JPH05110319A - トリプレート形ストリツプライン共振器 - Google Patents
トリプレート形ストリツプライン共振器Info
- Publication number
- JPH05110319A JPH05110319A JP14234191A JP14234191A JPH05110319A JP H05110319 A JPH05110319 A JP H05110319A JP 14234191 A JP14234191 A JP 14234191A JP 14234191 A JP14234191 A JP 14234191A JP H05110319 A JPH05110319 A JP H05110319A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonance frequency
- ground plane
- conductor layer
- resonator
- conductor
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】周囲の部品配置等による特性の変動が起こりに
くく、Ｑの低下も起こさない共振周波数調整手段を有す
るトリプレート形ストップライン共振器を提供する。 【構成】誘電体２内に、中心導体１につながる共振周波
数調整用導体層１２を設ける。導体層１２に対向する表
面またはおよび側面に露出させたグランドプレーン３ａ
をトリミングして共振周波数の値を所定範囲内におさめ
た。
くく、Ｑの低下も起こさない共振周波数調整手段を有す
るトリプレート形ストップライン共振器を提供する。 【構成】誘電体２内に、中心導体１につながる共振周波
数調整用導体層１２を設ける。導体層１２に対向する表
面またはおよび側面に露出させたグランドプレーン３ａ
をトリミングして共振周波数の値を所定範囲内におさめ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電圧制御発振器やフィ
ルタ等に用いられるトリプレート形ストリップライン共
振器に関する。
ルタ等に用いられるトリプレート形ストリップライン共
振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波領域特に２５０ＭHzないし数ＧHz
に及ぶような超高周波用の例えば移動式通信機器の電圧
制御発振器やフィルタ等に用いられるトリプレート形ス
トリップライン共振器は、図３の斜視図に示すように、
銀等でなる中心導体１を、アルミナ等高周波損失の少な
い誘電体２中に焼結により一体に形成し、誘電体２の両
面にグランドにつながる銀等でなるグランドプレーン３
ａ、３ｂを形成してなる。本例のものは、実装効率を上
げるため、上述のように構成された共振器４の片面のグ
ランドプレーン３ｂに重ねて、例えば電圧制御発振器や
フィルタを構成するための回路層５を設け、その上に駆
動素子等の電子部品６を搭載し、シールドケース７を被
せている。
に及ぶような超高周波用の例えば移動式通信機器の電圧
制御発振器やフィルタ等に用いられるトリプレート形ス
トリップライン共振器は、図３の斜視図に示すように、
銀等でなる中心導体１を、アルミナ等高周波損失の少な
い誘電体２中に焼結により一体に形成し、誘電体２の両
面にグランドにつながる銀等でなるグランドプレーン３
ａ、３ｂを形成してなる。本例のものは、実装効率を上
げるため、上述のように構成された共振器４の片面のグ
ランドプレーン３ｂに重ねて、例えば電圧制御発振器や
フィルタを構成するための回路層５を設け、その上に駆
動素子等の電子部品６を搭載し、シールドケース７を被
せている。
【０００３】共振器４の誘電体２中に設けた中心導体１
の一端は、図示のようなスルーホール８（または側面導
体）を通して回路層５内の導体につながるランド５ａま
たは電子部品６に接続する。回路層５や電子部品６を有
しない場合は、スルーホール１の一端は誘電体２の側面
に設ける外部接続用電極に接続する。中心導体１の他端
はスルーホールまたは図示のように側面電極９を通して
グランドプレーン３ａに接続する。なお、上下のグラン
ドプレーン３ａ、３ｂどうしは、誘電体２の側面に後着
けされる導体または別のスルーホール（図示せず）によ
り接続される。この共振器は、主として中心導体１でイ
ンダクタンスＬ成分を形成し、中心導体１とグランドプ
レーン３ａ、３ｂとの間で容量Ｃ成分を形成する。
の一端は、図示のようなスルーホール８（または側面導
体）を通して回路層５内の導体につながるランド５ａま
たは電子部品６に接続する。回路層５や電子部品６を有
しない場合は、スルーホール１の一端は誘電体２の側面
に設ける外部接続用電極に接続する。中心導体１の他端
はスルーホールまたは図示のように側面電極９を通して
グランドプレーン３ａに接続する。なお、上下のグラン
ドプレーン３ａ、３ｂどうしは、誘電体２の側面に後着
けされる導体または別のスルーホール（図示せず）によ
り接続される。この共振器は、主として中心導体１でイ
ンダクタンスＬ成分を形成し、中心導体１とグランドプ
レーン３ａ、３ｂとの間で容量Ｃ成分を形成する。
【０００４】このような共振器において、共振周波数の
調整は、図３に示すように、誘電体２の側面に中心導体
１につながるスタブ１０を形成し、このスタブ１０をレ
ーザビーム等によって一部トリミング（斜線部ａで示
す）してＬ成分を調整することにより行なっている。
調整は、図３に示すように、誘電体２の側面に中心導体
１につながるスタブ１０を形成し、このスタブ１０をレ
ーザビーム等によって一部トリミング（斜線部ａで示
す）してＬ成分を調整することにより行なっている。
【０００５】図４は共振周波数調整の他の従来例であ
り、（Ａ）の分解斜視図に示すように、前記電圧制御発
振器等の回路層５を設ける前に誘電体２の片面に中心導
体１に達する窓１１を形成しておき、（Ｂ）に示すよう
に、窓１１の部分において、レーザビーム等により中心
導体１の一部をトリミング（斜線部ａで示す）すること
により、周波数を調整するものである。
り、（Ａ）の分解斜視図に示すように、前記電圧制御発
振器等の回路層５を設ける前に誘電体２の片面に中心導
体１に達する窓１１を形成しておき、（Ｂ）に示すよう
に、窓１１の部分において、レーザビーム等により中心
導体１の一部をトリミング（斜線部ａで示す）すること
により、周波数を調整するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３に示した従来の共
振器における共振周波数の調整手段によれば、電磁界が
スタブ１０の周辺にも分布しているため、実装時に隣接
部品や導体パターン等が近接して存在すると、特性の変
動等があり、またこのため、実装設計には十分注意を要
するという問題点があった。
振器における共振周波数の調整手段によれば、電磁界が
スタブ１０の周辺にも分布しているため、実装時に隣接
部品や導体パターン等が近接して存在すると、特性の変
動等があり、またこのため、実装設計には十分注意を要
するという問題点があった。
【０００７】図４の従来例の場合、共振周波数の調整は
容易であるが、電流通路となる中心導体１の一部を除去
するため、抵抗分が増し、Ｑの低下を招きやすいという
問題点があった。また、回路層５を設けてシールドケー
ス７を付加するものにおいては、シールドケース７を取
付けた場合に、特性が変化する可能性があるという問題
点もあった。
容易であるが、電流通路となる中心導体１の一部を除去
するため、抵抗分が増し、Ｑの低下を招きやすいという
問題点があった。また、回路層５を設けてシールドケー
ス７を付加するものにおいては、シールドケース７を取
付けた場合に、特性が変化する可能性があるという問題
点もあった。
【０００８】本発明は、これらの問題点に鑑み、周囲の
部品配置等による特性の変動が起こりにくく、Ｑの低下
も起こさない共振周波数調整手段を有するトリプレート
形ストップライン共振器を提供することを主たる目的と
する。また、本発明の他の目的は、シールドケース取付
け時および取付け後の特性の変動が起こりにくい構造の
ものを提供することにある。
部品配置等による特性の変動が起こりにくく、Ｑの低下
も起こさない共振周波数調整手段を有するトリプレート
形ストップライン共振器を提供することを主たる目的と
する。また、本発明の他の目的は、シールドケース取付
け時および取付け後の特性の変動が起こりにくい構造の
ものを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体内に、
中心導体につながる共振周波数調整用導体層を設け、該
導体層に対向する表面またはおよび側面に露出させたグ
ランドプレーンをトリミングして共振周波数の値を所定
範囲内におさめたことを特徴とする。本発明を実施する
場合、前記共振周波数調整用導体層を、共振器の表面ま
たは裏面のグランドプレーンに対して、中心導体より近
接させた位置に設けることが好ましい。また、シールド
ケースを設けるものにおいては、シールドケース取付け
側の反対側の面に近接させて共振周波数調整用導体層を
設け、該反対側のグランドプレーンまたはおよび側面の
グランドプレーンをトリミングして共振周波数の値を所
定範囲内におさめる。
中心導体につながる共振周波数調整用導体層を設け、該
導体層に対向する表面またはおよび側面に露出させたグ
ランドプレーンをトリミングして共振周波数の値を所定
範囲内におさめたことを特徴とする。本発明を実施する
場合、前記共振周波数調整用導体層を、共振器の表面ま
たは裏面のグランドプレーンに対して、中心導体より近
接させた位置に設けることが好ましい。また、シールド
ケースを設けるものにおいては、シールドケース取付け
側の反対側の面に近接させて共振周波数調整用導体層を
設け、該反対側のグランドプレーンまたはおよび側面の
グランドプレーンをトリミングして共振周波数の値を所
定範囲内におさめる。
【００１０】
【作用】本発明においては、共振周波数調整用のために
内蔵された導体層に対向するグランドプレーンの面積を
減少させ、容量を調整することにより、共振周波数を調
整する。
内蔵された導体層に対向するグランドプレーンの面積を
減少させ、容量を調整することにより、共振周波数を調
整する。
【００１１】
【実施例】図１（Ａ）は本発明によるトリプレート形ス
トリップライン共振器の一実施例を下面側（ケーシング
７の取付け面の反対側の面側）から見た斜視図、同
（Ｂ）はその等価回路図である。また、図２（Ａ）は本
実施例の底面図、同（Ｂ）は本実施例の模式的断面図で
ある。これらの図において、１２は共振器４を構成する
誘電体１内に形成した共振周波数調整用導体層であり、
該導体層１２は中心導体１と同面に形成された導体層１
３ａおよびスルーホール１３ｂを介して電気的に導通す
る。そして共振周波数調整のため、該導体層１２に対面
するグランドプレーン３ａ、すなわちシールドケース７
の取付け側と反対側の面のグランドプレーン３ａをレー
ザビームやサンドブラスト等によりトリミングして共振
周波数を調整する。図１（Ａ）、図２（Ａ）の斜線部分
１４が前記導体層１２に対向するグランドプレーン３ａ
の周波数調整部分であり、共振周波数を監視しながら斜
線部分１４を図２（Ａ）、図２（Ｂ）の１５に示すよう
に少しずつトリミングして容量を減少させ、共振周波数
が所定の値の範囲内になったところでトリミングを停止
する。
トリップライン共振器の一実施例を下面側（ケーシング
７の取付け面の反対側の面側）から見た斜視図、同
（Ｂ）はその等価回路図である。また、図２（Ａ）は本
実施例の底面図、同（Ｂ）は本実施例の模式的断面図で
ある。これらの図において、１２は共振器４を構成する
誘電体１内に形成した共振周波数調整用導体層であり、
該導体層１２は中心導体１と同面に形成された導体層１
３ａおよびスルーホール１３ｂを介して電気的に導通す
る。そして共振周波数調整のため、該導体層１２に対面
するグランドプレーン３ａ、すなわちシールドケース７
の取付け側と反対側の面のグランドプレーン３ａをレー
ザビームやサンドブラスト等によりトリミングして共振
周波数を調整する。図１（Ａ）、図２（Ａ）の斜線部分
１４が前記導体層１２に対向するグランドプレーン３ａ
の周波数調整部分であり、共振周波数を監視しながら斜
線部分１４を図２（Ａ）、図２（Ｂ）の１５に示すよう
に少しずつトリミングして容量を減少させ、共振周波数
が所定の値の範囲内になったところでトリミングを停止
する。
【００１２】図１（Ｂ）は本実施例の等価回路図であ
り、電子部品６として備えられたバリキャプダイオード
（印加電圧の調整により容量が変えられるダイオード）
による容量Ｃv 成分と、中心導体１によるインダクタン
スＬ成分と、共振器４の容量Ｃ成分により共振周波数が
決定され、該容量Ｃを調整するにより、所定の共振周波
数が得られるように構成される。
り、電子部品６として備えられたバリキャプダイオード
（印加電圧の調整により容量が変えられるダイオード）
による容量Ｃv 成分と、中心導体１によるインダクタン
スＬ成分と、共振器４の容量Ｃ成分により共振周波数が
決定され、該容量Ｃを調整するにより、所定の共振周波
数が得られるように構成される。
【００１３】本実施例においては、狭い面積で大きな容
量の変化を得るため、中心導体１とグランドプレーン３
ａとの間隔より、前記導体層１２とグランドプレーン３
ａとの間隔が小さくなるように、前述のようにスルーホ
ール１３ｂを通して接続している。
量の変化を得るため、中心導体１とグランドプレーン３
ａとの間隔より、前記導体層１２とグランドプレーン３
ａとの間隔が小さくなるように、前述のようにスルーホ
ール１３ｂを通して接続している。
【００１４】具体的な数値を示して調整幅を説明する
と、共振器４の縦横の寸法が１０mm×１０mm、厚みが
２．５mmのものにおいて、レーザビーム等により減少さ
せるトリミング部１５が導体層１２と対向する部分の面
積をＳ、導体層１２とグランドプレーン３ａとの間隔を
ｄ、真空、誘電体（アルミナ）２の各誘電率をεO、εr
とすると、容量の減少量ΔＣは、 ΔＣ＝ εOεrＳ／ｄ で表わされる。ここで、εr＝７．４、Ｓ＝１mm2、ｄ＝
４０μm とすると、ΔＣ＝１．６４pFとなり、８３５MH
z の周波数帯の共振器４を得る場合、インダクタンスＬ
のばらつきの範囲３．１nH＋０％〜−２０％を容量調整
でカバーするためには、容量調整幅ΔＣが最大３pFあれ
ばすべて共振周波数の調整が可能であり、そのために
は、トリミングで減少できる面積Ｓが２．０mm2あれば
良いことになるが、上記実施例の構成ではこの要求に十
分こたえることができ、共振周波数を±１％の範囲で調
整可能であった。
と、共振器４の縦横の寸法が１０mm×１０mm、厚みが
２．５mmのものにおいて、レーザビーム等により減少さ
せるトリミング部１５が導体層１２と対向する部分の面
積をＳ、導体層１２とグランドプレーン３ａとの間隔を
ｄ、真空、誘電体（アルミナ）２の各誘電率をεO、εr
とすると、容量の減少量ΔＣは、 ΔＣ＝ εOεrＳ／ｄ で表わされる。ここで、εr＝７．４、Ｓ＝１mm2、ｄ＝
４０μm とすると、ΔＣ＝１．６４pFとなり、８３５MH
z の周波数帯の共振器４を得る場合、インダクタンスＬ
のばらつきの範囲３．１nH＋０％〜−２０％を容量調整
でカバーするためには、容量調整幅ΔＣが最大３pFあれ
ばすべて共振周波数の調整が可能であり、そのために
は、トリミングで減少できる面積Ｓが２．０mm2あれば
良いことになるが、上記実施例の構成ではこの要求に十
分こたえることができ、共振周波数を±１％の範囲で調
整可能であった。
【００１５】なお、このような共振器４の製造は、ｈで
示す幅（焼成後におけるこの幅ｈは約４０μm 程度にな
る）の生シート（グリーンシート）４ａを重ね、中心導
体１やグランドプレーン３ａ、３ｂ、導体層１２（これ
らは焼成後の厚みが１０〜２０μm 程度に設定される）
を印刷し（なお、スルーホール１３ｂは予めこれを生シ
ート４ａに設けておく）、これらを回路層５と共に焼成
することにより行なう。なお、図２（Ｂ）においては、
実際の生シート４ａの層数は実際のものより少なく描い
てある。
示す幅（焼成後におけるこの幅ｈは約４０μm 程度にな
る）の生シート（グリーンシート）４ａを重ね、中心導
体１やグランドプレーン３ａ、３ｂ、導体層１２（これ
らは焼成後の厚みが１０〜２０μm 程度に設定される）
を印刷し（なお、スルーホール１３ｂは予めこれを生シ
ート４ａに設けておく）、これらを回路層５と共に焼成
することにより行なう。なお、図２（Ｂ）においては、
実際の生シート４ａの層数は実際のものより少なく描い
てある。
【００１６】図２（Ｃ）は共振周波数調整の他の例であ
り、前記導体層１２に対応させて、グランドプレーンに
接続して側面にも容量調整部１７を設け、該側面の調整
部１７をトリミング（１８）することにより、共振周波
数の調整を行なうようにしたものである。トリミング部
１８は、側面部１７からグランドプレーン３ａの平面部
１４にわたって形成しても良い。また、これらのトリミ
ング部におけるグランドプレーン（銀）３ａのマイグレ
ーションを防止するため、トリミング部１８の周辺部を
樹脂層で覆うことが好ましい。また、上記実施例は、回
路層５やシールドケース７を設けたものについて示した
が、これらの無い共振器単体で構成されるものにも本発
明を適用できる。
り、前記導体層１２に対応させて、グランドプレーンに
接続して側面にも容量調整部１７を設け、該側面の調整
部１７をトリミング（１８）することにより、共振周波
数の調整を行なうようにしたものである。トリミング部
１８は、側面部１７からグランドプレーン３ａの平面部
１４にわたって形成しても良い。また、これらのトリミ
ング部におけるグランドプレーン（銀）３ａのマイグレ
ーションを防止するため、トリミング部１８の周辺部を
樹脂層で覆うことが好ましい。また、上記実施例は、回
路層５やシールドケース７を設けたものについて示した
が、これらの無い共振器単体で構成されるものにも本発
明を適用できる。
【００１７】
【発明の効果】請求項１によれば、Ｑ値の変動に敏感な
Ｌ成分（中心導体）を加工せず、中心導体に並列な容量
分を調整するので、共振器全体のＱ値にほとんど影響を
与えず、Ｑ値を高い値に保持できる。また、グランドプ
レーンをトリミングしており、中心導体に導通した調整
用導体層は誘電体に内蔵しているので、マザーボードに
実装した場合に隣接部品や配線パターンが近接しても、
特性の変動を受けにくく、相互の干渉をほとんどなくす
ることができ、またこのことから、実装設計の容易化が
達成できる。また、調整部分が露出しているので、調整
が容易である。またこれらのことから、電気的特性の高
性能化、高歩留りが達成され、調整の容易化と相俊っ
て、製品のコストダウンが実現できる。
Ｌ成分（中心導体）を加工せず、中心導体に並列な容量
分を調整するので、共振器全体のＱ値にほとんど影響を
与えず、Ｑ値を高い値に保持できる。また、グランドプ
レーンをトリミングしており、中心導体に導通した調整
用導体層は誘電体に内蔵しているので、マザーボードに
実装した場合に隣接部品や配線パターンが近接しても、
特性の変動を受けにくく、相互の干渉をほとんどなくす
ることができ、またこのことから、実装設計の容易化が
達成できる。また、調整部分が露出しているので、調整
が容易である。またこれらのことから、電気的特性の高
性能化、高歩留りが達成され、調整の容易化と相俊っ
て、製品のコストダウンが実現できる。
【００１８】請求項２によれば、調整用導体層の面積が
狭くてよく、狭い面積で大きなトリミング効果を得るこ
とができる。
狭くてよく、狭い面積で大きなトリミング効果を得るこ
とができる。
【００１９】請求項３によれば、調整用容量のグランド
プレーンがシールドケース組立て後も露出しているの
で、共振器に電子部品を組合わせ、シールドケースを取
付けた後でも共振周波数を容易に調整することができ
る。
プレーンがシールドケース組立て後も露出しているの
で、共振器に電子部品を組合わせ、シールドケースを取
付けた後でも共振周波数を容易に調整することができ
る。
【図１】（Ａ）は本発明による共振器の一実施例を示す
斜視図、（Ｂ）はその部分等価回路図である。
斜視図、（Ｂ）はその部分等価回路図である。
【図２】（Ａ）は本実施例の底面図、（Ｂ）は本実施例
の模式的断面図、（Ｃ）は本発明における他のトリミン
グの例を示す断面図である。
の模式的断面図、（Ｃ）は本発明における他のトリミン
グの例を示す断面図である。
【図３】従来の共振周波数調整手段を有する共振器を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】（Ａ）は従来の共振周波数調整手段を有する共
振器を示す分解斜視図、（Ｂ）はその調整部分を示す平
面図である。
振器を示す分解斜視図、（Ｂ）はその調整部分を示す平
面図である。
１ 中心導体 ２ 誘電体 ３ａ、３ｂ グランドプレーン ４ 共振器 ５ 回路層 ６ 電子部品 ７ シールドケース １２ 導体層 ８、１３ｂ スルーホール １４、１７ 容量調整部 １５、１８ トリミング部
Claims (3)
- 【請求項１】誘電体内に、中心導体につながる共振周波
数調整用導体層を設け、該導体層に対向する表面または
および側面に露出させたグランドプレーンをトリミング
して共振周波数の値を所定範囲内におさめたことを特徴
とするトリプレート形ストリップライン共振器。 - 【請求項２】請求項１において、前記共振周波数調整用
導体層とトリミングするグランドプレーンとの間隔を、
中心導体とグランドプレーンとの間隔より小さくしたこ
とを特徴とするトリプレート形ストリップライン共振
器。 - 【請求項３】中心導体を内蔵した誘電体の両面にグラン
ドプレーンを形成し、片面側のグランドプレーンに重ね
て回路層を設けかつ電子部品を搭載してシールドケース
を被せたトリプレート形ストリップライン共振器におい
て、前記シールドケースの反対側の面のグランドプレー
ンに対向する共振周波数調整用導体層を内蔵し、該導体
層に対向する前記反対側の面のグランドプレーンまたは
および側面のグランドプレーンをトリミングして共振周
波数の値を所定範囲内におさめたことを特徴とするトリ
プレート形ストリップライン共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14234191A JPH05110319A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | トリプレート形ストリツプライン共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14234191A JPH05110319A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | トリプレート形ストリツプライン共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05110319A true JPH05110319A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=15313110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14234191A Withdrawn JPH05110319A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | トリプレート形ストリツプライン共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05110319A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05235637A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電圧制御発振器の周波数調整方法 |
| US5952901A (en) * | 1996-11-20 | 1999-09-14 | Alps Electric Co., Ltd. | Laminated electronic component with trimmable parallel electrodes |
| KR100688240B1 (ko) * | 1997-01-09 | 2007-03-02 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물반도체소자 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP14234191A patent/JPH05110319A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05235637A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電圧制御発振器の周波数調整方法 |
| US5952901A (en) * | 1996-11-20 | 1999-09-14 | Alps Electric Co., Ltd. | Laminated electronic component with trimmable parallel electrodes |
| KR100688240B1 (ko) * | 1997-01-09 | 2007-03-02 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물반도체소자 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |