JPH10173344A

JPH10173344A - 多層回路基板

Info

Publication number: JPH10173344A
Application number: JP8329859A
Authority: JP
Inventors: Akiyoshi Moriyasu; 明義守安; Takashi Tanaka; 隆司田中; Yasuyuki Morishima; 靖之森島
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-12-10
Filing date: 1996-12-10
Publication date: 1998-06-26

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程が容易な小型化の多層回路基板を提
供する。【解決手段】多層回路基板１０は、厚膜印刷法で形成
されたものであり、アルミナ基板１１上に内部電極１２
及び抵抗１３を形成した後、ビアホール１４を有する絶
縁体層１５を形成する。次いで、絶縁体層１５の表面
に、表面電極１６及び抵抗１７を形成する。この際、内
部電極１２と表面電極１６とは、ビアホール１４で接続
される。次いで、絶縁体層１５の表面に設けられた抵抗
１７の抵抗値を調整するためのレーザートリミング１８
を行う。この結果、抵抗１３が内蔵された多層回路基板
１０が完成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層回路基板に関
し、特に、抵抗の抵抗値比で動作させる、例えばオペア
ンプを用いたアンプ回路を構成する多層回路基板に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図５（ａ）及び図５（ｂ）に、抵抗の抵
抗値比で動作させる回路の一例であるアンプ回路を示
す。図５（ａ）に示すアンプ回路１は、反転アンプであ
り、オペアンプＡＭＰと、抵抗Ｒ１、Ｒ２とで構成され
る。この際、オペアンプＡＭＰの反転入力２は抵抗Ｒ１
を介して電源Ｖに、かつ抵抗Ｒ２を介して出力３に接続
される。また、オペアンプＡＭＰの非反転入力４はグラ
ンドに接続される。そして、オペアンプＡＭＰへの入
力、オペアンプＡＭＰからの出力、抵抗Ｒ１、Ｒ２の抵
抗値をそれぞれＶ１ｉｎ、Ｖ１ｏ、Ｒ１１、Ｒ１２とす
ると、Ｖ１ｏ／Ｖ１ｉｎ＝−Ｒ１２／Ｒ１１となり、ア
ンプ回路１の動作は、抵抗Ｒ１、Ｒ２の抵抗値Ｒ１１、
Ｒ１２の比のみでなされる。

【０００３】一方、図５（ｂ）に示すアンプ回路５は、
非反転アンプであり、オペアンプＡＭＰと、抵抗Ｒ１、
Ｒ２とで構成される。この際、オペアンプＡＭＰの非反
転入力４は抵抗Ｒ１を介してグランドに、かつ抵抗Ｒ２
を介して出力３に接続される。また、オペアンプＡＭＰ
の反転入力２は電源Ｖに接続される。そして、オペアン
プＡＭＰへの入力、オペアンプＡＭＰからの出力、抵抗
Ｒ１、Ｒ２の抵抗値をそれぞれＶ２ｉｎ、Ｖ２ｏ、Ｒ２
１、Ｒ２２とすると、Ｖ２ｏ／Ｖ２ｉｎ＝１＋（Ｒ２２
／Ｒ２１）となり、アンプ回路５の動作は、抵抗Ｒ１、
Ｒ２の抵抗値Ｒ２１、Ｒ２２の比のみでなされる。

【０００４】次に、図５（ａ）あるいは図５（ｂ）のア
ンプ回路を構成する従来の多層回路基板の断面図を図６
に示す。多層回路基板６０は、アルミナ基板６１上に絶
縁体層６２を形成した後、絶縁体層６２上に表面電極６
３、抵抗６４、６５を形成することにより、表面に抵抗
６４、６５を設けた多層回路基板６０が完成する。この
場合には、精度の高い抵抗を得るために、抵抗の抵抗値
をレーザートリミング法等によって調整する必要があ
る。したがって、レーザートリミングが容易なように、
抵抗を多層回路基板の表面に設ける。しかしながら、多
層回路基板の表面には、図示していないが、配線や他の
部品等を設ける必要があるため、多層回路基板の小形化
が困難であるという問題が生じた。

【０００５】この問題点を解決するために、図７に示す
ような多層回路基板が提案されている。多層回路基板７
０は、アルミナ基板７１上に内部電極７２、抵抗７３を
形成した後、絶縁体層７４を形成する。続いて、絶縁体
層７４上に内部電極７５、抵抗７６を形成した後、絶縁
体層７７を形成する。その結果、内部に抵抗７３、７６
を設けた多層回路基板７０が完成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の多層回路基板においては、抵抗の抵抗値のばらつきが
２５〜３０％と大きく、実用上の用途は限定されたもの
であり、精度の高い抵抗を形成する場合には、抵抗を形
成する都度、レーザートリミングによって各抵抗の抵抗
値を厳密に調整するというような方法がとられており、
基板の製造工程が複雑になるという問題が生じた。

【０００７】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、製造工程が容易な小型化の多
層回路基板を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明は、複数の抵抗を有し、前記複数の抵抗の
抵抗値比で動作させる回路を構成する多層回路基板にお
いて、前記複数の抵抗の抵抗値比をレーザートリミング
法にて調整することを特徴とする。

【０００９】また、前記複数の抵抗の少なくとも１つを
多層回路基板に内蔵することを特徴とする。

【００１０】本発明の多層回路基板によれば、複数の抵
抗の抵抗値比を調整するため、すべての抵抗の抵抗値を
高精度に調整する必要がなくなる。

【００１１】また、複数の抵抗の少なくとも１つを多層
回路基板に内蔵するため、多層回路基板の表面における
抵抗の占有面積が小さくなる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１に、本発明に係る多層回路基
板の第１の実施例の断面図を示す。多層回路基板１０
は、厚膜印刷法で形成されたものであり、アルミナ基板
１１上に内部電極１２及び抵抗１３を形成した後、ビア
ホール１４を有する絶縁体層１５を形成する。次いで、
絶縁体層１５の表面に、表面電極１６及び抵抗１７を形
成する。この際、内部電極１２と表面電極１６とは、ビ
アホール１４で接続される。

【００１３】次いで、絶縁体層１５の表面に設けられた
抵抗１７の抵抗値を調整するためのレーザートリミング
１８を行う。この結果、抵抗１３が内蔵された多層回路
基板１０が完成する。

【００１４】以上の工程により、図５（ａ）あるいは図
５（ｂ）の抵抗Ｒ１、Ｒ２のいずれか一方に相当する抵
抗１７の抵抗値をレーザートリミングにより調整するこ
とにより、Ｒ１、Ｒ２の抵抗値比であるＲ１２／Ｒ１
１、あるいはＲ２１／Ｒ２１を調整し、アンプ回路１、
５の動作を調整することとなる。

【００１５】図２に、本発明に係る多層回路基板の第２
の実施例の断面図を示す。多層回路基板２０は、多層積
層法で形成されたものであり、何も形成されていないグ
リーンシート２１と、内部電極２２及び抵抗２３が形成
されたグリーンシート２４と、表面電極２５、抵抗２６
及びビアホール２７が形成されたグリーンシート２８と
を積層する。この際、内部電極２２と表面電極２５と
は、ビアホール２７で接続される。

【００１６】次いで、グリーンシート２８の表面に設け
られた抵抗２６の抵抗値を調整するためのレーザートリ
ミング２９を行う。この結果、抵抗２３が内蔵された多
層回路基板２０が完成する。

【００１７】以上の工程により、図５（ａ）あるいは図
５（ｂ）の抵抗Ｒ１、Ｒ２のいずれか一方に相当する抵
抗２６の抵抗値をレーザートリミングにより調整するこ
とにより、Ｒ１、Ｒ２の抵抗値比であるＲ１２／Ｒ１
１、あるいはＲ２１／Ｒ２１を調整し、アンプ回路１、
５の動作を調整することとなる。

【００１８】図３に、本発明に係る多層回路基板の第３
の実施例の断面図を示す。多層回路基板３０は、厚膜印
刷法で形成されたものであり、アルミナ基板３１上に内
部電極３２及び抵抗３３を形成した後、ビアホール３４
を有する絶縁体層３５を形成する。なお、抵抗３３の抵
抗値を調整するためにレーザートリミング３６を行う
が、レーザートリミング３６は絶縁体層３５を形成する
前に行うか、絶縁体層３５の一部を形成した後に行う。

【００１９】次いで、絶縁体層３５の表面に、表面電極
３７及び抵抗３８を形成する。この際、内部電極３２と
表面電極３６とは、ビアホール３４で接続される。次い
で、絶縁体層３５の表面に設けられた抵抗３８の抵抗値
を調整するためのレーザートリミング３９を行う。この
結果、抵抗３３が内蔵された多層回路基板３０が完成す
る。

【００２０】以上の工程により、図５（ａ）あるいは図
５（ｂ）の抵抗Ｒ１、Ｒ２に相当する抵抗３３、３７の
抵抗値をレーザートリミングにより調整することによ
り、Ｒ１、Ｒ２の抵抗値比であるＲ１２／Ｒ１１、ある
いはＲ２１／Ｒ２１を調整し、アンプ回路１、５の動作
を調整することとなる。

【００２１】図４に、本発明に係る多層回路基板の第４
の実施例の断面図を示す。多層回路基板４０は、厚膜印
刷法で形成されたものであり、アルミナ基板４１上に内
部電極４２及び抵抗４３、４４を形成した後、抵抗４
３、４４の抵抗値を調整するためのレーザートリミング
４５を行う。次いで、ビアホール４６を有する絶縁体層
４７を形成する。なお、抵抗４３、４４の抵抗値を調整
するためにレーザートリミング４５は絶縁体層４７の一
部を形成した後に行ってもよい。

【００２２】次いで、絶縁体層４７の表面に、表面電極
４８を形成する。この際、内部電極４２と表面電極４８
とは、ビアホール４６で接続される。この結果、抵抗４
３、４４が内蔵された多層回路基板４０が完成する。

【００２３】以上の工程により、図５（ａ）あるいは図
５（ｂ）の抵抗Ｒ１、Ｒ２に相当する抵抗４３、４４の
抵抗値をレーザートリミングにより調整することによ
り、Ｒ１、Ｒ２の抵抗値比であるＲ１２／Ｒ１１、ある
いはＲ２１／Ｒ２１を調整し、アンプ回路１、５の動作
を調整することとなる。

【００２４】以上のように、第１、第２の実施例では、
アンプ回路の動作に関与する２つの抵抗の一方の抵抗の
抵抗値を調整するのみで、２つの抵抗の抵抗値比を調整
するため、すべての抵抗の抵抗値を高精度に調整する必
要がなくなる。したがって、多層回路基板の製造工程を
容易にすることができる。

【００２５】また、アンプ回路を構成する２つの抵抗の
うち一方を多層回路基板に内蔵するため、多層回路基板
の表面における抵抗の占有面積を小さくなる。したがっ
て、多層回路基板を小形にすることができる。

【００２６】さらに、第３、第４の実施例では、アンプ
回路の動作に関与する２つの抵抗の抵抗値を調整するた
め、相対精度のよい抵抗値比を得ることができる。した
がって、アンプ回路を精度よく動作させることができ
る。

【００２７】さらに、、第４の実施例では、アンプ回路
を構成する２つの抵抗を多層回路基板に内蔵するため、
多層回路基板の表面における抵抗の占有面積をさらに小
さくなる。したがって、多層回路基板をさらに小形にす
ることができる。

【００２８】さらに、アンプ回路の動作に関与する２つ
の抵抗を多層回路基板の同一の層に形成するため、トリ
ミング後の工程の影響を受けにくくなる。したがって、
抵抗値比を精度よく保つことができる。

【００２９】なお、上述の第１、第３、第４の実施例に
おいては、アルミナ基板上に直接、内部電極、抵抗を形
成する場合について説明したが、アルミナ基板上に絶縁
体層を形成した後、その絶縁体層上に、内部電極、抵抗
を形成してもよい。

【００３０】また、内蔵される抵抗上に絶縁層を形成す
る前に、レーザートリミングにより、抵抗値の調整を行
ったが、抵抗上に絶縁層を形成した後、絶縁層越しにレ
ーザートリミングを行い、抵抗値の調整を行ってもよ
い。

【００３１】さらに、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す
ようなアンプ回路の場合について説明したが、複数の抵
抗の抵抗値比で動作させる回路であればどのような回路
にも応用できる。

【００３２】

【発明の効果】請求項１の多層回路基板によれば、複数
の抵抗の抵抗値比を調整するため、すべての抵抗の抵抗
値を高精度に調整する必要がなくなる。したがって、多
層回路基板の製造工程を容易にすることができる。

【００３３】請求項２の多層回路基板によれば、複数の
抵抗のうち一方を多層回路基板に内蔵するため、多層回
路基板の表面における抵抗の占有面積を小さくなる。し
たがって、多層回路基板を小形にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層回路基板に係る第１の実施例の断
面図である。

【図２】本発明の多層回路基板に係る第２の実施例の断
面図である。

【図３】本発明の多層回路基板に係る第３の実施例の断
面図である。

【図４】本発明の多層回路基板に係る第４の実施例の断
面図である。

【図５】抵抗の抵抗値比で動作させる回路の一例である
アンプ回路であり、（ａ）は、反転アンプを示す回路
図、（ｂ）は、非反転アンプを示す回路図である。

【図６】従来の多層回路基板を示す断面図である。

【図７】従来の別の多層回路基板を示す断面図である。

【符号の説明】

１０、２０、３０、４０多層回路基板１３、１７、２３、２６、３３、３７、４３、４４
抵抗

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の抵抗を有し、前記複数の抵抗の抵
抗値比で動作させる回路を構成する多層回路基板におい
て、前記複数の抵抗の抵抗値比をレーザートリミング法にて
調整することを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】前記複数の抵抗の少なくとも１つを内蔵
することを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板。