JP2011071499A5 - プラズマcvd装置、及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- 第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極と、前記第2の電極との間に反応ガスを供給することができる機能とを有し、
前記第1の電極は、凹部と、凸部とを有し、
前記第1の電極は、前記反応ガスが流れる中空部に連結したガス供給口を有し、
前記ガス供給口は、前記凹部の一部に、選択的に配置されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 第1の電極と、ユニットセルと、第2の電極とを有し、
前記ユニットセルは、第1の導電型を示す半導体膜と、光電変換を奏する半導体膜と、第2の導電型を示す半導体膜とを有し、
前記第1の導電型を示す半導体膜、前記光電変換を奏する半導体膜、及び前記第2の導電型を示す半導体膜の少なくとも一つを、プラズマCVD装置を用いて形成する工程を有し、
前記プラズマCVD装置は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と、前記第2の電極との間に反応ガスを供給することができる機能とを有し、
前記第1の電極は、凹部と、凸部とを有し、
前記第1の電極は、前記反応ガスが流れる中空部に連結したガス供給口を有し、
前記ガス供給口は、前記凹部の一部に、選択的に配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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