JP4446771B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は半導体装置に関し、特に、下地絶縁膜上に金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置に関するものである。
アナログ集積回路において、抵抗素子は重要な素子として多用されている。近年、抵抗素子の中でも金属薄膜からなる抵抗体（金属薄膜抵抗体と称す）がその抵抗値の温度依存性（以下ＴＣＲという）の低さから注目を集めている。金属薄膜抵抗体の材料としては、例えばクロムシリコン（ＣｒＳｉ）やニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、クロムシリサイド（ＣｒＳｉ2）、窒化クロムシリサイド（ＣｒＳｉＮ）、クロムシリコンオキシ（ＣｒＳｉ０）などが用いられる。
金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置において、高集積化の要求を満たすために、より高いシート抵抗を目指し、１０００Å（オングストローム）以下という薄い膜厚で金属薄膜抵抗体を形成することが多い。
従来、金属薄膜抵抗体の電気的接続をとる方法として、以下のような方法がある。
１）金属薄膜抵抗体に直接金属配線を接続する方法（例えば特許文献１参照。）。
２）金属薄膜抵抗体を形成した後、層間絶縁膜を形成し、その層間絶縁膜に接続孔を形成し、接続孔を介して金属配線を接続する方法（例えば特許文献２及び特許文献３参照。）。
３）金属薄膜抵抗体層上にバリヤ膜を形成し、そのバリヤ膜に金属配線を接続する方法（例えば特許文献４及び特許文献５参照。）。
上記１）〜３）の金属薄膜抵抗体の電気的接続をとる方法を以下に示す。
図２９を参照して、１）金属薄膜抵抗体上に直接金属配線を形成する方法を説明する。
素子分離酸化膜３及びトランジスタ素子等（図示は省略）の形成が完了したウェハ状のシリコン基板１上に層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５上に金属薄膜抵抗体１０１を形成する。金属薄膜抵抗体１０１上を含む層間絶縁膜５上全面に配線用金属膜を形成し、その配線用金属膜をウェットエッチング技術によりパターニングして金属配線パターン１０３を形成する。
一般的な半導体装置の製造工程では、配線用金属膜のエッチング処理にはドライエッチング技術が用いられるが、配線用金属膜の直下に膜厚が薄い金属薄膜抵抗体１０１が存在する状況下では、オーバーエッチングにより金属薄膜抵抗体１０１をエッチングしてしまうため、ドライエッチング技術を使用することができない。したがって、配線用金属膜をウェットエッチング技術によってパターニングして金属配線パターン１０３を形成する必要がある。
図３０を参照して、２）金属薄膜抵抗体を形成した後、層間絶縁膜を形成し、その層間絶縁膜に接続孔を形成し、接続孔を介して金属配線を接続する方法について説明する。
シリコン基板１上に素子分離酸化膜３、層間絶縁膜５及び金属薄膜抵抗体１０１を形成した後、金属薄膜抵抗体１０１上を含む層間絶縁膜５上に、金属配線との層間絶縁膜となるＣＶＤ（chemical vapor deposition）酸化膜１０５を形成する。ＣＶＤ酸化膜１０５上に、金属薄膜抵抗体１０１の両端部に対応して開口部をもつ、金属配線接続用の接続孔を形成するためのレジストパターンを形成し、ウェットエッチング技術により、そのレジストパターンをマスクにしてＣＶＤ酸化膜１０５を選択的に除去して接続孔１０７を形成する。レジストパターン除去後、接続孔１０７内を含むＣＶＤ酸化膜１０５上に、ＡｌＳｉＣｕ膜からなる配線用金属膜を形成し、その配線用金属膜をパターニングして金属配線パターン１０９を形成する。
一般的な半導体装置の製造工程では、接続孔１０７の形成にはドライエッチング技術が用いられるが、金属薄膜抵抗体１０１が１０００Åより薄い場合には、接続孔１０７が金属薄膜抵抗体１０１を突き抜けるのを防止するのは困難であり、ウェットエッチング技術により接続孔１０７を形成する必要がある。
図３１を参照して、３）金属薄膜抵抗体層上にバリヤ膜を形成し、そのバリヤ膜に金属配線を接続する方法を説明する。
シリコン基板１上に素子分離酸化膜３、層間絶縁膜５及び金属薄膜抵抗体１０１を形成した後、金属薄膜抵抗体１０１上を含む層間絶縁膜５上に、金属配線とのバリヤ膜となるＴｉＷ等の高融点金属膜を形成し、さらにその上に配線用金属膜を形成し、その配線用金属膜をドライエッチング技術によりパターニングして金属配線パターン１１１を形成する。このとき、配線用金属膜下には上記高融点金属膜が形成されているので、ドライエッチング技術を用いても金属薄膜抵抗体１０１がエッチングされることはない。その後、ウェットエッチング技術により金属配線パターン１１１をマスクにして上記高融点金属膜を選択的に除去して高融点金属膜パターン１１３を形成する。ここで、金属薄膜抵抗体１０１の直上に上記高融点金属膜があるので、ドライエッチング技術による上記高融点金属膜のパターニングは困難である。
また、金属薄膜抵抗体の使用例として、図３２に示すように、複数の帯状の金属薄膜抵抗体１０１を並列に配列し、それらの金属薄膜抵抗体１０１を金属配線パターン１０３により直列に接続して用いることがある。なお、図３２では、図２９を参照して説明した従来例に対応して符号を示しているが、図３０及び図３１を参照して説明した両従来例においても、図３２と同様に、並列に配列した複数の帯状の金属薄膜抵抗体１０１を金属配線パターン１０９又は１１１を介して直列に接続して用いることができる。
また、金属薄膜抵抗体ではないが、最上層配線電極上に絶縁膜を介して形成され、かつその最上層配線電極と結線されている抵抗体を備えた半導体集積回路装置が開示されている（例えば特許文献６参照。）。
図３３を参照して、このような構造を金属薄膜抵抗体に適用した場合について説明する。図３３において、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ位置での断面図である。
素子分離酸化膜３が形成されたシリコン基板１上に層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５上に金属配線パターン１１５を形成した後、金属配線パターン１１５上を含む層間絶縁膜５上全面に下地絶縁膜１３１を形成する。写真製版技術及びドライエッチング技術により、金属配線パターン１１５上の下地絶縁膜１３１に接続孔１１７を形成する。接続孔１１７の形成領域を含んで下地絶縁膜１３１上全面に金属薄膜抵抗体を形成するための金属薄膜を形成し、その金属薄膜を所定の形状にパターニングして金属薄膜抵抗体１０１を形成する。
（Ｂ）に示すように、金属薄膜抵抗体１０１は、その下面が接続孔１１７内で金属配線パターン１１５と電気的に接続されている。
また、（Ａ）に示すように、複数の金属薄膜抵抗体１０１は金属配線パターン１１５を介して直列に接続されている。
また、金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置として、半導体集積回路の絶縁膜上に金属薄膜抵抗を搭載する集積回路であって、金属薄膜抵抗の電極部分における金属薄膜抵抗と金属配線との接触が、金属配線の端部の端面及び上面の少なくとも一部分においてなされるよう構成されたものが開示されている（例えば特許文献７参照。）。
図３４を参照して、金属配線の端部の端面及び上面の少なくとも一部分において金属薄膜抵抗と金属配線との接触をとる方法について説明する。図３４において、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＹ−Ｙ位置での断面図である。
素子分離酸化膜３が形成されたシリコン基板１上に層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５上に金属配線パターン１１５を形成し、金属配線パターン１１５上を含む層間絶縁膜５上全面にプラズマ窒化膜１１９を形成した後、プラズマ窒化膜１１９の一部分を取り除いて金属配線パターン１１５の端面及び上面の一部分を露出させる。その後、金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を蒸着し、その金属薄膜をパターニングして金属薄膜抵抗体１０１を形成する。
（Ｂ）に示すように、金属薄膜抵抗体１０１は、その下面で金属配線パターン１１５の上面及び側面と電気的に接続されている。
また、（Ａ）に示すように、複数の金属薄膜抵抗体１０１は金属配線パターン１１５を介して直列に接続されている。
特開２００２−１２４６３９号公報 特開２００２−２６１２３７号公報 特許第２６９９５５９号公報 特許第２９３２９４０号公報 特許第３１８５６７７号公報 特開昭５８−１４８４４３号公報 特開昭６１−１００９５６号公報
図３３に示したように、金属薄膜抵抗体１０１について接続孔１１７を介して金属薄膜抵抗体１０１の下面で金属配線パターン１１５との電気的接続をとる場合、１本あたりの金属薄膜抵抗体１０１の抵抗値は、接続孔１１７側面を含む接続孔１１７，１１７間の金属薄膜抵抗体１０１の抵抗値と、金属薄膜抵抗体１０１の両端部における金属薄膜抵抗体１０１と金属配線パターン１１５の接触抵抗の合計により算出する。
しかし、図３３に示した構造では、金属配線パターン１１５の側面に起因して金属配線パターン１１５近傍の下地絶縁膜１３１に段差が形成され、その段差が金属薄膜抵抗体１０１の線幅に影響を与え、金属薄膜抵抗体１０１の抵抗値について所望の値が得られないという問題があった。
また、図３４に示すように、金属薄膜抵抗体１０１について金属薄膜抵抗体１０１の下面と金属配線パターン１１５の上面及び側面で金属配線パターン１１５との電気的接続をとる場合、１本あたりの金属薄膜抵抗体１０１の抵抗値は、金属配線パターン１１５，１１５間の金属薄膜抵抗体１０１の抵抗値と、金属薄膜抵抗体１０１の両端部における金属薄膜抵抗体１０１と金属配線パターン１１５の接触抵抗の合計により算出する。
しかし、図３４に示した構造では、金属配線パターン１１５の側面に起因する段差が金属配線パターン１１５近傍の金属薄膜抵抗体１０１の線幅に影響を与え、この構造でも、金属薄膜抵抗体１０１の抵抗値について所望の値が得られないという問題があった。
そこで本発明は、金属薄膜抵抗体を含む集積回路を備えた半導体装置において、金属薄膜抵抗体の下面で配線パターンとの電気的接続をとる場合であっても、金属薄膜抵抗体の抵抗値の精度を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とするものである。
本発明にかかる半導体装置は下地絶縁膜上に金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置であって、第１態様は、上記下地絶縁膜下に形成された下層側絶縁膜と、上記下層側絶縁膜上に形成された配線パターンを備え、上記下地絶縁膜は上記下層側絶縁膜上及び上記配線パターン上に形成され、上記配線パターンに起因する段差をもち、上記配線パターン上の上記下地絶縁膜に接続孔が形成されており、上記金属薄膜抵抗体は少なくとも２本の帯状部と上記帯状部に連続して形成された折返し部をもち、上記帯状部は上記下地絶縁膜の上記段差に起因して線幅に影響が出ない程度に上記配線パターン上の領域とは離間して配置されており、上記折返し部は上記配線パターン上の領域とは離間する領域で少なくとも２本の上記帯状部を連結し、かつ上記配線パターン上の領域を介して上記接続孔内にわたって形成されているものである。
本願特許請求の範囲及び本明細書において、金属薄膜抵抗体の下地膜である下地絶縁膜は単層の絶縁膜であってもよいし、複数層の絶縁膜からなる積層膜であってもよい。
ところで、図３３に示したように、金属配線パターン１１５上の下地絶縁膜１３１に形成された接続孔１１７内に金属薄膜抵抗体１０１の一部分を形成する場合、接続孔１１７の内壁側面、特に接続孔１１７の底部側において金属薄膜抵抗体１０１のステップカバレージ（段差被覆性）が悪くなり、金属薄膜抵抗体１０１と金属配線パターン１１５との接触抵抗が大きくなるとともにばらつくという問題があった。
そこで、上記第１態様において、上記接続孔の少なくとも上端部がテーパー状に形成されており、かつ、成分に少なくとも上記配線パターン及び上記下地絶縁膜の材料ならびにＡｒを含んでいる逆スパッタリング残渣が上記接続孔の内壁に形成されているようにしてもよい。
このような逆スパッタリング残渣及び接続孔上端部のテーパー形状は、上記下地絶縁膜に接続孔を形成した後、Ａｒガスを用いた逆スパッタリング処理（以下Ａｒ逆スパッタリング処理と称す）を施すことにより形成することができる。
また、上記第１態様において、上記配線パターンは、金属材料パターンと、上記金属材料パターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている例を挙げることができる。
また、上記配線パターンは、ポリシリコンパターンと、上記ポリシリコンパターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている例を挙げることができる。
本発明にかかる半導体装置の第２態様は、上記下地絶縁膜は平坦化されており、上記下地絶縁膜上に形成された配線パターンを備え、上記金属薄膜抵抗体は少なくとも２本の帯状部と上記帯状部に連続して形成された折返し部をもち、上記帯状部は上記金属配線パターンに起因して線幅に影響が出ない程度に上記配線パターン上の領域とは離間して配置されており、上記折返し部は上記配線パターンとは離間する領域で少なくとも２本の上記帯状部を連結し、かつ上記配線パターン上にわたって形成されているものである。
ところで、図３４に示したように、金属配線パターン１１５上から下地絶縁膜上に金属薄膜抵抗体を形成する場合、金属薄膜抵抗体１０１の一部分は金属配線パターン１１５の端部の端面及び上面を覆って形成されているが、金属配線パターン１１５の端面という急な段差の影響により、金属薄膜抵抗体１０１のステップカバレージが悪化し、抵抗値の増大及びばらつきや、金属薄膜抵抗体１０１の断線などの不具合が発生する虞があった。
そこで、上記第２態様において、上記配線パターンの上端部はテーパー形状に形成されており、かつ上記配線パターンの上記下地絶縁膜側の側面に逆スパッタリング残渣が形成されているようにしてもよい。
このような逆スパッタリング残渣及び配線パターンの上端部のテーパー形状は、上記下地絶縁膜上に上記配線パターンを形成した後、Ａｒ逆スパッタリング処理を施すことにより形成することができる。
また、上記配線パターンの側面に形成された絶縁性材料からなるサイドウォールをさらに備え、上記折返し部は上記下地絶縁膜上から上記サイドウォール表面を介して上記配線パターン上にわたって形成されているようにしてもよい。
さらに、上記サイドウォールの上記下地絶縁膜側の表面に、成分に少なくとも上記サイドウォールの材料及びＡｒを含んでいる逆スパッタリング残渣が形成されているようにしてもよい。
このような逆スパッタリング残渣は、上記配線パターン及び上記サイドウォールを形成した後、Ａｒ逆スパッタリング処理を施すことにより形成することができる。
また、上記サイドウォールを備えた上記第２態様において、上記配線パターンは、金属材料パターンと、上記金属材料パターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている例を挙げることができる。
また、上記サイドウォールを備えた上記第２態様において、上記配線パターンは、ポリシリコンパターンと、上記ポリシリコンパターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている例を挙げることができる。
また、上記第２態様において、上記折返し部は上記配線パターンと交差して形成されているようにしてもよい。ここで、「折返し部は配線パターンと交差して形成されている」とは、上記サイドウォールを備えていない態様では、折返し部の一部分が配線パターンの一側面側の下地絶縁膜上から配線パターン上を介して、上記一側面とは反対側の下地絶縁膜上にわたって形成されていることを意味し、また、上記サイドウォールを備えている態様では、折返し部の一部分が配線パターンの一側面側のサイドウォール上から、配線パターン上を介して、上記一側面とは反対側のサイドウォール上にわたって形成されていることを意味する。
また、上記第１態様及び上記第２態様において、上記金属薄膜抵抗体の上面を覆う金属窒化膜を備え、上記金属薄膜抵抗体の上面と上記金属窒化膜の間には金属酸化膜は形成されていないようにしてもよい。
さらに、上記金属薄膜抵抗体の膜厚は５〜１０００Å、好ましくは２０〜５００Åである例を挙げることができる。
本発明の半導体装置が適用される半導体装置の一例として、２個以上の抵抗素子による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置を挙げることができる。その分割抵抗回路を構成する抵抗素子は、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体により構成される。
本発明の半導体装置が適用される半導体装置の他の例として、入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置を挙げることができる。その電圧検出回路を構成する分割抵抗回路は、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された抵抗素子を備えている。
本発明の半導体装置が適用される半導体装置のさらに他の例として、入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて上記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置を挙げることができる。その定電圧発生回路を構成する分割抵抗回路は、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された抵抗素子を備えている。
本発明の半導体装置の第１態様では、下地絶縁膜上に金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置において、下地絶縁膜下に形成された下層側絶縁膜と、下層側絶縁膜上に形成された配線パターンを備え、下地絶縁膜は下層側絶縁膜上及び配線パターン上に形成され、配線パターン上の下地絶縁膜に接続孔が形成されており、金属薄膜抵抗体は少なくとも２本の帯状部と帯状部に連続して形成された折返し部をもち、帯状部は配線パターン上の領域とは離間して配置されており、折返し部は配線パターン上の領域とは離間する領域で少なくとも２本の帯状部を連結し、かつ配線パターン上の領域を介して接続孔内にわたって形成されているようにしたので、金属薄膜抵抗体の帯状部について配線パターン上の領域とは離間して配置することにより、配線パターンに起因する下地絶縁膜の段差によって帯状部の線幅が変化するのを防止することができ、金属薄膜抵抗体の抵抗値の精度を向上させることができる。
さらに、接続孔の少なくとも上端部がテーパー状に形成されており、かつ、成分に少なくとも配線パターン及び下地絶縁膜の材料ならびにＡｒを含んでいる逆スパッタリング残渣が接続孔の内壁に形成されているようにすれば、逆スパッタリング残渣の存在によって接続孔内での金属薄膜抵抗体のステップカバレージを向上させることができ、金属薄膜抵抗体の配線パターンとの接触抵抗の安定化を実現することができる。さらに、接続孔の少なくとも上端部に形成されたテーパー状により、金属薄膜抵抗体用の金属薄膜形成時において接続孔の上端部近傍に堆積された金属薄膜のオーバーハングを防止して接続孔内への金属薄膜の堆積に及ぼす影響を低減することができ、金属薄膜のステップカバレージ、ひいては金属薄膜抵抗体のステップカバレージを向上させることができる。
また、従来、金属薄膜抵抗体は下地膜の組成や下地膜形成からの経過時間等に起因して抵抗値が変動するなど、下地膜の影響を受けてしまうという問題があった。上述のように、この態様における逆スパッタリング残渣及接続孔上端部のテーパー形状は、下地絶縁膜に接続孔を形成した後にＡｒ逆スパッタリング処理を行なうことにより形成することができるが、金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成する前に下地絶縁膜に対してＡｒ逆スパッタリング処理が施されていることにより、金属薄膜抵抗体のシート抵抗の下地膜依存性の軽減及び経時変化の低減を図ることができるという効果もある。
金属薄膜抵抗体の下地膜にＡｒ逆スパッタリング処理を施すことにより得られる効果については後述にて詳細に説明する。
上記第１態様において、配線パターンは、金属材料パターンと、金属材料パターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されているようにすれば、金属薄膜抵抗体と金属材料パターンの間に高融点金属膜を介在させることができるので、金属薄膜抵抗体と金属配線パターンの接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。さらに、一般に金属薄膜抵抗体と金属材料が直接接触している構造では３００〜４００℃程度の比較的低温の熱処理により接触抵抗が大きく変動してしまうが、このような不具合をなくすことができる。
上記第１態様において、配線パターンは、ポリシリコンパターンと、ポリシリコンパターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されているようにすれば、金属薄膜抵抗体と配線パターンを構成するポリシリコンパターンの間に高融点金属膜を介在させることができ、金属薄膜抵抗体と配線パターンの接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。
本発明の半導体装置の第２態様では、下地絶縁膜上に金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置において、下地絶縁膜下に形成された配線パターンを備え、金属薄膜抵抗体は少なくとも２本の帯状部と帯状部に連続して形成された折返し部をもち、帯状部は配線パターン上の領域とは離間して配置されており、折返し部は配線パターンとは離間する領域で少なくとも２本の帯状部を連結し、かつ配線パターン上にわたって形成されているようにしたので、金属薄膜抵抗体の帯状部について配線パターンとは離間して配置することにより、配線パターンの側面に起因する段差によって帯状部の線幅が変化するのを防止することができ、金属薄膜抵抗体の抵抗値の精度を向上させることができる。
さらに、配線パターンの上端部はテーパー形状に形成されており、かつ配線パターンの下地絶縁膜側の側面に逆スパッタリング残渣が形成されているようにすれば、逆スパッタリング残渣の存在によって配線パターンの下地絶縁膜側の側面近傍での金属薄膜抵抗体のステップカバレージを向上させることができ、金属薄膜抵抗体の配線パターンとの接触抵抗の安定化を実現することができる。さらに、配線パターンの上端部に形成されたテーパー状により、金属薄膜抵抗体用の金属薄膜形成時において配線パターンの上端部近傍に堆積された金属薄膜のオーバーハングを防止して配線パターン近傍での金属薄膜の堆積に及ぼす影響を低減することができ、金属薄膜のステップカバレージ、ひいては金属薄膜抵抗体のステップカバレージを向上させることができる。
この態様における逆スパッタリング残渣及配線パターンの上端部のテーパー形状は、上述のように、下地絶縁膜及び配線パターンを形成した後にＡｒ逆スパッタリング処理を行なうことにより形成することができるが、金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成する前に下地絶縁膜に対してＡｒ逆スパッタリング処理が施されていることにより、金属薄膜抵抗体のシート抵抗の下地膜依存性の軽減及び経時変化の低減を図ることができるという効果もある。
金属薄膜抵抗体の下地膜にＡｒ逆スパッタリング処理を施すことにより得られる効果については後述にて詳細に説明する。
上記第２態様において、配線パターンの側面に形成された絶縁性材料からなるサイドウォールをさらに備え、折返し部は下地絶縁膜上からサイドウォール表面を介して配線パターン上にわたって形成されているようにすれば、配線パターン側面に起因する急峻な段差による金属薄膜抵抗体のステップカバレージの悪化を防止することができ、金属薄膜抵抗体の抵抗値の安定化を実現することができる。
さらに、金属薄膜抵抗体は下地絶縁膜上からサイドウォール表面を介して配線パターン上にわたって形成されているので、配線パターン上に形成された接続孔を介して金属薄膜抵抗体と配線パターンの電気的接続を形成する場合に比べて上記接続孔を形成する一連の工程を行なわなくてよいので、工程の短縮及び簡素化を実現でき、かつ上記接続孔を有するがゆえの金属薄膜抵抗体のステップカバレージの悪化による金属薄膜抵抗体の抵抗値変動及び電極との接触抵抗の増大もない。
さらに、上記サイドウォールの上記下地絶縁膜側の表面に、成分に少なくとも上記サイドウォールの材料及びＡｒを含んでいる逆スパッタリング残渣が形成されているようにすれば、この逆スパッタリング残渣は配線パターン及びサイドウォールを形成した後に下地絶縁膜に対してＡｒ逆スパッタリング処理を施すことにより形成することができるが、金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成する前に下地絶縁膜に対してＡｒ逆スパッタリング処理が施されていることにより、金属薄膜抵抗体のシート抵抗の下地膜依存性の軽減及び経時変化の低減を図ることができる。金属薄膜抵抗体の下地膜にＡｒ逆スパッタリング処理を施すことにより得られる効果については後述にて詳細に説明する。
上記第２態様において、金属薄膜抵抗体は配線パターンと交差して形成されているようにすれば、配線パターンと金属薄膜抵抗体の重ね合わせズレや金属薄膜抵抗体の端部の丸まりによる、金属薄膜抵抗体と配線パターンの接触領域の変動をなくすことができ、安定した接触抵抗を得ることができる。
上記サイドウォールを備えた上記第２態様において、配線パターンは、金属材料パターンと、金属材料パターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されているようにすれば、金属薄膜抵抗体と金属材料パターンの間に高融点金属膜を介在させることができるので、金属薄膜抵抗体と金属配線パターンの接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。さらに、一般に金属薄膜抵抗体と金属材料が直接接触している構造では３００〜４００℃程度の比較的低温の熱処理により接触抵抗が大きく変動してしまうが、このような不具合をなくすことができる。
上記サイドウォールを備えた上記第２態様において、配線パターンは、ポリシリコンパターンと、ポリシリコンパターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されているようにすれば、金属薄膜抵抗体と配線パターンを構成するポリシリコンパターンの間に高融点金属膜を介在させることができ、金属薄膜抵抗体と配線パターンの接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。
上記第１態様及び上記第２態様において、金属薄膜抵抗体の上面を覆う金属窒化膜を備え、金属薄膜抵抗体の上面と金属窒化膜の間には金属酸化膜は形成されていないようにすれば、金属薄膜抵抗体の上面の酸化をなくすことができ、金属薄膜抵抗体の抵抗値の安定化及び精度の向上を図ることができる。
２個以上の抵抗素子による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置において、分割抵抗回路を構成する抵抗素子は、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体を備えているようにすれば、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体によって抵抗素子の安定化を図ることができ、分割抵抗回路の出力電圧の精度の向上を図ることができる。
入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、分割抵抗回路として本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された分割抵抗回路を備えているようにすれば、本発明が適用された分割抵抗回路では出力電圧の精度の向上を図ることができるので、電圧検出回路の電圧検出能力の精度の向上を図ることができる。
入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて上記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において、分割抵抗回路として本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された分割抵抗回路を備えているようにすれば、本発明が適用された分割抵抗回路では出力電圧の精度の向上を図ることができるので、定電圧発生回路の出力電圧の安定化を図ることができる。
図１は第１態様の一実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１（Ａ）での下地絶縁膜及びパッシベーション膜の図示は省略している。以下に説明する実施例では同一基板上にトランジスタ素子や容量素子などが形成されているが、図ではそれらの素子の図示は省略する。
シリコン基板１上に素子分離酸化膜３が形成されている。素子分離酸化膜３の形成領域を含んでシリコン基板１上にＢＰＳＧ（Borophospho silicate glass）膜又はＰＳＧ（phospho silicate glass）膜からなる層間絶縁膜（下層側絶縁膜）５が形成されている。層間絶縁膜５上に、金属材料パターン７と金属材料パターン７表面に形成された高融点金属膜９からなる金属配線パターン１１が形成されている。金属材料パターン７は例えばＡｌＳｉＣｕ膜により形成されている。高融点金属膜９は例えばＴｉＮ膜により形成されており、反射防止膜兼バリヤ膜として機能するものである。
金属配線パターン１１の形成領域を含んで層間絶縁膜５上に、例えば、下層側から順にプラズマＣＶＤ酸化膜からなる下地絶縁膜１５（図１では一体的に図示している。）が形成されている。下地絶縁膜１５には金属配線パターン１１に起因して段差が形成されている。
下地絶縁膜１５に、金属薄膜抵抗体の折返し部及び端部ならびに金属配線パターン１１に対応して接続孔１７が形成されている。
（Ｃ）に示すように、接続孔１７の底面は高融点金属膜９の表面側の一部が除去されて形成されており、接続孔１７の上端部はテーパー形状に形成されている。また、接続孔１７の内壁には逆スパッタリング残渣１９が形成されている。接続孔１７の上端部のテーパー形状及び逆スパッタリング残渣１９について図１での図示は省略している。接続孔１７の上端部のテーパー形状及び逆スパッタリング残渣１９は、接続孔１７が形成された下地絶縁膜１５に対してＡｒ逆スパッタリング処理が施されて形成されたものである。したがって、逆スパッタリング残渣１９は成分に高融点金属膜９及び下地絶縁膜１５の材料ならびにＡｒを含んでおり、ここではＴｉ、Ｎ、Ｓｉ、Ｏ、Ａｒを含んでいる。
接続孔１７の形成領域を含んで下地絶縁膜１５上にＣｒＳｉ薄膜抵抗体（金属薄膜抵抗体）２１がクランク状に形成されている。ここでは、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１は４本の帯状部２１ａ、３つの折返し部２１ｂ及び２つの端部２１ｃを備えている。各帯状部２１ａの両端には折返し部２１ｂ又は端部２１ｃのいずれかが連続して形成されている。折返し部２１ｂには２本の帯状部２１ａが連続して形成されている。端部２１には１本の帯状部２１ａが連続して形成されている。
帯状部２１ａは、金属配線パターン１１の存在による下地絶縁膜１５の段差に起因して帯状部２１ａの線幅に影響が出ない程度に金属配線パターン１１上の領域とは離間する領域に配置されている。折返し部２１ｂ及び端部２１ｃは、帯状部２１ａの端部から下地絶縁膜１５の段差部及び金属配線パターン１１上の領域を介して接続孔１７内にわたって形成されており、接続孔１７内で金属配線パターン１１と電気的に接続されている。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の形成領域を含んで下地絶縁膜１５上に、下層側が酸化シリコン膜、上層側が窒化シリコン膜からなる、最終保護膜としてのパッシベーション膜２３（図１では一体的に図示している。）が形成されている。
この実施例では、帯状部２１ａは、金属配線パターン１１の存在による下地絶縁膜１５の段差に起因して帯状部２１ａの線幅に影響が出ない程度に金属配線パターン１１上の領域とは離間する領域に配置されているので、金属配線パターン１１に起因する下地絶縁膜１５の段差によって帯状部２１ａの線幅が変化するのを防止することができ、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値の精度を向上させることができる。
また、端部２１ｃにおける、金属配線パターン１１との接触抵抗を含む帯状部２１ａ、金属配線パターン１１間の抵抗値は、折返し部２１ｃにおける、金属配線パターン１１との接触抵抗を含む帯状部２１ａ、金属配線パターン１１間の抵抗値Ｒcrankと同じになるように設計されている。
したがって、帯状部２１ａの線幅をＷ、長さをＬ、抵抗率をＲCrSiとすると、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値Ｒは式（１）を用いて算出することができる。
Figure 0004446771
そして、設計者は式（１）を用いてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値の計算を行なうことにより、正確かつ容易に所望の抵抗値のレイアウトが可能になる。
なお、式（１）において、帯状部の本数は任意の整数であり、この実施例では４本である。
また、この実施例では、（Ｂ）に示すように、接続孔１７の内壁に逆スパッタリング残渣１９が形成されているので、接続孔１７内でのＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１のステップカバレージが向上されている。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の金属配線パターン１１との接触抵抗の安定化を実現することができる。
さらに、接続孔１７の上端部がテーパー状に形成されているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を形成するためのＣｒＳｉ薄膜形成時において接続孔１７の上端部近傍に堆積されたＣｒＳｉ薄膜のオーバーハングを防止して接続孔１７内へのＣｒＳｉ薄膜の堆積に及ぼす影響を低減することができ、ＣｒＳｉ薄膜のステップカバレージ、ひいてはＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１のステップカバレージを向上させることができる。
ところで、金属薄膜抵抗体の電気的接続をとる方法に関して、図２９を参照して説明した上記１）の方法では、上述のように、金属薄膜抵抗体１０１上に直接金属配線パターン１０３を形成しているが、金属配線パターン１０３用の金属膜のパターニングをドライエッチング技術によっては行なうことができず、微細パターンの形成が困難であり、回路の高集積化の妨げになるという問題があった。
また、金属薄膜抵抗体１０１は一般的に酸化されやすく、金属薄膜抵抗体１０１の表面が酸化された状態で金属配線パターン１０３用の金属膜を形成しても、金属薄膜抵抗体１０１と金属配線パターン１０３の良好な電気的接続を得ることができないという問題があった。一般的な半導体装置の製造工程では、シリコン基板表面等の自然酸化膜をフッ酸水溶液で除去することにより金属配線との良好な電気的接続を得ることができるが、金属薄膜抵抗体１０１はフッ酸に少なからずエッチングされてしまうため、金属配線パターン１０３用の金属膜を形成する前にフッ酸による酸化膜除去処理を行なうと金属薄膜抵抗体１０１の抵抗値のバラツキを招く虞があった。
また、図３０を参照して説明した上記２）の方法では、金属薄膜抵抗体１０１の上に層間絶縁膜８５を形成することにより、金属配線パターン１０９用の金属膜のパターニングをドライエッチング技術により行なうことができる。
しかし、金属薄膜抵抗体１０１と金属配線パターン１０９を電気的に接続するための接続孔１０７の形成については、上述のように、ウェットエッチング技術により開口する必要があり、微細化による高集積化の妨げとなる。さらに、接続孔１０７を形成するためのウェットエッチング処理においてフッ酸水溶液を使用するが、フッ酸により金属薄膜抵抗体１０１がエッチングされてしまうのを防止するには、金属薄膜抵抗体１０１上にバリヤ膜を形成及びパターニングする工程を新規に追加する等の対策が必要であり、工程数が増加するという問題があった。
また、図３１を参照して説明した上記３）の方法では、金属配線パターン１１１用金属膜のエッチング処理をドライエッチング技術によって行なうことができ、さらに接続孔の形成も不要である。しかし、上述のように、金属薄膜抵抗体１０１の長さを実質的に決定する高融点金属膜パターン１１３を形成するための高融点金属膜のパターニングをウェットエッチング技術により行なう必要があるので、高融点金属膜パターン１１３は希望するエッチング領域よりも広くエッチングされてしまい、金属薄膜抵抗体１０１の実質的な長さがばらつき、結果的に抵抗値のバラツキを大きくしてしまうとともに、微細化が困難になるという問題があった。
さらに、高融点金属膜パターン１１３用の高融点金属膜の形成時には金属薄膜抵抗体１０１の表面は酸化されており、高融点金属膜パターン１１３との電気的接続を良好なものとするためには、フッ酸水溶液による金属薄膜抵抗体１０１表面の酸化膜除去が必要となるが、高融点金属膜パターン１１３を形成する前にフッ酸による酸化膜除去処理を行なうと金属薄膜抵抗体１０１の抵抗値がばらつく原因となる虞があった。
このように、図２９から図３１を参照して説明した上記方法１）から３）では、金属薄膜抵抗体の膜厚が薄いことに起因して、いずれかの工程でウェットエッチング処理が必要であり、微細化の妨げとなったり、抵抗値のバラツキを発生させる原因となったりしていた。
さらに、金属薄膜抵抗体が酸化されやすく、金属配線との良好な電気的接続を形成することが困難なので、金属薄膜抵抗体専用のバリヤ膜形成工程の追加や、フッ酸水溶液による表面酸化膜除去処理が必要であり、工程数が増加したり、抵抗値のバラツキを生む原因となったりしていた。
本発明の半導体装置はこのような不具合を解消することもできる。以下に、上記実施例の製造方法の例を説明しながらこの効果について説明する。
図２は、図１を参照して説明した実施例を製造するための製造方法の一例を説明するための、金属薄膜抵抗体の形成領域を示す工程断面図である。図３はその製造方法においてＡｒ逆スパッタリング処理を施した後の接続孔近傍の状態を拡大して示す断面図である。図２では接続孔の内壁に形成されるサイドウォール及び接続孔の上端部のテーパー形状の図示を省略している。図１から図３を参照して、この製造方法の例を説明する。
（１）例えば常圧ＣＶＤ装置を用いて、素子分離酸化膜３及びトランジスタ素子等（図示は省略）の形成が完了したウェハ状のシリコン基板１上に、ＢＰＳＧ膜又はＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜５を約８０００Åの膜厚に形成する。その後、リフロー等の熱処理を行なって層間絶縁膜５の表面を平坦化する。
例えばＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、層間絶縁膜５上に、ＡｌＳｉＣｕ膜からなる配線用金属膜を約５０００Åの膜厚に形成し、さらにその上に、公知の技術である反射防止膜としての高融点金属膜、ここではＴｉＮ膜を約８００Åの膜厚に、真空中で連続的に形成する。ここで、高融点金属膜は、最終的には後工程で配線用金属膜から形成される金属材料パターンと、金属薄膜抵抗体との接触抵抗を安定させるためのバリヤ膜としても機能するため、配線用金属膜と高融点金属膜を真空中で連続して形成することが好ましい。
公知の写真製版技術及びエッチング技術により、高融点金属膜及び配線用金属膜をパターニングして、金属配線パターン７及び高融点金属膜９からなる金属配線パターン１１を形成する（図２（ａ）参照）。この時、配線用金属膜上に、反射防止膜として機能する高融点金属膜が形成されているので、金属配線パターン１１の形成領域を画定するためのレジストパターンの太りや細りなどを最小限に抑えることができる。
また、この段階では金属薄膜抵抗体は形成されておらず、金属配線パターン１１の下地膜は層間絶縁膜５により形成されているので、金属配線パターン１１のパターニングをドライエッチング技術により十分なオーバーエッチングをもって行なうことが可能であり、従来技術の問題点となっていたウェットエッチング技術によるパターニングを適用する必要性は全く無く、回路の微細化に影響を与えることはない。
（２）例えばプラズマＣＶＤ法により、金属配線パターン１１の形成領域を含んで層間絶縁膜５上にプラズマＣＶＤ酸化膜を６０００Å程度の膜厚に形成して下地絶縁膜１５を形成する。下地絶縁膜１５には金属配線パターン１１に起因して段差が形成されている。（図２（ｂ）参照）。
（３）公知の写真製版技術により、金属薄膜抵抗体の折返し部の形成予定領域及び金属配線パターン１１に対応して下地絶縁膜１５に接続孔を形成するためのレジストパターンを形成する。
例えば並行平板型プラズマエッチング装置により、ＲＦパワー：７００Ｗ（ワット）、Ａｒ：５００ｓｃｃｍ（standard cc／分）、ＣＨＦ3：５００ｓｃｃｍ、ＣＦ4：５００ｓｃｃｍ、圧力：３.５Ｔｏｒｒ（トル）の条件で、レジストパターンをマスクにして下地絶縁膜１５を選択的に除去して、下地絶縁膜１５に接続孔１７を形成する。接続孔１７の底部には、反射防止膜兼バリヤ膜としての高融点金属膜９が約６００Åの膜厚で残存している。
その後、レジストパターンを除去する（図２（ｃ）参照）。
ここで、接続孔１７の形成後に、接続孔１７の側壁等に付着しているエッチング時の副生成物除去工程を行なってもよい。また、接続孔１７内部での金属薄膜抵抗体のステップカバレージを改善する目的で、エッチング条件の変更によるテーパーエッチングや、ウェットエッチング技術とドライエッチング技術を組み合わせたエッチング処理等により、接続孔１７の形状の改善を行なってもよい。
また、上記工程（３）において、プラズマエッチング条件を最適化することにより、下地絶縁膜１５のエッチングレートに対する高融点金属膜９のエッチングレートをさらに低く抑えることは十分可能であり、接続孔１７の底部に残る高融点金属膜９の膜厚をこの製造方法例よりも大きくすることもできる。さらに、高融点金属膜９の形成時点での膜厚を低く抑えつつ、接続孔１７形成後の高融点金属膜９の残存膜厚を確保するもできる。このように、接続孔１７を形成する上記工程（３）を金属薄膜抵抗体が形成されていない段階で行なうので、金属薄膜抵抗体の薄さに起因した制約を一切受けること無く接続孔１７の加工が可能であり、ドライエッチング技術の適用による微細化の追求が十分に可能である。
（４）例えばマルチチャンバースパッタリング装置のＡｒスパッタエッチングチャンバーにて、真空中で、ＤＣバイアス：１２５０Ｖ、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ（ミリトル）、処理時間：２０秒の条件で、接続孔１７内を含む下地絶縁膜１５の表面に対してＡｒ逆スパッタリング処理を行なう。このエッチング条件は、１０００℃、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜を約５０Åだけエッチングする条件と同等である。この処理を行なった後の接続孔１７底部に残存する高融点金属膜９の膜厚は５００Å程度であった。
続けて、Ａｒ逆スパッタリング処理完了後に真空状態を破らずに連続して金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜（金属薄膜）２７を形成する。ここでは、半導体ウェハをＡｒスパッタエッチングチャンバーからＣｒＳｉターゲットが装着されたスパッタチャンバーに移送した後、Ｓｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％（重量パーセント）のＣｒＳｉターゲットを使用し、ＤＣパワー：０.７ＫＷ（キロワット）、Ａｒ：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：９秒の条件で処理を行ない、接続孔１７内を含む下地絶縁膜１５上全面にＣｒＳｉ薄膜２７を約５０Åの膜厚に形成した（図２（ｄ）参照）。
このように、金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜２７を形成する前に、接続孔１７内を含む下地絶縁膜１５に対してＡｒ逆スパッタリング処理を行なうことにより、図３に示すように、接続孔１７の内壁に、高融点金属膜９及び下地絶縁膜１５の材料ならびにＡｒを含む材料からなる逆スパッタリング残渣１９を形成することができるとともに、接続孔１７の上端部をテーパー形状に形成することができる。そして、逆スパッタリング残渣１９の存在によって接続孔１７内でのＣｒＳｉ薄膜２７のステップカバレージを向上させることができ、さらに、接続孔１７の上端部に形成されたテーパー状により、ＣｒＳｉ薄膜２７の形成時において接続孔１７の上端部近傍に堆積されたＣｒＳｉ薄膜２７のオーバーハングを防止して接続孔１７内へのＣｒＳｉ薄膜２７の堆積に及ぼす影響を低減することができ、ＣｒＳｉ薄膜２７のステップカバレージを向上させることができる。
さらに、上記Ａｒ逆スパッタリング処理を行なうことにより、接続孔１７底部の高融点金属膜９表面に形成されている極少量の自然酸化膜を除去することができ、金属配線パターン１１とＣｒＳｉ薄膜２７との良好な電気的接続を形成することができる。
さらに、上記Ａｒ逆スパッタリング処理を行なうことにより、後工程でＣｒＳｉ薄膜２７から形成されるＣｒＳｉ薄膜抵抗体の下地膜依存性を改善できる。この効果については後述する。
（５）写真製版技術により、ＣｒＳｉ薄膜２７上に金属薄膜抵抗体の形成領域を画定するためのレジストパターンを形成する。そのレジストパターンにおいて、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の帯状部２１ａ（図１参照。）に対応するパターンは、金属配線パターン１１の存在による下地絶縁膜１５の段差に起因して帯状部２１ａの線幅に影響が出ない程度に金属配線パターン１１上の領域とは離間する領域に形成され、金属配線パターン１１に起因する下地絶縁膜１５の段差によって帯状部２１ａの線幅が変化するのを防止する。
例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置を用い、上記レジストパターンをマスクにしてＣｒＳｉ薄膜２７をパターニングし、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を形成し、その後、レジストパターンを除去する。ここで、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１は接続孔１７内で金属配線パターン１１と電気的に接続されているので、従来技術のようには金属薄膜抵抗体上面で電気的接続をとるためにフッ酸水溶液によるＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の表面の金属酸化膜除去処理を行なう必要はない。
例えばプラズマＣＶＤ法により、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の形成領域を含んで下地絶縁膜１５上に、パッシベーション膜２３としての酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を順次形成する（図１参照）。以上により、半導体装置の製造工程が完了する。
このように、図１を参照して説明した実施例によれば、金属配線パターン１１及び接続孔１７を形成した後、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を形成して接続孔１７内でＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１と金属配線パターン１１の電気的接続を形成することができるので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１をパターニングした後にウェットエッチング技術によるパターニングを行なう必要はない。
さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の金属配線パターン１１との接触面が大気に暴露されることはないので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１に対する表面酸化膜除去処理及びエッチング防止用バリヤ膜形成を行なわなくても、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１と金属配線パターン１１の良好な電気的接続を安定して得ることができる。
これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の膜厚に関わらず、工程数を増加させることなく、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の微細化及び抵抗値の安定化を実現することができる。
さらに、金属薄膜抵抗体を形成した後にウェットエッチング技術によるパターニングを行なう必要はなく、さらに、金属薄膜抵抗体の配線パターンとの接触面が大気に暴露されることはなく、金属薄膜抵抗体に対する表面酸化膜除去処理及びエッチング防止用バリヤ膜形成を行なわなくても、金属薄膜抵抗体と配線パターンの良好な電気的接続を安定して得ることができるので、金属薄膜抵抗体の膜厚が５〜１０００Å、好ましくは２０〜５００Åである金属薄膜抵抗体をもつ半導体装置に本発明を適用しても、工程数を増加させることなく、金属薄膜抵抗体の微細化及び抵抗値の安定化を実現することができる。
特に、上記逆スパッタリング残渣を備えている態様によれば、後述するように金属薄膜抵抗体のシート抵抗の下地膜依存性の軽減を図ることができるので、上記のような膜厚の金属薄膜抵抗体をもつ半導体装置に適用しても、金属薄膜抵抗体の抵抗値の安定化を実現することができる。
さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１と金属材料パターン７の間にバリヤ膜として機能する高融点金属膜９を介在させているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１と金属配線パターン１１の接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。
さらに、高融点金属膜９はバリヤ膜兼反射防止膜としても機能しており、従来技術に比べて製造工程を増加させることなく高融点金属膜９を形成することができるので、製造コストの増大を防止しつつ、金属薄膜抵抗体と金属配線パターンの接触抵抗を安定させることができる。
図４及び図５を参照して、上記実施例と同様の構成で形成した金属薄膜抵抗体の特性について調べた結果を示す。
図４は、金属薄膜抵抗体のシート抵抗と膜厚との関係を示し、縦軸はシート抵抗（Ω／□）、横軸はＣｒＳｉ膜厚（Å）を示す。
図５は、金属薄膜抵抗体のシート抵抗のウェハ面内の６３箇所での測定結果の標準偏差（σ）を平均値（ＡＶＥ）で割った値（σ／ＡＶＥ）とＣｒＳｉ膜厚との関係を示し、縦軸はσ／ＡＶＥ（％）、横軸はＣｒＳｉ膜厚（Å）を示す。
金属薄膜抵抗体の形成条件は次の通りである。
マルチチャンバースパッタリング装置を用いて、ＤＣパワー：０.７ＫＷ、Ａｒ：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、ターゲット：Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％及び８０／２０ｗｔ％の２種について、体積時間を調整することにより、ＣｒＳｉ薄膜を２５〜５００Åの膜厚にサンプルを作成した。なお、Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％のサンプルについては膜厚が５００Åのものは作成していない。
また、ＣｒＳｉ薄膜形成前のＡｒ逆スパッタリング処理は、上記マルチチャンバースパッタリング装置を用いて、ＤＣバイアス：１２５０Ｖ、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：１６０秒の条件で行なった。これは、１０００℃、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜を４００Åだけエッチング除去するのに相当する処理である。
また、本サンプルでは、金属薄膜抵抗体に接続する下層の金属配線として、膜厚が５０００ÅのＡｌＳｉＣｕ膜を用い、ＡｌＳｉＣｕ膜とＣｒＳｉ薄膜間の接続孔底部にはＡｌＳｉＣｕ膜上のＴｉＮ膜が形成されていない構造を採用した。
シート抵抗の測定は、幅が０.５μｍ（マイクロメートル）、長さが５０μｍの帯状パターンを０.５μｍ間隔で２０本配置したうちの１本の金属薄膜抵抗体の両端に１Ｖの電圧を印加して電流値を測定する２端子法にて行なった。
また、金属配線とＣｒＳｉ薄膜抵抗体とをつなぐ接続孔の平面寸法は０.６μｍ×０.６μｍであった。
図４に示すように、ターゲット（Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％とＳｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％）の組成に関わらず、２００Å以上の膜厚から２５Åという極めて薄い膜厚まで、膜厚とシート抵抗の線形性が維持されており、従来技術では形成できないような微細な寸法の金属薄膜抵抗体を薄い膜厚に形成できることが分かる。
また、ウェハ面内６３箇所におけるシート抵抗のバラツキを示す図５を見ても、ターゲット（Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％とＳｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％）の両方とも、抵抗値のバラツキは膜厚の影響をほとんど受けておらず、抵抗値のバラツキも非常に小さく安定していることが分かる。このことから、接続孔内へのサイドウォールの形成方法としてＡｒ逆スパッタリング処理を採用すれば、極めて微細な金属薄膜抵抗体パターンを金属薄膜抵抗体の膜厚に関係なく安定して形成できる。
図６は、金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成する前にＡｒ逆スパッタリング処理を行なった場合及び行なわなかった場合のＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗と金属薄膜抵抗体の下地膜を形成してから経過した時間との関係を示す図であり、（Ａ）は行なった場合、（Ｂ）は行なわなかった場合を示す。図６において、縦軸はシート抵抗（Ω／□）、横軸は下地膜形成後経過時間（時間）を示す。
図６のサンプルとして、下地膜としてプラズマＣＶＤ法によって２０００Åの膜厚に形成したプラズマＳｉＮ膜とプラズマＮＳＧ（non-doped silicate glass）膜の２つのシリコンウェハを準備し、これらのシリコンウェハに形成したＣｒＳｉ薄膜抵抗体を用い、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗を４端子法によって測定した。
下地膜のプラズマＳｉＮ膜は、並行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、温度：３６０℃、圧力：５.５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：２００Ｗ、ＳｉＨ4：７０ｓｃｃｍ、Ｎ2：３５００ｓｃｃｍ、ＮＨ3：４０ｓｃｃｍの条件で形成した。
プラズマＮＳＧ膜は、並行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、温度：４００℃、圧力：３.０Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：２５０Ｗ、ＳｉＨ4：１６ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：１０００ｓｃｃｍの条件で形成した。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体は、マルチチャンバースパッタリング装置を用いて、Ｓｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％のターゲット、ＤＣパワー：０.７ＫＷ、Ａｒ：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、体積時間：１３秒の条件で処理を行なうことで、１００Åの膜厚に形成した。
Ａｒ逆スパッタリング処理を行なったサンプルには、上記マルチチャンバースパッタリング装置を用いて、ＤＣバイアス：１２５０Ｖ、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：８０秒の条件で行なった。これは、１０００℃、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜を２００Åだけエッチング除去するのに相当する処理である。
（Ｂ）に示すように、ＣｒＳｉ薄膜の形成前にＡｒ逆スパッタリング処理を行なっていない場合、下地膜の違い（ＳｉＮ膜上とＮＳＧ膜上）によりシート抵抗が大きく異なっているのが分かる。さらに、下地膜を形成してからＣｒＳｉ薄膜抵抗体を形成するまでに経過した時間の影響を大きく受けているのが分かる。
これに対し、（Ａ）に示すように、Ａｒ逆スパッタリング処理を行なった場合、下地膜の種類及び経過時間ともに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗にほとんど影響を与えていないのが分かる。
このことから、Ａｒ逆スパッタリング処理を行なった後、真空中で連続して金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成することにより、前工程からの経過時間や製品毎に異なる下地膜の違い等によって発生する抵抗値のバラツキを大幅に改善できることが分かる。
図７は、Ａｒ逆スパッタリング処理の量とシート抵抗の関係を示す図である。縦軸はシート抵抗（Ω／□）、横軸はエッチング量（熱酸化膜エッチング量換算）（Å）を示す。図７のサンプルについて、下地膜及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体は図６のサンプル形成と同じ条件で形成したプラズマＮＳＧ膜及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体を用いた。なお、成膜から１週間経過したプラズマＮＳＧ膜に対してＡｒ逆スパッタリング処理を行なった後、そのプラズマＮＳＧ膜上にＣｒＳｉ薄膜抵抗体を形成した。Ａｒ逆スパッタリング処理の条件は、エッチング量以外は図６のサンプルと同じ条件で行なった。そして、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜エッチング量換算で０Å（Ａｒ逆スパッタリング処理無し）、２５Å、５０Å、１００Å、２００Å、４００Å、１０００Åとなるように調整した。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗を４端子法によって測定した。
図７の結果から、Ａｒ逆スパッタリング処理は、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜エッチング量換算で２５Å以上の膜厚分だけ行なえば、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体の抵抗値安定化の効果が得られることが分かった。なお、図７ではＡｒ逆スパッタリング処理条件について熱酸化膜エッチング量換算で１０００Åの膜厚分だけエッチングしたものまでしかサンプルを製作していないが、熱酸化膜エッチング量換算で１０００Åよりも大きい膜厚分だけエッチングした場合であっても、金属薄膜抵抗体の形成領域に下地膜が残存しているのであれば、上記Ａｒ逆スパッタリング処理の効果が得られるものと予想できる。
さらに、Ａｒ逆スパッタリング処理の効果は下地の影響のみならず、ＣｒＳｉ薄膜の抵抗値そのものの安定性にも影響を与えることが分かった。
図８は、ＣｒＳｉ薄膜を形成した後に、温度２５℃、湿度４５％の大気中に放置した時間と、形成直後のシート抵抗（Ｒ０）からのシート抵抗の変化率（ΔＲ／Ｒ０）の関係を示す図であり、縦軸はΔＲ／Ｒ０（％）、横軸は放置時間（時間）を示す。
図８のサンプルについて、下地膜及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体は図６のサンプル形成と同じ条件で形成したプラズマＮＳＧ膜及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体を用いた。
Ａｒ逆スパッタリング処理については、処理を行なわないもの（Ａｒエッチ無）、処理時間４０秒で熱酸化膜換算：１００Åのもの（Ａｒエッチ：１００Å）、処理時間８０秒で熱酸化膜換算：２００Åのもの（Ａｒエッチ：２００Å）の３種を準備した。
Ａｒ逆スパッタリング処理を行なっていないサンプル（Ａｒエッチ無）では、形成後から時間が経過するとともに抵抗値が上昇し、３００時間以上放置した場合、３％以上も抵抗値が変動しているのが分かる。
これに対し、Ａｒ逆スパッタリング処理を行なったサンプル（Ａｒエッチ：１００Å、及びＡｒエッチ：２００Å）では、抵抗値の変化率は大幅に減少し、３００時間以上放置しても、形成直後のシート抵抗±１％から外れることはなかった。
さらに、Ａｒエッチ：１００ÅとＡｒエッチ：２００Åを比較すると、Ａｒ逆スパッタリング処理量の大小の影響は小さく、わずかなエッチング量で効果があることが判明した。
以上、図４から図８を参照して、下地膜のシート抵抗への影響や大気放置時間の影響に対するＡｒ逆スパッタリング処理の効果を説明したが、これらの効果は、サンプルとして使用した、ターゲットがＳｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％又は８０／２０ｗｔ％のＣｒＳｉ薄膜抵抗に限定されるものではない。なお、Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０〜９０／１０ｗｔ％のターゲットで形成したＣｒＳｉ薄膜及びＣｒＳｉＮ膜の全てで上記と同様の効果が観察されている。
また、Ａｒ逆スパッタリング処理方法も今回使用したＤＣバイアススパッタエッチング法に限定されるものではない。
図９は、接続孔形成時に接続孔底部に高融点金属膜を残存させたサンプルと完全に除去したサンプルについて熱処理に起因する金属薄膜抵抗と金属配線の接触抵抗の変動を調べた結果を示す図である。縦軸は熱処理前の接触抵抗値で規格化した値を示し、横軸は熱処理回数を示す。
図９のサンプルとして、接続孔形成時のドライエッチング時間を調整することで、接続孔底部の高融点金属膜を５００Å程度残存させたサンプルと、完全に除去したサンプルを作成した。
高融点金属膜にはＴｉＮ膜を用いた。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体は、Ｓｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％、ＤＣパワー：０.７ＫＷ、Ａｒ：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、体積時間：６秒の条件で５０Åの膜厚に形成した。
ＣｒＳｉ薄膜形成前のＡｒ逆スパッタリング処理は、ＤＣバイアス：１２５０Ｖ、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：１６０秒の条件で行なった。これは、１０００℃、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜を４００Åだけエッチング除去するのに相当する処理である。
接続孔の平面寸法は０.６μｍ×０.６μｍであった。接触抵抗測定方法は４端子法を用いた。
上記のサンプルについて、３５０℃、窒素雰囲気中で３０分の熱処理を追加することで、接触抵抗がどのように変化するかを調べた。
ＴｉＮ膜を接続孔底部に有するサンプル（ＴｉＮ有）は、熱処理を２回追加してもほとんど熱処理前の接触抵抗から変化していない。これに対し、ＴｉＮ膜を完全に除去したサンプル（ＴｉＮ無）は、２回の熱処理追加によって接触抵抗が熱処理前に比べて２０％以上変動している。このことは、ＴｉＮ膜がＣｒＳｉ薄膜と金属配線の相互作用による抵抗変動を防止するバリヤ膜としての機能を有することを意味している。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体と金属配線の間にＴｉＮ膜を存在させることにより、例えばシンタリングやＣＶＤなど、製造工程で行なわれる熱処理による接触抵抗の変動を極めて小さくできるとともに、後工程である組立て作業で行なわれる半田処理などの熱処理での接触抵抗の変動を防止できる。これにより、設定通りの接触抵抗を安定して得ることができるとともに、組立て前後の接触抵抗の変動を防止することができ、製品の高精度化や歩留の向上が可能となる。
図１から図３を参照して説明した製造方法では、上記工程（１）において、金属配線パターン１１用の金属膜と高融点金属膜を真空中で連続して形成しているが、製造方法はこれに限定されるものではない。
例えば、金属配線パターン１１用の金属膜を形成し、一旦大気に暴露した後、高融点金属膜を形成した場合には、配線用金属膜表面に形成される自然酸化膜の影響で、上記金属膜と高融点金属膜との間で電気的導通を確保することが困難になる。このようなときには、上記金属膜及び高融点金属膜をパターニングして形成した金属材料パターン７及び高融点金属膜９からなる金属配線パターン１１上の下地絶縁膜１５に接続孔１７を形成する段階で、接続孔１７底部の高融点金属膜９を全部除去することによって、金属配線パターン１１とＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１間の電気的接続を得ることができる。
また、上記工程（１）において、反射防止膜兼バリヤ膜として機能する高融点金属膜を８００Åの膜厚に形成しているが、製造方法はこれに限定されるものではない。
一般に、反射防止膜としての高融点金属膜は５００Å以下の膜厚に形成されるが、接続孔１７の底部にバリヤ膜としての高融点金属膜９を残存させたい場合には、接続孔１７形成時のオーバーエッチング（上記工程（３）参照）や、金属薄膜形成時のＡｒ逆スパッタリング処理（上記工程（４）参照）において、高融点金属膜９の膜ベリが若干生じてしまうため、バリヤ膜としての機能を安定的に得るために、５００Å以上の膜厚に形成することが好ましい。
ただし、上述したように、接続孔１７形成用のエッチング条件やＡｒ逆スパッタリング処理条件を最適化することにより、高融点金属膜９の膜厚が５００Å以下でも高融点金属膜９の膜ベリを最小限に抑えてバリヤ膜としての機能を発揮させることは可能である。
また、上記工程（４）において、ＣｒＳｉ薄膜２７の形成直前にＡｒ逆スパッタリング処理を行なっているが、バリヤ膜としての高融点金属膜９が接続孔１７底部に残存している場合には、ＴｉＮ膜からなる高融点金属膜９は大気に晒されてもＡｌＳｉＣｕ膜ほど強固な自然酸化膜を形成しないため、上記Ａｒ逆スパッタリング処理を行なわなくてもＣｒＳｉ薄膜２７と金属配線パターン１１の電気的接続を得ることができる。この場合には、接続孔１７の上端部のテーパー形状及び逆スパッタリング残渣１９は形成されない。ただし、上述したように、ＣｒＳｉ薄膜２７の形成直前にＡｒ逆スパッタリング処理を行なうことによりＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値の安定性を改善することができるので、上記Ａｒ逆スパッタリング処理を行なうことが好ましい。
また、上記の実施例では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上にパッシベーション膜２３を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上に形成される絶縁膜は、例えば第２層目の金属配線パターンを形成するための層間絶縁膜など、いかなる絶縁膜であってもよい。
図１０は第１態様の他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１０（Ａ）での下地絶縁膜及びパッシベーション膜の図示は省略している。図１０において図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
シリコン基板１上に素子分離酸化膜３、層間絶縁膜５、金属材料パターン７及び高融点金属膜９からなる金属配線パターン１１、ならびに下地絶縁膜１５が形成されている。下地絶縁膜１５に、金属薄膜抵抗体の折返し部及び金属配線パターン１１に対応して接続孔１７が形成されている。接続孔１７の内壁には逆スパッタリング残渣１９が形成されている。接続孔１７の上端部はテーパー形状に形成されている（（Ｃ）参照）。
接続孔１７の形成領域を含んで下地絶縁膜１５上に、帯状部２１ａ、折返し部２１ｂ及び端部２１ｃをもつＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１が形成されている。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面にＣｒＳｉＮ膜（金属窒化膜）２９が形成されている。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１とＣｒＳｉＮ膜２９の間にはＣｒＳｉＯは形成されていない。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１及びＣｒＳｉＮ膜２９の形成領域を含んで下地絶縁膜１５上にパッシベーション膜２３が形成されている。
図１０を参照してこの実施例を製作するための製造方法を説明する。
図２（ａ）から（ｃ）を参照して説明した上記工程（１）から（３）と同じ工程により、素子分離酸化膜３の形成が完了したウェハ状のシリコン基板１上に、層間絶縁膜５、金属配線パターン７及び高融点金属膜９からなる金属配線パターン１１、下地絶縁膜１５、ならびに接続孔１７を形成する。
図２（ｄ）を参照して説明した上記工程（４）でのＡｒ逆スパッタリング処理及びＣｒＳｉ薄膜成膜処理と同じ条件で、例えばマルチチャンバースパッタリング装置のＡｒスパッタエッチングチャンバーにて、真空中で、層間絶縁膜５の表面に対してＡｒ逆スパッタリング処理を行なって逆スパッタリング残渣１９及び接続孔１７上端部のテーパー形状を形成し、続けて、Ａｒ逆スパッタリング処理の完了後に真空を破らずに連続して金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜を形成する。
さらに、ＣｒＳｉ薄膜の形成後、真空を破らずに連続して、ＣｒＳｉ薄膜上にＣｒＳｉＮ膜を形成する。例えば、ＣｒＳｉ薄膜の形成で用いたＳｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％のＣｒＳｉターゲットを使用し、ＤＣパワー：０.７ＫＷ（キロワット）、Ａｒ＋Ｎ2（アルゴンと窒素の混合ガス）：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：６秒の条件で処理を行ない、ＣｒＳｉ薄膜上にＣｒＳｉＮ膜を約５０Åの膜厚に形成する。次に、ＣｒＳｉＮ膜及びＣｒＳｉ薄膜をパターニングして、ＣｒＳｉＮ膜２９及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１からなる積層パターンを形成する。
その後、下地絶縁膜１５上にパッシベーション膜２３を形成する。
図１０を参照して説明した実施例でも、図１を参照して説明した実施例と同じ効果を得ることができる。
さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面はＣｒＳｉＮ膜２９により覆われているので、大気など、酸素を含む雰囲気中に暴露されてもＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面が酸化されることはない。
一般に、金属薄膜は酸素との反応性が高く、金属薄膜を大気に晒した状態で長時間放置すると抵抗値が変動してしまうことが知られている。
図１０を参照して説明した実施例では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面にＣｒＳｉＮ膜２９を形成することにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面が大気に晒されてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値が変動するのを防止している。ここで、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を形成するためのＣｒＳｉ薄膜が成膜された段階で、ＣｒＳｉ薄膜と配線パターン１１との電気的接続は完了しているため、ＣｒＳｉ薄膜２１上に新たな薄膜が成膜されても、特性上何ら影響を与えるものではない。
図１１に、ＣｒＳｉＮ膜形成用のガスのＮ2分圧とＣｒＳｉＮ膜の抵抗率の関係を示す図であり、縦軸は抵抗率ρ（mohm・cm（ミリオーム・センチメートル））、横軸はＮ2分圧（％）を示す。ここでは、ターゲット：Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％、ＤＣパワー：０.７ＫＷ、Ａｒ＋Ｎ2：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：６秒の条件でＡｒ＋Ｎ2ガスのＮ2分圧を調整してＣｒＳｉＮ膜を形成した。
Ｎ2分圧を１８％以上添加してリアクティブスパッタにより形成されたＣｒＳｉＮ膜は、Ｎ2を全く添加しないガスを用いた場合（Ｎ2分圧が０％）に比べて１０倍以上の高い抵抗率を示す。したがって、Ｎ2分圧を１８％以上に設定してＣｒＳｉＮ膜を成膜するようにすれば、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体上に直接ＣｒＳｉＮ膜を形成しても、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体全体の抵抗値はＣｒＳｉ薄膜が決定することとなり、ＣｒＳｉＮ膜は抵抗値にほとんど影響を与えない。ここで、Ｎ2分圧の上限は９０％程度である。Ｎ2分圧を９０％よりも大きく設定した場合、スパッタリング速度の大幅な低下を招き、生産効率が低下するので好ましくない。
なお、ＣｒＳｉＮ膜は、Ｎ2分圧を例えば６〜１１％程度添加してリアクティブスパッタにより形成するようにすれば、ＣｒＳｉＮ膜自体を金属薄膜抵抗体として使用することも可能である。
また、上記の実施例では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１上にＣｒＳｉＮ膜２９を備えているが、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１上にＣＶＤ系の絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を備えているようにしてもよい。しかし、一般的なマルチチャンバースパッタ装置にはＣＶＤチャンバーは接続されておらず、ＣＶＤ系の絶縁膜を真空中で連続してＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１上に形成するためには、対応する新しい設備を購入する必要があり、製造コストに多大な影響を与えてしまう。
上記製造方法例のように、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１用のＣｒＳｉ薄膜２７上にＣｒＳｉＮ膜２９を形成する構成であれば、新しい装置を購入すること無く、既存のマルチチャンバースパッタ装置を用いてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の耐酸化カバー膜となるＣｒＳｉＮ膜２９を、真空状態を破ること無く形成することができる。
図１２は第２態様の一実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１２（Ａ）でのパッシベーション膜の図示は省略している。上記実施例と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
シリコン基板１上に素子分離酸化膜３が形成されている。素子分離酸化膜３の形成領域を含むシリコン基板１上に層間絶縁膜５が形成されている。この実施例では層間絶縁膜５がＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の下地絶縁膜を構成する。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の折返し部２１ｂ及び端部２１ｃに対応する領域を含んで層間絶縁膜５上に、金属材料パターン７と高融点金属膜９からなる金属配線パターン１１が形成されている。
金属配線パターン１１の側面に絶縁性材料、例えばＣＶＤ酸化膜からなるサイドウォール１３が形成されている。サイドウォール１３の層間絶縁膜５側の表面に逆スパッタリング残渣１４（（Ａ）及び（Ｂ）での図示は省略）が形成されている。逆スパッタリング残渣１４は金属配線パターン１１及びサイドウォール１３が形成された後に層間絶縁膜５に対してＡｒ逆スパッタリング処理が施されて形成されたものである。逆スパッタリング残渣１４は成分に少なくとも層間絶縁膜５及びサイドウォール１３の材料ならびにＡｒを含んでいる。
金属配線パターン１１、サイドウォール１３及び逆スパッタリング残渣１４の形成領域の一部の領域を含んで層間絶縁膜５上に、帯状部２１ａ、折返し部２１ｂ及び端部２１ｃをもつＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１がクランク状に形成されている。この実施例では、層間絶縁膜５はＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の下地絶縁膜を構成している。
帯状部２１ａは金属配線パターン１１に起因して線幅に影響が出ない程度に金属配線パターン１１とは離間して配置されている。
折返し部２１ｂ及び端部２１ｃは、帯状部２１ａに連続する領域から、金属配線パターン１１の一側面に形成されたサイドウォール１３上及び逆スパッタリング残渣１４上、金属配線パターン１１上、並びに金属配線パターン１１の上記一側面とは反対側の側面に形成されたサイドウォール１３及び逆スパッタリング残渣１４の表面を介して層間絶縁膜５上に延伸して形成されており、折返し部２１ｂ及び端部２１ｃと金属配線パターン１１は互いに交差して形成されている。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の形成領域を含む層間絶縁膜５上に最終保護膜としてのパッシベーション膜２３が形成されている。
この実施例では、帯状部２１ａは、金属配線パターン１１に起因して線幅に影響が出ない程度に金属配線パターン１１とは離間して配置されているので、金属配線パターン１１によって帯状部２１ａの線幅が変化するのを防止することができ、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値の精度を向上させることができる。
また、この実施例でも図１を参照して説明した上記実施例と同様に、端部２１ｃにおける、金属配線パターン１１との接触抵抗を含む帯状部２１ａ、金属配線パターン１１間の抵抗値は、折返し部２１ｃにおける、金属配線パターン１１との接触抵抗を含む帯状部２１ａ、金属配線パターン１１間の抵抗値Ｒcrankと同じになるように設計されている。
したがって、帯状部２１ａの線幅をＷ、長さをＬ、抵抗率をＲCrSiとすると、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値Ｒは上記の式（１）を用いて算出することができ、設計者は式（１）を用いてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値の計算を行なうことにより、正確かつ容易に所望の抵抗値のレイアウトが可能になる。
さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１は金属配線パターン１１の上面からサイドウォール１３及び逆スパッタリング残渣１４の表面を介して層間絶縁膜５上にわたって形成されているので、配線パターン上に形成された接続孔を介して金属薄膜抵抗体と配線パターンの電気的接続を形成する場合に比べて上記接続孔を形成する一連の工程を行なわなくてよいので、工程の短縮及び簡素化を実現でき、かつ上記接続孔を有するがゆえの金属薄膜抵抗体のステップカバレージの悪化による金属薄膜抵抗体の抵抗値変動及び電極との接触抵抗の増大もない。
さらに、金属配線パターン１１の側面にサイドウォール１３が形成されているので、配線パターン１１の側面に起因する急峻な段差によるＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１のステップカバレージの悪化を防止することができる。
さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の折返し部２１ｂ及び端部２１ｃは金属配線パターン１１と交差して形成されているので、金属配線パターン１１と折返し部２１ｂ及び端部２１ｃの重ね合わせズレや折返し部２１ｂ及び端部２１ｃの帯状部２１ａとは反対側の端部の丸まりによる、金属配線パターン１１とＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の接触領域の変動をなくすことができ、安定した接触抵抗を得ることができる。
さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１と金属材料パターン７の間にバリヤ膜として機能する高融点金属膜９を介在させているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１と金属配線パターン１１の接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。
さらに、高融点金属膜９はバリヤ膜兼反射防止膜としても機能しており、従来技術に比べて製造工程を増加させることなく高融点金属膜９を形成することができるので、製造コストの増大を防止しつつ、金属薄膜抵抗体と配線パターンの接触抵抗を安定させることができる。
図１３はこの実施例の製造方法例を説明するための工程断面図である。図１２及び図１３を参照してこの実施例を説明する。
（１）図２（ａ）を参照して説明した上記工程（１）と同様にして、素子分離酸化膜３及びトランジスタ素子等（図示は省略）の形成が完了したウェハ状のシリコン基板１上に層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５上に金属材料パターン７及び高融点金属膜９からなる金属配線パターン１１を形成する（図１３（ｂ）参照。）。
（２）例えばプラズマＣＶＤ法により、金属配線パターン１１の形成領域を含む層間絶縁膜５上にプラズマＣＶＤ酸化膜を２０００Å程度の膜厚に形成した後、エッチバック処理を行なって、金属配線パターン１１の側面にプラズマＣＶＤ酸化膜からなるサイドウォール１３を形成する（図１３（ｂ）参照。）。
（３）図２（ｄ）を参照して説明した上記工程（４）でのＡｒ逆スパッタリング処理と同じ条件で、金属配線パターン１１及びサイドウォール１３の形成領域を含んで層間絶縁膜５に対してＡｒ逆スパッタリング処理を行なう。このＡｒ逆スパッタリング処理により、サイドウォール１３の層間絶縁膜５側の表面に逆スパッタリング残渣１４（図１２（Ｃ）参照。）が形成される。
続けて、Ａｒスパッタエッチング完了後に真空状態を破らずに連続して、図２（ｄ）を参照して説明した上記工程（４）でのＣｒＳｉ薄膜の成膜処理と同じ条件で、金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜２７を形成する（図１３（ｃ）参照。）。
（４）写真製版技術により、ＣｒＳｉ薄膜上に金属薄膜抵抗体の形成領域を画定するためのレジストパターンを形成する。そのレジストパターンにおいて、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の帯状部２１ａ（図１２参照。）に対応するパターンは、金属配線パターン１１に起因して帯状部２１ａの線幅に影響が出ない程度に金属配線パターン１１とは離間する領域に形成され、金属配線パターン１１によって帯状部２１ａの線幅が変化するのを防止する。
例えばＲＩＥ装置を用い、上記レジストパターンをマスクにしてＣｒＳｉ薄膜をパターニングしてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を形成する。その後、上記レジストパターンを除去する。ここで、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１は金属配線パターン１１の一部分と電気的に接続されているので、従来技術のようには金属薄膜抵抗体上面で電気的接続をとるためにフッ酸水溶液によるＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の表面の金属酸化膜除去処理を行なう必要はない。
例えばプラズマＣＶＤ法により、層間絶縁膜５上全面にパッシベーション膜２３としてのシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を順次形成する。以上により、半導体装置の製造工程が完了する（図１２参照。）。
このように、この実施例でも、図１を参照して説明した実施例と同様に、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を形成した後にウェットエッチング技術によるパターニングを行なう必要はなく、さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１における金属配線パターン１１との接触面が大気に暴露されることはないので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１に対する表面酸化膜除去処理及びエッチング防止用バリヤ膜形成を行なわなくても、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１と金属配線パターン１１の良好な電気的接続を安定して得ることができる。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の膜厚に関わらず、工程数を増加させることなく、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の微細化及び抵抗値の安定化を実現することができる。
さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１用のＣｒＳｉ薄膜の形成直前にＡｒ逆スパッタリング処理が施されていることにより、図４から図８を参照して説明したように、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の下地膜依存性を改善できる。
図１４は第２態様の他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＤ−Ｄ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１４（Ａ）でのパッシベーション膜の図示は省略している。上記実施例と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
この実施例が図１２を参照して説明した実施例と異なる点は、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面にＣｒＳｉＮ膜２９が形成されていることである。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１とＣｒＳｉＮ膜２９の間にはＣｒＳｉＯは形成されていない。ＣｒＳｉＮ膜２９は図１０を参照して説明した製造方法例と同様にして形成することができる。
この実施例では、図１２に示した実施例の作用効果に加えて、図１０に示した実施例と同様に、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面にＣｒＳｉＮ膜２９を備えているのでＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面が大気に晒されてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値が変動するのを防止することができる。
図１２及び図１４を参照して説明した両実施例では、金属配線パターン１１の側面にサイドウォール１３を備えているが、本発明の半導体装置の第２態様は、図１５及び図１６に示すように、金属配線パターン１１の側面にサイドウォールが形成されていない構成であってもよい。
図１５及び図１６において、符号３１は、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１用のＣｒＳｉ薄膜形成直前にＡｒ逆スパッタリング処理が施されて形成された逆スパッタリング残渣を示す。逆スパッタリング残渣３１は成分に少なくとも高融点金属膜９及び層間絶縁膜５の材料ならびにＡｒを含んでいる。また、Ａｒ逆スパッタリング処理により、高融点金属膜９の上端部はテーパー形状に形成されている。図１５及び図１６に示した両実施例では、図１２及び図１４に示した両実施例と比較してサイドウォール１３を備えていないのでサイドウォール１３によるＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１のステップカバレージが改善の効果は得られないが、高融点金属膜９のテーパー形状及び逆スパッタリング残渣３１により、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の折返し部２１ｂ及び端部２１ｃのステップカバレージが改善されている。また、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１用のＣｒＳｉ薄膜形成直前にＡｒ逆スパッタリング処理が施されていることにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の下地膜依存性を改善できる。
図１５に示した実施例は、図１２に示した実施例の製造工程においてサイドウォール１３を形成する工程を行なわないことにより形成することができる。また、図１６に示した実施例は、図１４に示した実施例の製造工程においてサイドウォール１３を形成する工程を行なわないことにより形成することができる。
したがって、図１５に示した実施例では図１２を参照して説明した実施例と同様の作用効果を得ることができ、図１６に示した実施例では図１４を参照して説明した実施例と同様の作用効果を得ることができる。なお、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の一部は金属材料パターン９の側面と接触しているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１と金属材料パターン９の間に高融点金属膜９を設けていることによる接触抵抗の安定性の向上についての効果は低下するものと考えられる。
上記の第１態様及び第２態様の実施例では、金属配線パターン１１が最上層の金属配線パターンとしている。
これにより、例えばＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１のレイアウト変更をＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１及び最上層の金属配線パターンのレイアウト変更により実現できるなど、設計の自由度を向上させることができる。
また、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上層には、膜厚が薄いＣｒＳｉＮ膜２９を除いて、絶縁性材料からなるパッシベーション膜２３が形成されているので、金属薄膜抵抗体の上層に最終保護膜以外の絶縁膜も形成されている場合に比べて、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１上の絶縁性材料の膜厚を薄くして膜厚ばらつきを小さくすることができる。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１にレーザー光を照射してトリミング処理を施す際に、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１上の絶縁性材料でのレーザー光の干渉のばらつきを小さくしてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１に与えられるレーザーエネルギーのばらつきを小さくすることができ、トリミングの正確性を向上させることができる。さらに、トリミング処理時のレーザー照射に起因するＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の温度上昇などに対して放熱能力を向上させることができる。
また、上記の実施例では、金属配線パターン１１として、金属材料パターンの上面に高融点金属膜が形成されたものを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、金属配線パターンとして上面に高融点金属膜が形成されていない金属材料パターンからなるものを用いてもよい。この場合、金属材料パターンとして例えばＡｌ系合金を用いた場合には、金属材料パターン表面に強固な自然酸化膜が形成されるので、接続孔形成後で金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成する前に、接続孔底部の金属材料パターン表面の自然酸化膜を除去する工程を行なうことが好ましい。その自然酸化膜除去工程は、金属薄膜抵抗体の抵抗値の経時的変化抑制を目的とした上記Ａｒ逆スパッタリング処理を兼ねて行なってもよい。また、金属配線パターンはＡｌ系合金を含むものに限定されるものではなく、いわゆるダマシン法により形成されたＣｕ配線など、他の金属材料からなる金属配線パターンであってもよい。
また、上記の実施例では、金属配線パターンの上面に形成された高融点金属膜９としてＴｉＮ膜を用いた例を挙げているが、金属配線パターンを構成する高融点金属膜はこれに限定されるものではなく、例えばＴｉＷやＷＳｉなど、他の高融点金属膜を用いてもよい。
また、上記の実施例では、１層の金属配線パターンを備えた半導体装置に本発明を適用しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、２層以上の金属配線パターンを備えた多層金属配線構造の半導体装置に本発明を適用することもできる。その場合、金属薄膜抵抗体の電気的接続を得るための、金属薄膜抵抗体の下層の金属配線は何層目の金属配線パターンであってもよい。
また、上記の実施例では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の電気的接続をとるための配線パターンとして金属材料パターン７及び高融点金属膜９からなる金属配線パターン１１を用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ポリシリコンパターンからなるポリシリコン配線パターンを用いることもできる。
図１７は第１態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＧ−Ｇ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１７（Ａ）での層間絶縁膜の図示は省略している。上記実施例と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
シリコン基板１上に素子分離酸化膜３が形成されている。シリコン基板１上に形成された酸化膜（図示は省略）上及び素子分離酸化膜３上に、ポリシリコンパターン３３と、ポリシリコンパターン３３上に形成された高融点金属膜３５からなるポリシリコン配線パターン３７が形成されている。高融点金属膜３５は例えばＷＳｉ又はＴｉＳｉにより形成されている。図示していないトランジスタ素子形成領域ではポリシリコン配線パターン３７はゲート電極を構成している。ここで、ポリシリコン配線パターン３７の側面に絶縁性材料からなるサイドウォールが形成されていてもよい。
ポリシリコン配線パターン３７の形成領域を含んで素子分離酸化膜３上に下地絶縁膜１５が形成されている。下地絶縁膜１５にはポリシリコン配線パターン３７に起因して段差が形成されている。
下地絶縁膜１５に、金属薄膜抵抗体の折返し部及び端部ならびにポリシリコン配線パターン３７に対応して接続孔１７が形成されている。（Ｃ）に示すように、接続孔１７の底面は高融点金属膜９の表面側の一部が除去されて形成されており、接続孔１７の上端部はテーパー形状に形成されている。また、接続孔１７の内壁には逆スパッタリング残渣１９が形成されている。
接続孔１７の形成領域を含んで下地絶縁膜１５上に、帯状部２１ａ、折返し部２１ｂ及び端部２１ｃをもつＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１がクランク状に形成されている。
帯状部２１ａは、ポリシリコン配線パターン３７の存在による下地絶縁膜１５の段差に起因して帯状部２１ａの線幅に影響が出ない程度にポリシリコン配線パターン３７上の領域とは離間する領域に配置されている。
折返し部２１ｂ及び端部２１ｃは、帯状部２１ａの端部から下地絶縁膜１５の段差部及びポリシリコン配線パターン３７上の領域を介して接続孔１７内にわたって形成されており、接続孔１７内で金属配線パターン１１と電気的に接続されている。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の形成領域を含んで下地絶縁膜１５上に層間絶縁膜５が形成されている。図示は省略するが、層間絶縁膜５上には、金属配線パターンやパッシベーション膜などが設けられている。また、多層金属配線構造の場合には層間絶縁膜５上に他の層間絶縁膜と複数層の金属配線パターンも設けられる。
図１７を参照してこの実施例の製造方法例を説明する。
シリコン基板１上に素子分離酸化膜３を形成し、素子分離酸化膜３以外のシリコン基板１表面にトランジスタのゲート酸化膜などの酸化膜（図示は省略）を形成した後、シリコン基板１上全面に低抵抗化したポリシリコン膜を形成し、さらにその上に高融点金属膜を形成し、そのポリシリコン膜及び高融点金属膜をパターニングしてポリシリコンパターン３３及び高融点金属膜３５からなるポリシリコン配線パターン３７を形成する。ここで、ポリシリコン配線パターン３７の形成と同時にトランジスタのゲート電極も形成される。また、ポリシリコン配線パターン３７は、ポリシリコンパターン３３を形成した後、その側面にサイドウォールを形成し、サリサイド処理によりポリシリコンパターン３３の上面に高融点金属膜３５を形成したものであってもよい。
その後の工程は、図２（ｂ）から（ｄ）及び図１を参照して説明した上記工程（２）から（５）と同様である。ただし、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を形成した後、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１上及び下地絶縁膜１５上に形成される絶縁膜は層間絶縁膜５である。
このように、本発明の第１態様において、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の電気的接続をとるための配線パターンとして、図１に示した金属配線パターン１１に替えてポリシリコン配線パターン３７を用いるようにしても、図１を参照して説明した実施例と同じ作用効果を得ることができる。
また、図１８に示すように、図１０を参照して説明した実施例と同様に、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面にＣｒＳｉＮ膜２９を備えているようにしてもよい。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面が大気に晒されてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値が変動するのを防止することができる。
図１９は第２態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１９（Ａ）での層間絶縁膜の図示は省略している。上記実施例と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
シリコン基板１上に素子分離酸化膜３が形成されている。シリコン基板１上に形成された酸化膜（図示は省略）上及び素子分離酸化膜３上に、ポリシリコンパターン３３と、ポリシリコンパターン３３上に形成された高融点金属膜３５からなるポリシリコン配線パターン３７が形成されている。
ポリシリコン配線パターン３７の側面に絶縁性材料、例えばＣＶＤ酸化膜からなるサイドウォール１３が形成されている。サイドウォール１３の素子分離酸化膜３側の表面に逆スパッタリング残渣３９（（Ａ）及び（Ｂ）での図示は省略）が形成されている。逆スパッタリング残渣３９はポリシリコン配線パターン３７及びサイドウォール１３が形成された後に素子分離酸化膜３に対してＡｒスパッタエッチング処理が施されて形成されたものである。逆スパッタリング残渣３９は成分にＡｒを含んでおり、さらに、素子分離酸化膜３及びサイドウォール１３の材料も含んでいる。
ポリシリコン配線パターン３７、サイドウォール１３及び逆スパッタリング残渣３９の形成領域の一部の領域を含んで素子分離酸化膜３上に、帯状部２１ａ、折返し部２１ｂ及び端部２１ｃをもつＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１がクランク状に形成されている。この実施例では素子分離酸化膜３がＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の下地絶縁膜を構成している。
帯状部２１ａはポリシリコン配線パターン３７に起因して線幅に影響が出ない程度にポリシリコン配線パターン３７とは離間して配置されている。
折返し部２１ｂ及び端部２１ｃは、帯状部２１ａに連続する領域から、ポリシリコン配線パターン３７の一側面に形成されたサイドウォール１３上及び逆スパッタリング残渣３９上、ポリシリコン配線パターン３７上、並びにポリシリコン配線パターン３７の上記一側面とは反対側の側面に形成されたサイドウォール１３及び逆スパッタリング残渣３９の表面を介して素子分離酸化膜３上に延伸して形成されており、折返し部２１ｂ及び端部２１ｃとポリシリコン配線パターン３７は互いに交差して形成されている。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の形成領域を含んで素子分離酸化膜３上に層間絶縁膜５が形成されている。図示は省略するが、層間絶縁膜５上には、金属配線パターンやパッシベーション膜などが設けられている。また、多層金属配線構造の場合には層間絶縁膜５上に他の層間絶縁膜と複数層の金属配線パターンも設けられる。
図１９を参照してこの実施例の製造方法例を説明する。
シリコン基板１上に素子分離酸化膜３を形成し、素子分離酸化膜３以外のシリコン基板１表面にトランジスタのゲート酸化膜などの酸化膜（図示は省略）を形成した後、シリコン基板１上全面に低抵抗化したポリシリコン膜を形成し、さらにその上に高融点金属膜を形成し、そのポリシリコン膜及び高融点金属膜をパターニングしてポリシリコンパターン３３及び高融点金属膜３５からなるポリシリコン配線パターン３７を形成する。ここで、ポリシリコン配線パターン３７の形成と同時にトランジスタのゲート電極も形成される。その後、図１３（ｂ）を参照して説明した上記工程（２）と同様にして、ポリシリコン配線パターン３７の側面にサイドウォール１３を形成する。
また、ポリシリコン配線パターン３７及びサイドウォール１３は、ポリシリコンパターン３３を形成した後、その側面にサイドウォール１３を形成し、サリサイド処理によりポリシリコンパターン３３の上面に高融点金属膜３５を形成したものであってもよい。
このように、ポリシリコン配線パターン３７及びサイドウォール１３をトランジスタのゲート電極と同時に形成するようにすれば、製造工程を増加させることはない。
その後の工程は、図１３（ｃ）（ｄ）及び図１２を参照して説明した上記工程（３）及び（４）と同様である。ただし、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を形成した後、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１上及び素子分離酸化膜３上に形成される絶縁膜は層間絶縁膜５である。
このように、本発明の第２態様において、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の電気的接続をとるための配線パターンとして、図１２に示した金属配線パターン１１に替えてポリシリコン配線パターン３７を用いるようにしても、図１２を参照して説明した実施例と同じ作用効果を得ることができる。
また、図２０に示すように、図１０を参照して説明した実施例と同様に、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面にＣｒＳｉＮ膜２９を備えているようにしてもよい。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の上面が大気に晒されてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の抵抗値が変動するのを防止することができる。
また、図１７から図２０に示した実施例では、ポリシリコン配線パターン３７として、ポリシリコンパターン３３の上面、又は上面及び側面に高融点金属膜３５が形成されたものを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ポリシリコン配線パターンとしてポリシリコンパターンのみからなるものを用いてもよい。
また、図１９及び図２０を参照して説明した両実施例では、ポリシリコン配線パターン３７の側面にサイドウォール１３を備えているが、図２１及び図２２に示すように、ポリシリコン配線パターン３７の側面にサイドウォールが形成されていない構成であってもよい。
図２１及び図２２において、符号４１は、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１用のＣｒＳｉ薄膜形成直前にＡｒ逆スパッタリング処理が施されて形成された逆スパッタリング残渣を示す。逆スパッタリング残渣４１は成分に少なくとも高融点金属膜３５及び素子分離酸化膜３の材料ならびにＡｒを含んでいる。また、Ａｒ逆スパッタリング処理により、高融点金属膜３５の上端部はテーパー形状に形成されている。図２１及び図２２に示した両実施例では、図１９及び図２０に示した両実施例と比較してサイドウォール１３を備えていないのでサイドウォール１３によるＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１のステップカバレージが改善の効果は得られないが、高融点金属膜３５のテーパー形状及び逆スパッタリング残渣４１により、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の折返し部２１ｂ及び端部２１ｃのステップカバレージが改善されている。また、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１用のＣｒＳｉ薄膜形成直前にＡｒ逆スパッタリング処理が施されていることにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の下地膜依存性を改善できる。
図２１に示した実施例は、図１９に示した実施例の製造工程においてサイドウォール１３を形成する工程を行なわないことにより形成することができる。また、図２２に示した実施例は、図２０に示した実施例の製造工程においてサイドウォール１３を形成する工程を行なわないことにより形成することができる。
したがって、図２１に示した実施例では図１９を参照して説明した実施例と同様の作用効果を得ることができ、図２２に示した実施例では図２０を参照して説明した実施例と同様の作用効果を得ることができる。
また、図２１及び図２２に示した両実施例では、ポリシリコン配線パターン３７において、高融点金属膜３５はポリシリコンパターン３３の上面及び側面に形成されている。このような構造は、ポリシリコンパターン３３を形成した後、サリサイド処理を施すことにより形成することができる。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１はポリシリコン配線パターン３７とは高融点金属膜３５のみで接触し、接触抵抗の安定化を図ることができる。
ただし、ポリシリコン配線パターン３７はこのような構造に限定されるものではなく、図１７に示したようにポリシリコンパターン３３の上面のみに高融点金属膜３５を備えているようにしてもよいし、高融点金属膜３５を備えておらず、ポリシリコンパターン３３のみによって構成されていてもよい。ポリシリコン配線パターンがポリシリコンパターンのみによって構成されていている場合には、Ａｒ逆スパッタリング処理によりポリシリコンパターンの上端部にテーパー形状が形成される。
図１２、図１４から図１６、及び図１９から図２２に示した第２態様の各実施例では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の折返し部２１ｂ及び端部２１ｃと配線パターン１１又は３７は互いに交差して設けられているが、本発明はこれに限定されるものではなく、折返し部２１ｂ及び端部２１ｃの端部が配線パターン上に配置されていてもよいし、折返し部２１ｂ及び端部２１ｃの下に配線パターンの端部が配置されていてもよい。
例えば、図１２を参照して説明した実施例を参考にして説明すると、図２３（Ａ）の平面図に示すように、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１の折返し部２１ｂ及び端部２１ｃの端部が金属配線パターン１１の上に配置されていてもよいし、図１８（Ｂ）に示すように、折返し部２１ｂ及び端部２１ｃ下に金属配線パターン１１の端部が配置されていてもよい。
また、図１から図２２に示した上記の実施例及びサンプルでは、金属薄膜抵抗体の材料としてＣｒＳｉを用いた例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、金属薄膜抵抗体の材料としては、例えばＮｉＣｒ、ＴａＮ、ＣｒＳｉ2、ＣｒＳｉＮ、ＣｒＳｉ、ＣｒＳｉ０など、他の材料を用いてもよい。
本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体は、例えばアナログ回路を備えた半導体装置に適用することができる。以下に、本発明にかかる金属薄膜抵抗体を備えたアナログ回路を備えた半導体装置の実施例について説明する。
図２４はアナログ回路である定電圧発生回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。
直流電源４３からの電源を負荷４５に安定して供給すべく、定電圧発生回路４７が設けられている。定電圧発生回路４７は、直流電源４３が接続される入力端子（Ｖbat）４９、基準電圧発生回路（Ｖref）５１、演算増幅器（比較回路）５３、出力ドライバを構成するＰチャネルＭＯＳトランジスタ（以下、ＰＭＯＳと略記する）５５、分割抵抗素子Ｒ１，Ｒ２及び出力端子（Ｖout）５７を備えている。
定電圧発生回路４７の演算増幅器５３では、出力端子がＰＭＯＳ５５のゲート電極に接続され、反転入力端子（−）に基準電圧発生回路５１から基準電圧Ｖrefが印加され、非反転入力端子（＋）に出力電圧Ｖoutを抵抗素子Ｒ１とＲ２で分割した電圧が印加され、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の分割電圧が基準電圧Ｖrefに等しくなるように制御される。
図２５は、アナログ回路である電圧検出回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。
電圧検出回路５９において、符号５３は演算増幅器で、その反転入力端子（−）に基準電圧発生回路５１が接続され、基準電圧Ｖrefが印加される。入力端子（Ｖsens）６１から入力される測定すべき端子の電圧が分割抵抗素子Ｒ１とＲ２によって分割されて演算増幅器５３の非反転入力端子（＋）に入力される。演算増幅器５３の出力は出力端子（Ｖout）６３を介して外部に出力される。
電圧検出回路５９では、測定すべき端子の電圧が高く、分割抵抗素子Ｒ１とＲ２により分割された電圧が基準電圧Ｖrefよりも高いときは演算増幅器５３の出力がＨレベルを維持し、測定すべき端子の電圧が降下してきて分割抵抗素子Ｒ１とＲ２により分割された電圧が基準電圧Ｖref以下になってくると演算増幅器５３の出力がＬレベルになる。
一般に、図３５に示した定電圧発生回路や図３６に示した電圧検出回路では、製造プロセスのバラツキに起因して基準電圧発生回路からの基準電圧Ｖrefが変動するので、その変動に対応すべく、分割抵抗素子としてヒューズ素子の切断により抵抗値を調整可能な抵抗素子回路（分割抵抗回路と称す）や、抵抗素子へのレーザー照射により抵抗値を調整可能な分割抵抗回路を用いて、分割抵抗素子の抵抗値を調整している。
図２６は、本発明の金属薄膜抵抗体が適用される分割抵抗回路の一例を示す回路図である。
図２７及び図２８は、その分割抵抗回路のレイアウト例を示すレイアウト図であり、図２７はヒューズ素子部分のレイアウト例を示し、図２８は抵抗素子部分のレイアウト例を示す。
図２６に示すように、抵抗素子Ｒbottom、ｍ＋１個（ｍは正の整数）の抵抗素子ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍ、抵抗素子Ｒtopが直列に接続されている。抵抗素子ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍには、各抵抗素子に対応してヒューズ素子ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍが並列に接続されている。
図２７に示すように、ヒューズ素子ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍは、例えばシート抵抗が２０Ω〜４０Ωのポリシリコンパターンにより形成されている。
抵抗素子ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍの値は抵抗素子Ｒbottom側から順に二進数的に増加するよう設定されている。すなわち、抵抗素子ＲＴｎの抵抗値は、抵抗素子ＲＴ０の抵抗値を単位値とし、その単位値の２ｎ倍である。
例えば、図２８に示すように、帯状部２１ａ、折返し部２１ｂ、端部２１ｃをもつＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を用い、抵抗素子ＲＴ０を１本のＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を単位抵抗とし、抵抗素子ＲＴｎを２ｎ本のＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１により構成する。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１は、例えば図１を参照して説明した実施例のものが用いられ、抵抗素子ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍの抵抗値は上記の式（１）により算出される。ただし、図１を参照して説明した実施例以外の他の実施例で説明したＣｒＳｉ薄膜抵抗体２１を適用することもできる。
図２７及び図２８において、符号Ａ−Ａ間、符号Ｂ−Ｂ間、符号Ｃ−Ｃ間、符号Ｄ−Ｄ、符号Ｅ−Ｅ、符号Ｆ−Ｆ及び符号Ｇ−Ｇ間はそれぞれ金属配線パターン１１により電気的に接続されている。
このように、抵抗素子の比の精度が重視される分割抵抗回路では、製造工程での作り込み精度を上げるために、一対の抵抗素子及びヒューズ素子からなる単位抵抗素子が直列に接続されて梯子状に配置されている。
このような分割抵抗回路では、任意のヒューズ素子ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍをレーザー光によって切断することにより、所望の直列抵抗値を得ることができる。
上述のように、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体によれば抵抗素子の安定化を図ることができるので、図２６に示した分割抵抗回路の出力電圧の精度の向上を図ることができる。
図２６に示した分割抵抗回路を図２４に示した定電圧発生回路４７の分割抵抗素子Ｒ１，Ｒ２に適用する場合、例えば抵抗素子Ｒbottom端を接地し、抵抗素子Ｒtop端をＰＭＯＳ５５のドレインに接続する。さらに、抵抗素子Ｒbottom、ＲＴ０間の端子ＮｏｄｅＬ、又は抵抗素子Ｒtop、ＲＴｍ間の端子ＮｏｄｅＭを演算増幅器５３の非反転入力端子に接続する。
本発明を適用した分割抵抗回路によれば分割抵抗回路の出力電圧の精度の向上を図ることができるので、定電圧発生回路４７の出力電圧の安定化を図ることができる。
また、図２６に示した分割抵抗回路を図２５に示した電圧検出回路５９の分割抵抗素子Ｒ１，Ｒ２に適用する場合、例えば抵抗素子Ｒbottom端を接地し、抵抗素子Ｒtop端を入力端子６１に接続する。さらに、抵抗素子Ｒbottom、ＲＴ０間の端子ＮｏｄｅＬ、又は抵抗素子Ｒtop、ＲＴｍ間の端子ＮｏｄｅＭを演算増幅器５３の非反転入力端子に接続する。
本発明を適用した分割抵抗回路によれば分割抵抗回路の出力電圧の精度の向上を図ることができるので、電圧検出回路５９の電圧検出能力の精度の向上を図ることができる。
図２４から図２８を参照して、本発明を構成する金属薄膜抵抗体を適用した分割抵抗回路が適用される半導体装置の例を説明したが、このような分割抵抗回路が適用される半導体装置は定電圧発生回路を備えた半導体装置及び電圧検出回路を備えた半導体装置に限定されるものではなく、分割抵抗回路を備えた半導体装置であれば適用することができる。
また、本発明を構成する金属薄膜抵抗体が適用される半導体装置は分割抵抗回路を備えた半導体装置に限定されるものではなく、金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置であれば、本発明を適用することができる。例えば、本発明を構成する金属薄膜抵抗体は、抵抗体自体にレーザー光を照射して切断又は変質させて抵抗値を調整するための抵抗体として用いることもできる。
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、寸法、形状、材料、配置などは一例であり、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
第１態様の一実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 同実施例を製造するための製造方法の一例を説明するための工程断面図である。 図２の製造方法においてＡｒ逆スパッタリング処理を施した後の接続孔近傍の状態を拡大して示す断面図である。 本発明により形成した金属薄膜抵抗体のシート抵抗と膜厚との関係を示す図であり、縦軸はシート抵抗（Ω／?）、横軸はＣｒＳｉ膜厚（Å）を示す。 本発明により形成した金属薄膜抵抗体のシート抵抗のウェハ面内の６３箇所での測定結果の標準偏差（σ）を平均値（ＡＶＥ）で割った値（σ／ＡＶＥ）と膜厚との関係を示す図であり、縦軸はσ／ＡＶＥ（％）、横軸はＣｒＳｉ膜厚（Å）を示す。 金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成する前にＡｒ逆スパッタリング処理を行なった場合及び行なわなかった場合のＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗と金属薄膜抵抗体の下地膜を形成してから経過した時間との関係を示す図であり、（Ａ）は行なった場合、（Ｂ）は行なわなかった場合を示し、縦軸はシート抵抗（Ω／?）、横軸は下地膜形成後経過時間（時間）を示す。 Ａｒ逆スパッタリング処理の量とシート抵抗の関係を示す図であり、縦軸はシート抵抗（Ω／?）、横軸はエッチング量（熱酸化膜エッチング量換算）（Å）を示す。 金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜を形成した後に、温度２５℃、湿度４５％の大気中に放置した時間と、形成直後のシート抵抗からのシート抵抗の変化率（ΔＲ／Ｒ０）の関係を示す図であり、縦軸はΔＲ／Ｒ０（％）、横軸は放置時間（時間）を示す。 接続孔形成時に接続孔底部に高融点金属膜を残存させたサンプルと完全に除去したサンプルについて熱処理に起因する金属薄膜抵抗と金属配線の接触抵抗の変動を調べた結果を示す図であり、縦軸は熱処理前の接触抵抗値で規格化した値、横軸は熱処理回数を示す。 第１態様の他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 ＣｒＳｉＮ膜形成用のガスのＮ2分圧とＣｒＳｉＮ膜の抵抗率の関係を示す図であり、縦軸は抵抗率ρ（mohm・cm）、横軸はＮ2分圧（％）を示す。 第２態様の一実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 同実施例の製造方法例を説明するための工程断面図である。 第２態様の他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＤ−Ｄ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 第２態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｅ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 第２態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＦ−Ｆ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 第１態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＧ−Ｇ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 第１態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＨ−Ｈ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 第２態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 第２態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＪ−Ｊ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 第２態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＫ−Ｋ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 第２態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域の一部を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ−Ｌ位置での断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 第１態様のさらに他の実施例における金属薄膜抵抗体及び金属配線パターンの形成領域を示す平面図である。 アナログ回路である定電圧発生回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。 アナログ回路である電圧検出回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。 アナログ回路である分割抵抗回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。 同分割抵抗回路のヒューズ素子部分のレイアウト例を示すレイアウト図である。 同割抵抗回路の金属薄膜抵抗体部分のレイアウト例を示すレイアウト図である。 従来の半導体装置を示す断面図である。 他の従来の半導体装置を示す断面図である。 さらに他の従来の半導体装置を示す断面図である。 従来の半導体装置における複数の金属薄膜抵抗体の接続例を示す平面図である。 さらに他の従来の半導体装置を適用した場合の不具合を説明するための断面図である。 さらに他の従来の半導体装置を示す断面図である。
符号の説明
１ シリコン基板
３ 素子分離酸化膜
５ 層間絶縁膜
７ 金属材料パターン
９ 高融点金属膜
１１ 金属配線パターン
１３ サイドウォール容量素子の下層側電極
１５ 層間絶縁膜
１７ 接続孔
１９，３１，３９，４１ 逆スパッタリング残渣
２１ ＣｒＳｉ薄膜抵抗体
２１ａ 帯状部
２１ｂ 折返し部
２１ｃ 端部
２３ パッシベーション膜
２７ ＣｒＳｉ薄膜
２９ ＣｒＳｉＮ膜
３３ 金属材料パターン
３５ 高融点金属膜
３７ ポリシリコン配線パターン
４３ 直流電源
４５ 負荷
４７ 定電圧発生回路
４９ 入力端子
５１ 基準電圧発生回路
５３ 演算増幅器
５５ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
５７ 出力端子
５９ 電圧検出回路
６１ 入力端子
６３ 出力端子
Ｒ１，Ｒ２ 分割抵抗素子
Ｒbottom，ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍ，Ｒtop 抵抗素子
ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍ ヒューズ素子
ＮｏｄｅＬ，ＮｏｄｅＭ 端子

Claims (15)

  1. 下地絶縁膜上に金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置において、
    前記下地絶縁膜下に形成された下層側絶縁膜と、
    前記下層側絶縁膜上に形成された配線パターンを備え、
    前記下地絶縁膜は前記下層側絶縁膜上及び前記配線パターン上に形成され、前記配線パターンに起因する段差をもち、前記配線パターン上の前記下地絶縁膜に接続孔が形成されており、
    前記金属薄膜抵抗体は少なくとも２本の帯状部と前記帯状部に連続して形成された折返し部をもち、
    前記帯状部は前記下地絶縁膜の前記段差に起因して線幅に影響が出ない程度に前記配線パターン上の領域とは離間して配置されており、
    前記折返し部は前記配線パターン上の領域とは離間する領域で少なくとも２本の前記帯状部を連結し、かつ前記配線パターン上の領域を介して前記接続孔内にわたって形成されていること特徴とする半導体装置。
  2. 前記接続孔の少なくとも上端部がテーパー状に形成されており、かつ、成分に少なくとも前記配線パターン及び前記下地絶縁膜の材料ならびにＡｒを含んでいる逆スパッタリング残渣が前記接続孔の内壁に形成されている請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記配線パターンは、金属材料パターンと、前記金属材料パターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 前記配線パターンは、ポリシリコンパターンと、前記ポリシリコンパターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている請求項１又は２に記載の半導体装置。
  5. 下地絶縁膜上に金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置において、
    前記下地絶縁膜は平坦化されており、
    前記下地絶縁膜上に形成された配線パターンを備え、
    前記金属薄膜抵抗体は少なくとも２本の帯状部と前記帯状部に連続して形成された折返し部をもち、
    前記帯状部は前記金属配線パターンに起因して線幅に影響が出ない程度に前記配線パターン上の領域とは離間して配置されており、
    前記折返し部は前記配線パターンとは離間する領域で少なくとも２本の前記帯状部を連結し、かつ前記配線パターン上にわたって形成されていること特徴とする半導体装置。
  6. 前記配線パターンの上端部はテーパー形状に形成されており、かつ前記配線パターンの前記下地絶縁膜側の側面に逆スパッタリング残渣が形成されている請求項５に記載の半導体装置。
  7. 前記配線パターンの側面に形成された絶縁性材料からなるサイドウォールをさらに備え、
    前記折返し部は前記下地絶縁膜上から前記サイドウォール表面を介して前記配線パターン上にわたって形成されている請求項５に記載の半導体装置。
  8. 前記サイドウォールの前記下地絶縁膜側の表面に、成分に少なくとも前記サイドウォールの材料及びＡｒを含んでいる逆スパッタリング残渣が形成されている請求項７に記載の半導体装置。
  9. 前記配線パターンは、金属材料パターンと、前記金属材料パターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている請求項７又は８に記載の半導体装置。
  10. 前記配線パターンは、ポリシリコンパターンと、前記ポリシリコンパターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている請求項７又は８に記載の半導体装置。
  11. 前記折返し部は前記配線パターンと交差して形成されている請求項５から１０のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 前記金属薄膜抵抗体の上面を覆う金属窒化膜を備え、前記金属薄膜抵抗体の上面と前記金属窒化膜の間には金属酸化膜は形成されていない請求項１から１１のいずれかに記載の半導体装置。
  13. ２個以上の抵抗素子による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置において、
    前記抵抗素子は、請求項１から１２のいずれかに記載の金属薄膜抵抗体により構成されていることを特徴とする半導体装置。
  14. 入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、
    前記分割抵抗回路として請求項１３に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。
  15. 入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて前記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において、
    前記分割抵抗回路として請求項１３に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。
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