JPH05283282A - チップコンデンサ及び該チップコンデンサを含む電子部品ユニット - Google Patents
チップコンデンサ及び該チップコンデンサを含む電子部品ユニットInfo
- Publication number
- JPH05283282A JPH05283282A JP4103724A JP10372492A JPH05283282A JP H05283282 A JPH05283282 A JP H05283282A JP 4103724 A JP4103724 A JP 4103724A JP 10372492 A JP10372492 A JP 10372492A JP H05283282 A JPH05283282 A JP H05283282A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip capacitor
- electrode film
- film
- strip
- electronic component
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 容量値の調整を簡単に入手可能なレーザ等で
トリミングすることで機械的に調整可能となし、移動通
信等の端末機器の軽薄短小化を可能とする。 【構成】 絶縁基板１０上に、薄膜技術または厚膜技術
により電極膜１１が設けられると共に、該電極膜１１上
には、誘電体膜１６を介して電極膜１７が積層され、該
電極膜の微調整部をレーザ等のトリミング軌跡２３で切
断することで容量値の微調整ができ、また、粗調整部を
トリミング軌跡２４で切断することで容量値の粗調整が
なされる。
トリミングすることで機械的に調整可能となし、移動通
信等の端末機器の軽薄短小化を可能とする。 【構成】 絶縁基板１０上に、薄膜技術または厚膜技術
により電極膜１１が設けられると共に、該電極膜１１上
には、誘電体膜１６を介して電極膜１７が積層され、該
電極膜の微調整部をレーザ等のトリミング軌跡２３で切
断することで容量値の微調整ができ、また、粗調整部を
トリミング軌跡２４で切断することで容量値の粗調整が
なされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車電話機、携帯電
話機等の移動通信端末機器の他、各種高周波回路におい
てコンデンサの容量値を調整することで所定の特性を得
られる回路に用いるチップコンデンサ及び該チップコン
デンサを半導体や、その他の回路素子と共にプリント基
板等に実装し、一つの複合部品とした発振器や、フィル
ター等の電子部品ユニットに関するものである。
話機等の移動通信端末機器の他、各種高周波回路におい
てコンデンサの容量値を調整することで所定の特性を得
られる回路に用いるチップコンデンサ及び該チップコン
デンサを半導体や、その他の回路素子と共にプリント基
板等に実装し、一つの複合部品とした発振器や、フィル
ター等の電子部品ユニットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のコンデンサとしては図７
から図９に示されているように、ステータと称される樹
脂等から成る台座１に、半円状の電極２と端子３が一体
となったものが固定されて、この上にセラミック等の誘
電体４と電極５及びロータ６が一体構造となっており、
電極５は調整用ツマミ７を導通材として端子８と接続さ
れていて、調整用ツマミ７が回転せられ、一体構造のロ
ータ６の斜線部９の面積が変化せられることで容量値が
可変される構造ものが一般的である。
から図９に示されているように、ステータと称される樹
脂等から成る台座１に、半円状の電極２と端子３が一体
となったものが固定されて、この上にセラミック等の誘
電体４と電極５及びロータ６が一体構造となっており、
電極５は調整用ツマミ７を導通材として端子８と接続さ
れていて、調整用ツマミ７が回転せられ、一体構造のロ
ータ６の斜線部９の面積が変化せられることで容量値が
可変される構造ものが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】ところで、従来のコ
ンデンサは、調整用ツマミ７をドライバー等の工具で廻
すことにより、希望する容量値を得られる構造であるた
め、人為的作業が必要となる。また、このように人間が
調整を行なうため、調整部をあまり小さくできず、トリ
マーコンデンサそのものの大きさもこれに比例して大き
くせざるを得ない。したがって、このトリマーコンデン
サを用いた電子部品ユニット等も小型、薄型化を計る上
で設計者を悩ませる結果となる。
ンデンサは、調整用ツマミ７をドライバー等の工具で廻
すことにより、希望する容量値を得られる構造であるた
め、人為的作業が必要となる。また、このように人間が
調整を行なうため、調整部をあまり小さくできず、トリ
マーコンデンサそのものの大きさもこれに比例して大き
くせざるを得ない。したがって、このトリマーコンデン
サを用いた電子部品ユニット等も小型、薄型化を計る上
で設計者を悩ませる結果となる。
【０００４】また、トリマーコンデンサを用いた場合、
調整作業後にもう一度半田リフロー等により製品に熱ス
トレスを加えた場合容量値が変化してしまい再度調整が
必要となる外、温度特性が悪いという問題点も有してい
た。
調整作業後にもう一度半田リフロー等により製品に熱ス
トレスを加えた場合容量値が変化してしまい再度調整が
必要となる外、温度特性が悪いという問題点も有してい
た。
【０００５】本発明、このような従来の技術が有する問
題点に鑑みなされたもので、その目的とするところは、
容量値の調整を簡単に入手可能なレーザ等でトリミング
することで機械的に調整可能となし、以って移動通信等
の端末機器のより小型化、薄型化に寄与し得るチップコ
ンデンサ及び該チップコンデンサを含む電子部品ユニッ
トを提供することにある。
題点に鑑みなされたもので、その目的とするところは、
容量値の調整を簡単に入手可能なレーザ等でトリミング
することで機械的に調整可能となし、以って移動通信等
の端末機器のより小型化、薄型化に寄与し得るチップコ
ンデンサ及び該チップコンデンサを含む電子部品ユニッ
トを提供することにある。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】この目的のため、本発
明は、セラミック等の絶縁基板上に、薄膜技術または厚
膜技術により電極膜と誘電体膜が積層形成されて、該電
極膜の一部に粗調整部と微調整部が設けられ、該調整部
がレーザ等のトリミング手段により切断されることで容
量値が適宜に調整可能とされた構成を特徴とするもので
ある。
明は、セラミック等の絶縁基板上に、薄膜技術または厚
膜技術により電極膜と誘電体膜が積層形成されて、該電
極膜の一部に粗調整部と微調整部が設けられ、該調整部
がレーザ等のトリミング手段により切断されることで容
量値が適宜に調整可能とされた構成を特徴とするもので
ある。
【０００７】
【実施例】実施例について図面を参照して説明すると、
図１は本発明に係るチップコンデンサの一例での平面
図、図２は同上Ａ−Ａ線に沿った断面図で、これら図に
おいて、セラミック等の絶縁基板１０上に、第一電極膜
１１が薄膜技術または厚膜技術により設けられ、該第一
電極膜１１はその右約半面（図１参照）が短冊状部１２
とされており、その各短冊状部の共通端部１３は一方の
端子１４と接続されている。第一電極膜１１の左約半面
（図１参照）は板状部１５とされ、第一電極膜１１の上
方には、誘電体膜１６を介して第二電極膜１７が積層さ
れている。この場合、第一電極膜１１の短冊状部１２と
重なる第二電極膜１７の右約半面（図１参照）は板状部
１８とされると共に、第一電極膜１１の板状部１５の上
に重なる第二電極膜１７の左約半面（図１参照）は短冊
状部１９とされて、該短冊状部１９の共通端部２０は他
方の端子２１と接続されている。更に両端子１４、２１
を除く前面には表面保護膜２２が設けられている。
図１は本発明に係るチップコンデンサの一例での平面
図、図２は同上Ａ−Ａ線に沿った断面図で、これら図に
おいて、セラミック等の絶縁基板１０上に、第一電極膜
１１が薄膜技術または厚膜技術により設けられ、該第一
電極膜１１はその右約半面（図１参照）が短冊状部１２
とされており、その各短冊状部の共通端部１３は一方の
端子１４と接続されている。第一電極膜１１の左約半面
（図１参照）は板状部１５とされ、第一電極膜１１の上
方には、誘電体膜１６を介して第二電極膜１７が積層さ
れている。この場合、第一電極膜１１の短冊状部１２と
重なる第二電極膜１７の右約半面（図１参照）は板状部
１８とされると共に、第一電極膜１１の板状部１５の上
に重なる第二電極膜１７の左約半面（図１参照）は短冊
状部１９とされて、該短冊状部１９の共通端部２０は他
方の端子２１と接続されている。更に両端子１４、２１
を除く前面には表面保護膜２２が設けられている。
【０００８】このようにして右約半面と左約半面に形成
された第一電極膜１１と第二電極膜１７が重なる面積、
更に詳しくは、第一電極膜１１の短冊状部１２と第二電
極膜１７の板状部１８が重なる面積と、第一電極膜１１
の板状部１５と第二電極膜１７の短冊状部１９が重なる
面積の割合を変えることで粗調整部と微調整部とに分け
ることができ、本実施例においては、右側の短冊状部１
２をレーザ等のトリミング軌跡２３で切断することで容
量値の微調整ができ、また、左側の短冊状部１９をレー
ザ等のトリミング軌跡２４で切断することで容量値の粗
調整ができるパターンとなっている。
された第一電極膜１１と第二電極膜１７が重なる面積、
更に詳しくは、第一電極膜１１の短冊状部１２と第二電
極膜１７の板状部１８が重なる面積と、第一電極膜１１
の板状部１５と第二電極膜１７の短冊状部１９が重なる
面積の割合を変えることで粗調整部と微調整部とに分け
ることができ、本実施例においては、右側の短冊状部１
２をレーザ等のトリミング軌跡２３で切断することで容
量値の微調整ができ、また、左側の短冊状部１９をレー
ザ等のトリミング軌跡２４で切断することで容量値の粗
調整ができるパターンとなっている。
【０００９】本発明に係るチップコンデンサの変形は可
能であり、図３から図５に他の変形態様が示されてい
る。本例は、多層構造のチップコンデンサであって、図
３は平面図、図４は同上Ｂ−Ｂ線に沿った断面図、図５
は分解説明図で、これら図において、図１及び図２と対
応する構成部分は同じ参照番号で示している。
能であり、図３から図５に他の変形態様が示されてい
る。本例は、多層構造のチップコンデンサであって、図
３は平面図、図４は同上Ｂ−Ｂ線に沿った断面図、図５
は分解説明図で、これら図において、図１及び図２と対
応する構成部分は同じ参照番号で示している。
【００１０】更に説明すると、絶縁基板１０上に、第一
電極膜１１が設けられて、その短冊状部１２（図５参
照）の共通端部１３は端子２１と接続されている。な
お、第一電極膜１１における短冊状部１２の短冊の形状
は、容量値の粗調整時における変化量を大きくするた
め、途中より幅広くして幅広部２５とされている（図５
参照）。第一電極膜１１の上方には、誘電体膜１６を介
して第二電極膜１７が積層形成され、該第二電極膜１７
における短冊状部１９（図５参照）の共通端部２０は端
子１４と接続され、更に第二電極膜１７の上方には、誘
電体膜２６を介して第一電極膜１１と同一形状の第三電
極膜２７が積層されて、該第三電極膜２７における短冊
状部２８（図５参照）の共通端部２９は端子２１と接続
され、更に両端子１４、２１を除く前面には表面保護膜
２２が設けられて多層構造とされている。
電極膜１１が設けられて、その短冊状部１２（図５参
照）の共通端部１３は端子２１と接続されている。な
お、第一電極膜１１における短冊状部１２の短冊の形状
は、容量値の粗調整時における変化量を大きくするた
め、途中より幅広くして幅広部２５とされている（図５
参照）。第一電極膜１１の上方には、誘電体膜１６を介
して第二電極膜１７が積層形成され、該第二電極膜１７
における短冊状部１９（図５参照）の共通端部２０は端
子１４と接続され、更に第二電極膜１７の上方には、誘
電体膜２６を介して第一電極膜１１と同一形状の第三電
極膜２７が積層されて、該第三電極膜２７における短冊
状部２８（図５参照）の共通端部２９は端子２１と接続
され、更に両端子１４、２１を除く前面には表面保護膜
２２が設けられて多層構造とされている。
【００１１】このようにして右約半面と左約半面に形成
された第一電極膜１１、第二電極膜１７及び第三電極膜
２７が相互に重なる面積の割合を変えることで粗調整部
と微調整部とに分けることができ、本例においては、右
側の第二電極膜１７の短冊状部１９をレーザ等のトリミ
ング軌跡２３で切断することで容量値の微調整が行わ
れ、また、左側の第一、第三電極膜１１、２７の短冊状
部１２、２８をレーザ等のトリミング軌跡２４で切断す
ることで容量値の粗調整が行われる。
された第一電極膜１１、第二電極膜１７及び第三電極膜
２７が相互に重なる面積の割合を変えることで粗調整部
と微調整部とに分けることができ、本例においては、右
側の第二電極膜１７の短冊状部１９をレーザ等のトリミ
ング軌跡２３で切断することで容量値の微調整が行わ
れ、また、左側の第一、第三電極膜１１、２７の短冊状
部１２、２８をレーザ等のトリミング軌跡２４で切断す
ることで容量値の粗調整が行われる。
【００１２】因みに、図１及び図２に示されているパタ
ーン構造により、その誘電体膜１６の誘電率と膜厚を変
えてチップコンデンサの実験をした。その結果は次のと
おりである。
ーン構造により、その誘電体膜１６の誘電率と膜厚を変
えてチップコンデンサの実験をした。その結果は次のと
おりである。
【００１３】（実験１） １．６×０．８×０．６ｔ
（ｍｍ）のセラミック基板１０上に、図１のパターンを
薄膜技術にて形成し、誘電体膜１６には誘電率３．５の
ものを使用し、この膜厚を５μｍとした時、容量値範囲
０．９〜１．６ＰＦ、Ｑ値１００以上、共振周波数４．
８〜６．３ＧＨＺ、微調整部（図１における右側短冊状
部１２）のトリミング軌跡２３による１カット変化量
０．１２８ＰＦ、粗調整部（図１における左側短冊状部
１９）のトリミング軌跡２４による１カット変化量０．
１２ＰＦのチップコンデンサが得られた。また、誘電体
膜１６の膜厚を３μｍとした時、容量値範囲１．５〜
２．６ＰＦ、Ｑ値１００以上、共振周波数３．７〜４．
９ＧＨＺ、微調整部の１カット変化量０．０４４ＰＦ、
粗調整部の１カット変化量０．１８ＰＦのチップコンデ
ンサが得られた。
（ｍｍ）のセラミック基板１０上に、図１のパターンを
薄膜技術にて形成し、誘電体膜１６には誘電率３．５の
ものを使用し、この膜厚を５μｍとした時、容量値範囲
０．９〜１．６ＰＦ、Ｑ値１００以上、共振周波数４．
８〜６．３ＧＨＺ、微調整部（図１における右側短冊状
部１２）のトリミング軌跡２３による１カット変化量
０．１２８ＰＦ、粗調整部（図１における左側短冊状部
１９）のトリミング軌跡２４による１カット変化量０．
１２ＰＦのチップコンデンサが得られた。また、誘電体
膜１６の膜厚を３μｍとした時、容量値範囲１．５〜
２．６ＰＦ、Ｑ値１００以上、共振周波数３．７〜４．
９ＧＨＺ、微調整部の１カット変化量０．０４４ＰＦ、
粗調整部の１カット変化量０．１８ＰＦのチップコンデ
ンサが得られた。
【００１４】（実験２） 実験１に用いた基板１０上に
図１のパターンを薄膜技術にて形成し、誘電体膜１６に
は誘電率１０のものを使用し、この膜厚を５μｍとした
時、容量値範囲２．６〜４．５ＰＦ、Ｑ値１００以上、
共振周波数２．８〜３．７ＧＨＺ、微調整部（図１にお
ける右側短冊状部１２）のトリミング軌跡２３による１
カット変化量０．０７６ＰＦ、粗調整部（図１における
左側短冊状部１９）のトリミング軌跡２４による１カッ
ト変化量０．３８ＰＦのチップコンデンサが得られた。
また、誘電体膜１６の膜厚を３μｍとした時、容量値範
囲４．３〜７．５ＰＦ、Ｑ値１００以上、共振周波数
２．２〜２．９ＧＨＺ、微調整部の１カット変化量０．
１３ＰＦ、粗調整部の１カット変化量０．５１ＰＦのチ
ップコンデンサが得られた。
図１のパターンを薄膜技術にて形成し、誘電体膜１６に
は誘電率１０のものを使用し、この膜厚を５μｍとした
時、容量値範囲２．６〜４．５ＰＦ、Ｑ値１００以上、
共振周波数２．８〜３．７ＧＨＺ、微調整部（図１にお
ける右側短冊状部１２）のトリミング軌跡２３による１
カット変化量０．０７６ＰＦ、粗調整部（図１における
左側短冊状部１９）のトリミング軌跡２４による１カッ
ト変化量０．３８ＰＦのチップコンデンサが得られた。
また、誘電体膜１６の膜厚を３μｍとした時、容量値範
囲４．３〜７．５ＰＦ、Ｑ値１００以上、共振周波数
２．２〜２．９ＧＨＺ、微調整部の１カット変化量０．
１３ＰＦ、粗調整部の１カット変化量０．５１ＰＦのチ
ップコンデンサが得られた。
【００１５】なお、本発明に係るチップコンデンサの説
明にあたり、具体例を挙げて詳細な説明を行なったが、
本チップコンデンサは種々の変形が可能であり、例え
ば、前記のように短冊の形状、または本数を変えたもの
や多層構造のもの等の外、調整部を一個所だけにした構
造等も可能である。
明にあたり、具体例を挙げて詳細な説明を行なったが、
本チップコンデンサは種々の変形が可能であり、例え
ば、前記のように短冊の形状、または本数を変えたもの
や多層構造のもの等の外、調整部を一個所だけにした構
造等も可能である。
【００１６】このように、本発明に係るチップコンデン
サは、レーザ等のトリミング軌跡により容量値の調整が
広範囲に亘り、かつ短時間でなされるものであるから、
本チップコンデンサをプリント基板等にパターニング技
術により、半導体、抵抗器等の部品と共に実装すれば、
従来品に比し、格段に優れた特性を有する電子部品ユニ
ットが得られる。
サは、レーザ等のトリミング軌跡により容量値の調整が
広範囲に亘り、かつ短時間でなされるものであるから、
本チップコンデンサをプリント基板等にパターニング技
術により、半導体、抵抗器等の部品と共に実装すれば、
従来品に比し、格段に優れた特性を有する電子部品ユニ
ットが得られる。
【００１７】例えば、図６に示されているように、クラ
ップ発振回路を用いたＶ、Ｃ、Ｏ（電圧制御発振器）の
共振部３０に、前記実験にて得られた容量値範囲２．６
〜４．５ＰＦの本チップコンデンサを用いると発振周波
数８００〜９５０ＭＨＺの周波数レンジを持つ発振器が
得られ、更には従来用いていたトリマーコンデンサと本
チップコンデンサの実装面積を比較すると、従来の約１
／１０ですみ、ユニットとしての小型化が計れた。
ップ発振回路を用いたＶ、Ｃ、Ｏ（電圧制御発振器）の
共振部３０に、前記実験にて得られた容量値範囲２．６
〜４．５ＰＦの本チップコンデンサを用いると発振周波
数８００〜９５０ＭＨＺの周波数レンジを持つ発振器が
得られ、更には従来用いていたトリマーコンデンサと本
チップコンデンサの実装面積を比較すると、従来の約１
／１０ですみ、ユニットとしての小型化が計れた。
【００１８】
【発明の効果】しかして本発明によれば、容量値の調整
は、入手簡単なレーザ等のトリミング機器により行われ
るものであるから、従来のトリマーコンデンサを用い、
出力特性を監視しながら人為的に調整を行っていたのに
対し、きわめて短時間での調整が可能となる外、実装面
積で従来の約９０％減となり、更に部品高さも１ｍｍ以
上低くなった。したがって、移動通信等の端末機や電子
部品ユニット等の軽薄短小化に寄与し得ること多大であ
る。
は、入手簡単なレーザ等のトリミング機器により行われ
るものであるから、従来のトリマーコンデンサを用い、
出力特性を監視しながら人為的に調整を行っていたのに
対し、きわめて短時間での調整が可能となる外、実装面
積で従来の約９０％減となり、更に部品高さも１ｍｍ以
上低くなった。したがって、移動通信等の端末機や電子
部品ユニット等の軽薄短小化に寄与し得ること多大であ
る。
【図１】本発明に係るチップコンデンサの一例での平面
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】本発明に係るチップコンデンサの他例を示す平
面図である。
面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図５】本発明に係るチップコンデンサの他例を示す分
解説明図である。
解説明図である。
【図６】本発明に係るチップコンデンサを用いた電子部
品ユニットの一例を示す電圧制御発振器の回路図であ
る。
品ユニットの一例を示す電圧制御発振器の回路図であ
る。
【図７】従来のチップコンデンサを示す平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図９】従来のチップコンデンサの部分説明図である。
１０ 絶縁基板 １１ 第一電極膜 １２、１９ 短冊状部 １４、２１ 端子 １６ 誘電体膜 １７ 第二電極膜 ２３、２４ トリミング軌跡 ２６ 誘電体膜 ２７ 第三電極膜 ２８ 短冊状部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 美香 神奈川県秦野市室町２番44号 東和エレク トロン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック等の絶縁基板上に、薄膜技術
または厚膜技術により電極膜と誘電体膜が積層形成さ
れ、該電極膜の調整部がレーザ等のトリミング手段によ
り切断されることで容量値が適宜に調整可能とされた構
成を特徴とするチップコンデンサ。 - 【請求項２】 前記調整部が短冊状に形成されたことを
特徴とする請求項１のチップコンデンサ。 - 【請求項３】 前記調整部が粗調整部と微調整部とに分
けられたことを特徴とする請求項１または２のチップコ
ンデンサ。 - 【請求項４】 請求項１〜請求項３のチップコンデンサ
を用いた構成を特徴とする電子部品ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103724A JPH05283282A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | チップコンデンサ及び該チップコンデンサを含む電子部品ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103724A JPH05283282A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | チップコンデンサ及び該チップコンデンサを含む電子部品ユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283282A true JPH05283282A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14361622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4103724A Pending JPH05283282A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | チップコンデンサ及び該チップコンデンサを含む電子部品ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283282A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677014A (en) * | 1995-07-31 | 1997-10-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for film formation |
| US20150022938A1 (en) * | 2012-01-17 | 2015-01-22 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor and method for manufacturing the same |
| US9618317B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-04-11 | Wacom Co., Ltd | Position indicator and capacitor |
| US20170309404A1 (en) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP4103724A patent/JPH05283282A/ja active Pending
Cited By (10)
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