JP2004193154A - 薄膜抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【目的】電極間に漏れ電流の生じない薄膜抵抗素子及びその製造方法を得る。
【構成】先ず、基板2上に有機材料からなるアンダーコート3を形成し、このアンダーコート3上に抵抗幅Wを規定して抵抗体4を形成する。次に、抵抗体4及びアンダーコート3上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを所望のパターン形状に露光することで、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aを残して抵抗体4及びアンダーコート3よりも幅広の絶縁層5を形成し、この絶縁層5によって抵抗体4の抵抗長Lを規定する。続いて、基板表面上に全体に電極膜6’を形成する。そして、電極膜6’上に電極形状を定める電極用レジストパターンを形成した後、この電極用レジストパターンから露出している電極膜6’をウエットエッチングやRIE等により除去し、不要な電極膜6’を残すことなく一対の電極6を形成する。以上により、薄膜抵抗素子1を得る。上記絶縁層5は、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aを残して抵抗体4及びアンダーコート3全面を覆うように形成してもよい。
【選択図】 図7
【構成】先ず、基板2上に有機材料からなるアンダーコート3を形成し、このアンダーコート3上に抵抗幅Wを規定して抵抗体4を形成する。次に、抵抗体4及びアンダーコート3上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを所望のパターン形状に露光することで、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aを残して抵抗体4及びアンダーコート3よりも幅広の絶縁層5を形成し、この絶縁層5によって抵抗体4の抵抗長Lを規定する。続いて、基板表面上に全体に電極膜6’を形成する。そして、電極膜6’上に電極形状を定める電極用レジストパターンを形成した後、この電極用レジストパターンから露出している電極膜6’をウエットエッチングやRIE等により除去し、不要な電極膜6’を残すことなく一対の電極6を形成する。以上により、薄膜抵抗素子1を得る。上記絶縁層5は、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aを残して抵抗体4及びアンダーコート3全面を覆うように形成してもよい。
【選択図】 図7
Description
【0001】
【発明の技術分野】
本発明は、各種の小型電子回路に用いられる薄膜抵抗素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来技術およびその問題点】
従来の薄膜抵抗素子では、その抵抗値を正確に規定するため、抵抗体上に絶縁層を備えたものがある。このような薄膜抵抗素子を製造するには、先ず、基板表面の平滑化を図るため基板上に有機物からなるアンダーコートを形成した後、このアンダーコート上に例えばTaN等の抵抗材料から抵抗膜を成膜する。次に、抵抗膜上にその抵抗値(抵抗長及び抵抗幅)を規定する絶縁層を形成し、この絶縁層に覆われていない抵抗膜をエッチング等により除去し、抵抗体を形成する。そして、例えばAl等の電極材料により電極膜を基板上に成膜し、後にエッチングやイオンミリング等で所望のパターン形状にすることで、抵抗体の両端部に導通する一対の電極を形成する。これにより、薄膜抵抗素子が完成する。
【0003】
しかしながら、上記従来の製造方法では、不要な抵抗膜を除去する際のエッチング等によりアンダーコートの表面が粗くなってしまい、この粗い膜面上に電極材料が形成されるので、エッチングやイオンミリング等を行なってもアンダーコート上の電極材料を完全に除去することが難しい。特に、一対の電極によって挟まれる抵抗体の幅方向の両側のアンダーコート上に電極材料が残っていると、抵抗体を流れるべき電流の一部がアンダーコート上に漏れてしまい、この漏れ電流によって薄膜抵抗素子の抵抗値が不安定になってしまうことが判明した。
【0004】
【特許文献】
特許第2707717号公報
特開平7−29711号公報
【0005】
【発明の目的】
本発明は、上記課題に鑑み、漏れ電流の生じない薄膜抵抗素子及びその製造方法を得ることを目的とする。
【0006】
【発明の概要】
本発明は、エッチング等によるダメージを受けていない面上に電極膜を成膜すれば成膜後に該電極膜を容易に除去できること、及び不要な電極材料が残留していなければ漏れ電流が発生しないことに着目したものである。
【0007】
すなわち、本発明は、基板上に形成された有機材料からなるアンダーコートと、このアンダーコート上に所定の抵抗幅で形成された抵抗体と、この抵抗体の表面を覆って該抵抗体の抵抗長を規定する絶縁層と、この絶縁層に覆われていない前記抵抗体の抵抗長方向の両端部それぞれに導通する一対の電極とを備え、前記絶縁層は、前記抵抗体の抵抗幅方向に前記アンダーコートを跨いで、前記抵抗体及び前記アンダーコートよりも幅広に形成されていることを特徴としている。
【0008】
また本発明は、製造方法の態様によれば、基板上に有機材料からなるアンダーコートを形成する工程;このアンダーコート上に、抵抗幅を規定して抵抗体を形成する工程;この抵抗体の抵抗長を規定する絶縁層を、前記抵抗体の抵抗幅方向に前記アンダーコートを跨がせて該アンダーコート及び前記抵抗体よりも幅広に形成する工程;及び前記抵抗体の抵抗長方向の両端部それぞれに導通する一対の電極を形成する工程;を有することを特徴としている。
【0009】
上記製造方法によれば、電極膜が形成される前に、抵抗体の抵抗長を規定する絶縁層が抵抗体及びアンダーコートよりも幅広に形成されているので、抵抗体の幅方向の両側にはエッチング等によるダメージを受けたアンダーコートが露出しない。このようにアンダーコートの粗い表面が露出していなければ、電極膜を成膜した後に、ウエットエッチングまたはRIEにより該電極膜の不要部分を容易且つ確実に除去することができる。すなわち、不要な電極材料を残すことなく一対の電極を形成でき、漏れ電流を防止することができる。
【0010】
上記絶縁層は、アンダーコートの抵抗長方向の中央部のみを覆うように形成することができる。より確実に漏れ電流を防止するには、抵抗体の抵抗長方向の両端部を残して、前記アンダーコートの全面を覆うように形成されているとよい。
【0011】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の第1実施形態による薄膜抵抗素子1を示す平面図、図2は図1のII−II線に沿う断面図、図3は図1のIII−III線に沿う断面図である。
【0012】
薄膜抵抗素子1は、基板2と、この基板2上に形成されたアンダーコート3と、このアンダーコート3上に所定の抵抗幅Wで形成された抵抗体4と、この抵抗体4の抵抗長Lを規定する絶縁層5と、抵抗体4の抵抗長方向(長手方向)の両端部4aに導通する一対の電極6とを備えている。この薄膜抵抗素子1の抵抗値は、抵抗体4の抵抗幅W及び抵抗長Lによって規定される。
【0013】
基板2には、グレーズドアルミナ基板、グレーズのないアルミナ基板、LTCC基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等の絶縁性基板が用いられる。アンダーコート3は、例えばレジスト等の有機材料から形成されていて、抵抗体4の直下及びその周囲に存在している。抵抗体4は、図1の左右方向に細長く延びた長方形状をなし、アンダーコート3の中央部に位置している。この抵抗体4は、TaN、NiCr、TaSi、TaSiO等の抵抗材料により形成されていることが好ましい。
【0014】
絶縁層5は、抵抗体4の抵抗幅方向にアンダーコート3を跨いで形成され、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aを残して抵抗体4を覆っている。すなわち、絶縁層5の幅寸法(W+β)は、抵抗体4の幅寸法W及びアンダーコート3の幅寸法(W+γ)よりも大きく、絶縁層5の長さLは抵抗体4の全長(L+α)よりも短くなっている。抵抗体4の抵抗長は、絶縁層5の長さLによって高精度に定めることができる。絶縁層5はフォトレジスト材料により形成されている。
【0015】
一対の電極6は、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aからそれぞれ延出され、絶縁層5を挟んで対向している。本実施形態では、一対の電極6の、抵抗体4の両端部4aに接続する側の端部それぞれを、絶縁層5にオーバーレイさせてある。電極6は、Cu、Au、Cu/Ni、Cu/Ni−P等の電極材料により形成されていることが好ましい。
【0016】
次に、図4〜図9を参照し、図1に示す薄膜抵抗素子1の製造方法の一実施形態について説明する。図4〜図9は、薄膜抵抗素子1の製造工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【0017】
先ず、図4に示すように、基板2の特定範囲上に有機材料を用いてアンダーコート3を形成し、このアンダーコート3上に全面的に抵抗膜4’を成膜する。成膜にはスパッタや蒸着法、あるいはイオンビームスパッタ等を用いる。抵抗膜4’は、TaN、NiCr、TaSi、TaSiO等の抵抗材料により形成することが好ましく、その膜厚は約10〜300nm程度とする。
【0018】
次に、図5に示すように、所望の抵抗幅W及び抵抗体の全体形状を定める抵抗用レジストパターンR1を抵抗膜4’の上に形成する。そして、この抵抗用レジストパターンR1に覆われていない抵抗膜4’をウエットエッチングやRIE(反応性イオンエッチング)等により除去する。続いて、アッシングにより抵抗用レジストパターンR1を剥離する。これにより、図6に示すように、アンダーコート3の中央部上に、抵抗幅Wに規定された長方形状の抵抗体4を得る。
【0019】
上記RIE工程において、抵抗体4は抵抗用レジストパターンR1で覆われているため、エッチングによるダメージを受けることがなく、抵抗体4の抵抗値が成膜時から変化してしまう等の不具合は生じない。しかし、抵抗用レジストパターンR1に覆われていない抵抗膜4’が除去されることによって露出するアンダーコート3の表面は、エッチングによるダメージを受け、粗くなっている。
【0020】
続いて、抵抗体4及びアンダーコート3を覆うようにフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを所望のパターン形状に露光現象することで、図7に示すように、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aを残して幅方向にアンダーコート3及び抵抗体4を跨がる絶縁層5を形成する。絶縁層5の厚さは約500nm〜10μm程度とする。ここで、絶縁層5の長さLは抵抗体2の全長(L+α)よりも短く、絶縁層5の幅(W+β)は抵抗体2の幅Wよりも長く形成されているため、この絶縁層5の形状によって抵抗体4の抵抗値が高精度に決定される。さらに絶縁層5の幅(W+β)は、抵抗体4の幅W及びアンダーコート3の幅(W+γ)よりも長く形成されているため、この絶縁層5によってアンダーコート3の粗い表面が覆われ、抵抗体4の幅方向の両側にアンダーコート3は露出しない。
【0021】
続いて、図8に示すように、露出している絶縁層5、抵抗体4の両端部4a、アンダーコート3を含む基板表面上に、電極膜6’を全面的に成膜する。成膜には、スパッタや蒸着法、イオンビームスパッタあるいはメッキ等を用いる。この電極膜6’は、Cu、Au、Cu/Ni、Cu/Ni−P等の電極材料により形成することが好ましく、その膜厚は約10nm〜10μm程度にする。
【0022】
電極膜6’を成膜したら、図9に示すように電極形状を定める電極用レジストパターンR2を電極膜6’の上に形成し、この電極用レジストパターンR2に覆われていない電極膜6’をウエットエッチングやRIE(反応性イオンエッチング)等により除去する。続いて、アッシングにより電極用レジストパターンR2を剥離する。これにより、図1〜図3に示すように、抵抗体4の両端部4aにそれぞれ導通する一対の電極6が形成される。
【0023】
上記電極形成工程では、電極膜6’の形成される前に予め、抵抗体4及びアンダーコート3よりも幅広の絶縁層5が形成されており、この絶縁層5によって抵抗体4の幅方向の両側に位置するアンダーコート3の粗い表面が覆われている。絶縁層5の表面はエッチング等によるダメージを受けていない面であるから、この絶縁層5上に成膜された電極膜6’は、ウエットエッチングまたはRIEにより、容易且つ確実に除去することが可能である。すなわち、不要な電極材料を残すことなく一対の電極6を形成でき、電極間の漏れ電流を防止することができる。
【0024】
以上により、図1〜図3に示す薄膜抵抗素子1が完成する。
【0025】
以上のように本実施形態では、抵抗体4の抵抗長を定める絶縁層5が抵抗体4及びアンダーコート3よりも幅広に形成されているので、一対の電極6に挟まれる抵抗体4の幅方向の両側にはアンダーコート3の粗い表面が露出せず、不要な電極材料をすべて確実に除去することができる。このように不要な電極材料が残っていなければ、一対の電極6の間に漏れ電流は発生せず、抵抗値が安定する。
【0026】
図10は本発明の第2実施形態による薄膜抵抗素子10を示す平面図であり、図11は図10のXI−XI線に沿う縦断面図、図12は図10のXII−XII線に沿う横断面図である。図13は、第2実施形態による薄膜抵抗素子10の製造方法の一工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。この第2実施形態は、アンダーコート3の長さ方向の中央部のみを覆うように形成された第1実施形態の絶縁層5(図1〜図3)とは異なるパターン形状の絶縁層15を備えている。この絶縁層15以外の構成要素は、第1実施形態と同様である。図10〜図13では、第1実施形態と実質的に同様の機能を有する構成要素に図1と同一符号を付してある。
【0027】
絶縁層15は、図13に示すように、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4a及び該両端部4aを囲むアンダーコート3aを残して、抵抗体4及びアンダーコート3の全体を覆うように形成されている。すなわち、絶縁層5の幅寸法(W+β)は、図13(b)に示すように抵抗体4の幅寸法W及びアンダーコート3の幅寸法(W+γ)よりも大きくなっている。この絶縁層15は、抵抗体4及びアンダーコート3を覆うようにフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを図13(a)に示すパターン形状に露光現像することで得られる。絶縁層15の厚さは、第1実施形態と同様、約500nm〜10μm程度とする。
【0028】
このように絶縁層15でアンダーコート3全体を覆えば、抵抗体4の幅方向の両側にアンダーコート3の粗い表面が露出せず、電極膜6’は絶縁層15上に成膜されるので、ウエットエッチングまたはRIE等により不要な電極材料をすべて除去でき、電極6間に漏れ電流を生じさせることがない。なお、抵抗体4の両端部4aの間に存在する絶縁層15の長さLは抵抗体2の全長(L+α)よりも短く、絶縁層15の幅(W+β)は抵抗体2の幅Wよりも長く形成されているので、この絶縁層15の形状によっても抵抗体4の抵抗値が高精度に決定できる。
【0029】
ちなみに、図14は、絶縁層50の幅がアンダーコート30の幅よりも小さい従来構造を示している。この従来構造では、一対の電極60によって挟まれる抵抗体40の幅方向の両側のアンダーコート30上に、電極形成工程時に除去されるはずの電極材料が残る可能性が高い。このため、抵抗体40を流れるべき電流の一部がアンダーコート30上に漏れてしまい、この漏れ電流によって薄膜抵抗素子100の抵抗値が不安定になってしまうのである。
【0030】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、抵抗体の抵抗長を定める絶縁層が抵抗体及びアンダーコートよりも幅広に形成されているので、抵抗体の幅方向の両側にアンダーコートの粗い表面は露出されない。これにより、不要な電極材料を残すことなく一対の電極を形成することができ、漏れ電流を生じさせることがない。すなわち、抵抗値の安定した薄膜抵抗素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態による薄膜抵抗素子を示す平面図である。
【図2】図1のII−II線に沿う断面図であって、薄膜抵抗素子の縦断面を示している。
【図3】図1のIII−III線に沿う断面図であって、薄膜抵抗素子の横断面を示している。
【図4】図1に示す薄膜抵抗素子の製造方法の一工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図5】図4に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図6】図5に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図7】図6に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図8】図7に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図9】図8に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図10】本発明の第2実施形態による薄膜抵抗素子を示す平面図である。
【図11】図10のXI−XI線に沿う断面図であって、薄膜抵抗素子の縦断面を示している。
【図12】図10のXII−XII線に沿う断面図であって、薄膜抵抗素子の横断面を示している。
【図13】図10に示す薄膜抵抗素子の製造方法の一工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図14】従来構造の薄膜抵抗素子を示す平面図である。
【符号の説明】
1 薄膜抵抗素子
2 基板
3 アンダーコート
4 抵抗体
4a 両端部(抵抗幅方向の両端部)
5 絶縁層
6 電極
15 絶縁層
【発明の技術分野】
本発明は、各種の小型電子回路に用いられる薄膜抵抗素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来技術およびその問題点】
従来の薄膜抵抗素子では、その抵抗値を正確に規定するため、抵抗体上に絶縁層を備えたものがある。このような薄膜抵抗素子を製造するには、先ず、基板表面の平滑化を図るため基板上に有機物からなるアンダーコートを形成した後、このアンダーコート上に例えばTaN等の抵抗材料から抵抗膜を成膜する。次に、抵抗膜上にその抵抗値(抵抗長及び抵抗幅)を規定する絶縁層を形成し、この絶縁層に覆われていない抵抗膜をエッチング等により除去し、抵抗体を形成する。そして、例えばAl等の電極材料により電極膜を基板上に成膜し、後にエッチングやイオンミリング等で所望のパターン形状にすることで、抵抗体の両端部に導通する一対の電極を形成する。これにより、薄膜抵抗素子が完成する。
【0003】
しかしながら、上記従来の製造方法では、不要な抵抗膜を除去する際のエッチング等によりアンダーコートの表面が粗くなってしまい、この粗い膜面上に電極材料が形成されるので、エッチングやイオンミリング等を行なってもアンダーコート上の電極材料を完全に除去することが難しい。特に、一対の電極によって挟まれる抵抗体の幅方向の両側のアンダーコート上に電極材料が残っていると、抵抗体を流れるべき電流の一部がアンダーコート上に漏れてしまい、この漏れ電流によって薄膜抵抗素子の抵抗値が不安定になってしまうことが判明した。
【0004】
【特許文献】
特許第2707717号公報
特開平7−29711号公報
【0005】
【発明の目的】
本発明は、上記課題に鑑み、漏れ電流の生じない薄膜抵抗素子及びその製造方法を得ることを目的とする。
【0006】
【発明の概要】
本発明は、エッチング等によるダメージを受けていない面上に電極膜を成膜すれば成膜後に該電極膜を容易に除去できること、及び不要な電極材料が残留していなければ漏れ電流が発生しないことに着目したものである。
【0007】
すなわち、本発明は、基板上に形成された有機材料からなるアンダーコートと、このアンダーコート上に所定の抵抗幅で形成された抵抗体と、この抵抗体の表面を覆って該抵抗体の抵抗長を規定する絶縁層と、この絶縁層に覆われていない前記抵抗体の抵抗長方向の両端部それぞれに導通する一対の電極とを備え、前記絶縁層は、前記抵抗体の抵抗幅方向に前記アンダーコートを跨いで、前記抵抗体及び前記アンダーコートよりも幅広に形成されていることを特徴としている。
【0008】
また本発明は、製造方法の態様によれば、基板上に有機材料からなるアンダーコートを形成する工程;このアンダーコート上に、抵抗幅を規定して抵抗体を形成する工程;この抵抗体の抵抗長を規定する絶縁層を、前記抵抗体の抵抗幅方向に前記アンダーコートを跨がせて該アンダーコート及び前記抵抗体よりも幅広に形成する工程;及び前記抵抗体の抵抗長方向の両端部それぞれに導通する一対の電極を形成する工程;を有することを特徴としている。
【0009】
上記製造方法によれば、電極膜が形成される前に、抵抗体の抵抗長を規定する絶縁層が抵抗体及びアンダーコートよりも幅広に形成されているので、抵抗体の幅方向の両側にはエッチング等によるダメージを受けたアンダーコートが露出しない。このようにアンダーコートの粗い表面が露出していなければ、電極膜を成膜した後に、ウエットエッチングまたはRIEにより該電極膜の不要部分を容易且つ確実に除去することができる。すなわち、不要な電極材料を残すことなく一対の電極を形成でき、漏れ電流を防止することができる。
【0010】
上記絶縁層は、アンダーコートの抵抗長方向の中央部のみを覆うように形成することができる。より確実に漏れ電流を防止するには、抵抗体の抵抗長方向の両端部を残して、前記アンダーコートの全面を覆うように形成されているとよい。
【0011】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の第1実施形態による薄膜抵抗素子1を示す平面図、図2は図1のII−II線に沿う断面図、図3は図1のIII−III線に沿う断面図である。
【0012】
薄膜抵抗素子1は、基板2と、この基板2上に形成されたアンダーコート3と、このアンダーコート3上に所定の抵抗幅Wで形成された抵抗体4と、この抵抗体4の抵抗長Lを規定する絶縁層5と、抵抗体4の抵抗長方向(長手方向)の両端部4aに導通する一対の電極6とを備えている。この薄膜抵抗素子1の抵抗値は、抵抗体4の抵抗幅W及び抵抗長Lによって規定される。
【0013】
基板2には、グレーズドアルミナ基板、グレーズのないアルミナ基板、LTCC基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等の絶縁性基板が用いられる。アンダーコート3は、例えばレジスト等の有機材料から形成されていて、抵抗体4の直下及びその周囲に存在している。抵抗体4は、図1の左右方向に細長く延びた長方形状をなし、アンダーコート3の中央部に位置している。この抵抗体4は、TaN、NiCr、TaSi、TaSiO等の抵抗材料により形成されていることが好ましい。
【0014】
絶縁層5は、抵抗体4の抵抗幅方向にアンダーコート3を跨いで形成され、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aを残して抵抗体4を覆っている。すなわち、絶縁層5の幅寸法(W+β)は、抵抗体4の幅寸法W及びアンダーコート3の幅寸法(W+γ)よりも大きく、絶縁層5の長さLは抵抗体4の全長(L+α)よりも短くなっている。抵抗体4の抵抗長は、絶縁層5の長さLによって高精度に定めることができる。絶縁層5はフォトレジスト材料により形成されている。
【0015】
一対の電極6は、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aからそれぞれ延出され、絶縁層5を挟んで対向している。本実施形態では、一対の電極6の、抵抗体4の両端部4aに接続する側の端部それぞれを、絶縁層5にオーバーレイさせてある。電極6は、Cu、Au、Cu/Ni、Cu/Ni−P等の電極材料により形成されていることが好ましい。
【0016】
次に、図4〜図9を参照し、図1に示す薄膜抵抗素子1の製造方法の一実施形態について説明する。図4〜図9は、薄膜抵抗素子1の製造工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【0017】
先ず、図4に示すように、基板2の特定範囲上に有機材料を用いてアンダーコート3を形成し、このアンダーコート3上に全面的に抵抗膜4’を成膜する。成膜にはスパッタや蒸着法、あるいはイオンビームスパッタ等を用いる。抵抗膜4’は、TaN、NiCr、TaSi、TaSiO等の抵抗材料により形成することが好ましく、その膜厚は約10〜300nm程度とする。
【0018】
次に、図5に示すように、所望の抵抗幅W及び抵抗体の全体形状を定める抵抗用レジストパターンR1を抵抗膜4’の上に形成する。そして、この抵抗用レジストパターンR1に覆われていない抵抗膜4’をウエットエッチングやRIE(反応性イオンエッチング)等により除去する。続いて、アッシングにより抵抗用レジストパターンR1を剥離する。これにより、図6に示すように、アンダーコート3の中央部上に、抵抗幅Wに規定された長方形状の抵抗体4を得る。
【0019】
上記RIE工程において、抵抗体4は抵抗用レジストパターンR1で覆われているため、エッチングによるダメージを受けることがなく、抵抗体4の抵抗値が成膜時から変化してしまう等の不具合は生じない。しかし、抵抗用レジストパターンR1に覆われていない抵抗膜4’が除去されることによって露出するアンダーコート3の表面は、エッチングによるダメージを受け、粗くなっている。
【0020】
続いて、抵抗体4及びアンダーコート3を覆うようにフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを所望のパターン形状に露光現象することで、図7に示すように、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4aを残して幅方向にアンダーコート3及び抵抗体4を跨がる絶縁層5を形成する。絶縁層5の厚さは約500nm〜10μm程度とする。ここで、絶縁層5の長さLは抵抗体2の全長(L+α)よりも短く、絶縁層5の幅(W+β)は抵抗体2の幅Wよりも長く形成されているため、この絶縁層5の形状によって抵抗体4の抵抗値が高精度に決定される。さらに絶縁層5の幅(W+β)は、抵抗体4の幅W及びアンダーコート3の幅(W+γ)よりも長く形成されているため、この絶縁層5によってアンダーコート3の粗い表面が覆われ、抵抗体4の幅方向の両側にアンダーコート3は露出しない。
【0021】
続いて、図8に示すように、露出している絶縁層5、抵抗体4の両端部4a、アンダーコート3を含む基板表面上に、電極膜6’を全面的に成膜する。成膜には、スパッタや蒸着法、イオンビームスパッタあるいはメッキ等を用いる。この電極膜6’は、Cu、Au、Cu/Ni、Cu/Ni−P等の電極材料により形成することが好ましく、その膜厚は約10nm〜10μm程度にする。
【0022】
電極膜6’を成膜したら、図9に示すように電極形状を定める電極用レジストパターンR2を電極膜6’の上に形成し、この電極用レジストパターンR2に覆われていない電極膜6’をウエットエッチングやRIE(反応性イオンエッチング)等により除去する。続いて、アッシングにより電極用レジストパターンR2を剥離する。これにより、図1〜図3に示すように、抵抗体4の両端部4aにそれぞれ導通する一対の電極6が形成される。
【0023】
上記電極形成工程では、電極膜6’の形成される前に予め、抵抗体4及びアンダーコート3よりも幅広の絶縁層5が形成されており、この絶縁層5によって抵抗体4の幅方向の両側に位置するアンダーコート3の粗い表面が覆われている。絶縁層5の表面はエッチング等によるダメージを受けていない面であるから、この絶縁層5上に成膜された電極膜6’は、ウエットエッチングまたはRIEにより、容易且つ確実に除去することが可能である。すなわち、不要な電極材料を残すことなく一対の電極6を形成でき、電極間の漏れ電流を防止することができる。
【0024】
以上により、図1〜図3に示す薄膜抵抗素子1が完成する。
【0025】
以上のように本実施形態では、抵抗体4の抵抗長を定める絶縁層5が抵抗体4及びアンダーコート3よりも幅広に形成されているので、一対の電極6に挟まれる抵抗体4の幅方向の両側にはアンダーコート3の粗い表面が露出せず、不要な電極材料をすべて確実に除去することができる。このように不要な電極材料が残っていなければ、一対の電極6の間に漏れ電流は発生せず、抵抗値が安定する。
【0026】
図10は本発明の第2実施形態による薄膜抵抗素子10を示す平面図であり、図11は図10のXI−XI線に沿う縦断面図、図12は図10のXII−XII線に沿う横断面図である。図13は、第2実施形態による薄膜抵抗素子10の製造方法の一工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。この第2実施形態は、アンダーコート3の長さ方向の中央部のみを覆うように形成された第1実施形態の絶縁層5(図1〜図3)とは異なるパターン形状の絶縁層15を備えている。この絶縁層15以外の構成要素は、第1実施形態と同様である。図10〜図13では、第1実施形態と実質的に同様の機能を有する構成要素に図1と同一符号を付してある。
【0027】
絶縁層15は、図13に示すように、抵抗体4の抵抗長方向の両端部4a及び該両端部4aを囲むアンダーコート3aを残して、抵抗体4及びアンダーコート3の全体を覆うように形成されている。すなわち、絶縁層5の幅寸法(W+β)は、図13(b)に示すように抵抗体4の幅寸法W及びアンダーコート3の幅寸法(W+γ)よりも大きくなっている。この絶縁層15は、抵抗体4及びアンダーコート3を覆うようにフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを図13(a)に示すパターン形状に露光現像することで得られる。絶縁層15の厚さは、第1実施形態と同様、約500nm〜10μm程度とする。
【0028】
このように絶縁層15でアンダーコート3全体を覆えば、抵抗体4の幅方向の両側にアンダーコート3の粗い表面が露出せず、電極膜6’は絶縁層15上に成膜されるので、ウエットエッチングまたはRIE等により不要な電極材料をすべて除去でき、電極6間に漏れ電流を生じさせることがない。なお、抵抗体4の両端部4aの間に存在する絶縁層15の長さLは抵抗体2の全長(L+α)よりも短く、絶縁層15の幅(W+β)は抵抗体2の幅Wよりも長く形成されているので、この絶縁層15の形状によっても抵抗体4の抵抗値が高精度に決定できる。
【0029】
ちなみに、図14は、絶縁層50の幅がアンダーコート30の幅よりも小さい従来構造を示している。この従来構造では、一対の電極60によって挟まれる抵抗体40の幅方向の両側のアンダーコート30上に、電極形成工程時に除去されるはずの電極材料が残る可能性が高い。このため、抵抗体40を流れるべき電流の一部がアンダーコート30上に漏れてしまい、この漏れ電流によって薄膜抵抗素子100の抵抗値が不安定になってしまうのである。
【0030】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、抵抗体の抵抗長を定める絶縁層が抵抗体及びアンダーコートよりも幅広に形成されているので、抵抗体の幅方向の両側にアンダーコートの粗い表面は露出されない。これにより、不要な電極材料を残すことなく一対の電極を形成することができ、漏れ電流を生じさせることがない。すなわち、抵抗値の安定した薄膜抵抗素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態による薄膜抵抗素子を示す平面図である。
【図2】図1のII−II線に沿う断面図であって、薄膜抵抗素子の縦断面を示している。
【図3】図1のIII−III線に沿う断面図であって、薄膜抵抗素子の横断面を示している。
【図4】図1に示す薄膜抵抗素子の製造方法の一工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図5】図4に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図6】図5に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図7】図6に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図8】図7に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図9】図8に示す工程の次工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図10】本発明の第2実施形態による薄膜抵抗素子を示す平面図である。
【図11】図10のXI−XI線に沿う断面図であって、薄膜抵抗素子の縦断面を示している。
【図12】図10のXII−XII線に沿う断面図であって、薄膜抵抗素子の横断面を示している。
【図13】図10に示す薄膜抵抗素子の製造方法の一工程を示す(a)平面図、(b)縦断面図、(c)横断面図である。
【図14】従来構造の薄膜抵抗素子を示す平面図である。
【符号の説明】
1 薄膜抵抗素子
2 基板
3 アンダーコート
4 抵抗体
4a 両端部(抵抗幅方向の両端部)
5 絶縁層
6 電極
15 絶縁層
Claims (6)
- 基板上に形成された有機材料からなるアンダーコートと、このアンダーコート上に所定の抵抗幅で形成された抵抗体と、この抵抗体の表面を覆って該抵抗体の抵抗長を規定する絶縁層と、この絶縁層に覆われていない前記抵抗体の抵抗長方向の両端部それぞれに導通する一対の電極とを備え、
前記絶縁層は、前記抵抗体の抵抗幅方向に前記アンダーコートを跨いで、前記抵抗体及び前記アンダーコートよりも幅広に形成されていることを特徴とする薄膜抵抗素子。 - 請求項1記載の薄膜抵抗素子において、前記絶縁層は、前記アンダーコートの前記抵抗長方向の中央部のみを覆うように形成されている薄膜抵抗素子。
- 請求項1記載の薄膜抵抗素子において、前記絶縁層は、抵抗体の抵抗長方向の両端部を残して、前記アンダーコートの全面を覆うように形成されている薄膜抵抗素子。
- 基板上に有機材料からなるアンダーコートを形成する工程;
このアンダーコート上に、抵抗幅を規定して抵抗体を形成する工程;
この抵抗体の抵抗長を規定する絶縁層を、前記抵抗体の抵抗幅方向に前記アンダーコートを跨がせて該アンダーコート及び前記抵抗体よりも幅広に形成する工程;及び
前記抵抗体の抵抗長方向の両端部それぞれに導通する一対の電極を形成する工程;
を有することを特徴とする薄膜抵抗素子の製造方法。 - 請求項4記載の薄膜抵抗素子の製造方法において、前記アンダーコートの前記抵抗長方向の中央部のみを覆うように前記絶縁層を形成する薄膜抵抗素子の製造方法。
- 請求項4記載の薄膜抵抗素子の製造方法において、前記抵抗体の抵抗長方向の両端部を残して前記アンダーコートの全面を覆うように前記絶縁層を形成する薄膜抵抗素子の製造方法。
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KR101529397B1 (ko) * | 2012-11-20 | 2015-06-16 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 다층 배선 기판 및 그 제조 방법 |
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-
2002
- 2002-12-06 JP JP2002355538A patent/JP2004193154A/ja not_active Withdrawn
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