JP5558128B2 - 光デバイスウエーハの加工方法 - Google Patents
光デバイスウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5558128B2 JP5558128B2 JP2010024542A JP2010024542A JP5558128B2 JP 5558128 B2 JP5558128 B2 JP 5558128B2 JP 2010024542 A JP2010024542 A JP 2010024542A JP 2010024542 A JP2010024542 A JP 2010024542A JP 5558128 B2 JP5558128 B2 JP 5558128B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical device
- device wafer
- substrate
- processing
- starting point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
- B23K2103/166—Multilayered materials
- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Description
波長 :1064nm
出力 :0.1W
繰り返し周波数 :50kHz
加工送り速度 :200mm/秒
波長 :355nm(YVO4レーザの第3高調波)
出力 :0.2W
繰り返し周波数 :200kHz
加工送り速度 :200mm/秒
波長 :10.6μm
出力 :30W
加工送り速度 :200mm/秒
11 光デバイスウエーハ
13 分割予定ライン(ストリート)
15 光デバイス
17 変質層
19 クラック
28 チャックテーブル
34 レーザビーム照射ユニット
36 集光器
74 レーザビーム照射ユニット
76 集光器
78 冷却流体ノズル
80 分割装置
82 フレーム保持手段
84 テープ拡張手段
86 フレーム保持部材
90 拡張ドラム
96 エアシリンダ
Claims (4)
- 基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインの交差点部分の内部に位置づけてレーザビームを該交差点部分のみに照射して、基板内部に交差点部分で交わる十文字の変質層を形成し、該変質層を分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程実施後、該交差点部分に該十文字の変質層が形成された該分割予定ラインに沿ってCO2レーザを照射して、該十文字の変質層からなる該分割起点から基板内部にクラックを成長させて光デバイウエーハを該クラックに沿って個々の光デバイスに分割するクラック成長工程と、
を備えたことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 - 基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
該基板に対して吸収性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインの交差点部分のみに照射して、アブレーション加工により交差点部分で交わる十文字の加工溝を形成し、該加工溝を分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、
該交差点部分に該十文字の加工溝が形成された該分割予定ラインに沿ってCO2レーザを照射して、該十文字の加工溝からなる該分割起点から基板内部にクラックを成長させて光デバイスウエーハを該クラックに沿って個々の光デバイスに分割するクラック成長工程と、
を備えたことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 - 該クラック成長工程を実施した後、該分割予定ラインに外力を付与して光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程を更に備えた請求項1又は2記載の光デバイスウエーハの加工方法。
- 前記クラック成長工程は加工点に霧状の冷却流体を供給しながら実施する請求項1〜3の何れかに記載の光デバイスウエーハの加工方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010024542A JP5558128B2 (ja) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 光デバイスウエーハの加工方法 |
US13/012,449 US8148184B2 (en) | 2010-02-05 | 2011-01-24 | Optical device wafer processing method |
CN201110033713.4A CN102194745B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-31 | 光器件晶片的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010024542A JP5558128B2 (ja) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 光デバイスウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011165767A JP2011165767A (ja) | 2011-08-25 |
JP5558128B2 true JP5558128B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=44354035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010024542A Active JP5558128B2 (ja) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 光デバイスウエーハの加工方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8148184B2 (ja) |
JP (1) | JP5558128B2 (ja) |
CN (1) | CN102194745B (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6013859B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-10-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2014216556A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | パターン付き基板の加工方法およびパターン付き基板の加工装置 |
CN103831527B (zh) * | 2014-02-28 | 2016-01-20 | 华中科技大学 | 一种激光快速分离光学晶体方法及装置 |
JP6358941B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6399913B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6358940B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6399914B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6391471B2 (ja) | 2015-01-06 | 2018-09-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395632B2 (ja) | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395633B2 (ja) | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6494382B2 (ja) | 2015-04-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6425606B2 (ja) | 2015-04-06 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6429715B2 (ja) | 2015-04-06 | 2018-11-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6456228B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2019-01-23 | 株式会社ディスコ | 薄板の分離方法 |
JP6472333B2 (ja) | 2015-06-02 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6482423B2 (ja) | 2015-07-16 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6482425B2 (ja) | 2015-07-21 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6472347B2 (ja) | 2015-07-21 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6521837B2 (ja) * | 2015-11-05 | 2019-05-29 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6690983B2 (ja) | 2016-04-11 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法及び実第2のオリエンテーションフラット検出方法 |
JP6858587B2 (ja) | 2017-02-16 | 2021-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP7088768B2 (ja) * | 2018-07-24 | 2022-06-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP2020072220A (ja) * | 2018-11-01 | 2020-05-07 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP7364860B2 (ja) | 2019-07-01 | 2023-10-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP7433725B2 (ja) | 2020-06-26 | 2024-02-20 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5776220A (en) * | 1994-09-19 | 1998-07-07 | Corning Incorporated | Method and apparatus for breaking brittle materials |
JPH08276398A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-10-22 | Ricoh Co Ltd | 基板分割方法及び基板分割装置 |
IT1284082B1 (it) * | 1996-06-27 | 1998-05-08 | Calp Spa | Metodo e dispositivo per il taglio mediante un raggio laser di articoli cavi in vetro |
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP3532100B2 (ja) * | 1997-12-03 | 2004-05-31 | 日本碍子株式会社 | レーザ割断方法 |
JP2001176820A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Hitachi Cable Ltd | 基板の加工方法及びその加工装置 |
JP2001203176A (ja) * | 2000-01-19 | 2001-07-27 | Hitachi Cable Ltd | チップ部品の加工方法及びその装置 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
KR100701013B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2007-03-29 | 삼성전자주식회사 | 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치 |
DE60335538D1 (de) * | 2002-03-12 | 2011-02-10 | Hamamatsu Photonics Kk | Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts |
JP2004259846A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Ogura Jewel Ind Co Ltd | 基板上形成素子の分離方法 |
JP4694795B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
WO2007055010A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
KR100825798B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-04-28 | 삼성전자주식회사 | 다이싱 방법 |
JP5011048B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-08-29 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の加工方法 |
-
2010
- 2010-02-05 JP JP2010024542A patent/JP5558128B2/ja active Active
-
2011
- 2011-01-24 US US13/012,449 patent/US8148184B2/en active Active
- 2011-01-31 CN CN201110033713.4A patent/CN102194745B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8148184B2 (en) | 2012-04-03 |
JP2011165767A (ja) | 2011-08-25 |
CN102194745B (zh) | 2014-12-10 |
US20110195536A1 (en) | 2011-08-11 |
CN102194745A (zh) | 2011-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5558128B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP5558129B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2011165766A (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP5904720B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5340806B2 (ja) | 半導体ウエーハのレーザ加工方法 | |
JP2006319198A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP2013089714A (ja) | チップ形成方法 | |
JP2011108708A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2017092129A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6504977B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5946308B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5441629B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5946307B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2016042516A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2010064106A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2008264805A (ja) | レーザー加工装置およびウエーハの裏面に装着された接着フィルムのレーザー加工方法 | |
JP6576212B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2017059686A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6521837B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013105823A (ja) | 板状物の分割方法 | |
JP2013152990A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2017069288A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2024042769A (ja) | チップの製造方法 | |
JP6532366B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6525833B2 (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140320 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140603 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140604 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5558128 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |