像中算出改質層形成率，並從關係資料中選定已對在預定之加工條件下之雷射加工時的改質層形成率建立關聯的最佳雷射加工條件之步驟、及以最佳雷射加工條件沿著藍寶石晶圓的分割預定線照射雷射光線，而沿著分割預定線形成改質層之步驟。

Description

藍寶石晶圓的加工方法及雷射加工裝置
發明領域 本發明是有關於一種將藍寶石晶圓分割成一個個的器件晶片之藍寶石晶圓的加工方法及雷射加工裝置。
發明背景 藍寶石晶圓是在藍寶石基板的正面設置發光元件等之光器件而形成的。作為這種藍寶石晶圓的分割方法，已知的有沿著切割道照射雷射光線而在內部形成改質層之後，以改質層為起點來分割藍寶石晶圓之方法(參照例如專利文獻1)。改質層是利用藉由雷射光線之聚光所產生的多光子吸收而形成，並且改質層之形成部分與基板內的其他區域相比較會變得較脆弱。藉由在此強度已降低之改質層的附近賦予外力，就能沿著切割道將藍寶石晶圓分割成一個個的器件晶片。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2013-105847號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，藍寶石晶圓的純度標記未必會對應於結晶缺陷的比例(氧缺陷比例)。當藍寶石晶圓的供給源相異時，即使藍寶石晶圓的純度標記相同但是結晶缺陷的比例會相異，並且在藍寶石晶圓的氧的缺陷部位難以形成改質層。因此，在來自相異之供給源的藍寶石晶圓混合的情形下，即使以相同加工條件對藍寶石晶圓實施雷射加工，仍然會在改質層的形成狀況中形成差異，而無法良好地分割藍寶石晶圓。
本發明是有鑒於上述點而作成的發明，其目的在於提供一種不論藍寶石晶圓的結晶缺陷之差異如何，均能夠良好地形成形質層之藍寶石晶圓的加工方法及雷射加工裝置。 用以解決課題之手段
本發明的藍寶石晶圓的加工方法，是對在正面具有器件區域及圍繞該器件區域的外周剩餘區域之藍寶石晶圓進行加工，且該器件區域形成有複數個器件及複數條分割預定線，該藍寶石晶圓的加工方法包含： 關係資料準備步驟，準備已將改質層形成率和最佳雷射加工條件按每種藍寶石晶圓的種類建立關聯的關係資料，該改質層形成率是將對藍寶石晶圓具有穿透性之波長的雷射光線定位在種類相異的複數個藍寶石晶圓的內部，並以預定之雷射加工條件照射而在藍寶石晶圓的內部形成改質層，且將所拍攝之該改質層的形成狀態以圖像處理進行數值化而成； 外周剩餘區域改質層形成步驟，實施該關係資料準備步驟之後，對保持在雷射加工裝置之工作夾台上表面的藍寶石晶圓，將對藍寶石晶圓具有穿透性之波長的雷射光線定位在內部並以該預定之雷射加工條件照射外周剩餘區域，以在該藍寶石晶圓內部形成改質層； 最佳雷射加工條件選定步驟，實施該外周剩餘區域改質層形成步驟之後，藉由攝像設備拍攝已形成之改質層並以圖像處理算出改質層形成率，且根據該關係資料選定該藍寶石晶圓的種類及最佳雷射加工條件； 雷射光線照射步驟，以已選定之該最佳雷射加工條件沿著該藍寶石晶圓的該分割預定線照射雷射光線，以沿著該分割預定線形成改質層；及 分割步驟，實施該雷射光線照射步驟之後，對該藍寶石晶圓賦予外力，以將該改質層作為起點而沿著該分割預定線進行分割。
本發明的雷射加工裝置，具備有工作夾台、雷射光線照射設備、攝像設備與控制設備，該工作夾台是保持在正面具有器件區域及圍繞該器件區域的外周剩餘區域之藍寶石晶圓，且該器件區域形成有複數個器件及複數條分割預定線，該雷射光線照射設備是將對保持在該工作夾台之藍寶石晶圓具有穿透性之波長的雷射光線照射在藍寶石晶圓的內部，該攝像設備是拍攝保持在該工作夾台的藍寶石晶圓的正面，該雷射加工裝置的特徵在於具備儲存設備，該儲存設備是儲存已將改質層形成率和最佳雷射加工條件按每種藍寶石晶圓的種類建立關聯的關係資料，該改質層形成率是對種類相異的複數個藍寶石晶圓將該雷射光線以預定之雷射加工條件定位在藍寶石晶圓的內部並照射以形成改質層，並且拍攝該改質層且藉圖像辨識來將改質層的形成狀態進行數值化而成， 當將藍寶石晶圓保持在該工作夾台上時，該雷射光線照射設備會將對藍寶石晶圓具有穿透性之波長的雷射光線定位在藍寶石晶圓的內部，並以該預定之雷射加工條件對該外周剩餘區域照射，以在藍寶石晶圓內部形成改質層，該攝像設備會拍攝已形成之改質層形成區域，該控制設備是從所拍攝的圖像資訊中算出改質層形成率，並且根據該關係資料來選定最佳雷射加工條件，該雷射光線照射設備會以所選定之該最佳雷射加工條件，沿著藍寶石晶圓的該分割預定線照射雷射光線。
依據這些構成，可藉預定之雷射加工條件來將改質層形成率和最佳雷射加工條件按每種藍寶石晶圓的種類來建立關聯，以作為關係資料而事先儲存。以預定之雷射加工條件對藍寶石晶圓的外周剩餘區域測試加工改質層，並且將對於此藍寶石晶圓的預定之雷射加工條件下的改質層形成率算出。參照關係資料並從改質層形成率中選定藍寶石晶圓的種類與最佳適雷射加工條件，並且以最佳適雷射加工條件來沿著藍寶石晶圓的分割預定線進行雷射加工。由於所選定的是因應於藍寶石晶圓的結晶缺陷的差異之最佳雷射加工條件，所以不論藍寶石晶圓的結晶缺陷之差異如何，均能夠良好地形成改質層並分割成一個個的器件晶片。 發明效果
依據本發明，可將改質層形成率和最佳雷射加工條件按每種藍寶石晶圓的種類來建立關聯並儲存。因此，藉由對藍寶石晶圓測試加工改質層，能夠選定藍寶石晶圓的種類和最佳雷射加工條件，且不論藍寶石晶圓的結晶缺陷之差異如何均良好地形成改質層。
用以實施發明之形態 以下，參照附加圖式，說明本實施形態的雷射加工裝置。圖1是本實施形態之雷射加工裝置的立體圖。再者，以下所示之雷射加工裝置是顯示其中一例的加工裝置，並不限定於此構成。雷射加工裝置，只要是可適用於本實施形態的藍寶石晶圓的加工方法，亦可進行適當變更。
如圖1所示，雷射加工裝置1是構成為能夠使照射雷射光線的雷射光線照射設備40和已保持藍寶石晶圓W的工作夾台20相對移動，以雷射加工藍寶石晶圓W。於藍寶石晶圓W的正面上將複數條分割預定線L配置排列成格子狀，且在以分割預定線L所區劃出的各個區域中形成有LED(發光二極體(Light Emitting Diode))等的複數個器件(圖未示)。又，藍寶石晶圓W的正面會被區分成形成有複數個器件的器件區域A1和圍繞器件區域A1的外周剩餘區域A2。
又，於藍寶石晶圓W上貼附有保持膠帶T的中央部分，並且在保持膠帶T的外周部分貼附有環狀的框架F。藍寶石晶圓W是以透過保持膠帶T而被支撐在框架F上之狀態搬入雷射加工裝置1。
雷射加工裝置1的基台10上設置有使工作夾台20在X軸方向及Y軸方向上移動的工作夾台移動機構30。工作夾台移動機構30具有配置於基台10之平行於X軸方向之一對導軌31、和可滑動地設置在一對導軌31上之馬達驅動的X軸工作台33。又，工作夾台移動機構30具有配置於X軸工作台33的上表面之平行於Y軸方向的一對導軌32、和可滑動地設置在一對導軌32上之馬達驅動的Y軸工作台34。
X軸工作台33及Y軸工作台34的背面側，分別形成有圖未示之螺帽部，於這些螺帽部中螺合有滾珠螺桿35、36。並且，可藉由將連結到滾珠螺桿35、36之一端部的驅動馬達37、38旋轉驅動，而使工作夾台20沿著導軌31、32在X軸方向及Y軸方向上移動。又，Y軸工作台34上設有可保持藍寶石晶圓W的工作夾台20。工作夾台20的上表面形成有保持面21，且在工作夾台20的周圍設有可挾持固定藍寶石晶圓W之周圍的框架F之夾具部22。
工作夾台20的後方的立壁部11上突設有臂部12，並且於臂部12的前端將雷射光線照射設備40設置成與工作夾台20在上下方向上相向。在雷射光線照射設備40的加工頭41上會將由圖未示之振盪器所振盪產生的雷射光線(脈衝雷射)朝向被保持在工作夾台20上之藍寶石晶圓W照射。雷射光線是對藍寶石晶圓W具有穿透性之波長，並且藉由在藍寶石晶圓W之內部中將雷射光線聚光以形成脈衝痕。
藉由沿著分割預定線L連續地形成此脈衝痕，可在藍寶石晶圓W中形成作為分割起點的改質層55(參照圖3)。再者，所謂的脈衝痕意指從雷射光斑伸長的龜裂之情況。又，所謂改質層55，意指因為雷射光線的照射而使藍寶石晶圓W內部的密度、折射率、機械強度和其他物理特性變成與周圍不同的狀態，且使強度較周圍低的區域。改質層55可以是例如，熔融處理區域、裂痕(crack)區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域，也可以是混合了這些區域的區域。
於雷射光線照射設備40的側邊設置有可拍攝藍寶石晶圓W之正面的攝像設備42。可根據攝像設備42的拍攝圖像，校準加工頭41和藍寶石晶圓W。又，於雷射加工裝置1上設置有整合控制裝置各部的控制設備45、與儲存後述之關係資料的儲存設備46。控制設備45及儲存設備46是由實行各種處理之處理器與記憶體等所構成。記憶體是因應用途而由ROM(唯讀記憶體(Read Only Memory))、RAM(隨機存取記憶體(Random Access Memory))等的一個或複數個儲存媒體所構成。
然而，雖然於藍寶石晶圓W上標記有純度，但是即使是相同的純度標記，於每個供給源的製造商(每個種類)中，藍寶石晶圓W的結晶缺陷(亦即難以形成脈衝痕之缺氧部位)的比例仍會相異。因此，即使對於相同的純度標記的藍寶石晶圓W以相同的雷射加工條件來進行雷射加工，在藍寶石晶圓W之內部的改質層55(參照圖3)的形成狀況並不一定是相同的。雖然必須對藍寶石晶圓W選定適當的雷射加工條件，但是並無法做到以藍寶石晶圓W的純度標記來選定最佳雷射加工條件。
於是，在本實施形態的雷射加工裝置1中，作為用於選定雷射加工條件的參照資料，是事前先準備關係資料，該關係資料是將改質層形成率和最佳雷射加工條件按每個藍寶石晶圓W的種類建立關聯。然後，做成對藍寶石晶圓W測試加工改質層55(參照圖3)，並從測試加工時之改質層形成率來參照關係資料，以選定實際生產時之藍寶石晶圓W的種類與最佳雷射加工條件。據此，即使藍寶石晶圓的種類是隨機(random)的且結晶缺陷的比例相異，仍然能夠以最佳的雷射加工條件來良好地形成改質層55。
於此，詳細地說明雷射加工條件的選定方法。圖2是本實施形態之雷射加工條件的選定方法之說明圖。圖2A是顯示改質層形成區域的拍攝圖像之一例，而圖2B是顯示關係資料之一例。
如圖2A所示，於所拍攝之藍寶石晶圓W的改質層形成區域的拍攝圖像中，顯示有成一列地排列的複數個脈衝痕M。複數個脈衝痕M是藉由將攝像設備42(參照圖1)的焦點對準於沿著分割預定線L(參照圖1)以預定之雷射加工條件所形成的改質層55而進行拍攝。藍寶石晶圓W內的各脈衝痕M會由於光散射而顯示得較暗，所以藉由對於拍攝圖像施行2值化處理等的圖像處理，可將脈衝痕M作為黑像素而顯示。從該拍攝圖像內的黑像素的顯示狀況等中可算出相對於藍寶石晶圓W的形質層形成率(脈衝痕產生率)。
又，由於在藍寶石晶圓W的缺氧部位上並未形成脈衝痕M，所以會因應於結晶缺陷的比例而使改質層形成率改變。例如，在幾乎沒有結晶缺陷的藍寶石晶圓WA中，會在雷射光線的全部之照射部位上形成脈衝痕M並使改質層形成率成為100%。又，在結晶缺陷之比例較小的藍寶石晶圓WB中，在雷射光線的照射部位的一部分會形成脈衝痕M之缺漏而使改質層形成率成為80%。又，在結晶缺陷之比例較大的藍寶石晶圓WC中，在雷射光線的照射部位的大部分會形成脈衝痕M之缺漏而使改質層形成率成為40%。
像這樣，按每個藍寶石晶圓W的種類而使結晶缺陷的比例相異，並在因應於結晶缺陷的比例之改質層形成率上產生差異，而按每個藍寶石晶圓W的種類使最佳之雷射加工條件不同。因此，可於雷射加工裝置1的儲存設備46(參照圖1)中儲存有可以從改質層形成率中選定藍寶石晶圓W的種類與最佳雷射加工條件的關係資料。
如圖2B所示，關係資料是將以預定之雷射加工條件來加工之情形的改質層形成率、和對於此改質層形成率最佳之雷射加工條件，按每種藍寶石晶圓W的種類建立關聯而成之資料。例如，可對改質層形成率為95%以上、改質層形成率為80%以上且小於95%、改質層形成率為40%以上且小於80%、改質層形成率為小於40%，將各個藍寶石晶圓W的種類WA-WD與最佳雷射加工條件A-D建立關聯。再者，所謂的藍寶石晶圓W的種類，所包含的不僅是供給源的製造商的不同，還有藍寶石晶圓的厚度、實際的純度、製法等的不同。
又，所謂的最佳雷射加工條件，是指實際上對複數種藍寶石晶圓W進行雷射加工，而使改質層形成率成為100%之雷射加工條件。雷射加工條件是例如，將雷射加工條件A作為基準，並隨著改質層形成率變小，而設定成使雷射輸出變大，且使加工進給速度變慢。藉由參照關係資料，變得可從對任意之藍寶石晶圓W以預定之加工條件測試加工改質層55而求得的改質層形成率中，選定對於任意之藍寶石晶圓W的最佳雷射加工條件。
參照圖3至圖7，針對本實施形態的藍寶石晶圓的加工方法進行說明。各自顯示的有，圖3是關係資料準備步驟之一例，圖4是外周剩餘區域改質層形成步驟之一例，圖5是最佳雷射加工條件選定步驟之一例，圖6是雷射光線照射步驟之一例，圖7是分割步驟之一例。
如圖3所示，在藍寶石晶圓的加工前實施關係資料準備步驟。在關係資料準備步驟中，是準備種類相異之複數種藍寶石晶圓W，將雷射光線定位在各個藍寶石晶圓W的內部並照射，而以預定之雷射加工條件在藍寶石晶圓W的內部中形成改質層55。然後，以攝像設備42拍攝各藍寶石晶圓W的改質層形成區域，並且藉由控制設備45求出將拍攝圖像內之改質層55的形成狀態以圖像處理進行數值化而成改質層形成率。將改質層形成率與各藍寶石晶圓W的種類建立關聯而儲存到儲存設備46。
又，詳細內容雖然未圖示，但是可一邊改變雷射加工條件一邊反覆進行雷射加工，以決定對各個藍寶石晶圓W的種類之最佳雷射加工條件。將最佳雷射加工條件與改質層形成率一起和各藍寶石晶圓W的種類建立關聯並儲存到儲存設備46。像這樣進行，可將已將改質層形成率和雷射加工條件按每種藍寶石晶圓W的種類建立關聯之關係資料(參照圖2B)儲存到儲存設備46中。再者，改質層形成率只要可藉由拍攝圖像的圖像處理來算出即可，並不限於利用2值化處理的方法，也可以從例如以拍攝圖像和改質層形成率100%的基準影像之匹配(matching)處理而算出之相關值中算出。
如圖4所示，在關係資料準備步驟之後可實施外周剩餘區域改質層形成步驟。在外周剩餘區域改質層形成步驟中，是將藍寶石晶圓W保持在雷射加工裝置1(參照圖1)的工作夾台20(參照圖5)的上表面，並且將藍寶石晶圓W的周圍的框架F保持在夾具部22上。又，將加工頭41的照射口定位在藍寶石晶圓W的外周剩餘區域A2上，並且以預定之雷射加工條件將雷射光線照射在外周剩餘區域A2上。然後，藉由使加工頭41相對於藍寶石晶圓W相對移動，就能在藍寶石晶圓W的內部測試加工改質層55。
如圖5所示，在外周剩餘區域改質層形成步驟之後可實施最佳雷射加工條件選定步驟。在最佳雷射加工條件選定步驟中，是將攝像設備42定位在測試加工後的藍寶石晶圓W的外周剩餘區域A2的正上方，並將攝像設備42的焦點下調至藍寶石晶圓W內的改質層形成區域來拍攝。可藉由控制設備45來對外周剩餘區域A2的拍攝圖像施行圖像處理等，以算出藍寶石晶圓W的改質層形成率。然後，藉由控制設備45並根據上述之關係資料(參照圖2B)，可選定已對改質層形成率建立關聯之藍寶石晶圓W的種類和最佳雷射加工條件。
如圖6所示，在最佳雷射加工條件選定步驟之後可實施雷射光線照射步驟。在雷射光線照射步驟中，是將加工頭41的照射口定位在藍寶石晶圓W的分割預定線L(參照圖4)上，並以最佳雷射加工條件沿著分割預定線L照射雷射光線。然後，藉由使加工頭41相對於藍寶石晶圓W相對移動，就能沿著分割預定線L形成改質層55。藉由反覆進行此加工進給，就能沿著藍寶石晶圓W的全部的分割預定線L都形成改質層55。像這樣，能以因應於藍寶石晶圓W的種類之最佳雷射加工條件在藍寶石晶圓W上良好地形成改質層55。
如圖7所示，在雷射光線照射步驟之後可實施分割步驟。在分割步驟中，是將晶圓W載置在擴展裝置(圖未示)的擴張滾筒51上，並將藍寶石晶圓W的周圍之框架F保持在框架保持部52。此時，擴張滾筒51會比藍寶石晶圓W直徑更大，且使擴張滾筒51的外周邊緣從下側接觸於藍寶石晶圓W與框架F之間的保持膠帶T。然後，藉由使框架保持部52朝下降方向移動，就能使擴張滾筒51相對地被上推。
藉由使擴張滾筒51與框架保持部52相遠離，會將保持膠帶T在放射方向上擴張，並透過保持膠帶T對藍寶石晶圓W的改質層55賦予外力。藉此，將強度已降低之改質層55作為分割起點，而將藍寶石晶圓W分割成一個個的器件晶片C。像這樣，即使是在結晶缺陷之比例相異的藍寶石晶圓W混合的情形下，仍然能夠對一個個的藍寶石晶圓W以最佳雷射加工條件來形成改質層55，而良好地分割成一個個的器件晶片C。
如以上所述，在本實施形態的藍寶石晶圓的加工方法中，是將預定之雷射加工條件下的改質層形成率與最佳雷射加工條件按每個藍寶石晶圓W的種類建立關聯來作為關係資料而事前儲存。以預定之雷射加工條件對藍寶石晶圓W的外周剩餘區域A2測試加工改質層55，並且算出對於此藍寶石晶圓W之預定的雷射加工條件下的改質層形成率。參照關係資料並從改質層形成率中選定藍寶石晶圓W的種類和最佳雷射加工條件，並且以最佳適雷射加工條件來沿著藍寶石晶圓W的分割預定線L進行雷射加工。由於所選定的是因應於藍寶石晶圓W的結晶缺陷的差異之最佳雷射加工條件，所以不論藍寶石晶圓W的結晶缺陷之差異如何，均能夠良好地形成改質層55並分割成一個個的器件晶片。
再者，本發明並不受限於上述實施之形態，且可進行各種變更而實施。在上述實施形態中，關於在附圖所圖示的大小與形狀等，並不受限於此，並可在能發揮本發明的效果的範圍內作適當變更。另外，只要不脫離本發明的目的之範圍，均可以作適當的變更而實施。
例如，在上述之實施形態中，於分割步驟中，雖然是做成藉由保持膠帶的擴展來分割藍寶石晶圓W之構成，但是並不限定於此構成。分割步驟中只要可對藍寶石晶圓W賦予外力來將改質層55作為起點而沿著分割預定線L分割即可。也可以例如藉由斷裂(breaking)來分割藍寶石晶圓W，也可以藉由對改質層形成後之藍寶石晶圓W施加磨削負荷之SDBG(Stealth　Dicing　Before　Grinding(隱形切割後研磨))來分割藍寶石晶圓W。
又，上述之實施形態中，雖然是做成使雷射加工裝置1自動地實施最佳雷射加工條件選定步驟之構成，但是並不限定於此構成。最佳雷射加工條件選定步驟，也可以是操作人員參照關係資料，並使操作人員選定最佳雷射加工條件。
又，在上述之實施形態中，雖然是做成關係資料是將改質層形成率、最佳雷射加工條件、藍寶石晶圓W的種類建立關聯之構成，但是並不限定於此構成。關連資料，只要至少將改質層形成率與最佳雷射加工條件建立關聯即可，亦可將其他的參數(parameter)建立關聯。
又，在上述之實施形態中，雖然是將藍寶石晶圓W的加工方法做成針對純度標記大致相同之藍寶石晶圓W適用之構成，但是並不限定於此構成。藍寶石晶圓W的加工方法，即使是對純度標記明顯相異之藍寶石晶圓也能夠適用。
又，上述之實施形態中，雖然是將最佳雷射加工條件設成使改質層形成率成為100%之雷射加工條件來說明，但是並不限定於此構成。最佳雷射加工條件，只要是能夠分割藍寶石晶圓的改質層形成率即可，亦可為例如使改質層形成率成為90%以上之雷射加工條件。 産業上之可利用性
如以上所說明地，本發明具有不論藍寶石晶圓的結晶缺陷之差異如何均能夠良好地形成形質層的效果，特別是在對供給源的製造商相異的藍寶石晶圓進行雷射加工的藍寶石晶圓的加工方法及雷射加工裝置上是有用的。
1‧‧‧雷射加工裝置
10‧‧‧基台
11‧‧‧立壁部
12‧‧‧臂部
20‧‧‧工作夾台
21‧‧‧保持面
22‧‧‧夾具部
30‧‧‧工作夾台移動機構
31、32‧‧‧導軌
33‧‧‧X軸工作台
34‧‧‧Y軸工作台
35、36‧‧‧滾珠螺桿
37、38‧‧‧驅動馬達
40‧‧‧雷射光線照射設備
41‧‧‧加工頭
42‧‧‧攝像設備
45‧‧‧控制設備
46‧‧‧儲存設備
51‧‧‧擴張滾筒
52‧‧‧框架保持部
55‧‧‧改質層
A、B、C、D‧‧‧最佳雷射加工條件
A1‧‧‧器件區域
A2‧‧‧外周剩餘區域
F‧‧‧框架
L‧‧‧分割預定線
M‧‧‧脈衝痕
T‧‧‧保持膠帶
W、WA、WB、WC、WD‧‧‧藍寶石晶圓
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是本實施形態之雷射加工裝置的立體圖。 圖2之2A-2B是本實施形態之雷射加工條件的選定方法之說明圖。 圖3是顯示本實施形態之關係資料準備步驟之一例的圖。 圖4是顯示本實施形態之外周剩餘區域改質層形成步驟之一例的圖。 圖5是顯示本實施形態之最佳雷射加工條件選定步驟之一例的圖。 圖6是顯示本實施形態的雷射光線照射步驟之一例的圖。 圖7是顯示本實施形態的分割步驟之一例的圖。
M‧‧‧脈衝痕
55‧‧‧改質層
WA、WB、WC、WD‧‧‧藍寶石晶圓
A、B、C、D‧‧‧最佳雷射加工條件

Claims (2)

  1. 一種藍寶石晶圓的加工方法， 是對在正面具有器件區域及圍繞該器件區域的外周剩餘區域之藍寶石晶圓進行加工，且該器件區域形成有複數個器件及複數條分割預定線，該藍寶石晶圓的加工方法包含： 關係資料準備步驟，準備已將改質層形成率和最佳雷射加工條件按每種藍寶石晶圓的種類建立關聯的關係資料，該改質層形成率是將對藍寶石晶圓具有穿透性之波長的雷射光線定位在種類相異的複數個藍寶石晶圓的內部，並以預定之雷射加工條件照射而在藍寶石晶圓的內部形成改質層，且將所拍攝之該改質層的形成狀態以圖像處理進行數值化而成； 外周剩餘區域改質層形成步驟，實施該關係資料準備步驟之後，對保持在雷射加工裝置之工作夾台上表面的藍寶石晶圓，將對藍寶石晶圓具有穿透性之波長的雷射光線定位在內部並以該預定之雷射加工條件照射於外周剩餘區域，以在該藍寶石晶圓內部形成改質層； 最佳雷射加工條件選定步驟，實施該外周剩餘區域改質層形成步驟之後，藉由攝像設備拍攝已形成之改質層並以圖像處理算出改質層形成率，且根據該關係資料選定該藍寶石晶圓的種類及最佳雷射加工條件； 雷射光線照射步驟，以已選定之該最佳雷射加工條件沿著該藍寶石晶圓的該分割預定線照射雷射光線，以沿著該分割預定線形成改質層；及 分割步驟，實施該雷射光線照射步驟之後，對該藍寶石晶圓賦予外力，以將該改質層作為起點而沿著該分割預定線進行分割。
  2. 一種雷射加工裝置，具備： 工作夾台，保持在正面具有器件區域及圍繞該器件區域的外周剩餘區域之藍寶石晶圓，且該器件區域形成有複數個器件及複數條分割預定線； 雷射光線照射設備，將對保持在該工作夾台之藍寶石晶圓具有穿透性之波長的雷射光線照射在藍寶石晶圓的內部； 攝像設備，拍攝保持在該工作夾台的藍寶石晶圓的正面；及 控制設備， 該雷射加工裝置的特徵在於具備儲存設備，該儲存設備是儲存已將改質層形成率和最佳雷射加工條件按每種藍寶石晶圓的種類建立關聯的關係資料，該改質層形成率是對種類相異的複數個藍寶石晶圓將該雷射光線以預定之雷射加工條件定位在藍寶石晶圓的內部並照射以形成改質層，且拍攝該改質層並藉圖像辨識來將改質層的形成狀態進行數值化而成， 當將藍寶石晶圓保持在該工作夾台上時， 該雷射光線照射設備會將對藍寶石晶圓具有穿透性之波長的雷射光線定位在藍寶石晶圓的內部，並以該預定之雷射加工條件對該外周剩餘區域照射，以在藍寶石晶圓內部形成改質層， 該攝像設備會拍攝已形成之改質層形成區域， 該控制設備是從所拍攝的圖像資訊中算出改質層形成率，並且根據該關係資料來選定最佳雷射加工條件， 該雷射光線照射設備會以所選定之該最佳雷射加工條件，沿著藍寶石晶圓的該分割預定線照射雷射光線。
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