JPS60219703A - 梯子形抵抗体パタ−ン - Google Patents
梯子形抵抗体パタ−ンInfo
- Publication number
- JPS60219703A JPS60219703A JP59075950A JP7595084A JPS60219703A JP S60219703 A JPS60219703 A JP S60219703A JP 59075950 A JP59075950 A JP 59075950A JP 7595084 A JP7595084 A JP 7595084A JP S60219703 A JPS60219703 A JP S60219703A
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- JP
- Japan
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- butter
- resistance
- resistance value
- cut piece
- pattern
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の目的及び技術分野)
本発明は抵抗体バク−7に関するものであり。
具体的にはレーザービーム等による抵抗値調節の際に抵
抗値不良を低減させることが可能な梯子形抵抗パターン
を提供することを目的とするものである。
抗値不良を低減させることが可能な梯子形抵抗パターン
を提供することを目的とするものである。
混成集積回路に用いられる抵抗体の抵抗値調節はレーザ
ービーム等により抵抗体の一部を切断し、抵抗体の電気
的通路を長くすることにより抵抗値を上昇させて所望抵
抗値を得る方法が広く用いられている。この理由はレー
ザービームによる抵抗値調節では抵抗値調節後に製品を
洗浄するなどの後処理が不要であり、さらに電気的に非
接触なレーザービームで抵抗体を切断するため回路を動
作させながら抵抗値を調節することが可能などの利点を
有しているためでおる。
ービーム等により抵抗体の一部を切断し、抵抗体の電気
的通路を長くすることにより抵抗値を上昇させて所望抵
抗値を得る方法が広く用いられている。この理由はレー
ザービームによる抵抗値調節では抵抗値調節後に製品を
洗浄するなどの後処理が不要であり、さらに電気的に非
接触なレーザービームで抵抗体を切断するため回路を動
作させながら抵抗値を調節することが可能などの利点を
有しているためでおる。
(従来技術)
特開昭54−8866r薄膜回路の特性値調整方法」か
らも明らかなように従来の梯子形抵抗パターンにおいて
は切断片パターン幅と切断片と平行する抵抗パターン幅
は同じになるようにパターン設計されている。゛ 具体的に第1図を用いて従来の梯子形抵抗バター71に
含む抵抗バター7について説明すると1は抵抗体の抵抗
値測定端子として用いる電極バター7.2は抵抗値の調
節が不可能な抵抗値不調節バターン、3は抵抗値を不連
続的に調節する梯子形抵抗バター7でろり図中のb 、
aViそれぞれ切断片パターン幅、切断片と平行する
抵抗バター7幅を示し、切断片は抵抗値に応じてレーザ
ービームで切断する。4は抵抗値を連続的に微調節する
ための連続微調節パターン、5はレーザービームによる
切断箇所である。
らも明らかなように従来の梯子形抵抗パターンにおいて
は切断片パターン幅と切断片と平行する抵抗パターン幅
は同じになるようにパターン設計されている。゛ 具体的に第1図を用いて従来の梯子形抵抗バター71に
含む抵抗バター7について説明すると1は抵抗体の抵抗
値測定端子として用いる電極バター7.2は抵抗値の調
節が不可能な抵抗値不調節バターン、3は抵抗値を不連
続的に調節する梯子形抵抗バター7でろり図中のb 、
aViそれぞれ切断片パターン幅、切断片と平行する
抵抗バター7幅を示し、切断片は抵抗値に応じてレーザ
ービームで切断する。4は抵抗値を連続的に微調節する
ための連続微調節パターン、5はレーザービームによる
切断箇所である。
抵抗値は3の梯子形パターンの切断片をレーザービーム
により切断して抵抗値を目標抵抗値近くまで上昇させて
おき次に4の微調節パターンを切断して目標抵抗値に調
節する。従来の梯子形抵抗バター/VCおいては切断片
のバター7幅すと切断片と平行する抵抗バター7幅aは
略a=bとなるようにバター7設計されている。
により切断して抵抗値を目標抵抗値近くまで上昇させて
おき次に4の微調節パターンを切断して目標抵抗値に調
節する。従来の梯子形抵抗バター/VCおいては切断片
のバター7幅すと切断片と平行する抵抗バター7幅aは
略a=bとなるようにバター7設計されている。
ところが従来の梯子形抵抗バター/では切断片を切断し
た時の抵抗増加量が個々の切断片を切断するととに相違
し、特に切断片と平行する抵抗バター7の近傍の切断片
を切断した場合には抵抗値増加量が通常より大きくなる
。
た時の抵抗増加量が個々の切断片を切断するととに相違
し、特に切断片と平行する抵抗バター7の近傍の切断片
を切断した場合には抵抗値増加量が通常より大きくなる
。
これを第2図の簡単な梯子形パターンを用いて説明する
。第2図において(alはパターン平面図。
。第2図において(alはパターン平面図。
10.11.12は切断片、13は切断片と平行する抵
抗バター7でめり、(b)は(alの等価回路図である
。切断片を1本も切断しない時の抵抗値をRo。
抗バター7でめり、(b)は(alの等価回路図である
。切断片を1本も切断しない時の抵抗値をRo。
切断片ft1本、すなわち切断片1oを切断した後の抵
抗値をR1,切断片を2本、すなわち切断片10.11
を切断した後の抵抗値1に几2 、切断片を3本、すな
わち切断片10,11.12を切断した後の抵抗値を几
3とすると几Or ”1 r R2+R3はそれぞれ次
のような値になる。
抗値をR1,切断片を2本、すなわち切断片10.11
を切断した後の抵抗値1に几2 、切断片を3本、すな
わち切断片10,11.12を切断した後の抵抗値を几
3とすると几Or ”1 r R2+R3はそれぞれ次
のような値になる。
几O= 几さ0.73 R
6
R1= Rさ2.73R
5
1(,2= R,さ475R
R3=7几
したがって1本目の切断片10を切断した時の抵抗増加
量ΔR,はΔR1=R1−rRo=2.0OR。
量ΔR,はΔR1=R1−rRo=2.0OR。
ひきつづいて2本目の切断片11を切断した時の抵抗増
加電Δ几。はΔfLz=R2−R,ユ2.02R。
加電Δ几。はΔfLz=R2−R,ユ2.02R。
さら[3本目の切断片12t−切断した時の抵抗増加量
ΔR3はΔR,=R1,−R2さ2.25Rとなり切断
片と平行する抵抗バター713の近傍の切断片12を切
断した場合には抵抗値増加量が大きいことがわかる。抵
抗値増加量が大きすぎると場合によっては連続微調節パ
ターンで抵抗値調節する前に目標抵抗値を越えてしまい
抵抗値調節不良の一つの原因であった。
ΔR3はΔR,=R1,−R2さ2.25Rとなり切断
片と平行する抵抗バター713の近傍の切断片12を切
断した場合には抵抗値増加量が大きいことがわかる。抵
抗値増加量が大きすぎると場合によっては連続微調節パ
ターンで抵抗値調節する前に目標抵抗値を越えてしまい
抵抗値調節不良の一つの原因であった。
(発明の構成)
本発明は上述の問題点を根本的に解決するためK パタ
ーンの一部である切断片を切断することにより不連続的
に抵抗値を調節することが可能な梯子形抵抗パターンに
おいて、該梯子形抵抗パターンの切断片と平行する抵抗
のパターン幅を該切断片パターン幅より2μm以上太く
することを特徴とする。上記で2μm以上と限定した理
由はフォトマスク精度や露光、現偉、エツチング等の製
造上の変動により一般的には2μm未満のパターン幅変
動は回避できずに発生してしまうものであり。
ーンの一部である切断片を切断することにより不連続的
に抵抗値を調節することが可能な梯子形抵抗パターンに
おいて、該梯子形抵抗パターンの切断片と平行する抵抗
のパターン幅を該切断片パターン幅より2μm以上太く
することを特徴とする。上記で2μm以上と限定した理
由はフォトマスク精度や露光、現偉、エツチング等の製
造上の変動により一般的には2μm未満のパターン幅変
動は回避できずに発生してしまうものであり。
逆に2μm以上太くしないと意味を持たないためでろる
。
。
(発明の作用)
本発明では切断片と平行する抵抗バター7幅を切断片よ
りも2μm以上太くしであるため切断片と平行する抵抗
パターンの近傍の切断片を切断した時に抵抗増加量が大
きくならないようにおさえることが可能となる。
りも2μm以上太くしであるため切断片と平行する抵抗
パターンの近傍の切断片を切断した時に抵抗増加量が大
きくならないようにおさえることが可能となる。
(実施例)
以下に本発明の実施例を第3図を用いて具体的に説明す
る。
る。
実施例はアルミナセラミック基板上に作製したり/タル
薄膜抵抗体であり、タンタル薄膜抵抗及び導体にクロム
−金)は通常のマグネトロ/スバッタリ/グ装置で成膜
し1周知の7tトエツチ/グ技術により導体、抵抗体バ
ター7を形成した後、350°CI時間の熱処理を施し
たものである。
薄膜抵抗体であり、タンタル薄膜抵抗及び導体にクロム
−金)は通常のマグネトロ/スバッタリ/グ装置で成膜
し1周知の7tトエツチ/グ技術により導体、抵抗体バ
ター7を形成した後、350°CI時間の熱処理を施し
たものである。
この時の抵抗膜の面積抵抗値は熱処理後で約300Ω/
口であり、梯子形抵抗バター7の切断片バター7幅すは
約40μm、切断片と平行する抵抗バターン幅aは約6
0μmである。
口であり、梯子形抵抗バター7の切断片バター7幅すは
約40μm、切断片と平行する抵抗バターン幅aは約6
0μmである。
(発明の効果)
従来の梯子形抵抗バター/を使用したある製品の抵抗値
大の不良率は約1.5%でめったが、本発明による梯子
形抵抗バター/を使用した同一製品の抵抗値大の不良率
は約0.7 %と1/2程度に低減することが可能にな
った。なお本発明において順次切断片を切断していって
も略抵抗増加量が一定になるように切断片パターン幅b
1に各切断片ごとに相違させておくことは容易に考えら
れるがその効果は小豆〈実際的ではない。
大の不良率は約1.5%でめったが、本発明による梯子
形抵抗バター/を使用した同一製品の抵抗値大の不良率
は約0.7 %と1/2程度に低減することが可能にな
った。なお本発明において順次切断片を切断していって
も略抵抗増加量が一定になるように切断片パターン幅b
1に各切断片ごとに相違させておくことは容易に考えら
れるがその効果は小豆〈実際的ではない。
(発明のまとめ)
以上のように本発明は簡便にしてその効果も大きく充分
実用に供せられるものでめる。なお本発明に用いられる
基板及び抵抗体材料は実施例で説明したアルミナセラミ
ック基板、タンタル金属に限定されるものでなく他の基
板、抵抗体材料でも当然可能である。
実用に供せられるものでめる。なお本発明に用いられる
基板及び抵抗体材料は実施例で説明したアルミナセラミ
ック基板、タンタル金属に限定されるものでなく他の基
板、抵抗体材料でも当然可能である。
第1図は従来の梯子形抵抗パターンを含む抵抗体バター
/平面図、第2図(a) 、 (b)はそれぞれ梯子形
抵抗パ身−ンの抵抗値増加量を説明するための梯子形抵
抗バター7の平面図と等価回路図、第3図は本発明によ
る梯子形抵抗パターンを含む抵抗体バター7平面図でお
る。 面図において、1・・・・・・電極パターン、2・・・
・・・抵抗値不調節バター7.3・・・・・・梯子形抵
抗パターン。 4・・・・・・連続微調節バター/゛、5・・・・・・
レーザービームによる切断箇所、a・・・・・・切断片
と平行する抵抗バター7幅、b・・団・切断片バター/
幅、10,11゜12・・・・・・切断片、13・・・
・・・切断片と平行する抵抗。 R・・・・・・抵抗値。 (レラ 佑2′〆
/平面図、第2図(a) 、 (b)はそれぞれ梯子形
抵抗パ身−ンの抵抗値増加量を説明するための梯子形抵
抗バター7の平面図と等価回路図、第3図は本発明によ
る梯子形抵抗パターンを含む抵抗体バター7平面図でお
る。 面図において、1・・・・・・電極パターン、2・・・
・・・抵抗値不調節バター7.3・・・・・・梯子形抵
抗パターン。 4・・・・・・連続微調節バター/゛、5・・・・・・
レーザービームによる切断箇所、a・・・・・・切断片
と平行する抵抗バター7幅、b・・団・切断片バター/
幅、10,11゜12・・・・・・切断片、13・・・
・・・切断片と平行する抵抗。 R・・・・・・抵抗値。 (レラ 佑2′〆
Claims (1)
- パターンの一部である切断片を切断することにより不連
続的に抵抗値を調節することが可能な梯子形抵抗バター
7において、該梯子形抵抗バター/の切断片と平行な抵
抗のバター7幅を該切断片バター7幅より2μm以上太
くしたことを特徴とする梯子形抵抗体バター7゜
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59075950A JPS60219703A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 梯子形抵抗体パタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59075950A JPS60219703A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 梯子形抵抗体パタ−ン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60219703A true JPS60219703A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13591002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59075950A Pending JPS60219703A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 梯子形抵抗体パタ−ン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60219703A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02118238U (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-21 | ||
US8409890B2 (en) | 2008-10-16 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9960116B2 (en) | 2008-09-25 | 2018-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59075950A patent/JPS60219703A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02118238U (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-21 | ||
US9960116B2 (en) | 2008-09-25 | 2018-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8409890B2 (en) | 2008-10-16 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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