JPS5916691A - レ−ザ加工装置 - Google Patents
レ−ザ加工装置Info
- Publication number
- JPS5916691A JPS5916691A JP57125628A JP12562882A JPS5916691A JP S5916691 A JPS5916691 A JP S5916691A JP 57125628 A JP57125628 A JP 57125628A JP 12562882 A JP12562882 A JP 12562882A JP S5916691 A JPS5916691 A JP S5916691A
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- Japan
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- laser
- processing
- light
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- laser light
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ加工装置に関するものである。。
特に、レーザ光の反射率をモニターすることに15よ9
被加工物に実効的に入射するレーザパワー。
被加工物に実効的に入射するレーザパワー。
を一定にするレーザ加工装置に関するものであ。
る0
#I1図は、従来のレーザ加工装置による加工の問題点
を示した例である。レーザ発振器lか、。
を示した例である。レーザ発振器lか、。
ら出たレーザ光2は、ビーム移動、走査等を行なう中間
光学系3を通って対物レンズ4に導かれ、集光されて被
加工物5に照射され、加工が行われる。ところが被加工
物5が半導体IC等の。
光学系3を通って対物レンズ4に導かれ、集光されて被
加工物5に照射され、加工が行われる。ところが被加工
物5が半導体IC等の。
場合基板や配線の上には絶縁やバシベーシ冒ン5のため
Si3N4や5.o2−1どの誘電体薄膜6が1層。
Si3N4や5.o2−1どの誘電体薄膜6が1層。
ないし数層つけられておシ、これらの膜の厚さによる干
渉効果によシ、照射光の反射率が周期・的に変動する。
渉効果によシ、照射光の反射率が周期・的に変動する。
すなわち、加工部への実効的な入射光の強度が変化し、
膜厚如よシ加工条件がIll変わり、最適加工が行われ
ないということが起っていた。このため加工の歩留1如
を抵下させ、実用上の大きな問題となってした。第2図
tよSi基板上に生成したCVD S、02膜のモニタ
リング干、渉波形の例であシ、反射光量は膜厚によ〕−
7゜I・。
膜厚如よシ加工条件がIll変わり、最適加工が行われ
ないということが起っていた。このため加工の歩留1如
を抵下させ、実用上の大きな問題となってした。第2図
tよSi基板上に生成したCVD S、02膜のモニタ
リング干、渉波形の例であシ、反射光量は膜厚によ〕−
7゜I・。
チ変動している。
本発明の目的は上述の従来技術の欠点をなく・し、被加
工物の反射特性によって加工の歩留ま・りが左右されな
い高品質で高歩留まりな加工を・可能にするレーザ加工
装置を提供するKある。20即ち本発明は、加工に用い
るレーザ光を加工が起らないレベルに下げた状態で加工
部に照射し、その反射光量を入射光量と比較して反射率
゛を算出し、予め求めである加工最適値に実効入゛射元
蓋(入射光量−反射光k)がなるようにし5−ザ出力を
自動補正してや為。
工物の反射特性によって加工の歩留ま・りが左右されな
い高品質で高歩留まりな加工を・可能にするレーザ加工
装置を提供するKある。20即ち本発明は、加工に用い
るレーザ光を加工が起らないレベルに下げた状態で加工
部に照射し、その反射光量を入射光量と比較して反射率
゛を算出し、予め求めである加工最適値に実効入゛射元
蓋(入射光量−反射光k)がなるようにし5−ザ出力を
自動補正してや為。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて其。
体重に説明する。
m3図は本発明のレーザ加工装置の実施例の一つである
。レーザ発振器11から出たレーザ光l1l12は反射
ミラー13で反射式れ透過率粗調部1番を・通って反射
ミラー15で反射され、透過率微脚部16を通シ、反射
光モニタンラーlフを通過し、落射ミラー18で反射さ
れて加工レンズ19に入)、粟。
。レーザ発振器11から出たレーザ光l1l12は反射
ミラー13で反射式れ透過率粗調部1番を・通って反射
ミラー15で反射され、透過率微脚部16を通シ、反射
光モニタンラーlフを通過し、落射ミラー18で反射さ
れて加工レンズ19に入)、粟。
光されてテーブル21上の被加工物2oの表面に照15
射されて加工が行われる。
射されて加工が行われる。
この際先ず反射率測定KMってレーザ光12の。
一部(約2チ)は反射ミラー13を*過し、出力。
測定用パワーディテクター22に入力、この信号。
はコントローラ23に送られる。この信号から、2fl
レ一ザ発振器11のレーザ出力を知る〇一方、反゛射ミ
ラー13を反射した大部分のレーザ光は透過。
レ一ザ発振器11のレーザ出力を知る〇一方、反゛射ミ
ラー13を反射した大部分のレーザ光は透過。
率粗調部14と透過率微調部164cよル最適加エレベ
゛ルの1/□。以下で被加工物に影響の出ないレベル゛
に落し、被加工部に照射される。このときの加5工部か
らの反射光は加工レンズ19、落射ミラー18゜を経て
反射光モニターミラー17 (反射本釣5%)゛に入力
、このミラーで反射された一部のレーザ・党が反射率測
定用パワーディテクター24に入る。・そしてその信号
はコントローラ23に送られ、被1f1加工物20に入
射した光量と反射光量の割合をコ・ントローラ中で計算
する。この計算の結果、反。
゛ルの1/□。以下で被加工物に影響の出ないレベル゛
に落し、被加工部に照射される。このときの加5工部か
らの反射光は加工レンズ19、落射ミラー18゜を経て
反射光モニターミラー17 (反射本釣5%)゛に入力
、このミラーで反射された一部のレーザ・党が反射率測
定用パワーディテクター24に入る。・そしてその信号
はコントローラ23に送られ、被1f1加工物20に入
射した光量と反射光量の割合をコ・ントローラ中で計算
する。この計算の結果、反。
射率を加味した最適加工出力を被加工物に入射。
させるように透過率粗調部24と透過率微調部26゜を
自動的に調整する。例えば、最適加工パワー15が1μ
Jで反射率が110%と測定されたら、各ミラー、レン
ズ類の透過率を含めて考慮し、入射し。
自動的に調整する。例えば、最適加工パワー15が1μ
Jで反射率が110%と測定されたら、各ミラー、レン
ズ類の透過率を含めて考慮し、入射し。
−ザパワ1)tJ=125μJになるように透過率粗0
.8 微調部14ユ6を自動調整し、加工を行うように。
.8 微調部14ユ6を自動調整し、加工を行うように。
する。こうすると、20% K ”Aる0、25μJは
反射さ2,1れ、残少の1.g/が実効的に加工部に入
力最適加。
反射さ2,1れ、残少の1.g/が実効的に加工部に入
力最適加。
工が行われる。
また、加工レンズ19によシ得られた被加工物゛20の
像は撮像部30で受像され、像処理制御部31゛に送ら
れ、ディスプレイ32上に写し出される。5像処理制御
部31ではこの他に像のコントラスト・測定によル加エ
レンズ19の焦点の合込方を測定・し、最適焦点条件に
なるように1自動焦点機構・33を駆動する。このよう
な自動焦点機構を付加・することKよシ、反射率測定最
適加工条件の再1゜現がよシ正確にな如、シかも処理速
度も大巾に。
像は撮像部30で受像され、像処理制御部31゛に送ら
れ、ディスプレイ32上に写し出される。5像処理制御
部31ではこの他に像のコントラスト・測定によル加エ
レンズ19の焦点の合込方を測定・し、最適焦点条件に
なるように1自動焦点機構・33を駆動する。このよう
な自動焦点機構を付加・することKよシ、反射率測定最
適加工条件の再1゜現がよシ正確にな如、シかも処理速
度も大巾に。
向上することができた。
このようにすることによシ、加工部への実効。
的なレーザ入力は、最適パワーに精度よ〈コン。
トロールすることができるようになった。 15第4
図は本発明の他の実施例である。レーザ。
図は本発明の他の実施例である。レーザ。
発振器lから出たレーザ光12は反射ミラー13で。
反射され、透過率粗調部14を通って反射ミラー。
15で反射され、透過率微調部16を通如、反射光モニ
ターミラー17を通過し、落射ミラー18で反、。
ターミラー17を通過し、落射ミラー18で反、。
射されて加工レンズ19にムシ、集光されてチー。
プル21の上の被加工物200表面に照射されて加工が
行われる。
行われる。
この加工の前に反射率測定と最適パワーへの設定を行な
うが、先ず、レーザ光12の一部(約′・2%)は反射
ミラー13を通過し、出力測定用バ・ワーディテクター
22にムシ、この信号はコント・ロー223に送られる
。この信号からレーザ発振器11のレーザ出力を知る。
うが、先ず、レーザ光12の一部(約′・2%)は反射
ミラー13を通過し、出力測定用バ・ワーディテクター
22にムシ、この信号はコント・ロー223に送られる
。この信号からレーザ発振器11のレーザ出力を知る。
一方、反射ミラー13を反射した大部分のレーザ光は透
過率微調部14111と透過率微調部16によ如、最適
加ニレベルの4゜以下で被加工物に影響を与えない十分
低重パワーレベルに落し、被加工物20に照射される0
このときの照射パワーレベルは反射本釣5tsの反射光
モニタミラーエフからの反射光を加エパワード1測定用
パワーディテクター25に入れ、その信号はコントロー
ラ2sに送られて、被加工物10にダメージを与えない
反射率測定圧適切なパワーレ。
過率微調部14111と透過率微調部16によ如、最適
加ニレベルの4゜以下で被加工物に影響を与えない十分
低重パワーレベルに落し、被加工物20に照射される0
このときの照射パワーレベルは反射本釣5tsの反射光
モニタミラーエフからの反射光を加エパワード1測定用
パワーディテクター25に入れ、その信号はコントロー
ラ2sに送られて、被加工物10にダメージを与えない
反射率測定圧適切なパワーレ。
ベルに落されているか確認する。この測定の間は、レー
ザ光が加工部に入らないようにシャツ211ター26が
光路中に入如、レーザ光を遮断する。゛この確認が終る
と、シャッター26を光路外に出。
ザ光が加工部に入らないようにシャツ211ター26が
光路中に入如、レーザ光を遮断する。゛この確認が終る
と、シャッター26を光路外に出。
し、このパワーレベルで被加工物20を照射すんその反
射光は加工レンズ19、落射ミラー18を経゛て反射光
モニタミラーlフで約5%が反射されて5反射率測定用
パワーディテクター24IF−入る。そ゛してその信号
はコントローラ23に送られ被加工・物20に入射した
光量と反射光量から反射率が計・算される。
射光は加工レンズ19、落射ミラー18を経゛て反射光
モニタミラーlフで約5%が反射されて5反射率測定用
パワーディテクター24IF−入る。そ゛してその信号
はコントローラ23に送られ被加工・物20に入射した
光量と反射光量から反射率が計・算される。
次に再びシャッター26を光路中に入れてシー1flザ
元を遮断した状態処し、得られた反射率と最・適加工入
力とレーザ発振器出力とから、透過率・粗脚部14と透
過率微胸部16の設定透過率を沃め・その値に調整する
。そして実際にレーザパワーを出してみて設定されたレ
ーザパワーになって15いるかどうかを加エパワー測定
用パワーディテ。
元を遮断した状態処し、得られた反射率と最・適加工入
力とレーザ発振器出力とから、透過率・粗脚部14と透
過率微胸部16の設定透過率を沃め・その値に調整する
。そして実際にレーザパワーを出してみて設定されたレ
ーザパワーになって15いるかどうかを加エパワー測定
用パワーディテ。
フタ−25によって確認する。微小な差がある場。
合、このディテクター25からの信号を受けたコントロ
ーラ25によって透過率微調部16を微調整。
ーラ25によって透過率微調部16を微調整。
し、反射率−を加味した最適レーザパワーに正確、。
に設定する。
最後にシャッター26を外へ出し、レーザを照゛射して
最適加工条件で被加工物10を加工する。゛このように
することKよシ、加工部への実効的なレーザ入力は最適
値に設定でき、設定値の5確認再調整も可能なため、被
加工物の表面反射・率のバラツキにかかわらず加工の再
現性を保つ・ことができるようになシ生産の歩留まシが
著しく向上した。
最適加工条件で被加工物10を加工する。゛このように
することKよシ、加工部への実効的なレーザ入力は最適
値に設定でき、設定値の5確認再調整も可能なため、被
加工物の表面反射・率のバラツキにかかわらず加工の再
現性を保つ・ことができるようになシ生産の歩留まシが
著しく向上した。
また、加工レンズ19によシ得られた像は前案1]1施
例同様撮像部rsO1像処理制御部r51で処理され自
動焦点機構33によシ、高精度に焦点合せする。
例同様撮像部rsO1像処理制御部r51で処理され自
動焦点機構33によシ、高精度に焦点合せする。
ようKすることKよ〕、反射率測定、最適加工。
条件の再現がよシ正確になシ、処理速度も向上し、歩留
まシ、生産量の向上に大きな効果を示1゜した。
まシ、生産量の向上に大きな効果を示1゜した。
以上説明したように本発明によれば、従来は。
被加工物の表面反射率のバラツキによ如バラツ。
イてbた加工結果が、自動補正によって正確な。
加工条件で加工できるようになったため、はと、。
んどバラツキがなくな如、加工歩留ま如が大巾。
に向上し、従ってコスト低減し、被加工物の信。
頼性も向上し、工業上の大きな効果が得られた。。
また生産のスピードも向上した。
第1図は従来のレーザ加工装置の例で、第2・図は被加
工物表面の成膜状態による反射光量の・変動の様子を示
す図である。第3図及びM4図・は本発明のレーザ加工
装置の実施例を示す。 ・11・・・レーザ発振器、1
4・・・透過率粗調部、’Il+16・・・透過率微調
部、17・・・反射光モニタミラー、。 18・・・落射ミラー、19・・・加工レンズ、20・
・・被加工物、22・・・出力測定用パワーディテ。 フタ−,23・・・コントローラ、 24・・・反射率測定用パワーディテクター。 1
゜オ l 図 才2図 8灸 オL (7t /7Lン 第3区 オ 4 図
工物表面の成膜状態による反射光量の・変動の様子を示
す図である。第3図及びM4図・は本発明のレーザ加工
装置の実施例を示す。 ・11・・・レーザ発振器、1
4・・・透過率粗調部、’Il+16・・・透過率微調
部、17・・・反射光モニタミラー、。 18・・・落射ミラー、19・・・加工レンズ、20・
・・被加工物、22・・・出力測定用パワーディテ。 フタ−,23・・・コントローラ、 24・・・反射率測定用パワーディテクター。 1
゜オ l 図 才2図 8灸 オL (7t /7Lン 第3区 オ 4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t レーザ加工装置において、レーザ発振器の・出力測
定のための第1の検出手段と加工部から5の反射光の光
量測定のための第2の検出手段と・これら第1の検出手
段及び第2の検出手段からの情報にもとすいて、最適加
工条件を実現するためのレーザ光の透過光量を決定する
制御手段と、該制御手段の決定にもとすいて透過光蓋を
設置。 定する透過率調整機構とを備え付けたことを特。 徴とするレーザ加工装置。 2、 レーザ加工装置において、レーザ発振器の。 出力測定のための第1の検出手段と、加工部か。 らの反射光の元jt6ttl定のための第2の検出手段
l。 と、これら第1の検出手段及び第2の検出手段8からの
情報にもとすいて加工面の反射率を算出。 し、最適加工条件を実現するためのレーザ光の。 透過光量を決定する制御手段と、該制御手段の。 決定にもとすいて透過光量を設定する透過率部、l(整
機構と、透過率調整機構を通過後のレーザパワーを測定
するだめの第3の検出手段と、上記゛透過率調整機構を
通過後のレーザパワー測定を。 阻害せず、しかも加工部にレーザパワーが入射・するこ
とを防ぐように設けられたレーザ光遮断5用シヤツター
とを備え付けたことを特徴とする・レーザ加工装置。 五 加工用対物レンズの焦点合せを、このレン。 ズで得られる像のコントラストの電気的測定処。 理による情報にもとすいて自動的に行うように1゜した
ことを特徴とする特許請求の範囲第2記載のレーダ加工
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57125628A JPS5916691A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | レ−ザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57125628A JPS5916691A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | レ−ザ加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5916691A true JPS5916691A (ja) | 1984-01-27 |
JPH0362513B2 JPH0362513B2 (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=14914755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57125628A Granted JPS5916691A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | レ−ザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5916691A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6257787A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-03-13 | フラウンホッファー―ゲゼルシャフト ツァフェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ. | レ−ザ−加工装置 |
JPH0246987A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-16 | Nec Corp | レーザ光エネルギー管理方法 |
JPH0259187A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザトリミング装置およびトリミング方法 |
US4937422A (en) * | 1987-07-13 | 1990-06-26 | Fanuc Ltd | Method of correcting laser output power |
JPH05261577A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置 |
US5530221A (en) * | 1993-10-20 | 1996-06-25 | United Technologies Corporation | Apparatus for temperature controlled laser sintering |
US5869803A (en) * | 1993-11-02 | 1999-02-09 | Sony Corporation | Method of forming polycrystalline silicon layer on substrate and surface treatment apparatus thereof |
CN109382591A (zh) * | 2017-08-08 | 2019-02-26 | 株式会社迪思科 | 激光加工方法 |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57125628A patent/JPS5916691A/ja active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6257787A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-03-13 | フラウンホッファー―ゲゼルシャフト ツァフェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ. | レ−ザ−加工装置 |
US4937422A (en) * | 1987-07-13 | 1990-06-26 | Fanuc Ltd | Method of correcting laser output power |
JPH0246987A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-16 | Nec Corp | レーザ光エネルギー管理方法 |
JPH0259187A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザトリミング装置およびトリミング方法 |
JPH05261577A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置 |
US5530221A (en) * | 1993-10-20 | 1996-06-25 | United Technologies Corporation | Apparatus for temperature controlled laser sintering |
US5869803A (en) * | 1993-11-02 | 1999-02-09 | Sony Corporation | Method of forming polycrystalline silicon layer on substrate and surface treatment apparatus thereof |
CN109382591A (zh) * | 2017-08-08 | 2019-02-26 | 株式会社迪思科 | 激光加工方法 |
CN109382591B (zh) * | 2017-08-08 | 2022-04-19 | 株式会社迪思科 | 激光加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0362513B2 (ja) | 1991-09-26 |
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