JP2002124828A - 発振器及びその発振特性調整方法 - Google Patents

発振器及びその発振特性調整方法

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Atsushi Shintani
淳 新谷
Terukazu Otsuki
輝一 大月
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、小型、高性能を実現すると共に、
その発振特性を調整する時間の短縮化が可能な発振器
（モジュール）及びその調整方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】 内部に誘電体層を有する回路基板１の表
側主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体
１−ｄを配し、更にこの裏側導体１−ｄから誘電体層の
一部を介して、発振回路を構成するインダクター素子の
少なくとも一部分１−ｃを内装し、裏側導体１−ｄが、
その一部に形成され、それを介してレーザー光線で誘電
体層と共に内装された部分１−ｃの複数部分を部分的に
切除することにより発振特性を調整可能な複数のスリッ
ト１０又はピンホールを有する発振器の構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発振器及びその発
振特性調整方法に関し、更に詳しくは、携帯電話、携帯
型情報端末、無線ＬＡＮ送受信機、衛星通信端末、ＧＰ
Ｓ受信機等の高周波帯を利用する各種無線通信機器に搭
載される小型の発振器及びその発振特性調整方法に関す
るものであり、特に数百ＭＨｚ以上の高周波帯での用途
において、発振器の主要部であるモジュールを小型化す
るのに好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話に代表される高周波通信
システム用端末機器の小型化に伴い、これらの機器に搭
載される高周波部品の一つである電圧制御発振器（ＶＣ
Ｏ）等の発振回路モジュールの小型化が一段と進んでい
る。
【０００３】これらの高周波用（特に数百ＭＨｚ以上の
高周波用途）小型発振器モジュールにおいては、搭載さ
れる部品特性や、基板の配線パターンの寸法のばらつき
が無視できず、個々のモジュールに対して調整を施し、
発振周波数等の特性を所定の設計仕様に合わせることが
実用上不可欠となっている。
【０００４】これらの調整の手段としては、一般に回路
基板の部品実装表面上に形成された回路パターンの一部
を、サンドブラスターなどの機械的手段もしくはレーザ
ー光などの光学手段によって削除することで、導体パタ
ーンの長さや幅を変えて発振回路を構成するインダクタ
ーの調整を行う方法が用いられるほか（特開平６−１３
８０７号公報参照）、モジュールのより小型化を図るべ
く、回路を多重化することによって、発振回路を構成す
るインダクターやコンデンサの一部分を基板内部に内装
化する手段も用いられている（特許第２６６２７４８
号、特許第２５３１０００号参照）。
【０００５】図１０，１１は発振器を構成するインダク
ターの一部分を基板表面に引き出している発振器の事例
の構成説明図であり、プリント配線基板２１内に裏面接
地導体２２と、内装接地導体２３と、これらの導体に挟
まれたインダクター導体２４とからなるトリプレート構
成のストリップラインを形成し、このストリップライン
のインダクター導体２４ａの一部がスルーホール２５を
介して基板表面上に設けられた導体パッド２４ｂへ接続
されており、その基板表面上の導体パッド２４ｂに対し
ては、図１１の２６に示したようなトリミングが施され
ることで、当該インダクターの電気長を変更し、インダ
クタンスの調整、すなわち発振周波数などの発振（器）
特性の調整を実施している。
【０００６】また、図１２は、発振器を構成するコンデ
ンサを基板に内装し、基板表面上に配した当該コンデン
サの一方の電極のトリミングを行い、コンデンサの容量
を調整することで、発振特性の調整を行う発振器の事例
の断面構造図である。本事例では内装回路を構成するイ
ンダクターは上記の事例と同様プリント配線基板２１の
内部にトリプレート構造でストリップライン２４として
内装されており、その一端はスルーホール２５を介して
基板表面上に表面電極２４として引き出されている。す
なわち、インダクターに並列接続され、共振回路を構成
するコンデンサ２７は基板内装接地導体２３と誘電体基
板を介して対向する表面電極２８によって基板に内装さ
れており、当該表面電極２８に対してトリミングを行
い、電極面積を調整することでコンデンサ容量の調整、
すなわち発振器の調整が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
両先行事例においては、小型化を図るべく回路の一部分
を基板内部に内装化しているものの、個々のモジュール
の調整を行うに当たっては内装の導体パターンの一部分
を基板の部品実装表面上に引き出して、該部分に対して
トリミングなどを行う手段が用いられており（図１０の
２４ｂの部分及び図１２の２８の部分）、部品実装面に
おいてトリミングパッドがある程度の面積を専有するこ
とは、内装化の手法を用いない場合に同じである。
【０００８】また、これらのモジュールはほとんどの場
合、搭載される隣接パーツとの電磁界的な相互干渉を避
け、実装部品を保護するため、部品実装面をカバーする
金属製のキャップシールドが設けられているが、このよ
うに部品実装面側の基板表面をトリミングする場合、キ
ャップシールドを被せることに起因する特性のずれを予
め見込んで調整を行った後でキャップシールドを被せる
か、トリミング用のスリットや孔を設けたキャップシー
ルドを基板上にかけた後レーザーなどでトリミングを行
い、その後で導電性のシールなどでキャップシールドの
スリットや孔を塞ぐ手法が用いられる。
【０００９】前者においては、キャップシールドをかけ
ることによってモジュールの発振周波数などの特性にず
れが生じるため、予めこれらのずれを予測したトリミン
グ調整を行うことが必要となるが、先にも記したとお
り、これらモジュール特性の個別のばらつきがもともと
大きいため、一律なオフセットでは対応しきれないのが
現実であり、精密な調整は不可能である。また、後者に
おいては、キャップシールドを被せた後でレーザートリ
ミングを行うため、トリミングによって飛散したトリミ
ング部分の塵がキャップ内部に閉じ込められ、周辺部に
付着する事態を生じやすく、信頼性を損なう結果を招
く。
【００１０】上記の問題を解決する手段として、基板裏
面側へ内装導体を引き出してトリミングを行うことが考
えられるが、このような構造を採った場合、裏面側にあ
る程度の面積でトリミング用のパッドを設けることが必
要となる。この結果、モジュール裏面のシールドが困難
となり、実装面側と同様のキャップシールドを設ける対
策が必要となり、小型化が要求される本用途では実用的
な方法とは言い難い。
【００１１】また、同様に、上記問題点を解決する方法
として、基板の裏面から内部に向かって垂直方向に、レ
ーザートリミングを行うことで、多層構成とした内装コ
ンデンサの電極面積を調整し、発振器の調整を行う方法
が提案されている（特開平９−１５３７３号公報参
照）。
【００１２】図１３は、本事例のモジュール全体の断面
図であり、共振回路を構成するコンデンサ２７は、基板
の誘電体層を挟んで層状に電極２７ａ及び２７ｂを重ね
合わせることで基板へ内装化されている。本事例では図
１４の２８に示したごとく、モジュール裏面側から垂直
方向にレーザートリミングを行うことで、内装コンデン
サ２７の電極２７ａ及び２７ｂの面積調整を行い、モジ
ュールの調整を行う。
【００１３】本方法によると、上記問題は解決されるも
のの、ある程度の容量範囲の調整を行うためにはコンデ
ンサの電極構造を少なくとも３層〜４層以上の多層構造
とする必要があり、結局、回路基板全体が多層化し、基
板厚みの増加、コストの上昇を招く結果となる。
【００１４】そこで、上記した課題を解決すべく、共振
回路を構成するインダクター素子の一部を内装し、この
内装導体パターンを誘電体と共に、一度に基板裏側から
レーザー光の照射により切除することで、導体パターン
の長さや幅を変えて発振回路を構成するインダクターの
調整を行うという、本発明者によりなされた発明が、出
願されている（特願平１１−２４８９８４号、出願日：
平成１１年９月２日、以下先願と称す）。
【００１５】この先願について、その要部構成説明図で
ある図１５を参照して説明する。この構成では、内部に
誘電体層を有する回路基板において、表側面の部品実装
導体パターン面（層）３２と、内装接地導体層３３と、
導体パターン層３４と、裏側面の接地導体層３５とから
なる４層構造の貼り合わせ積層基板構造となっており、
内装導体パターン層３４は、内装接地導体層３３と裏側
接地導体３５とに挟まれたトリプレート構造の発振器を
構成するインダクターの一部である内装ストリップライ
ン導体パターン層３４となっている。
【００１６】そして、内装導体パターン３４は表面の導
体パターン３２とＶＩＡ３６によって電気的に接続さ
れ、表側導体パターン３２は基板表面上に実装される他
の発振器構成素子としての部品３１と接続されている。
さらに、基板表面上には金属製のシールドケース３８が
被せられていおり、また、裏面の接地導体層には導体層
がないトリミング用のスリット４０が設けられている。
このスリットを介して、レーザー光４１を照射し、誘電
体層と共に内装導体パターンを一度にトリミングし，当
該インダクターの電気長を変更し、インダクタンスの調
整、すなわち発振周波数などの発振（器）特性の調整を
行うことができる。
【００１７】しかしながら、上記先願においては、小型
化を図れるものの、トリミングを行う際、誘電体中の内
装導体を誘電体と一度にトリミングするには、一般に誘
電体に対するレーザー光の吸収率とＣｕ等で構成される
内装導体に対するレーザー光の吸収率が大きく異なる等
の理由（１．０６μｍ波長のＹＡＧレーザー光のＣｕに
対する吸収率は５％程度、一般的なガラスエポキシに対
する吸収率は数十％程度）により、最適な加工パワーの
調整が困難であり、確実にそれぞれの材質を切除するこ
とは難しい。
【００１８】また、発振特性を大きく変化する必要があ
る場合、一ヶ所のトリミングにより所望特性に調整する
と、トリミング量が大きくなりインダクターの一部分の
幅が狭くなることにより当該部分における抵抗が増加
し、インダクタンスＬのＱ値が低下し、雑音特性等のモ
ジュールの性能が劣化する。
【００１９】さらに、大きくトリミングする場合には時
間も要する。これらのことから上記調整方法では、モジ
ュールの性能、信頼性においても十分ではない。
【００２０】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであって、主に共振回路のインダクタ
ーを構成する内装導体パターンのトリミングを基板裏面
から直接行う構造で、小型、高性能を実現すると共に、
その発振特性を調整する時間の短縮化が可能な発振器
（モジュール）及びその調整方法を提供することを目的
とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の発振器では、内部に誘電体層を有する回路
基板の表側主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面に
裏側導体を配し、更にこの裏側導体から誘電体層の一部
を介して、発振回路を構成するインダクター素子の少な
くとも一部分を内装し、前記裏側導体が、その一部に形
成され、それを介してレーザー光線で前記誘電体層と共
に前記インダクター素子の内装された複数部分を部分的
に切除することにより発振特性を調整可能な複数のスリ
ット又はピンホールを有する発振器としている。
【００２２】すなわち、本発明は、回路基板の裏面主面
の裏側導体に、スリット又はピンホールを設け、このス
リット又はピンホールを通して、内装されたインダクタ
ー素子の複数部分を部分的にレーザー光線によって、裏
側導体と内装導体（内装されたインダクター素子の一
部）との間の誘電体層と共に切除（トリミング）し、主
にパターンの電気長を変化させることによって発振特性
を所望のものに調整できるようにするものである。そし
て、電気長を変化させるにあたり、インダクター素子の
トリミング箇所（切除箇所）を複数に分割することによ
り、特定箇所のインダクターの幅が極端に細くなること
を抑え、インダクタンスＬのＱ値の劣化を抑えることが
できる。
【００２３】さらに、本発明では、上記の発振器におい
て、前記インダクター素子が迂回路と該迂回路の両端を
短絡する短絡路とを有する内装されたストリップライン
から構成され、前記短絡部が前記レーザー光線で切除さ
れる複数部分の少なくとも一部分である発振器としてい
る。
【００２４】すなわち、本発明では、インダクター素子
を構成する内装されたストリップラインの迂回路と対を
なす短絡路側を切断することにより、インダクターの電
気長をトリミング長（切除される長さ）に比することな
く大きくステップ状に変化できるようにしている。これ
によって、所望発振特性まで大きくインダクタンスＬの
変化を必要とするときに、トリミング時間を短縮でき
る。
【００２５】さらに、本発明では、上記の発振器におい
て、前記インダクター素子が、前記レーザー光線で切除
される複数部分の少なくとも一部分として、前記短絡路
以外に、切除される部分に応じて発振特性を連続的に変
化させる内装導体パターンを有する発振器としている。
【００２６】すなわち、本発明では、インダクター素子
を構成する内装されたストリップラインの迂回路及び短
絡路に加えて、トリミング量（切除される量）により連
続的にインダクタンスＬを変化できるトリミング部分
（切除部分）として、切除される部分に応じて発振特性
を連続的に変化させる内装導体パターンを設けている。
これにより、所望発振特性からの大きなずれや小さなず
れに対応できる。よって、高精度に調整された小型で高
性能の発振器を実現できる。
【００２７】さらに、本発明では、上記の発振器におい
て、前記短絡部の切除による発振特性の調整量よりも、
前記切除される部分に応じて発振特性を連続的に変化さ
せる内装導体パターンによる発振特性の調整量が大きい
発振器としている。
【００２８】すなわち、本発明では、インダクター素子
を構成する内装されたストリップラインに迂回路及び短
絡路と、トリミング量（切除される量）により連続的に
電気長を変化できる内装導体パターンとを併用する場合
に、短絡路の切断によりインダクタンスＬがステップ状
に変化する量よりも、内装導体パターンのトリミング量
（切除される量）により連続的に変化するインダクタン
スＬの変化値が大きくなるようにしている。したがっ
て、トリミング箇所（切除される箇所）の設定、それに
対応したスリット又はピンホールの設定、迂回路及び短
絡路の設定を行うことにより、インダクタンスＬの調整
範囲の中間に調整できないＬ値がないようにでき、調整
範囲全域での微調整、粗調整が可能になる。よって、よ
り高精度に調整された小型で高性能の発振器を実現でき
る。
【００２９】また、本発明の発振器では、内部に誘電体
層を有する回路基板の表側主面上に発振回路部品を実装
し、裏側主面に裏側導体を配し、更にこの裏側導体から
誘電体層の一部を介して、発振回路を構成するインダク
ター素子の少なくとも一部分を内装し、前記裏側導体
が、その一部に形成され、それを介してレーザー光線で
前記誘電体層と共に前記インダクター素子の内装された
少なくとも一部分を部分的に切除することにより発振特
性を調整可能なスリット又はピンホールを有し、前記イ
ンダクター素子が迂回路と該迂回路の両端を短絡する短
絡路とを有するストリップラインから構成され、該スト
リップラインの短絡路をレーザー光線で切除することに
より発振特性が調整された発振器としている。
【００３０】すなわち、本発明では、インダクター素子
を構成する内装されたストリップラインの迂回路と対を
なす短絡路側を切断することにより、インダクターの電
気長をトリミング長（切除される長さ）に比して大きく
ステップ状に変化できるようにしている。これによっ
て、所望発振特性まで大きくインダクタンスＬの変化を
必要とするときに、トリミング時間を短縮できる。
【００３１】また、本発明の発振器の発振特性調整方法
では、内部に誘電体層を有する回路基板の表側主面上に
発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体を配し、更
にこの裏側導体から誘電体層の一部を介して、発振回路
を構成するインダクター素子の少なくとも一部分を内装
した発振器の発振特性調整方法において、前記裏側導体
に形成された複数のスリット又はピンホールを介して、
レーザー光線で前記誘電体層と共に前記インダクター素
子の内装された複数部分を部分的に切除することにより
発振特性を調整する発振器の発振特性調整方法としてい
る。
【００３２】すなわち、本発明は、回路基板の裏面主面
の裏側導体に、スリット又はピンホールを形成し、この
スリット又はピンホールを通して、内装されたインダク
ター素子の複数部分を部分的にレーザー光線によって、
裏側導体と内装導体（内装されたインダクター素子の一
部）との間の誘電体層と共に切除（トリミング）し、主
にパターンの電気長を変化させることによって発振特性
を所望のものに調整できるようにするものである。そし
て、電気長を変化させるにあたり、インダクター素子の
トリミング箇所（切除箇所）を複数に分割することによ
り、特定箇所のインダクターの幅が極端に細くなること
を抑え、インダクタンスＬのＱ値の劣化を抑えることが
できる。
【００３３】さらに、本発明では、上記の発振器の発振
特性調整方法において、前記インダクター素子が迂回路
と該迂回路の両端を短絡する短絡路とを有する内装され
たストリップラインから構成され、前記レーザー光線で
切除する複数部分の少なくとも一部分として、前記短絡
路を切除することにより発振特性を調整する発振器の発
振特性調整方法としている。
【００３４】すなわち、本発明では、インダクター素子
を構成する内装されたストリップラインの迂回路と対を
なす短絡路側を切断することにより、インダクターの電
気長をトリミング長（切除される長さ）に比することな
く大きくステップ状に変化できるようにしている。これ
によって、インダクタンスＬ値を大きく変化させ、イン
ダクター素子のインダクタンスＬ値をステップ状に変化
させるので、所望発振特性まで大きくインダクタンスＬ
の変化を必要とするときに効果的であり、また、ステッ
プ状に変化するためにトリミング時間を短縮できる。
【００３５】さらに、本発明では、上記の発振器の発振
特性調整方法において、前記インダクター素子がレーザ
ー光線により切除される部分に応じて発振特性を連続的
に変化させる内装導体パターンを有し、前記レーザー光
線で切除される複数部分の少なくとも一部分として、前
記短絡路以外に、前記内装導体パターンを部分的に切除
することにより発振特性を調整する発振器の発振特性調
整方法としている。
【００３６】すなわち、本発明は、インダクター素子を
構成する内装されたストリップラインの迂回路及び短絡
路の短絡路側の切除（切断）に加えて、切除される部分
に応じて発振特性を連続的に変化させて連続的にインダ
クタンスＬを変化できる内装導体パターンをトリミング
するものである。ことにより、所望発振特性からの大き
なずれや小さなずれに対応でき、より広い範囲にわたっ
て所望する発振特性を正確に得ることができる。よっ
て、高精度に調整された小型で高性能の発振器を実現で
きる。
【００３７】また、本発明では、上記の発振器の発振特
性調整方法において、前記短絡部の切除による発振特性
の調整量よりも、前記切除される部分に応じて発振特性
を連続的に変化させる内装導体パターンによる発振特性
の調整量が大きい発振器の発振特性調整方法としてい
る。
【００３８】すなわち、本発明では、インダクター素子
を構成する内装されたストリップラインに迂回路及び短
絡路の短絡路側の切除（切断）と、トリミング量（切除
される量）により連続的に電気長を変化できる内装導体
パターンの切除とを併用する場合に、短絡路の切断によ
りインダクタンスＬがステップ状に変化する量よりも、
内装導体パターンのトリミング量（切除される量）によ
り連続的に変化するインダクタンスＬの変化値が大きく
なるようにしている。したがって、トリミング箇所（切
除される箇所）の設定、それに対応したスリット又はピ
ンホールの設定、迂回路及び短絡路の設定を行うことに
より、インダクタンスＬの調整範囲の中間に調整できな
いＬ値がないようにでき、調整範囲全域での微調整、粗
調整が可能になる。よって、より高精度に調整された小
型で高性能の発振器を実現できる。
【００３９】また、本発明の発振器の発振特性調整方法
では、内部に誘電体層を有する回路基板の表側主面上に
発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体を配し、更
にこの裏側導体から誘電体層の一部を介して、発振回路
を構成するインダクター素子の少なくとも一部分を内装
した発振器の発振特性調整方法において、前記インダク
ター素子が迂回路と該迂回路の両端を短絡する短絡路と
を有する内装されたストリップラインから構成され、前
記裏側導体に形成されたスリット又はピンホールを介し
て、レーザー光線で前記誘電体層と共に前記インダクタ
ー素子の内装されたストリップラインの短絡路を切除す
ることにより発振特性を調整する発振器の発振特性調整
方法としている。
【００４０】すなわち、本発明では、インダクター素子
を構成する内装されたストリップラインの迂回路と対を
なす短絡路側を切断することにより、インダクターの電
気長をトリミング長（切除される長さ）に比することな
く大きくステップ状に変化できるようにしている。これ
によって、インダクタンスＬ値を大きく変化させ、イン
ダクター素子のインダクタンスＬ値をステップ状に変化
させるので、所望発振特性まで大きくインダクタンスＬ
の変化を必要とするときに効果的であり、また、ステッ
プ状に変化するためにトリミング時間を短縮できる。
【００４１】また、本発明の発振器の発振特性調整方法
では、内部に誘電体層を有する回路基板の表側主面上に
発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体を配し、更
にこの裏側導体から誘電体層の一部を介して、発振回路
を構成するインダクター素子の少なくとも一部分を内装
した発振器の発振特性調整方法において、前記裏側導体
に形成されたスリット又はピンホールを介して、走査方
向に対して略垂直方向にレーザー光線のスポットの直径
以下の長さだけ移動させて複数回レーザー光線を走査し
て、前記インダクター素子の内装された少なくとも一部
分を部分的に切除することにより発振特性を調整する発
振器の発振特性調整方法としている。
【００４２】すなわち、本発明は、レーザー光線で誘電
体層又はインダクター素子の内装された少なくとも一部
分を部分的に切除するに際して、レーザー光線のスポッ
ト径以下の長さをずらし、平行に重ねてレーザー光線の
走査を行うものである。これにより、一回のレーザー光
線の走査では切除されない場合を引き起こす可能性があ
るが、レーザー光線を重ねることにより確実に切除さ
れ、発振器モジュールの信頼性を向上させることができ
る。
【００４３】また、本発明の発振器の発振特性調整方法
では、内部に誘電体層を有する回路基板の表側主面上に
発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体を配し、更
にこの裏側導体から誘電体層の一部を介して、発振回路
を構成するインダクター素子の少なくとも一部分を内装
した発振器の発振特性調整方法において、前記裏側導体
に形成されたスリット又はピンホールを介して、第１の
レーザー光線照射を行い前記誘電体層を切除した後に、
第２のレーザー光線照射を行って前記インダクター素子
の内装された少なくとも一部分を部分的に切除すること
により発振特性を調整する発振器の発振特性調整方法と
している。
【００４４】すなわち、本発明は、第１のレーザー光線
照射により誘電体層を切除して内装導体（内装されたイ
ンダクター素子の一部）を露出させ、その後、第１のレ
ーザー光線照射の場所に重ねて内装導体を部分的に切除
することを主目的とする第２のレーザー光線照射を行い
調整するものである。これにより、誘電体層と内装導体
と一度にトリミングする場合より、最適な加工パワーの
調整が容易であり、正確に切除及び切断できるので、発
振器モジュール自体の信頼性を向上させることができ
る。ここで、上記の第１のレーザー光線照射と第２のレ
ーザー光線照射とについて、誘電体層と内装導体とのそ
れぞれの材質を切除するのに適した異なる条件で照射す
ることにより、確実にそれぞれの材質を切除及び切断す
ることができる。
【００４５】さらに、本発明では、上記の発振器の発振
特性調整方法において、前記第１のレーザー光線照射又
は前記第２のレーザー光線照射の少なくとも一方では、
走査方向に対して略垂直方向にレーザー光線のスポット
の直径以下の長さだけ移動させて複数回レーザー光線を
走査する発振器の発振特性調整方法としている。
【００４６】すなわち、本発明は、第１のレーザー光線
照射又は前記第２のレーザー光線照射の少なくとも一方
で、レーザー光線のスポット径以下の長さをずらし、平
行に重ねてレーザー光の走査を行うものである。このよ
うにすることで、確実にそれぞれの材質を切除し、且つ
切除幅も十分得られるので、発振器モジュールの信頼性
をより向上させることができる。ここで、第１のレーザ
ー光線照射についてスリット又はピンホールの全長ある
いはその範囲内の任意の一定長にわたり連続的に走査を
行い、第２のレーザー光線照射で、第１のレーザー光線
照射によって露出した内装導体を調整対象となる発振器
を動作させ、特性値をモニターしつつ、特性値が所望値
に達するまで必要長のトリミングを行えば、第１のレー
ザー光線照射時において同様のファンクショントリミン
グを行う場合に比較して、測定フィードバックにきする
時間を短縮できる。
【００４７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
【００４８】〔実施の形態１〕図１は、本発明による発
振器の実施の形態１として、内装パターンを有する電圧
制御発振器（ＶＣＯ）のモジュールの分解斜視図、図２
は図１の断面図である。
【００４９】図１，２に示すように、本実施の形態の発
振器モジュールは、内部に誘電体層を有する回路基板１
の表面（表側主面）上に発振回路部品を実装し、裏面
（裏側主面）にその裏面の大部分を覆う裏側導体１−ｄ
を配し、更にこの裏側導体１−ｄから誘電体層の一部を
介して、発振回路を構成するインダクター素子の少なく
とも一部分である内装導体１−ｃを内装し、裏側導体１
−ｄが、その一部に形成され、それを介してレーザー光
線で誘電体層と共に裏面導体１−ｄの複数部分を部分的
に切除することにより発振特性を調整可能な複数のスリ
ット１０又はピンホールを有するものである。
【００５０】詳細には、電圧制御発振器（ＶＣＯ）のモ
ジュールＭは、ガラスエポキシ（樹脂）製銅プリント配
線基板（回路基板）１の表面上に発振回路部品としてチ
ップ型抵抗、チップ型コンデンサ、トランジスタ、バリ
キャップダイオードの表面実装部品２をリフローはんだ
付けによって実装し、その上部より、金属製薄板を曲げ
加工したシールドケース３を被せた構造となっている。
【００５１】さらに、プリント配線基板１は、表面（表
側主面）の部品実装導体パターン面（層）１−ａ、内装
接地導体層１−ｂと裏面（裏側主面）の接地導体１−ｄ
とに挟まれたトリプレート構造の内装ストリップライン
導体パターン層１−ｃよりなる４層構造の貼り合せ積層
基板構造となっている。そして、導体パターンの厚みは
約１０〜３０μｍ、表面の部品実装パターン面１−ａと
内装接地導体層１−ｂの間及び内装導体パターン層１−
ｃと裏面の接地導体層１−ｄ間の基板（誘電体層：ガラ
スエポキシ）の厚みはそれぞれ約１５０μｍ、内装接地
導体層１−ｂと内装導体パターン層１−ｃの間の基板
（誘電体層：ガラスエポキシ）の厚みは約２００μｍと
なっている。
【００５２】内装導体パターン層１−ｃの一端は基板側
面に設けられ、表面の導体パターン面１−ａ、内装接地
導体層１−ｂ及び裏面の接地導体層１−ｄを接続する切
り欠き（スルーホールを半分に割ったもの）の内壁に設
けられた導体１−ｅを介して接地されており、他方端は
上部の内装接地導体層１−ｂの一部をカットして設けら
れた窓１１の中央部を貫いて表面の導体パターン１−ａ
へＶＩＡ（ビア）１−ｆによって電気的に接続されてい
る。
【００５３】また、上記以外に基板上面の配線である導
体パターン面１−ａのＶｃｃ端子（４）、制御端子
（５）、ＲＦ出力端子（６）のそれぞれの端子は、基板
側面に設けられた切り欠き（スルーホールを半分に割っ
たもの）内壁に設けられた導体１−ｇ、１−ｈ、１−ｉ
を介して基板裏面側に引き回されている。
【００５４】図３は、本モジュールＭの回路図である。
【００５５】図３に示す本モジュールＭの回路を構成す
るトランジスタＴｒ、抵抗Ｒ、バリキャップダイオード
Ｖｃ、コンデンサＣは、プリント配線基板（回路基板）
１の表面上に実装される部品類２によって構成され、発
振回路を構成するインダクターＬは主にトリプレート構
造で基板内部に内装されるストリップライン導体パター
ン層１−ｃによって構成される。
【００５６】同モジュールＭは、同図に示す制御端子５
に加える電圧を制御することで、バリキャップダイオー
ドＶｃの容量を変化させ、ＲＦ出力端子６より得られる
ＲＦ信号の発振周波数を変化させる。
【００５７】しかしながら、回路を構成する個別の素子
特性のばらつきや、プリント配線基板の寸法のばらつ
き、部品実装時の物理的条件のばらつきにより、個々の
モジュールにおいて発振周波数にばらつきが生じるた
め、バリキャップダイオードが設計目標とする発振周波
数範囲を所定の制御電圧の印加によって達成するよう、
モジュールの製造工程において発振回路を構成するイン
ダクター素子としてのインダクターLのインダクタンス
調整を個々のモジュールに対して行う。
【００５８】このインダクターＬのインダクタンスの調
整はインダクターＬを構成する内装導体パターン層１−
ｃの長さ及び幅を調整することによって行う。
【００５９】図４は本実施の形態における内装導体パタ
ーン層１−ｃをモジュールＭの表面側から見た平面図で
あり、基板の切り欠きの導体１−ｅ側が基板側面を通じ
て接地されており、ＶＩＡ１−ｆを介して基板表面上に
実装される他の発振器構成素子としての部品２と接続さ
れている。
【００６０】この導体は、図４の線８−ａ，８−ｂで示
す部分をトリミング（切除する）ことにより、その電気
長を、トリミング部分８−ａ，８−ｂのそれぞれに対応
しておよそ２α分，２β分長くするとともに、幅も狭く
することができる。すなわち、これは、切除される部分
に応じて発振特性を連続的に変化させる内装導体パター
ン部分（内装導体パターン層１−ｃのトリミング部分８
−ａの周辺部分とトリミング部分８−ｂの周辺部分）を
２箇所備えたものである。
【００６１】分布定数型高周波回路の並列接地導体で構
成されるインダクターにおいて、その電気長を長くする
か、もしくはその幅を狭くすることで、そのインダクタ
ンスＬ値を高くすることが可能であるので、本実施の形
態においては、予めトリミングを行わない状態でのモジ
ュールの発振周波数を所望の値より高めに設定してお
き、トリミング部分８−ａ，８−ｂのトリミングを行う
ことによって発振器を構成するインダクタンスＬ値を変
化させ、それによって発振周波数を下げて所望の発振周
波数を得る調整を行う。
【００６２】本実施の形態におけるトリミング部分は８
−ａが幅約数十μｍ 、長さ０〜１ｍｍであり 、８−ｂ
が幅約数十μｍ 、長さ０〜０．５ｍｍ程度である。
【００６３】図５は、本実施の形態モジュールを裏面側
より見た平面図であり、Ｖｃｃ端子４、制御端子５、Ｒ
Ｆ出力端子６及びその周囲の絶縁帯９を除く大部分は接
地導体層１−ｄでカバーされているが、内装導体パター
ン層１−ｃのトリミングターゲットとなる部分に重なる
部分には、幅１５０μｍ、長さ１ｍｍと幅１５０μｍ、
長さ０．５ｍｍの寸法で導体層を設けないトリミング用
のスリット１０−ａ，１０−ｂが設けられている。
【００６４】図６は第４図の２点鎖線Ｂ−Ｂ‘に沿った
断面のトリミング部分付近の拡大図であり、前記のスリ
ット１０−ａ，１０−ｂを介して、レーザー光線１２の
照射を行い、内装導体層１−ｃとスリット１０−ａ，１
０−ｂとの間にある誘電体層及び内装導体パターンを別
々に切除する。レーザー光線１２のパワーは、誘電体層
及び内装導体層１−ｃのみを切除できるレベルに適切に
コントロールされる。
【００６５】本トリミングは、モジュールの組立てがす
べて終了した後に、図６に示したごとく、モジュールの
裏面側からレーザーを用いて行う。トリミングにおいて
は、実際にモジュールの各端子にプローブをあてて、モ
ジュールを動作させた状態で行う。トリミング対象とな
る内装導体パターンとスリットの間の誘電体層を切除す
るために、トリミングポイント上のスリット１０−ａ，
１０−ｂに沿って、図４のＡ方向に移動させながら両方
のスリット全長分の誘電体層を切除する。この時のレー
ザー光線は、誘電体層のみ切除するレベルである。
【００６６】一度スリット全長分の誘電体層の切除を行
った後、更にトリミングを行ったポイントの幅を安定す
るために、レーザー光線のスポットの直径以下の幅をず
らすように、レーザー光線を走査方向に対して略垂直方
向に移動させて、再度折り返して図４のＡ’方向にスリ
ット全長の切除を行う。このような複数回レーザ光線を
走査させた切除により、トリミング対象となる内装導体
パターン１−ｃが露出される。
【００６７】その後、発振周波数をモニターしながら、
スリット１０−ａに沿って図４のＡ方向に内装導体パタ
ーン１−ｃのトリミングを行う。この時のレーザー光
は、内装導体パターン１−ｃのみ切除するレベルであ
る。
【００６８】スリット１０−ａの全長分の導体パターン
をトリミングすれば所望の特性値まで調整できる場合
も、インダクターのＱ値の低下を防ぐために、スリット
全長３分の２程度で折り返し、レーザー光線のスポット
の直径以下の幅をずらすように、レーザー光線を走査方
向に対して略垂直方向に移動させて、図４のＡ’方向に
トリミングを行った長さ分を再度切除を行う。所望特性
値に満たない分はスリット１０−ｂに沿って図４のＡ方
向に発振周波数をモニターしながらトリミング長さを増
加させ、所望の発振周波数になったところで、レーザー
光線のスポットの直径以下の幅をずらすように、レーザ
ー光線を走査方向に対して略垂直方向に移動させて、折
り返し図４のＡ’の方向にトリミング長さ分の切除を行
う。
【００６９】なお、ここで、所望の発振周波数となった
後に折り返しても、折り返し切除するだけなので、周波
数はほとんど変化せず、確実に切除ができ、トリミング
幅を安定して得ることができる。
【００７０】以上のような、内装導体パターン１−ｃに
対する複数回のレーザー光線の走査によって、所望の発
振特性に、高精度に調整することができる。
【００７１】なお、この場合、モジュールは既にシール
ドケース３が取り付けられているので、シールドケース
を被せることに起因する発振周波数などの特性のずれ分
を予め考慮する必要はない。
【００７２】〔実施の形態２〕上記実施の形態１では、
内装導体パターン層１−ｃのトリミング部分として、切
除される部分に応じて発振特性を連続的に変化させる内
装導体パターン部分を備えたものについて説明した。実
施の形態２では、内装導体パターン層１−ｃのトリミン
グ部分として、そのような内装導体パターン部分に代え
て、迂回路と該迂回路の両端を短絡する短絡路とを有す
る内装されたストリップラインを設けたものついて、図
７，８を参照して説明する。なお、本実施の形態の基本
構成は、上記第１の実施の形態と同様であるので、異な
る点のみについて説明する。
【００７３】図７，８は、本実施の形態における内装導
体パターン層１−ｃをモジュールＭの表面側から見た平
面図であり、上記実施の形態１の説明に用いた図４に相
当する。図７，８に示すように、基板の切り欠きの導体
１−ｅ側が基板側面を通じて接地されており、ＶＩＡ
（ビア）１−ｆを介して基板表面上に実装される他の発
振器構成素子としての部品２と接続されている。
【００７４】この内装導体パターン層１−ｃには、迂回
路１−ｃ１と短絡路１−ｃ２とが設けられており、短絡
路１−ｃ２側のトリミング（切除）を行わなかった場合
（図７のように短絡路１−ｃ２が切断されていない場
合）は、この導体の電気長は短絡路１−ｃ２側の電気長
となる。
【００７５】そして、図７の短絡路１−ｃ２のトリミン
グを行うと、図８に示すように、トリミング部分８−ｃ
で短絡路１−ｃ２が切断される。短絡路１−ｃ２がトリ
ミングにより切断されるので、この内装導体パターン層
１−ｃの電気長は、迂回路１−ｃ１側の電気長となる。
なお、短絡路１−ｃ２のトリミングについては、上記実
施の形態１と同様のレーザー光線照射により行うことが
できる。
【００７６】このように、本実施の形態では、内装導体
パターン層１−ｃの電気長が、短絡路１−ｃ２が切除さ
れなければ短絡路１−ｃ２側の電気長となり、短絡路１
−ｃ２が切除されれば迂回路１−ｃ１側の電気長となる
ので、電気長をステップ状に大きく変化させることがで
きる。
【００７７】なお、図８に示したスリット１０−ｃは、
上記実施の形態１において例えば図４に示したスリット
１０−ａ，１０−ｂと同様のものである。
【００７８】また、本実施の形態では、迂回路及び短絡
路の対が一対のものについて説明したが、迂回路の長さ
が異なる対を複数対設け電気長の変化量を異ならせて、
段階的により細かな調整を行うようにしても良い。
【００７９】〔実施の形態３〕実施の形態３では、上記
実施の形態２において、内装導体パターン層１−ｃに、
切除される部分に応じて発振特性を連続的に変化させる
内装導体パターン部分を追加したものについて、図９を
参照して説明する。
【００８０】図９は、本実施の形態における内装導体パ
ターン層１−ｃをモジュールＭの表面側から見た平面図
であり、上記実施の形態１の説明に用いた図４、上記実
施の形態２の説明で用いた図７，８に相当する。
【００８１】図９に示すように、上記実施の形態２と同
様に、基板の切り欠きの導体１−ｅ側が基板側面を通じ
て接地されており、ＶＩＡ（ビア）１−ｆを介して基板
表面上に実装される他の発振器構成素子としての部品２
と接続されている。
【００８２】本実施の形態では、所望周波数まで大きな
変化を必要とする場合、上記実施の形態２と同様にして
最初に短絡路１−ｃ２のトリミング部分８−ｃでトリミ
ング（粗調）を行い、その後トリミング部分８−ｄのト
リミングを行い（微調）、所望周波数を得る。また、短
絡路１−ｃ２のトリミングにより所望周波数を下回って
しまう場合には、トリミング部分８−ｄだけのトリミン
グにより所望周波数に調整しても良い。
【００８３】なお、上記のような粗調及び微調を行うよ
うにするには、トリミング部分８−ｄのトリミングによ
り変化させる周波数範囲は、短絡路１−ｃ２のトリミン
グ（迂回路１−ｃ１側が電気長）により変化する周波数
範囲よりも大きくなるよう設計を行う必要がある。すな
わち、本実施の形態では、短絡路１−ｃ２の切断による
インダクタンスＬの変化量よりも、内装導体パターンの
トリミング量（切除される量）により連続的に変化する
インダクタンスＬの変化値が大きくなるようにしてい
る。これにより、インダクタンスＬの調整範囲の中間に
調整できないＬ値がないようにでき、調整範囲全域での
微調整、粗調整が可能になる。
【００８４】なお、図９に示したスリット１０−ｃ，１
０−ｄは、上記実施の形態１において例えば図４に示し
たスリット１０−ａ，１０−ｂと同様のものである。
【００８５】また、上記実施の形態１〜３においては、
スリット１０，１０−ａ，１０−ｂ，１０−ｃ，１０−
ｄを用いたものについて説明したが、スリットに代えて
ピンスポットを用いても良い。
【００８６】また、上記実施の形態１〜３において、複
数の発振器が同一面上に形成された綴り基板上の複数の
発振器の電極に対して同時にプローブピンを接触させる
などの一括的な電気接続を行い、その中より特性調整を
行うべき対象の発振器を選択し、通電動作及び特性測定
回路の電気的な切り換えを行うことができる機能を有す
るとともに、一括的に電気接続が行われているいずれの
発振器のスリットおよびピンホールに対しても光学的走
査法によってレーザー照射位置合わせが可能であるトリ
ミング装置を用いることで、調整対象とする発振器を１
台づつ機械的にトリミングステージにアライメントして
トリミングを行う場合と比較して、多くの発振器を短時
間でトリミング調整することが可能である。
【００８７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、このス
リット又はピンホールを介して、内装されたインダクタ
ー素子の複数部分を部分的にレーザー光線によって、裏
側導体と内装導体（内装されたインダクター素子の一
部）との間の誘電体層と共に切除（トリミング）し、主
にパターンの電気長を変化させることによって発振特性
を調整するのに、インダクター素子のトリミング箇所
（切除箇所）を複数に分割することにより、特定箇所の
インダクターの幅が極端に細くなることを抑え、インダ
クタンスＬのＱ値の劣化を抑えることができる。
【００８８】また、本発明によれば、インダクター素子
を構成する内装されたストリップラインの迂回路と対を
なす短絡路側を切断することにより、インダクターの電
気長をトリミング長（切除される長さ）に比することな
く大きくステップ状に変化できるようにして、所望発振
特性まで大きくインダクタンスＬの変化を必要とすると
きに、トリミング時間を短縮できる。
【００８９】また、本発明によれば、レーザー光線で誘
電体層又はインダクター素子の内装された少なくとも一
部分を部分的に切除するに際して、レーザー光線のスポ
ット径以下の長さをずらし、平行に重ねてレーザー光線
の走査を行うことにより、一回のレーザー光線の走査で
は切除されない場合を引き起こす可能性があるが、レー
ザー光線を重ねることにより確実に切除され、発振器モ
ジュールの信頼性を向上させることができる。
【００９０】また、本発明によれば、第１のレーザー光
線照射により誘電体層を切除して内装導体（内装された
インダクター素子の一部）を露出させ、その後、第１の
レーザー光線照射の場所に重ねて内装導体を部分的に切
除することを主目的とする第２のレーザー光線照射を行
い調整することにより、誘電体層と内装導体と一度にト
リミングする場合より、最適な加工パワーの調整が容易
であり、正確に切除及び切断できるので、発振器モジュ
ール自体の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の電圧制御発振器の分解
斜視図である。
【図２】図１の電圧制御発振器の断面図である。
【図３】図１の電圧制御発振器の回路図である。
【図４】図1の電圧制御発振器に用いるプリント基板の
内装導体パターン層の平面図である。
【図５】同じくプリント基板の底面図である。
【図６】本発明の実施の形態におけるプリント基板トリ
ミング部断面図である。
【図７】実施の形態２におけるプリント基板の内装導体
パターン層の平面図である。
【図８】実施の形態２におけるプリント基板の内装導体
パターン層の平面図である。
【図９】実施の形態３におけるプリント基板の内装導体
パターン層の平面図である。
【図１０】従来の発振器の構成説明図である。
【図１１】図１１の発振器の電極のトリミング部分詳細
説明図である。
【図１２】従来の発振器の構成説明図である。
【図１３】従来の発振器の構成説明図である。
【図１４】図１３の発振器の電極のトリミング部分詳細
説明図である。
【図１５】先願の発振器におけるトリミング部断面詳細
説明図である。
【符号の説明】
１ プリント配線基板 ２ 表面実装型部品 ３ キャップシールド １−ａ 表面部品実装面配線パターン １−ｂ 内装接地導体 １−ｃ 内装導体パターン（内装されたインダクター素
子） １−ｄ 裏面接地導体 １−ｅ 側面接地導体 １−ｆ ＶＩＡ（ビア）ホール １−ｇ 側面Ｖｃｃ端子導体 １−ｈ 側面制御端子導体 １−ｉ 側面出力端子導体 ４ Ｖｃｃ端子 ５ 制御端子 ６ ＲＦ出力端子 ７ 接地端子 ８−ａ，８−ｂ，８−ｃ，８−ｄ 内装導体トリミング
部分 １０，１０−ａ，１０−ｂ，１０−ｃ，１０−ｄ トリ
ミング用スリット
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E070 AA05 AB05 BA12 CB03 CB13 CB17 DB02 EA01 5J081 AA11 BB01 CC08 CC22 EE09 KK02 KK11 KK17

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 内部に誘電体層を有する回路基板の表側
    主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体を
    配し、更にこの裏側導体から誘電体層の一部を介して、
    発振回路を構成するインダクター素子の少なくとも一部
    分を内装し、 前記裏側導体が、その一部に形成され、それを介してレ
    ーザー光線で前記誘電体層と共に前記インダクター素子
    の内装された複数部分を部分的に切除することにより発
    振特性を調整可能な複数のスリット又はピンホールを有
    する発振器。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の発振器において、前記
    インダクター素子が迂回路と該迂回路の両端を短絡する
    短絡路とを有する内装されたストリップラインから構成
    され、前記短絡部が前記レーザー光線で切除される複数
    部分の少なくとも一部分である発振器。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の発振器において、前記
    インダクター素子が、前記レーザー光線で切除される複
    数部分の少なくとも一部分として、前記短絡路以外に、
    切除される部分に応じて発振特性を連続的に変化させる
    内装導体パターンを有する発振器。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の発振器において、前記
    短絡部の切除による発振特性の調整量よりも、前記切除
    される部分に応じて発振特性を連続的に変化させる内装
    導体パターンによる発振特性の調整量が大きい発振器。
  5. 【請求項５】 内部に誘電体層を有する回路基板の表側
    主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体を
    配し、更にこの裏側導体から誘電体層の一部を介して、
    発振回路を構成するインダクター素子の少なくとも一部
    分を内装し、 前記裏側導体が、その一部に形成され、それを介してレ
    ーザー光線で前記誘電体層と共に前記インダクター素子
    の内装された少なくとも一部分を部分的に切除すること
    により発振特性を調整可能なスリット又はピンホールを
    有し、 前記インダクター素子が迂回路と該迂回路の両端を短絡
    する短絡路とを有するストリップラインから構成され、
    該ストリップラインの短絡路をレーザー光線で切除する
    ことにより発振特性が調整された発振器。
  6. 【請求項６】 内部に誘電体層を有する回路基板の表側
    主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体を
    配し、更にこの裏側導体から誘電体層の一部を介して、
    発振回路を構成するインダクター素子の少なくとも一部
    分を内装した発振器の発振特性調整方法において、 前記裏側導体に形成された複数のスリット又はピンホー
    ルを介して、レーザー光線で前記誘電体層と共に前記イ
    ンダクター素子の内装された複数部分を部分的に切除す
    ることにより発振特性を調整する発振器の発振特性調整
    方法。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載の発振器の発振特性調整
    方法において、前記インダクター素子が迂回路と該迂回
    路の両端を短絡する短絡路とを有する内装されたストリ
    ップラインから構成され、前記レーザー光線で切除する
    複数部分の少なくとも一部分として、前記短絡路を切除
    することにより発振特性を調整する発振器の発振特性調
    整方法。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の発振器の発振特性調整
    方法において、前記インダクター素子がレーザー光線に
    より切除される部分に応じて発振特性を連続的に変化さ
    せる内装導体パターンを有し、前記レーザー光線で切除
    される複数部分の少なくとも一部分として、前記短絡路
    以外に、前記内装導体パターンを部分的に切除すること
    により発振特性を調整する発振器の発振特性調整方法。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の発振器の発振特性調整
    方法において、前記短絡部の切除による発振特性の調整
    量よりも、前記切除される部分に応じて発振特性を連続
    的に変化させる内装導体パターンによる発振特性の調整
    量が大きい発振器の発振特性調整方法。
  10. 【請求項１０】 内部に誘電体層を有する回路基板の表
    側主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体
    を配し、更にこの裏側導体から誘電体層の一部を介し
    て、発振回路を構成するインダクター素子の少なくとも
    一部分を内装した発振器の発振特性調整方法において、 前記インダクター素子が迂回路と該迂回路の両端を短絡
    する短絡路とを有する内装されたストリップラインから
    構成され、前記裏側導体に形成されたスリット又はピン
    ホールを介して、レーザー光線で前記誘電体層と共に前
    記インダクター素子の内装されたストリップラインの短
    絡路を切除することにより発振特性を調整する発振器の
    発振特性調整方法。
  11. 【請求項１１】 内部に誘電体層を有する回路基板の表
    側主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導体
    を配し、更にこの裏側導体から誘電体層の一部を介し
    て、発振回路を構成するインダクター素子の少なくとも
    一部分を内装した発振器の発振特性調整方法において、 前記裏側導体に形成されたスリット又はピンホールを介
    して、走査方向に対して略垂直方向にレーザー光線のス
    ポットの直径以下の長さだけ移動させて複数回レーザー
    光線を走査して、前記インダクター素子の内装された少
    なくとも一部分を部分的に切除することにより発振特性
    を調整する発振器の発振特性調整方法。
  12. 【請求項１２】 内部に誘電体層を有する回路基板の
    表側主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面に裏側導
    体を配し、更にこの裏側導体から誘電体層の一部を介し
    て、発振回路を構成するインダクター素子の少なくとも
    一部分を内装した発振器の発振特性調整方法において、 前記裏側導体に形成されたスリット又はピンホールを介
    して、第１のレーザー光線照射を行い前記誘電体層を切
    除した後に、第２のレーザー光線照射を行って前記イン
    ダクター素子の内装された少なくとも一部分を部分的に
    切除することにより発振特性を調整する発振器の発振特
    性調整方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の発振器の発振特性
    調整方法において、前記第１のレーザー光線照射又は前
    記第２のレーザー光線照射の少なくとも一方では、走査
    方向に対して略垂直方向にレーザー光線のスポットの直
    径以下の長さだけ移動させて複数回レーザー光線を走査
    する発振器の発振特性調整方法。
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