JP3604543B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3604543B2 JP3604543B2 JP29224597A JP29224597A JP3604543B2 JP 3604543 B2 JP3604543 B2 JP 3604543B2 JP 29224597 A JP29224597 A JP 29224597A JP 29224597 A JP29224597 A JP 29224597A JP 3604543 B2 JP3604543 B2 JP 3604543B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- distance
- conductive layer
- circuit element
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、一方の回路素子に対して、他方の互いに同一機能をもつ複数個の回路素子を最近接して形成されている半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えば、図14に示すようなローパスフィルタ回路を、周知の半導体製造方法を用いて作製するような場合、回路素子のレイアウトとしては、各種の方法が考えられる。
【0003】
図15は、その回路素子の抵抗パターンのレイアウトの1例を示す。この図15において、Cはコンデンサであり、R1 〜R3 は抵抗である。また、図16は、図15に示した各抵抗R1 〜R3 のブロック内における詳細な抵抗パターンの形状を示す。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ローパスフィルタ回路を構成する抵抗R1 〜R3 を、全て同一の抵抗値として作り込むような場合がある。
【0005】
このような場合、コンデンサCに近接した位置に抵抗R1 〜R3 を作成する際、製造途中のコンデンサC上にレジスト膜を塗布する工程において、レジスト膜の厚さにムラが生じてしまい、その結果、抵抗R1 〜R3 の値を全て同一の抵抗値に設定することができなくなる。
【0006】
ここで、具体例を挙げて説明する。
【0007】
図17(a)〜(e)は、前記図15に示したレイアウトのパターンを作製する工程の概略を示す。図17(a)は、下部電極1上に絶縁層2を介して上部電極3を形成することによって構成されたコンデンサCを示す。なお、下部電極1および上部電極3は、ポリシリコン(Poly−Si )からなり、絶縁層2はSiO2 からなる。
【0008】
図17(b)〜(e)は、抵抗R1 〜R3 を形成する工程を示す。図17(b)では、その上部電極3の上方からレジスト膜4を塗布した様子を示す。図17(c)は、そのレジスト膜4の上部にマスクをし、露光することによって行われるレジストパターンニングの様子を示す。図17(d)は、異方性エッチングにより、下部電極1までエッチングを行った様子を示す。図17(e)は、レジスト膜4を除去することによって形成された抵抗R1 〜R3 を示す。
【0009】
上記工程において、図17(b)のレジスト膜4を塗布する際、上部電極3がある位置とない位置とでは段差が生じるため、上部電極3の一端面から近接した距離Lの範囲内では、塗布されたレジスト膜4に傾斜が生じる。このレジスト膜4の傾斜によって、同一抵抗値の抵抗R1 〜R3 を形成しようとしても、図17(c)に示すように、パターンニング後の抵抗部分に相当するレジスト膜4の幅D1 〜D3 が異なってしまい、ひいては全ての抵抗値を同一に形成することができなくなる(抵抗値は、長さに比例し、幅に反比例する関係にあるから)。すなわち、レジスト膜4の傾斜領域である距離Lの範囲内で形成された抵抗R2 の幅D2 は、上部電極3から離れて傾斜領域ではない位置にある抵抗R1 ,R3 の幅D1 ,D3 に比べて細くなり(D2 <D1 ≒D3 )、これにより、3つの抵抗値を同一にすることができない。
【0010】
言い替えると、一般に、レジスト膜厚が異なると、図18に示すように、形成されるレジストパターンの寸法(上記例では抵抗の幅)は波をうって変化する傾向にある。このようにレジストパターンの寸法は、レジスト膜厚が厚いところでは必ず細くなるわけではなく、太くなる場合もある。いずれにせよ、レジスト膜厚が異なるところでは、同一寸法にパターンニングすることはできないという問題がある。
【0011】
また、従来の製造方法では、上記のような問題を解決するために、同一機能をもつ複数個の回路素子を、他の回路素子の周辺部に形成する場合、図19に示すように塗布されるレジスト膜の傾斜領域の範囲内である距離L(例えば、数10μm以上)だけ離した位置から形成したり、図20に示すように、抵抗R1 〜R3 を形成するためのレジスト膜の厚さが同一となるように、パターンのパターンニングを工夫する方法もある。
【0012】
しかし、このようなレイアウトの方法では、無駄な領域が増えて高密度化に反したり、パターンが複雑化する傾向にあり、その結果、コストや作業効率の面で問題となる。
【0013】
そこで、本発明の目的は、回路素子が稠密に配置された半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0014】
また、本発明の他の目的は、従来のパターンニング法を有効に活用することにより、安価で、作業効率に優れた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1の回路素子に対して、各々同一機能をもつ複数個の第2の回路素子を近接して形成する半導体装置の製造方法であって、基板上に、第1の導電層、および、該第1の導電層上に絶縁層を順次形成することにより、前記第1の回路素子に対応した第1領域と、前記第2の回路素子に対応した第2領域とを形成する第1工程と、第2の導電層を、前記第1の回路素子の第1領域内の前記絶縁層上に形成する第2工程と、前記第2の導電層が形成された前記第1の回路素子の第1領域と、前記第1の導電層が形成された前記第2の回路素子の第2領域との両方の領域に渡って、感光膜を塗布する第3工程と、前記感光膜の膜厚が前記第2の導電層の一端面から変化する範囲の距離を膜厚変化距離Lとして定義し、かつ、該膜厚変化距離Lの範囲内であって、前記第2の導電層の一側面から前記各第2の回路素子を構成する前記第1の導電層の一側面までの距離を素子間距離K(K<L)として定義するとき、前記膜厚変化距離Lの範囲内において、前記素子間距離Kを、前記各第2の回路素子の回路パターンの全てに対して等しく設定した状態で、該各第2の回路素子の回路パターンのパターンニングを行う第4工程と、前記パターンニングされた前記各第2の回路素子の回路パターンを前記第1の導電層までエッチングすることによって、前記膜厚変化距離Lの範囲内に、前記第1の回路素子と、前記素子間距離Kが全て等しく設定された複数個の第2の回路素子とを形成する第5工程とを具えることによって、半導体装置の製造方法を提供する。
【0016】
前記第1の回路素子はコンデンサにより構成し、前記第2の回路素子は抵抗により構成してもよい。
【0017】
前記抵抗の主たる抵抗成分は、前記コンデンサの当該抵抗に面する辺に直角に設けてもよい。
【0018】
前記コンデンサを1個用い、前記抵抗を3個用いることによって、ローパスフィルタを構成してもよい。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0020】
図1は、本発明に係る回路素子のレイアウトの構成例を示す。本例のレイアウトは、周知の半導体製造方法を用い、モノリシックIC(LSI)を構成するローパスフィルタ回路(図14参照)を作製する場合の例である。
【0021】
10は、第1の回路素子としてのコンデンサCである。11〜13は、同一機能をもつ第2の回路素子としての抵抗R1 〜R3 である。抵抗R1 〜R3 は、コンデンサCの一端面10aと対向し、かつ、端面10aからの距離Mが互いに同一距離となるように配置されている。また、各抵抗R1 〜R3 のパターンの主要な抵抗要素となる長さ方向パターンは、コンデンサ10の端面10aと直角方向に延びている。
【0022】
この場合、コンデンサCの一端面10aから、この一端面10aに対向する抵抗R1 〜R3 の一端面までの距離Mは、前記一端面10aからの距離Lの範囲内(M<L)にある。ここでいう一端面10aからの距離Lとは、図3(b)の工程中に感光膜を塗布した際における膜厚の異なる範囲内にある距離のことをいう。
【0023】
また、抵抗R1 〜R3 は、同一抵抗値をもっているものとする。本例では、R1 =R2 =R3 =250KΩとする。
図2は、図1に示した各抵抗R1 〜R3 のブロック内における抵抗のパターンの1例を示す。このようなパターンをもつ抵抗値が、抵抗R1 〜R3 において全て等しく設定されている。
【0024】
次に、本発明に係るレイアウトのパターンの製造方法について説明する。図3(a)〜(e)は、図1のA−A断面図に対応するものあり、パターンを作製する工程の概略を示す。なお、前述した図17の工程と同一名称については同一符号を用いる。
【0025】
図3(a)では、下部電極1上に絶縁層2を介して上部電極3を形成することによってコンデンサCを構成する。この場合、下部電極1および上部電極3は、ポリシリコン(Poly−Si )からなっている。絶縁層2はSiO2 からなる。上部電極3の膜厚は、本例では、3500Åとする。
【0026】
図3(b)〜(e)は、同一抵抗値の抵抗R1 〜R3 を形成する工程を示す。図3(b)では、上部電極3の上方から感光膜としてのレジスト膜4を塗布する。この場合、上部電極3の側面10aから距離Lの範囲内においては、電極部の段差によってその塗布したレジスト膜4の膜厚が異なり傾斜が生じている。
【0027】
図3(c)では、レジスト膜4が傾斜している距離Lの範囲内を含めた形で、レジストパターンニングを行う。このとき、上部電極3の側面10aからレジスト膜4のレジスト側面4aまでの距離Mは、距離Lのレジスト膜4が傾斜した範囲内にある(M<L)。
【0028】
なお、このレジストパターンニングとは、図2に示したような回路のパターンを形成するためのパターンニング処理のことをいい、周知のマスク、露光等の処理によって行われる。
【0029】
図3(d)では、異方性エッチング等によって、下部電極1までエッチングを行う。
【0030】
図3(e)では、そのエッチング後、上部電極3および抵抗R1 〜R3 の表面に塗布されたレジスト膜4を除去する。
【0031】
このような一連の工程を行うことにより、図1に示したようなレイアウトのパターンを作製することができる。
【0032】
ここで、コンデンサCの端面10aからレジスト膜4の膜厚が変化する(すなわち、レジスト膜4が下部電極1側の基板面に対して傾斜する)距離Lについて説明する。図4において、横軸はコンデンサCの端面10aからの距離を示し、縦軸はその距離に対応した位置での前記図17(e)に示すような抵抗R1 〜R3 の幅D1 〜D3 を示す。この場合、サンプル例として、グラフS1,S2の2つの例を示す。
【0033】
この図4から、コンデンサCの端面10aからの距離が40μm付近を境にして抵抗の幅が一定、すなわち、安定していることがわかる。このように抵抗の値が安定しているということは、レジスト膜4の膜厚に変化がなくなる(すなわち傾斜がなくなる)ということを意味する。これにより、40μmの値を、コンデンサCの端面10aからレジスト膜4の膜厚が変化する範囲内の距離Lとすることができる。
【0034】
そして、従来例のレイアウトでは、抵抗の幅が安定する距離L=40μm以降の位置に抵抗を配置したが、本例のようなレイアウトにすることによって、すなわち、各抵抗のコンデンサCからの距離を同一にすることによって、距離L=40μm以内でも抵抗の幅を全て同一に形成することができるため、距離L=40μm以内の位置に抵抗を配置する。特に、各抵抗のパターンはコンデンサの端面10aから直角方向に延びているので、レジスト膜の膜厚変動による影響が抵抗値のバラツキには影響しない。
【0035】
次に、回路素子のレイアウトの変形例を、図5〜図13に基づいて説明する。
【0036】
図5は、第1回路素子としてのコンデンサCが櫛型構造の例である。図6は、第1回路素子としてのコンデンサCが箱型閉路構造の例である。図7は、図5のB−B断面図、又は、図6のC−C断面図の例である。
【0037】
また、図8〜図13は、第2回路素子としての抵抗R1 〜R3 の変形例を示す。図8、図9、図10は、抵抗の1側辺をジグザグに折り返して配線した場合の例である。図11、図12、図13は、抵抗を渦状に配線した場合の例である。
【0038】
このような各種の例においても、コンデンサCの一端面10aから抵抗R1 〜R3 の一端面までの距離Mは等しいのでレジストの膜厚変動の影響が少なく、一端面10aからのレジスト膜厚の異なる距離Lの範囲内(M<L)に各抵抗の一部が存在しても、抵抗R1 〜R3 は全て同一の抵抗値をもつ。
【0039】
なお、本発明では、複数個の第2の回路素子として、同一抵抗値をもつものを例に挙げたが、これに限るものではなく、抵抗値の異なる複数個の回路素子を用いて、第1の回路素子の位置から距離L以内に形成してもよい。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、同一基板上の第1の回路素子に対して、同一機能をもつ複数個の第2の回路素子を配線する場合において、第1の回路素子の一端面から各第2の回路素子の一端面までの距離が互いに同一となるように配置したので、その各第2の回路素子の一端面までの距離をレジストパターンニングに際してのレジスト膜厚が変化する領域内の距離以内に収めることが可能となり、従来のパターンニング法を有効に活用して、無駄なスペースやパターンの複雑化を避けることができ、これにより、製造コストの低減や作業の効率化を図ることが可能な半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】回路パターンのレイアウトを示す平面図である。
【図2】図1における抵抗のパターンを示す平面図である。
【図3】本発明の実施の形態である製造方法を示す工程図である。
【図4】電極端面からの距離と抵抗の幅との関係を示す説明図である。
【図5】回路パターンの他の構成例を示す平面図である。
【図6】回路パターンの他の構成例を示す平面図である。
【図7】図5のB−B断面又は図6のC−C断面を示す断面図である。
【図8】抵抗の他のパターンを示す平面図である。
【図9】抵抗のパターンを示す平面図である。
【図10】抵抗の他のパターンを示す平面図である。
【図11】抵抗の他のパターンを示す平面図である。
【図12】抵抗の他のパターンを示す平面図である。
【図13】抵抗の他のパターンを示す平面図である。
【図14】ローパスフィルタの構成を示す回路図である。
【図15】従来の回路パターンのレイアウトの1例を示す平面図である。
【図16】図15における抵抗のパターンを示す平面図である。
【図17】従来の製造方法を示す工程図である。
【図18】レジスト膜厚と抵抗の幅との関係を示す特性図である。
【図19】従来における回路パターンのレイアウトの他の例を示す平面図である。
【図20】従来における抵抗のパターンの他の例を示す平面図である。
【符号の説明】
10 第1の回路素子
11〜13 第2の回路素子
Claims (4)
- 第1の回路素子に対して、各々同一機能をもつ複数個の第2の回路素子を近接して形成する半導体装置の製造方法であって、
基板上に、第1の導電層、および、該第1の導電層上に絶縁層を順次形成することにより、前記第1の回路素子に対応した第1領域と、前記第2の回路素子に対応した第2領域とを形成する第1工程と、
第2の導電層を、前記第1の回路素子の第1領域内の前記絶縁層上に形成する第2工程と、
前記第2の導電層が形成された前記第1の回路素子の第1領域と、前記第1の導電層が形成された前記第2の回路素子の第2領域との両方の領域に渡って、感光膜を塗布する第3工程と、
前記感光膜の膜厚が前記第2の導電層の一端面から変化する範囲の距離を膜厚変化距離Lとして定義し、かつ、該膜厚変化距離Lの範囲内であって、前記第2の導電層の一側面から前記各第2の回路素子を構成する前記第1の導電層の一側面までの距離を素子間距離K(K<L)として定義するとき、
前記膜厚変化距離Lの範囲内において、前記素子間距離Kを、前記各第2の回路素子の回路パターンの全てに対して等しく設定した状態で、該各第2の回路素子の回路パターンのパターンニングを行う第4工程と、
前記パターンニングされた前記各第2の回路素子の回路パターンを前記第1の導電層までエッチングすることによって、前記膜厚変化距離Lの範囲内に、前記第1の回路素子と、前記素子間距離Kが全て等しく設定された複数個の第2の回路素子とを形成する第5工程と
を具えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の回路素子はコンデンサからなり、前記第2の回路素子は抵抗であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記抵抗の主たる抵抗成分は、前記コンデンサの当該抵抗に面する辺に直角に設けられていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記コンデンサを1個用い、前記抵抗を3個用いることによって、ローパスフィルタを構成することを特徴とする請求項2又は3記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29224597A JP3604543B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29224597A JP3604543B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11126871A JPH11126871A (ja) | 1999-05-11 |
JP3604543B2 true JP3604543B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=17779338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29224597A Expired - Fee Related JP3604543B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3604543B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368193A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP29224597A patent/JP3604543B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11126871A (ja) | 1999-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6664028B2 (en) | Method of forming opening in wafer layer | |
TWI356447B (en) | Method of fabricating pattern in semiconductor dev | |
JP3604543B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3164068B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP4675504B2 (ja) | マスクパターンの設計方法 | |
JP3030550B2 (ja) | アナログ半導体装置の製造方法 | |
JP2853471B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2863283B2 (ja) | サーマルヘッド及びその製造方法 | |
JP2005012114A (ja) | 受動素子内蔵基板の製造方法および受動素子内蔵基板 | |
JPS6346758A (ja) | Mosコンデンサ及びその製造方法 | |
JPH03142466A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれに用いられるマスク | |
JPH1167620A (ja) | アライメントマークを有する半導体装置 | |
JP3641348B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
KR100218338B1 (ko) | 실린더형 캐패시터 제조방법 | |
JPH0562972A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3191769B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2809274B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH11186505A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH06291094A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000114457A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004193154A (ja) | 薄膜抵抗素子及びその製造方法 | |
JPH11163263A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03184361A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05183060A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2007324517A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040227 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071008 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071008 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071008 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |