JP3468674B2 - 高周波回路モジュ−ルおよび高周波回路モジュ−ルの取付構造 - Google Patents
高周波回路モジュ−ルおよび高周波回路モジュ−ルの取付構造Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プラインを有し、多層配線基板で構成された電圧制御発
振器等の高周波回路モジュ−ルに関する。
プラインを有し、多層配線基板で構成された電圧制御発
振器等の高周波回路モジュ−ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】多層配線基板を用いた電圧制御発振器等
の従来の高周波回路モジュ−ルを図４に示す要部断面図
に従って説明する。高周波回路モジュ−ル２１には、例
えば、樹脂等からなる第一の誘電体層２２ａ乃至第五の
誘電体層２２ｅが順に積層されて構成された四角形状の
多層配線基板２２が使用される。従って、第一の誘電体
層２２ａと第五の誘電体層２２ｅとは最外層の誘電体層
となる。そして、第一の誘電体層２２ａと第二の誘電体
層２２ｂとの間には第一の接地導体層２３が形成され、
第二の誘電体層２２ｂと第三の誘電体層２２ｃとの間に
は帯状のマイクロストリップライン２４が形成され、第
三の誘電体層２２ｃと第四の誘電体層３３ｄとの間には
第二の接地導体層２５が形成されている。
の従来の高周波回路モジュ−ルを図４に示す要部断面図
に従って説明する。高周波回路モジュ−ル２１には、例
えば、樹脂等からなる第一の誘電体層２２ａ乃至第五の
誘電体層２２ｅが順に積層されて構成された四角形状の
多層配線基板２２が使用される。従って、第一の誘電体
層２２ａと第五の誘電体層２２ｅとは最外層の誘電体層
となる。そして、第一の誘電体層２２ａと第二の誘電体
層２２ｂとの間には第一の接地導体層２３が形成され、
第二の誘電体層２２ｂと第三の誘電体層２２ｃとの間に
は帯状のマイクロストリップライン２４が形成され、第
三の誘電体層２２ｃと第四の誘電体層３３ｄとの間には
第二の接地導体層２５が形成されている。
【０００３】この結果、マイクロストリップライン２４
は、第二の誘電体層２２ｂを介して第一の接地導体２３
と対向し、また、第三の誘電体層２２ｃを介して第二の
接地導体２５と対向することによって共振素子を構成す
る。そして、高周波回路モジュ−ル２１が、例えば、電
圧制御発振器である場合は、このマイクロストリップラ
イン２４がその発振周波数を決定する。また、第四の誘
電体層２２ｄと第五の誘電体層２２ｅとの間には回路配
線のための第一の回路導体層２６が形成されている。
は、第二の誘電体層２２ｂを介して第一の接地導体２３
と対向し、また、第三の誘電体層２２ｃを介して第二の
接地導体２５と対向することによって共振素子を構成す
る。そして、高周波回路モジュ−ル２１が、例えば、電
圧制御発振器である場合は、このマイクロストリップラ
イン２４がその発振周波数を決定する。また、第四の誘
電体層２２ｄと第五の誘電体層２２ｅとの間には回路配
線のための第一の回路導体層２６が形成されている。
【０００４】そして、一方の最外層である第五の誘電体
層２２ｅの上面には発振トランジスタ、チップ抵抗器、
チップコンデンサ等の電子部品２７が搭載され、この電
子部品２７は第五の誘電体層２２ｅの上面に形成された
回路導体層（図示せず）に接続されている。さらに、マ
イクロストリップライン２４および第二の接地導体層２
５はいわゆるスル−ホ−ル導通手段２８、２９を介して
第五の誘電体層２２ｅ上の回路導体層に接続されてい
る。また、他方の最外層である第一の誘電体層２２ａの
下面には接地用の端子となる第三の接地導体層３０と信
号引き出し用の端子となる第二の回路導体層３１とが形
成されている。そして、第一の接地導体層２３および第
二の接地導体層２５が第一の誘電体層２２ａ乃至第三の
誘電体層２２ｃの端面に形成した端面導通手段３２を介
して第三の接地導体層３０に接続され、また、第一の回
路導体層２６が端面導通手段３３を介して第二の回路導
体３１に接続されている。
層２２ｅの上面には発振トランジスタ、チップ抵抗器、
チップコンデンサ等の電子部品２７が搭載され、この電
子部品２７は第五の誘電体層２２ｅの上面に形成された
回路導体層（図示せず）に接続されている。さらに、マ
イクロストリップライン２４および第二の接地導体層２
５はいわゆるスル−ホ−ル導通手段２８、２９を介して
第五の誘電体層２２ｅ上の回路導体層に接続されてい
る。また、他方の最外層である第一の誘電体層２２ａの
下面には接地用の端子となる第三の接地導体層３０と信
号引き出し用の端子となる第二の回路導体層３１とが形
成されている。そして、第一の接地導体層２３および第
二の接地導体層２５が第一の誘電体層２２ａ乃至第三の
誘電体層２２ｃの端面に形成した端面導通手段３２を介
して第三の接地導体層３０に接続され、また、第一の回
路導体層２６が端面導通手段３３を介して第二の回路導
体３１に接続されている。
【０００５】このように構成された高周波回路モジュ−
ル２１は、いわゆる面実装部品の形態をなし、例えば、
携帯電話機を構成するメイン基板（図示せず）上に他の
電子部品（図示せず）とともに搭載される。そして、メ
イン基板上に形成された接続電極（図示せず）に第三の
接地導体層３０および第二の回路導体層３１が半田付け
等によって接続されて使用される。
ル２１は、いわゆる面実装部品の形態をなし、例えば、
携帯電話機を構成するメイン基板（図示せず）上に他の
電子部品（図示せず）とともに搭載される。そして、メ
イン基板上に形成された接続電極（図示せず）に第三の
接地導体層３０および第二の回路導体層３１が半田付け
等によって接続されて使用される。
【０００６】なお、高周波回路モジュ−ル２１が電圧制
御発振器である場合は、メイン基板に搭載される前に発
振周波数が所定の値となるように調整される。この調整
は、いわゆるトリミングといわれており、第一の誘電体
層２２ａの下面側から図示しない専用のトリミング装置
（レ−ザ−トリミング装置等）で孔を穿ちながらマイク
ロストリップライン２４に切り込み等を入れてマイクロ
ストリップライン２４の等価的な長さあるいは幅を変え
ることによって行われる。
御発振器である場合は、メイン基板に搭載される前に発
振周波数が所定の値となるように調整される。この調整
は、いわゆるトリミングといわれており、第一の誘電体
層２２ａの下面側から図示しない専用のトリミング装置
（レ−ザ−トリミング装置等）で孔を穿ちながらマイク
ロストリップライン２４に切り込み等を入れてマイクロ
ストリップライン２４の等価的な長さあるいは幅を変え
ることによって行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波回路モジ
ュ−ル２１では、マイクロストリップライン２４と第一
の接地導体層２３との間に第二の誘電体層２２ｂが介在
し、同様に、マイクロストリップライン２４と第二の接
地導体層２５との間に第三の誘電体層２２ｃが介在して
いる。つまり、マイクロストリップライン２４は、第二
の誘電体層２２ｂと第三の誘電体層２２ｃとによって直
接挟まれた状態となっている。これらの誘電体層２２
ｂ、２２ｃは、使用される材料によって決まる比誘電率
（Εｒ）を持つとともに誘電損失（ｔａｎδ）も有して
いる。特に、誘電体層として樹脂を使用したものにおい
ては誘電損失が大きくなり、そのため、高周波で使用す
るとマイクロストリップライン２４の共振素子としての
Ｑが低下する。
ュ−ル２１では、マイクロストリップライン２４と第一
の接地導体層２３との間に第二の誘電体層２２ｂが介在
し、同様に、マイクロストリップライン２４と第二の接
地導体層２５との間に第三の誘電体層２２ｃが介在して
いる。つまり、マイクロストリップライン２４は、第二
の誘電体層２２ｂと第三の誘電体層２２ｃとによって直
接挟まれた状態となっている。これらの誘電体層２２
ｂ、２２ｃは、使用される材料によって決まる比誘電率
（Εｒ）を持つとともに誘電損失（ｔａｎδ）も有して
いる。特に、誘電体層として樹脂を使用したものにおい
ては誘電損失が大きくなり、そのため、高周波で使用す
るとマイクロストリップライン２４の共振素子としての
Ｑが低下する。
【０００８】その結果、電圧制御発振器２１の発振信号
のＣ／Ｎが低下し、（・・・Ｃ／Ｎ劣化に伴って劣化す
る装置としての性能の具体例）が悪化するという問題が
生ずる。そこで、本発明の高周波回路モジュ−ルは、多
層基板を構成する複数の誘電体層内に設けられたマイク
ロストリップラインのＱの低下を防ぐことを目的とす
る。
のＣ／Ｎが低下し、（・・・Ｃ／Ｎ劣化に伴って劣化す
る装置としての性能の具体例）が悪化するという問題が
生ずる。そこで、本発明の高周波回路モジュ−ルは、多
層基板を構成する複数の誘電体層内に設けられたマイク
ロストリップラインのＱの低下を防ぐことを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の高周波回路モジュ−ルは、少なくとも第一
の誘電体層と第二の誘電体層と第三の誘電体層とを順に
積層し、前記第一の誘電体層と前記第二の誘電体層との
間に第一の接地導体層を形成し、前記第一の接地導体層
に対向して前記第二の誘電体層と前記第三の誘電体層と
の間に帯状のマイクロストリップラインを形成し、前記
第三の誘電体層には前記マイクロストリップラインに対
向して前記第三の誘電体層を切り欠いて形成した第一の
誘電体削除孔を設け、前記第三の誘電体層には前記第二
の誘電体層側の面とは反対側の面に前記第一の誘電体削
除孔を塞ぐ金属板を設け、前記金属板を前記第一の接地
導体層に接続した。
め、本発明の高周波回路モジュ−ルは、少なくとも第一
の誘電体層と第二の誘電体層と第三の誘電体層とを順に
積層し、前記第一の誘電体層と前記第二の誘電体層との
間に第一の接地導体層を形成し、前記第一の接地導体層
に対向して前記第二の誘電体層と前記第三の誘電体層と
の間に帯状のマイクロストリップラインを形成し、前記
第三の誘電体層には前記マイクロストリップラインに対
向して前記第三の誘電体層を切り欠いて形成した第一の
誘電体削除孔を設け、前記第三の誘電体層には前記第二
の誘電体層側の面とは反対側の面に前記第一の誘電体削
除孔を塞ぐ金属板を設け、前記金属板を前記第一の接地
導体層に接続した。
【００１０】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
前記第三の誘電体層の前記反対側の面には第二の接地導
体を形成し、前記金属板を前記第二の接地導体に接続し
た。
前記第三の誘電体層の前記反対側の面には第二の接地導
体を形成し、前記金属板を前記第二の接地導体に接続し
た。
【００１１】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
前記第一の誘電体層の前記第二の誘電体層側とは反対側
に回路導体層を形成し、前記回路導体からの信号を導出
する信号導出用端子を前記第三の誘電体層の前記反対側
の面に形成した。
前記第一の誘電体層の前記第二の誘電体層側とは反対側
に回路導体層を形成し、前記回路導体からの信号を導出
する信号導出用端子を前記第三の誘電体層の前記反対側
の面に形成した。
【００１２】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
前記第三の誘電体層に第四の誘電体層を積層するととも
に、前記第四の誘電体層には前記第一の誘電体削除孔よ
りも大きな第二の誘電体削除孔を形成した。
前記第三の誘電体層に第四の誘電体層を積層するととも
に、前記第四の誘電体層には前記第一の誘電体削除孔よ
りも大きな第二の誘電体削除孔を形成した。
【００１３】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
前記第四の誘電体層には前記第三の誘電体側の面とは反
対側の面に接地端子と前記信号導出用端子とを形成し、
前記第一の接地導体層と前記第二の接地導体とを前記接
地端子に接続した。
前記第四の誘電体層には前記第三の誘電体側の面とは反
対側の面に接地端子と前記信号導出用端子とを形成し、
前記第一の接地導体層と前記第二の接地導体とを前記接
地端子に接続した。
【００１４】そして、本発明の高周波回路モジュ−ルの
取付構造は、少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電体
層と第三の誘電体層とを順に積層し、前記第一の誘電体
層と前記第二の誘電体層との間に第一の接地導体層を形
成し、前記第一の接地導体層に対向して前記第二の誘電
体層と前記第三の誘電体層との間に帯状のマイクロスト
リップラインを形成し、前記第三の誘電体層には前記マ
イクロストリップラインに対向して前記第三の誘電体層
を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を設けた高周
波回路モジュ−ルと、前記高周波回路モジュ−ルを搭載
するメイン基板とを有し、前記メイン基板上には接地導
体を設け、前記第一の誘電体削除孔を前記接地導体に対
向させるとともに前記第一の接地導体層を前記接地導体
に接続した。
取付構造は、少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電体
層と第三の誘電体層とを順に積層し、前記第一の誘電体
層と前記第二の誘電体層との間に第一の接地導体層を形
成し、前記第一の接地導体層に対向して前記第二の誘電
体層と前記第三の誘電体層との間に帯状のマイクロスト
リップラインを形成し、前記第三の誘電体層には前記マ
イクロストリップラインに対向して前記第三の誘電体層
を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を設けた高周
波回路モジュ−ルと、前記高周波回路モジュ−ルを搭載
するメイン基板とを有し、前記メイン基板上には接地導
体を設け、前記第一の誘電体削除孔を前記接地導体に対
向させるとともに前記第一の接地導体層を前記接地導体
に接続した。
【００１５】
【発明の実施の形態】多層配線基板を用いた電圧制御発
振器等の本発明の高周波回路モジュ−ルを図１乃至図３
に従って説明する。先ず、図１は、本発明の高周波回路
モジュ−ル１の要部断面図である。また、図２はその分
解斜視図である。高周波回路モジュ−ル１には、例え
ば、樹脂等からなる少なくとも第一の誘電体層２ａ乃至
第三の誘電体層２ｃが上から順に積層されて構成された
四角状の多層配線基板２が使用される（図２参照）。ま
た、必要に応じて第三の誘電体層２ｃの下には最下層と
なる第四の誘電体層２ｄが積層され、また、第一の誘電
体層２ａの上には最上層となる第五の誘電体層２ｅが積
層される。従って、この場合は、図１のように、第四の
誘電体層２ｄと第五の誘電体層２ｅとが最外層の誘電体
層となる。そして、第一の誘電体層２ａと第二の誘電体
層２ｂとの間には第一の接地導体層３が形成されてい
る。
振器等の本発明の高周波回路モジュ−ルを図１乃至図３
に従って説明する。先ず、図１は、本発明の高周波回路
モジュ−ル１の要部断面図である。また、図２はその分
解斜視図である。高周波回路モジュ−ル１には、例え
ば、樹脂等からなる少なくとも第一の誘電体層２ａ乃至
第三の誘電体層２ｃが上から順に積層されて構成された
四角状の多層配線基板２が使用される（図２参照）。ま
た、必要に応じて第三の誘電体層２ｃの下には最下層と
なる第四の誘電体層２ｄが積層され、また、第一の誘電
体層２ａの上には最上層となる第五の誘電体層２ｅが積
層される。従って、この場合は、図１のように、第四の
誘電体層２ｄと第五の誘電体層２ｅとが最外層の誘電体
層となる。そして、第一の誘電体層２ａと第二の誘電体
層２ｂとの間には第一の接地導体層３が形成されてい
る。
【００１６】また、第二の誘電体層２ｂと第三の誘電体
層２ｃとの間には第一の接地導体層３に対向して帯状の
マイクロストリップライン４が形成されているが、第三
の誘電体層２ｃには、マイクロストリップライン４に対
向した部分を四角状に切り欠いて形成した第一の誘電体
削除孔５が設けられている。また、第三の誘電体層２ｃ
と第四の誘電体層２ｄとの間には第二の接地導体層６が
形成されているが、この第二の接地導体層６も、第三の
誘電体層２ｃにおける第一の誘電体削除孔５の形成時に
四角状に切り欠かれるので、第三の誘電体層２ｃと第二
の接地導体層６とは四角枠状となる（図２参照）。最下
層である第四の誘電体層２ｄには、第三の誘電体層２ｃ
に設けた第一の誘電体削除孔５よりも大きな、四角状に
切り欠いて形成した第二の誘電体削除孔７が設けられて
いる。従って、第四の誘電体層２ｄも四角枠状となる
（図２参照）。
層２ｃとの間には第一の接地導体層３に対向して帯状の
マイクロストリップライン４が形成されているが、第三
の誘電体層２ｃには、マイクロストリップライン４に対
向した部分を四角状に切り欠いて形成した第一の誘電体
削除孔５が設けられている。また、第三の誘電体層２ｃ
と第四の誘電体層２ｄとの間には第二の接地導体層６が
形成されているが、この第二の接地導体層６も、第三の
誘電体層２ｃにおける第一の誘電体削除孔５の形成時に
四角状に切り欠かれるので、第三の誘電体層２ｃと第二
の接地導体層６とは四角枠状となる（図２参照）。最下
層である第四の誘電体層２ｄには、第三の誘電体層２ｃ
に設けた第一の誘電体削除孔５よりも大きな、四角状に
切り欠いて形成した第二の誘電体削除孔７が設けられて
いる。従って、第四の誘電体層２ｄも四角枠状となる
（図２参照）。
【００１７】このため、第三の誘電体層２ｃと第二の接
地導体層６と第四の誘電体層２ｄとが積層された状態に
おいては、第二の接地導体層６は第四の誘電体層２ｄに
形成された第二の誘電体削除孔７内に露出する。そし
て、第一の誘電体削除孔５を塞ぐように金属板８が第四
の誘電体層２ｄに形成した第二の誘電体削除孔７内に位
置決めされるとともに第三の誘電体層２ｃの下面に取り
付けられる（図１参照）。これによって、第三の誘電体
層２ｃに形成した第一の誘電体削除孔７が塞がれる。金
属板８は第二の接地導体層６の露出した部分にハンダ付
け等によって電気的に接続される。
地導体層６と第四の誘電体層２ｄとが積層された状態に
おいては、第二の接地導体層６は第四の誘電体層２ｄに
形成された第二の誘電体削除孔７内に露出する。そし
て、第一の誘電体削除孔５を塞ぐように金属板８が第四
の誘電体層２ｄに形成した第二の誘電体削除孔７内に位
置決めされるとともに第三の誘電体層２ｃの下面に取り
付けられる（図１参照）。これによって、第三の誘電体
層２ｃに形成した第一の誘電体削除孔７が塞がれる。金
属板８は第二の接地導体層６の露出した部分にハンダ付
け等によって電気的に接続される。
【００１８】この結果、マイクロストリップライン４
は、第二の誘電体層２ｂを介して第一の接地導体層３と
対向し、また、第一の誘電体削除孔５を介して金属板８
と対向することによって共振素子を構成する。このマイ
クロストリップライン４は、高周波回路モジュ−ル１が
電圧制御発振器である場合はその発振周波数を決定す
る。そして、マイクロストリップライン４は、第一の誘
電体削除孔７のために空気層に接することになる。
は、第二の誘電体層２ｂを介して第一の接地導体層３と
対向し、また、第一の誘電体削除孔５を介して金属板８
と対向することによって共振素子を構成する。このマイ
クロストリップライン４は、高周波回路モジュ−ル１が
電圧制御発振器である場合はその発振周波数を決定す
る。そして、マイクロストリップライン４は、第一の誘
電体削除孔７のために空気層に接することになる。
【００１９】また、第一の誘電体層２ａと最上層である
第五の誘電体層２ｅとの間には第一の回路導体層９が形
成され、最下層である第四の誘電体層２ｄの下面、即
ち、第三の誘電体層２ｃ側の面とは反対側の面には接地
端子となる第三の接地導体層１０と信号導出用端子とな
る第二の回路導体層１１とが形成されている（図１参
照）。
第五の誘電体層２ｅとの間には第一の回路導体層９が形
成され、最下層である第四の誘電体層２ｄの下面、即
ち、第三の誘電体層２ｃ側の面とは反対側の面には接地
端子となる第三の接地導体層１０と信号導出用端子とな
る第二の回路導体層１１とが形成されている（図１参
照）。
【００２０】さらに、最上層の誘電体層である第五の誘
電体層２ｅの上面にはトランジスタ、チップ抵抗器、チ
ップコンデンサ等の電子部品１２が搭載され、この電子
部品１２は第五の誘電体層２ｅの上面に形成された回路
導体層（図示せず）に接続される。そして、第一の接地
導体層３は第一の誘電体層２ａと第五の誘電体層２ｅと
に形成したスル−ホ−ル導通手段１３によって第五の誘
電体層２ｅ上面の回路導体層に接続され、マイクロスト
リップライン４も第二の誘電体層２ｂ、第一の誘電体層
２ａ、第五の誘電体層２ｅに形成したスル−ホ−ル導通
手段１４によって第五の誘電体層２ｅ上面の回路導体層
に接続される。また、第一の接地導体層３および第二の
接地導体層６は第二の誘電体層２ｂ、第三の誘電体層２
ｃ、第四の誘電体層２ｄの端面に形成された端面導通手
段１５によって第四の誘電体層２ｄの下面に形成した第
三の接地導体層１０に接続され、さらに、第一の回路導
体層９も第一の誘電体層２ａ、第二の誘電体層２ｂ、第
三の誘電体層２ｃ、第四の誘電体層２ｄの端面に形成し
た端面導通手段１６によって第四の誘電体層２ｄの下面
の第二の回路導体層１１に接続される。
電体層２ｅの上面にはトランジスタ、チップ抵抗器、チ
ップコンデンサ等の電子部品１２が搭載され、この電子
部品１２は第五の誘電体層２ｅの上面に形成された回路
導体層（図示せず）に接続される。そして、第一の接地
導体層３は第一の誘電体層２ａと第五の誘電体層２ｅと
に形成したスル−ホ−ル導通手段１３によって第五の誘
電体層２ｅ上面の回路導体層に接続され、マイクロスト
リップライン４も第二の誘電体層２ｂ、第一の誘電体層
２ａ、第五の誘電体層２ｅに形成したスル−ホ−ル導通
手段１４によって第五の誘電体層２ｅ上面の回路導体層
に接続される。また、第一の接地導体層３および第二の
接地導体層６は第二の誘電体層２ｂ、第三の誘電体層２
ｃ、第四の誘電体層２ｄの端面に形成された端面導通手
段１５によって第四の誘電体層２ｄの下面に形成した第
三の接地導体層１０に接続され、さらに、第一の回路導
体層９も第一の誘電体層２ａ、第二の誘電体層２ｂ、第
三の誘電体層２ｃ、第四の誘電体層２ｄの端面に形成し
た端面導通手段１６によって第四の誘電体層２ｄの下面
の第二の回路導体層１１に接続される。
【００２１】このように構成された高周波回路モジュ−
ル１は、いわゆる面実装部品の形態をなし、例えば、携
帯電話機を構成するメイン基板（図示せず）上に他の電
子部品（図示せず）とともに搭載される。そして、メイ
ン基板上に形成された接続電極（図示せず）に第三の接
地導体層１０および第二の回路導体層１１が半田付け等
によって接続されて使用される。
ル１は、いわゆる面実装部品の形態をなし、例えば、携
帯電話機を構成するメイン基板（図示せず）上に他の電
子部品（図示せず）とともに搭載される。そして、メイ
ン基板上に形成された接続電極（図示せず）に第三の接
地導体層１０および第二の回路導体層１１が半田付け等
によって接続されて使用される。
【００２２】なお、高周波回路モジュ−ル１が電圧制御
発振器である場合には、メイン基板に搭載される前に発
振周波数が所定の値となるように調整される。この調整
には、レ−ザ−トリミングが行われ、金属板８で第一の
誘電体削除孔５を塞ぐ前に、マイクロストリップライン
４に直接レ−ザ−光線を照射して切り込み等を入れてマ
イクロストリップライン４の等価的な長さあるいは幅を
変えることによって行われる。
発振器である場合には、メイン基板に搭載される前に発
振周波数が所定の値となるように調整される。この調整
には、レ−ザ−トリミングが行われ、金属板８で第一の
誘電体削除孔５を塞ぐ前に、マイクロストリップライン
４に直接レ−ザ−光線を照射して切り込み等を入れてマ
イクロストリップライン４の等価的な長さあるいは幅を
変えることによって行われる。
【００２３】以上のように、本発明の高周波回路モジュ
−ル１は、多層基板２を構成する誘電体層の間にマイク
ロストリップライン４を形成し、マイクロストリップラ
イン４を間に挟む二つの誘電体層２ｂ、２ｃのうちの一
方の誘電体層２ｃには、マイクロストリップライン４に
対応して第一の誘電体削除孔５を設けたので、その分、
マイクロストリップライン４に対する第三の誘電体層２
ｃによる誘電体損の影響がなくなり、マイクロストリッ
プライン４のＱが高くなる。従って、電圧制御発振器等
の発振信号のＣ／Ｎ比が大きくなり（・・？）が良くな
る。また、マイクロストリップライン４に対向する第一
の誘電体削除孔５を金属板８で塞ぐことによってマイク
ロストリップライン４がシ−ルドされるので、マイクロ
ストリップライン４への妨害信号の飛び込みを防げる。
さらに、金属板８が保護カバ−の役目を果たし、取り扱
いの過程でマイクロストリップライン４が損傷するのを
防止できる。
−ル１は、多層基板２を構成する誘電体層の間にマイク
ロストリップライン４を形成し、マイクロストリップラ
イン４を間に挟む二つの誘電体層２ｂ、２ｃのうちの一
方の誘電体層２ｃには、マイクロストリップライン４に
対応して第一の誘電体削除孔５を設けたので、その分、
マイクロストリップライン４に対する第三の誘電体層２
ｃによる誘電体損の影響がなくなり、マイクロストリッ
プライン４のＱが高くなる。従って、電圧制御発振器等
の発振信号のＣ／Ｎ比が大きくなり（・・？）が良くな
る。また、マイクロストリップライン４に対向する第一
の誘電体削除孔５を金属板８で塞ぐことによってマイク
ロストリップライン４がシ−ルドされるので、マイクロ
ストリップライン４への妨害信号の飛び込みを防げる。
さらに、金属板８が保護カバ−の役目を果たし、取り扱
いの過程でマイクロストリップライン４が損傷するのを
防止できる。
【００２４】図３は、図１における第四の誘電体層２ｄ
と金属板８とを削除して構成した高周波回路モジュ−ル
１７の取付状態を説明するための要部断面図を示してい
る。即ち、高周波回路モジュ−ル１７の最下層となる第
三の誘電体層２ｃの下面、即ち、第二の誘電体層２ｂ側
の面とは反対側の面には、接地端子となる第二の接地導
体層６の他に、信号導出用端子となる第二の回路導体層
１１を形成する。そして、第二の誘電体層２ｂと第三の
誘電体層２ｃとの端面に形成した端面導通手段１５によ
って第一の接地導体層３と第二の接地導体層６とを接続
し、また、第一の誘電体層２ａ、第二の誘電体層２ｂ、
第三の誘電体層の端面に形成した端面導通手段１６によ
って第一の回路導体層９と第二の回路導体層１１とを接
続する。
と金属板８とを削除して構成した高周波回路モジュ−ル
１７の取付状態を説明するための要部断面図を示してい
る。即ち、高周波回路モジュ−ル１７の最下層となる第
三の誘電体層２ｃの下面、即ち、第二の誘電体層２ｂ側
の面とは反対側の面には、接地端子となる第二の接地導
体層６の他に、信号導出用端子となる第二の回路導体層
１１を形成する。そして、第二の誘電体層２ｂと第三の
誘電体層２ｃとの端面に形成した端面導通手段１５によ
って第一の接地導体層３と第二の接地導体層６とを接続
し、また、第一の誘電体層２ａ、第二の誘電体層２ｂ、
第三の誘電体層の端面に形成した端面導通手段１６によ
って第一の回路導体層９と第二の回路導体層１１とを接
続する。
【００２５】このように構成された高周波回路モジュ−
ル１７は、面実装部品の形態をなし、例えば、携帯電話
機を構成するメイン基板１８上に他の電子部品（図示せ
ず）とともに搭載される。メイン基板１８上には高周波
回路モジュ−ル１７の最下層である第三の誘電体層２ｃ
に形成した第一の誘電体削除孔５の領域をカバ−する広
さの接地導体１８ａと信号導出導体１８ｂとが形成され
ている。そして、高周波回路モジュ−ル１７をメイン基
板１８上に搭載した時には、第一の誘電体削除孔５が接
地導体１８ａによって塞がれるようになり、第三の誘電
体層２ｃの下面に形成された第二の接地導体層６とメイ
ン基板１８上に形成された接地導体１８ａとがハンダ等
によって接続される。また、第三の誘電体層２ｃの下面
に形成された第二の回路導体層１１とメイン基板１８上
に形成された信号導出導体１８ｂとがハンダ等によって
接続される。
ル１７は、面実装部品の形態をなし、例えば、携帯電話
機を構成するメイン基板１８上に他の電子部品（図示せ
ず）とともに搭載される。メイン基板１８上には高周波
回路モジュ−ル１７の最下層である第三の誘電体層２ｃ
に形成した第一の誘電体削除孔５の領域をカバ−する広
さの接地導体１８ａと信号導出導体１８ｂとが形成され
ている。そして、高周波回路モジュ−ル１７をメイン基
板１８上に搭載した時には、第一の誘電体削除孔５が接
地導体１８ａによって塞がれるようになり、第三の誘電
体層２ｃの下面に形成された第二の接地導体層６とメイ
ン基板１８上に形成された接地導体１８ａとがハンダ等
によって接続される。また、第三の誘電体層２ｃの下面
に形成された第二の回路導体層１１とメイン基板１８上
に形成された信号導出導体１８ｂとがハンダ等によって
接続される。
【００２６】以上のように、図３に示す高周波回路モジ
ュ−ル１７では、図１に示す回路モジュ−ル１と比較し
て金属板８を削除しているが、この高周波回路モジュ−
ル１７を搭載するメイン基板１８の接地導体１８ａが金
属板８の役割を果たすので、高周波回路モジュ−ル１７
をメイン基板１８に搭載した状態での高さを低く出来
る。
ュ−ル１７では、図１に示す回路モジュ−ル１と比較し
て金属板８を削除しているが、この高周波回路モジュ−
ル１７を搭載するメイン基板１８の接地導体１８ａが金
属板８の役割を果たすので、高周波回路モジュ−ル１７
をメイン基板１８に搭載した状態での高さを低く出来
る。
【００２７】なお、図３に示す高周波回路モジュ−ル１
７においても、第一の誘電体削除孔５を塞ぐ金属板８を
用いるようにし、この金属板８を第三の誘電体層２ｃの
下面の第二の接地導体層６にハンダ接続してもよいこと
はもちろんである。このようにすれば、高周波回路モジ
ュ−ルの取り扱いにおいて、マイクロストリップライン
４を損傷することがない。
７においても、第一の誘電体削除孔５を塞ぐ金属板８を
用いるようにし、この金属板８を第三の誘電体層２ｃの
下面の第二の接地導体層６にハンダ接続してもよいこと
はもちろんである。このようにすれば、高周波回路モジ
ュ−ルの取り扱いにおいて、マイクロストリップライン
４を損傷することがない。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明の高周波回路モジ
ュ−ルは、少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電体層
と第三の誘電体層とを順に積層し、第一の誘電体層と第
二の誘電体層との間に第一の接地導体層を形成し、第一
の接地導体層に対向して第二の誘電体層と第三の誘電体
層との間に帯状のマイクロストリップラインを形成し、
第三の誘電体層には前記マイクロストリップラインに対
向して第三の誘電体層を切り欠いて形成した第一の誘電
体削除孔を設け、第三の誘電体層には第二の誘電体層側
の面とは反対側の面に第一の誘電体削除孔を塞ぐ金属板
を設け、金属板を第一の接地導体層に接続したので、マ
イクロストリップラインは第一の誘電体削除孔を介して
金属板と対向することになり、誘電体損によるＱの低下
を防げる。また、金属板が保護カバ−の役目を有するの
で、マイクロストリップラインを損傷することがない。
さらに、金属板のシ−ルド効果によって妨害信号がマイ
クロストリップラインに飛び込むのを防止する。
ュ−ルは、少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電体層
と第三の誘電体層とを順に積層し、第一の誘電体層と第
二の誘電体層との間に第一の接地導体層を形成し、第一
の接地導体層に対向して第二の誘電体層と第三の誘電体
層との間に帯状のマイクロストリップラインを形成し、
第三の誘電体層には前記マイクロストリップラインに対
向して第三の誘電体層を切り欠いて形成した第一の誘電
体削除孔を設け、第三の誘電体層には第二の誘電体層側
の面とは反対側の面に第一の誘電体削除孔を塞ぐ金属板
を設け、金属板を第一の接地導体層に接続したので、マ
イクロストリップラインは第一の誘電体削除孔を介して
金属板と対向することになり、誘電体損によるＱの低下
を防げる。また、金属板が保護カバ−の役目を有するの
で、マイクロストリップラインを損傷することがない。
さらに、金属板のシ−ルド効果によって妨害信号がマイ
クロストリップラインに飛び込むのを防止する。
【００２９】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
第三の誘電体層の反対側の面には第二の接地導体を形成
し、金属板を第二の接地導体に接続したので、金属板に
よって第一の誘電体削除孔を電気的、磁気的に確実にふ
さぐことができる。
第三の誘電体層の反対側の面には第二の接地導体を形成
し、金属板を第二の接地導体に接続したので、金属板に
よって第一の誘電体削除孔を電気的、磁気的に確実にふ
さぐことができる。
【００３０】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
第一の誘電体層の第二の誘電体層側とは反対側に回路導
体層を形成し、回路導体からの信号を導出する信号導出
用端子を第三の誘電体層の反対側の面に形成したので、
いわゆる面実装部品の形態となり、メイン基板に搭載す
る場合には金属板および信号導出用の端子をメイン基板
上の導体に直接接続でき、取付高さを低く出来る。
第一の誘電体層の第二の誘電体層側とは反対側に回路導
体層を形成し、回路導体からの信号を導出する信号導出
用端子を第三の誘電体層の反対側の面に形成したので、
いわゆる面実装部品の形態となり、メイン基板に搭載す
る場合には金属板および信号導出用の端子をメイン基板
上の導体に直接接続でき、取付高さを低く出来る。
【００３１】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
第三の誘電体層に第四の誘電体層を積層するとともに、
第四の誘電体層には第一の誘電体削除孔よりも大きな第
二の誘電体削除孔を形成したので、第二の誘電体削除孔
によって第一の誘電体削除孔を塞ぐ金属板を位置決めで
きる。
第三の誘電体層に第四の誘電体層を積層するとともに、
第四の誘電体層には第一の誘電体削除孔よりも大きな第
二の誘電体削除孔を形成したので、第二の誘電体削除孔
によって第一の誘電体削除孔を塞ぐ金属板を位置決めで
きる。
【００３２】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
第四の誘電体層には第三の誘電体側の面とは反対側の面
に接地端子と信号導出用端子とを形成し、第一の接地導
体層と第二の接地導体とを接地端子に接続したので、面
実装部品の形態とすることができ、また、第四の誘電体
層と第三の誘電体層との間、および第四の誘電体層の下
面には他の回路導体層を設けることができるので回路設
計の自由度が増す。
第四の誘電体層には第三の誘電体側の面とは反対側の面
に接地端子と信号導出用端子とを形成し、第一の接地導
体層と第二の接地導体とを接地端子に接続したので、面
実装部品の形態とすることができ、また、第四の誘電体
層と第三の誘電体層との間、および第四の誘電体層の下
面には他の回路導体層を設けることができるので回路設
計の自由度が増す。
【００３３】本発明の高周波回路モジュ−ルの取付構造
は、少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電体層と第三
の誘電体層とを順に積層し、第一の誘電体層と第二の誘
電体層との間に第一の接地導体層を形成し、第一の接地
導体層に対向して第二の誘電体層と第三の誘電体層との
間に帯状のマイクロストリップラインを形成し、第三の
誘電体層にはマイクロストリップラインに対向して第三
の誘電体層を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を
設けた高周波回路モジュ−ルと、高周波回路モジュ−ル
を搭載するメイン基板とを有し、メイン基板上には接地
導体を設け、第一の誘電体削除孔を接地導体に対向させ
るとともに第一の接地導体層を接地導体に接続したの
で、マイクロストリップラインは第一の誘電体削除孔を
介してメイン基板の接地導体と対向することになってＱ
が高められる。また、金属板を使用しないので、部品数
と組立工数も削減でき、さらに、メイン基板への取付高
さを低く出来る。
は、少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電体層と第三
の誘電体層とを順に積層し、第一の誘電体層と第二の誘
電体層との間に第一の接地導体層を形成し、第一の接地
導体層に対向して第二の誘電体層と第三の誘電体層との
間に帯状のマイクロストリップラインを形成し、第三の
誘電体層にはマイクロストリップラインに対向して第三
の誘電体層を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を
設けた高周波回路モジュ−ルと、高周波回路モジュ−ル
を搭載するメイン基板とを有し、メイン基板上には接地
導体を設け、第一の誘電体削除孔を接地導体に対向させ
るとともに第一の接地導体層を接地導体に接続したの
で、マイクロストリップラインは第一の誘電体削除孔を
介してメイン基板の接地導体と対向することになってＱ
が高められる。また、金属板を使用しないので、部品数
と組立工数も削減でき、さらに、メイン基板への取付高
さを低く出来る。
【図１】本発明の高周波回路モジュ−ルの要部断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の高周波回路モジュ−ルの分解斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明の高周波回路モジュ−ルの取付状態を説
明するための要部断面図である。
明するための要部断面図である。
【図４】従来の高周波回路モジュ−ルの要部断面図であ
る。
る。
１、１７ 高周波回路モジュ−ル
２ 多層基板
２ａ 第一の誘電体層
２ｂ 第二の誘電体層
２ｃ 第三の誘電体層
２ｄ 第四の誘電体層
２ｅ 第五の誘電体層
３ 第一の接地導体層
４ マイクロストリップライン
５ 第一の誘電体削除孔
６ 第二の接地導体層（接地端子）
７ 第二の誘電体削除孔
８ 金属板
９ 第一の回路導体層
１０ 第三の接地導体層（接地端子）
１１ 第二の回路導体層（信号導出用端子）
１２ 電子部品
１３、１４ スル−ホ−ル導通手段
１５、１６ 端面導通手段
１８ メイン基板
１８ａ 接地導体
１８ｂ 信号導出導体
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電
体層と第三の誘電体層とを順に積層し、前記第一の誘電
体層と前記第二の誘電体層との間に第一の接地導体層を
形成し、前記第一の接地導体層に対向して前記第二の誘
電体層と前記第三の誘電体層との間に帯状のマイクロス
トリップラインを形成し、前記第三の誘電体層には前記
マイクロストリップラインに対向して前記第三の誘電体
層を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を設け、前
記第三の誘電体層には前記第二の誘電体層側の面とは反
対側の面に前記第一の誘電体削除孔を塞ぐ金属板を設
け、前記金属板を前記第一の接地導体層に接続したこと
を特徴とする高周波回路モジュ−ル。 - 【請求項２】 前記第三の誘電体層の前記反対側の面に
は第二の接地導体を形成し、前記金属板を前記第二の接
地導体に接続したことを特徴とする請求項１記載の高周
波回路モジュ−ル。 - 【請求項３】 前記第一の誘電体層の前記第二の誘電体
層側とは反対側に回路導体層を形成し、前記回路導体か
らの信号を導出する信号導出用端子を前記第三の誘電体
層の前記反対側の面に形成したことを特徴とする請求項
１または２記載の高周波回路モジュ−ル。 - 【請求項４】 前記第三の誘電体層に第四の誘電体層を
積層するとともに、前記第四の誘電体層には前記第一の
誘電体削除孔よりも大きな第二の誘電体削除孔を形成し
たことを特徴とする請求項２記載の高周波回路モジュ−
ル。 - 【請求項５】 前記第四の誘電体層には前記第三の誘電
体側の面とは反対側の面に接地端子と前記信号導出用端
子とを形成し、前記第一の接地導体層と前記第二の接地
導体とを前記接地端子に接続したことを特徴とする請求
項４記載の高周波回路モジュ−ル。 - 【請求項６】 少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電
体層と第三の誘電体層とを順に積層し、前記第一の誘電
体層と前記第二の誘電体層との間に第一の接地導体層を
形成し、前記第一の接地導体層に対向して前記第二の誘
電体層と前記第三の誘電体層との間に帯状のマイクロス
トリップラインを形成し、前記第三の誘電体層には前記
マイクロストリップラインに対向して前記第三の誘電体
層を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を設けた高
周波回路モジュ−ルと、前記高周波回路モジュ−ルを搭
載するメイン基板とを有し、前記メイン基板上には接地
導体を設け、前記第一の誘電体削除孔を前記接地導体に
対向させるとともに前記第一の接地導体層を前記接地導
体に接続したことを特徴とする高周波回路モジュ−ルの
取付構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33427997A JP3468674B2 (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 高周波回路モジュ−ルおよび高周波回路モジュ−ルの取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33427997A JP3468674B2 (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 高周波回路モジュ−ルおよび高周波回路モジュ−ルの取付構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11168153A JPH11168153A (ja) | 1999-06-22 |
| JP3468674B2 true JP3468674B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=18275572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33427997A Expired - Fee Related JP3468674B2 (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 高周波回路モジュ−ルおよび高周波回路モジュ−ルの取付構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3468674B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7249338B2 (en) * | 2003-05-21 | 2007-07-24 | Gateway Inc. | High speed bus with radio frequency microstrip |
-
1997
- 1997-12-04 JP JP33427997A patent/JP3468674B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH11168153A (ja) | 1999-06-22 |
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