JPH05283933A - 発振器モジュール及びその調整方法 - Google Patents
発振器モジュール及びその調整方法Info
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- JPH05283933A JPH05283933A JP7644392A JP7644392A JPH05283933A JP H05283933 A JPH05283933 A JP H05283933A JP 7644392 A JP7644392 A JP 7644392A JP 7644392 A JP7644392 A JP 7644392A JP H05283933 A JPH05283933 A JP H05283933A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、発振器モジュール及びその調整方
法に関し、発振器の特性調整が簡単かつ正確にできるよ
うにし、かつ、製造工程を簡単にすることを目的とす
る。 【構成】 少なくとも、発振部のインダクタンス素子
を、多層基板１に内蔵し、該多層基板１に、シールドキ
ャップ２を被せた発振器モジュールであって、多層基板
１の外側に、ＧＮＤパターン５を設定し、このＧＮＤパ
ターン５の少なくとも一部を、シールドキャップ２で覆
われないようにしておき、この露出させたＧＮＤパター
ン５の一部を、トリミング部６として用い、シールドキ
ャップ２を被せた後にトリミングを行って、特性の調整
を行う。
法に関し、発振器の特性調整が簡単かつ正確にできるよ
うにし、かつ、製造工程を簡単にすることを目的とす
る。 【構成】 少なくとも、発振部のインダクタンス素子
を、多層基板１に内蔵し、該多層基板１に、シールドキ
ャップ２を被せた発振器モジュールであって、多層基板
１の外側に、ＧＮＤパターン５を設定し、このＧＮＤパ
ターン５の少なくとも一部を、シールドキャップ２で覆
われないようにしておき、この露出させたＧＮＤパター
ン５の一部を、トリミング部６として用い、シールドキ
ャップ２を被せた後にトリミングを行って、特性の調整
を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種の通信機器、ある
いは電子機器等に利用可能なＶＣＯ（電圧制御発振器）
等の発振器モジュール及びその調整方法に関する。
いは電子機器等に利用可能なＶＣＯ（電圧制御発振器）
等の発振器モジュール及びその調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、ＶＣＯ（電圧制御発振器）の回
路例を示した図である。図４中、ＣＴはコントロール入
力端子、ＯＵＴは出力端子、Ｔr1、Ｔr2はトランジス
タ、Ｃ1 〜Ｃ11はコンデンサ、Ｒ1 〜Ｒ7 は抵抗、
Ｌ1 、Ｌ2 はコイル、ＶR は可変抵抗、ＳＬはストリッ
プライン、ＣＶは可変容量ダイオードを示す。
路例を示した図である。図４中、ＣＴはコントロール入
力端子、ＯＵＴは出力端子、Ｔr1、Ｔr2はトランジス
タ、Ｃ1 〜Ｃ11はコンデンサ、Ｒ1 〜Ｒ7 は抵抗、
Ｌ1 、Ｌ2 はコイル、ＶR は可変抵抗、ＳＬはストリッ
プライン、ＣＶは可変容量ダイオードを示す。
【０００３】従来、各種の通信機器、あるいは電子機器
等には、種々の発振器が使用されていた。これらの発振
器の内、図４に示したような回路構成のＶＣＯが知られ
ていた。
等には、種々の発振器が使用されていた。これらの発振
器の内、図４に示したような回路構成のＶＣＯが知られ
ていた。
【０００４】図４（Ａ）の回路例では、トランジスタＴ
r1、コンデンサＣ2 〜Ｃ6 、抵抗Ｒ 1 〜Ｒ4 、コイルＬ
1 、可変容量ダイオードＣＶ等で発振部を構成し、トラ
ンジスタＴr2、抵抗Ｒ5 〜Ｒ7 、コイルＬ2 、コンデン
サＣ9 〜Ｃ11、可変抵抗ＶR等でバッファ部を構成して
いる。
r1、コンデンサＣ2 〜Ｃ6 、抵抗Ｒ 1 〜Ｒ4 、コイルＬ
1 、可変容量ダイオードＣＶ等で発振部を構成し、トラ
ンジスタＴr2、抵抗Ｒ5 〜Ｒ7 、コイルＬ2 、コンデン
サＣ9 〜Ｃ11、可変抵抗ＶR等でバッファ部を構成して
いる。
【０００５】また、図４（Ｂ）の回路例では、図４
（Ａ）の回路例におけるコイルＬ1 を、ストリップライ
ンＳＬで置き換えたものであり、他の構成は図４（Ａ）
と同じである。
（Ａ）の回路例におけるコイルＬ1 を、ストリップライ
ンＳＬで置き換えたものであり、他の構成は図４（Ａ）
と同じである。
【０００６】ところで、このような回路構成のＶＣＯと
して、例えば多層基板を用いてモジュール化したものが
開発されていた。このようなＶＣＯでは、コンデンサや
コイル等の一部の部品を、厚膜パターンで構成し、多層
基板に内蔵することも行われていた。
して、例えば多層基板を用いてモジュール化したものが
開発されていた。このようなＶＣＯでは、コンデンサや
コイル等の一部の部品を、厚膜パターンで構成し、多層
基板に内蔵することも行われていた。
【０００７】また、周波数調整を行うために、回路中の
導体パターンの一部を削ったり、構成部品等の調整を行
っていた。そして、前記の調整が終了すると、シールド
用に、シールドキャップを、部品搭載面に被せていた。
導体パターンの一部を削ったり、構成部品等の調整を行
っていた。そして、前記の調整が終了すると、シールド
用に、シールドキャップを、部品搭載面に被せていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) 基板に部品を実装して、周波数調整等の特性の調整
を行った後、シールドキャップを被せるが、シールドキ
ャップを被せる前と後では、特性がズレる。
のにおいては、次のような課題があった。 (1) 基板に部品を実装して、周波数調整等の特性の調整
を行った後、シールドキャップを被せるが、シールドキ
ャップを被せる前と後では、特性がズレる。
【０００９】(2) この場合、傾向をつかんで調整をした
後、シールドキャップを被せても、特性のズレが生じる
ことがある。 (3) シールドキャップを被せた後は、基板上の調整箇所
がシールドキャップで覆われているため、特性の調整が
できない。
後、シールドキャップを被せても、特性のズレが生じる
ことがある。 (3) シールドキャップを被せた後は、基板上の調整箇所
がシールドキャップで覆われているため、特性の調整が
できない。
【００１０】(4) 従って、周波数調整等の特性の調整が
めんどうであり、正確な調整ができない。 (5) 基板にシールドキャップを被せる際、シールドキャ
ップと基板との間を半田付けして固着するが、この半田
付け工程は、部品実装時の半田付け工程とは別に行う必
要がある（間に、調整工程が入るため）。
めんどうであり、正確な調整ができない。 (5) 基板にシールドキャップを被せる際、シールドキャ
ップと基板との間を半田付けして固着するが、この半田
付け工程は、部品実装時の半田付け工程とは別に行う必
要がある（間に、調整工程が入るため）。
【００１１】従って、製造工程が多くなり、製品のコス
トアップの原因ともなっていた。本発明は、このような
従来の課題を解決し、発振器の特性の調整が簡単かつ正
確にできるようにし、かつ製造工程を簡単にすることを
目的とする。
トアップの原因ともなっていた。本発明は、このような
従来の課題を解決し、発振器の特性の調整が簡単かつ正
確にできるようにし、かつ製造工程を簡単にすることを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理図で
あり、図中、１は基板、２は蓋（キャップ）、３は部品
（ディスクリート部品）、４は厚膜パターン、５はＧＮ
Ｄパターン、６はトリミング部（調整部）を示す。
あり、図中、１は基板、２は蓋（キャップ）、３は部品
（ディスクリート部品）、４は厚膜パターン、５はＧＮ
Ｄパターン、６はトリミング部（調整部）を示す。
【００１３】本発明は上記の課題を解決するため、次の
ように構成した。 (1) 少なくとも、発振部のインダクタンス素子を、多層
基板１に内蔵し、該多層基板１に、シールドキャップ２
を被せた発振器モジュールであって、上記多層基板１の
外側に、ＧＮＤパターン５を設定すると共に、該ＧＮＤ
パターン５の少なくとも一部を、シールドキャップ２で
覆われないように、露出させておき、この露出させたＧ
ＮＤパターン５の一部を、シールドキャップ２を被せた
後の特性調整時のトリミング部６とした (2) 構成（１）において、インダクタンス素子がコイル
であり、該コイルを構成するコイルパターンと、多層基
板１の積層方向で向き合う位置に、トリミング部６を設
定した。
ように構成した。 (1) 少なくとも、発振部のインダクタンス素子を、多層
基板１に内蔵し、該多層基板１に、シールドキャップ２
を被せた発振器モジュールであって、上記多層基板１の
外側に、ＧＮＤパターン５を設定すると共に、該ＧＮＤ
パターン５の少なくとも一部を、シールドキャップ２で
覆われないように、露出させておき、この露出させたＧ
ＮＤパターン５の一部を、シールドキャップ２を被せた
後の特性調整時のトリミング部６とした (2) 構成（１）において、インダクタンス素子がコイル
であり、該コイルを構成するコイルパターンと、多層基
板１の積層方向で向き合う位置に、トリミング部６を設
定した。
【００１４】(3) 構成（１）において、インダクタンス
素子が、ストリップラインによるλ／４型共振器であ
り、該λ／４型共振器のＧＮＤ電極を、上記トリミング
部６を設定したＧＮＤパターン５とした。
素子が、ストリップラインによるλ／４型共振器であ
り、該λ／４型共振器のＧＮＤ電極を、上記トリミング
部６を設定したＧＮＤパターン５とした。
【００１５】(4) 構成（１）において、多層基板１の外
側であって、上記ＧＮＤパターン５の近傍に、発振器の
出力レベルを調整可能な抵抗パターンを設け、この抵抗
パターンが、シールドキャップ２で覆われないように露
出させておくことにより、該抵抗パターンを、シールド
キャップ２を被せた後の特性調整時に、トリミング可能
にした。
側であって、上記ＧＮＤパターン５の近傍に、発振器の
出力レベルを調整可能な抵抗パターンを設け、この抵抗
パターンが、シールドキャップ２で覆われないように露
出させておくことにより、該抵抗パターンを、シールド
キャップ２を被せた後の特性調整時に、トリミング可能
にした。
【００１６】(5) 構成（１）〜（４）において、発振器
を、電圧制御発振器（ＶＣＯ）とした。 (6) 少なくとも、発振部のインダクタンス素子を多層基
板に内蔵し、該多層基板１に、シールドキャップ２を被
せた発振器モジュールの調整方法であって、上記多層基
板１に部品を実装する際、該多層基板１の外側に、ＧＮ
Ｄパターン５を設定しておき、該ＧＮＤパターン５の少
なくとも一部を露出させた状態で、上記シールドキャッ
プ２を被せた後、該ＧＮＤパターン５の一部をトリミン
グすることにより、特性の調整を行うようにした。
を、電圧制御発振器（ＶＣＯ）とした。 (6) 少なくとも、発振部のインダクタンス素子を多層基
板に内蔵し、該多層基板１に、シールドキャップ２を被
せた発振器モジュールの調整方法であって、上記多層基
板１に部品を実装する際、該多層基板１の外側に、ＧＮ
Ｄパターン５を設定しておき、該ＧＮＤパターン５の少
なくとも一部を露出させた状態で、上記シールドキャッ
プ２を被せた後、該ＧＮＤパターン５の一部をトリミン
グすることにより、特性の調整を行うようにした。
【００１７】(7) 構成（６）において、多層基板の外側
に、ＧＮＤパターン５を設定する際、その近傍に、抵抗
パターンを設定しておき、該抵抗パターンを露出させた
状態でシールドキャップ２を被せた後、該抵抗パターン
をトリミングすることにより、発振器の出力レベルを調
整するようにした。
に、ＧＮＤパターン５を設定する際、その近傍に、抵抗
パターンを設定しておき、該抵抗パターンを露出させた
状態でシールドキャップ２を被せた後、該抵抗パターン
をトリミングすることにより、発振器の出力レベルを調
整するようにした。
【００１８】
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を、図１を参照
しながら説明する。例えばＶＣＯ（電圧制御発振器）の
ような発振器をモジュール化する際、先ず、多層基板１
への部品実装を行う。
しながら説明する。例えばＶＣＯ（電圧制御発振器）の
ような発振器をモジュール化する際、先ず、多層基板１
への部品実装を行う。
【００１９】この部品実装工程では、多層基板１の内部
層に、厚膜パターン４によって厚膜素子を設定したり、
部品搭載面に、部品（ディスクリート部品）３を実装し
たりする。
層に、厚膜パターン４によって厚膜素子を設定したり、
部品搭載面に、部品（ディスクリート部品）３を実装し
たりする。
【００２０】この時、多層基板１の外側に、ＧＮＤパタ
ーン５を、厚膜導体パターンとして設定しておく。ま
た、必要があれば、発振器の出力調整を行うための抵抗
パターン等も、ＧＮＤパターン５の近傍に設定してお
く。
ーン５を、厚膜導体パターンとして設定しておく。ま
た、必要があれば、発振器の出力調整を行うための抵抗
パターン等も、ＧＮＤパターン５の近傍に設定してお
く。
【００２１】そして、多層基板の部品３を実装した面上
には、シールドキャップ２を被せ、半田付け等により、
多層基板とシールドキャップとの固着を行う。この場
合、ＧＮＤパターン５のトリミング部（調整部）６の部
分には、シールドキャップ２を被せないようにしてお
く。
には、シールドキャップ２を被せ、半田付け等により、
多層基板とシールドキャップとの固着を行う。この場
合、ＧＮＤパターン５のトリミング部（調整部）６の部
分には、シールドキャップ２を被せないようにしてお
く。
【００２２】次の調整工程では、ＧＮＤパターン５のト
リミング部６をトリミングして、発振器の発振周波数等
を調整する。また、多層基板１の外側に、抵抗パターン
が設定されている場合には、該抵抗パターンをトリミン
グすることにより、発振器の出力レベルを調整する。
リミング部６をトリミングして、発振器の発振周波数等
を調整する。また、多層基板１の外側に、抵抗パターン
が設定されている場合には、該抵抗パターンをトリミン
グすることにより、発振器の出力レベルを調整する。
【００２３】このようにすれば、発振器の特性調整が一
度で簡単にできると共に、調整後に、特性がズレること
もない。
度で簡単にできると共に、調整後に、特性がズレること
もない。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図２〜図３は、本発明の実施例を示した図であ
り、図２はＶＣＯ（その１）、図３はＶＣＯ（その２）
である。
する。図２〜図３は、本発明の実施例を示した図であ
り、図２はＶＣＯ（その１）、図３はＶＣＯ（その２）
である。
【００２５】図２、図３中、図１、図４と同じものは、
同一符号により示してある。また、４Ｌはコイルパター
ン、４ＧはＧＮＤパターン、４Ｒは共振電極パターン、
７は共振電極パターンの信号入力部、８は抵抗パター
ン、９−１〜９−６は外部端子を示す。
同一符号により示してある。また、４Ｌはコイルパター
ン、４ＧはＧＮＤパターン、４Ｒは共振電極パターン、
７は共振電極パターンの信号入力部、８は抵抗パター
ン、９−１〜９−６は外部端子を示す。
【００２６】本実施例は、多層基板を用いてモジュール
化したＶＣＯ（電圧制御発振器）の例であり、その回路
構成は、図４に示した従来例と同じである。図２Ａに示
した例１は、図４（Ａ）に示した回路構成を有するＶＣ
Ｏモジュールの例であり、図２Ｂに示した例２は、図４
（Ｂ）に示したＶＣＯモジュールの例である。
化したＶＣＯ（電圧制御発振器）の例であり、その回路
構成は、図４に示した従来例と同じである。図２Ａに示
した例１は、図４（Ａ）に示した回路構成を有するＶＣ
Ｏモジュールの例であり、図２Ｂに示した例２は、図４
（Ｂ）に示したＶＣＯモジュールの例である。
【００２７】また、図３に示した例３は、図４（Ｂ）に
示した回路構成を有するＶＣＯモジュールの例である。
以下、各例を製造過程に沿って説明する。
示した回路構成を有するＶＣＯモジュールの例である。
以下、各例を製造過程に沿って説明する。
【００２８】(1) 例１の説明・・・図２Ａ参照 この例では、先ず図４（Ａ）に示したコイル、抵抗、コ
ンデンサ、トランジスタ等の各部品を多層基板１に実装
する。
ンデンサ、トランジスタ等の各部品を多層基板１に実装
する。
【００２９】この場合、発振部を構成するコイルＬ
1 は、厚膜導体から成るコイルパターン４Ｌで形成し、
多層基板１に内蔵する。また、多層基板１の外側には、
ＧＮＤ電極を構成するＧＮＤパターン５を、厚膜導体で
形成し、多層基板１の内部のパターン等に接続してお
く。
1 は、厚膜導体から成るコイルパターン４Ｌで形成し、
多層基板１に内蔵する。また、多層基板１の外側には、
ＧＮＤ電極を構成するＧＮＤパターン５を、厚膜導体で
形成し、多層基板１の内部のパターン等に接続してお
く。
【００３０】更に、多層基板１の表面には、トランジス
タ、コンデンサ等の部品（ディスクリート部品）３を実
装したり、あるいは多層基板１の内部に、厚膜パターン
を形成して、他の部品の実装を行う。
タ、コンデンサ等の部品（ディスクリート部品）３を実
装したり、あるいは多層基板１の内部に、厚膜パターン
を形成して、他の部品の実装を行う。
【００３１】上記のようにして、部品の実装が終了する
と、多層基板１の側面に、外部端子（側面電極）を、厚
膜導体等により形成する。その後、部品を実装した多層
基板１に、シールドキャップ２を被せ、このシールドキ
ャップ２と多層基板１との間を半田付けして固着する
（特性の調整をしない状態でシールドキャップを被せ
る）。
と、多層基板１の側面に、外部端子（側面電極）を、厚
膜導体等により形成する。その後、部品を実装した多層
基板１に、シールドキャップ２を被せ、このシールドキ
ャップ２と多層基板１との間を半田付けして固着する
（特性の調整をしない状態でシールドキャップを被せ
る）。
【００３２】上記のようにしてシールドキャップ２を被
せるが、この時、多層基板１の外側に形成したＧＮＤパ
ターン５の少なくとも一部は、外部に露出させておく
（シールドキャップ２で、ＧＮＤパターン５を被せない
ようにする）。
せるが、この時、多層基板１の外側に形成したＧＮＤパ
ターン５の少なくとも一部は、外部に露出させておく
（シールドキャップ２で、ＧＮＤパターン５を被せない
ようにする）。
【００３３】すなわち、部品を実装した多層基板の表側
にシールドキャップ２を被せ、裏側にＧＮＤ電極５を設
けたＶＣＯモジュールとし、該シールドキャップ２とＧ
ＮＤパターン５を電気的に接続して、同電位となるよう
にしておく。
にシールドキャップ２を被せ、裏側にＧＮＤ電極５を設
けたＶＣＯモジュールとし、該シールドキャップ２とＧ
ＮＤパターン５を電気的に接続して、同電位となるよう
にしておく。
【００３４】次に、ＶＣＯモジュールの裏側（多層基板
の外側）に設けたＧＮＤパターンのトリミング部６を削
ることにより、ＶＣＯの発振周波数等の特性の調整（発
振周波数等の合せ込み）を行う。
の外側）に設けたＧＮＤパターンのトリミング部６を削
ることにより、ＶＣＯの発振周波数等の特性の調整（発
振周波数等の合せ込み）を行う。
【００３５】トリミング部６としては、発振周波数に大
きく影響を与える部分とすればよい。そこでこの例で
は、コイルＬ1 を構成するコイルパターン４Ｌのほぼ中
央部とした。
きく影響を与える部分とすればよい。そこでこの例で
は、コイルＬ1 を構成するコイルパターン４Ｌのほぼ中
央部とした。
【００３６】すなわち、多層基板１内に内蔵したコイル
パターン４Ｌの下側にあるＧＮＤパターン５の一部であ
って、該コイルパターン４Ｌのほぼ中央部に対応した位
置をトリミング部６とした。
パターン４Ｌの下側にあるＧＮＤパターン５の一部であ
って、該コイルパターン４Ｌのほぼ中央部に対応した位
置をトリミング部６とした。
【００３７】ＧＮＤパターン５のトリミング部６を削る
際は、例えばレーザ光を用いて行う（レーザトリミン
グ）。なお、トリミング部６の位置は、この例の場合、
コイルパターン４Ｌの外径の内側ならば、どこでも同じ
ように調整が可能である。
際は、例えばレーザ光を用いて行う（レーザトリミン
グ）。なお、トリミング部６の位置は、この例の場合、
コイルパターン４Ｌの外径の内側ならば、どこでも同じ
ように調整が可能である。
【００３８】すなわち、多層基板１の積層方向に対し、
コイルパターン４Ｌと向き合う位置のＧＮＤパターン５
の部分ならば、どの位置にトリミング部６を設定しても
よい。
コイルパターン４Ｌと向き合う位置のＧＮＤパターン５
の部分ならば、どの位置にトリミング部６を設定しても
よい。
【００３９】(2) 例２の説明・・・図２Ｂ参照 この例は、ＶＣＯの発振部に、ストリップラインＳＬを
用いた例である。この場合、ストリップラインＳＬをト
リプレート型ストリップラインにして、λ／４型共振器
を構成したものである（ただし、λは信号の波長）。
用いた例である。この場合、ストリップラインＳＬをト
リプレート型ストリップラインにして、λ／４型共振器
を構成したものである（ただし、λは信号の波長）。
【００４０】このλ／４型共振器は、厚膜導体によるパ
ターンとして、多層基板１に設定する。すなわち、多層
基板１の内部に、λ／４型共振電極を構成する共振電極
パターン４Ｒと、ＧＮＤ側電極を構成するＧＮＤパター
ン４Ｇを形成し、該多層基板１の外側にＧＮＤパターン
５（このＧＮＤパターンは、例１のパターンと同じ）を
形成する。
ターンとして、多層基板１に設定する。すなわち、多層
基板１の内部に、λ／４型共振電極を構成する共振電極
パターン４Ｒと、ＧＮＤ側電極を構成するＧＮＤパター
ン４Ｇを形成し、該多層基板１の外側にＧＮＤパターン
５（このＧＮＤパターンは、例１のパターンと同じ）を
形成する。
【００４１】そして、多層基板１の積層方向で、共振電
極パターン４Ｒの両側を、２つのＧＮＤパターン４Ｇ、
５により挟んだトリプレート型の共振器とする。なお、
上記λ／４型共振器以外の構成は、例１と同じである。
極パターン４Ｒの両側を、２つのＧＮＤパターン４Ｇ、
５により挟んだトリプレート型の共振器とする。なお、
上記λ／４型共振器以外の構成は、例１と同じである。
【００４２】この場合にも、部品実装後、シールドキャ
ップ２を被せ、最後に、多層基板１の外側に設けたＧＮ
Ｄパターン５のトリミング部６を削ることにより（トリ
ミング）、発振周波数の調整等を行う。
ップ２を被せ、最後に、多層基板１の外側に設けたＧＮ
Ｄパターン５のトリミング部６を削ることにより（トリ
ミング）、発振周波数の調整等を行う。
【００４３】ところで、この例では、共振電極パターン
４Ｒのすぐ下側にＧＮＤパターン５が設定されているた
め、ＧＮＤパターン５の一部、すなわちトリミング部６
を削れば、ＶＣＯの発振周波数の調整が容易にできる。
４Ｒのすぐ下側にＧＮＤパターン５が設定されているた
め、ＧＮＤパターン５の一部、すなわちトリミング部６
を削れば、ＶＣＯの発振周波数の調整が容易にできる。
【００４４】トリミング部６の位置としては、例えば共
振電極パターン４Ｒの信号入力部７（図４（Ｂ）のコン
デンサＣ2 、Ｃ3 に接続された部分に対応する）の下側
とする。
振電極パターン４Ｒの信号入力部７（図４（Ｂ）のコン
デンサＣ2 、Ｃ3 に接続された部分に対応する）の下側
とする。
【００４５】なお、この場合、図２Ｂに示したトリミン
グ部６の位置に限らず、信号入力部７の下側から、ＧＮ
Ｄ側に至るまでの任意の位置にトリミング部６を設定し
ても、特性の調整は可能である。
グ部６の位置に限らず、信号入力部７の下側から、ＧＮ
Ｄ側に至るまでの任意の位置にトリミング部６を設定し
ても、特性の調整は可能である。
【００４６】(3) 例３の説明・・・図３参照 この例は、例２と同様に、ＶＣＯの発振部に、λ／４型
共振器を用いて、特性の調整ができるようにすると共
に、可変抵抗ＶR （図４（Ｂ）参照）を厚膜パターン
（印刷抵抗）で設定し、ファンクショントリミングを可
能にしたものである。
共振器を用いて、特性の調整ができるようにすると共
に、可変抵抗ＶR （図４（Ｂ）参照）を厚膜パターン
（印刷抵抗）で設定し、ファンクショントリミングを可
能にしたものである。
【００４７】図３Ｃは、例３のＶＣＯモジュールの裏側
から見た斜視図、図３Ｄは、図３ＣのＸ−Ｙ線方向断面
図である。図３に示したように、多層基板１の内部に
は、共振電極パターン４Ｒと、ＧＮＤパターン４Ｇとを
設定し、該多層基板１の外側には、ＧＮＤパターン５を
設定する。そして、共振電極パターン４Ｒを、積層方向
の両側で、２つのＧＮＤパターン４Ｇ、及び５によって
挟み、λ／４型共振器とする（この点は例２と同じ）。
から見た斜視図、図３Ｄは、図３ＣのＸ−Ｙ線方向断面
図である。図３に示したように、多層基板１の内部に
は、共振電極パターン４Ｒと、ＧＮＤパターン４Ｇとを
設定し、該多層基板１の外側には、ＧＮＤパターン５を
設定する。そして、共振電極パターン４Ｒを、積層方向
の両側で、２つのＧＮＤパターン４Ｇ、及び５によって
挟み、λ／４型共振器とする（この点は例２と同じ）。
【００４８】この場合、多層基板１の裏側（部品３の搭
載面を表側とする）に、ＧＮＤパターン５と並べて、可
変抵抗ＶR を構成する抵抗パターン８を、厚膜抵抗体
（印刷抵抗）で設定する。
載面を表側とする）に、ＧＮＤパターン５と並べて、可
変抵抗ＶR を構成する抵抗パターン８を、厚膜抵抗体
（印刷抵抗）で設定する。
【００４９】また、多層基板１の側面には、複数の外部
端子９−１〜９−６を、厚膜導体等で形成する。これら
の外部端子の内、例えば外部端子９−６を電源端子（Ｖ
cc）として用い、この外部端子９−６を、上記抵抗パタ
ーン８に接続しておく。
端子９−１〜９−６を、厚膜導体等で形成する。これら
の外部端子の内、例えば外部端子９−６を電源端子（Ｖ
cc）として用い、この外部端子９−６を、上記抵抗パタ
ーン８に接続しておく。
【００５０】この例でも、上記のようにして部品実装を
行った後、多層基板の表面（部品搭載面側）上に、シー
ルドキャップ２を被せ、半田付けを行って、多層基板１
と一体化し、ＶＣＯモジュールとする。
行った後、多層基板の表面（部品搭載面側）上に、シー
ルドキャップ２を被せ、半田付けを行って、多層基板１
と一体化し、ＶＣＯモジュールとする。
【００５１】その後、例２と同じように、ＧＮＤパター
ン５を削ることにより、ＶＣＯの発振周波数の調整を行
う。なお、図３では、ＧＮＤパターン５のトリミング部
は、例２と同じなので、図示省略してある。
ン５を削ることにより、ＶＣＯの発振周波数の調整を行
う。なお、図３では、ＧＮＤパターン５のトリミング部
は、例２と同じなので、図示省略してある。
【００５２】上記のＧＮＤパターン５のトリミングとは
別に、この例では、抵抗パターン８を削ることにより
（ファンクショントリミング）、可変抵抗ＶR の抵抗値
を調整する。
別に、この例では、抵抗パターン８を削ることにより
（ファンクショントリミング）、可変抵抗ＶR の抵抗値
を調整する。
【００５３】この可変抵抗ＶR の調整では、ＶＣＯの発
振出力レベルを調整する。 （他の実施例）以上実施例について説明したが、本発明
は次のようにしても実施可能である。
振出力レベルを調整する。 （他の実施例）以上実施例について説明したが、本発明
は次のようにしても実施可能である。
【００５４】(1) ＶＣＯに限らず、他の発振器にも適用
可能である。 (2) 基板としては、セラミック多層基板を用いてもよい
し、樹脂系の多層基板（例えばガラス−エポキシ樹脂系
の基板）を用いてもよい。
可能である。 (2) 基板としては、セラミック多層基板を用いてもよい
し、樹脂系の多層基板（例えばガラス−エポキシ樹脂系
の基板）を用いてもよい。
【００５５】(3) ＶＣＯの回路としては、図４に示した
回路に限らず、他の回路構成のものにも適用可能であ
る。 (4) ストリップラインによるλ／４型共振器は、実施例
のようなトリプレート型の共振器に限らず、他の共振器
でも適用可能である。
回路に限らず、他の回路構成のものにも適用可能であ
る。 (4) ストリップラインによるλ／４型共振器は、実施例
のようなトリプレート型の共振器に限らず、他の共振器
でも適用可能である。
【００５６】(5) 発振器を構成する各コンデンサを多層
基板１内に内蔵することも可能である。その場合はＧＮ
Ｄ側に接続される側の電極パターンは上記のＧＮＤパタ
ーン５を用いることが可能である。
基板１内に内蔵することも可能である。その場合はＧＮ
Ｄ側に接続される側の電極パターンは上記のＧＮＤパタ
ーン５を用いることが可能である。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) シールドキャップを被せた後に、特性の調整を行う
ため、発振周波数等の特性のズレが生じない。
のような効果がある。 (1) シールドキャップを被せた後に、特性の調整を行う
ため、発振周波数等の特性のズレが生じない。
【００５８】(2) 出力レベルの調整も、抵抗パターンの
トリミングにより、容易に調整可能である。また、抵抗
パターンのトリミングは、ＧＮＤパターンのトリミング
により、発振周波数の調整を行う際の工程と同じ工程で
行えるため、簡単かつ容易に行える。
トリミングにより、容易に調整可能である。また、抵抗
パターンのトリミングは、ＧＮＤパターンのトリミング
により、発振周波数の調整を行う際の工程と同じ工程で
行えるため、簡単かつ容易に行える。
【００５９】(3) シールドキャップを被せるのは、部品
の実装工程と同じ工程において処理できるため、従来例
よりも製造工程が簡単になる。 (4) シールドキャップを被せた後に、一度で特性の調整
を行うため、調整が容易、かつ正確にできる。
の実装工程と同じ工程において処理できるため、従来例
よりも製造工程が簡単になる。 (4) シールドキャップを被せた後に、一度で特性の調整
を行うため、調整が容易、かつ正確にできる。
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の実施例におけるＶＣＯ（その１）を示
した図である。
した図である。
【図３】本発明の実施例におけるＶＣＯ（その２）を示
した図である。
した図である。
【図４】ＶＣＯの回路例を示した図である。
１ 基板 ２ シールドキャップ ３ 部品（ディスクリート部品） ４ 厚膜パターン ５ ＧＮＤパターン ６ トリミング部（調整部）
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも、発振部のインダクタンス素
子（Ｌ1 、ＳＬ）を多層基板（１）に内蔵し、 該多層基板（１）に、シールドキャップ（２）を被せた
発振器モジュールであって、 上記多層基板（１）の外側に、ＧＮＤパターン（５）を
設定すると共に、 該ＧＮＤパターン（５）の少なくとも一部を、シールド
キャップ（２）で覆われないように、露出させておき、 この露出させたＧＮＤパターン（５）の一部を、 特性調整時のトリミング部（６）としたことを特徴とす
る発振器モジュール。 - 【請求項２】 上記インダクタンス素子がコイル
（Ｌ1 ）であり、 該コイル（Ｌ1 ）を構成するコイルパターン（４Ｌ）
と、多層基板（１）の積層方向で向き合う位置に、 上記トリミング部（６）を設定したことを特徴とする請
求項１記載の発振器モジュール。 - 【請求項３】 上記インダクタンス素子が、 ストリップラインによるλ／４型共振器であり、 該λ／４型共振器のＧＮＤ電極を、 上記トリミング部（６）を設定したＧＮＤパターン
（５）としたことを特徴とする請求項１記載の発振器モ
ジュール。 - 【請求項４】 上記多層基板（１）の外側であって、 上記ＧＮＤパターン（５）の近傍に、発振器の出力レベ
ルを調整可能な抵抗パターン（８）を設け、 この抵抗パターン（８）が、シールドキャップ（２）で
覆われないように、露出させておくことにより、 該抵抗パターン（８）を、シールドキャップ（２）を被
せた後の特性調整時に、トリミング可能にしたことを特
徴とする請求項１記載の発振器モジュール。 - 【請求項５】 上記発振器が、電圧制御発振器（ＶＣ
Ｏ）であることを特徴とした請求項１または２または３
または４記載の発振器モジュール。 - 【請求項６】 少なくとも、発振部のインダクタンス素
子（Ｌ1 、ＳＬ）を多層基板（１）に内蔵し、 該多層基板（１）に、シールドキャップ（２）を被せた
発振器モジュールの調整方法であって、 上記多層基板（１）に、部品を実装する際、 該多層基板（１）の外側に、ＧＮＤパターン（５）を設
定しておき、 該ＧＮＤパターン（５）の少なくとも一部を露出させた
状態で、上記シールドキャップ（２）を被せた後、 該ＧＮＤパターン（５）の一部をトリミングすることに
より、特性の調整を行うようにしたことを特徴とする発
振器モジュールの調整方法。 - 【請求項７】 上記多層基板（１）の外側に、ＧＮＤパ
ターン（５）を設定する際、 その近傍に、抵抗パターン（８）を設定しておき、 該抵抗パターン（８）を露出させた状態でシールドキャ
ップ（２）を被せた後、 該抵抗パターン（８）をトリミングすることにより、発
振器の出力レベルを調整することを特徴とした請求項６
記載の発振器モジュールの調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7644392A JPH05283933A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 発振器モジュール及びその調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7644392A JPH05283933A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 発振器モジュール及びその調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283933A true JPH05283933A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13605299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7644392A Withdrawn JPH05283933A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 発振器モジュール及びその調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650192B2 (en) | 2000-04-05 | 2003-11-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for adjusting characteristics of voltage control type oscillator |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7644392A patent/JPH05283933A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650192B2 (en) | 2000-04-05 | 2003-11-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for adjusting characteristics of voltage control type oscillator |
| KR100515816B1 (ko) * | 2000-04-05 | 2005-09-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전압 제어형 발진기의 특성 조정 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |