JPH1022734A - 水晶発振器 - Google Patents
水晶発振器Info
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- JPH1022734A JPH1022734A JP16958196A JP16958196A JPH1022734A JP H1022734 A JPH1022734 A JP H1022734A JP 16958196 A JP16958196 A JP 16958196A JP 16958196 A JP16958196 A JP 16958196A JP H1022734 A JPH1022734 A JP H1022734A
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- crystal oscillator
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層基板上に水晶発振器を配線，実装する
に際し、電源パターンまたはアースパターンによる影響
を抑圧し、所望の発振周波数及びその可変範囲が得られ
るようにする。 【解決手段】 水晶発振器を構成するＣ−ＭＯＳインバ
ータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変容
量ダイオード５及び信号線６が基板の一方の面に実装さ
れ、他方の面にアースパターン８が設けられている。ア
ースパターン８での、Ｃ−ＭＯＳインバータ１，抵抗
２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変容量ダイオード
５及び信号線６に対向する部分には、窓状部８ａが形成
され、これにより、アースパターン８とＣ−ＭＯＳイン
バータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変
容量ダイオード５及び信号線６とが対向しないようにし
て、これら間に発振周波数やその可変範囲に影響する静
電容量が生じないようにする。
に際し、電源パターンまたはアースパターンによる影響
を抑圧し、所望の発振周波数及びその可変範囲が得られ
るようにする。 【解決手段】 水晶発振器を構成するＣ−ＭＯＳインバ
ータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変容
量ダイオード５及び信号線６が基板の一方の面に実装さ
れ、他方の面にアースパターン８が設けられている。ア
ースパターン８での、Ｃ−ＭＯＳインバータ１，抵抗
２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変容量ダイオード
５及び信号線６に対向する部分には、窓状部８ａが形成
され、これにより、アースパターン８とＣ−ＭＯＳイン
バータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変
容量ダイオード５及び信号線６とが対向しないようにし
て、これら間に発振周波数やその可変範囲に影響する静
電容量が生じないようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶振動子を用い
た発振回路に係り、特に、多層基板上に配線、実装され
た水晶発振器に関する。
た発振回路に係り、特に、多層基板上に配線、実装され
た水晶発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】水晶振動子を用いた水晶発振器は、発振
周波数の安定度が高いことから、従来より広く用いられ
ており、この発振周波数の微調整は、例えば、水晶振動
子の両端子に接続された負荷容量の値を調整することに
よって行なわれてきた。
周波数の安定度が高いことから、従来より広く用いられ
ており、この発振周波数の微調整は、例えば、水晶振動
子の両端子に接続された負荷容量の値を調整することに
よって行なわれてきた。
【０００３】水晶発振器がかかる構成の場合には、かか
る水晶発振器を有する機器（以下、自機器という）が他
の別機器とは一切接続されず、水晶発振器の発振周波数
がこの機器の全ての基準周波数となる場合には、特に問
題はないが、この自機器が任意の個数の別機器と電気的
に直接あるいは空中線を介して接続され、これら別機器
から情報を読み取る場合には、この自機器の基準周波数
を別機器から送られてくる情報の周波数に合わせる必要
があり、この場合には、この自機器の水晶発振器の発振
周波数を何らかの手段を用いて変化させなければならな
い。特に、不特定多数の別機器から情報を読み取る場合
には、発振周波数の可変幅が広い水晶発振器が必要にな
る。
る水晶発振器を有する機器（以下、自機器という）が他
の別機器とは一切接続されず、水晶発振器の発振周波数
がこの機器の全ての基準周波数となる場合には、特に問
題はないが、この自機器が任意の個数の別機器と電気的
に直接あるいは空中線を介して接続され、これら別機器
から情報を読み取る場合には、この自機器の基準周波数
を別機器から送られてくる情報の周波数に合わせる必要
があり、この場合には、この自機器の水晶発振器の発振
周波数を何らかの手段を用いて変化させなければならな
い。特に、不特定多数の別機器から情報を読み取る場合
には、発振周波数の可変幅が広い水晶発振器が必要にな
る。
【０００４】発振周波数の可変幅を広く取れるように工
夫された水晶発振器の一例が、例えば、特開平５−２８
３９３５号公報に記載されている。
夫された水晶発振器の一例が、例えば、特開平５−２８
３９３５号公報に記載されている。
【０００５】この水晶発振器は、図３に示すように、水
晶振動子３と並列にＣＭＯＳインバータ１と抵抗２を接
続し、また、水晶振動子３の両端子を夫々、可変容量ダ
イオード５を含む負荷容量回路を介して接地する構成と
し、これら可変容量ダイオード５に任意の電圧を加える
ことによって発振周波数を変化させることができるよう
にしたものであって、かかる可変容量ダイオード５を制
御することにより、発振周波数の可変幅を広く取れるよ
うにしている。
晶振動子３と並列にＣＭＯＳインバータ１と抵抗２を接
続し、また、水晶振動子３の両端子を夫々、可変容量ダ
イオード５を含む負荷容量回路を介して接地する構成と
し、これら可変容量ダイオード５に任意の電圧を加える
ことによって発振周波数を変化させることができるよう
にしたものであって、かかる可変容量ダイオード５を制
御することにより、発振周波数の可変幅を広く取れるよ
うにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の水晶発振器をそのまま多層基板上に配線，実装した
場合、以下のような問題点が生ずる。即ち、 （１）発振周波数の中心値が目標値より大きく外れてし
まう。 （２）発振周波数の可変範囲が目標値より著しく狭くな
る。
来の水晶発振器をそのまま多層基板上に配線，実装した
場合、以下のような問題点が生ずる。即ち、 （１）発振周波数の中心値が目標値より大きく外れてし
まう。 （２）発振周波数の可変範囲が目標値より著しく狭くな
る。
【０００７】多層基板として、例えば、４層基板を用い
た場合、基板の表面に現われない層（いわゆる、内層）
のパターンは、多くの場合、電源またはアースパターン
であり、それらの配線の仕方は、機器の性能を向上させ
るため、図４に示すように、層一面を、電源またはアー
スパターンとして、殆ど隙間なく銅箔面で埋めつくして
しまうのが一般的である。
た場合、基板の表面に現われない層（いわゆる、内層）
のパターンは、多くの場合、電源またはアースパターン
であり、それらの配線の仕方は、機器の性能を向上させ
るため、図４に示すように、層一面を、電源またはアー
スパターンとして、殆ど隙間なく銅箔面で埋めつくして
しまうのが一般的である。
【０００８】このような基板上に配線，実装した回路で
は、電源またはアースとの間で平行平板コンデンサを構
成してしまうため、これら間に静電容量が存在すること
になり、回路によっては、この静電容量が無視できない
場合がある。特に、水晶発振器では、水晶振動子の負荷
容量が、一般に、数ｐＦ〜数十ｐＦと非常に小さいた
め、配線の仕方によっては、この静電容量の影響を受け
やすい。
は、電源またはアースとの間で平行平板コンデンサを構
成してしまうため、これら間に静電容量が存在すること
になり、回路によっては、この静電容量が無視できない
場合がある。特に、水晶発振器では、水晶振動子の負荷
容量が、一般に、数ｐＦ〜数十ｐＦと非常に小さいた
め、配線の仕方によっては、この静電容量の影響を受け
やすい。
【０００９】例えば、上記従来の水晶発振器を上記の４
層基板に配線，実装した場合、その等価回路は図５に示
すようになり、実際の水晶振動子の負荷容量は、回路図
上で接続されている静電容量の値よりもかなり大きな値
となってしまう。従って、この場合の発振周波数は、こ
の負荷容量の増加した分だけ設計値よりも低くなる。ま
た、この負荷容量の可変幅も固定静電容量の増加した分
だけ狭くなるから、発振周波数の可変範囲も当然に狭く
なる。
層基板に配線，実装した場合、その等価回路は図５に示
すようになり、実際の水晶振動子の負荷容量は、回路図
上で接続されている静電容量の値よりもかなり大きな値
となってしまう。従って、この場合の発振周波数は、こ
の負荷容量の増加した分だけ設計値よりも低くなる。ま
た、この負荷容量の可変幅も固定静電容量の増加した分
だけ狭くなるから、発振周波数の可変範囲も当然に狭く
なる。
【００１０】実験によると、２７ＭＨｚ，負荷容量１２
ｐＦの仕様の水晶振動子を用いて上記従来の水晶発振回
路を４層基板上に実装した場合、図６に示すように、発
振周波数が設計値よりも約１００ｐｐｍ程度低くなり、
周波数可変範囲も約５０ｐｐｍ程度と狭くなった事例が
ある。
ｐＦの仕様の水晶振動子を用いて上記従来の水晶発振回
路を４層基板上に実装した場合、図６に示すように、発
振周波数が設計値よりも約１００ｐｐｍ程度低くなり、
周波数可変範囲も約５０ｐｐｍ程度と狭くなった事例が
ある。
【００１１】このような場合、水晶振動子の設計を再度
やり直すか、または、回路的に対策方法を検討せざるを
得ない。前者の場合、水晶振動子を作り直すことになる
わけであるから、このために、相当の時間を要してしま
う。また、後者の場合には、図７に示すように、水晶振
動子３に直列にコンデンサ４を挿入することにより、発
振周波数を若干高くすることは可能であるが、発振周波
数の可変範囲が狭くなるなどの弊害があり、完全な対策
は不可能である。
やり直すか、または、回路的に対策方法を検討せざるを
得ない。前者の場合、水晶振動子を作り直すことになる
わけであるから、このために、相当の時間を要してしま
う。また、後者の場合には、図７に示すように、水晶振
動子３に直列にコンデンサ４を挿入することにより、発
振周波数を若干高くすることは可能であるが、発振周波
数の可変範囲が狭くなるなどの弊害があり、完全な対策
は不可能である。
【００１２】本発明の目的は、かかる問題を解消し、多
層基板上に配線，実装されて、発振周波数の中心値や可
変範囲を所望に設定することができるようにした水晶発
振器を提供することにある。
層基板上に配線，実装されて、発振周波数の中心値や可
変範囲を所望に設定することができるようにした水晶発
振器を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、多層基板上に配線，実装された水晶発振
器において、全ての層で、水晶発振回路と座標を共有す
る部分では、該水晶発振回路に関する配線を除く一切の
配線を行なわないようにし、特に、内層の電源及びアー
スパターンとしては、該水晶発振回路の裏側に相当する
部分を避けるために、窓状部を設け、この部分を銅箔面
で覆わないようにしている。
に、本発明は、多層基板上に配線，実装された水晶発振
器において、全ての層で、水晶発振回路と座標を共有す
る部分では、該水晶発振回路に関する配線を除く一切の
配線を行なわないようにし、特に、内層の電源及びアー
スパターンとしては、該水晶発振回路の裏側に相当する
部分を避けるために、窓状部を設け、この部分を銅箔面
で覆わないようにしている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００１５】図１は２層基板に実装した場合の本発明に
よる水晶発振器の一実施形態を示す平面図であって、１
はＣ−ＭＯＳインバータ、２は抵抗、３は水晶振動子、
４はコンデンサ、５は可変容量ダイオード、６は表面パ
ターン、７はスルーホール、８はアースパターン、８ａ
は窓状部である。
よる水晶発振器の一実施形態を示す平面図であって、１
はＣ−ＭＯＳインバータ、２は抵抗、３は水晶振動子、
４はコンデンサ、５は可変容量ダイオード、６は表面パ
ターン、７はスルーホール、８はアースパターン、８ａ
は窓状部である。
【００１６】図１において、Ｃ−ＭＯＳインバータ１，
抵抗２，コンデンサ４及び可変容量ダイオード５は面実
装部品であり、また、水晶振動子３は挿入実装部品であ
る。スルーホール７は表面と裏面のパターンをつなぐも
のである。この場合、面実装部品を基板の表面に実装
し、挿入実装部品を基板の裏面に実装している。また、
信号パターンは全て表面に集約し、裏面を銅箔面からな
るアースパターン８で覆うような配線構成としている。
この実施形態の等価回路を図２に示す。但し、図１に対
応する部分には同一符号を付けている。
抵抗２，コンデンサ４及び可変容量ダイオード５は面実
装部品であり、また、水晶振動子３は挿入実装部品であ
る。スルーホール７は表面と裏面のパターンをつなぐも
のである。この場合、面実装部品を基板の表面に実装
し、挿入実装部品を基板の裏面に実装している。また、
信号パターンは全て表面に集約し、裏面を銅箔面からな
るアースパターン８で覆うような配線構成としている。
この実施形態の等価回路を図２に示す。但し、図１に対
応する部分には同一符号を付けている。
【００１７】かかる構成において、表側の面に集約され
て配線，実装されたＣ−ＭＯＳインバータ１，抵抗２，
水晶振動子３，コンデンサ４，可変容量ダイオード５及
びこれら間の配線となる表面パターン６は水晶発振回路
を構成しており、銅箔面からなるアースパターン８が設
けられている。
て配線，実装されたＣ−ＭＯＳインバータ１，抵抗２，
水晶振動子３，コンデンサ４，可変容量ダイオード５及
びこれら間の配線となる表面パターン６は水晶発振回路
を構成しており、銅箔面からなるアースパターン８が設
けられている。
【００１８】この実施形態では、かかるアースパターン
８での、かかる水晶発振回路と基板上の座標を共有して
対向する部分に窓状部８ａが設けられ、アースパターン
８がＣ−ＭＯＳインバータ１，抵抗２，水晶振動子３，
コンデンサ４，可変容量ダイオード５及び表面パターン
６と対向しないようにしている。
８での、かかる水晶発振回路と基板上の座標を共有して
対向する部分に窓状部８ａが設けられ、アースパターン
８がＣ−ＭＯＳインバータ１，抵抗２，水晶振動子３，
コンデンサ４，可変容量ダイオード５及び表面パターン
６と対向しないようにしている。
【００１９】なお、図９に示すように、Ｃ−ＭＯＳイン
バータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変
容量ダイオード５及び表面パターン６に対向する裏側の
部分もアースパターン８で覆ってしまうと、Ｃ−ＭＯＳ
インバータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，
可変容量ダイオード５及び表面パターン６夫々がアース
パターン８と平行平板コンデンサを構成するため、これ
ら間にかなり大きな静電容量が存在してしまい、この静
電容量が水晶振動子３の負荷容量に対して無視できない
値となってしまう。このため、発振周波数及び周波数可
変範囲が設計値に対して大きく外れてしまうことにな
る。
バータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変
容量ダイオード５及び表面パターン６に対向する裏側の
部分もアースパターン８で覆ってしまうと、Ｃ−ＭＯＳ
インバータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，
可変容量ダイオード５及び表面パターン６夫々がアース
パターン８と平行平板コンデンサを構成するため、これ
ら間にかなり大きな静電容量が存在してしまい、この静
電容量が水晶振動子３の負荷容量に対して無視できない
値となってしまう。このため、発振周波数及び周波数可
変範囲が設計値に対して大きく外れてしまうことにな
る。
【００２０】従って、アースパターン８が、Ｃ−ＭＯＳ
インバータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，
可変容量ダイオード５及び表面パターン６と対向するの
を避けるようにするために、このアースパターン８での
これら部品と対向する部分を除いて窓状部８ａを形成す
ることにより、Ｃ−ＭＯＳインバータ１，抵抗２，水晶
振動子３，コンデンサ４，可変容量ダイオード５及び表
面パターン６とアースパターン８との間に大きな静電容
量の平行平板コンデンサが形成されなくなり、水晶発振
器の発振周波数及び周波数可変範囲が設計値から大きく
外れてしまうことはない。
インバータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，
可変容量ダイオード５及び表面パターン６と対向するの
を避けるようにするために、このアースパターン８での
これら部品と対向する部分を除いて窓状部８ａを形成す
ることにより、Ｃ−ＭＯＳインバータ１，抵抗２，水晶
振動子３，コンデンサ４，可変容量ダイオード５及び表
面パターン６とアースパターン８との間に大きな静電容
量の平行平板コンデンサが形成されなくなり、水晶発振
器の発振周波数及び周波数可変範囲が設計値から大きく
外れてしまうことはない。
【００２１】なお、図１は挿入部品の水晶振動子を用い
た例であるが、当然ながら、面実装部品の水晶振動子を
用いても何ら問題はない。
た例であるが、当然ながら、面実装部品の水晶振動子を
用いても何ら問題はない。
【００２２】また、図１では、水晶発振回路を構成する
面実装部品を全て表面に実装しているが、このうちの何
点かをスルーホール７を介して裏面に実装しても、図１
と同様の効果が得られることは明白である。
面実装部品を全て表面に実装しているが、このうちの何
点かをスルーホール７を介して裏面に実装しても、図１
と同様の効果が得られることは明白である。
【００２３】さらに、図１では、２層基板を例に用いた
が、３層以上の基板においても、同様に、Ｃ−ＭＯＳイ
ンバータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可
変容量ダイオード５及び表面パターン６の実装部分に対
向して、他の層に設けられたアースパターン８に窓状部
分８ａを設けることにより、さらには、３層以上の基板
の場合には、電源パターンも層一面を銅箔面で覆うよう
な構成にすることが多いが、この電源パターンについて
も、アースパターン８と同様に、Ｃ−ＭＯＳインバータ
１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変容量ダ
イオード５及び表面パターン６に対向する部分に窓状部
を設けることにより、これらとアースパターンや電源パ
ターンとが対向するのを避けることができ、図１と同様
の効果が得られる。
が、３層以上の基板においても、同様に、Ｃ−ＭＯＳイ
ンバータ１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可
変容量ダイオード５及び表面パターン６の実装部分に対
向して、他の層に設けられたアースパターン８に窓状部
分８ａを設けることにより、さらには、３層以上の基板
の場合には、電源パターンも層一面を銅箔面で覆うよう
な構成にすることが多いが、この電源パターンについて
も、アースパターン８と同様に、Ｃ−ＭＯＳインバータ
１，抵抗２，水晶振動子３，コンデンサ４，可変容量ダ
イオード５及び表面パターン６に対向する部分に窓状部
を設けることにより、これらとアースパターンや電源パ
ターンとが対向するのを避けることができ、図１と同様
の効果が得られる。
【００２４】但し、これらアースパターンや電源パター
ンを水晶発振回路と接続するためのスルーホール７など
の部品は、水晶発振回路に対向する領域に設けてもよ
い。
ンを水晶発振回路と接続するためのスルーホール７など
の部品は、水晶発振回路に対向する領域に設けてもよ
い。
【００２５】また、水晶発振回路との対向を避けて設け
る部品としては、アースパターンや電極パターンのみに
限るものではなく、水晶発振回路から引き出される配線
などの部品であってもよい。
る部品としては、アースパターンや電極パターンのみに
限るものではなく、水晶発振回路から引き出される配線
などの部品であってもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
多層基板上に水晶発振器を実装する場合においても、パ
ターン間などの静電容量の影響を大幅に低減して、発振
周波数及び周波数可変範囲が設計値に対して大きく外れ
てしまうのを防止することができる。
多層基板上に水晶発振器を実装する場合においても、パ
ターン間などの静電容量の影響を大幅に低減して、発振
周波数及び周波数可変範囲が設計値に対して大きく外れ
てしまうのを防止することができる。
【００２７】また、本発明によると、基板が片面基板か
ら多層基板に変更になった場合においても、水晶振動子
を作り直すことなく、そのまま使用することが可能であ
る。従って、水晶発振器の開発期間を大幅に短縮するこ
とが可能となり、また、水晶発振器を実装する基板の如
何によらず、同一の特性を得ることが可能となるため
に、１種類の水晶振動子があれば、複数の機器に対応す
ることが可能となる。
ら多層基板に変更になった場合においても、水晶振動子
を作り直すことなく、そのまま使用することが可能であ
る。従って、水晶発振器の開発期間を大幅に短縮するこ
とが可能となり、また、水晶発振器を実装する基板の如
何によらず、同一の特性を得ることが可能となるため
に、１種類の水晶振動子があれば、複数の機器に対応す
ることが可能となる。
【図１】本発明による水晶発振器の一実施形態を示す平
面図である。
面図である。
【図２】図１に示した実施形態の等価回路を示す回路図
である。
である。
【図３】従来の水晶発振器の等価回路を示す回路図であ
る。
る。
【図４】４層基板のパターンの一例を示す図である。
【図５】図３に示した水晶発振器を図４に示した４層基
板に実装した場合の等価回路を示す回路図である。
板に実装した場合の等価回路を示す回路図である。
【図６】図３に示した水晶発振器の設計値とこれを４層
基板にそのまま実装した場合の実際の特性とを示す図で
ある。
基板にそのまま実装した場合の実際の特性とを示す図で
ある。
【図７】パターン間などの静電容量による発振周波数の
低下を回路的に補正する方法の一従来例を示す回路図で
ある。
低下を回路的に補正する方法の一従来例を示す回路図で
ある。
【図８】図７に示した従来例での特性を示す図である。
【図９】水晶発振器の裏側に相当する部分を全てアース
パターンで覆ってしまったパターンの一例を示す平面図
である。
パターンで覆ってしまったパターンの一例を示す平面図
である。
１ Ｃ−ＭＯＳインバータ ２ 抵抗 ３ 水晶振動子 ４ コンデンサ ５ 可変容量ダイオード ６ 表面パターン ７ スルーホール ８ アースパターン ８ａ 窓状部 ９ 静電容量
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内藤 康 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像情報メディア事業部 内
Claims (8)
- 【請求項１】 水晶振動子に並列に能動素子と抵抗とが
接続され、該水晶振動子の両端子が可変容量素子を含ん
だ負荷容量回路を介して接地された構成を基本構成とす
る水晶発振回路が、多層基板上に配線，実装されてなる
水晶発振器において、 該水晶発振回路が、該多層基板上の所定の１つの層に集
約されて配線，実装され、 該多層基板上の該所定の１つの層以外の層では、該水晶
発振回路と基板上の座標を共有する領域に、他の一切の
部品の配置及び銅箔による配線を行なわないようにした
ことを特徴とする水晶発振器。 - 【請求項２】 請求項１記載の水晶発振器において、 前記多層基板上の全ての層で、前記水晶発振回路と基板
上の座標を共有する領域に、前記水晶発振回路を構成す
る配線及び部品を除いた全ての部品の配置及び銅箔によ
る配線を行なわないようにしたことを特徴とする水晶発
振器。 - 【請求項３】 水晶振動子に並列に能動素子と抵抗とが
接続され、該水晶振動子の両端子が可変容量素子を含ん
だ負荷容量回路を介して接地された構成を基本構成とす
る水晶発振回路が、多層基板上に配線，実装されてなる
水晶発振器において、 該水晶振動子，該負荷容量回路及び該水晶振動子の両端
子に接続される配線が配線，実装された面に対して裏側
の面では、該水晶振動子，該負荷容量回路及び該配線と
基板上の座標を共有する領域に、該水晶発振回路に関す
るものを除く全ての配線を行なわないようにしたことを
特徴とする水晶発振器。 - 【請求項４】 水晶振動子に並列に能動素子と抵抗とが
接続され、該水晶振動子の両端子が可変容量素子を含ん
だ負荷容量回路を介して接地された構成を基本構成とす
る水晶発振回路が、多層基板上に配線，実装されてなる
水晶発振器において、 該水晶発振回路は、該多層基板上の所定の１つの層に集
約されて配線、実装され、 該多層基板上の該所定の１つの層以外の層では、該水晶
発振回路と基板上の座標を共有する領域に、電源パター
ンまたはアースパターンを一切配線しないようにしたこ
とを特徴とする水晶発振器。 - 【請求項５】 水晶振動子に並列に能動素子と抵抗とが
接続され、該水晶振動子の両端子が可変容量素子を含ん
だ負荷容量回路を介して接地された構成を基本構成とす
る水晶発振回路が、多層基板上に配線，実装されてなる
水晶発振器において、 該多層基板上の全ての層で、該水晶発振回路と基板上の
座標を共有する領域には、電源パターンまたはアースパ
ターンを、該水晶発振回路に該電源パターンまたはアー
スパターンを接続する部分を除いて、配線しないように
したことを特徴とする水晶発振器。 - 【請求項６】 水晶振動子に並列に能動素子と抵抗とが
接続され、該水晶振動子の両端子が可変容量素子を含ん
だ負荷容量回路を介して接地された構成を基本構成とす
る水晶発振回路が、多層基板上に配線，実装されてなる
水晶発振器において、 該水晶振動子，該負荷容量回路及び該水晶振動子の両端
子に接続される配線が配線，実装された面に対して裏側
の面では、該水晶振動子，該負荷容量回路及び該配線と
基板上の座標を共有する領域に、電源パターンまたはア
ースパターンを、該水晶発振回路に該電源パターンまた
はアースパターンを接続する部分を除いて、配線しない
ようにしたことを特徴とする水晶発振器。 - 【請求項７】 水晶振動子に並列に能動素子と抵抗とが
接続され、該水晶振動子の両端子が可変容量素子を含ん
だ負荷容量回路を介して接地された構成を基本構成とす
る水晶発振回路が、銅箔面からなる電源パターンまたは
アースパターンが任意の層の面に配線されている多層基
板上に、配線，実装された水晶発振回路において、 該水晶発振回路は、該多層基板上の所定の１つの層に集
約されて配線，実装され、 該電源パターンまたはアースパターンが設けられた層で
は、該水晶発振回路と基板上の座標を共有する領域で、
該電源パターンまたはアースパターンをなす銅箔面に窓
状部を設け、該領域を避けて該電源パターンまたはアー
スパターンを配線したことを特徴とする水晶発振器。 - 【請求項８】 水晶振動子に並列に能動素子と抵抗とが
接続され、該水晶振動子の両端子が可変容量素子を含ん
だ負荷容量回路を介して接地された構成を基本構成とす
る水晶発振回路が、銅箔面からなる電源パターンまたは
アースパターンが任意の層の面に配線されている多層基
板上に、配線，実装された水晶発振回路において、 該水晶発振回路が、該多層基板上の所定の１つの面に集
約されて配線，実装され、 該水平発振回路が実装された面に対して裏側となる面
に、該水晶振動子，該負荷容量回路及び該水晶振動子の
両端に接続された配線とは該多層基板上の座標を共有す
る領域に窓状部を有する該電源パターンまたはアースパ
ターンを設け、該電源パターンまたはアースパターン
を、該領域を避けて、一面に配線したことを特徴とする
水晶発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16958196A JPH1022734A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 水晶発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16958196A JPH1022734A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 水晶発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022734A true JPH1022734A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15889140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16958196A Pending JPH1022734A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 水晶発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022734A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6587008B2 (en) | 2000-09-22 | 2003-07-01 | Kyocera Corporation | Piezoelectric oscillator and a method for manufacturing the same |
| JP2014049971A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Daishinku Corp | 圧電発振器 |
| US8736390B2 (en) | 2010-12-24 | 2014-05-27 | Rensas Electronics Corporation | Crystal oscillation device and semiconductor device |
| US9362886B2 (en) | 2014-09-02 | 2016-06-07 | Seiko Epson Corporation | Electronic component, oscillator, electronic apparatus, and moving object |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP16958196A patent/JPH1022734A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6587008B2 (en) | 2000-09-22 | 2003-07-01 | Kyocera Corporation | Piezoelectric oscillator and a method for manufacturing the same |
| US8736390B2 (en) | 2010-12-24 | 2014-05-27 | Rensas Electronics Corporation | Crystal oscillation device and semiconductor device |
| US9300248B2 (en) | 2010-12-24 | 2016-03-29 | Renesas Electronics Corporation | Crystal oscillation device and semiconductor device |
| US9628021B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-04-18 | Renesas Electronics Corporation | Crystal oscillation device and semiconductor device |
| JP2014049971A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Daishinku Corp | 圧電発振器 |
| US9362886B2 (en) | 2014-09-02 | 2016-06-07 | Seiko Epson Corporation | Electronic component, oscillator, electronic apparatus, and moving object |
| US9577604B2 (en) | 2014-09-02 | 2017-02-21 | Seiko Epson Corporation | Electronic component, oscillator, electronic apparatus, and moving object |
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