JP7405365B2 - レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び、レーザ加工装置 - Google Patents
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Description
[レーザ加工装置の構成]
[レーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一実施形態]
Claims (10)
- 半導体対象物の内部において前記半導体対象物の第1表面に対向する仮想面と、前記第1表面に沿って延びるラインと、に沿って前記半導体対象物を切断するためのレーザ加工方法であって、
前記ラインに沿って前記半導体対象物に第1レーザ光を照射することにより、前記第1表面に交差する第1方向からみて前記ラインに沿って線状に延びる改質領域を形成する第1工程と、
前記第1工程の後に、前記第1表面から前記半導体対象物に第2レーザ光を入射させると共に、前記第2レーザ光の集光点を、前記第1方向からみて前記改質領域を通るように前記仮想面内に移動させることによって、前記仮想面内に面状に並ぶ複数の改質スポットを形成する第2工程と、
を備え、
前記第1工程においては、前記第1表面に沿った第2方向からみて、少なくとも前記第1表面から前記仮想面に渡って前記改質領域を形成し、
前記仮想面は、前記第1方向に並ぶように複数設定されており、
前記第1工程においては、少なくとも、前記第1表面から、前記第1表面から最も離れた前記仮想面に渡って前記改質領域を形成する、
レーザ加工方法。 - 前記半導体対象物は、前記第1表面の反対側の面であって、前記仮想面に対向する第2表面を有し、
前記第1工程においては、前記第1表面から前記第2表面に渡って前記改質領域を形成する、
請求項1に記載のレーザ加工方法。 - 前記第2工程においては、前記第1方向からみて前記半導体対象物の周縁を含み、前記改質スポットが形成されていない周縁領域を形成する、
請求項1又は2に記載のレーザ加工方法。 - 前記第2工程においては、前記第2レーザ光の集光点を、前記第1方向からみて前記半導体対象物の外部から前記周縁を通って前記半導体対象物の内部に至るように移動させることにより、前記周縁領域を形成する、
請求項3に記載のレーザ加工方法。 - 前記半導体対象物の材料は、ガリウムを含む、
請求項1~4のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。 - 前記半導体対象物の材料は、窒化ガリウムを含む、
請求項5に記載のレーザ加工方法。 - 請求項1~6のいずれか一項に記載のレーザ加工方法が備える前記第1工程及び前記第2工程と、
前記第2工程の後に、前記改質スポットから延びて前記仮想面に渡る亀裂と、前記改質領域と、を境界として前記半導体対象物から半導体部材を取得する第3工程と、
を備える半導体部材製造方法。 - 前記半導体対象物は、半導体インゴットであり、
前記半導体部材は、半導体ウェハである、
請求項7に記載の半導体部材製造方法。 - 前記半導体対象物は、半導体ウェハであり、
前記半導体部材は、半導体チップである、
請求項7に記載の半導体部材製造方法。 - 半導体対象物の内部において前記半導体対象物の第1表面に対向する仮想面と、前記第1表面に沿って延びるラインと、に沿って前記半導体対象物を切断するためのレーザ加工装置であって、
前記半導体対象物を支持するステージと、
前記ステージに支持された前記半導体対象物にレーザ光を照射するためのレーザ照射ユニットと、
少なくとも前記レーザ照射ユニットの制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記ラインに沿って前記半導体対象物に第1レーザ光を照射することにより、前記第1表面に交差する第1方向からみて前記ラインに沿って線状に延びる改質領域を形成する第1処理と、
前記第1処理の後に、前記第1表面から前記半導体対象物に第2レーザ光を入射させると共に、前記第2レーザ光の集光点を、前記第1方向からみて前記改質領域を通るように前記仮想面内に移動させることによって、前記仮想面内に面状に並ぶ複数の改質スポットを形成する第2処理と、
を実行し、
前記第1処理においては、前記第1表面に沿った第2方向からみて、少なくとも前記第1表面から前記仮想面に渡って前記改質領域を形成し、
前記仮想面は、前記第1方向に並ぶように複数設定されており、
前記第1処理においては、少なくとも、前記第1表面から、前記第1表面から最も離れた前記仮想面に渡って前記改質領域を形成する、
レーザ加工装置。
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