JP2011071499A5 - プラズマｃｖｄ装置、及び半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の電極と、
   第２の電極と、
   前記第１の電極と、前記第２の電極との間に反応ガスを供給することができる機能とを有し、
   前記第１の電極は、凹部と、凸部とを有し、
   前記第１の電極は、前記反応ガスが流れる中空部に連結したガス供給口を有し、
   前記ガス供給口は、前記凹部の一部に、選択的に配置されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
2. 第１の電極と、ユニットセルと、第２の電極とを有し、
   前記ユニットセルは、第１の導電型を示す半導体膜と、光電変換を奏する半導体膜と、第２の導電型を示す半導体膜とを有し、
   前記第１の導電型を示す半導体膜、前記光電変換を奏する半導体膜、及び前記第２の導電型を示す半導体膜の少なくとも一つを、プラズマＣＶＤ装置を用いて形成する工程を有し、
   前記プラズマＣＶＤ装置は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と、前記第２の電極との間に反応ガスを供給することができる機能とを有し、
   前記第１の電極は、凹部と、凸部とを有し、
   前記第１の電極は、前記反応ガスが流れる中空部に連結したガス供給口を有し、
   前記ガス供給口は、前記凹部の一部に、選択的に配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。