CN107283078A - 晶片生成方法和加工进给方向检测方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片生成方法和加工进给方向检测方法，实现了生产性的提高。晶片的生成方法包含加工进给方向检测工序，该加工进给方向检测工序对c轴的倾斜方向与第2定向平面是否呈直角进行确认，检测与c轴的倾斜方向呈直角的加工进给方向。加工进给方向检测工序包含如下工的序：采样工序，在与第2定向平面平行的方向和以第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别实施样本照射，形成多个样本强度降低部，该样本照射对锭照射激光光线；以及确定工序，对样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。

Description

晶片生成方法和加工进给方向检测方法
技术领域
本发明涉及从单晶SiC锭生成晶片的晶片生成方法以及从单晶SiC锭生成晶片时对加工进给方向进行检测的加工进给方向检测方法，其中，该加工进给方向与c轴的倾斜方向呈直角。
背景技术
IC或LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的上表面上层叠功能层并通过分割预定线划分而形成的。并且，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的上表面上层叠功能层并通过分割预定线划分而形成的。通过切削装置或激光加工装置对分割预定线实施加工而将晶片分割成各个器件。然后，将各器件应用于移动电话或个人计算机等电子设备。
形成有器件的晶片一般是利用线切割机将圆柱形的锭较薄地切断而生成的。对切断得到的晶片的上表面和下表面进行研磨而精加工成镜面(参照专利文献1。)。然而，当利用线切割机将锭切断并对切断得到的晶片的上表面和下表面进行研磨时，锭的大部分(70～80％)被舍弃，存在不经济的问题。特别是在单晶SiC锭中，硬度较高因而利用线切割机进行的切断很困难，需要相当长的时间，所以生产性较差，并且锭的单价较高因而在高效地生成晶片方面存在课题。
因此，提出了如下的技术方案：将聚光点定位在SiC锭的内部，对SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线从而在切断预定面上形成改质层，将形成有改质层的切断预定面切断而从SiC锭生成晶片(参照专利文献2。)。但是，要想从SiC锭生成晶片，必须相邻地形成多个改质层，存在生产性较差的问题。
专利文献1：日本特开2000-94221号公报
专利文献2：日本特开2013-49161号公报
发明内容
鉴于上述事实而完成的本发明的第1课题在于提供晶片生成方法，实现生产性的提高。
本发明的第2课题在于提供加工进给方向检测方法，使实现生产性提高的晶片生成方法的实施成为可能。
根据本发明的一个侧面，提供一种晶片生成方法，从圆柱形的单晶SiC锭生成晶片，该单晶SiC锭具有圆筒形的周面和圆形的上表面，在该周面上形成有第1定向平面和第2定向平面，该第2定向平面比该第1定向平面短而且与该第1定向平面垂直，在该单晶SiC锭中，c轴相对于与该上表面垂直的垂直轴朝向该第2定向平面倾斜，在该第2定向平面侧具有c面与该上表面所呈的偏离角，该c面与c轴垂直，其中，该晶片生成方法具有如下的工序：加工进给方向检测工序，对该c轴的倾斜方向与该第2定向平面是否呈直角进行确认，检测与该c轴的倾斜方向呈直角的加工进给方向；强度降低部形成工序，将激光光线的聚光点定位在距离该上表面的深度相当于要生成的晶片的厚度的位置，一边使该单晶SiC锭与该聚光点在通过该加工进给方向检测工序检测出的所述加工进给方向上相对地移动，一边对该单晶SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线，从而在相当于要生成的晶片的厚度的深度形成直线状的强度降低部，该强度降低部由与该上表面平行的改质层和从该改质层沿着该c面伸长的裂纹构成，剥离面形成工序，在与该加工进给方向垂直的方向上隔开规定的间隔多次实施该强度降低部形成工序，从而形成剥离面；以及晶片生成工序，在实施了该剥离面形成工序之后，以该剥离面为界面将该单晶SiC锭的一部分剥离而生成晶片，所述加工进给方向检测工序包含如下的工序：采样工序，在与该第2定向平面平行的方向和以该第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别进行样本照射，从而形成多个直线状的样本强度降低部，该样本强度降低部由与该上表面平行的改质层和从该改质层沿着该c面伸长的裂纹构成，其中，该样本照射将聚光点定位在距离该上表面规定的深度的位置，一边使该单晶SiC锭与该聚光点相对地移动，一边对该单晶SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线；以及确定工序，通过拍摄单元对该多个样本强度降低部各自进行拍摄，根据该拍摄单元所拍摄的图像对该多个样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。
根据本发明的另一侧面，提供一种加工进给方向检测方法，对从圆柱形的单晶SiC锭生成晶片时的加工进给方向进行检测，该单晶SiC锭具有圆筒形的周面和圆形的上表面，在该周面上形成有第1定向平面和第2定向平面，该第2定向平面比该第1定向平面短而且与该第1定向平面垂直，在该单晶SiC锭中，c轴相对于与该上表面垂直的垂直轴朝向该第2定向平面倾斜，在该第2定向平面侧具有c面与该上表面所呈的偏离角，该c面与该c轴垂直，其中，该加工进给方向检测方法具有如下的工序：采样工序，在与该第2定向平面平行的方向和以该第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别进行样本照射，从而形成多个直线状的样本强度降低部，该样本强度降低部由与该上表面平行的改质层和从该改质层沿着该c面伸长的裂纹构成，其中，该样本照射将聚光点定位在距离该上表面规定的深度的位置，一边使该单晶SiC锭与该聚光点相对地移动，一边对该单晶SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线；以及确定工序，通过拍摄单元对该多个样本强度降低部各自进行拍摄，根据该拍摄单元所拍摄的图像对该多个样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。
根据本发明的晶片生成方法，能够通过以剥离面为界面将单晶SiC锭的一部分剥离而生成希望的厚度的晶片。因此，在本发明的晶片生成方法中，能够从单晶SiC锭高效地生成晶片，并且能够减少所舍弃的原材料量，能够实现生产性的提高。
根据本发明的加工进给方向检测方法，由于将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向，所以能够使加工进给方向与c轴的倾斜方向呈直角。因此，当从单晶SiC锭生成晶片时，能够可靠地形成品质较高的剥离面。
附图说明
图1是激光加工装置的立体图。
图2是示出图1所示的激光加工装置的电气结构的框图。
图3的(a)和(b)是单晶SiC锭的俯视图和主视图。
图4的(a)和(b)是示出执行第2定向平面检测工序的采样工序的状态的立体图。
图5的(a)和(b)是示出执行了采样工序后的单晶SiC锭的俯视图和多个样本强度降低部的示意图。
图6是示出实施剥离面形成工序的状态的立体图。
图7的(a)和(b)是形成有剥离面的单晶SiC锭的俯视图和剖视图。
图8是示出实施晶片生成工序的状态的立体图。
标号说明
60：单晶SiC锭；62：周面；64：上表面；66：下表面；68：第1定向平面；70：第2定向平面；72：垂直轴；74：样本强度降低部；76：样本强度降低部的改质层；78：样本强度降低部的裂纹；80：节；82：强度降低部；84：强度降低部的改质层；86：强度降低部的裂纹；88：晶片；L1：第1定向平面的长度；L2：第2定向平面的长度；α：偏离角；A：c轴的倾斜方向。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对本发明的晶片生成方法和第2定向平面检测方法的实施方式进行说明。
图1所示的激光加工装置2具有：基台4；对被加工物进行保持的保持单元6；使保持单元6移动的移动单元8；激光光线照射单元10；拍摄单元12；显示单元14；剥离单元16；以及控制单元18。
保持单元6包含：矩形的X方向可动板20，其在X方向上自由移动地搭载在基台4上；矩形的Y方向可动板22，其在Y方向上自由移动地搭载在X方向可动板20上；以及圆筒形的卡盘工作台24，其自由旋转地搭载在Y方向可动板22的上表面上。另外，X方向是图1中箭头X所示的方向，Y方向是图1中箭头Y所示的方向，是与X方向垂直的方向。X方向和Y方向所规定的平面是实际上水平的。
移动单元8包含X方向移动单元26、Y方向移动单元28以及旋转单元(未图示。)。X方向移动单元26具有：滚珠丝杠30，其在基台4上在X方向上延伸；以及电动机32，其与滚珠丝杠30的一端部连结。滚珠丝杠30的螺母部(未图示。)固定在X方向可动板20的下表面上。并且X方向移动单元26通过滚珠丝杠30将电动机32的旋转运动转换成直线运动而传递到X方向可动板20，使X方向可动板20沿着基台4上的导轨4a在X方向上进退。Y方向移动单元28具有：滚珠丝杠34，其在X方向可动板20上沿Y方向延伸；以及电动机36，其与滚珠丝杠34的一端部连结。滚珠丝杠34的螺母部(未图示。)固定在Y方向可动板22的下表面上。并且Y方向移动单元28通过滚珠丝杠34将电动机36的旋转运动转换成直线运动而传递到Y方向可动板22，使Y方向可动板22沿着X方向可动板20上的导轨20a在Y方向上进退。旋转单元具有内设在卡盘工作台24中的电动机(未图示。)而使卡盘工作台24相对于Y方向可动板22旋转。
激光光线照射单元10包含：壳体38，其从基台4的上表面向上方延伸随后实际上水平延伸；脉冲激光光线振荡单元(未图示。)，其内设在壳体38中；聚光器40，其配置在壳体38的前端下表面上；以及聚光点位置调整单元(未图示。)。脉冲激光光线振荡单元具有(均未图示。)：脉冲激光光线振荡器；用于对脉冲激光光线的输出进行调整的输出调整单元；以及用于对脉冲激光光线的重复频率进行设定的设定单元。聚光器40具有聚光透镜(未图示。)，该聚光透镜用于对从脉冲激光光线振荡单元振荡出的脉冲激光光线进行会聚。
拍摄单元12与聚光器40在X方向上隔开间隔而附设在壳体38的前端下表面上。拍摄单元12包含(均未图示。)：拍摄元件(CCD)，其通过可见光线来进行拍摄；红外线照射单元，其对被加工物照射红外线；光学系统，其捕捉由红外线照射单元照射的红外线；以及拍摄元件(红外线CCD)，其输出与光学系统所捕捉的红外线对应的电信号。显示单元14对拍摄单元12所拍摄的图像进行显示，该显示单元14搭载在壳体38的前端上表面上。
剥离单元16包含：壳体42，其从基台4上的导轨4a的终端部向上方延伸；以及臂44，其在Z方向上自由移动地与壳体42连结，从基端沿X方向延伸。在壳体42中内设有使臂44在Z方向上进退的Z方向移动单元(未图示。)。在臂44的前端附设有电动机46。电动机46的下表面与圆盘状的吸附片48连结，该吸附片48以沿Z方向延伸的轴线为中心而自由旋转。在吸附片48的下表面(吸附面)上形成有多个吸引孔(未图示。)，该多个吸引孔通过流路而与吸引单元(未图示。)连接。并且在吸附片48中内设有对下表面施加超声波振动的超声波振动施加单元(未图示。)。另外，Z方向是在图1中箭头Z所示的方向，是与X方向和Y方向垂直的方向。
如图2所示，由计算机构成的控制单元18包含：中央处理装置(CPU)50，其根据控制程序来进行运算处理；只读存储器(ROM)52，其对控制程序等进行储存；以及能够读写的随机存取存储器(RAM)54，其对运算结果等进行储存。控制单元18与移动单元8、激光光线照射单元10、拍摄单元12、显示单元14和剥离单元16电连接，对它们的动作进行控制。
图3所示的六方单晶SiC锭60(以下称为“锭60”。)是圆柱形，具有圆筒形的周面62、圆形的上表面64和下表面66。在周面62上形成有表示结晶方位的矩形的第1定向平面68和第2定向平面70。从与上表面64垂直的垂直轴72的方向看，第2定向平面70的长度L2比第1定向平面68的长度L1短(L2<L1)。并且，第1定向平面68与第2定向平面70垂直。在锭60中，c轴(<0001>方向)相对于垂直轴72朝向第2定向平面70倾斜(以箭头A示出c轴的倾斜方向。)，并且在第2定向平面70侧具有c面({0001}面)与上表面64所呈的偏离角α，该c面与c轴垂直。这里，在六方单晶SiC锭60中，通常第2定向平面70与c轴的倾斜方向A形成为直角。
以下，说明使用了激光加工装置的本发明实施方式的晶片生成方法和对生成晶片时的加工进给方向进行检测的加工进给方向检测方法。首先，使粘接剂(例如，环氧树脂类粘接剂)介于锭60的下表面66与卡盘工作台24的上表面之间，如图1所示，将锭60固定在卡盘工作台24上。
在将锭60固定在卡盘工作台24上之后，实施对准工序。在对准工序中，首先，通过移动单元8使卡盘工作台24移动至拍摄单元12的下方，通过拍摄单元12对锭60进行拍摄。接着，根据拍摄单元12所拍摄得到的锭60的图像检测第1定向平面68和第2定向平面70，并且通过移动单元8使卡盘工作台24移动和旋转，进行锭60与聚光器40的对位。接着，通过聚光点位置调整单元使聚光器40在Z方向上移动，将脉冲激光光线的聚光点调整至距离上表面64规定的深度的位置(深度相当于要生成的晶片的厚度的位置)。
在实施了对准工序之后，实施加工进给方向检测工序，对c轴的倾斜方向A与第2定向平面70是否呈直角进行确认，并检测当从锭生成晶片时与c轴的倾斜方向A呈直角的加工进给方向。加工进给方向检测工序包含采样工序和确定工序。如图4所示，在采样工序中，一边通过X方向移动单元26使卡盘工作台24以规定的加工进给速度在X方向上移动，一边进行从聚光器40对锭60照射对于SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的样本照射，从而形成与上表面64平行的直线状的样本强度降低部74。通过移动单元8使卡盘工作台24移动和旋转，在与第2定向平面70平行的方向和以第2定向平面70为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度(例如0.5度)的多个方向上分别进行样本照射。样本照射例如能够在以下的加工条件下进行。另外，下述离焦量(defocus)是从将激光光线的聚光点定位于上表面64的状态使聚光器40朝向上表面64移动的移动量。
激光光线的波长：1064nm
重复频率：80kHz
平均输出：3.2W
脉冲宽度：3ns
聚光光斑直径：φ10μm
聚光透镜的数值孔径(NA)：0.65
加工进给速度：150mm/s
离焦量：90μm
在加工进给方向检测工序中，在进行了采样工序之后，进行确定工序。在确定工序中，首先，通过移动单元8使卡盘工作台24移动至拍摄单元12的下方，通过拍摄单元12对各样本强度降低部74进行拍摄。如图5所示，各样本强度降低部74由改质层76和从改质层76沿着c面在改质层76的两侧传播的裂纹78构成。在图5中，以形成在与第2定向平面70平行的方向上的样本强度降低部74为基准(0度)，对从上表面64侧看绕顺时针倾斜形成的样本强度降低部74都标注“-”倾斜角度，对从上表面64侧看绕逆时针倾斜形成的样本强度降低部74都标注“+”倾斜角度。并且，在显示单元14的画面上显示拍摄单元12所拍摄得到的图像，根据该图像对各样本强度降低部74的每单位长度(例如为10mm)中存在的节80的个数进行计测，将节80的个数为0个的样本强度降低部74的延伸方向(在本实施方式中为-3度的方向)确定为加工进给方向。
以这种方式确定的加工进给方向在与锭的c轴严格呈直角的方向上伸长。即，虽然第2定向平面70应该形成为与加工进给方向平行，但实际上以偏移3度的方式形成。本发明者发现了如下情况：关于与加工进给方向平行的样本强度降低部74，在同一c面上形成改质层76和裂纹78因而成为不存在节80的连续的样本强度降低部74，另一方面，关于不与加工进给方向平行的样本强度降低部74，横跨按照原子级相邻的两个c面而移动激光光线的聚光点因而在改质层76和裂纹78中产生断层而形成有节80。因此，在加工进给方向检测工序中，由于将节80的个数为0个的样本强度降低部74所延伸的方向确定为加工进给方向，所以能够对c轴的倾斜方向A与第2定向平面70是否呈直角进行确认，并且能够检测与c轴的倾斜方向A严格呈直角的加工进给方向。
在实施了加工进给方向检测工序之后，实施剥离面形成工序。在剥离面形成工序中，首先，通过移动单元8使卡盘工作台24移动和旋转，使从上表面64侧看相对于第2定向平面70绕顺时针倾斜3度的方向与X方向匹配，并且进行锭60与聚光器40的对位。接着，通过聚光点位置调整单元使聚光器40在Z方向上移动，将聚光点调整至距离上表面64的深度相当于要生成的晶片的厚度的位置。接着，如图6所示，一边通过X方向移动单元26使卡盘工作台24以规定的加工进给速度在X方向上移动，一边进行如下的强度降低部形成加工：从聚光器40对锭60照射对于SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线而形成直线状的强度降低部82。通过Y方向移动单元28对卡盘工作台24在Y方向上按照规定的量进行转位进给，从而在c轴的倾斜方向A上隔开间隔地多次进行强度降低部形成加工。这样的剥离面形成工序能够通过例如以下的加工条件来实施。
激光光线的波长：1064nm
重复频率：80kHz
平均输出：3.2W
脉冲宽度：3ns
聚光光斑直径：φ10μm
聚光透镜的数值孔径(NA)：0.65
转位量：500μm
加工进给速度：150mm/s
离焦量：90μm
如图7所示，各强度降低部82由改质层84和裂纹86构成，该各强度降低部82是通过强度降低部形成加工在深度相当于要生成的晶片的厚度的位置形成的。由于各强度降低部82与上表面64平行，所以各强度降低部82的改质层84位于同一c面上。并且，当在锭60的内部形成改质层84时，裂纹86从改质层84沿着c面在改质层84的两侧传播。在改质层84的一侧传播的裂纹86的长度为250μm左右，即裂纹86的长度Lc为500μm左右。因此在剥离面形成工序中，即使如上述那样将Y方向的转位量Li设为500μm左右，也会在深度相当于要生成的晶片的厚度的位置形成剥离面。
在实施了剥离面形成工序之后，实施晶片生成工序。在晶片生成工序中，首先，通过移动单元8使卡盘工作台24移动至吸附片48的下方。接着，通过Z方向移动单元使臂44下降，如图8所示，使吸附片48的下表面与锭60的上表面紧贴。接着，使吸引单元进行动作，将锭60的上表面吸附在吸附片48的下表面上。接着，使超声波振动施加单元进行动作，对吸附片48的下表面施加超声波振动，并且使电动机46进行动作而使吸附片48旋转。由此，能够以剥离面为界面将锭60的一部分剥离，并能够高效地生成希望的厚度的晶片88。在生成了晶片88之后，通过设置在基台4上的研磨单元(未图示。)对锭60的上表面进行研磨，依次实施剥离面形成工序和晶片生成工序，从而能够从锭60生成多个晶片，因此能够减少所舍弃的原材料量，实现生产性的提高。另外，由于加工进给方向检测工序在生成最初的晶片88时实施，所以不需要对同一锭60重复实施。

Claims (2)

1.一种晶片生成方法，从圆柱形的单晶SiC锭生成晶片，该单晶SiC锭具有圆筒形的周面和圆形的上表面，在该周面上形成有第1定向平面和第2定向平面，该第2定向平面比该第1定向平面短而且与该第1定向平面垂直，在该单晶SiC锭中，c轴相对于与该上表面垂直的垂直轴朝向该第2定向平面倾斜，在该第2定向平面侧具有c面与该上表面所呈的偏离角，该c面与c轴垂直，其中，该晶片生成方法具有如下的工序：
加工进给方向检测工序，对该c轴的倾斜方向与该第2定向平面是否呈直角进行确认，检测与该c轴的倾斜方向呈直角的加工进给方向；
强度降低部形成工序，将激光光线的聚光点定位在距离该上表面的深度相当于要生成的晶片的厚度的位置，一边使该单晶SiC锭与该聚光点在通过该加工进给方向检测工序检测出的所述加工进给方向上相对地移动，一边对该单晶SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线，从而在相当于要生成的晶片的厚度的深度形成直线状的强度降低部，该强度降低部由与该上表面平行的改质层和从该改质层沿着该c面伸长的裂纹构成，
剥离面形成工序，在与该加工进给方向垂直的方向上隔开规定的间隔多次实施该强度降低部形成工序，从而形成剥离面；以及
晶片生成工序，在实施了该剥离面形成工序之后，以该剥离面为界面将该单晶SiC锭的一部分剥离而生成晶片，
所述加工进给方向检测工序包含如下的工序：
采样工序，在与该第2定向平面平行的方向和以该第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别进行样本照射，从而形成多个直线状的样本强度降低部，该样本强度降低部由与该上表面平行的改质层和从该改质层沿着该c面伸长的裂纹构成，其中，该样本照射将聚光点定位在距离该上表面规定的深度的位置，一边使该单晶SiC锭与该聚光点相对地移动，一边对该单晶SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线；以及
确定工序，通过拍摄单元对该多个样本强度降低部各自进行拍摄，根据该拍摄单元所拍摄的图像对该多个样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。
2.一种加工进给方向检测方法，对从圆柱形的单晶SiC锭生成晶片时的加工进给方向进行检测，该单晶SiC锭具有圆筒形的周面和圆形的上表面，在该周面上形成有第1定向平面和第2定向平面，该第2定向平面比该第1定向平面短而且与该第1定向平面垂直，在该单晶SiC锭中，c轴相对于与该上表面垂直的垂直轴朝向该第2定向平面倾斜，在该第2定向平面侧具有c面与该上表面所呈的偏离角，该c面与该c轴垂直，其中，该加工进给方向检测方法具有如下的工序：
采样工序，在与该第2定向平面平行的方向和以该第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别进行样本照射，从而形成多个直线状的样本强度降低部，该样本强度降低部由与该上表面平行的改质层和从该改质层沿着该c面伸长的裂纹构成，其中，该样本照射将聚光点定位在距离该上表面规定的深度的位置，一边使该单晶SiC锭与该聚光点相对地移动，一边对该单晶SiC锭照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线；以及
确定工序，通过拍摄单元对该多个样本强度降低部各自进行拍摄，根据该拍摄单元所拍摄的图像对该多个样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110310887A (zh) * 2018-03-27 2019-10-08 株式会社迪思科 晶片的生成方法和晶片的生成装置
CN110391585A (zh) * 2018-04-18 2019-10-29 松下知识产权经营株式会社 Iii族氮化物半导体基板及其制造方法
CN110576521A (zh) * 2018-05-22 2019-12-17 半导体元件工业有限责任公司 半导体衬底切割系统及相关方法
CN111727492A (zh) * 2018-02-20 2020-09-29 西尔特克特拉有限责任公司 用于在固体中产生短的亚临界裂纹的方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012110971A1 (de) * 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP7034683B2 (ja) * 2017-11-29 2022-03-14 株式会社ディスコ 剥離装置
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
DE102018003675A1 (de) 2018-05-04 2019-11-07 Siltectra Gmbh Verfahren zum Abtrennen von Festkörperschichten von Kompositstrukturen aus SiC und einer metallischen Beschichtung oder elektrischen Bauteilen
US11121035B2 (en) 2018-05-22 2021-09-14 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US20190363018A1 (en) 2018-05-24 2019-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods
US10468304B1 (en) 2018-05-31 2019-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US11830771B2 (en) 2018-05-31 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US11309191B2 (en) 2018-08-07 2022-04-19 Siltectra Gmbh Method for modifying substrates based on crystal lattice dislocation density
JP7128067B2 (ja) * 2018-09-14 2022-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) * 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7330771B2 (ja) 2019-06-14 2023-08-22 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP2021034680A (ja) * 2019-08-29 2021-03-01 中村留精密工業株式会社 レーザースライシング装置及びそれを用いたスライシング方法
JP7321888B2 (ja) * 2019-10-24 2023-08-07 株式会社ディスコ ＳｉＣインゴットの加工方法およびレーザー加工装置
CN110963690A (zh) * 2020-01-15 2020-04-07 闫凤杰 一种玻璃加工用裁切装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1529647A (zh) * 2001-06-13 2004-09-15 用于确定晶面相对于晶体表面定向的设备和方法以及用于在切割机内切割单晶体的设备和方法
US20050217560A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tolchinsky Peter G Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same
CN101130265A (zh) * 2006-08-22 2008-02-27 北京有色金属研究总院 内圆切片机切割水平砷化镓单晶片的工艺
CN101537666A (zh) * 2009-03-09 2009-09-23 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 大偏角籽晶的加工方法
CN101597795A (zh) * 2008-06-04 2009-12-09 硅电子股份公司 具有<110>晶体取向的经外延涂布的硅晶片及其制造方法
CN102181916A (zh) * 2011-03-29 2011-09-14 浙江晨方光电科技有限公司 一种提高n型111晶向电阻率均匀性的方法
CN102753737A (zh) * 2010-03-05 2012-10-24 并木精密宝石株式会社 外延生长用内部改性衬底、带多层膜的内部改性衬底、半导体器件、半导体块状衬底以及它们的制造方法
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
CN103182750A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 北京有色金属研究总院 一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法

Family Cites Families (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5223692A (en) 1991-09-23 1993-06-29 General Electric Company Method and apparatus for laser trepanning
FR2716303B1 (fr) 1994-02-11 1996-04-05 Franck Delorme Laser à réflecteurs de Bragg distribués, accordable en longueur d'onde, à réseaux de diffraction virtuels activés sélectivement.
US5561544A (en) 1995-03-06 1996-10-01 Macken; John A. Laser scanning system with reflecting optics
TW350095B (en) 1995-11-21 1999-01-11 Daido Hoxan Inc Cutting method and apparatus for semiconductor materials
US6159824A (en) 1997-05-12 2000-12-12 Silicon Genesis Corporation Silicon-on-silicon wafer bonding process using a thin film blister-separation method
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US6720522B2 (en) 2000-10-26 2004-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining
JP4731050B2 (ja) 2001-06-15 2011-07-20 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法
TWI261358B (en) 2002-01-28 2006-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
EP1635390B1 (en) 2002-03-12 2011-07-27 Hamamatsu Photonics K. K. Substrate dividing method
US6992765B2 (en) 2002-10-11 2006-01-31 Intralase Corp. Method and system for determining the alignment of a surface of a material in relation to a laser beam
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
US7427555B2 (en) 2002-12-16 2008-09-23 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US20040144301A1 (en) 2003-01-24 2004-07-29 Neudeck Philip G. Method for growth of bulk crystals by vapor phase epitaxy
JP2005268752A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Canon Inc レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ
JP4753628B2 (ja) 2004-06-11 2011-08-24 昭和電工株式会社 化合物半導体素子ウェハーの製造方法
JP2006108532A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP2006187783A (ja) 2005-01-05 2006-07-20 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2006315017A (ja) 2005-05-11 2006-11-24 Canon Inc レーザ切断方法および被切断部材
JP4809632B2 (ja) 2005-06-01 2011-11-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007019379A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP4183093B2 (ja) 2005-09-12 2008-11-19 コバレントマテリアル株式会社 シリコンウエハの製造方法
WO2007055010A1 (ja) 2005-11-10 2007-05-18 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法および半導体装置
US20070111480A1 (en) 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
US8835802B2 (en) 2006-01-24 2014-09-16 Stephen C. Baer Cleaving wafers from silicon crystals
JP2007329391A (ja) 2006-06-09 2007-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの結晶方位指示マーク検出機構
US8980445B2 (en) 2006-07-06 2015-03-17 Cree, Inc. One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
EP2009687B1 (en) 2007-06-29 2016-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device
JP5011072B2 (ja) 2007-11-21 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US8338218B2 (en) 2008-06-26 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device module and manufacturing method of the photoelectric conversion device module
JP2010045117A (ja) * 2008-08-11 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
KR101697383B1 (ko) 2009-02-25 2017-01-17 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 소자의 제조 방법
JP5446325B2 (ja) 2009-03-03 2014-03-19 豊田合成株式会社 レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法
US8940572B2 (en) 2009-04-21 2015-01-27 Tetrasun, Inc. Method for forming structures in a solar cell
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
JPWO2011037079A1 (ja) * 2009-09-24 2013-02-21 住友電気工業株式会社 炭化珪素インゴット、炭化珪素基板、それらの製造方法、坩堝、および半導体基板
JP5558128B2 (ja) 2010-02-05 2014-07-23 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP2011165766A (ja) 2010-02-05 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP5370262B2 (ja) 2010-05-18 2013-12-18 豊田合成株式会社 半導体発光チップおよび基板の加工方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
RU2459691C2 (ru) 2010-11-29 2012-08-27 Юрий Георгиевич Шретер Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты)
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5904720B2 (ja) 2011-05-12 2016-04-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP5912287B2 (ja) * 2011-05-19 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP5912293B2 (ja) 2011-05-24 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5878330B2 (ja) 2011-10-18 2016-03-08 株式会社ディスコ レーザー光線の出力設定方法およびレーザー加工装置
US8747982B2 (en) 2011-12-28 2014-06-10 Sicrystal Aktiengesellschaft Production method for an SiC volume monocrystal with a homogeneous lattice plane course and a monocrystalline SiC substrate with a homogeneous lattice plane course
EP2817819A4 (en) 2012-02-26 2015-09-02 Solexel Inc SYSTEMS AND METHOD FOR LASER DISTRIBUTION AND DEVICE LAYER TRANSMISSION
JP2014041924A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP6090998B2 (ja) 2013-01-31 2017-03-08 一般財団法人電力中央研究所 六方晶単結晶の製造方法、六方晶単結晶ウエハの製造方法
JP6127649B2 (ja) * 2013-03-28 2017-05-17 新日鐵住金株式会社 一軸結晶からなる単結晶基板の面方位測定方法
JP6062315B2 (ja) * 2013-04-24 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2014179368A1 (en) * 2013-04-29 2014-11-06 Solexel, Inc. Damage free laser patterning of transparent layers for forming doped regions on a solar cell substrate
JP6341639B2 (ja) 2013-08-01 2018-06-13 株式会社ディスコ 加工装置
JP6180223B2 (ja) * 2013-08-06 2017-08-16 株式会社ディスコ ウェーハの製造方法
US20150121960A1 (en) 2013-11-04 2015-05-07 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for machining diamonds and gemstones using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
JP6315579B2 (ja) * 2014-07-28 2018-04-25 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
JP6390898B2 (ja) * 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
LT3206829T (lt) 2014-10-13 2019-03-12 Evana Technologies, Uab Lazerinio apdorojimo būdas perskelti arba perpjauti ruošinį, formuojant "adatos" formos pažeidimus
US10307867B2 (en) 2014-11-05 2019-06-04 Asm Technology Singapore Pte Ltd Laser fiber array for singulating semiconductor wafers
JP6466692B2 (ja) 2014-11-05 2019-02-06 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6358941B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP5917677B1 (ja) 2014-12-26 2016-05-18 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法
JP6395613B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395634B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482389B2 (ja) 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6486239B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6602207B2 (ja) * 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6604891B2 (ja) * 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1529647A (zh) * 2001-06-13 2004-09-15 用于确定晶面相对于晶体表面定向的设备和方法以及用于在切割机内切割单晶体的设备和方法
US20050217560A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tolchinsky Peter G Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same
CN101130265A (zh) * 2006-08-22 2008-02-27 北京有色金属研究总院 内圆切片机切割水平砷化镓单晶片的工艺
CN101597795A (zh) * 2008-06-04 2009-12-09 硅电子股份公司 具有<110>晶体取向的经外延涂布的硅晶片及其制造方法
CN101537666A (zh) * 2009-03-09 2009-09-23 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 大偏角籽晶的加工方法
CN102753737A (zh) * 2010-03-05 2012-10-24 并木精密宝石株式会社 外延生长用内部改性衬底、带多层膜的内部改性衬底、半导体器件、半导体块状衬底以及它们的制造方法
CN102181916A (zh) * 2011-03-29 2011-09-14 浙江晨方光电科技有限公司 一种提高n型111晶向电阻率均匀性的方法
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
CN103182750A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 北京有色金属研究总院 一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111727492A (zh) * 2018-02-20 2020-09-29 西尔特克特拉有限责任公司 用于在固体中产生短的亚临界裂纹的方法
CN110310887A (zh) * 2018-03-27 2019-10-08 株式会社迪思科 晶片的生成方法和晶片的生成装置
CN110310887B (zh) * 2018-03-27 2023-09-01 株式会社迪思科 晶片的生成方法和晶片的生成装置
CN110391585A (zh) * 2018-04-18 2019-10-29 松下知识产权经营株式会社 Iii族氮化物半导体基板及其制造方法
CN110576521A (zh) * 2018-05-22 2019-12-17 半导体元件工业有限责任公司 半导体衬底切割系统及相关方法
CN110576521B (zh) * 2018-05-22 2023-12-26 半导体元件工业有限责任公司 半导体衬底切割系统及相关方法

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