JP3449300B2 - 基板上に形成された回路のトリミング方法 - Google Patents
基板上に形成された回路のトリミング方法Info
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Description
ロセスにおけるトリミングに関する。
形成する厚膜技術では、製造時の不均一性を補正するた
めに、個々の回路パラメータを修正するトリミングが用
いられている。一方、半導体プロセスの場合には、再現
性良く回路を形成できるので不均一性を補正するための
トリミングは必要ないものの、設計値と実測値とのずれ
を補正するために、トリミングが用いられる。
抵抗体に対するもの、すなわち抵抗トリミングがよく知
られている。抵抗トリミングでは、抵抗体の一部分を回
転式ヤスリ、サンドブラスト、レーザ、あるいはプラズ
マエッチングなどにより削り取るか、または加熱酸化さ
せることで、導通する断面積を減らして抵抗を高くす
る。図3に抵抗トリミングの一例を示す。この例では、
端子(導体)31、32間の抵抗体33を削り取ってい
る。
が考えられているが、一般的といえる方法はないのが実
状である。比較的知られている方法としては、厚膜技術
と同様のレーザ抵抗トリミング法や、技術設計時にあら
かじめボンディングパッドを設けておき端子との間をボ
ンディングによりショートする方法、複数パターンのフ
ォトマスクを用意しておき、必要に応じて露光パターン
を変更する方法などがある。ボンディングによりショー
トする方法の例を図4に、必要に応じて露光パターンを
変更する方法の例を図5に示す。
抗体42上に複数のボンディングパッド43、44およ
び45が設けられる。この例ではボンディングパッド4
3、45間がボンディングワイヤ46により接続されて
いるが、ボンディングパッド45とボンディングパッド
43または44とをボンディングによりショートする、
もしくはボンディングを行わないことで、抵抗値を変更
することができる。また、同様の方法を用いて容量や回
路数の変更が可能である。
用い、露光するパターンの違いにより、端子(電極、配
線パターン)51、52間に異なる抵抗値の抵抗体5
3、54を形成する。
する従来のトリミング方法では、製造プロセスでは使用
されない専用の装置が用いられるため、その装置設備へ
の投資や維持および管理が必要となる。また、半導体プ
ロセスにおけるトリミング方法では、トリミング方法に
よっては専用の装置が必要となる場合があるが、多くの
場合、むしろ、変更パラメータ数に応じて設計の複雑化
およびコスト上昇が生じることが問題である。
な装置の必要なしに、異なるパターンのフォトマスクを
用いることなく、比較的簡単に回路パラメータを調節す
ることのできるトリミング方法を提供することを目的と
する。
は、基板上に形成された回路の回路パラメータを変更す
るトリミング方法において、 ひとつのトリミングパタ
ーンをあらかじめ定められた規則にしたがってずらすこ
とで回路パラメータが変化する回路パターンを前記基板
上に形成し、ステッパ露光装置のパターンシフト機能を
利用して前記ひとつのトリミングパターンによる前記回
路パターン上の露光位置をずらすことで、前記回路パタ
ーンの回路パラメータを変更することを特徴とする。
を露光するためにステッパ露光装置が用いられている。
ステッパ露光装置は、大量かつ正確にパターンを転写す
るための装置であり、そのためにも、パターンシフトや
フォーカスを変更する機能を備えている。本発明は、そ
のパターンシフトの機能をトリミング用に転用するもの
である。すなわち、ひとつのトリミングパターンを用意
しておき、測定によって必要な回路パラメータが求めら
れたら、その回路パラメータに合うように、ステッパ露
光装置によりトリミングパターンをシフトして露光す
る。トリミングパターンの露光は、それ自体が必須の回
路パターンの露光であってもよく、他の回路パターンの
ための露光に連続する二重露光であってもよく、後から
追加工として行う露光であってもよい。いずれの場合
も、回路パラメータの変更をプロセス途中のインライン
で行うことができる。また、複数のパラメータ変更を同
一回路のパターンに対して実施することもできる。
十mmから1μm以下まで連続的に自由に調整できるの
で、微細な回路パターンから比較的大きな回路パターン
までトリミングでき、トリミング対象となる回路パター
ンによっては、連続的な回路パラメータの調整が可能と
なる。また、各々の露光パターンをフォトマスクを再作
製することなしにパターニングできるため、コスト面だ
けでなく時間面でも有利であり、複数の回路パラメータ
変更も容易に行うことができる。
ンに実施した例を示す。この例では、可変容量ダイオー
ドの容量可変範囲を広げるため、ダイオードの接続数を
変更できるようにしている。
列のダイオード11〜18が設けられ、これらのダイオ
ード11〜18の配線を追加工で除去することで、接続
されるダイオード数を変更できる。ここで、設計中心と
しては、図1に示すように、4列のダイオード15〜1
8が接続、残りのダイオード11〜14が未接続である
とする。プロセス毎のバラツキや設計パラメータのずれ
に応じて、トリミング用の「三」の字に配置された配線
加工パターン19を露光時にシフトする。これにより、
8列全て接続から8列全て未接続までのトリミングが可
能である。
により共振器長を変更する例を示す。トリミング用の
「二」の字に配置された切断パターン21を用い、二重
露光もしくは追加工により、第二層配線22にスリット
を形成する。これにより、伝送線路長をその可変範囲内
のいかなる位置にでも変更できる。
は、容量パターンの変更による容量値の調整、抵抗パタ
ーンの変更による抵抗値の調整などにも同様に利用し
て、回路パラメータを連続的に調整することができる。
また、各パターンの露光が全て別工程で行われる場合に
は、全てのパターン変更を同一の回路に対して行うこと
もできる。
グ方法は、特別な装置を必要とせず、基板上への回路の
製造プロセス工程中に行うことができる。また、フォト
マスクの修正やパターンの異なる複数のフォトマスクの
用意は不要であり、コストを削減できるとともに、製造
工程に要する時間を短縮できる。さらに、露光パターン
のシフトによりパラメータを変更するため、いかなる値
(連続的な値を含む)にも変更が可能である。また、各
露光パターンが独立である場合は、それぞれ独立してパ
ラメータ変更が可能であり、従来の後加工に比べて変更
可能な回路パラメータを飛躍的に増やすことが可能であ
る。
した例を示す。
器長を変更する例を示す。
す。
を示す。
例を示す。
Claims (2)
- 【請求項1】基板上に形成された回路の回路パラメータ
を変更するトリミング方法において、 ひとつのトリミングパターンをあらかじめ定められた規
則にしたがってずらすことで回路パラメータが変化する
回路パターンを前記基板上に形成し、ステッパ露光装置
のパターンシフト機能を利用して前記ひとつのトリミン
グパターンによる前記回路パターン上の露光位置をずら
すことで、前記回路パターンの回路パラメータを変更す
ることを特徴とする基板上に形成された回路のトリミン
グ方法。 - 【請求項2】回路パラメータの変更をプロセス途中のイ
ンラインで行う請求項1記載の基板上に形成された回路
のトリミング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19191799A JP3449300B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 基板上に形成された回路のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP19191799A JP3449300B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 基板上に形成された回路のトリミング方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2001024152A JP2001024152A (ja) | 2001-01-26 |
JP3449300B2 true JP3449300B2 (ja) | 2003-09-22 |
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ID=16282605
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP19191799A Expired - Lifetime JP3449300B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 基板上に形成された回路のトリミング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3449300B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102165579A (zh) * | 2008-09-29 | 2011-08-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
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1999
- 1999-07-06 JP JP19191799A patent/JP3449300B2/ja not_active Expired - Lifetime
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CN102165579A (zh) * | 2008-09-29 | 2011-08-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
CN102165579B (zh) * | 2008-09-29 | 2014-03-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
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