JP2010103508A5

JP2010103508A5 - 半導体装置

Info

Publication number: JP2010103508A5
Application number: JP2009218255A
Authority: JP
Filing date: 2009-09-22
Publication date: 2012-08-09

Claims

第１の半導体層上、第２の半導体層上、第３の半導体層上、及び第４の半導体層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第１の金属層と第２の金属層と第３の金属層とを有し、
前記第１の半導体層は、第１の領域と第２の領域とを有し、
前記第１の半導体層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に第３の領域を有し、
前記第２の半導体層は、第４の領域と第５の領域とを有し、
前記第２の半導体層は、前記第４の領域と前記第５の領域との間に第６の領域を有し、
前記第３の半導体層は、第７の領域と第８の領域とを有し、
前記第３の半導体層は、前記第７の領域と前記第８の領域との間に第９の領域を有し、
前記第４の半導体層は、第１０の領域と第１１の領域とを有し、
前記第４の半導体層は、前記第１０の領域と前記第１１の領域との間に第１２の領域を有し、
前記絶縁層は、第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールと第３のコンタクトホールと第４のコンタクトホールと第５のコンタクトホールと第６のコンタクトホールと第７のコンタクトホールと第８のコンタクトホールとを有し、
前記第１の金属層は、前記第１のコンタクトホールを介して、前記第１の領域と電気的に接続されており、
前記第１の金属層は、前記第２のコンタクトホールを介して、前記第４の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第３のコンタクトホールを介して、前記第２の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第４のコンタクトホールを介して、前記第５の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第５のコンタクトホールを介して、前記第７の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第６のコンタクトホールを介して、前記第１０の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第７のコンタクトホールを介して、前記第８の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第８のコンタクトホールを介して、前記第１１の領域と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
第１の半導体層上、第２の半導体層上、第３の半導体層上、第４の半導体層上、第５の半導体層上、及び第６の半導体層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第１の金属層と第２の金属層と第３の金属層と第４の金属層とを有し、
前記第１の半導体層は、第１の領域と第２の領域とを有し、
前記第１の半導体層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に第３の領域を有し、
前記第２の半導体層は、第４の領域と第５の領域とを有し、
前記第２の半導体層は、前記第４の領域と前記第５の領域との間に第６の領域を有し、
前記第３の半導体層は、第７の領域と第８の領域とを有し、
前記第３の半導体層は、前記第７の領域と前記第８の領域との間に第９の領域を有し、
前記第４の半導体層は、第１０の領域と第１１の領域とを有し、
前記第４の半導体層は、前記第１０の領域と前記第１１の領域との間に第１２の領域を有し、
前記第５の半導体層は、第１３の領域と第１４の領域とを有し、
前記第５の半導体層は、前記第１３の領域と前記第１４の領域との間に第１５の領域を有し、
前記第６の半導体層は、第１６の領域と第１７の領域とを有し、
前記第６の半導体層は、前記第１６の領域と前記第１７の領域との間に第１８の領域を有し、
前記絶縁層は、第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールと第３のコンタクトホールと第４のコンタクトホールと第５のコンタクトホールと第６のコンタクトホールと第７のコンタクトホールと第８のコンタクトホールと第９のコンタクトホールと第１０のコンタクトホールと第１１のコンタクトホールと第１２のコンタクトホールとを有し、
前記第１の金属層は、前記第１のコンタクトホールを介して、前記第１の領域と電気的に接続されており、
前記第１の金属層は、前記第２のコンタクトホールを介して、前記第４の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第３のコンタクトホールを介して、前記第２の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第４のコンタクトホールを介して、前記第５の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第５のコンタクトホールを介して、前記第７の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第６のコンタクトホールを介して、前記第１０の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第７のコンタクトホールを介して、前記第８の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第８のコンタクトホールを介して、前記第１１の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第９のコンタクトホールを介して、前記第１３の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第１０のコンタクトホールを介して、前記第１６の領域と電気的に接続されており、
前記第４の金属層は、前記第１１のコンタクトホールを介して、前記第１４の領域と電気的に接続されており、
前記第４の金属層は、前記第１２のコンタクトホールを介して、前記第１７の領域と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。