CN106216858A - 晶片的生成方法 - Google Patents

晶片的生成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106216858A
CN106216858A CN201610373778.6A CN201610373778A CN106216858A CN 106216858 A CN106216858 A CN 106216858A CN 201610373778 A CN201610373778 A CN 201610373778A CN 106216858 A CN106216858 A CN 106216858A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
modification layer
focus
ingot
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610373778.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106216858B (zh
Inventor
平田和也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN106216858A publication Critical patent/CN106216858A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106216858B publication Critical patent/CN106216858B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Abstract

提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，从分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从锭剥离而生成六方晶单晶晶片。在分离起点形成步骤中，在形成有偏离角的方向上将激光束的聚光点隔着规定的间隔定位2个以上而同时形成2条以上的直线状的改质层。

Description

晶片的生成方法
技术领域
本发明涉及晶片的生成方法，将六方晶单晶锭切片成晶片状。
背景技术
在以硅等作为原材料的晶片的正面上层叠功能层，在该功能层上在通过多个分割预定线划分出的区域中形成有IC、LSI等各种器件。并且，通过切削装置、激光加工装置等加工装置对晶片的分割预定线实施加工，将晶片分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。
并且，在以SiC、GaN等六方晶单晶作为材料的晶片的正面上层叠有功能层，在所层叠的功能层上通过形成为格子状的多条分割预定线进行划分而形成有功率器件或者LED、LD等光器件。
形成有器件的晶片通常是利用线切割对锭进行切片而生成的，对切片得到的晶片的正面背面进行研磨而精加工成镜面(例如，参照日本特开2000-94221号公报)。
在该线切割中，将直径约为100～300μm的钢琴丝等一根金属丝缠绕在通常二～四条设置于间隔辅助辊上的多个槽中，按照一定间距彼此平行配置且使金属丝在一定方向或者双向上行进，将锭切片成多个晶片。
但是，当利用线切割将锭切断，并对正面背面进行研磨而生成晶片时，会浪费锭的70～80％，存在不经济这样的问题。特别是SiC、GaN等六方晶单晶锭的莫氏硬度较高，利用线切割而进行的切断很困难，花费相当长的时间，生产性较差，在高效地生成晶片方面存在课题。
为了解决这些问题，在日本特开2013-49161号公报中记载了如下技术：将对于SiC具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在六方晶单晶锭的内部而进行照射，在切断预定面上形成改质层和裂痕，并施加外力而沿着形成有改质层和裂痕的切断预定面割断晶片，从锭分离晶片。
在该公开公报所记载的技术中，以脉冲激光束的第一照射点和距该第一照射点最近的第二照射点处于规定的位置的方式，将脉冲激光束的聚光点沿着切断预定面呈螺旋状照射，或者呈直线状照射，而在锭的切断预定面上形成非常高密度的改质层和裂痕。
专利文献1：日本特开2000-94221号公报
专利文献2：日本特开2013-49161号公报
但是，在专利文献2所记载的锭的切断方法中，激光束的照射方法相对于锭呈螺旋状或者直线状，对于在直线状的情况下扫描激光束的方向则没有任何规定。
在专利文献2所记载的锭的切断方法中，将激光束的第一照射点与距该第一照射点最近的第二照射点之间的间距设定为1μm～10μm。该间距是从改质层产生的裂纹沿着c面延伸的间距。
由于以这种方式照射激光束时的间距非常小，因此不论激光束的照射方法是螺旋状或者直线状，都需要以非常小的间距间隔照射激光束，存在无法充分实现生产性的提高这样的问题。
发明内容
本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供一种晶片的生成方法，能够高效地从锭生成晶片。
根据本发明，提供一种从六方晶单晶锭生成晶片的晶片的生成方法，该六方晶单晶锭具有：第一面和位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距该第一面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该第一面照射该激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成六方晶单晶晶片，该分离起点形成步骤包含如下的步骤：改质层形成步骤，该c轴相对于该第一面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在该第一面和该c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；以及转位步骤，在形成该偏离角的方向上使该聚光点相对地移动而转位规定的量，在该改质层形成步骤中，在形成有偏离角的方向上将激光束的聚光点隔着规定的间隔定位2个以上而同时形成2条以上的直线状的改质层。
优选在该改质层形成步骤中，以相邻的裂痕的前端相重叠的间隔作为上限而设定2个以上的聚光点被定位的规定的间隔，所述裂痕从直线状的改质层起在形成有偏离角的方向上延伸。
在转位步骤中，当将转位的进给量设为L、将相邻的聚光点被定位的间隔设为H、将聚光点的数量设为M时，转位的进给量L＝H·M。
根据本发明的晶片的生成方法，由于重复如下的步骤：使激光束的聚光点沿着与在锭的第一面和c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而在锭内部形成直线状的改质层，并且在形成该偏离角的方向上进行了转位之后，使激光束的聚光点沿着与形成有该偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层，因此改质层距第一面形成为规定的深度，并且裂痕在改质层的两侧沿着c面传播，从而一个改质层和相邻的改质层通过裂痕而连结，能够从分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从六方晶单晶锭容易地剥离，而生成六方晶单晶晶片。
并且，能够并行地同时形成2条以上的直线状的改质层，并且在改质层的两侧沿着c面形成的裂痕能够将相邻的改质层的裂痕连结而高效地形成分离起点，因此能够充分实现生产性的提高，并且能够充分减轻所舍弃的锭的量
附图说明
图1是适合实施本发明的晶片的生成方法的激光加工装置的立体图。
图2是激光束产生单元的框图。
图3是锯齿型衍射光学元件(DOE)的示意图。
图4的(A)是六方晶单晶锭的立体图，图4的(B)是其主视图。
图5说明分离起点形成步骤的立体图。
图6是六方晶单晶锭的俯视图。
图7是说明改质层形成步骤的示意性剖面图。
图8是说明改质层形成步骤的示意性俯视图。
图9是说明激光束的扫描方向的示意图。
图10的(A)和图10的(B)是说明晶片剥离步骤的立体图。
图11是所生成的六方晶单晶晶片的立体图。
标号说明
2：激光加工装置；11：六方晶单晶锭；11a：第一面(正面)；11b：第二面(背面)；13：第一定向平面；15：第二定向平面；17：第一面的垂线；19：c轴；21：c面；23：改质层；25：裂痕；26：支承工作台；30：激光束照射单元；36：聚光器(激光头)；50：DOE；54：按压机构；56：头；58：按压部件。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。参照图1，示出了适合实施本发明的晶片的生成方法的激光加工装置2的立体图。激光加工装置2包含以能够在X轴方向上移动的方式搭载在静止基台4上的第一滑动块6。
第一滑动块6借助由滚珠丝杠8和脉冲电动机10构成的加工进给机构12沿着一对导轨14在加工进给方向、即X轴方向上移动。
第二滑动块16以能够在Y轴方向上移动的方式搭载在第一滑动块6上。即，第二滑动块16借助由滚珠丝杠18和脉冲电动机20构成的分度进给机构22沿着一对导轨24在分度进给方向、即Y轴方向上移动。
在第二滑动块16上搭载有支承工作台26。支承工作台26能够借助加工进给机构12和分度进给机构22在X轴方向和Y轴方向上移动，并且借助收纳在第二滑动块16中的电动机而旋转。
在静止基台4上竖立设置有柱28，在该柱28上安装有激光束照射机构(激光束照射构件)30。激光束照射机构30由收纳在外壳32中的图2所示的激光束产生单元34和安装于外壳32的前端的聚光器(激光头)36构成。在外壳32的前端安装有具有显微镜和照相机的摄像单元38，该摄像单元38与聚光器36在X轴方向上排列。
如图2所示，激光束产生单元34包含振荡出YAG激光或者YVO4激光的激光振荡器40、重复频率设定构件42、脉冲宽度调整构件44以及功率调整构件46。虽然未特别图示，但激光振荡器40具有布鲁斯特窗，从激光振荡器40射出的激光束是直线偏光的激光束。
借助激光束产生单元34的功率调整构件46被调整为规定的功率的脉冲激光束被聚光器36的反射镜48反射，并被衍射光学元件(DOE：Diffractive Optical Element)50分支成3个激光束。这被分支成3个的激光束借助聚光透镜51将聚光点定位在固定于支承工作台26上的作为被加工物的六方晶单晶锭11的内部而进行照射。
DOE 50由例如图3所示的锯齿型DOE构成。对透明板62的一个面微细加工出锯齿形的剖面构造64而构成锯齿型DOE 50。d1的尺寸为几十～几百μm。
基于该锯齿型DOE 50，所入射的激光束被分支成0级光、1级光、2级光，从锯齿型DOE50射出被分支成3个的激光束。
参照图4的(A)，示出了作为加工对象物的六方晶单晶锭11的立体图。图4的(B)是图4的(A)所示的六方晶单晶锭11的主视图。六方晶单晶锭(以下，有时简称为锭)11由SiC单晶锭或者GaN单晶锭构成。
锭11具有第一面(上表面)11a和与第一面11a相反侧的第二面(背面)11b。由于锭11的正面11a是激光束的照射面因此将其研磨成镜面。
锭11具有第一定向平面13和与第一定向平面13垂直的第二定向平面15。第一定向平面13的长度形成为比第二定向平面15的长度长。
锭11具有c轴19和c面21，该c轴19相对于正面11a的垂线17向第二定向平面15方向倾斜偏离角α，该c面21与c轴19垂直。c面21相对于锭11的正面11a倾斜偏离角α。通常在六方晶单晶锭11中，与较短的第二定向平面15的伸长方向垂直的方向是c轴的倾斜方向。
在锭11中按照锭11的分子级设定有无数个c面21。在本实施方式中，偏离角α被设定为4°。但是，偏离角α不限于4°，能够在例如1°～6°的范围中自由地设定而制造出锭11。
再次参照图1，在静止基台4的左侧固定有柱52，在该柱52上经由形成于柱52的开口53以能够在上下方向上移动的方式搭载有按压机构54。
在本实施方式的晶片的生成方法中，如图5所示，以锭11的第二定向平面15在X轴方向上排列的方式例如利用蜡或者粘接剂将锭11固定在支承工作台26上。
即，如图6所示，使箭头A方向与X轴相符而将锭11固定在支承工作台26上，其中，该A方向即是与形成有偏离角α的方向Y1、换言之c轴19的与正面11a的交点19a相对于锭11的正面11a的垂线17所存在的方向垂直的方向。
由此，沿着与形成有偏离角α的方向垂直的方向A扫描激光束。换言之，与形成有偏离角α的方向Y1垂直的A方向成为支承工作台26的加工进给方向。
在本发明的晶片的生成方法中，将从聚光器36射出的激光束的扫描方向设为与锭11的形成有偏离角α的方向Y1垂直的箭头A方向是很重要的。
即，本发明的晶片的生成方法的特征在于探索出如下情况：通过将激光束的扫描方向设定为上述这样的方向，从形成于锭11的内部的改质层传播的裂痕沿着c面21非常长地伸长。
在本实施方式的晶片的生成方法中，首先，实施分离起点形成步骤，将对于固定于支承工作台26的六方晶单晶锭11具有透过性的波长(例如1064nm的波长)的激光束的聚光点定位在距第一面(正面)11a相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使聚光点与六方晶单晶锭11相对地移动而对正面11a照射激光束，形成与正面11a平行的改质层23以及从改质层23沿着c面21传播的裂痕25而成为分离起点。
该分离起点形成步骤包含：改质层形成步骤，c轴19相对于正面11a的垂线17倾斜偏离角α，在与在c面21和正面11a之间形成有偏离角α的方向即图6的箭头Y1方向垂直的方向即A方向上使激光束的聚光点相对地移动而在锭11的内部形成改质层23和从改质层23沿着c面21传播的裂痕25；以及转位步骤，如图8和图9所示，在形成有偏离角的方向即Y轴方向上使聚光点相对地移动且转位规定的量。
如图7和图8所示，当在X轴方向上将改质层23形成为直线状时，从改质层23的两侧沿着c面21传播而形成裂痕25。在本实施方式的晶片的生成方法中包含转位量设定步骤，对从直线状的改质层23起在c面方向上传播而形成的裂痕25的宽度进行测量，设定聚光点的转位量。
在转位量设定步骤中，如图7所示，当将从直线状的改质层23起在c面方向上传播而形成在改质层23的单侧的裂痕25的宽度设为W1的情况下，以相邻的裂痕25的前端相重叠的间隔作为上限而设定2个以上的聚光点被定位的规定的间隔H，该裂痕25从直线状的改质层23起在形成有偏离角的方向上延伸。
关于同时照射多条激光束时的转位的进给量L，当将聚光点的数量设为M时，则以L＝H·M的方式求出。本实施方式中，由于激光束的聚光点的数量为3，因此得出L＝3H。这里，假设H＝400μm，则L＝1200μm。
这里，以如下的方式设定优选的实施方式的激光加工方法。
光源：Nd：YAG脉冲激光
波长：1064nm
重复频率：80kHz
平均输出：3.2W
脉冲宽度：4ns
光斑直径：3μm
聚光透镜的数值孔径(NA)：0.43
转位量：(250～400μm)×(聚光点的数量)
进给速度：120～260nm/s
在上述的激光加工条件中，在图7中，将从改质层23沿着c面传播的裂痕25的宽度W1设定为大致250μm，将转位量L设定为1200μm。
但是，激光束的平均输出不限于3.2W，在本实施方式的加工方法中，将平均输出设定为2W～4.5W而得到良好的结果。在平均输出为2W的情况下，裂痕25的宽度W1为大致100μm，在平均输出为4.5W的情况下，裂痕25的宽度W1为大致350μm。
由于在平均输出小于2W的情况下和大于4.5W的情况下，无法在锭11的内部形成良好的改质层23，因此优选照射的激光束的平均输出在2W～4.5W的范围内，在本实施方式中对锭11照射平均输出为3.2W的激光束。在图7中，将形成改质层23的聚光点的距正面11a的深度D1设定为500μm。
参照图9，示出了说明激光束的扫描方向的示意图。利用往路X1和返路X2实施分离起点形成步骤，对于利用往路X1在六方晶单晶锭11中形成了改质层23的激光束的聚光点而言，在转位了规定的量之后，利用返路X2在六方晶单晶锭11中形成改质层23。
如果以这种方式转位进给规定的量，并且完成了在锭11的整个区域的深度为D1的位置上形成多个改质层23和形成从改质层23沿着c面21延伸的裂痕25，则实施晶片剥离工序，施加外力而从由改质层25和裂痕23构成的分离起点将相当于要形成的晶片的厚度的板状物从六方晶单晶锭11分离而生成六方晶单晶晶片27。
该晶片剥离工序例如借助图10所示的按压机构54实施。按压机构54包含：头56，其借助内设于柱52内的移动机构而在上下方向上移动；以及按压部件58，其相对于头56如图10的(B)所示那样在箭头R方向上旋转。
如图10的(A)所示，将按压机构54定位在固定于支承工作台26上的锭11的上方，如图10的(B)所示，使头56下降直到按压部件58压接于锭11的正面11a为止。
当在使按压部件58压接于锭11的正面11a的状态下使按压部件58在箭头R方向上旋转时，在锭11中产生扭转应力，锭11从形成有改质层23和裂痕25的分离起点断裂，能够从六方晶单晶锭11中分离出图11所示的六方晶单晶晶片27。
优选在从锭11分离晶片27之后，对晶片27的分离面和锭11的分离面进行研磨而加工成镜面。

Claims (4)

1.一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，该六方晶单晶锭具有：第一面和位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：
分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距该第一面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该第一面照射该激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕而形成分离起点；以及
晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成六方晶单晶晶片，
该分离起点形成步骤包含如下的步骤：
改质层形成步骤，该c轴相对于该第一面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在该第一面和该c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；以及
转位步骤，在形成该偏离角的方向上使该聚光点相对地移动而转位规定的量，
在该改质层形成步骤中，在形成有偏离角的方向上将激光束的聚光点隔着规定的间隔定位2个以上而同时形成2条以上的直线状的改质层。
2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，
在该改质层形成步骤中，以相邻的裂痕的前端相重叠的间隔作为上限而设定2个以上的聚光点被定位的规定的间隔，所述裂痕从直线状的改质层起在形成有偏离角的方向上延伸。
3.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，
在该转位步骤中，当将转位的进给量设为L、将相邻的聚光点被定位的间隔设为H、将聚光点的数量设为M时，转位的进给量L＝H·M。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的生成方法，其中，
六方晶单晶锭从SiC锭或者GaN锭中进行选择。
CN201610373778.6A 2015-06-02 2016-05-31 晶片的生成方法 Active CN106216858B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-112317 2015-06-02
JP2015112317A JP6482389B2 (ja) 2015-06-02 2015-06-02 ウエーハの生成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106216858A true CN106216858A (zh) 2016-12-14
CN106216858B CN106216858B (zh) 2020-02-21

Family

ID=57352617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610373778.6A Active CN106216858B (zh) 2015-06-02 2016-05-31 晶片的生成方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9815138B2 (zh)
JP (1) JP6482389B2 (zh)
KR (1) KR102439404B1 (zh)
CN (1) CN106216858B (zh)
DE (1) DE102016209555A1 (zh)
MY (1) MY181116A (zh)
SG (1) SG10201603903QA (zh)
TW (1) TWI683736B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109531838A (zh) * 2017-09-22 2019-03-29 株式会社迪思科 芯片的制造方法
CN111986986A (zh) * 2020-08-24 2020-11-24 松山湖材料实验室 一种晶圆的剥离方法及剥离装置
CN114096372A (zh) * 2019-07-18 2022-02-25 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6399913B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399914B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358940B2 (ja) * 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358941B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6391471B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6456228B2 (ja) * 2015-04-15 2019-01-23 株式会社ディスコ 薄板の分離方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6690983B2 (ja) 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
JP2018093046A (ja) * 2016-12-02 2018-06-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6795811B2 (ja) * 2017-02-16 2020-12-02 国立大学法人埼玉大学 剥離基板製造方法
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
KR20200008566A (ko) * 2017-04-20 2020-01-28 실텍트라 게엠베하 구성요소가 제공되는 솔리드 스테이트 층의 두께를 감소시키는 방법
JP7267923B2 (ja) * 2017-09-04 2023-05-02 リンテック株式会社 薄型化板状部材の製造方法、及び薄型化板状部材の製造装置
JP7121941B2 (ja) * 2018-03-09 2022-08-19 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
JP7073172B2 (ja) * 2018-04-03 2022-05-23 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US11121035B2 (en) 2018-05-22 2021-09-14 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US20190363018A1 (en) 2018-05-24 2019-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods
US11830771B2 (en) 2018-05-31 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US10468304B1 (en) 2018-05-31 2019-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US10940611B2 (en) 2018-07-26 2021-03-09 Halo Industries, Inc. Incident radiation induced subsurface damage for controlled crack propagation in material cleavage
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7330771B2 (ja) * 2019-06-14 2023-08-22 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7405365B2 (ja) * 2020-01-31 2023-12-26 国立大学法人東海国立大学機構 レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び、レーザ加工装置
JP7427189B2 (ja) * 2020-01-31 2024-02-05 国立大学法人東海国立大学機構 レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び、レーザ加工装置
CN111940420B (zh) * 2020-07-17 2022-08-09 中科光绘（上海）科技有限公司 窗口渐进式的激光清洗方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050217560A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tolchinsky Peter G Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same
CN1826206A (zh) * 2003-05-30 2006-08-30 Xsil技术有限公司 光束的双焦点聚焦
CN102473851A (zh) * 2009-07-07 2012-05-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于在层中和/或上产生图案的构图设备
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
CN103495805A (zh) * 2013-09-27 2014-01-08 苏州德龙激光股份有限公司 激光打点装置
CN103506758A (zh) * 2012-06-19 2014-01-15 株式会社迪思科 激光加工装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) * 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
TWI261358B (en) * 2002-01-28 2006-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3998639B2 (ja) * 2004-01-13 2007-10-31 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
KR20100070159A (ko) * 2008-12-17 2010-06-25 삼성전자주식회사 웨이퍼 가공방법
JP5446325B2 (ja) * 2009-03-03 2014-03-19 豊田合成株式会社 レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法
CN105023973A (zh) * 2009-04-21 2015-11-04 泰特拉桑有限公司 形成太阳能电池中的结构的方法
JP5537081B2 (ja) * 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2012108055A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
JP2014041925A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
US9768343B2 (en) * 2013-04-29 2017-09-19 OB Realty, LLC. Damage free laser patterning of transparent layers for forming doped regions on a solar cell substrate
JP2016015463A (ja) * 2014-06-10 2016-01-28 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法及びＳｉＣ材料
JP6390898B2 (ja) * 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
JP6486239B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1826206A (zh) * 2003-05-30 2006-08-30 Xsil技术有限公司 光束的双焦点聚焦
US20050217560A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tolchinsky Peter G Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same
CN102473851A (zh) * 2009-07-07 2012-05-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于在层中和/或上产生图案的构图设备
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
CN103506758A (zh) * 2012-06-19 2014-01-15 株式会社迪思科 激光加工装置
CN103495805A (zh) * 2013-09-27 2014-01-08 苏州德龙激光股份有限公司 激光打点装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109531838A (zh) * 2017-09-22 2019-03-29 株式会社迪思科 芯片的制造方法
CN109531838B (zh) * 2017-09-22 2021-12-21 株式会社迪思科 芯片的制造方法
CN114096372A (zh) * 2019-07-18 2022-02-25 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
CN114096372B (zh) * 2019-07-18 2024-03-22 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
CN111986986A (zh) * 2020-08-24 2020-11-24 松山湖材料实验室 一种晶圆的剥离方法及剥离装置

Also Published As

Publication number Publication date
MY181116A (en) 2020-12-18
CN106216858B (zh) 2020-02-21
DE102016209555A1 (de) 2016-12-08
US20160354863A1 (en) 2016-12-08
JP2016225536A (ja) 2016-12-28
KR20160142232A (ko) 2016-12-12
TWI683736B (zh) 2020-02-01
JP6482389B2 (ja) 2019-03-13
TW201700250A (zh) 2017-01-01
SG10201603903QA (en) 2017-01-27
US9815138B2 (en) 2017-11-14
KR102439404B1 (ko) 2022-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106216858A (zh) 晶片的生成方法
CN106216857A (zh) 晶片的生成方法
CN105750742B (zh) 晶片的生成方法
CN106041329A (zh) 晶片的生成方法
CN106041328A (zh) 晶片的生成方法
CN106346619B (zh) 晶片的生成方法
CN105665948B (zh) 晶片的生成方法
CN106041294A (zh) 晶片的生成方法
CN105862135A (zh) 晶片的生成方法
CN105665949B (zh) 晶片的生成方法
CN105665946B (zh) 晶片的生成方法
CN105855732A (zh) 晶片的生成方法
CN105665947A (zh) 晶片的生成方法
CN106945190A (zh) SiC晶片的生成方法
CN106239751B (zh) 晶片的生成方法
CN107262945A (zh) 晶片的生成方法
CN106057737A (zh) 薄板的分离方法
CN106363823A (zh) 晶片的薄化方法
CN106064425A (zh) 晶片的生成方法
JP6355540B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP6366485B2 (ja) ウエーハの生成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant